KR100731924B1

KR100731924B1 - 기판 휨 측정을 통한 공정 제어 방법, 이러한 공정 방법이 기록된 저장매체 및 이러한 공정 방법에 적합한 공정 장비

Info

Publication number: KR100731924B1
Application number: KR1020060121157A
Authority: KR
Inventors: 봉 기; 윤의준
Original assignee: 주식회사 나노트론
Priority date: 2006-12-04
Filing date: 2006-12-04
Publication date: 2007-06-28
Also published as: WO2008069513A1

Abstract

반도체 소자 제조 공정의 각 단계가 규격 내에서 이루어지고 있음을 손쉽게, 빠른 속도로 판단하기 위해서 매 공정 단계가 끝난 후의 기판 휨(warpage) 정도를 인라인(in-line) 및 전수 검사 방식으로 측정하는 공정 방법, 이러한 공정 방법이 기록된 저장매체 및 이러한 공정 방법에 적합한 공정 장비를 제공한다. 본 발명에 따른 공정 방법은, 청정실 내에서 기판의 이송 경로 상에 곡률 측정 장치를 설치하여, 기판의 이송 중에 실시간으로 기판의 휨 정도를 측정하도록 하는 것이다. 본 발명에 따르면, 청정실 내 별도의 공간을 사용하지 않고, 또한 측정 시간의 추가적 부담없이 공정 중인 기판 전부를 검수할 수 있어, 공정 제어적 측면에서 보다 정밀한 제어를 위한 데이터를 제공할 수 있다.

Description

기판 휨 측정을 통한 공정 제어 방법, 이러한 공정 방법이 기록된 저장매체 및 이러한 공정 방법에 적합한 공정 장비{Process control method using apparatus for measuring substrate warpage, recording medium in which the process method is recorded and process apparatus for the process method}

도 1은 본 발명에 따른 공정 방법의 제1 실시예를 설명하기 위한 도면이다.

도 2는 제1 실시예의 변형예를 설명하기 위한 도면이다.

도 3은 본 발명에 따른 공정 방법의 제2 실시예를 설명하기 위한 본 발명에 따른 멀티 챔버형의 공정 장비의 평면도이다.

도 4는 본 발명에 따른 공정 방법의 제3 실시예를 설명하기 위한 도면이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

10, 20, 50...공정 장비

30, 130a, 130b, 130c, 130d, 220...이송 경로

40, 60, 140a, 140b, 140c, 140d, 230...곡률 측정 장치

100..멀티 챔버형 공정 장비

110...버퍼 챔버

115...이송 로봇

120a, 120b, 120c, 120d...공정 챔버

125, 127...로드락 챔버

200, 210...기판 캐리어

본 발명은 반도체 소자 제조 공정의 통계적 공정 제어(statistical process control)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 소자 제조 공정의 각 단계가 규격 내에서 이루어지고 있음을 판단하기 위해서 매 공정 단계가 끝난 후의 기판 휨(warpage) 정도를 측정하는 방법 및 장비에 관한 것이다.

반도체 소자 제조 공정은 수많은 단위 공정으로 이루어져 있다. 이들 각 공정을 거치면서 새로운 박막이 형성되기도 하고, 사진식각(photolithography)에 의해서 그 박막의 형상이 바뀌기도 하고, 또한, 형성해 놓은 박막의 미세구조 (microstructure)가 열처리에 의해서 바뀌기도 한다.

보통 기판 물질(또는 하지층)과 다른 물질로 이루어진 박막을 형성할 경우 기판 물질(또는 하지층)과 박막 물질 간의 열팽창계수(thermal expansion coefficient)의 차이나 격자상수 불일치로 인해서 박막에 응력이 발생하게 된다. 이 응력으로 인하여 기판 휨이 초래되고 심한 경우에는 기판 물질(또는 하지층)과 박막 물질 사이의 계면 박리가 일어나게 된다. 박막 내에서의 응력은 박막의 재료 특성에 심각한 저하를 가져오기 때문에 바람직하지 않다. 예를 들면, 응력을 받은 박막을 포함하는 반도체 소자는 원하는 전기적 특성을 잃게 되어 소자의 성능 저 하, 전기 배선의 오류가 발생된다. 따라서, 내부 응력을 최소화하고 이들의 효과를 이해하기 위해 응력에 대한 정확한 계측, 즉 기판의 휨 정도를 모니터링(monitoring)하는 것이 중요하다.

