JP2003275948A - 半導体基板の研磨装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体基板の温度を一定に保つことができる
研磨装置を提供する。 【解決手段】 半導体基板の研磨装置１００は、第１の
主表面１ａとその第１の主表面１ａと反対側に位置する
第２の主表面１ｂとを有する半導体基板としてのウエハ
１を保持して、ウエハ１の第１の主表面１ａを研磨パッ
ド３１に接触させて研磨する。半導体基板の研磨装置１
００は、ベース体３０と、ベース体３０と第２の主表面
１ｂとの間に流体としてのガスを送り込む供給部として
のエアフロート用エア導入ライン８と、ベース体３０と
第２の主表面１ｂとの間に送り込まれる流体を加熱する
第１の加熱部９とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板の研
磨装置に関し、特に、半導体装置の製造プロセスにおけ
るＣＭＰ（化学的機械的研磨法）に用いられる研磨装置
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造プロセスにおいて、半
導体素子の高集積化および高速化を達成するために、配
線層数が増加して多層化され、かつ低抵抗な銅を配線材
料に適用することが検討されている。

【０００３】銅配線のパターンの形成は、ダマシン法と
呼ばれるプロセスにより行なわれている。このプロセス
では、層間絶縁膜に配線パターンとなる溝を先にドライ
エッチングにより形成し、銅をスパッタリング法または
電気めっき法などによりウエハ全面に成膜して溝内に銅
を埋込む。その後、溝部分の銅のみを残して余分な銅を
ＣＭＰプロセスで除去する。

【０００４】ここで用いられるＣＭＰプロセスとは、被
研磨物である銅が成膜されたウエハを研磨装置のヘッド
に吸着・固定させ、発泡ポリウレタン材である研磨パッ
ドにある荷重でウエハを押当てる。スラリーと呼ばれる
研磨液を滴下しながらウエハとパッドの両方を回転さ
せ、スラリー内のアルミナなどの砥粒によるメカニカル
作用とＣｕ表面をエッチングあるいは銅錯体層に改質す
るなどのケミカル作用を利用して、銅を研磨除去するも
のである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】この銅のＣＭＰプロセ
スでは、ウエハとパッドを押当ててかつ回転させるた
め、両者の物理的な摩擦作用により発熱現象が発生し、
ウエハおよびスラリーの温度が上昇する。

【０００６】従来の研磨装置では、ウエハの温度は研磨
定盤にチラーなどによって一定の温度に冷却された水を
流すことで冷却していたが、定盤表面には発泡ポリウレ
タン材のパッドがあり、熱伝導率が悪いため十分かつ迅
速な冷却ができず、ウエハ温度が研磨開始から徐々に上
昇して、この温度変化に対応して研磨レートが上昇する
という問題があった。

【０００７】また、ウエハの大口径化に伴って、摩擦熱
の発生および冷却作用のバランスがウエハ面内で均一と
ならず、研磨の進行に伴って、面内での温度分布が発生
して、研磨レートの面内均一性が悪化するといった問題
がある。

【０００８】特に、銅のＣＭＰにおいてはケミカル的な
反応を利用して研磨を行なっているため、温度変動の影
響を大きく受け、研磨レートの安定化および研磨量の面
内均一性を向上させるためには、ウエハ全面で均一かつ
一定に温度をコントロールすることが必要となる。

【０００９】そこで、この発明は上述のような問題点を
解決するためになされたものであり、半導体基板として
のウエハの温度を均一に保ってその表面を研磨すること
ができる半導体基板の研磨装置を提供することを目的と
する。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この発明に従った半導体
基板の研磨装置は、第１の主表面とその第１の主表面と
反対側に位置する第２の主表面とを有する半導体基板を
保持して、半導体基板の第１の主表面を研磨パッドに接
触させて研磨する。半導体基板の研磨装置は、半導体基
板の第２の主表面との間に所定の空間が形成されるよう
に半導体基板を保持するベース体と、ベース体と第２の
主表面との間に流体を送り込む供給部と、ベース体と第
２の主表面との間に送り込まれる流体を加熱する第１の
加熱部とを備える。

【００１１】このように構成された半導体基板の研磨装
置では、ベース体と第２の主表面との間には、第１の加
熱部により加熱された流体が送り込まれる。そのため、
流体により半導体基板の第２の主表面が加熱されるた
め、半導体基板の各部分が均一に加熱され、温度のばら
つきが生じることがない。そのため、半導体基板を一定
の温度条件で保持して半導体基板を研磨することができ
る。

