JP3764689B2 - 半導体製造方法および半導体製造装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造方法および半導体製造装置に係り、特にサセプタを回転しながら成膜室でウエハに成膜する半導体製造方法および半導体製造装置に好適である。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体製造方法および半導体製造装置を図8を参照しながら説明する。図8の半導体製造装置は、低圧に保持した成膜室に成膜ガスを導入し、加熱したウエハ面上に所望の厚さの膜を形成する枚葉式低圧熱CVD(Chemical Vapor
Deposition)装置である。
【0003】
従来の半導体製造方法および半導体製造装置では、真空に保持した成膜室102内に、ゲートバルブ103を介してウエハ101が搬入される。搬入したウエハ101がウエハ支持台104上に設置したサセプタ110上に載置され、ウエハ支持台104内部に設置したヒータ105によりウエハ101が加熱される。ガス供給部106からシャワーヘッド107を介してウエハ101上へガスが供給されることにより成膜が行なわれる。このとき、膜厚の均一性を向上させるために、サセプタ110がある一定速度で回転される。導入した成膜ガスは排気口108から排気される。所望の厚さの膜が形成された後、成膜ガスの導入が止められ、ゲートバルブ103からウエハ101が搬出される。
【0004】
ここで、ポリシリコン膜を成膜する場合には、ウエハ101が550℃から750℃程度に加熱され、ガス供給部106からモノシラン(SiH4)ならびに水素(H2)あるいは窒素(N2)などの成膜ガスが導入されてウエハ101面上に成膜される。
【0005】
半導体製造方法および半導体製造装置においては、高品質の半導体デバイスを製造するために、ウエハならびにサセプタの精密な温度管理が要求される。そこで、ウエハ支持台104の内部には、放射温度計109が設置されており、ウエハ面内温度が絶えず一定になるように、ヒータ105の出力を制御している。放射温度計109として熱電対を用いウエハ温度を制御すると、ウエハ温度上昇に時間遅れが生じるため、昇温速度が低下し、温度変動に対する応答性が低下する。そこで従来は、サセプタ温度を放射温度計で直接測定している。
【0006】
係る従来の半導体製造方法に関連する従来技術としては、特開平6−77151号公報、特開平7−94419号公報、特開平11−329942号公報などが挙げられる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
係るサセプタ温度を放射温度計109で測定してヒータ105の出力を制御する従来の半導体製造方法では、放射温度計109の指示値の変動により、サセプタ温度ならびにウエハ温度の再現性が低下するという問題が生じていた。放射温度計109の指示値が変動する原因は、放射温度計109とサセプタ110の間隔の変動、サセプタ110の裏面にも膜が形成されることによるサセプタ輻射率の変動である。また、サセプタ110の回転時には、ウエハ101の周方向温度分布により、放射温度計109の指示値が大きくばらつくという問題も生じていた。
【0008】
本発明の目的は、ウエハ面内の温度制御性が向上すると共に、ウエハ面内の膜厚均一性を向上させることができ、高品質の半導体を高スループットで製造することが可能である半導体製造方法および半導体製造装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、成膜室内にウエハを搬入してサセプタに載置し、前記サセプタを加熱するヒータで前記サセプタを回転しながら前記ウエハを加熱し、前記ウエハの加熱状態で前記成膜室に成膜ガスを供給して前記ウエハ面上に成膜し、成膜時に回転する前記サセプタの温度を放射温度計で測定し、この測定結果に基づいて前記ヒータの出力を制御する半導体製造方法において、前記ウエハを成膜処理する際に前記ヒータの温度を熱電対で測定し、この測定結果に基づいて前記放射温度計の測定温度を補正し、この補正した温度に基づいて前記ヒータの出力を制御するようにしたことにある。
【0010】
