JP2008166447A - Cmp装置のウェハ温度制御方法及びウェハ温度制御機構 - Google Patents

Cmp装置のウェハ温度制御方法及びウェハ温度制御機構 Download PDF

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Abstract

【課題】簡単な構造でウェハの温度均一性を高めてウェハ面内の平坦性及び研磨レートを制御する。
【解決手段】ウェハ保持ヘッド3内に設けたバックプレート11とウェハWとの間に、予め設定した温度、湿度、流量又は流速に調整されたエアを連続して流動させるエアフロート層14を形成する。又、エアフロート層14の温度、湿度、エア流量又は流速を検出する温度センサ、湿度センサ、エア流量又は流速センサ19・・を複数設け、該温度センサ、湿度センサ、エア流量又は流速センサ19・・による検出値に基づいてエアの設定温度、設定湿度を適正に制御する。エアフロート層14に流入するエアの流量又は流速は、温度センサ、湿度センサ、エア流量又は流速センサ19・・による検出値に基づいて制御する。更に、複数の温度センサ、湿度センサ、エア流量又は流速センサ19・・はウェハWの径方向に所定間隔を有して配置する。
【選択図】図2

Description

本発明はCMP装置のウェハ温度制御方法及びウェハ温度制御機構に関するものであり、特に、ウェハ保持ヘッドに保持されたウェハを回転中の研磨パッドに押し付けて化学的機械的に研磨するCMP装置のウェハ温度制御方法及びウェハ温度制御機構に関するものである。
従来、此種CMP装置は、研磨パッドが貼り付けられたプラテン(研磨定盤)の上方にウェハ保持ヘッドが配設され、該ウェハ保持ヘッドの下部側にはウェハが着脱可能に保持される。
前記ウェハを研磨する際は、前記プラテン及びウェハ保持ヘッドをモータで夫々回転駆動すると共に、該研磨パッド上面にスラリーを供給しながら該研磨パッド上面にウェハを押し付けることにより、該ウェハを化学的機械的に研磨している。
ここで、ウェハ研磨面の平坦性を確保するには、研磨パッドに対するウェハの押し付け力の調整と共に、研磨中におけるウェハ温度が大きな要因になる。そこで、ウェハの温度を制御するためには、ウェハ保持ヘッド内におけるウェハ裏面(背面)側に加熱板又は放熱板を設けた温度制御機構、或いは、エアバック又は空洞を温度調整可能に設けた温度制御機構などが提案されている(例えば、特許文献1〜4参照)。
特開平09−29591号公報 特開2001−341064号公報 特開2005−268566号公報 特開2006−289506号公報
上記特許文献1及び2記載の従来技術のように、ウェハ保持ヘッド内に加熱板又は放熱板を設けた場合は、ウェハ保持ヘッドの構造が複雑になりコスト高になる。又、上記特許文献3及び4記載の従来技術のように、ウェハ保持ヘッド内に大きなエアバック又は複数の空洞を設けて温度制御した場合は、加熱若しくは冷却されるエアバック又は空洞に熱が蓄積されるため、ウェハ表面への熱の伝導が遅くなり、所望の温度プロファイルを得ることが困難になる。
その結果、ウェハ面内の温度が不均一になり、ウェハ研磨面の平坦性低下を招く。特に、ウェハの中心部が外周部よりも温度が高くなり、この温度差に伴い化学的な研磨速度が変化して、ウェハ面内の研磨レートにバラツキが生じるという問題があった。
そこで、ウェハ保持ヘッドの構造を複雑化することなく、ウェハ温度の均一性を高めてウェハ面内の平坦性及び研磨レートを向上させるために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。
本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、請求項1記載の発明は、回転する研磨パッドにスラリーを供給しながら、ウェハ保持ヘッドに保持されたウェハを前記研磨パッドに押し付けて研磨するCMP装置において、前記ウェハ保持ヘッド内に設けたバックプレートとウェハとの間に形成されたエアフロート層に、所定温度に調整されたエアを連続して流動させると共に、エアフロート層の温度を温度センサにて検出し、該検出値に基づいて前記エアの温度を適正に制御するCMP装置のウェハ温度制御方法を提供する。