【００１２】好ましくは、半導体基板の研磨装置は、ベ
ース体に取付けられており、流体が導入されてその流体
の圧力により半導体基板を研磨パッドに対して押付ける
押圧部をさらに備える。この場合、押圧部は、流体の圧
力により半導体基板を研磨パッドに対して押付けるた
め、半導体基板に均一な圧力を加えて半導体基板を研磨
パッドに押付けることができる。

【００１３】また好ましくは、半導体基板の研磨装置
は、押圧部に供給される流体を加熱する第２の加熱部を
さらに備える。この場合、第２の加熱部により、押圧部
に供給される流体も加熱されるため、この流体により半
導体基板を均一に加熱することができる。

【００１４】好ましくは、半導体基板の研磨装置は、半
導体基板に向い合うようベース体に取付けられたヘッド
プレートと、ヘッドプレートを加熱する第３の加熱部と
をさらに備える。この場合、半導体基板に向い合うヘッ
ドプレートが加熱されるため、さらに効率よく半導体基
板を加熱することができる。

【００１５】好ましくは、半導体基板の研磨装置は、ベ
ース体と第２の主表面との間に送り込まれる流体の温
度、押圧部に供給される流体の温度、およびヘッドプレ
ートの温度の少なくとも１つを検出してそれらの温度が
一定になるように第１から第３の加熱部の少なくとも１
つを制御する制御部をさらに備える。この場合、制御部
が第１から第３の加熱部の少なくとも１つを制御するこ
とにより、さらに効率よく半導体基板を一定の温度に保
つことができる。

【００１６】この発明の別の局面に従った半導体基板の
研磨装置は、半導体基板を保持して、半導体基板の主表
面を研磨パッドに接触させて研磨する。半導体基板の研
磨装置は、半導体基板を保持するベース体と、ベース体
に取付けられており、流体が導入されてその流体の圧力
により半導体基板を研磨パッドに対して押付ける押圧部
と、押圧部に供給される流体を加熱する第２の加熱部と
を備える。

【００１７】このように構成された半導体基板の研磨装
置では、押圧部に供給される流体が第２の加熱部により
加熱される。そのため、この流体により半導体基板を加
熱することができ、半導体基板を均一に加熱することが
できる。

【００１８】好ましくは、半導体基板の研磨装置は、半
導体基板に向い合うようにベース体に取付けられたヘッ
ドプレートと、ヘッドプレートを加熱する第３の加熱部
とさらにを備える。この場合、半導体基板に向い合うヘ
ッドプレートが第３の加熱部により加熱されるため、さ
らに効率よく半導体基板を加熱することができる。

【００１９】好ましくは、半導体基板の研磨装置は、半
導体基板とヘッドプレートの間に介在して、半導体基板
とヘッドプレートとの両方に接触する板状部材をさらに
備える。この場合、板状部材で半導体基板をベース体に
確実に取付けるとともに、板状部材を介してヘッドプレ
ートの熱を半導体基板へ効率よく伝えることができる。

【００２０】好ましくは、半導体基板の研磨装置は、押
圧部に供給される流体の温度、およびヘッドプレートの
温度の少なくとも１つを検出してそれらの温度が一定に
なるように第２および第３の加熱部の少なくとも１つを
制御する制御部をさらに備える。この場合、制御部で温
度を制御することによりさらに効率よく半導体基板の温
度を均一にすることができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて説明する。

【００２２】（実施の形態１）図１は、この発明の実施
の形態１に従った半導体基板の研磨装置の模式的な断面
図である。図１を参照して、この発明の実施の形態１に
従った半導体基板の研磨装置１００は、第１の主表面１
ａとその第１の主表面１ａと反対側に位置する第２の主
表面１ｂとを有する半導体基板としてのウエハ１を保持
して、ウエハ１の第１の主表面１ａを研磨パッド３１に
接触させて研磨する。

【００２３】半導体基板の研磨装置１００は、シリコン
基板であるウエハ１の第２の主表面１ｂとの間に所定の
空間が形成されるようにウエハ１を保持するベース体３
０と、ベース体３０と第２の主表面１ｂとの間に流体と
してのガスを送り込む供給部としてのエアフロート用エ
ア導入ライン８と、ベース体３０と第２の主表面１ｂと
の間に送り込まれる流体を加熱する第１の加熱部９とを
備える。

