JP2002033299A - パッド領域の選択的に加熱によるｃｍｐ除去速度の均一性制御方法及び装置 - Google Patents
パッド領域の選択的に加熱によるｃｍｐ除去速度の均一性制御方法及び装置Info
- Publication number
- JP2002033299A JP2002033299A JP2001177942A JP2001177942A JP2002033299A JP 2002033299 A JP2002033299 A JP 2002033299A JP 2001177942 A JP2001177942 A JP 2001177942A JP 2001177942 A JP2001177942 A JP 2001177942A JP 2002033299 A JP2002033299 A JP 2002033299A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- pad
- heating
- polishing
- cmp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/015—Temperature control
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/14—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the temperature during grinding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 半導体ウエハの平面化の均一性を改良するた
め、研摩パッド／ベルトの選択的な加熱を使用した、化
学機械研摩（ＣＭＰ）装置及び方法を提供する。 【解決手段】 加熱機構１１０が、パッド又はベルト１
２０、２２０、３２０の周辺１３０、２３０、３３０な
どの選択された領域を加熱するために使用される。選択
された領域の加熱は、その領域の除去速度を改良する。
例えば、パッド１２０の周辺に沿った加熱は、半導体ウ
エハ１５０の周辺における除去速度を改良する。
め、研摩パッド／ベルトの選択的な加熱を使用した、化
学機械研摩（ＣＭＰ）装置及び方法を提供する。 【解決手段】 加熱機構１１０が、パッド又はベルト１
２０、２２０、３２０の周辺１３０、２３０、３３０な
どの選択された領域を加熱するために使用される。選択
された領域の加熱は、その領域の除去速度を改良する。
例えば、パッド１２０の周辺に沿った加熱は、半導体ウ
エハ１５０の周辺における除去速度を改良する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に半導体処
理の分野に関し、より詳細には半導体ウエハの化学機械
研摩に関する。
理の分野に関し、より詳細には半導体ウエハの化学機械
研摩に関する。
【０００２】
【従来の技術】製造中に半導体ウエハを平面化する化学
機械研摩（ＣＭＰ）は、一般的になりつつある。ＣＭＰ
システムは一般的に研摩パッド、ウエハ・キャリア、及
びスラリーから成る。ウエハ・キャリアが半導体ウエハ
を研摩パッドに対して位置付けされる時、スラリーがウ
エハと研摩パッドの間に加えられる。ウエハ、パッド、
又は、より典型的に、両方はウエハの表面を平面化する
ために移動される。ＣＭＰは、材料の機械的除去（ウエ
ハの表面に対するスラリー粒子と研摩パッドの物理的摩
耗による）及び材料の化学的除去（食刻）（スラリーの
化学成分による）の両方を使用する。
機械研摩（ＣＭＰ）は、一般的になりつつある。ＣＭＰ
システムは一般的に研摩パッド、ウエハ・キャリア、及
びスラリーから成る。ウエハ・キャリアが半導体ウエハ
を研摩パッドに対して位置付けされる時、スラリーがウ
エハと研摩パッドの間に加えられる。ウエハ、パッド、
又は、より典型的に、両方はウエハの表面を平面化する
ために移動される。ＣＭＰは、材料の機械的除去（ウエ
ハの表面に対するスラリー粒子と研摩パッドの物理的摩
耗による）及び材料の化学的除去（食刻）（スラリーの
化学成分による）の両方を使用する。
【０００３】３つの基本的なタイプのアーキテクチャが
現在製造されている。第１のタイプは、回転研摩機であ
る。回転研摩機においては、プラテン（及びそれが保持
する研摩パッド）は、半導体ウエハの直径よりもわずか
に大きい半径を有する。プラテンとウエハの両方が典型
的に回転される。ＣＭＰ装置の第２のタイプはオービタ
ル研摩機である。オービタル研摩機においては、プラテ
ンの直径はウエハの直径よりもわずかに大きい。再び、
プラテンとウエハの両方が回転される。ＣＭＰ装置の第
３のタイプは、線形ベルト研摩機である。線形ベルト研
摩機においては、連続的に供給されるベルトがプラテン
上を動く。ウエハは研摩中に回転される。
現在製造されている。第１のタイプは、回転研摩機であ
る。回転研摩機においては、プラテン（及びそれが保持
する研摩パッド）は、半導体ウエハの直径よりもわずか
に大きい半径を有する。プラテンとウエハの両方が典型
的に回転される。ＣＭＰ装置の第２のタイプはオービタ
ル研摩機である。オービタル研摩機においては、プラテ