박막 형성의 경우 공정 시간, 공정 온도, 유량조절장치 등 공정 변수의 변화에 의해 의도하지 않았던 박막이 형성되는 경우가 많다. 이는 곧 박막 조성 및 미세구조의 변화, 두께의 변화로 이어지게 되어, 다시 이것은 박막에 가해지는 응력의 변화로 이어진다. 또한, 박막 형성 공정이 잘 제어되어 원하는 두께, 조성, 미세구조 등을 가진 박막을 형성하였다 하더라도 일정 응력을 받고 있는 박막이 형성된 후 이것의 일부가 사진식각에 의해서 패터닝이 될 경우 식각면의 기울기, 오버에칭 등 패턴의 모양에 따라서 응력이 풀리는 정도가 다르게 되고 이는 간접적으로 박막/기판 구조의 응력 상태의 변화를 가져오게 되고, 궁극적으로 기판의 휨 정도의 변화를 가져오게 된다.

이렇듯 매 단위 공정 후 기판의 휨 정도를 기판의 곡률의 변화로 측정하면 그 공정이 재현성 있는지를 알 수 있고, 생산적 측면에서 보면 각 공정이 규격 범주 내에 있는지를 간접적으로 알아낼 수 있다. 현재에도 각 단위 공정 후 기판의 휨 정도를 측정할 수 있는 장치가 있으나 이는 단위 공정이 수행되는 공정 장비와 공간적으로 떨어져 있는 별도의 장치이므로 공정 진행 중 기판의 일부를 선택하여 이 장치로 옮겨 분석을 하여야 한다. 전체 기판을 검사(전수 검사)할 경우 이에 따르는 추가적인 시간을 감내하여야 하며, 이때 생산성의 저하를 감내하여야 한다. 따라서 일반적으로 공정 진행 중에 전체 기판을 검사하지 않는 것이 관례이다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반도체 소자 제조 공정의 각 단계가 규격 내에서 이루어지고 있음을 손쉽게, 빠른 속도로 판단하기 위해서 매 공정 단계가 끝난 후의 기판 휨 정도를 인라인(in-line) 및 전수 검사 방식으로 측정하는 공정 방법, 이러한 공정 방법이 기록된 저장매체 및 이러한 공정 방법에 적합한 공정 장비를 제공하는 것이다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 따른 공정 방법은, 청정실 내에서 기판의 이송 경로 상에 곡률 측정 장치를 설치하여, 기판의 이송 중에 실시간으로 상기 기판의 휨 정도를 측정하도록 하는 것이 특징이다.

상기 곡률 측정 장치는 두 개의 기판 캐리어(carrier) 사이에 설치하거나, 두 개의 공정 장비 사이에 설치하거나, 멀티 챔버(multi chamber)형의 공정 장비에서 버퍼 챔버(buffer chamber) 내에 설치할 수 있다. 여기서 버퍼 챔버는 멀티 챔버형의 공정 장비에서 하나 이상의 로드락 챔버(loadlock chamber)와 하나 이상의 공정 챔버(process chamber)의 사이에 구비된 것을 가리킨다.

측정된 상기 기판의 휨 정도가 허용범위를 벗어나는 경우 상기 기판을 리젝(reject)하거나 상기 기판을 지속적으로 모니터링하는 것이 바람직하다.