【００２４】半導体基板の研磨装置１００は、ベース体
３０に取付けられており、流体が導入されてその流体の
圧力によりウエハ１を研磨パッド３１に対して押付ける
押圧部としてのエアバッグ４をさらに備える。

【００２５】半導体基板の研磨装置１００は、エアバッ
グ４に供給される流体としてのガスを加熱する第２の加
熱部６をさらに備える。

【００２６】半導体基板の研磨装置１００は、ウエハ１
に向い合うようにベース体３０に取付けられたヘッドプ
レート２と、ヘッドプレート２を加熱する第３の加熱部
（ヘッドプレート加熱ヒータ）３をさらに備える。

【００２７】半導体基板の研磨装置１００は、ベース体
３０と第２の主表面１ｂとの間に送り込まれる流体の温
度、エアバッグ４に供給される流体の温度およびヘッド
プレート２の温度の少なくとも１つを検出して、それら
の温度が一定になるように第１から第３の加熱部９、６
および３の少なくとも１つを制御する制御部２５をさら
に備える。

【００２８】ベース体３０は、ヘッド本体２０とリテー
ナリング２１とにより構成される。ヘッド本体２０に
は、ヘッド駆動軸１１によりＣＭＰ装置本体と接続さ
れ、回転する機能を有する。このヘッド本体２０には、
ウエハ１を保持するヘッドプレート２、ヘッドプレート
２に荷重を加えるためのエアバッグ４およびウエハ１の
飛出しを防ぐリテーナリング２１が取付けられている。

【００２９】エアバッグ４には、加圧用のエアを導入す
るエアバッグ用エア導入ライン５がヘッド駆動軸１１内
を通って外部から接続されている。

【００３０】ウエハ１とヘッドプレート２との間にはエ
アが導入され、ウエハ１とヘッドプレート２との間にエ
アフロート層７が形成されている。このエアはエアバッ
グ用エア導入ライン５と同様に、ヘッド駆動軸１１内を
通るエアフロート用エア導入ライン８により外部から供
給される。

【００３１】ヘッドプレート２の内部にヘッドプレート
加熱用ヒータとしての第３の加熱部３が埋込まれてい
る。これにより、ヘッドプレート２全体の温度が均一に
保持される。第３の加熱部３の温度はヘッドプレート測
温部品１２で検出され、この温度が制御部２５へ伝えら
れる。制御部２５は、ヘッドプレート２の温度が一定に
なるようにコントロールユニット１０に信号を送る。ヘ
ッドプレート２の材質は、熱伝導の観点からＳＵＳ（日
本工業規格）材が好ましいが、セラミックプレートでも
よい。また、ヘッドプレート２の温度分布は、面内で±
２℃以下に制御する必要がある。

【００３２】コントロールユニット１０から電力が供給
されることにより第３の加熱部３を発熱する。これによ
り、ヘッドプレート２を適切な温度とすることができ
る。

【００３３】ヘッドプレート２に接触するようにエアバ
ッグ４が設けられる。エアバッグ４内にはガスが導入さ
れている。このガスはエアバッグ用エア導入ライン５か
ら供給される。エアバッグ４内にガスが導入されること
で、エアバッグ４が膨らむ。この圧力がヘッドプレート
２およびエアフロート層７を介してウエハ１へ伝わる。
ヘッドプレート２に荷重を加えるためのエアバッグ４に
導入するエアは、第２の加熱部６により温度制御がされ
ている。

【００３４】エアバッグ４内の温度はエアバッグ用測温
部品１４により測定される。測定された温度は制御部２
５へ伝えられる。制御部２５はエアバッグ４内の温度を
一定にするために第２の加熱部６に対して信号を送る。
これにより、第２の加熱部６は、エアバッグ４へ供給す
る気体の加熱量を調整する。

【００３５】ヘッドプレート２とウエハ１との間のエア
フロート層７には、エアフロート用エア導入ライン８か
らガスが供給される。このエアフロート用エア導入ライ
ン８には第１の加熱部９が設けられる。

【００３６】エアフロート用測温部品１７がエアフロー
ト層７内の気体の温度を検出する。この検出された温度
が制御部２５に伝えられる。制御部２５は第１の加熱部
９に対しエアフロート層７の温度が一定になるように信
号を送る。

