JP2011136406A5 - - Google Patents
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上記の課題を解決するために、本発明は、上面に研磨パッドが貼付された研磨テーブルと、基板を保持する基板保持手段とを備え、回転する研磨テーブルの研磨パッド面上に回転する基板保持手段で保持する基板を押圧接触させ、該基板を研磨する基板研磨装置の研磨パッド面上に接触し該研磨パッド面の温度を調整する基板研磨装置の研磨パッド面温調装置であって、前記研磨パッド面上に接触する研磨パッド接触面を有する固体を具備し、該固体は前記研磨パッドに接触する側を熱伝導性、耐磨耗性、及び耐食性に優れた材料で構成し、前記研磨パッドに接触する側の反対側を線膨張係数が前記研磨パッドに接触する側の材料の線膨張係数に近く、且つ断熱性の優れた材料からなるカバーで覆った構成であり、前記研磨パッド接触面を介して前記固体内を流れる熱交換媒体である流体との間で熱交換を行うように構成されていることを特徴とする基板研磨装置の研磨パッド面温調装置にある。
また、本発明は上記基板研磨装置の研磨パッド面温調装置において、前記固体の前記研磨パッドに接触する側をSiC製或いはアルミナ製としたことを特徴とする。
また、本発明は上記基板研磨装置の研磨パッド面温調装置において、前記固体の前記研磨パッドに接触する面は面粗さを小さくする鏡面仕上げ或いはCVDコーティング処理としていることを特徴とする。
また、本発明は上記基板研磨装置の研磨パッド面温調装置において、前記固体は前記研磨パッド面上に半径方向に配置され自重で接するようになっており、該研磨パッド面の円周方向と半径方向の振れ、及び該研磨パッドの磨耗による厚みの変化に追従する追従機構を具備する構成であることを特徴とする。
また、本発明は上記基板研磨装置の研磨パッド面温調装置において、前記固体は前記研磨パッドの交換に支障とならないように該研磨パッドの外周部で、垂直方向に跳ね上げ可能な跳ね上げ機構を介して支持部に支持されていることを特徴とする。
また、本発明は上記基板研磨装置の研磨パッド面温調装置において、前記固体は前記研磨パッドの交換に支障とならないように該研磨パッドの外周部で、垂直方向に跳ね上げ可能な跳ね上げ機構を介して支持部に支持されていることを特徴とする。
また、本発明は上記基板研磨装置の研磨パッド面温調装置において、前記固体には、前記研磨パッドの中心側と外周側の端部に熱交換媒体である流体を給・排出する流体給・排出口を設けたことを特徴とする。
また、本発明は上記基板研磨装置の研磨パッド面温調装置において、前記研磨パッド面を冷却するときは、前記固体の研磨パッドの中心側の流体給・排出口から前記流体を供給し、前記研磨パッドの外周側の流体給・排出口から排出することを特徴とする。
また、本発明は上記基板研磨装置の研磨パッド面温調装置において、前記研磨パッド面を加熱するときは、前記固体の研磨パッドの外周側の流体給・排出口から温流体を供給し、研磨パッドの中心側の流体給・排出口から排出することを特徴とする。
また、本発明は上記基板研磨装置の研磨パッド面温調装置において、前記流体給・排出口は前記固体の研磨パッドの中心側の端部に1個、研磨パッドの外周側の端部に2個以上設けたことを特徴とする。
また、本発明は上記基板研磨装置の研磨パッド面温調装置において、前記流体給・排出口は前記固体の研磨パッドの中心側の端部に1個、研磨パッドの外周側の端部に2個以上設けたことを特徴とする。
また、本発明は上記基板研磨装置の研磨パッド面温調装置において、前記固体の平面形状は前記研磨パッドの中心側に接する端部が狭く外周側に接する端部が広い台形状であることを特徴とする。
また、本発明は上記基板研磨装置の研磨パッド面温調装置において、前記流体は、液体又は気体であることを特徴とする。
また、本発明は上記基板研磨装置の研磨パッド面温調装置において、前記固体に流れる流体は比例制御3方弁を経由して流れ、該比例制御3方弁には温流体と冷流体が供給され、各々の流体流量が制御・混合され、温調された流体として前記固体内流路に供給されることを特徴とする。
また、本発明は上面に研磨パッドが貼付された研磨テーブルと、基板を保持する基板保持手段とを備え、回転する研磨テーブルの研磨パッド面上に回転する前記基板保持手段で保持する基板を押圧接触させ、該基板を研磨する研磨装置において、前記研磨パッド面上の温度を検出する研磨パッド温度検出手段と、前記研磨パッド面上に接触し該研磨パッド面上の温度を調整するパッド温調手段と、前記研磨パッド温度検出手段で検出したパッド温度情報に基づいて前記パッド温調手段を制御して前記研磨パッド面上の温度を制御する温度コントローラを備え、前記温度コントローラは複数種のPIDパラメータから所定のルールに基づき所定のPIDパラメータを選択し、前記パッド温度情報に基づいて前記選択したPIDパラメータを用いて前記研磨パッド面上の温度を制御することを特徴とする基板研磨装置にある。
また、本発明は上記基板研磨装置において、前記温度コントローラは、研磨プロセス又は研磨中の前記基板に形成された膜種に応じて前記複数種のPIDパラメータから所定のPIDパラメータを選択し、前記パッド温度情報に基づいて前記選択したPIDパラメータを用いて前記パッド温調手段を制御し、前記研磨パッド面上の温度を制御することを特徴とする。