上記目的を達成するために、本発明は、ガス供給部および排気口を有する成膜室を形成する筐体と、ウエハを支持して成膜時に回転されるサセプタと、回転する前記サセプタの温度を測定するように前記サセプタに対向して配置された放射温度計と、前記サセプタを加熱するヒータと、前記ヒータの温度を測定するように配置された熱電対と、前記ヒータの出力を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は、前記サセプタの回転時における前記放射温度計による測定温度を前記熱電対による測定温度により補正し、この補正した温度に基づいて前記ヒータの出力を制御する構成にしたことにある。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態の半導体製造方法および半導体製造装置について図を用いて説明する。
【0012】
まず本実施形態の半導体製造装置の全体構成を図1を参照しながら説明する。図1は本発明の一実施形態の枚葉式低圧熱CVD装置の概略構成図である。
【0013】
成膜室2は密閉された筐体2aにより形成されている。円形筒状の筐体2aは、上面部にガス供給部3、側面一側にゲートバルブ10、側面他側に排気口5がそれぞれ形成されている。
【0014】
ガス供給部3は、成膜室2内へ成膜ガスや不活性ガスなどを導入するためのものであり、筐体2aの上面中央部に設けられ、外部のガス供給源(図示せず)に接続されている。ガス供給部3の直下には成膜室2内の上部全体に広がるシャワーヘッド4が配置されている。これにより、ガス供給部3から供給される成膜ガスなどはシャワーヘッド4を介して成膜室2へ導入される。このシャワーヘッド4は成膜ガスなどを成膜室2内に均一に供給するためのものであり、多数の孔を有している。そして、シャワーヘッド4はウエハ1の直上に位置され、成膜ガスなどをウエハ1面上に均一に供給する。
【0015】
ゲートバルブ10は、成膜室2に対してウエハ1を搬入、搬出する際に開き、その他の状態では閉じて成膜室2内の密閉性を保つようになっている。
【0016】
排気口5は真空ポンプ6に接続されている。真空ポンプ6を運転することにより、成膜室2内のガスが排気口5を通して真空ポンプ6に吸引され、筐体2a内が低圧に保たれる。
【0017】
円板状のウエハ1は上述したようにゲートバルブ10を通して搬入され、シャワーヘッド4と対向して設置されたウエハ支持台7上に載置される。
【0018】
ウエハ支持台7は、円板状のサセプタ71、ヒータ72、ウエハ支持台側壁73、ウエハ支持台底壁74、ウエハ支持台回転軸75から構成されている。そして、サセプタ71、ウエハ支持台側壁73、ウエハ支持台底壁74により閉鎖された空間が形成され、この空間にヒータ72が配置されている。
【0019】
サセプタ71は、ヒータ72により加熱されてその熱によりウエハ1を加熱するためのものであり、ウエハ支持台側壁73およびウエハ支持台底壁74と共にウエハ支持台回転軸75の回転により回転されるようになっている。従って、ウエハ1は、サセプタ71に載置されて回転しながら加熱される。
【0020】
ヒータ72は、サセプタ71を均一に加熱するために、複数のゾーン(本実施形態では3ゾーン)に分割され、ゾーン毎に制御されるように構成されている。なお、ヒータ72は、サセプタ71を均一に加熱できると共に、容易にサセプタ71の温度を制御できるように分割されることが好ましい。従って、ヒータ72の分割数は、均一加熱性が重視される場合には多いほうが好ましく、制御および製作容易性が重視される場合には少ないほうが好ましい。
【0021】
ウエハ支持台7内部には、温度変動に対する応答性が優れる放射温度計8と熱電対9とが設置されている。放射温度計8はウエハ面内温度制御のために設けられ、サセプタ71下面からの放射熱を検出してサセプタ71の温度を測定する。熱電対9は放射温度計8による指示値を補正するために設けられ、ヒータ72の温度を測定する。本実施形態では、3分割した各ヒータゾーンにつき、放射温度計8および熱電対9をそれぞれ一個ずつ設置している。なお、放射温度計8および熱電対9はそれぞれのゾーンに一個以上設置されていればよい。
【0022】
放射温度計8および熱電対9による温度検知信号は、コンピュータ11に導かれ、コンピュータ11からの出力信号をヒータ出力制御装置12に送ることにより、ヒータ72を制御するシステムになっている。
【0023】
次に、ウエハ1の成膜処理手順、すなわち半導体製造方法を図1および図2を参照しながら説明する。図2は図1の半導体製造装置を用いた半導体製造方法を示すフローチャート図である。
【0024】
ウエハ1を成膜室2内に搬入する前に、サセプタ71が所定の温度になるように、ヒータ72によりサセプタ71が加熱される(ステップ81)。この時のサセプタ71の温度は放射温度計8により測定され、測定された温度はコンピュータ11に送られる。
