JP3627182B2 - Cmp装置、研磨パッド及び研磨方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、CMP装置、研磨用パッド及び研磨方法に関する。更に具体的には、基板の温度を制御する機構を備えた研磨用パッド、CMP装置及びこれを用いた研磨方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
図6は、従来のCMP装置を示す概略図である。
図6に示すようなCMP(Chemical Mechanical Polishing、化学的機械的研磨)装置200においては、スラリー供給口6から、シリカ粒子を含んだ研磨液(スラリー)を流しながら、ポリシングプレート8によって回転する研磨パッド10に、ウェーハ4を擦りつけることにより、ウェーハ4の研磨を行う。
【0003】
このようなCMP装置200での、研磨特性について連続した安定性を確保するためには、研磨中のウェーハ4やウェーハ4と擦れ合う研磨パッド10の温度を一定に保つことが重要である。このため、従来から、ウェーハ4や、研磨パッド10の摩擦等による温度上昇を抑えるため、研磨パッド10を固定する定盤(図示せず)に、渦巻き状に冷却水を流し、研磨パッド10を下部から冷却する方法等が取られてきた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような冷却方法では、冷却水の流れる冷却管と、ウェーハ表面との間に、定盤等があるため、冷却管からの冷却熱が伝わりにくく、冷却効率が低下してしまう。また、冷却管からの熱が伝わるまでに時間がかかるため、ウェーハ表面の温度コントロールを行う上でも、応答が遅れてしまい、正確な温度コントロールが困難である。
【0005】
このように、従来の冷却水を用いた冷却方法では、ウェーハ表面の温度を均一に保つことが困難である。しかし、温度が不均一になれば、複数のウェーハ間あるいは1枚のウェーハ面内での研磨特性の均一性を確保することができなくなってしまう。
【0006】
従って、この発明は、以上説明したような研磨中の温度上昇の問題を解決し、温度変化を抑えて、ウェーハ表面を研磨することができるようにすることを目的として提案するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
この発明のCMP装置は、基板を把持する把持部と、
前記基板の表面を研磨するための研磨パッドと、
前記研磨パッドの下に配置され、ペルチェ素子を有する冷却部と、
前記基板の温度を検知するための温度検知部と、
前記温度検知部の結果に応じて、前記冷却部による冷却を制御する温度制御部と、を備えるものである。
【0008】
また、この発明のCMP装置は、前記温度検知部及び前記温度制御部が、熱によって膨張する導電ボールを含有するパッド母材を共有し、
前記温度制御部は、更に、電極を有し、
前記ペルチェ素子と前記電極とは、前記パッド母材を挟んで配置されるものである。
【0009】
また、この発明のCMP装置は、前記導電ボールが、金からなるものである。
【0010】
また、この発明のCMP装置は、前記導電ボールが、熱によって膨張する樹脂の球体を、導電性の材料でコーティングしたものである。
【0011】
次に、この発明の研磨パッドは、CMP装置内で、基板を研磨するために用いられる研磨パッドであって、
前記研磨パッドの下に配置され、ペルチェ素子を有する冷却部と、
前記基板の温度を検知するための温度検知部と、
前記温度検知部の結果に応じて、前記冷却部による冷却を制御する温度制御部と、
を備えるものである。
【0012】
また、この発明の研磨パッドは、前記温度検知部及び前記温度制御部が、熱によって膨張する導電ボールを含有するパッド母材を共有し、
前記温度制御部は、更に、電極を有し、
前記ペルチェ素子と、前記電極は、前記パッド母材を挟んで配置されるものである。
【0013】
また、この発明の研磨パッドは、前記導電ボールが、金からなるものである。
【0014】
また、この発明の研磨パッドは、前記導電ボールが、熱によって膨張する樹脂の球体を、導電性の材料でコーティングしたものである。
【0015】
次に、この発明の研磨方法は、回転する研磨パッドに基板を擦り合わせることにより研磨するCMP装置を用いた基板の研磨方法において、
前記CMP装置は、研磨パッドの下に、ペルチェ素子と、複数の導電球を含有するパッド母材と、電極とを備え、
前記基板の温度変化を、前記複数の導電ボールの膨張により検知する工程と、