이러한 공정 방법은 컴퓨터 소프트웨어를 저장하는 컴퓨터 판독 가능한 저장매체에 저장되어 범용 컴퓨터 시스템에 의해 실행될 수 있다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 따른 공정 장비는, 하나 이 상의 로드락 챔버와 하나 이상의 공정 챔버의 사이에 버퍼 챔버가 구비되는 멀티 챔버형의 공정 장비에 있어서, 상기 버퍼 챔버 내의 상기 기판의 이송 경로 상에 곡률 측정 장치를 구비하여, 기판의 이송 중에 실시간으로 상기 기판의 휨 정도를 측정하도록 하는 것이다.

이러한 멀티 챔버형의 공정 장비에 있어서, 상기 곡률 측정 장치는 상기 하나 이상의 공정 챔버로의 이송 경로 상마다 구비되어 있을 수 있다. 상기 버퍼 챔버는 상기 기판을 로딩/언로딩(loading/unloading) 및 이송함에 있어 로봇 방식, 트랙 방식 및 이들의 조합 중 어느 하나를 이용하는 것일 수 있다.

본 발명에 따르면, 반도체 공정의 수율 향상을 위해서 공정의 변화를 반영하는 기판의 휨 정도를 측정하는 곡률 측정 장치를 기판 이송 경로에 배치한다. 예컨대 기존 반도체 공정 장비와 공정 장비 사이로 기판이 이송하는 경로 위에 기판의 휨 정도를 측정하는 곡률 측정 장치를 위치시켜 기판이 이송됨과 동시에 기판의 곡률을 측정하여 휨 정도를 측정할 수 있도록 한다. 이로써, 청정실 내 별도의 공간을 사용하지 않고 인라인 방식으로, 또한 측정 시간의 추가적 부담없이 공정 중인 기판 전부를 검수할 수 있어, 공정 제어적 측면에서 보다 정밀한 제어를 위한 데이터를 제공할 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다음에 설명되는 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술되는 실시예들에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 서 제공되는 것이다. 본 발명의 실시예들을 설명하는 도면에 있어서, 구성요소의 상대적 위치나 크기는 명확성을 위해 과장되어진 것으로, 도면상의 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다.

본 발명에 있어서, "기판"은 반도체 웨이퍼, 산화물계 기판 등을 가리키는 의미로 사용될 수 있다. 예컨대, 상기 반도체 웨이퍼는 Si, GaAs, InP, SiC, GaN 등의 기판일 수 있다. 상기 산화물계 기판은 사파이어(Al₂O₃), 석영(SiO₂) 등의 기판일 수 있으며, 이들 기판은 결정일 수도 있고, 비정질일 수도 있다.

본 발명에 따른 공정 방법은, "청정실 내에서 기판의 이송 경로" 상에 곡률 측정 장치를 설치하여, 기판의 이송 중에 실시간으로 기판의 휨 정도를 측정하도록 하는 것이다. 여기서, "청정실 내에서 기판의 이송 경로"는 크게 세 가지로 나누어 볼 수 있는데, 두 개의 공정 장비 사이에서의 이송 경로, 멀티 챔버형의 공정 장비에서 버퍼 챔버 내에서의 이송 경로, 두 개의 기판 캐리어 사이에서의 이송 경로가 그것이다. 이하에서는 각각에 대하여 상세히 살펴보기로 한다.

도 1은 본 발명에 따른 공정 방법의 제1 실시예를 설명하기 위한 도면이고, 도 2는 제1 실시예의 변형예를 설명하기 위한 도면이다.

먼저 도 1을 참조하면, 청정실 내에서 기판(w)이 두 개의 공정 장비(10, 20)를 순차적으로 거쳐 가며 공정 진행이 되는 경우에 그 이송 경로(30) 상에 곡률 측정 장치(40)를 설치하여, 기판(w)이 공정 장비(10)로부터 다음 공정 장비(20)로 이송되는 동안 실시간으로 기판(w)의 휨 정도를 측정하도록 한다.