この方法によれば、ウェハ研磨中、バックプレートとウェハ間のエアフロート層にはエアが連続して流動する。このとき、エアフロート層の温度は温度センサにて検出される。そして、この温度センサによる検出値に基づいて前記エアの温度が最適値に随時調整される。斯くして、ウェハの寸法や研磨条件に応じて、ウェハ面内の温度が適切に制御される。
請求項2記載の発明は、回転する研磨パッドにスラリーを供給しながら、ウェハ保持ヘッドに保持されたウェハを前記研磨パッドに押し付けて研磨するCMP装置において、前記ウェハ保持ヘッド内に設けたバックプレートとウェハとの間に形成されているエアフロート層に、所定温度に調整されたエアを連続して流動できるように設けると共に、該エアフロート層の温度を検出する温度センサを設け、該温度センサによる検出値に基づいて前記エアの温度を制御するように構成して成るCMP装置のウェハ温度制御機構を提供する。
この構成によれば、ウェハ研磨中、バックプレートとウェハ間のエアフロート層にはエアが連続して流動する。このとき、エアフロート層の温度は温度センサにて検出される。そして、この検出値に基づいて前記エアの設定温度は最適値に随時調整される。斯くして、ウェハの寸法や研磨条件に応じて、ウェハ面内の温度が適切に制御される。
請求項3記載の発明は、上記エアフロート層に流入するエアの温度、湿度、流量又は流速は、上記温度センサ、湿度センサ、流量又は流速センサにより検出され、該温度センサ、湿度センサ、流量又は流速センサによる検出値に基づいて前記エアの温度、湿度、流量又は流速を制御する請求項2記載のCMP装置のウェハ温度制御機構を提供する。
この構成によれば、ウェハ研磨中、バックプレートとウェハ間のエアフロート層に流入する温度及び湿度はそれぞれ、温度センサおよび湿度センサにて検出される。そして、エアフロート層に流入するエアの流量又は流速は、エア流量又は流速センサによる検出値に基づいて制御される。これにより、ウェハ面内の温度は研磨環境等に応じて適切に制御管理される。
請求項4記載の発明は、上記温度センサ、湿度センサ、流量又は流速センサは複数設けられ、かつ、該複数の温度センサ、湿度センサ、流量又は流速センサは上記ウェハの径方向に所定間隔を有して配置されている請求項3記載のCMP装置のウェハ温度制御機構を提供する。
この構成によれば、上記複数の温度センサ、湿度センサ、流量又は流速センサはウェハの径方向に所定間隔有して配置されているので、エアフロート層におけるウェハ径方向の複数地点の温度、湿度、流量又は流速、即ち、ウェハの中心部と外周部の双方のエアの温度の差、湿度の差、流量の差又は流速の差が検出される。従って、エアフロート層におけるウェハ径方向の複数地点の検出値に基づいて、エアフロート層に流入するエアの温度、湿度、流量又は流速を調整することにより、ウェハ面内の温度が常に最適状態に制御管理される。
請求項1記載の発明は、ウェハの寸法や研磨条件に応じて、ウェハ面内の温度を均一になるように瞬時に制御できるので、ウェハ研磨面の平坦性が向上すると共に、ウェハ研磨面の研磨レートを従来に比べて著しく改善させることができる。
請求項2記載の発明は、ウェハの寸法や研磨条件に応じて、ウェハ面内の温度を均一に制御できるので、ウェハ研磨面の平坦性が向上すると共に、ウェハ研磨面の研磨レートを従来に比べて著しく改善でき、ウェハの歩留り改善に大いに寄与することができる。
又、ウェハ保持ヘッド内にエアバック又は空洞を設ける必要がないため、従来に比べて構造が簡素化するメリットを有する。更に、エアフロート層を流れるエアにより、ウェハ裏面を直接加熱又は冷却できるので、熱効率が従来に比べて大幅に向上し、熱エネルギー費(ランニングコスト)を大幅に低減させることができる。