また、本発明は上記基板研磨装置において、前記温度コントローラは、前記研磨パッド面上の冷却用と加熱用で前記複数種のPIDパラメータを持ち、該複数種のPIDパラメータから所定のPIDパラメータを選択することを特徴とする。
また、本発明は上記基板研磨装置において、前記PIDパラメータは、予めレシピに登録しておき、該レシピにより選択可能であることを特徴とする。
また、本発明は上記基板研磨装置において、前記パッド温調手段は、前記研磨パッド面の半径方向に接触する研磨パッド接触面を有する固体を具備し、該固体内を流れる熱交換媒体である流体の間で前記研磨パッド接触面を介して熱交換を行うように構成されていることを特徴とする。
また、本発明は上記基板研磨装置において、前記基板保持手段は基板を保持する基板保持部を支持するヘッド部を備え、該ヘッド部に前記研磨パッド面に温風を吹き付ける温風ヒータを設けたことを特徴とする。
また、本発明は上記基板研磨装置において、前記研磨パッド面に冷風を吹き付ける冷風吹付手段をけたことを特徴とする。
また、本発明は上記基板研磨装置において、前記基板保持手段が保持する前記基板を加熱する基板加熱手段を設けたことを特徴とする。
また、本発明は上記基板研磨装置において、前記基板加熱手段は温水を吹き付ける温水吹付手段であることを特徴とする。
また、本発明は上記基板研磨装置において、前記基板保持手段を複数備え、それぞれ基板保持手段に対応して前記研磨パッド温度検出手段、前記パッド温調手段、前記温度コントローラを備えたことを特徴とする。
また、本発明は回転する研磨テーブルの研磨パッド面上に回転する基板保持手段で保持する基板を押圧接触させて該基板を研磨する基板研磨方法において、温度コントローラにより複数種のPIDパラメータから所定のルールに基づき所定のPIDパラメータを選択し、該選択したPIDパラメータを用いて前記研磨パッド面上の温度情報に基づいて前記研磨パッド面上に接触し該研磨パッド面上の温度を調整するパッド温調手段を制御して前記研磨パッド面上の温度を制御しながら前記基板を研磨することを特徴とする基板研磨方法にある。
また、パッド温調手段26の固体33の研磨パッド接触部材33−1の研磨パッド11への接触面は面粗さを小さくするためラップ加工処理等を施して鏡面とする。研磨パッド接触部材33−1の研磨パッド11への接触面を研削加工で処理した場合、接触面から微小な素材が脱落する場合があり、場合によっては研磨中の基板の研磨面に傷を付けることもある。上記のように研磨パッド11への接触面をラップ加工処理等で鏡面とすることにより、パッド温調手段26の固体33が研磨パッド11の上面に滑らかに接触することになり、且つ加工により生じるクラックを含んだ破砕層も浅くなるため、素材の脱落が減少し、研磨中の基板の研磨面に傷を与えることも低減する。また、ラップ加工等以外にも同じ効果を得るために、接触面にダイヤモンド、DLC或いはSiCなどのCVDコート処理も有効である。
Claims (23)
- 上面に研磨パッドが貼付された研磨テーブルと、基板を保持する基板保持手段とを備え、回転する研磨テーブルの研磨パッド面上に回転する前記基板保持手段で保持する基板を押圧接触させ、該基板を研磨する基板研磨装置の前記研磨パッド面上に接触し該研磨パッド面の温度を調整する基板研磨装置の研磨パッド面温調装置であって、
前記研磨パッド面上に接触する研磨パッド接触面を有する固体を具備し、該固体は前記研磨パッドに接触する側を熱伝導性、耐磨耗性、及び耐食性に優れた材料で構成し、前記研磨パッドに接触する側の反対側を線膨張係数が前記研磨パッドに接触する側の材料の線膨張係数に近く、且つ断熱性の優れた材料からなるカバーで覆った構成であり、
前記研磨パッド接触面を介して前記固体内を流れる熱交換媒体である流体との間で熱交換を行うように構成されていることを特徴とする基板研磨装置の研磨パッド面温調装置。 - 請求項1に記載の基板研磨装置の研磨パッド面温調装置において、
前記固体の前記研磨パッドに接触する側をSiC製或いはアルミナ製としたことを特徴とする研磨パッド面温調装置。 - 請求項1又は2に記載の基板研磨装置の研磨パッド面温調装置において、
前記固体の前記研磨パッドに接触する面は面粗さを小さくする鏡面仕上げ或いはCVDコーティング処理としていることを特徴とする基板研磨装置の研磨パッド面温調装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板研磨装置の研磨パッド面温調装置において、
前記固体は前記研磨パッド面上に半径方向に配置され自重で接するようになっており、該研磨パッド面の円周方向と半径方向の振れ、及び該研磨パッドの磨耗による厚みの変化に追従する追従機構を具備する構成であることを特徴とする基板研磨装置の研磨パッド面温調装置。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板研磨装置の研磨パッド面温調装置において、
前記固体は前記研磨パッドの交換に支障とならないように該研磨パッドの外周部で、垂直方向に跳ね上げ可能な跳ね上げ機構を介して支持部に支持されていることを特徴とする基板研磨装置の研磨パッド面温調装置。 - 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の基板研磨装置の研磨パッド面温調装置において、
