JP2002307297A - 研磨装置、研磨パッド、研磨方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 研摩パッドで発生した研摩熱を選択的に放出
し、基板の面内温度均一性を向上させる。研摩レートの
面内均一性を向上させる。 【解決手段】 冷却水用配管６は定盤５を冷却する。定
盤５上に配置された研摩パッド１は、ベース部材と、ベ
ース部材よりも高い熱膨張性および熱伝導性を有する金
属粒子１１とを含んでいる。研摩パッド１は、高温部分
の金属粒子１１が熱膨張して互いに接触するため、熱伝
導性が変動し得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
係り、特に研磨装置および研磨装置で用いられる研磨パ
ッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、研磨装置において、ロット間
での研磨レートの安定性が要求されている。しかし、連
続処理枚数が増加すると、研磨熱が研磨パッド内に蓄積
され、さらには被研磨対象たる基板の温度が上昇してし
まう。研磨レートは温度に比例するため、研磨パッドお
よび基板の温度上昇によって研磨レートが上昇してしま
う。従って、ロット間での研磨レートが変動してしまう
という問題があった。

【０００３】この問題を解決するため、従来の研磨装置
には冷却機構が設けられている。図４は、従来の研磨装
置について説明するための断面図である。図４におい
て、参照符号２はキャリアヘッド、３は基板、４はリテ
ーナーリング、５は定盤（プラテン）、６は冷却水用配
管、１０は研磨パッドを示している。図４に示すよう
に、定盤５の底面に冷却機構としての冷却水用配管６が
設けられており、定盤５はこの冷却水用配管６により冷
却される。また、定盤５の主面には研磨パッド１０が配
置されている。これにより、研磨パッド１０および基板
３で発生した研磨熱は、定盤５を介して放熱されてい
た。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の研磨装置において、研磨パッド１０はウレタン樹脂
製のものが用いられており、研磨パッド１０内に熱が蓄
積してしまう問題があった。このため、研磨パッド１０
および基板３で発生した研磨熱を効率良く放出すること
ができなかった。

【０００５】図５は、従来の研磨装置で研磨する際の基
板の面内温度分布を説明するための図である。図中の直
線Ａは研磨前の基板の面内温度分布を示し、点線Ｂは定
盤の冷却を行わずに研磨した際の基板の面内温度分布を
示し、破線Ｃは定盤の冷却を行いながら研磨した際の基
板の面内温度分布を示している。図５に示すように、従
来の冷却機構を用いて定盤５を冷却しながら研磨を行っ
た場合、図中の点線Ｂから破線Ｃまで基板の温度を相対
的に下げることはできても、特に温度上昇の大きい箇所
を部分的に冷却できないという問題があった。例えば、
温度が高い基板中心付近の研磨熱を効率良く放出するこ
とができなかった。このため、基板中心付近の研磨レー
トがエッジ付近の研磨レートよりも高くなり、研磨レー
トの面内均一性が悪くなるという問題があった。すなわ
ち、従来の冷却機構を用いた研磨では、研磨レートの面
内均一性はほとんど改善されなかった。

【０００６】よって、研磨レートが高い基板中心付近に
おいて、ディッシングやエロージョンのような問題が起
こる可能性が高かった。また、このディッシングやエロ
ージョンを避ける為に研磨時間を短縮すると、研磨レー
トが低い基板のエッジ付近で研磨残りが発生してしまう
問題があった。従って、このような研磨装置を用いて製
造された半導体装置の歩留まりが低下してしまう問題が
あった。

【０００７】本発明は、上記従来の課題を解決するため
になされたもので、研摩パッドで発生した研摩熱を選択
的に放出し、基板の面内温度均一性を向上させることを
目的とする。また、本発明は、研磨レートの面内均一性
を向上させることも目的とする。

【０００８】

【課題を解決する為の手段】請求項１の発明に係る研磨
装置は、基板を研磨する研磨装置であって、定盤と、前
記定盤を冷却する冷却機構と、前記定盤の主面上に配置
され、熱伝導性が変動し得る研磨パッドと、前記研磨パ
ッドの主面に前記基板を押し付けるキャリアヘッドと、
を備えることを特徴とするものである。