請求項3記載の発明は、エアフロート層に流入するエアの温度、湿度、流量又は流速を、温度センサ、湿度センサ、流量又は流速センサによる検出値に基づいて随時調整することにより、研磨中にウェハ面内の温度を研磨環境等に応じて正確に管理できるので、請求項2記載の発明の効果に加えて、ウェハ研磨面の平坦性及び研磨レートを一層向上させることができる。
請求項4記載の発明は、エアフロート層におけるウェハ径方向の複数地点の検出値に基づいて、エアフロート層に流入するエアの温度、湿度、流量又は流速を随時調整することにより、ウェハ面内の温度を常に適切に制御管理できるので、請求項3記載の発明の効果に加えて、ウェハの仕様や研磨条件などに応じて、ウェハの半径方向における温度プロファイルを最適状態に容易に変更・設定することができる。
本発明は、構造が簡単でありウェハの温度均一性を高めて、ウェハ面内の平坦性及び研磨レートを向上させるという目的を、回転する研磨パッドにスラリーを供給しながら、ウェハ保持ヘッドに保持されたウェハを前記研磨パッドに押し付けて研磨するCMP装置において、前記ウェハ保持ヘッド内に設けたバックプレートとウェハとの間に形成されているエアフロート層に、所定温度に調整されたエアを連続して流動できるように設けると共に、該エアフロート層の温度、湿度、流量又は流速を検出する温度センサ、湿度センサ、流量又は流速センサを設け、該温度センサ、湿度センサ、流量又は流速センサによる検出値に基づいて前記エアの温度を適正に制御することによって達成した。
以下、本発明の好適な実施例を図1乃至図4に従って説明する。本実施例は、回転駆動されるプラテンに貼り付けられた研磨パッドにスラリーを供給しながら、該研磨パッドにウェハを押し付けて研磨するCMP装置のウェハ温度制御機構に適用したものであって、ウェハ温度制御機構はウェハを保持するウェハ保持ヘッド内のウェハ裏面側に設けられている。
図1はCMP装置の全体構成を示す斜視図、図2はウェハ保持ヘッドの内部構造を示す縦断面図、図3はウェハ温度制御機構の制御系を示す全体構成図、図4はウェハ温度制御機構の温度センサの配置例を示す平面図である。
図1に示すように、CMP装置1は、プラテン(研磨定盤)2及びウェハ保持ヘッド3等によって構成されている。前記プラテン2は円盤状に形成され、該プラテン2の上部には研磨パッド4が貼り付けられている。
又、プラテン2の下部にはスピンドル5が連結され、該スピンドル5の下端部にはモータ6が連結されている。従って、モータ6によってスピンドル5を回転駆動することにより、前記プラテン2は図1の矢印A方向に回転する。更に、前記研磨パッド4の上方には、該研磨パッド4上面にスラリー(研磨剤)Sを供給するための供給ノズル7が設けられている。
前記ウェハ保持ヘッド3は、図示しない昇降装置によって昇降可能に設けられている。又、該ウェハ保持ヘッド3の下面側にはウェハWが着脱可能に保持されるように構成されている。更に、ウェハ保持ヘッド3の上部には回転軸8が連結され、該回転軸8の上端部には図示しないモータが連結されている。従って、該モータによって回転軸8を回転駆動することにより、ウェハ保持ヘッド3は図1の矢印B方向に回転する。
上記CMP装置1によりウェハを研磨する際は、前記プラテン2及びウェハ保持ヘッド3をモータで夫々回転駆動すると共に、該研磨パッド4上面にスラリーSを供給しながら該研磨パッド4上面にウェハWを押し付けることにより、該ウェハW下面に対して化学的機械的な研磨が実施される。
本実施例に係る温度制御機構は、ウェハ保持ヘッド3内におけるウェハW裏面の上方に設けられている。ウェハ保持ヘッド3の具体的構成は、図2に示すように、ヘッド本体10、バックプレート11、リテーナ12及びメンブレン(保護シート)13などから構成され、メンブレン13とバックプレート11との間にはエアフロート層14が形成されている。尚、図2中のエアフロート層14及びメンブレン13等については、説明の都合上誇張して図示されている。