【００３７】定盤３２上にポリウレタンからなる研磨パ
ッド３１が形成される。この研磨パッド３１にウエハ１
が押付けられ、ウエハ１と研磨パッド３１との間にスラ
リーを供給しながらウエハ１を研磨パッド３１に対して
回転させることによりウエハ１の表面をＣＭＰにより研
磨することができる。

【００３８】エアバッグ用測温部品１４、ヘッドプレー
ト測温部品１２およびエアフロート用測温部品１７の各
々は熱電対により構成される。これらの温度が常に一定
となるようにＰＩＤ（Proportional Integral Differen
tiate）方式で制御されている。このような加熱および
温度制御機構を付加することで、ウエハ１の全面を加熱
して、面内で均一に一定温度を保つことが可能となる。
各機構の温度制御は独立して行なえる方が好ましい。実
際の研磨時にはすべての温度が同じである方が、ウエハ
１の温度の制御性および面内分布は良好となる。

【００３９】次に、このような装置を用いた研磨につい
て具体的に説明する。まず、銅が成膜された直径８イン
チ（約２０ｃｍ）のウエハを、図１の第１から第３の加
熱部９、６および３を使用しないで研磨した。このと
き、アルミナ砥粒のスラリーを用い、ウエハ１と定盤３
２の回転数を各々５０ｒｐｍ（１分間当りの回転数）、
ウエハ１に加える荷重を３．５ｐｓｉ（約２４ｋＰａ）
の条件で研磨した。この場合の研磨時間に対するウエハ
の温度と単位時間当りの研磨レート（研磨速度）を測定
した。その結果を図２に示す。

【００４０】図２より、ウエハの温度に関しては、研磨
開始直後は２５℃程度であるのに対し、図２に示すよう
に、研磨開始から徐々に温度が上昇し、４３℃前後で一
定の値となる。このとき、研磨レートは、研磨開始初期
はウエハ温度が低いため、銅とスラリーの化学反応が小
さく研磨レートが３３０ｎｍ／分程度であり、研磨が進
行するにつれて徐々に研磨速度が上昇し、研磨開始後８
０秒後に研磨速度は４２０ｎｍ／分となりほぼ一定とな
る。このため、初期のレートの立上がりが低いために研
磨量の制御が困難である。すなわち、単純に研磨時間を
管理するだけでは研磨量を制御することが困難である。

【００４１】次に、図１で示した第１から第３の加熱部
９、６および３を用いてウエハ１の温度が５０℃となる
ように制御した。このとき、上記と同様の条件で研磨し
た結果を図３に示す。図３に示すように、ウエハ温度は
研磨開始から一定に保たれている。単位時間当りの研磨
レートに関しては、温度が高いため、銅とスラリーの化
学反応が促進され研磨レートは４８０ｎｍ／分まで上昇
するが、研磨時間の依存性は解消され、研磨量の管理が
容易となる。研磨レートの上昇は研磨時間の短縮につな
がりスループットの向上に対するメリットもある。

【００４２】次に、ウエハの加熱温度と研磨レートとの
関係を調べた。その結果を図４に示す。図４を参照し
て、温度が７５℃以上では、スラリーの化学成分が揮発
し、反応性が弱まることから研磨レートが減少する傾向
を示した。よって、加熱温度の上限は７５℃であり、こ
の温度まで耐熱性のある部材を使用することができる。

【００４３】ウエハ面内の研磨量分布を調べた。ウエハ
の回転数を１００ｒｐｍ、定盤の回転数を６０ｒｐｍ、
ウエハに加える荷重を３．５ｐｓｉ（約２４ｋＰａ）と
した場合に、直径８インチ（約２０ｃｍ）で銅が一面に
形成されたウエハを１２０秒研磨した。このとき、第１
から第３の加熱部９、６および３を使用しない状態と、
第１から第３の加熱部９、６および３を使用してウエハ
１温度を６０℃に保った条件とで研磨した。その結果を
図５に示す。

【００４４】図５より、ウエハを加熱しない場合には、
ウエハ面内でのパッドとウエハの相対速度が、ウエハの
周辺部の方が速いために摩擦により温度上昇が大きくな
り研磨量が多い。これに対し、第１から第３の加熱部
９、６および３を用いてウエハ温度を６０℃に設定した
場合には、ウエハの中央領域で研磨レートが上昇して周
辺部との差が少なくなり、面内均一性が改善された。