이러한 방법에 의해서 얻은 방대한 양의 측정 데이터를 처리하면 어떤 공정에서는 곡률이 얼마가 되어야 정상이라는 허용범위값이 나오게 된다. 측정된 기판(w)의 휨 정도가 허용범위를 벗어나는 경우 기판(w)을 리젝하여 더 이상의 공정 진행을 하지 않거나 기판(w)을 지속적으로 모니터링하여 추이를 지켜보는 것이 바람직하다.

측정된 기판(w)의 휨 정도가 허용범위를 벗어나는 경우 그 기판(w)을 리젝하거나 지속적으로 모니터링하는 공정 방법은 컴퓨터 소프트웨어를 저장하는 컴퓨터 판독 가능한 저장매체에 저장되어 범용 컴퓨터 시스템에 의해 실행될 수 있고, 따라서 청정실 내의 공정 장비에 일반적으로 연결되어 사용되는 디지털 컴퓨터에 의해 수행됨으로써, 본 발명을 더욱 용이하게 실시할 수 있게 한다. 상기 컴퓨터 판독 가능한 저장매체는 ROM, 플래시 메모리 등의 기록매체, 자기 기록매체(예: 플로피 디스크, 하드 디스크 등), 광학적 기록매체(예: CD-ROM, DVD 등) 및 캐리어 웨이브(carrier wave; 예: 인터넷을 통한 전송)와 같은 저장매체를 포함한다. 여기서, 컴퓨터 소프트웨어의 각 프로그램 모듈을 실제로 코드화한 기능적인(functional) 프로그램 코드 및 코드 세그먼트들은 본 발명이 속하는 기술분야의 프로그래머에 의해 용이하게 작성될 수 있다.

곡률 측정 장치(40)는 기판(w) 전면을 볼 수 있도록 기판(w) 면에 수직인 방향으로 정렬시킨다. 기판(w)이 지면에 대하여 수평을 유지하면서 이송되는 경우가 많으므로 곡률 측정 장치(40)는 기판(w)의 움직임으로 정의되는 면에 수직 방향으로 위치하게 된다. 곡률 측정 장치(40)는 레이저 다중 빔을 이용하는 것과 같은 광 학적인 방법을 주로 사용할 수 있으나 그 밖의 다른 방법을 사용할 수도 있다. 광학적인 방법에서는 기판(w) 상에 레이저 다중 빔을 사용하여 곡률 반경을 측정한다. 한편, 기판(w) 종류는 앞서 언급한 것에만 한정되는 것은 아님을 유의하여야 한다. 그리고, 두 개의 공정 장비(10, 20) 사이에서의 기판(w)의 이송은 로봇 방식, 트랙 방식, 또는 이들의 조합에 의할 수 있다. 예컨대 이송 로봇이 공정 장비(10)에서 공정 장비(20)로의 기판 이송 전체를 담당할 수도 있고, 기판 캐리어에서 기판을 로딩/언로딩함에 있어서는 이송 로봇이 담당하고 기판 이송시에는 트랙이 사용될 수도 있다. 어떠한 방식을 써서 기판이 이송되더라도 그 이송 경로 상에 곡률 측정 장치를 설치하여 전수 검사 가능하도록 하는 것은 본 발명에 해당된다 할 것이다.

본 실시예에 있어서, 곡률 측정 장치(40)는 공정 장비(10)에서 단위 공정을 거친 후의 기판(w)의 휨 정도를, 기판(w)이 다음 공정 장비(20)로 이송되는 도중에 측정한다. 따라서, 청정실 내 별도의 공간을 사용하지 않고 인라인 방식으로, 또한 측정 시간의 추가적 부담없이 공정 중인 기판 전부를 검수할 수 있어, 공정 제어적 측면에서 보다 정밀한 제어를 위한 데이터를 제공할 수 있다.