前記導電ボールの膨張による接触面積の変化により、ペルチェ素子に流れる電流の量を制御して、ペルチェ素子に電流を流す工程と、
前記ペルチェ素子により、基板の温度を制御する工程とを備えるものである。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して、この発明の実施の形態について説明する。なお、各図において、同一または相当する部分には同一符号を付してその説明を省略ないし簡略化する。
【0017】
実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態1において用いるCMP装置を示す図である。また、図2は、このCMP装置に備えられた、冷却機構を示す図である。
【0018】
図1において、符号100は、CMP(Chemical Mechanical Polishing、化学的機械的研磨)装置を示す。
また、符号2は、ウェーハチャックを示し、符号4は、ウェーハを示す。ウェーハチャック2は、ウェーハ4を把持する把持部である。ウェーハ4は、この実施の形態において研磨される基板である。また、符号4Aは、ウェーハ4の被研磨面を示す。
【0019】
符号6は、スラリー供給口である。スラリー供給口6は、スラリーを供給するための供給口である。ここで、スラリーとは研磨パッドの表面に、シリカ粒子を含んだ研磨液である。
【0020】
符号8は、ポリシングプレートを示し、符号10は、研磨パッドを示す。研磨パッドは、発泡ウレタンによって形成されている。ポリシングプレート8は、研磨パッド10を回転するための回転プレートである。
【0021】
図2に示すように、ポリシングプレート8と、研磨パッド10との間には、冷却機構20が備えられている。
図2において、符号12は、恒温板を示す。恒温板12は、研磨パッド10の直下に配置されている。恒温板12は、蓄熱層の役割を果たす。従って、恒温板12によって、急激な温度変化により、温度の揺らぎの振幅が大きくなるのを避け、緩やかに温度を変化させることにより、均一な温度を保つようにしている。
【0022】
符号14は、ペルチェ素子を示す。ペルチェ素子14は、研磨パッド10及びウェーハ4を冷却するための冷却部であり、恒温板12の下に配置されている。
【0023】
符号16は、パッド母材である。また符合18は、導電ボールである。パッド母材16は、発泡ウレタンで形成されている。また、導電ボール18は、熱膨張率の高い樹脂に、Auをコーティングしたものである。導電ボール18は、パッド母材16中に、規則的に配列されている。また、導電ボール18を含むパッド母材16は、上部において、ペルチェ素子14と、恒温板12の双方に接するように配置されている。
【0024】
符号22は、プラス電極を、符号24は、アースを示す。プラス電極22及びアース24は、ともに、パッド母材16に含まれる導電ボール18に接するように配置されている。
【0025】
符号26は、パッドヒーターを示す。パッドヒーター26は、電極22、24の下に配置されている。ヒーター26は、ここでは、ウェーハの温度が低くなった場合に、ウェーハの温度を高くするために備えられている。
【0026】
なお、この実施の形態において、ペルチェ素子14を含んで冷却部が構成され、パッド母材16、電極22及び24を含んで、温度制御部が構成される。また、パッド母材16が同時に、温度検知部の役割を果たす。また、温度制御機構、温度検知部、冷却部を含んで、この実施の形態における冷却機構20が構成される。
【0027】
図3は、上述したような冷却機構20の、研磨パッド10下での配列の状態を示す概略図である。
図3に示すように、プラス電極22及びアース24は、研磨パッド10の下で、渦巻き状に配置されている。このように渦巻き状に配置されたプラス電極22及びアース24には、導電ボール18を含むパッド母材16を介して、ペルチェ素子14が接続されている。このようにして、研磨パッド10の下には、複数の冷却機構20が渦巻き状に配置されている。
【0028】
図4は、CMP装置100の研磨パッド10の下部に搭載された冷却機構20について説明するための図であり、図4(a)は、研磨パッド10の表面が比較的低温な場合の状態を示し、図4(b)は、研磨パッド10の表面が比較的高温な場合の状態を示す。
【0029】