【００４５】（実施の形態２）図６は、この発明の実施
の形態２に従った半導体基板の研磨装置の模式的な断面
図である。図６を参照して、この発明の実施の形態２に
従った半導体基板の研磨装置１００は、シリコンからな
るウエハ１を保持して、ウエハ１の第１の主表面１ａを
研磨パッド３１に接触させて研磨する。半導体基板の研
磨装置１００は、ウエハ１を保持するベース体３０と、
ベース体３０に取付けられており、流体が導入されてそ
の流体の圧力によりウエハ１を研磨パッド３１に対して
押付ける押圧部としてのエアバッグ４と、エアバッグ４
に供給される流体を加熱する第２の加熱部６とを備え
る。

【００４６】半導体基板の研磨装置１００は、さらに、
ウエハ１に向い合うようにベース体３０に取付けられた
ヘッドプレート２と、ヘッドプレート２を加熱する第３
の加熱部３とを備える。

【００４７】半導体基板の研磨装置１００は、ウエハ１
とヘッドプレート２との間に介在して、ウエハ１とヘッ
ドプレート２の両方に接触する、有機物からなる板状部
材としてのバッキングフィルム４１をさらに備える。

【００４８】ヘッド本体２０は、ヘッド駆動軸１１によ
りＣＭＰ装置本体と接続され、回転する機能を有する。
このヘッド本体２０には、ウエハ１を保持するヘッドプ
レート２、ヘッドプレート２に荷重を加えるためのエア
バッグ４およびウエハ１の飛出しを防ぐリテーナリング
２１が取付けられている。ヘッドプレート２はバッキン
グフィルム１３が接着されており、ウエハ１を保持して
いる。

【００４９】ウエハ１を加熱し一定温度に保持する機構
としてヘッドプレート２内にヘッドプレート加熱用ヒー
タとしての第３の加熱部３が埋込まれている。これによ
り、ヘッドプレート２全体の温度を均一に保持する。第
３の加熱部３の温度はコントロールユニット１０により
一定温度に保たれる。ヘッドプレート２の材質は、熱伝
導の面からはＳＵＳ（日本工業規格）材が好ましいが、
セラミックスプレートでもよい。ウエハ１は、バッキン
グフィルム４１を介して加熱される。

【００５０】さらに、ヘッドプレート２に荷重を加える
ためのエアバッグ４に導入するエアについても、エアバ
ッグ用エア導入ライン５にエア加熱・定温コントロール
ユニットとしての第２の加熱部６を付加して温度制御を
行なう。

【００５１】このヘッド構造における研磨特性は、実施
の形態１と同様の結果が得られており、以上の２つの温
度制御機構により、バッキングフィルム４１を用いるヘ
ッド構造においてもウエハ１の全面を加熱して、面内で
均一に一定温度を保つことが可能となる。各機構の温度
制御は独立して行なえる方が好ましく、実際の研磨時に
は、すべての温度が同じである方がウエハ温度の制御性
および面内分布はよくなる。

【００５２】（実施の形態３）図７は、この発明の実施
の形態３に従った半導体基板の研磨装置の模式的な断面
図である。図７を参照して、この発明の実施の形態３に
従った半導体基板の研磨装置１００では、図６で示した
実施の形態２の装置からバッキングフィルム４１、ヘッ
ドプレート２、第３の加熱部３、コントロールユニット
１０を除いたものである。

【００５３】ヘッド本体２０はヘッド駆動軸１１により
ＣＭＰ装置本体と接続され、回転する機能を有する。こ
のヘッド本体２０には、ウエハ１に荷重を加えるための
エアバッグ４およびウエハ１の飛出しを防止するリテー
ナリング２１が取付けられる。

【００５４】ウエハ１を加熱する機構としてエアバッグ
４に導入するエアについては、エアバッグ用エア導入ラ
イン５に、第２の加熱部６を付加して行なう。

【００５５】このヘッド構造における研磨特性は、実施
の形態１と同様の結果が得られており、エアバッグのみ
に温度制御機構を備えることにより、ウエハ１の全面を
加熱して面内で均一に一定温度を保つことができる。

【００５６】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。

【００５７】

【発明の効果】この発明に従えば、ウエハ温度を面内で
均一に加熱してコントロールすることで、研磨レートの
安定化およびウエハ面内の研磨量が均一化される。これ
により研磨プロセスの安定化とともに歩留り向上が達成
される。また、研磨レートが上昇することからスループ
ットが向上し、生産性が改善される。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１に従った半導体基板
の研磨装置の模式的な断面図である。

