TWI742041B - 用以調整研磨墊之表面溫度的裝置及方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種可將研磨墊之表面溫度保持在希望之目標溫度的裝置。用以調整研磨墊3之表面溫度的裝置具備:可與研磨墊3表面接觸,且在內部形成有加熱流路61及冷卻流路62之墊接觸構件11;連接於加熱流路61之加熱液供給管32;連接於冷卻流路62之冷卻液供給管51;安裝於加熱液供給管32之第一流量控制閥門42;安裝於冷卻液供給管51之第二流量控制閥門56;測定研磨墊3之表面溫度的墊溫度測定器39;及依據研磨墊3之表面溫度操作第一流量控制閥門42及第二流量控制閥門56的閥門控制部40。
Description
本發明係關於一種用以調整使用於研磨晶圓等基板之研磨墊的表面溫度之裝置及方法。
CMP(化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing))裝置在半導體元件之製造中使用於研磨晶圓表面的工序。CMP裝置以上方環形轉盤保持晶圓而使晶圓旋轉,進一步將晶圓按壓於旋轉之研磨台上的研磨墊來研磨晶圓表面。研磨中,在研磨墊上供給研磨液(漿液),晶圓表面藉由研磨液之化學性作用與研磨液中包含之研磨粒的機械性作用而平坦化。
晶圓之研磨率除了晶圓對研磨墊的研磨負荷之外,還取決於研磨墊的表面溫度。此因研磨液對晶圓之化學性作用取決於溫度。因此,在半導體元件的製造中,為了提高晶圓之研磨率並進一步保持一定,將晶圓研磨中之研磨墊的表面溫度保持在最佳值很重要。
因此,過去為了調整研磨墊之表面溫度而使用墊溫度調整裝置。第二十五圖係顯示過去之墊溫度調整裝置的模式圖。如第二十五圖所示,墊溫度調整裝置具備:接觸於研磨墊103表面之墊接觸構件111;及連接於墊接觸構件111之流體供給管112。流體供給管112分歧成:連接於溫水供給源之溫水供給管115;及連接於冷水供給源之冷水供給管116;溫水供給管115及冷水供給管116中分別安裝有溫水閥門120及冷水閥門121。藉由
關閉溫水閥門120或冷水閥門121之其中一個,可選擇性地將溫水或冷水之其中一個供給至墊接觸構件111。
第二十六圖係顯示溫水閥門120及冷水閥門121之動作、與研磨墊103之表面溫度變化的圖。溫水閥門120及冷水閥門121依據研磨墊103之表面溫度而操作。亦即,當研磨墊103之表面溫度超過預定的上限值時,關閉溫水閥門120且打開冷水閥門121。同樣地當研磨墊103之表面溫度低於預設的下限值時,關閉冷水閥門121且打開溫水閥門120。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
[專利文獻1]日本特開2015-044245號公報
但是,即使將供給至墊接觸構件111之液體從溫水切換成冷水,由於墊接觸構件111及流體供給管112中仍殘留溫水,因此墊接觸構件111達到冷卻還需要等待一段時間。同樣地,即使將供給至墊接觸構件111之液體從冷水切換成溫水,墊接觸構件111達到溫暖還需要等待一段時間。因而,研磨墊103表面溫度之變化產生過調(Overshoot)及欠調(Undershoot)。結果研磨墊103之表面溫度大幅變動。
第二十七圖係顯示將研磨墊103之目標溫度設定為60℃時研磨墊103表面溫度的變化曲線圖。如第二十七圖所示,研磨墊103之表面溫度約以20℃的幅度大為變化。第二十八圖係顯示調整PID控制之參數後研磨墊103表面溫度的變化曲線圖。此時,研磨墊103之表面溫度仍以某種程度
的幅度變化。再者,第二十九圖係顯示調整PID控制之參數後,將目標溫度從60℃變更為50℃時研磨墊103表面溫度的變化曲線圖。如第二十九圖所示,研磨墊103之表面溫度再度大為變化。
如此,過去之墊溫度調整裝置在晶圓研磨中存在研磨墊103之表面溫度大幅變動,無法獲得希望之研磨率(亦稱為除去率)的問題。
因此,本發明之目的為提供一種可將研磨墊之表面溫度保持在希望之目標溫度的裝置及方法。
為了達成上述目的,本發明一種樣態係用以調整研磨墊之表面溫度的裝置,其特徵為具備:墊接觸構件,其係可接觸於前述研磨墊之表面,且在內部形成有加熱流路及冷卻流路;加熱液供給管,其係連接於前述加熱流路;冷卻液供給管,其係連接於前述冷卻流路;第一流量控制閥門,其係安裝於前述加熱液供給管;第二流量控制閥門,其係安裝於前述冷卻液供給管;墊溫度測定器,其係測定前述研磨墊之表面溫度;及閥門控制部,其係依據前述研磨墊之表面溫度操作前述第一流量控制閥門及前述第二流量控制閥門。
本發明適合樣態之特徵為:前述加熱流路及前述冷卻流路彼此鄰接延伸,且螺旋狀延伸。
本發明適合樣態之特徵為:前述加熱流路及前述冷卻流路沿著前述研磨墊之周方向排列。