【０００９】請求項２の発明に係る研磨装置は、請求項
１に記載の研磨装置において、前記研磨パッドは、ベー
ス部材と、前記ベース部材よりも高い熱膨張性および熱
伝導性を有する物質とを含むことを特徴とするものであ
る。

【００１０】請求項３の発明に係る研磨装置は、請求項
２に記載の研磨装置において、前記物質は、金属粒子で
あることを特徴とするものである。

【００１１】請求項４の発明に係る研磨装置は、請求項
１に記載の研磨装置において、前記研磨パッドは、ベー
ス部材と、前記ベース部材よりも高い熱伝導性を有する
熱伝導性物質と、前記ベース部材よりも高い熱膨張性を
有する熱膨張性物質とを含むことを特徴とするものであ
る。

【００１２】請求項５の発明に係る研磨装置は、請求項
４に記載の研磨装置において、前記熱伝導性物質は、ダ
イヤモンド又はグラファイトの何れか一方又はその両方
であり、前記熱膨張性物質はポリマー又は金属粒子の何
れか一方又はその両方であることを特徴とするものであ
る。

【００１３】請求項６の発明に係る研磨装置は、請求項
１に記載の研磨装置において、前記研磨パッドは、ベー
ス部材と、前記ベース部材よりも高い熱伝導性を有する
熱伝導性物質と、所定の温度で相転移する相転移物質と
を含むことを特徴とするものである。

【００１４】請求項７の発明に係る研磨装置は、請求項
６に記載の研磨装置において、前記熱伝導性物質はダイ
ヤモンド又はグラファイトの何れか一方又はその両方で
あり、前記相転移物質はＰＺＴ、ＰＬＺＴ、易融合金の
何れか一つ又はその組合せであることを特徴とするもの
である。

【００１５】請求項８の発明に係る研磨パッドは、研磨
装置に用いられる研磨パッドであって、熱伝導性が変動
し得ることを特徴とするものである。

【００１６】請求項９の発明に係る研磨パッドは、請求
項８に記載の研磨パッドにおいて、ベース部材と、前記
ベース部材よりも高い熱膨張性および熱伝導性を有する
物質とを含むことを特徴とするものである。

【００１７】請求項１０の発明に係る研磨パッドは、請
求項９に記載の研磨パッドにおいて、前記物質は、金属
粒子であることを特徴とするものである。

【００１８】請求項１１の発明に係る研磨パッドは、請
求項８に記載の研磨パッドにおいて、ベース部材と、前
記ベース部材よりも高い熱伝導性を有する熱伝導性物質
と、前記ベース部材よりも高い熱膨張性を有する熱膨張
性物質とを含むことを特徴とするものである。

【００１９】請求項１２の発明に係る研磨パッドは、請
求項１１に記載の研磨パッドにおいて、ダイヤモンド又
はグラファイトの何れか一方又はその両方であり、前記
熱膨張性物質はポリマー又は金属粒子の何れか一方又は
その両方であることを特徴とするものである。

【００２０】請求項１３の発明に係る研磨パッドは、請
求項８に記載の研磨パッドにおいて、ベース部材と、前
記ベース部材よりも高い熱伝導性を有する熱伝導性物質
と、所定の温度で相転移する相転移物質とを含むことを
特徴とするものである。

【００２１】請求項１４の発明に係る研磨パッドは、請
求項１３に記載の研磨パッドにおいて、前記熱伝導性物
質はダイヤモンド又はグラファイトの何れか一方又はそ
の両方であり、前記相転移物質はＰＺＴ、ＰＬＺＴ、易
融合金の何れか一つ又はその組合せであることを特徴と
するものである。

【００２２】請求項１５の発明に係る研磨方法は、請求
項１から７何れかに記載の研磨装置を用いて基板を研磨
することを特徴とするものである。

【００２３】請求項１６の発明に係る半導体装置の製造
方法は、請求項１から７何れかに記載の研磨装置を用い
て基板を研磨する工程を含むことを特徴とするものであ
る。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図中、同一または相当する
部分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省
略することがある。

【００２５】実施の形態１．図１は、本発明の実施の形
態１による研磨装置を説明するための断面図である。図
１において、参照符号１は研磨パッド、２はキャリアヘ
ッド、３は基板、４はリテーナーリング、５は定盤、６
は冷却水用配管、１１は研摩パッド１のベース部材より
も高い熱膨張性および熱伝導性を有する物質（以下、
「熱伝導性物質」と称する）を示している。