변형예로서, 도 2에서와 같이 세 개 이상의 공정 장비를 거치면서 기판이 처리되는 경우에는 인접한 두 개의 공정 장비 사이마다 곡률 측정 장치를 설치하여 매 공정 후의 기판의 휨 정도를 측정케 할 수 있다. 도 2에서 참조부호 "50"은 도 1과 비교하여 추가된 공정 장비, "60"은 추가된 곡률 측정 장치를 가리킨다. 앞에서 설명한 바와 같이 곡률 측정 장치(40)는 공정 장비(10)에서 단위 공정을 거친 후의 기판(w)의 휨 정도를 기판(w)이 다음 공정 장비(20)로 이송되는 도중에 측정하게 되고, 곡률 측정 장치(60)는 공정 장비(20)에서 단위 공정을 거친 후의 기판(w)의 휨 정도를, 기판(w)이 다음 공정 장비(50)로 이송되는 도중에 측정하게 된다. 따라서, 매 공정 수행 이후의 기판의 휨 정도를 측정할 수 있게 된다.

도 3은 본 발명에 따른 공정 방법의 제2 실시예를 설명하기 위한 본 발명에 따른 멀티 챔버형의 공정 장비의 평면도이다. 일반적으로 반도체 소자 제조 공정에서는, 공정의 효율성 및 공간의 활용을 증대시키기 위하여 기판 처리 작업이 다수개의 챔버에서 동시에 진행되는 것이 가능한 멀티 챔버 시스템을 채택하고 있다.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 멀티 챔버형의 공정 장비(100)는 6각형의 버퍼 챔버(110)의 각진 측면에 4개의 공정 챔버(120a, 120b, 120c, 120d)가 연결되어 설치되어 있다.

공정 챔버(120a, 120b, 120c, 120d)와 버퍼 챔버(110)에는 진공압형성장치(미도시)가 설치되어서, 공정 챔버(120a, 120b, 120c, 120d)는 박막 증착과 같은 처리에 적합한 진공 상태로, 버퍼 챔버(110)는 공정 챔버(120a, 120b, 120c, 120d)의 진공압 손실을 적게 하기 위한 진공 상태로 유지된다. 버퍼 챔버(110)에 구비된 이송 로봇(115)은 버퍼 챔버(110)와 각각의 공정 챔버(120a, 120b, 120c, 120d) 사이에 설치된 슬릿(slit) 형상의 게이트(미도시)를 통하여 선택적으로 각각의 공정 챔버(120a, 120b, 120c, 120d)로 기판을 로딩/언로딩한다. 가공 전의 기판이 적재되는 반입 로드락 챔버(125)와 가공 후의 기판이 적재되는 반출 로드락 챔버(127)가 버퍼 챔버(110)의 나머지 각진 측면에 각각 설치된다. 반입 로드락 챔버(125)는 기판의 환경을 대기압에서 진공 상태로, 반출 로드락 챔버(127)는 기판의 환경을 진공에서 대기압 상태로 바꾸는 기판의 중간 대기 장소이다.

본 발명에 따른 멀티 챔버형의 공정 장비(100)는, 버퍼 챔버(110) 내에서 공정 챔버(120a, 120b, 120c, 120d)로의 이송 경로(130a, 130b, 130c, 130d)상마다 하나씩 곡률 측정 장치(140a, 140b, 140c, 140d)가 구비되어 있다. 곡률 측정 장치(140a, 140b, 140c, 140d)는 버퍼 챔버(110) 내에서 공정 챔버(120a, 120b, 120c, 120d)로의 기판 이송 및 공정 챔버(120a, 120b, 120c, 120d)로부터 버퍼 챔버(110)로의 기판 이송 중에 실시간으로 기판의 휨 정도를 측정하게 된다. 즉, 각 공정 전후의 기판의 휨 정도를 각각의 곡률 측정 장치(140a, 140b, 140c, 140d)로 측정할 수 있다. 앞에서 언급한 바와 같이, 측정된 기판의 휨 정도가 허용범위를 벗어나는 경우 기판을 리젝하거나 기판을 지속적으로 모니터링하는 것이 바람직하며 이러한 공정 방법은 컴퓨터 소프트웨어를 저장하는 컴퓨터 판독 가능한 저장매체에 저장되어 범용 컴퓨터 시스템에 의해 실행될 수 있다.