【0025】
また、成膜室2内の圧力が成膜時とほぼ同一になるように、ガス供給部3から窒素(N2)などの不活性ガスが導入され、シャワーヘッド4を介して成膜室2内に供給されると共に、真空ポンプ6が運転されて供給された不活性ガスが排気口5から排気される(ステップ82)。
【0026】
サセプタ71が所定温度に達し、成膜室2内の圧力が成膜時とほぼ同一の低圧になった状態で、搬送治具によりウエハ1がゲートバルブ10から成膜室2内へ搬入され、高温に加熱されたサセプタ71上にウエハ1が載置される(ステップ83)。サセプタ71はヒータ72で加熱されてその熱によりウエハ1を加熱し、ウエハ1が所定の温度(ポリシリコン膜を成膜する場合には550℃から750℃程度)になるまで待機する(ステップ84)。この時のウエハ1の温度はサセプタ71の温度を放射温度計8で測定されることにより間接的に測定される。
【0027】
ウエハ1が所定温度に達した状態で、不活性ガスの供給が停止され、成膜ガス(ポリシリコン膜を成膜する場合には、モノシラン(SiH4)、および水素(H2)あるいは窒素(N2))がガス供給部3から導入され、シャワーヘッド4を介して筐体2a内のウエハ1面上に供給され(ステップ85)、この成膜ガスによりウエハ1面上へ膜が堆積される(ステップ86)。このとき、ウエハ1面内の膜厚均一性を向上させる目的でサセプタ71がある一定速度で回転される。成膜ガスは成膜した後に成膜室2の側面に設けた排気口5から排気される。
【0028】
このウエハ1面上へ膜が堆積される時に、ウエハ1面内温度が放射温度計8により計測されると共に、この放射温度計8の指示値が熱電対9で検出した温度により補正されてヒータ72の出力が制御される(ステップ87)。こうすることにより、高速昇温過程を必要とする場合においても、温度計測の精度が向上し、ヒータ72の出力値のばらつきが減少して、ウエハ1面内の温度分布の均一性が向上する。
【0029】
ウエハ1面上への成膜が完了したら、成膜ガスの供給が停止され、不活性ガスが筐体2a内に供給される(ステップ88)。そして、ウエハ1が成膜室2からゲートバルブ10を通して搬出される(ステップ88)。
【0030】
このウエハ1の搬出の回数が所定回数に達したか判定され(ステップ89)、所定回数に達していない場合にはステップ83に戻り、ステップ83〜89の処理が行なわれ、所定回数に達すると終了する。
【0031】
次に、ヒータ72の制御方法および放射温度計8の指示値の補正方法について図3および図4を参照しながら詳細に説明する。図3は図1の半導体製造装置におけるウエハ搬入・搬出時のヒータ制御方法を示すタイムチャート図、図4は図1の半導体製造装置における放射温度計の設定値を補正する方法を示すタイムチャート図である。
【0032】
成膜室2内に冷たいウエハ1が搬入されると、ヒータ72の設定温度が一定の場合には、ヒータ72の温度が低下し、数分間経過した後に元の温度に回復する。そこで、本実施形態では、図3の実線に示すようにウエハ1の搬入前にヒータ72の設定温度を上げ、ウエハ1搬入後にヒータ72の設定温度を元に戻すようにしている。これにより、ウエハ1の搬入後でも、図3の点線に示すヒータ測定温度のようにヒータ72の温度低下を防止でき、迅速にウエハ1の温度を所定温度に上昇することができる。これによって、ウエハ1面内の膜厚均一性を向上することができ、高品質の半導体を高スループットで製造することができる。そして、次のウエハ1の搬入前に再びヒータ72の設定温度を上げ、その後に元に戻すようにしている。以降、この処理を繰り返す。
【0033】
このようにヒータ72の設定温度を制御しても、ウエハ1の処理が繰り返されると、ヒータ測定温度が例えば図4に示すように2回目以降の処理から徐々に低下することがある。そこで、本実施形態では、処理回数によって放射温度計8の設定温度を徐々に上げ、次の式(1)で示すように処理温度の低下を補正するようにしている。
【0034】
Tset=Tset,0+f(ΔT)=Tset,0+(a×ΔT+b) (1)
ここに、Tset:放射温度計8の補正後設定温度、Tset,0:放射温度計8の補正前設定温度、f:補正関数、ΔT:ヒータ測定温度差、a,b:補正係数である。なお、式(1)では補正式f(ΔT)を一次式としたが、これを二次式:a×ΔT2+b×ΔT+cとしてもよい。
【0035】
上記式(1)のように放射温度計8の設定温度を補正することにより、図4に示す放射温度計8の補正前設定温度Tset,0から放射温度計8の補正後設定温度Tsetのように補正され、ウエハ1の処理が繰り返されてもウエハ1面内温度が2回目以降の処理でも均一にして行なうことができ、高品質の半導体を高スループットで製造することができる。
