JP4709818B2 - 温度制御研磨ヘッドを有する化学機械研磨システム - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 92
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims description 42
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 41
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 36
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 47
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006244 Medium Thermal Substances 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
- B24B41/061—Work supports, e.g. adjustable steadies axially supporting turning workpieces, e.g. magnetically, pneumatically
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
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Description
4 薄膜
6 ウェーハ
8 研磨パッド
10 定盤
12 保持リング
14 ローディング室
16 内管
18 圧力制御装置
20 媒体加熱装置
24 バックフィルム
25 開口
26 空液変換装置
30 圧力室
32 弾性薄膜
34 弾性ブラダ
Claims (4)
- ウェーハの研磨に用いる化学機械研磨システムであって、
研磨ヘッドと、
前記研磨ヘッドに接続され、熱媒体が充填された内管と、
前記内管に接続された媒体加熱装置と、
前記内管に接続された圧力制御装置と、
前記研磨ヘッドの中に位置し、前記内管に接続されたローディング室と、
前記ローディング室の一辺に形成され、熱伝導性を有する薄膜と、
空液変換装置と、を備え、
前記薄膜の熱伝導率は、0.2W/(m×K)よりも大きく、
前記空液変換装置は、前記内管に接続され、
前記内管は、前記空液変換装置により前記ローディング室に接続された第1の部分と、前記圧力制御装置に接続された第2の部分とに分けられ、前記第1の部分は液体が充填され、前記第2の部分は空気が充填されるか又は真空状態にされ、
前記媒体加熱装置は、前記第1の部分に接続されることを特徴とする化学機械研磨システム。 - 前記空液変換装置は、弾性薄膜を有する圧力室を含み、
前記圧力室は、前記弾性薄膜により2つの部分に分けられることを特徴とする請求項1に記載の化学機械研磨システム。 - 前記研磨ヘッドに位置し、前記熱媒体が充填された付加的ローディング室と、
前記付加的ローディング室及び前記圧力制御装置に接続された付加的内管と、
前記付加的内管に接続された付加的媒体加熱装置と、をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の化学機械研磨システム。 - ウェーハの研磨に用いる化学機械研磨システムであって、
研磨ヘッドと、
複数の内管と、
前記研磨ヘッドの中に位置して各々が分離され、前記内管に各々接続された複数のローディング室と、
前記ローディング室に隣接した薄膜と、
前記内管に各々接続された複数の媒体加熱装置と、
前記内管に接続された圧力制御装置と、
前記内管に各々接続され、前記ローディング室を液体で充填する複数の空液変換装置と、を備え、
前記薄膜の熱伝導率は、0.2W/(m×K)よりも大きく、
前記空液変換装置の各々は、圧力室と、該圧力室を第1の部分及び第2の部分に分ける弾性薄膜とを含み、
前記第1の部分は、前記液体が充填され、前記ローディング室に各々接続され、
前記第2の部分は、前記圧力制御装置に接続され、前記媒体加熱装置が前記第1の部分に接続されることを特徴とする化学機械研磨システム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/653,615 US7335088B1 (en) | 2007-01-16 | 2007-01-16 | CMP system with temperature-controlled polishing head |
US11/653,615 | 2007-01-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008177533A JP2008177533A (ja) | 2008-07-31 |
JP4709818B2 true JP4709818B2 (ja) | 2011-06-29 |
Family
ID=39103597
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007280330A Active JP4709818B2 (ja) | 2007-01-16 | 2007-10-29 | 温度制御研磨ヘッドを有する化学機械研磨システム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7335088B1 (ja) |
JP (1) | JP4709818B2 (ja) |
CN (1) | CN101224561A (ja) |
TW (1) | TWI329548B (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US9418904B2 (en) | 2011-11-14 | 2016-08-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Localized CMP to improve wafer planarization |
US9862070B2 (en) | 2011-11-16 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for substrate polishing end point detection using improved friction measurement |
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-
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- 2007-01-16 US US11/653,615 patent/US7335088B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-31 TW TW096128092A patent/TWI329548B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-10-16 CN CNA2007101628592A patent/CN101224561A/zh active Pending
- 2007-10-29 JP JP2007280330A patent/JP4709818B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101224561A (zh) | 2008-07-23 |
JP2008177533A (ja) | 2008-07-31 |
TWI329548B (en) | 2010-09-01 |
TW200831237A (en) | 2008-08-01 |
US7335088B1 (en) | 2008-02-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101102 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
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