パッド母材に規則的に配列された導電ボール18は、上述したように、熱膨張率の高い樹脂に、導電体であるAuをコーティングしたものである。導電ボール18は、図3(a)に示すように、研磨パッド10の温度が比較的低い場合には膨張せず、小さいままである。従って、導電ボール18同士の接触面積は小さく、プラス電極24から、ペルチェ素子14に流れる電流はわずかである。ここで、ペルチェ素子は、異種の導体あるいは半導体を接合させて構成されるものであり、電流が流れると、接合部分において熱の吸収を起こすものである。従って、図4(a)に示すように、導電ボール18の接触面積が小さく、流れる電流がわずかであれば、熱の吸収も小さいため、冷却効果も小さい。
【0030】
一方、図4(b)に示すように、研磨パッド10から伝わる温度が比較的高い場合には、導電ボール18は、熱膨張を起こし大きくなる。従って、導電ボール18同士の接触面積は大きくなる。その結果、プラス電極から、ペルチェ素子14に、大きな電流が流れる。この場合、ペルチェ素子14による、熱の吸収は大きいため、冷却効果も大きくなる。
【0031】
このように、本実施の形態における、冷却機構20は、研磨パッド10からの温度を熱膨張する導電ボール18により、自動的に検知し、これに応じて自動的に、流れる電流を制御することができ、ペルチェ素子14により、冷却をも制御できる。
【0032】
次に、このように構成された、CMP装置を用いた、CMP研磨方法について説明する。
【0033】
まず、研磨されるウェーハ4の研磨面4Aを、研磨パッド10に対向させるよにして、ウェーハ4をウェーハチャック2により把持する。
次に、ポリシングプレート8を回転させることにより、ポリシングプレート8上部に配置された研磨パッド10を回転させる。同時に、スラリー供給口6から、研磨液であるスラリーの供給を開始する。
次に、ウェーハチャック2を下方に下げて、ウェーハ4を研磨パッド10に押し当て、ウェーハ4の研磨面4Aの研磨を開始する。
【0034】
研磨中に、ウェーハ4と研磨パッド10の接触面において、摩擦熱などにより温度が上昇する。この熱は、恒熱板12を介して、パッド母材16に伝達される。パッド母材16に、この熱が伝わると、温度上昇分に応じて、パッド母材16内部の導電ボール18が膨張する。導電ボール18が膨張すると、導電ボール18同士の接触面積が大きくなり、パッド母材16内の導電ボール18を介して、ペルチェ素子14に流れる電流の量が多くなる。ペルチェ素子14では増加した電流の量に応じ、熱吸収が起こり、研磨パッド及びこれを介してウェーハ4が冷却される。
【0035】
以上説明したようにすれば、研磨中のウェーハ4の温度上昇を抑えることができる。従って、研磨中のウェーハ4の温度を均一に保つことができ、ウェーハ内、あるいはウェーハ間での研磨特性の安定した均一化を図ることができる。
【0036】
なお、この実施の形態では、熱膨張する導電ボール18を用いて、温度によって、導電ボール同士の接触面積を変えることにより、ペルチェ素子14に流れる電流を制御したが、このような温度検知あるいは温度制御に限るものではない。例えば、温度センサを配置し、これによって、電流の量を制御しながら、ペルチェ素子に電流を流し、温度を制御するもの等が考えられる。
【0037】
また、この実施の形態では、冷却機構20を、研磨パッド10の下に配置したが、これに限るものではなく、例えば冷却機構20をウェーハチャック2に備え、ウェーハ4の温度を直接検知して、ウェーハ4の下部から冷却するものであってもよい。
【0038】
また、ここでは、導電ボール18として、熱効率の高い樹脂の球体に、Auをコーティングしたものを用いたが、これに限るものではない。例えば、樹脂の球体をコーティングするものは、Auだけでなく、Cuなど、延性の高い、金属膜などが考えられる。更に、樹脂の球体をコーティングする物に限らず、例えば、熱によって膨張しやすい金のボールを導電ボール18として用いることも考えられる。
【0039】
また、この実施の形態では、冷却機構20を渦巻き状に複数配置した。このようにすれば、ウェーハ4の研磨面4A全体を細かく温度を制御することができるが、冷却機構20の配列は、このような渦巻き状に限るものではない。例えば、図5に示すように、直線状にプラス電極22及びアース24を配列し、これに冷却機構20を複数配列したものなど、他の配列であってもよい。
【0040】
また、この実施の形態では、電極22、24の下部に、パッドヒーター26を配置して、ウェーハ4を温めることもできるようにしている。しかし、加熱手段は、パッドヒーターに限るものではなく、他の手段により、温めるものであってもよい。また、このような加熱手段を特別に有しないものであってもよい。