【0036】
次に、サセプタ71の回転前後の絶対位置を制御する方法について図5および図6を参照しながら詳細に説明する。図5は従来の半導体製造装置におけるサセプタの回転前後の絶対位置を制御しない場合の説明図、図6は図1の半導体製造装置におけるサセプタの回転前後の絶対位置を制御する場合の説明図である。
【0037】
従来一般の半導体製造装置のように、サセプタ71の回転前後における絶対位置を制御しない場合には、図5の右上に示すように、サセプタ71の回転前後でサセプタ71の絶対位置がずれることがある。このように回転前後で絶対位置がずれると、図5の中央に示すタイムチャート図のように、回転前後で放射温度計8の指示値が大きく変動することになる。そこで、本実施形態では、図6に示すように、サセプタ71の回転前後でサセプタ71の絶対位置を合わせるように制御している。これにより、放射温度計8の指示値の変動を防ぎ、安定した温度制御が可能となる。なお、図6では図5との差異を明確にするために、後述するサセプタ71の回転時におけるヒータ72の制御を省略して示している。
【0038】
次に、サセプタ71の回転時におけるヒータ72の制御方法について図7を参照しながら詳細に説明する。図7は図1の半導体製造装置におけるサセプタ回転時のヒータ制御方法を示すタイムチャート図である。
【0039】
上述した図5および図6にも示すようにサセプタ71の回転初期段階では放射温度計8の指示値の変動幅が大きくなり易いため、サセプタ71の回転初期段階にはヒータ72の出力を所定値に設定して発熱させ、回転を開始して一定時間経過した後には、放射温度計8の指示値の変動幅が小さくなるので、ヒータ72の出力を放射温度計8の指示値により制御するようにしている。こうすることにより、放射温度計8の指示値が変動したときに、ヒータ72出力が変動しないような制御を行なうことが可能となる。
【0040】
【発明の効果】
以上の実施形態の説明で明らかにされたように、本発明によれば、ウエハ面内の温度制御性が向上すると共に、ウエハ面内の膜厚均一性を向上させることができ、高品質の半導体を高スループットで製造することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態の枚葉式低圧熱CVD装置の概略構成図である。
【図2】図1の半導体製造装置を用いた半導体製造方法を示すフローチャート図である。
【図3】図1の半導体製造装置におけるウエハ搬入・搬出時のヒータ制御方法を示すタイムチャート図である。
【図4】図1の半導体製造装置における放射温度計の設定値を補正する方法を示すタイムチャート図である。
【図5】従来の半導体製造装置におけるサセプタの回転前後の絶対位置を制御しない場合の説明図である。
【図6】図1の半導体製造装置におけるサセプタの回転前後の絶対位置を制御する場合の説明図である。
【図7】図1の半導体製造装置におけるサセプタ回転時のヒータ制御方法を示すタイムチャート図である。
【図8】従来の枚葉式低圧熱CVD装置の概略構成図である。
【符号の説明】
1…ウエハ、2…成膜室、2a…筐体、3…ガス供給部、4…シャワーヘッド、5…排気口、6…真空ポンプ、7…ウエハ支持台、8…放射温度計、9…熱電対、10…ゲートバルブ、11…コンピュータ、12…ヒータ出力制御装置、71…サセプタ、72…ヒータ、73…ウエハ支持台側壁、74…ウエハ支持台底壁、75…ウエハ支持台回転軸、101…ウエハ、102…成膜室、103…ゲートバルブ、104…ウエハ支持台、105…ヒータ、106…ガス供給部、107…シャワーヘッド、108…排気口、109…放射温度計、110…サセプタ。
Claims (6)
- 成膜室内にウエハを搬入してサセプタに載置し、
前記サセプタを加熱するヒータで前記サセプタを回転しながら前記ウエハを加熱し、
前記ウエハの加熱状態で前記成膜室に成膜ガスを供給して前記ウエハ面上に成膜し、
成膜時に回転する前記サセプタの温度を放射温度計で測定し、
この測定結果に基づいて前記ヒータの出力を制御する半導体製造方法において、
前記ウエハを成膜処理する際に前記ヒータの温度を熱電対で測定し、
この測定結果に基づいて前記放射温度計の測定温度を補正し、
この補正した温度に基づいて前記ヒータの出力を制御すると共に、