ンの直径はウエハの直径よりもわずかに大きい。再び、
プラテンとウエハの両方が回転される。ＣＭＰ装置の第
３のタイプは、線形ベルト研摩機である。線形ベルト研
摩機においては、連続的に供給されるベルトがプラテン
上を動く。ウエハは研摩中に回転される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】多くの研摩装置では平
面化の均一性は制御が困難である。これはパッド状態、
下向き力、及びスラリー供給などの工程の不規則性によ
る。従って、ウエハにわたって良好な平面化を達成する
ことは困難である。これは特に、現在開発中の銅ＣＭＰ
について真実である。
面化の均一性は制御が困難である。これはパッド状態、
下向き力、及びスラリー供給などの工程の不規則性によ
る。従って、ウエハにわたって良好な平面化を達成する
ことは困難である。これは特に、現在開発中の銅ＣＭＰ
について真実である。
【０００５】次の同時係属中の特許出願が本発明と関連
する。
する。
【０００６】 シリアル番号 出願日 発明者 ＴＩ−３０５８２ スワンソン
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、均一性を改良
するため研摩パッド／ベルトの選択的な加熱を使用した
改良されたＣＭＰ装置及び／又は方法である。加熱機構
が、パッド又はベルトの周辺などの選択された領域を加
熱することにより研摩パッド／ベルトを横断して温度勾
配を生成するのに使用される。選択された領域を加熱す
るとその領域内の除去速度を改良する。例えば、パッド
の周辺に沿って加熱すると半導体ウエハの周辺における
除去速度を改良する。
するため研摩パッド／ベルトの選択的な加熱を使用した
改良されたＣＭＰ装置及び／又は方法である。加熱機構
が、パッド又はベルトの周辺などの選択された領域を加
熱することにより研摩パッド／ベルトを横断して温度勾
配を生成するのに使用される。選択された領域を加熱す
るとその領域内の除去速度を改良する。例えば、パッド
の周辺に沿って加熱すると半導体ウエハの周辺における
除去速度を改良する。
【０００８】本発明の効果は、改良された平面化の均一
性を有するＣＭＰ装置及び／又は方法である。
性を有するＣＭＰ装置及び／又は方法である。
【０００９】この効果及び他の効果は、当業者には添付
図面を参照しながら明細書を読むことにより明らかとな
るであろう。
図面を参照しながら明細書を読むことにより明らかとな
るであろう。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明が、以下に３つの別のＣＭ
Ｐ装置アーキテクチャと共に説明される。当業者には明
らかなように本発明は他の装置アーキテクチャに対して
も同様に適用できる。
Ｐ装置アーキテクチャと共に説明される。当業者には明
らかなように本発明は他の装置アーキテクチャに対して
も同様に適用できる。
【００１１】研摩中の銅除去速度は、パッド及びスラリ
ーの温度が上昇すると増加することが知られている。こ
れは、ＣＭＰ工程の化学成分が熱的に活性化される事実
に起因する。本発明において、パッドの選択的な領域の
温度は、ＣＭＰ中のウエハ全体にわたる均一性を改良す
るために調節される。例えば、熱は低い除去速度を有す
るウエハの領域に対応する選択的なパッドの領域に加え
られる。
ーの温度が上昇すると増加することが知られている。こ
れは、ＣＭＰ工程の化学成分が熱的に活性化される事実
に起因する。本発明において、パッドの選択的な領域の
温度は、ＣＭＰ中のウエハ全体にわたる均一性を改良す
るために調節される。例えば、熱は低い除去速度を有す
るウエハの領域に対応する選択的なパッドの領域に加え
られる。
【００１２】銅ＣＭＰにおいて、除去速度はウエハの端
の近くではウエハの中心近くよりも低い（ウエハの端か
ら〜２−５ｃｍインセットは数ｍｍ分）。ウエハ全体に
わたる除去速度の均一性を改良するために、ウエハの中
心よりも端を研摩する領域が加熱される。そして、熱は
その領域の除去速度を増加させて、ウエハ全体にわたる
均一性を高める。
の近くではウエハの中心近くよりも低い（ウエハの端か
ら〜２−５ｃｍインセットは数ｍｍ分）。ウエハ全体に
わたる除去速度の均一性を改良するために、ウエハの中
心よりも端を研摩する領域が加熱される。そして、熱は
その領域の除去速度を増加させて、ウエハ全体にわたる
均一性を高める。
【００１３】図１Ａ−Ｃは、研摩パッド１２０の選択的
領域を加熱するための加熱機構１１０を含むために修正
された回転研摩機１００を示す。回転研摩機１００にお
いて、プラテン１４０はウエハ１５０の直径よりもわず
かに大きい半径を有する。プラテン１４０はパッド１２
０を保持するのに使用される。ウエハ１５０はウエハ・
キャリア（図示しない）により研摩パッド１２０に対し
て保持され、そして回転される。
領域を加熱するための加熱機構１１０を含むために修正
された回転研摩機１００を示す。回転研摩機１００にお
いて、プラテン１４０はウエハ１５０の直径よりもわず
かに大きい半径を有する。プラテン１４０はパッド１２
０を保持するのに使用される。ウエハ１５０はウエハ・
キャリア（図示しない）により研摩パッド１２０に対し