また、例えば、ペルチェ素子14に逆に電流を流すと、放熱が起きる。これを利用して、流れる電流の向きを制御することにより、冷却機構を加熱手段として利用するものであっても良い。
【0041】
なお、この発明において、冷却部には、例えばこの実施の形態におけるペルチェ素子14が該当し、また、温度検知部には、導電ボール18を含むパッド母材16が該当する。また、温度制御部には、導電ボール18を有するパッド母材16と、電極22、24と、を含む部分が該当する。
【0042】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、温度検知部と、これに応じて、基板の温度を制御する温度制御部を備え、温度制御部は、冷却部であるペルチェ素子を用いて温度の制御を行う。従って、研磨中、基板の温度を効率よく一定に保つことができ、均一な研磨特性を確保することができる。
【0043】
また、この発明において、パッド母材に導電ボールを含むものを温度検知部、温度制御部に共有するものについては、温度の検知を導電ボールの膨張によって容易に感知し、更に、この膨張に応じて、流れる電流の量を制御することで、冷却を制御することができる。従って、より迅速に、確実に、研磨中の基板の温度変化に対応し、効率よく基板の冷却を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態1において用いるCMP装置を示す図である。
【図2】このCMP装置に備えられた、冷却機構を示す図である。
【図3】冷却機構の、研磨パッド下での配列の状態を示す概略図である。
【図4】冷却機構について説明するため概略図である。
【図5】冷却機構の、研磨パッド下での配列の状態を示す概略図である。
【図6】従来のCMP装置を示す概略図である。
【符号の説明】
100、200 CMP装置
2 ウェーハチャック
4 ウェーハ
6 スラリー供給口
8 ポリシングプレート
10 研磨パッド
12 恒温板
14 ペルチェ素子
16 パッド母材
18 導電ボール
20 冷却機構
22 プラス電極
24 アース
26 パッドヒーター
Claims (7)
- 基板を把持する把持部と、
前記基板の表面を研磨するための研磨パッドと、
前記研磨パッドの下に配置され、ペルチェ素子を有する冷却部と、
前記基板の温度を検知するための温度検知部と、
前記温度検知部の結果に応じて、前記冷却部による冷却を制御する温度制御部と、を備え、
前記温度検知部及び前記温度制御部は、熱によって膨張する導電ボールを含有するパッド母材を共有し、
前記温度制御部は、更に、電極を有し、
前記ペルチェ素子と前記電極とは、前記パッド母材を挟んで配置されることを特徴とするCMP装置。 - 前記導電ボールは、金からなることを特徴とする請求項1に記載のCMP装置。
- 前記導電ボールは、熱によって膨張する樹脂の球体を、導電性の材料でコーティングしたものであることを特徴とする請求項1に記載のCMP装置。
- CMP装置内で、基板を研磨するために用いられる研磨パッドであって、
前記研磨パッドの下に配置され、ペルチェ素子を有する冷却部と、
前記基板の温度を検知するための温度検知部と、
前記温度検知部の結果に応じて、前記冷却部による冷却を制御する温度制御部と、
を備え、
前記温度検知部及び前記温度制御部は、熱によって膨張する導電ボールを含有するパッド母材を共有し、
前記温度制御部は、更に、電極を有し、
前記ペルチェ素子と、前記電極は、前記パッド母材を挟んで配置されることを特徴とする研磨パッド。 - 前記導電ボールは、金からなることを特徴とする請求項4に記載の研磨パッド。
- 前記導電ボールは、熱によって膨張する樹脂の球体を、導電性の材料でコーティングしたものであることを特徴とする請求項4に記載の研磨パッド。
- 回転する研磨パッドに基板を擦り合わせることにより研磨するCMP装置を用いた基板の研磨方法において、
前記CMP装置は、研磨パッドの下に、ペルチェ素子と、複数の導電ボールを含有するパッド母材と、電極とを備え、
前記基板の温度変化を、前記複数の導電ボールの膨張により検知する工程と、
前記導電ボールの膨張による接触面積の変化により、ペルチェ素子に流れる電流の量を制御して、ペルチェ素子に電流を流す工程と、
前記ペルチェ素子により、基板の温度を制御する工程とを備えたことを特徴とする基板の研磨方法。
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