【００２６】研磨パッド１は、定盤５の主面上に配置さ
れるものであり、例えばウレタン樹脂からなるベース部
材と、熱伝導性物質１１と含んでいる。ここで、熱伝導
性物質１１は、例えば銅、スズ、鉛等の金属あるいはそ
の合金からなる金属粒子である。なお、研摩パッド１
は、複数の種類の熱伝導性物質１１を含んでいてもよ
い。詳細は後述するが、研摩熱により研摩パッド１が高
温になると、その高温部分の熱伝導性物質１１が熱膨張
して近くの熱伝導性物質１１と接触する。これにより、
熱膨張した熱伝導性物質１１が複数連なってなる熱伝導
パスが、研摩パッド１内に自己整合的に形成される。ま
た、研摩パッド１の低温部分では熱伝導性物質１１の熱
膨張が起こらないため、熱伝導パスは形成されない。従
って、研摩パッド１は、熱伝導性が部分的に変化し得
る。

【００２７】キャリアヘッド２は、基板３を研磨パッド
１の主面に所定の圧力で押し付けるためのものである。

【００２８】基板３は、被研磨対象である絶縁膜や金属
膜（図示省略）が形成された基板である。基板３は、例
えばシリコン基板のような半導体基板、又は例えばセラ
ミックス基板や石英基板のような絶縁基板である。

【００２９】リテーナーリング４は、基板３の水平方向
への飛び出しを防止するとともに、研磨パッド１を押圧
するためのものである。

【００３０】定盤５は、その主面上に研磨パッド１を配
置するためのものであり、基板３の研磨時には所定の速
度で回転する。また、定盤５は、その底面に設けられた
冷却水用配管６によって冷却される。すなわち、定盤５
は、研磨パッド１の冷却源としての機能を有する。

【００３１】冷却水用配管６は、定盤５の底面に設けら
れ、定盤５を冷却する冷却機構である。図示しないが、
冷却水用配管６の内部には、付帯設備から供給される冷
却水、又は熱交換器から供給される冷媒（クーラント）
が循環している。

【００３２】以上説明した研摩装置を要約すると、冷却
水用配管６は定盤５を冷却し、キャリアヘッド２は、定
盤５上の研摩パッド１の主面に基板３を押し付ける。ま
た、研摩パッド１は、ベース部材と、このベース部材よ
りも高い熱伝導性および熱膨張性を有する熱伝導性物質
１１を含んでおり、熱伝導性が部分的に変動する。この
研摩装置によれば、研摩パッド１が部分的に高温になる
と、その高温部分の熱伝導性物質１１が熱膨張し、近く
の熱伝導性物質１１と接触する（詳細は後述）。これに
より、研摩パッド１内に熱伝導パスが形成される。一
方、研摩パッド１の温度上昇が少ない部分は、熱導電物
質１１が膨張しないため、熱伝導パスが形成されない
（詳細は後述；図２参照）。従って、高温部分の研摩パ
ッド１および基板３の熱が、定盤５に選択的に放出され
る。すなわち、基板３の面内温度分布を均一にすること
ができる。よって、研摩レートの高い面内均一性を実現
可能な研摩装置を提供することができる。また、本実施
の形態１による研摩パッド１は、従来のウレタン樹脂の
みからなる研摩パッドよりも遥かに熱放出性に優れてい
る。なお、基板３と接する研摩パッド１の主面（表面）
の面内温度分布も均一となることは勿論である。

【００３３】次に、上述の研摩装置を用いた研摩方法に
ついて説明する。先ず、冷却水用配管６に冷却水（又は
冷媒）を循環させることにより（図示省略）、冷却源と
しての定盤５を冷却する。そして、被研磨対象としての
絶縁膜又は金属膜が形成された基板３を研摩パッド１上
に配置する。次に、基板３を研摩パッド１の主面にキャ
リアヘッド２によって押し付けながら、基板３の研摩を
行う。

【００３４】ここで、研摩中に研摩パッド１および基板
３で発生した熱（研摩熱）は、図２で説明する方法によ
って選択的に放出される。

【００３５】図２は、実施の形態１による研磨装置にお
いて、研磨パッドで発生した研磨熱の選択的な放出を説
明するための断面図である。詳細には、図２（ａ）は、
研摩パッド１の高温部分での研摩熱の放出を示す図であ
る。また、図２（ｂ）は、研摩パッド１の低温部分での
研摩熱の放出を示す図である。