て保持され、そして回転される。
【００１４】加熱機構１１０は、増加された除去速度が
所望されるところの研摩パッド１２０の選択的領域を加
熱する。例えば、銅ＣＭＰにおいて、除去速度はウエハ
の端の近くでより低い。従って、この不均一性を改良す
るために、研摩パッド１２０の周辺１３０がこの利用行
きがウエハ１５０の外側部分と接触するために加熱され
る。
所望されるところの研摩パッド１２０の選択的領域を加
熱する。例えば、銅ＣＭＰにおいて、除去速度はウエハ
の端の近くでより低い。従って、この不均一性を改良す
るために、研摩パッド１２０の周辺１３０がこの利用行
きがウエハ１５０の外側部分と接触するために加熱され
る。
【００１５】加熱機構１１０は、図１Ａに示すようにプ
ラテン１４０内に置かれることができる。この場合、加
熱機構１１０はヒーター１１２の配列を含むことができ
る。代替的な加熱機構が当業者には明らかであろう。例
えば、加熱機構１１０は図１Ｂに示すようにパッドの上
に位置することができる。この場合、加熱機構１１０は
輻射ヒーター１１４（例えば、ランプ）を含むことがで
きる。加熱機構は代替的に図１Ｃに示すように、パッド
１２０の選択的領域に埋め込まれた加熱ワイヤ１１６を
含むことができる。
ラテン１４０内に置かれることができる。この場合、加
熱機構１１０はヒーター１１２の配列を含むことができ
る。代替的な加熱機構が当業者には明らかであろう。例
えば、加熱機構１１０は図１Ｂに示すようにパッドの上
に位置することができる。この場合、加熱機構１１０は
輻射ヒーター１１４（例えば、ランプ）を含むことがで
きる。加熱機構は代替的に図１Ｃに示すように、パッド
１２０の選択的領域に埋め込まれた加熱ワイヤ１１６を
含むことができる。
【００１６】ヒーター１１２は、増加された除去速度が
望まれるプラテンの領域に配置される。銅ＣＭＰの不均
一性を改良するため、ヒーター１１２は、ウエハ１５０
の外側部分を研磨するパッド１２０の重なる領域１３０
を加熱するためにプラテンの周辺周りに配置される。も
ちろん、ヒーターはより大きな柔軟性のためにプラテン
全体に置くことがてきる。そして、パッド１２０の特定
領域下のヒーターのみを使用することができる。代替的
に、ヒーター１１４はパッド１２０の領域１３０の上に
置くことができ、又はパッド１２０の領域１３０におく
ことができる。
望まれるプラテンの領域に配置される。銅ＣＭＰの不均
一性を改良するため、ヒーター１１２は、ウエハ１５０
の外側部分を研磨するパッド１２０の重なる領域１３０
を加熱するためにプラテンの周辺周りに配置される。も
ちろん、ヒーターはより大きな柔軟性のためにプラテン
全体に置くことがてきる。そして、パッド１２０の特定
領域下のヒーターのみを使用することができる。代替的
に、ヒーター１１４はパッド１２０の領域１３０の上に
置くことができ、又はパッド１２０の領域１３０におく
ことができる。
【００１７】もし、所望ならば、温度管氏が温度プロフ
ァイルを能動的に制御するために使用できる。例えば、
光学ＩＲ（赤外線）放射計１７０が、ＣＭＰ中のパッド
１２０の表面温度を監視するために使用できる。そし
て、適正な温度を設定し維持するために、加熱の量は所
望に応じて増大又は減少できる。温度監視のための代替
的な手段は当業者には明らかである。
ァイルを能動的に制御するために使用できる。例えば、
光学ＩＲ（赤外線）放射計１７０が、ＣＭＰ中のパッド
１２０の表面温度を監視するために使用できる。そし
て、適正な温度を設定し維持するために、加熱の量は所
望に応じて増大又は減少できる。温度監視のための代替
的な手段は当業者には明らかである。
【００１８】作用において、スラリー１６０がパッド１
２０に与えられる。ウエハ１５０が所望の下向き力で持
ってパッド１２０に対して押され、そして、パッド及び
ウエハは回転される。パッド１２０の選択された領域
は、その領域中の除去速度を改良するために加熱機構１
１０を使用して加熱される。銅ＣＭＰに対して、パッド
１２０の周辺１３０が加熱される。パッドは何度に加熱
されるべきか？所望の温度勾配が存在するか？勾配はス
ラリー中の化学食刻成分に強く依存すると想像される
が、この領域におけるあるガイダンスを与える必要があ
る。これはウエハ１５０にわたってより均一な除去速度
を生ずる。
２０に与えられる。ウエハ１５０が所望の下向き力で持
ってパッド１２０に対して押され、そして、パッド及び
ウエハは回転される。パッド１２０の選択された領域
は、その領域中の除去速度を改良するために加熱機構１
１０を使用して加熱される。銅ＣＭＰに対して、パッド
１２０の周辺１３０が加熱される。パッドは何度に加熱
されるべきか？所望の温度勾配が存在するか？勾配はス
ラリー中の化学食刻成分に強く依存すると想像される
が、この領域におけるあるガイダンスを与える必要があ
る。これはウエハ１５０にわたってより均一な除去速度
を生ずる。
【００１９】図２Ａ−Ｂは、研摩パッド２２０の選択さ
れた領域を加熱するための加熱機構１１０を含むように
修正されたオービタル研摩機２００を示す。オービタル
研摩機２００においては、プラテン２４０はウエハ１５
０の直径よりも僅かに大きい直径を持っていた。プラテ