ヘッド本体10の内側には円板形のバックプレート11が配置されている。このバックプレート11の外周部には複数のエア噴出孔15が形成され、該エア噴出孔15はエアライン16を介して一次エア20に接続されている。バックプレート11の中心部、外周部と中心部の間にも複数のエア噴出孔15が形成されている場合がある。
エアライン16の途中には、図3に示すように、エア温度、エア湿度調整器21及びエア流量又は流速調整器22が設けられ、これらエア温度、エア温度調整器21及びエア流量又は流速調整器22により、エアライン16を通るエアAの温度、湿度、流量又は流速を適正に調整できるように構成されている。又、エアライン16の途中には、図示しないバキュームポンプ及び給気ポンプが切り替え運転可能に設置されている。
更に、該バックプレート11の下側には円形のメンブレン13が配置され、該メンブレン13の外周部はリング状のリテーナ12に固定されている。このリテーナ12の下面開口部はウェハWよりも若干大径に形成され、ウェハWの径方向への動きを規制している。該メンブレン13は所要の可撓性を有するゴム材又は樹脂材によりシート状に形成されている。又、メンブレン13はエアフロート層14で形成されたエア圧をウェハWに伝達し、且つ、エアフロート層14とウェハW裏面の間において熱を伝える役目をなす。
更に又、メンブレン13には必要に応じて複数の真空吸着用のエア孔17が形成される。バキュームポンプによりエアフロート層14内のエアを吸引して負圧を発生させることで、待機位置に載置されている未研磨のウェハWをメンブレン13に吸着保持し、該未研磨のウェハWをプラテン2に装着されている研磨パッド4上に移載する。
然る後、該ウェハWを研磨する際は、給気ポンプにより、エアフロート層14に所定圧のエアAを供給することで、研磨パッド4にウェハWが所定圧で押し付けられる。尚、エアフロート層14内に供給された加圧エアは、リテーナ12に形成されている間隙18から自然に排出されてエアフロート層14内のエア圧が自然に調整される。
本実施例に係るウェハ温度制御機構は、バックプレート11とウェハWとの間に形成されたエアフロート層14に、所定温度、所定湿度、所定流速又は流速に調整されたエアAを連続して流動できるように構成されている。更に、バックプレート11の下面側には、エアフロート層14の温度、湿度、エア流量又は流速を検出する複数の温度センサ、湿度センサ、エア流量又は流速センサ19,19・・が設けられている。図4に示すように、複数の温度センサ19,19・・はウェハWの径方向に所定間隔有して配置されている。例えば、バックプレート11下面の中央部、中間部、外周部(エア噴出孔15近傍部)に分散して配置されている。尚、温度センサ、湿度センサ、エア流量又は流速センサ19,19・・としては無接触型の温度センサを使用することもできる。
図4に示すように、温度センサ、湿度センサ、エア流量又は流速センサ19,19・・による検出信号は制御装置23に送信される。この制御装置23は前記検出信号に基づいてエア温度、エア湿度調整器21、及び/又は、エア流量又は流速調整器22に温度設定信号、湿度設定信号、及び/又は、流量(流速)設定信号を送信し、エアフロート層14に供給されるエアAの温度、湿度、及び/又は、流量(流速)を調整する。
エアAの温度は10℃〜45℃の範囲に設定するのが好ましい。エアAの湿度は40%〜80%の範囲に設定するのが好ましい。又、エアAの流量は0.1リッタ/分〜100リッタ/分の範囲に設定するのが好ましい。更に、温度センサ、湿度センサ、エア流量又は流速センサ19,19・・による検出値、並びにウェハWの研磨状況や研磨環境は、制御装置23を介してモニター24によりリアルタイムで監視できるように構成されている。
本発明は、ウェハW裏面側に形成されたエアフロート層14の温度を直接制御することにより、ウェハW裏面側の温度分布のバラツキを最小限に抑制する。これにより、ウェハWの仕上がり研磨面の温度均一性を高めて、該ウェハWの仕上がり研磨面の平坦性向上に貢献する。