【００３６】図２（ａ）に示すように、基板３の研磨中
に研摩パッド１が高温になると、その高温部分の熱伝導
性物質１１が熱膨張して隣接する熱伝導性物質１１と接
触する。すなわち、基板３と定盤５との間に介在する研
摩パッド１において、熱膨張した熱伝導性物質１１が連
なってなる熱伝導パス（熱伝導路）が自己整合的に形成
される。このため、研摩パッド１および基板３で発生し
た研摩熱が、上記熱伝導パスによって定盤５に放出され
る。

【００３７】一方、図２（ｂ）に示すように、温度上昇
が少ない研摩パッド１の低温部分においては、熱伝導性
物質１１の熱膨張が起こらない。すなわち、熱伝導性物
質１１の相互接触が起こらない。従って、研摩パッド１
内に熱伝導パスが形成されず、定盤５との熱交換はほと
んど行われない。

【００３８】以上説明したように、本実施の形態１にお
ける研摩方法では、研摩パッド１の高温部分（図２
（ａ）参照）において効果的に熱放出（熱交換）が行わ
れるのに対して、研摩パッド１の低温部分では熱放出
（熱交換）がほとんど行われない。すなわち、研摩パッ
ド１および基板３の高温部分のみが、選択的に冷却され
る。従って、基板３の面内温度分布を均一にすることが
できるため、研摩レートの高い面内均一性が得られる。
これにより、ディッシングや研摩残りの発生を防止する
ことができる。また、本実施の形態１の研摩装置又は研
摩方法を用いて製造した半導体装置の歩留まりおよび信
頼性を向上させることができる。

【００３９】実施の形態２．本実施の形態２による研磨
装置と、前述した実施の形態１による研磨装置とは概略
同一の構成を有しており、両者の相違点は研磨パッド１
である。すなわち、研摩パッド以外の研摩装置の構造
は、図１に示した研摩装置の構造と同一であるため図示
を省略する。

【００４０】図３は、実施の形態２による研磨装置にお
いて、研磨パッドで発生した研磨熱の部分的な放出を説
明するための断面図である。図３において、参照符号１
２は研摩パッド１のベース部材（例えば、ウレタン樹
脂）よりも高い熱伝導性を有する物質（以下、「熱伝導
性物質」と称する）、１３は上記ベース部材よりも高い
熱膨張性を有する物質（以下、「熱膨張性物質」と称す
る）を示している。

【００４１】本実施の形態２による研摩装置において、
研摩パッド１は、熱伝導性物質１２と熱膨張物質１３を
含んでいる。ここで、熱伝導性物質１２の具体例として
は、ダイヤモンドや、ダイヤモンド構造を有するグラフ
ァイト（「ダイヤモンドライクカーボン」と称する場合
もある）等が挙げられる。また、熱膨張性物質１３の具
体例としては、ポリマーや、金属粒子等が挙げられる。
ここで、ポリマーは、ゴム、ポリイミド、ウレタン樹脂
等である。このウレタン樹脂は、研摩パッド１の材料で
あるウレタン樹脂よりも高い熱膨張性を有するものとす
る。また、熱膨張性物質１３の選択の条件として、熱伝
導性の高低は考慮しなくてよい。なお、熱伝導性物質１
２および熱膨張性物質１３は、それぞれ１種類に限られ
ず、研摩パッド１内に２種類以上含まれていてもよい。

【００４２】詳細は後述するが、研摩熱により研摩パッ
ド１が高温になると、その高温部分の熱膨張性物質１３
が熱膨張する。そして、熱膨張した熱膨張性物質１３
は、近くの熱伝導性物質１２を押しのける。この押しの
けられた熱伝導性物質１２は、別の押しのけられた熱伝
導性物質１２と接触する。これにより、熱伝導性物質１
２が複数連なってなる熱伝導性パスが、研摩パッド１内
に自己整合的に形成される。従って、研摩パッド１は、
熱伝導性が部分的に変化し得る。