ン２４０はパッド２２０を保持するために使用される。
ウエハ１５０はウエハ・キャリア（図示しない）により
研摩パッド２２０に対して保持されて回転される。
れた領域を加熱するための加熱機構１１０を含むように
修正されたオービタル研摩機２００を示す。オービタル
研摩機２００においては、プラテン２４０はウエハ１５
０の直径よりも僅かに大きい直径を持っていた。プラテ
ン２４０はパッド２２０を保持するために使用される。
ウエハ１５０はウエハ・キャリア（図示しない）により
研摩パッド２２０に対して保持されて回転される。
【００２０】回転研摩機と共に、加熱機構１１０は増加
された除去速度が望まれる所の研摩パッド２２０の選択
的領域を加熱する。例えば、銅ＣＭＰにおいて、除去速
度はウエハの端の近くでより低い。従って、不均一性を
改良するために、研摩パッド２２０の周辺２３０がこの
領域がウエハ１５０の外側部分と接触するために加熱さ
れる。
された除去速度が望まれる所の研摩パッド２２０の選択
的領域を加熱する。例えば、銅ＣＭＰにおいて、除去速
度はウエハの端の近くでより低い。従って、不均一性を
改良するために、研摩パッド２２０の周辺２３０がこの
領域がウエハ１５０の外側部分と接触するために加熱さ
れる。
【００２１】図２Ａに示すように、加熱機構１１０はプ
ラテン２４０内に置くことができる。この場合、加熱機
構１１０は上述したようにヒーター１１２の配列を含む
ことができる。当業者には代替的な加熱機構が明らかで
ある。例えば、図２Ｂに示すように、加熱機構１１０は
パッド２２０の選択的領域に埋め込まれた加熱されたワ
イヤ１１６を含むことができる。このタイプの研摩機に
おいて、研摩中、ほとんど全体のパッド２２０がウエハ
１５０により覆われるため、上からの輻射加熱は困難で
ある。熱源はウエハ・キャリア内のウエハ１５０上に置
かれる必要がある。
ラテン２４０内に置くことができる。この場合、加熱機
構１１０は上述したようにヒーター１１２の配列を含む
ことができる。当業者には代替的な加熱機構が明らかで
ある。例えば、図２Ｂに示すように、加熱機構１１０は
パッド２２０の選択的領域に埋め込まれた加熱されたワ
イヤ１１６を含むことができる。このタイプの研摩機に
おいて、研摩中、ほとんど全体のパッド２２０がウエハ
１５０により覆われるため、上からの輻射加熱は困難で
ある。熱源はウエハ・キャリア内のウエハ１５０上に置
かれる必要がある。
【００２２】もし、所望ならば、温度プロフアイルを能
動的に制御するために温度監視を使用できる。例えば、
ウエハ１５０の後又はパッド２２０の下に位置する熱電
対２８０が、効果的な処理制御のためのフイード・バッ
クを提供するために使用できる。加熱量が適正な温度を
設定しそして維持するために所望により増加又は減少で
きる。温度監視のための代替的な手段は当業者には明ら
かである。
動的に制御するために温度監視を使用できる。例えば、
ウエハ１５０の後又はパッド２２０の下に位置する熱電
対２８０が、効果的な処理制御のためのフイード・バッ
クを提供するために使用できる。加熱量が適正な温度を
設定しそして維持するために所望により増加又は減少で
きる。温度監視のための代替的な手段は当業者には明ら
かである。
【００２３】作用において、スラリー１６０がパッド２
２０内の孔を通じてパッド２２０に加えられる。ウエハ
１５０は所望の下向き力で持ってパッド２２０に対して
押され、そしてパッド２２０及びウエハ１５０の両方が
回転される。パッド１２０の選択された領域はこれらの
領域の除去速度を改良するために加熱機構１１０を使用
して加熱される。銅ＣＭＰについて、パッド２２０の周
辺２３０が加熱される。パッドは何度に加熱されるべき
か？所望の温度勾配が存在するか？勾配はスラリー中の
化学食刻成分に強く依存すると想像されるが、この領域
におけるあるガイダンスを与える必要がある。これはウ
エハ１５０にわたってより均一な除去速度を生ずる。
２０内の孔を通じてパッド２２０に加えられる。ウエハ
１５０は所望の下向き力で持ってパッド２２０に対して
押され、そしてパッド２２０及びウエハ１５０の両方が
回転される。パッド１２０の選択された領域はこれらの
領域の除去速度を改良するために加熱機構１１０を使用
して加熱される。銅ＣＭＰについて、パッド２２０の周
辺２３０が加熱される。パッドは何度に加熱されるべき
か？所望の温度勾配が存在するか？勾配はスラリー中の
化学食刻成分に強く依存すると想像されるが、この領域
におけるあるガイダンスを与える必要がある。これはウ
エハ１５０にわたってより均一な除去速度を生ずる。
【００２４】図３Ａ−３Ｂには、加熱機構１１０を含む
ように修正された線形ベルト研摩機３００が示される。
線形ベルト研摩機３００は、連続的に供給されるベルト
３２０を含む。ベルトは「研摩パッド」か？ウエハ１５
０はウエハ・キャリア（図示しない）により研摩ベルト
３２０に対して保持されて、そして回転される。
ように修正された線形ベルト研摩機３００が示される。
線形ベルト研摩機３００は、連続的に供給されるベルト
３２０を含む。ベルトは「研摩パッド」か？ウエハ１５
０はウエハ・キャリア（図示しない）により研摩ベルト
３２０に対して保持されて、そして回転される。