エア温度、エア湿度調整器21には加熱手段又は冷却手段が設置されている。この加熱手段又は冷却手段により、エアフロート層14に供給されるエアAを設定温度になるように直接加熱又は冷却することで、エアフロート層14の温度が制御される。尚、前記加熱手段又は冷却手段としては、ヒータ、チラー、ペルチェ素子、ドライヤー、気化熱を利用した熱交換器等を使用できる。湿度の制御には、加湿器、除湿機等を使用できる。
ウェハW裏面側にはエアが連続的に流れるエアフロート層14が存在し、該エアは所望の温度に設定されているため、ウェハW裏面全域に対して常に均等な熱交換機能を有する。即ち、ウェハW裏面側を所定温度のエアAが常に流れることで、このエアAはメンブレン13を介してウェハWとの間で温度差による速やかな熱移動現象、即ち、ウェハWの熱を奪う冷却作用、或いは、ウェハWに熱を付与して該ウェハWを暖める作用を奏する。
このように、エアフロート層14を流れるエアAとウェハWとの間で生じる熱移動により、ウェハWに対して積極的な温度制御が可能となり、ウェハW面内の温度均一性を効果的に向上させることができる。さらに、ウェハWの研磨状態をリアルタイムで把握することにより、ウェハWの仕様や研磨環境に応じて、温度条件を常に適正に維持管理できる。
以上説明したように、ウェハWの研磨中、バックプレート11とウェハW間のエアフロート層14にはエアAが連続して流動する。このとき、エアフロート層14の温度は温度センサ、湿度センサ、エア流量又は流速センサ19,19・・にて検出され、この検出値に基づいてエアAの設定温度、設定温度、設定流量又は流速を最も適正な値に随時制御する。
斯くして、ウェハWの寸法や研磨条件に応じて、ウェハW面内の温度が均一になるように速やかに制御される。その結果、ウェハ研磨面の平坦性が向上すると共に研磨レートが著しく改善される。
又、ウェハ保持ヘッド3内に大きなエアバック又は複数の空洞を設ける必要がないため、従来に比べて構造が簡素化する。更に、エアフロート層14を流れるエアAによりウェハW表面に対する加熱又は冷却が直接行われるので、熱効率が従来に比べて大幅に向上し、熱エネルギー費を大幅に低減させることができる。
更に、エアフロート層14の温度は温度センサ、湿度センサ、エア流量又は流速センサ19,19・・にて検出され、エアフロート層14に供給されるエアAの流量又は流速は、温度センサ、湿度センサ、エア流量又は流速センサ19,19・・の検出値に基づいて随時制御される。これにより、ウェハW面内の温度は、研磨環境等に応じて適切に制御管理される。従って、ウェハWの仕上がり研磨面の平坦性及び研磨レートを一層向上させることができる。
更に又、複数の温度センサ、湿度センサ、エア流量又は流速センサ19,19・・はウェハWの径方向に所定間隔有して配置されているので、エアフロート層14におけるウェハ径方向の複数箇所の温度、即ち、ウェハWの中心部と外周部のエアの温度差、湿度差、エア流量差又は流速差が正確に検出される。
従って、これら検出温度に基づいて、エアフロート層14に供給されるエアAの温度、湿度、流量(流速)を随時調整することで、ウェハW面内の温度が最適状態に制御管理され、ウェハWの仕様や研磨条件などに応じてリアルタイムで最適温度にコントロールすることができる。
本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変を為すことができ、そして、本発明が該改変されたものに及ぶことは当然である。
本発明の一実施例を示し、CMP装置の全体構成を示す斜視図。 一実施例に係るウェハ保持ヘッドの内部構造を示す縦断面図。 一実施例に係るウェハ温度制御機構の制御系を示す全体構成図。 一実施例に係るウェハ温度制御機構の温度センサ等の配置例を示す平面図。
符号の説明
1 CMP装置
3 ウェハ保持ヘッド
4 研磨パッド
11 バックプレート
12 リテーナ