【００４３】次に、上述の研摩装置を用いた研摩方法に
ついて説明する。本実施の形態２による研摩方法と前述
の実施の形態１で説明した研摩方法との相違点は、研摩
中の研摩パッド１の冷却方法、詳細には、研摩熱の放出
方法にある。そこで、研摩熱の放出について、図３を参
照して説明する。図３（ａ）は、研摩パッド１の高温部
分での研摩熱の放出を示す図である。また、図３（ｂ）
は、研摩パッド１の研磨熱が発生していない部分（低温
部）を示す図である。

【００４４】図３（ａ）に示すように、基板３の研摩中
に研摩パッド１が高温になると、その高温部分の熱膨張
性物質１３が熱膨張して、その熱膨張性物質１３の周辺
にある熱伝導性物質１２を押しのける。そして、押しの
けられた熱伝導性物質１２は、他の熱伝導性物質１２と
接触する。すなわち、熱膨張性物質１３の熱膨張によ
り、熱伝導性物質１２が相互接触して、研摩パッド１内
に熱伝導パスが自己整合的に形成される。なお、研摩パ
ッド１内で、熱伝導性物質１２は必ずしも接触する必要
はなく、通常の状態よりも密度がある程度高くなれば、
熱伝導パスが形成された場合と同様の効果が得られる。
一方、図３（ｂ）に示すように、温度上昇が少ない研摩
パッド１の低温部分においては、熱膨張性物質１３の熱
膨張が起こらない。すなわち、熱膨張性物質１３の熱膨
張により熱伝導性物質１２の移動並びに相互接触が起こ
らない。従って、研摩パッド１内に熱伝導パスが形成さ
れず、定盤５との熱交換はほとんど行われない。

【００４５】以上説明したように、本実施の形態２で
は、研摩パッド１内に熱伝導性物質１２と熱膨張性物質
１３を含有させた。そして、研摩パッド１が部分的に高
温になると、その高温部分（図３（ａ）参照）の熱膨張
性物質１３が熱膨張し、周囲の熱伝導性物質１２を押し
のける。押しのけられて移動した熱伝導性物質１２は、
他の熱伝導性物質１２と接触して、研摩パッド１内に熱
伝導パスが自己整合的に形成される。これに対して、研
摩パッド１の低温部分では熱膨張性物質１３の熱膨張が
起こらないため、熱伝導パスが形成されない。従って、
研摩パッド１および基板３の高温部分のみが、選択的に
冷却される。これにより、基板３の面内温度分布を均一
にすることができるため、研摩レートの高い面内均一性
が得られる。よって、ディッシングや研摩残りの発生を
防止することができる。また、本実施の形態２の研摩装
置又は研摩方法を用いて製造した半導体装置の歩留まり
および信頼性を向上させることができる。

【００４６】なお、本実施の形態２においては、研磨パ
ッド１に熱膨張性物質１３を含有させているが、この熱
膨張性物質１３の代わりに、研摩パッド１で発生する研
摩熱により相転移して体積が増加する物質（以下、「相
転移物質」と称する）を研磨パッド１に含有させてもい
い。また、相転移物質の具体例としては、ＰＺＴ（ジル
コン酸チタン酸鉛）、ＰＬＺＴ（ジルコン酸チタン酸鉛
ランタン）、易融合金等が挙げられる。ここで、易融合
金は、ビスマス、スズ、カドミウム、鉛からなる合金で
あり、例えばウッドメタルが代表的である。また、銅、
マグネシウム、マンガンのうちの少なくとも１つと、ア
ルミニウムとの合金であるアルミニウム合金も、上記相
転移物質として用いることができる。このように、相転
移物質を用いた場合も、上記熱膨張性物質１３を用いた
場合と同様の効果が得られる。また、研摩パッド１内
に、相転移物質と熱膨張性物資１３とを共に含有させて
もよい。

【００４７】

【発明の効果】本発明によれば、研摩パッドで発生した
研摩熱を選択的に放出することができるため、基板の面
内温度均一性を向上させることができる。従って、研摩
レートの面内均一性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態１による研磨装置を説明
するための断面図である。