【００２５】加熱機構１１０は、増加された除去速度が
望ましいところの研摩ベルト３２０の選択的な領域を加
熱する。例えば、銅ＣＭＰにおいて、除去速度はウエハ
１５０の端の近くでより低い。従って、この不均一性を
改良するため、研摩ベルト３２０の外側部分３３０は、
この領域がウエハ１５０の外側部分に接触するため加熱
される。
望ましいところの研摩ベルト３２０の選択的な領域を加
熱する。例えば、銅ＣＭＰにおいて、除去速度はウエハ
１５０の端の近くでより低い。従って、この不均一性を
改良するため、研摩ベルト３２０の外側部分３３０は、
この領域がウエハ１５０の外側部分に接触するため加熱
される。
【００２６】図３Ａに示すように加熱機構１１０を、研
摩ベルト３２０の下に、又は図３Ｂに示すように上に、
置いても良い。加熱機構１１０は、輻射ランプ・ヒータ
ー１１４の配列を含むことができる。代替的な加熱機構
が当業者にとり明らかである。ヒーター１１４は、ウエ
ハ１５０下を移動するベルト３２０の直前で、研摩ベル
ト３２０の下又は上に配置される。ウエハ１５０の外側
領域における除去速度を改良するため、ヒーター１１４
は研摩ベルト３２０の外側端に配置される。
摩ベルト３２０の下に、又は図３Ｂに示すように上に、
置いても良い。加熱機構１１０は、輻射ランプ・ヒータ
ー１１４の配列を含むことができる。代替的な加熱機構
が当業者にとり明らかである。ヒーター１１４は、ウエ
ハ１５０下を移動するベルト３２０の直前で、研摩ベル
ト３２０の下又は上に配置される。ウエハ１５０の外側
領域における除去速度を改良するため、ヒーター１１４
は研摩ベルト３２０の外側端に配置される。
【００２７】もし、所望ならば、温度監視が温度プロフ
アイルを能動的に制御するために使用できる。例えば、
光学ＩＲ（赤外線）放射計が、ＣＭＰ中のパッド３２０
の表面温度を監視するために使用できる。そして、適正
な温度を設定し維持するために所望により加熱量が増加
又は減少できる。代替的な温度監視手段は当業者にとっ
て明らかである。
アイルを能動的に制御するために使用できる。例えば、
光学ＩＲ（赤外線）放射計が、ＣＭＰ中のパッド３２０
の表面温度を監視するために使用できる。そして、適正
な温度を設定し維持するために所望により加熱量が増加
又は減少できる。代替的な温度監視手段は当業者にとっ
て明らかである。
【００２８】作用において、スラリー１６０がパッド３
２０に与えられる。ウエハ１５０は所望の下向きの力で
もってパッド３２０に対して押され、そしてパッド及び
ウエハの両方が回転される。パッド３２０の選択された
領域は、そこの領域内の除去速度を改良するために加熱
機構１１０を使用して加熱される。銅ＣＭＰについて、
パッド３２０の周辺３３０が加熱される。パッドは何度
に加熱されるべきか？所望の温度勾配が存在するか？勾
配はスラリー中の化学食刻成分に強く依存すると想像さ
れるが、この領域におけるあるガイダンスを与える必要
がある。これはウエハ１５０にわたってより均一な除去
速度を生ずる。
２０に与えられる。ウエハ１５０は所望の下向きの力で
もってパッド３２０に対して押され、そしてパッド及び
ウエハの両方が回転される。パッド３２０の選択された
領域は、そこの領域内の除去速度を改良するために加熱
機構１１０を使用して加熱される。銅ＣＭＰについて、
パッド３２０の周辺３３０が加熱される。パッドは何度
に加熱されるべきか？所望の温度勾配が存在するか？勾
配はスラリー中の化学食刻成分に強く依存すると想像さ
れるが、この領域におけるあるガイダンスを与える必要
がある。これはウエハ１５０にわたってより均一な除去
速度を生ずる。
【００２９】本発明が例示的な実施の形態を参照して説
明されたが、この説明は限定的な意味に解されることを
意図していない。当業者にとり、発明の詳細な説明か
ら、この例示的な実施の形態のさまざまな修正や組合せ
は、本発明の他の実施の形態と同じく明らかである。従
って、特許請求の範囲は、このような修正又は実施の形
態を含むことを意図している。
明されたが、この説明は限定的な意味に解されることを
意図していない。当業者にとり、発明の詳細な説明か
ら、この例示的な実施の形態のさまざまな修正や組合せ
は、本発明の他の実施の形態と同じく明らかである。従
って、特許請求の範囲は、このような修正又は実施の形
態を含むことを意図している。
【００３０】以上の記載に関連して、以下の各項を開示
する。 １．集積回路の製造方法であって、ウエハを研摩部材に
対して置き、スラリーを加え、そして前記研摩部材の選
択された部分を加熱するステップを有する方法。 ２．前記研摩部材が研摩パッドである１項に記載の方
法。 ３．前記研摩部材が研摩ベルトである１項に記載の方
法。 ４．前記加熱が、前記研摩部材を輻射的に加熱するため
複数のヒーター・ランプを含む加熱機構を使用すること
により達成される１項に記載の方法。 ５．前記研摩部材が研摩パッドであり、前記加熱が研摩
パッド内に配置された加熱ワイヤを使用することで達成
される１項に記載の方法。 ６．前記選択された部分が、前記研磨部材の周辺領域を
含む２項に記載の方法。 ７．集積回路を製造する方法であって、部分的に製造さ
れたウエハを化学機械研摩（ＣＭＰ）装置のウエハ・キ