구체적으로, 작업자 또는 반입 로드락 챔버(125) 내부에 설치되는 자동 이송장치 등이 기판 카세트 또는 풉(FOUP : Front Open Unified Pod)과 같은 기판 캐리어 내에 적재된 기판을 반입 로드락 챔버(125)로 이송하게 된다. 반입 로드락 챔버(125)가 밀폐된 후 진공 상태에 도달하면, 기판이 버퍼 챔버(110)에 구비된 이송 로봇(115)으로 옮겨지고, 이송 로봇(115)은 공정 챔버(120a, 120b, 120c, 120d) 중 어느 하나로 기판을 이송한다. 예컨대 공정 챔버(120a)로 기판이 이송되는 경우에 곡률 측정 장치(140a)로 공정 전의 기판의 휨 정도를 측정하게 된다. 공정 챔 버(120a, 120b, 120c, 120d) 내에 기판이 이송되면 상기 게이트가 밀폐된 후 고진공 상태에서 공정이 수행된다. 공정이 완료된 상기 기판은 다시 이송 로봇(115)에 의해 역이송되어 반출 로드락 챔버(127)에 적재되는데, 예컨대 공정 챔버(120a)에서 기판이 이송되어 나오는 경우에는 곡률 측정 장치(140a)로 공정 후의 기판의 휨 정도를 측정하게 된다.

이와 같이, 버퍼 챔버(110) 내의 기판 이송 경로(130a, 130b, 130c, 130d)상에 곡률 측정 장치(140a, 140b, 140c, 140d)를 구비시키면 별도의 청정실 공간과 곡률 측정을 위한 별도의 측정 시간 없이 모든 기판에 대하여 공정 전후의 기판 휨 정도 변화 등을 측정할 수 있게 되어 통계적 공정 제어를 위한 데이터를 모든 기판에 대하여 얻을 수 있다.

한편, 본 실시예에서는 시간 지체(time delay)가 되지 않도록 이송 로봇(115)이 움직이는 기판 이송 경로(130a, 130b, 130c, 130d)상마다 곡률 측정 장치(140a, 140b, 140c, 140d)를 하나씩 구비시키는 예를 들어 설명하였으나, 버퍼 챔버(110)내에 곡률 측정 장치를 중앙에 하나만 구비시켜 모든 기판이 그 곡률 측정 장치 아래를 지나가도록 이송 경로를 조절하여 운용하는 장비 형태도 물론 가능하다. 그리고, 본 실시예에서 버퍼 챔버(110)는 기판을 로딩/언로딩 및 이송함에 있어 로봇 방식인 경우를 한정하여 설명하였으나, 트랙 방식 또는 로봇 방식과 트랙 방식의 조합을 이용할 수도 있다.

한편, 본 실시예에서는 반입 로드락 챔버 및 반출 로드락 챔버와 같이 한 쌍의 로드락 챔버를 구비하고 공정 챔버가 4개인 경우를 예로 들어 설명하였으나, 로 드락 챔버는 반입/반출 겸용으로 하나만 구비될 수도 있고, 버퍼 챔버에 연결되는 공정 챔버의 개수도 달라질 수 있다. 또한, 버퍼 챔버가 두 개 이상이고 각각의 버퍼 챔버에 하나 이상의 공정 챔버가 연결되는 장비의 구성도 가능하다.

도 4를 참조하면, 이 경우는 청정실 내에서 공정 장비 사이로 기판이 이송되는 경우가 아니고, 카세트와 카세트 또는 풉과 풉 사이와 같은, 두 개의 기판 캐리어(200, 210) 사이에서 기판(w)이 이송되는 경우이다. 로봇 및/또는 트랙에 의해 기판 캐리어(200)에서 기판 캐리어(210)로 기판(w)이 이송되는 이송 경로(220) 상에 곡률 측정 장치(230)를 설치하여, 기판(w)의 이송 중에 실시간으로 기판(w)의 휨 정도를 측정하도록 하여 통계적 공정 제어에 사용할 수 있다. 여기에서도, 측정된 기판(w)의 휨 정도가 허용범위를 벗어나는 경우 기판(w)을 리젝하거나 기판(w)을 지속적으로 모니터링하는 것이 바람직하다.