【図２】 実施の形態１による研磨装置において、研磨
パッドで発生した研磨熱の部分的な放出を説明するため
の断面図である。

【図３】 実施の形態２による研磨装置において、研磨
パッドで発生した研磨熱の部分的な放出を説明するため
の断面図である。

【図４】 従来の研磨装置を説明するための断面図であ
る。

【図５】 従来の研磨装置で研磨する際の基板の面内温
度分布を説明するための図である。

【符号の説明】

１ 研磨パッド、 ２ キャリアヘッド、 ３ 基板、
４ リテーナーリング、 ５ 定盤、 ６ 冷却機構
（冷却水用配管）、 １１ 熱伝導性物質、１２ 熱伝
導性物質、 １３ 熱膨張性物質。

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を研磨する研磨装置であって、 定盤と、 前記定盤を冷却する冷却機構と、 前記定盤の主面上に配置され、熱伝導性が変動し得る研
   磨パッドと、 前記研磨パッドの主面に前記基板を押し付けるキャリア
   ヘッドと、 を備えることを特徴とする研磨装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の研磨装置において、 前記研磨パッドは、ベース部材と、前記ベース部材より
   も高い熱膨張性および熱伝導性を有する物質とを含むこ
   とを特徴とする研磨装置。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の研磨装置において、 前記物質は、金属粒子であることを特徴とする研磨装
   置。
4. 【請求項４】 請求項１に記載の研磨装置において、 前記研磨パッドは、ベース部材と、前記ベース部材より
   も高い熱伝導性を有する熱伝導性物質と、前記ベース部
   材よりも高い熱膨張性を有する熱膨張性物質とを含むこ
   とを特徴とする研磨装置。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の研磨装置において、 前記熱伝導性物質は、ダイヤモンド又はグラファイトの
   何れか一方又はその両方であり、前記熱膨張性物質はポ
   リマー又は金属粒子の何れか一方又はその両方であるこ
   とを特徴とする研磨装置。
6. 【請求項６】 請求項１に記載の研磨装置において、 前記研磨パッドは、ベース部材と、前記ベース部材より
   も高い熱伝導性を有する熱伝導性物質と、所定の温度で
   相転移する相転移物質とを含むことを特徴とする研磨装
   置。
7. 【請求項７】 請求項６に記載の研磨装置において、 前記熱伝導性物質はダイヤモンド又はグラファイトの何
   れか一方又はその両方であり、前記相転移物質はＰＺ
   Ｔ、ＰＬＺＴ、易融合金の何れか一つ又はその組合せで
   あることを特徴とする研磨装置。
8. 【請求項８】 研磨装置に用いられる研磨パッドであっ
   て、 熱伝導性が変動し得ることを特徴とする研磨パッド。
9. 【請求項９】 ベース部材と、前記ベース部材よりも高
   い熱膨張性および熱伝導性を有する物質とを含むことを
   特徴とする請求項８に記載の研磨パッド。
10. 【請求項１０】 請求項９に記載の研磨パッドにおい
    て、 前記物質は、金属粒子であることを特徴とする研磨パッ
    ド。
11. 【請求項１１】 ベース部材と、前記ベース部材よりも
    高い熱伝導性を有する熱伝導性物質と、前記ベース部材
    よりも高い熱膨張性を有する熱膨張性物質とを含むこと
    を特徴とする請求項８に記載の研磨パッド。
12. 【請求項１２】 請求項１１に記載の研磨パッドにおい
    て、ダイヤモンド又はグラファイトの何れか一方又はそ
    の両方であり、前記熱膨張性物質はポリマー又は金属粒
    子の何れか一方又はその両方であることを特徴とする研
    磨パッド。
13. 【請求項１３】 ベース部材と、前記ベース部材よりも
    高い熱伝導性を有する熱伝導性物質と、所定の温度で相
    転移する相転移物質とを含むことを特徴とする請求項８
    に記載の研磨パッド。
14. 【請求項１４】 請求項１３に記載の研磨パッドにおい
    て、 前記熱伝導性物質はダイヤモンド又はグラファイトの何
    れか一方又はその両方であり、前記相転移物質はＰＺ
    Ｔ、ＰＬＺＴ、易融合金の何れか一つ又はその組合せで
    あることを特徴とする研磨パッド。
15. 【請求項１５】 請求項１から７何れかに記載の研磨装
    置を用いて基板を研磨することを特徴とする研磨方法。
16. 【請求項１６】 請求項１から７何れかに記載の研磨装
    置を用いて基板を研磨する工程を含むことを特徴とする
    半導体装置の製造方法。