ャリアに与え、前記ＣＭＰ装置の研摩部材を動かし、前
記研摩部材の表面にスラリーを加え、前記研摩部材が動
いている際に、前記ウエハを前記表面に対して置き、加
熱機構を使用して、前記研摩部材の選択された部分を加
熱することにより、前記研摩部材の前記表面にわたる温
度勾配を与える、各ステップを含む方法。 ８．化学機械研摩（ＣＭＰ）装置であって、プラテン
と、前記プラテン上に配置された研摩部材と、前記研摩
部材に対してウエハを保持するウエハ・キャリアと、前
記研摩部材の選択された部分を加熱することにより、前
記研摩部材にわたる温度勾配を設定する加熱機構と、を
含むＣＭＰ装置。 ９．前記研摩部材が研摩パッドを含む８項に記載のＣＭ
Ｐ装置。 １０．前記研摩部材が研摩ベルトを含む８項に記載のＣ
ＭＰ装置。 １１．前記加熱機構が、前記研摩部材の前記選択された
部分を輻射的に加熱するため、複数の加熱ランプを含む
８項に記載のＣＭＰ装置。 １２．均一性を改良するために研摩パッド／ベルト（１
２０、２２０、３２０）の選択的な加熱を使用したＣＭ
Ｐ装置（１００、２００、３００）及び方法。加熱機構
（１１０）がパッド又はベルト（１２０、２２０、３２
０）の周辺（１３０、２３０、３３０）などの選択され
た領域を加熱するために使用される。選択された領域の
加熱はその領域の除去速度を改良する。例えば、パッド
（１２０、２２０、３２０）の周辺に沿った加熱は、半
導体ウエハ（１５０）の周辺における除去速度を改良す
る。
する。 １．集積回路の製造方法であって、ウエハを研摩部材に
対して置き、スラリーを加え、そして前記研摩部材の選
択された部分を加熱するステップを有する方法。 ２．前記研摩部材が研摩パッドである１項に記載の方
法。 ３．前記研摩部材が研摩ベルトである１項に記載の方
法。 ４．前記加熱が、前記研摩部材を輻射的に加熱するため
複数のヒーター・ランプを含む加熱機構を使用すること
により達成される１項に記載の方法。 ５．前記研摩部材が研摩パッドであり、前記加熱が研摩
パッド内に配置された加熱ワイヤを使用することで達成
される１項に記載の方法。 ６．前記選択された部分が、前記研磨部材の周辺領域を
含む２項に記載の方法。 ７．集積回路を製造する方法であって、部分的に製造さ
れたウエハを化学機械研摩（ＣＭＰ）装置のウエハ・キ
ャリアに与え、前記ＣＭＰ装置の研摩部材を動かし、前
記研摩部材の表面にスラリーを加え、前記研摩部材が動
いている際に、前記ウエハを前記表面に対して置き、加
熱機構を使用して、前記研摩部材の選択された部分を加
熱することにより、前記研摩部材の前記表面にわたる温
度勾配を与える、各ステップを含む方法。 ８．化学機械研摩（ＣＭＰ）装置であって、プラテン
と、前記プラテン上に配置された研摩部材と、前記研摩
部材に対してウエハを保持するウエハ・キャリアと、前
記研摩部材の選択された部分を加熱することにより、前
記研摩部材にわたる温度勾配を設定する加熱機構と、を
含むＣＭＰ装置。 ９．前記研摩部材が研摩パッドを含む８項に記載のＣＭ
Ｐ装置。 １０．前記研摩部材が研摩ベルトを含む８項に記載のＣ
ＭＰ装置。 １１．前記加熱機構が、前記研摩部材の前記選択された
部分を輻射的に加熱するため、複数の加熱ランプを含む
８項に記載のＣＭＰ装置。 １２．均一性を改良するために研摩パッド／ベルト（１
２０、２２０、３２０）の選択的な加熱を使用したＣＭ
Ｐ装置（１００、２００、３００）及び方法。加熱機構
（１１０）がパッド又はベルト（１２０、２２０、３２
０）の周辺（１３０、２３０、３３０）などの選択され
た領域を加熱するために使用される。選択された領域の
加熱はその領域の除去速度を改良する。例えば、パッド
（１２０、２２０、３２０）の周辺に沿った加熱は、半
導体ウエハ（１５０）の周辺における除去速度を改良す
る。
【図１Ａ】本発明による加熱機構を含むために修正され
た回転研磨機の平面図。
た回転研磨機の平面図。
【図１Ｂ】本発明による加熱機構を含むために修正され
た回転研磨機の平面図。
た回転研磨機の平面図。
【図１Ｃ】本発明による加熱機構を含むために修正され
た回転研磨機の平面図。
た回転研磨機の平面図。
【図２Ａ】本発明による加熱機構を含むために修正され
たオービタル研磨機の平面図。
たオービタル研磨機の平面図。
【図２Ｂ】本発明による加熱機構を含むために修正され
たオービタル研磨機の平面図。
たオービタル研磨機の平面図。
【図３Ａ】本発明による加熱機構を含むために修正され
たベルト研磨機の平面図。
たベルト研磨機の平面図。
【図３Ｂ】本発明による加熱機構を含むために修正され
たベルト研磨機の平面図。
たベルト研磨機の平面図。
１００、２００、３００ 化学機械研摩（ＣＭＰ）装
置 １１０ 加熱機構 １２０、２２０ 研摩パッド １３０、２３０、３３０ 周辺 １５０ ウエハ １６０ スラリー ３２０ 研摩ベルト
置 １１０ 加熱機構 １２０、２２０ 研摩パッド １３０、２３０、３３０ 周辺 １５０ ウエハ １６０ スラリー ３２０ 研摩ベルト
Claims (2)
- 【請求項１】集積回路の製造方法であって、ウエハを研
摩部材に対して置き、スラリーを加え、そして前記研摩
部材の選択された部分を加熱するステップを有する方