【図２】 第１から第３の加熱部９、６および３を使用
しない条件での、研磨時間に対するウエハの温度と単位
時間当りの研磨レート（研磨速度）の関係を示すグラフ
である。

【図３】 第１から第３の加熱部９、６および３を使用
した条件での、研磨時間に対するウエハの温度と単位時
間当りの研磨レート（研磨速度）の関係を示すグラフで
ある。

【図４】 ウエハの加熱温度と研磨レートとの関係を示
すグラフである。

【図５】 ウエハ面内の研磨量分布を示すグラフであ
る。

【図６】 この発明の実施の形態２に従った半導体基板
の研磨装置の模式的な断面図である。

【図７】 この発明の実施の形態３に従った半導体基板
の研磨装置の模式的な断面図である。

【符号の説明】

１ ウエハ、１ａ 第１の主表面、１ｂ 第２の主表
面、２ ヘッドプレート、３ 第３の加熱部、４ エア
バッグ、５ エアバッグ用エア導入ライン、６第２の加
熱部、７ エアフロート層、８ エアフロート用エア導
入ライン、９第１の加熱部、１０ コントロールユニッ
ト、１３ バッキングフィルム、２０ヘッド本体、２１
リテーナリング、２５ 制御部、３０ ベース体、３
１研磨パッド、４１ バッキングフィルム、１００ 研
磨装置。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3C034 AA13 AA19 CA19 3C043 AA08 CC02 3C058 AA07 AB04 AC02 BA01 BA08 BB02 BC01 CA01 CB01 DA12

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の主表面とその第１の主表面と反対
   側に位置する第２の主表面とを有する半導体基板を保持
   して、半導体基板の第１の主表面を研磨パッドに接触さ
   せて研磨する半導体基板の研磨装置であって、 半導体基板の第２の主表面との間に所定の空間が形成さ
   れるように半導体基板を保持するベース体と、 前記ベース体と第２の主表面との間に流体を送り込む供
   給部と、 前記ベース体と第２の主表面との間に送り込まれる流体
   を加熱する第１の加熱部とを備えた、半導体基板の研磨
   装置。
2. 【請求項２】 前記ベース体に取付けられており、流体
   が導入されてその流体の圧力により半導体基板を研磨パ
   ッドに対して押付ける押圧部をさらに備えた、請求項１
   に記載の半導体基板の研磨装置。
3. 【請求項３】 前記押圧部に供給される流体を加熱する
   第２の加熱部をさらに備えた、請求項２に記載の半導体
   基板の研磨装置。
4. 【請求項４】 半導体基板に向い合うように前記ベース
   体に取付けられたヘッドプレートと、前記ヘッドプレー
   トを加熱する第３の加熱部とを備えた、請求項３に記載
   の半導体基板の研磨装置。
5. 【請求項５】 前記ベース体と第２の主表面との間に送
   り込まれる流体の温度、前記押圧部に供給される流体の
   温度、および前記ヘッドプレートの温度の少なくとも１
   つを検出してそれらの温度が一定になるように前記第１
   から第３の加熱部の少なくとも１つを制御する制御部を
   さらに備えた、請求項４に記載の半導体基板の研磨装
   置。
6. 【請求項６】 半導体基板を保持して、半導体基板の主
   表面を研磨パッドに接触させて研磨する半導体基板の研
   磨装置であって、 半導体基板を保持するベース体と、 前記ベース体に取付けられており、流体が導入されてそ
   の流体の圧力により半導体基板を研磨パッドに対して押
   付ける押圧部と、 前記押圧部に供給される流体を加熱する第２の加熱部と
   を備えた、半導体基板の研磨装置。
7. 【請求項７】 半導体基板に向い合うように前記ベース
   体に取付けられたヘッドプレートと、前記ヘッドプレー
   トを加熱する第３の加熱部とを備えた、請求項６に記載
   の半導体基板の研磨装置。
8. 【請求項８】 半導体基板と前記ヘッドプレートの間に
   介在して半導体基板と前記ヘッドプレートとの両方に接
   触する板状部材をさらに備えた、請求項７に記載の半導
   体基板の研磨装置。
9. 【請求項９】 前記押圧部に供給される流体の温度、お
   よび前記ヘッドプレートの温度の少なくとも１つを検出
   してそれらの温度が一定になるように前記第２および第
   ３の加熱部の少なくとも１つを制御する制御部をさらに
   備えた、請求項７または８に記載の半導体基板の研磨装
   置。