前記固体には、前記研磨パッドの中心側と外周側の端部に熱交換媒体である流体を給・排出する流体給・排出口を設けたことを特徴とする基板研磨装置の研磨パッド面温調装置。 - 請求項6に記載の基板研磨装置の研磨パッド面温調装置において、
前記研磨パッド面を冷却するときは、前記固体の研磨パッドの中心側の流体給・排出口から前記流体を供給し、前記研磨パッドの外周側の流体給・排出口から排出することを特徴とする基板研磨装置の研磨パッド面温調装置。 - 請求項6に記載の基板研磨装置の研磨パッド面温調装置において、
前記研磨パッド面を加熱するときは、前記固体の研磨パッドの外周側の流体給・排出口から温流体を供給し、研磨パッドの中心側の流体給・排出口から排出することを特徴とする基板研磨装置の研磨パッド面温調装置。 - 請求項6に記載の基板研磨装置の研磨パッド面温調装置において、
前記流体給・排出口は前記固体の研磨パッドの中心側の端部に1個、研磨パッドの外周側の端部に2個以上設けたことを特徴とする基板研磨装置の研磨パッド面温調装置。 - 請求項1乃至9のいずれか1項に記載の基板研磨装置の研磨パッド面温調装置において、
前記固体の平面形状は前記研磨パッドの中心側に接する端部が狭く外周側に接する端部が広い台形状であることを特徴とする基板研磨装置の研磨パッド面温調装置。 - 請求項1乃至10のいずれか1項に記載の基板研磨装置の研磨パッド面温調装置において、
前記流体は、液体又は気体であることを特徴とする基板研磨装置の研磨パッド面温調装置。 - 請求項1乃至11のいずれか1項に記載の基板研磨装置の研磨パッド面温調装置において、
前記固体に流れる流体は比例制御3方弁を経由して流れ、該比例制御3方弁には温流体と冷流体が供給され、各々の流体流量が制御・混合され、温調された流体として前記固体内流路に供給されることを特徴とする基板研磨装置の研磨パッド面温調装置。 - 上面に研磨パッドが貼付された研磨テーブルと、基板を保持する基板保持手段とを備え、回転する研磨テーブルの研磨パッド面上に回転する前記基板保持手段で保持する基板を押圧接触させ、該基板を研磨する研磨装置において、
前記研磨パッド面上の温度を検出する研磨パッド温度検出手段と、前記研磨パッド面上に接触し該研磨パッド面上の温度を調整するパッド温調手段と、前記研磨パッド温度検出手段で検出したパッド温度情報に基づいて前記パッド温調手段を制御して前記研磨パッド面上の温度を制御する温度コントローラを備え、
前記温度コントローラは複数種のPIDパラメータから所定のルールに基づき所定のPIDパラメータを選択し、前記パッド温度情報に基づいて前記選択したPIDパラメータを用いて前記研磨パッド面上の温度を制御することを特徴とする基板研磨装置。 - 請求項13に記載の基板研磨装置において、
前記温度コントローラは、研磨プロセス又は研磨中の前記基板に形成された膜種に応じて前記複数種のPIDパラメータから所定のPIDパラメータを選択し、前記パッド温度情報に基づいて前記選択したPIDパラメータを用いて前記パッド温調手段を制御し、前記研磨パッド面上の温度を制御することを特徴とする基板研磨装置。 - 請求項13に記載の基板研磨装置において、
前記温度コントローラは、前記研磨パッド面上の冷却用と加熱用で前記複数種のPIDパラメータを持ち、該複数種のPIDパラメータから所定のPIDパラメータを選択することを特徴とする基板研磨装置。 - 請求項14又は15に記載の基板研磨装置において、
前記PIDパラメータは、予めレシピに登録しておき、該レシピにより選択可能であることを特徴とする基板研磨装置。 - 請求項13に記載の基板研磨装置において、
前記パッド温調手段は、前記研磨パッド面の半径方向に接触する研磨パッド接触面を有する固体を具備し、該固体内を流れる熱交換媒体である流体の間で前記研磨パッド接触面を介して熱交換を行うように構成されていることを特徴とする基板研磨装置。 - 請求項13乃至16のいずれか1項に記載の基板研磨装置において、
前記基板保持手段は基板を保持する基板保持部を支持するヘッド部を備え、該ヘッド部に前記研磨パッド面に温風を吹き付ける温風ヒータを設けたことを特徴とする基板研磨装置。 - 請求項13乃至16のいずれか1項に記載の基板研磨装置において、
前記研磨パッド面に冷風を吹き付ける冷風吹付手段をけたことを特徴とする基板研磨装置。 - 請求項13乃至19のいずれか1項に記載の基板研磨装置において、
前記基板保持手段が保持する前記基板を加熱する基板加熱手段を設けたことを特徴とする基板研磨装置。 - 請求項20に記載の基板研磨装置において、
前記基板加熱手段は温水を吹き付ける温水吹付手段であることを特徴とする基板研磨装置。 - 請求項13乃至21のいずれか1項に記載の基板研磨装置において、
前記基板保持手段を複数備え、それぞれ基板保持手段に対応して前記研磨パッド温度検出手段、前記パッド温調手段、前記温度コントローラを備えたことを特徴とする基板研磨装置。 - 回転する研磨テーブルの研磨パッド面上に回転する基板保持手段で保持する基板を押圧接触させて該基板を研磨する基板研磨方法において、