法。 - 【請求項２】化学機械研摩（ＣＭＰ）装置であって、 プラテンと、 前記プラテン上に配置された研摩部材と、 前記研摩部材に対してウエハを保持するウエハ・キャリ
アと、 前記研摩部材の選択された部分を加熱することにより、
前記研摩部材にわたって温度勾配を設定する加熱機構
と、 を含むＣＭＰ装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US21165400P | 2000-06-15 | 2000-06-15 | |
| US60/211654 | 2000-06-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002033299A true JP2002033299A (ja) | 2002-01-31 |
Family
ID=22787826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001177942A Pending JP2002033299A (ja) | 2000-06-15 | 2001-06-13 | パッド領域の選択的に加熱によるｃｍｐ除去速度の均一性制御方法及び装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020009953A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002033299A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100835517B1 (ko) * | 2003-12-26 | 2008-06-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨엠피 장비의 플래튼 장치 |
| KR20180056187A (ko) * | 2016-11-18 | 2018-05-28 | 일진디스플레이(주) | 사파이어 웨이퍼 제조장치 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050115526A (ko) * | 2004-06-04 | 2005-12-08 | 삼성전자주식회사 | 연마 패드 어셈블리, 이를 갖는 웨이퍼 연마 장치 그리고이들을 이용한 웨이퍼 연마 방법 |
| US7156947B2 (en) * | 2004-06-30 | 2007-01-02 | Intel Corporation | Energy enhanced surface planarization |
| US20060226123A1 (en) * | 2005-04-07 | 2006-10-12 | Applied Materials, Inc. | Profile control using selective heating |
| US20070272674A1 (en) * | 2006-05-26 | 2007-11-29 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive brush recovery system and process |
| JP4902433B2 (ja) * | 2007-06-13 | 2012-03-21 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置の研磨面加熱、冷却装置 |
| DE102007063232B4 (de) * | 2007-12-31 | 2023-06-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Verfahren zum Polieren eines Substrats |
| US8380513B2 (en) * | 2009-05-19 | 2013-02-19 | International Business Machines Corporation | Improving speech capabilities of a multimodal application |
| JP5547472B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2014-07-16 | 株式会社荏原製作所 | 基板研磨装置、基板研磨方法、及び基板研磨装置の研磨パッド面温調装置 |
| JP2013042066A (ja) * | 2011-08-19 | 2013-02-28 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP6161999B2 (ja) * | 2013-08-27 | 2017-07-12 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および研磨装置 |
| US11731231B2 (en) | 2019-01-28 | 2023-08-22 | Micron Technology, Inc. | Polishing system, polishing pad, and related methods |