이상, 본 발명을 바람직한 실시예들을 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 많은 변형이 가능함은 명백하다.

본 발명은 기판 곡률 측정 장치를 청정실 내의 별도의 공간에 설치하지 않고 공정 장비와 공정 장비 사이 또는 기판 캐리어와 기판 캐리어 사이 또는 멀티 챔버형 공정 장비의 버퍼 챔버 내의 기판 이송 경로 상에 배치함으로써, 추가적인 청정실 공간과 곡률 측정 시간이 필요 없게 된다. 또한, 모든 기판에 대하여 자동적으 로 곡률 측정을 하기 때문에 모든 기판에 대한 곡률 측정 데이터를 활용할 수 있게 되어 방대한 측정 데이터를 활용한 통계적 공정 제어로 수율 향상을 기대할 수 있다. 이를 통하여 반도체 공정의 정밀한 제어가 가능해진다.

Claims

청정실 내에서 기판의 이송 경로 상에 곡률 측정 장치를 설치하여, 기판의 이송 중에 실시간으로 상기 기판의 휨 정도를 측정하도록 하는 것을 특징으로 하는 공정 방법.
제1항에 있어서, 상기 곡률 측정 장치는 두 개의 공정 장비 사이에 설치하는 것을 특징으로 하는 공정 방법.
제1항에 있어서, 상기 곡률 측정 장치는 하나 이상의 로드락 챔버와 하나 이상의 공정 챔버의 사이에 버퍼 챔버가 구비되는 멀티 챔버형의 공정 장비에서 상기 버퍼 챔버 내에 설치하는 것을 특징으로 하는 공정 방법.
제1항에 있어서, 상기 곡률 측정 장치는 두 개의 기판 캐리어 사이에 설치하는 것을 특징으로 하는 공정 방법.
제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, 측정된 상기 기판의 휨 정도가 허용범위를 벗어나는 경우 상기 기판을 리젝(reject)하거나 상기 기판을 지속적으로 모니터링하는 것을 특징으로 하는 공정 방법.
범용 컴퓨터 시스템에 의해 실행될 때 제1항 기재에 따른 공정 방법의 관리를 수행하게 되는 컴퓨터 소프트웨어를 저장하는 컴퓨터 판독 가능한 저장매체로서, 측정된 상기 기판의 휨 정도가 허용범위를 벗어나는 경우 상기 기판을 리젝(reject)하거나 상기 기판을 지속적으로 모니터링하는 단계를 포함하는 저장매체.
하나 이상의 로드락 챔버와 하나 이상의 공정 챔버의 사이에 버퍼 챔버가 구비되는 멀티 챔버형의 공정 장비에 있어서,

상기 버퍼 챔버 내의 상기 기판의 이송 경로 상에 곡률 측정 장치를 구비하여, 기판의 이송 중에 실시간으로 상기 기판의 휨 정도를 측정하도록 하는 멀티 챔버형의 공정 장비.
제7항에 있어서, 상기 곡률 측정 장치는 상기 하나 이상의 공정 챔버로의 이송 경로 상마다 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 멀티 챔버형의 공정 장비.
제7항에 있어서, 상기 버퍼 챔버는 상기 기판을 로딩/언로딩 및 이송함에 있어 로봇 방식, 트랙 방식 및 이들의 조합 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 멀티 챔버형의 공정 장비.
제7항 내지 제9항 중 어느 하나의 항에 있어서, 측정된 상기 기판의 휨 정도 가 허용범위를 벗어나는 경우 상기 기판을 리젝하거나 상기 기판을 지속적으로 모니터링하는 것을 특징으로 하는 멀티 챔버형의 공정 장비.