前記放射温度計の補正後設定温度をTsetとし、前記放射温度計の補正前設定温度をTset,0とし、前記ウエハを複数回成膜する時の前記熱電対によるヒータ測定温度差をΔTとし、補正関数をfとした場合に、前記熱電対による補正をTset=Tset,0+f(ΔT)の補正式に基づいて行なうことを特徴とする半導体製造方法。 - 成膜室内にウエハを搬入してサセプタに載置し、
前記サセプタを加熱するヒータで前記サセプタを回転しながら前記ウエハを加熱し、
前記ウエハの加熱状態で前記成膜室に成膜ガスを供給して前記ウエハ面上に成膜し、
成膜時に回転する前記サセプタの温度を放射温度計で測定し、
この測定結果に基づいて前記ヒータの出力を制御する半導体製造方法において、
前記ウエハを成膜処理する際に前記ヒータの温度を熱電対で測定し、
この測定結果に基づいて前記放射温度計の測定温度を補正し、
この補正した温度に基づいて前記ヒータの出力を制御すると共に、
前記サセプタの回転初期段階に前記ヒータの出力を所定値に設定し、その後に前記ヒータの出力を前記放射温度計の指示値により制御することを特徴とする半導体製造方法。 - ガス供給部および排気口を有する成膜室を形成する筐体と、
ウエハを支持して成膜時に回転されるサセプタと、
回転する前記サセプタの温度を測定するように前記サセプタに対向して配置され放射温度計と、
前記サセプタを加熱するヒータと、
前記ヒータの温度を測定するように配置された熱電対と、
前記ヒータの出力を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、前記サセプタの回転時における前記放射温度計による測定温度を前記熱電対による測定温度により補正し、この補正した温度に基づいて前記ヒータの出力を制御すると共に、前記放射温度計の補正後設定温度をTsetとし、前記放射温度計の補正前設定温度をTset,0とし、前記ウエハを複数回成膜する時の前記熱電対によるヒータ測定温度差をΔTとし、補正関数をfとした場合に、前記熱電対による補正をTset=Tset,0+f(ΔT)の補正式に基づいて行なうことを特徴とする半導体製造装置。 - ガス供給部および排気口を有する成膜室を形成する筐体と、
ウエハを支持して成膜時に回転されるサセプタと、
回転する前記サセプタの温度を測定するように前記サセプタに対向して配置され放射温度計と、
前記サセプタを加熱するヒータと、
前記ヒータの温度を測定するように配置された熱電対と、
前記ヒータの出力を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、前記サセプタの回転時における前記放射温度計による測定温度を前記熱電対による測定温度により補正し、この補正した温度に基づいて前記ヒータの出力を制御すると共に、前記ウエハを前記成膜室内に搬入する直前に前記ヒータの設定を上げると共に搬入直後に下げるように制御するものであることを特徴とする半導体製造装置。 - ガス供給部および排気口を有する成膜室を形成する筐体と、
ウエハを支持して成膜時に回転されるサセプタと、
回転する前記サセプタの温度を測定するように前記サセプタに対向して配置され放射温度計と、
前記サセプタを加熱するヒータと、
前記ヒータの温度を測定するように配置された熱電対と、
前記ヒータの出力を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、前記サセプタの回転時における前記放射温度計による測定温度を前記熱電対による測定温度により補正し、この補正した温度に基づいて前記ヒータの出力を制御するものであり、
前記サセプタの成膜時の回転前後でサセプタの絶対位置を合わせるように制御する手段を備えることを特徴とする半導体製造装置。 - ガス供給部および排気口を有する成膜室を形成する筐体と、
ウエハを支持して成膜時に回転されるサセプタと、
回転する前記サセプタの温度を測定するように前記サセプタに対向して配置され放射温度計と、
前記サセプタを加熱するヒータと、
前記ヒータの温度を測定するように配置された熱電対と、
前記ヒータの出力を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、前記サセプタの回転時における前記放射温度計による測定温度を前記熱電対による測定温度により補正し、この補正した温度に基づいて前記ヒータの出力を制御すると共に、前記サセプタの回転初期段階には前記ヒータの出力を所定値に設定し、その後に前記ヒータの出力を前記放射温度計の指示値により制御するように制御するものであることを特徴とする半導体製造装置。
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