-
2001
- 2001-05-23 US US09/863,559 patent/US20020009953A1/en not_active Abandoned
- 2001-06-13 JP JP2001177942A patent/JP2002033299A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100835517B1 (ko) * | 2003-12-26 | 2008-06-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨엠피 장비의 플래튼 장치 |
| KR20180056187A (ko) * | 2016-11-18 | 2018-05-28 | 일진디스플레이(주) | 사파이어 웨이퍼 제조장치 |
| KR101876837B1 (ko) * | 2016-11-18 | 2018-08-09 | 일진디스플레이(주) | 사파이어 웨이퍼 제조장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020009953A1 (en) | 2002-01-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6682404B2 (en) | Method for controlling a temperature of a polishing pad used in planarizing substrates | |
| US7029368B2 (en) | Apparatus for controlling wafer temperature in chemical mechanical polishing | |
| US6896586B2 (en) | Method and apparatus for heating polishing pad | |
| US8439723B2 (en) | Chemical mechanical polisher with heater and method | |
| JP2002033299A (ja) | パッド領域の選択的に加熱によるｃｍｐ除去速度の均一性制御方法及び装置 | |
| US6436828B1 (en) | Chemical mechanical polishing using magnetic force | |
| US8292691B2 (en) | Use of pad conditioning in temperature controlled CMP | |
| US20010055940A1 (en) | Control of CMP removal rate uniformity by selective control of slurry temperature | |
| JP2010183037A (ja) | 半導体製造装置 | |
| US10821572B2 (en) | Method of controlling a temperature of a chemical mechanical polishing process, temperature control, and CMP apparatus including the temperature control | |
| JPH09234663A (ja) | ウエハ研磨方法及びその装置 | |
| US20030119427A1 (en) | Temprature compensated chemical mechanical polishing apparatus and method | |
| US7153188B1 (en) | Temperature control in a chemical mechanical polishing system | |
| JP3627182B2 (ja) | Ｃｍｐ装置、研磨パッド及び研磨方法 | |
| TWI709455B (zh) | 半導體製程方法 | |
| US6402597B1 (en) | Polishing apparatus and method | |
| KR101966809B1 (ko) | 기판 연마 장치 및 기판 연마 방법 | |
| US20020016136A1 (en) | Conditioner for polishing pads | |
| CN115122228A (zh) | 基板研磨系统及其方法 | |
| US6752698B1 (en) | Method and apparatus for conditioning fixed-abrasive polishing pads | |
| JP2003275948A (ja) | 半導体基板の研磨装置 | |
| JP3680343B2 (ja) | 化学的機械研磨装置及び半導体デバイスの製造方法 | |
| KR20090106886A (ko) | 화학기계적연마 장비 | |
| JP6765267B2 (ja) | 研磨ユニット | |
| JP2016119406A (ja) | 基板処理装置 |