温度コントローラにより複数種のPIDパラメータから所定のルールに基づき所定のPIDパラメータを選択し、該選択したPIDパラメータを用いて前記研磨パッド面上の温度情報に基づいて前記研磨パッド面上に接触し該研磨パッド面上の温度を調整するパッド温調手段を制御して前記研磨パッド面上の温度を制御しながら前記基板を研磨することを特徴とする基板研磨方法。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009298965A JP5547472B2 (ja) | 2009-12-28 | 2009-12-28 | 基板研磨装置、基板研磨方法、及び基板研磨装置の研磨パッド面温調装置 |
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CN201010621521.0A CN102179757B (zh) | 2009-12-28 | 2010-12-28 | 基板抛光设备、基板抛光方法和在该抛光设备中用于调节抛光垫的抛光面温度的设备 |
CN201510158582.0A CN104842259B (zh) | 2009-12-28 | 2010-12-28 | 基板抛光设备、基板抛光方法和在该抛光设备中用于调节抛光垫的抛光面温度的设备 |
US14/468,675 US20140364040A1 (en) | 2009-12-28 | 2014-08-26 | Substrate polishing apparatus, substrate polishing method, and apparatus for regulating temperature of polishing surface of polishing pad used in polishing apparatus |
US16/268,984 US20190168354A1 (en) | 2009-12-28 | 2019-02-06 | Substrate polishing apparatus, substrate polishing method, and apparatus for regulating temperature of polishing surface of polishing pad used in polishing apparatus |
US17/229,106 US20210229235A1 (en) | 2009-12-28 | 2021-04-13 | Substrate polishing apparatus, substrate polishing method, and apparatus for regulating temperature of polishing surface of polishing pad used in polishing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009298965A JP5547472B2 (ja) | 2009-12-28 | 2009-12-28 | 基板研磨装置、基板研磨方法、及び基板研磨装置の研磨パッド面温調装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011136406A JP2011136406A (ja) | 2011-07-14 |
JP2011136406A5 true JP2011136406A5 (ja) | 2012-12-13 |
JP5547472B2 JP5547472B2 (ja) | 2014-07-16 |
Family
ID=44188119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009298965A Active JP5547472B2 (ja) | 2009-12-28 | 2009-12-28 | 基板研磨装置、基板研磨方法、及び基板研磨装置の研磨パッド面温調装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US8845391B2 (ja) |
JP (1) | JP5547472B2 (ja) |
KR (1) | KR101678081B1 (ja) |
CN (2) | CN104842259B (ja) |
TW (1) | TWI566883B (ja) |
Families Citing this family (66)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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- 2010-12-28 CN CN201510158582.0A patent/CN104842259B/zh active Active
- 2010-12-28 CN CN201010621521.0A patent/CN102179757B/zh active Active
-
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-
2019
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