13 メンブレン(保護シート)
14 エアフロート層
19 温度センサ、湿度センサ、エア流量又は流速センサ
21 エア温度、エア湿度調整器
22 エア流量又は流速調整器
23 制御装置
24 モニター

Claims (4)

  1. 回転するプラテン上に装着されている研磨パッド上にスラリーを供給しながら、ウェハ保持ヘッドに保持されたウェハを前記研磨パッドに押し付けて研磨するCMP装置において、
    前記ウェハ保持ヘッド内に設けたバックプレートとウェハとの間に形成されたエアフロート層に、所定温度に調整されたエアを連続して流動させると共に、該エアフロート層の温度を温度センサにて検出し、該検出値に基づいて前記エアの温度を適正に制御することを特徴とするCMP装置のウェハ温度制御方法。
  2. 回転するプラテン上に装着されている研磨パッド上にスラリーを供給しながら、ウェハ保持ヘッドに保持されたウェハを前記研磨パッドに押し付けて研磨するCMP装置において、
    前記ウェハ保持ヘッド内に設けたバックプレートとウェハとの間に形成されているエアフロート層に、所定温度に調整されたエアを連続して流動できるように設けると共に、該エアフロート層の温度を検出する温度センサを設け、該温度センサによる検出値に基づいて前記エアの温度を制御するように構成したことを特徴とするCMP装置のウェハ温度制御機構。
  3. 上記エアフロート層に流入するエアの温度、湿度、流量又は流速は、上記温度センサ、湿度センサ、流量又は流速センサにより検出され、該温度センサ、湿度センサ、流量又は流速センサによる検出値に基づいて前記エアの温度、湿度、流量又は流速を制御することを特徴とする請求項2記載のCMP装置のウェハ温度制御機構。
  4. 上記温度センサ、湿度センサ、流量又は流速センサは複数設けられ、かつ、該複数の温度センサ、湿度センサ、流量又は流速センサは上記ウェハの径方向に所定間隔を有して配置されていることを特徴とする請求項3記載のCMP装置のウェハ温度制御機構。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008177533A (ja) * 2007-01-16 2008-07-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd 温度制御研磨ヘッドを有する化学機械研磨システム
KR101672873B1 (ko) * 2016-02-17 2016-11-04 주식회사 티에스시 화학기계식 웨이퍼연마장치
CN109309033A (zh) * 2017-07-27 2019-02-05 东京毅力科创株式会社 热处理装置、热处理方法以及存储介质

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008177533A (ja) * 2007-01-16 2008-07-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd 温度制御研磨ヘッドを有する化学機械研磨システム
JP4709818B2 (ja) * 2007-01-16 2011-06-29 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 温度制御研磨ヘッドを有する化学機械研磨システム
KR101672873B1 (ko) * 2016-02-17 2016-11-04 주식회사 티에스시 화학기계식 웨이퍼연마장치
CN109309033A (zh) * 2017-07-27 2019-02-05 东京毅力科创株式会社 热处理装置、热处理方法以及存储介质
CN109309033B (zh) * 2017-07-27 2024-03-26 东京毅力科创株式会社 热处理装置、热处理方法以及存储介质

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