本發明適合樣態之特徵為:前述加熱流路及前述冷卻流路在前述研磨墊之半徑方向對稱。
本發明適合樣態之特徵為:前述閥門控制部決定使目標溫度與前述研磨墊之表面溫度無差異所需的前述第一流量控制閥門及前述第二流量控制閥門的操作量。
本發明適合樣態之特徵為:以0%至100%之數值表示前述第一流量控制閥門及前述第二流量控制閥門之各個操作量時,前述閥門控制部藉由從100%減去前述第一流量控制閥門及前述第二流量控制閥門中之一方操作量,來決定前述第一流量控制閥門及前述第二流量控制閥門中的另一方操作量。
本發明一種樣態係,用以調整研磨墊之表面溫度的方法其特徵為:使墊接觸構件接觸於前述研磨墊之表面,而且將加熱液及冷卻液分別同時流入形成於前述墊接觸構件內之加熱流路及冷卻流路,並依據前述研磨墊之表面溫度獨立控制加熱液及冷卻液的流量。
本發明適合樣態之特徵為:將加熱液之流量與冷卻液之流量的總和維持一定。
本發明適合樣態之特徵為:前述加熱流路及前述冷卻流路彼此鄰接延伸,且螺旋狀延伸。
採用本發明時,在墊接觸構件之加熱流路中僅流入加熱液,在冷卻流路中僅流入冷卻液。加熱液及冷卻液之各個流量依據研磨墊之表面溫度而控制。如此,無須切換溫水與冷水,藉由以各個專用供給管供給加熱液及冷卻液,且控制流量,可進行類比式的溫度控制。因此可將研磨墊之表面溫度穩定維持在目標溫度。
1:上方環形轉盤
2:研磨台
3:研磨墊
4:研磨液供給噴嘴
5:墊溫度調整裝置
11:墊接觸構件
30:液體供給系統
31:加熱液供給槽
32:加熱液供給管
32A:第一加熱液供給管
32B:第二加熱液供給管
33:加熱液回流管
33A:第一加熱液回流管
33B:第二加熱液回流管
39:墊溫度測定器
40:閥門控制部
41:第一開閉閥門
42:第一流量控制閥門
51:冷卻液供給管
52:冷卻液排出管
55:第二開閉閥門
56:第二流量控制閥門
61:加熱流路
61a,62a:入口
61b、62b:出口
62:冷卻流路
64:圓弧流路
65:傾斜流路
71:滑動機構
81:第一分歧管
84:第二分歧管
90:溫度檢測器
103:研磨墊
111:墊接觸構件
112:流體供給管
115:溫水供給管
116:冷水供給管
120:溫水閥門
121:冷水閥門
R1、R2:流量控制閥門
V1~V8:開閉閥門
W:晶圓
第一圖係顯示研磨裝置之模式圖。
第二圖係顯示墊接觸構件之水平剖面圖。
第三圖係顯示研磨墊上之墊接觸構件與上方環形轉盤的位置關係之俯視圖。
第四圖係顯示第一流量控制閥門及第二流量控制閥門之操作量與流量的關係曲線圖。
第五圖係閥門控制部之動作的說明圖。
第六圖係顯示墊表面溫度之變化與各閥門的狀態曲線圖。
第七圖係顯示墊接觸構件之其他實施形態的水平剖面圖。
第八圖係顯示第七圖所示之墊接觸構件與上方環形轉盤的位置關係之俯視圖。
第九圖係顯示墊接觸構件之另一種實施形態的水平剖面圖。
第十圖係顯示第九圖所示之墊接觸構件與上方環形轉盤的位置關係之俯視圖。
第十一圖係顯示墊接觸構件之另一種實施形態的水平剖面圖。
第十二圖係顯示第十一圖所示之墊接觸構件與上方環形轉盤的位置關係之俯視圖。
第十三圖係顯示墊接觸構件之另一種實施形態的水平剖面圖。
第十四圖係顯示第十三圖所示之墊接觸構件與上方環形轉盤的位置關係之俯視圖。
第十五圖係顯示使具有第二圖所示之渦卷狀加熱流路及冷卻流路的
墊接觸構件接觸於研磨墊時墊表面溫度之變化的實驗資料。
第十六圖係顯示使具有第十一圖所示半圓狀延伸之加熱流路及冷卻流路的墊接觸構件接觸於研磨墊時墊表面溫度之變化的實驗資料。
第十七圖係顯示使具有第十三圖所示之交錯狀加熱流路及冷卻流路的墊接觸構件接觸於研磨墊時墊表面溫度之變化的實驗資料。
第十八圖係顯示使具有第二圖所示之渦卷狀加熱流路及冷卻流路的墊接觸構件接觸於研磨墊時墊表面溫度之分布曲線圖。
第十九圖係顯示使具有第十一圖所示半圓狀延伸之加熱流路及冷卻流路的墊接觸構件接觸於研磨墊時墊表面溫度之分布曲線圖。
第二十圖係顯示使具有第十三圖所示之交錯狀加熱流路及冷卻流路的墊接觸構件接觸於研磨墊時墊表面溫度之分布曲線圖。
第二十一圖係使用墊溫度調整裝置研磨晶圓之一種實施形態的說明圖。
第二十二圖係顯示墊溫度調整裝置之其他實施形態的圖。
第二十三圖係顯示墊溫度調整裝置之另一種實施形態的圖。
第二十四圖係顯示墊溫度調整裝置之另一種實施形態的圖。
第二十五圖係顯示過去之墊溫度調整裝置的模式圖。
第二十六圖係顯示溫水閥門及冷水閥門之動作與研磨墊之表面溫度的變化圖。
第二十七圖係顯示研磨墊之目標溫度設定為60℃時,研磨墊之表面溫度的變化曲線圖。
第二十八圖係顯示調整PID控制之參數後研磨墊之表面溫度的變化曲
線圖。
第二十九圖係顯示調整PID控制之參數後,將目標溫度從60℃變更為50℃時研磨墊之表面溫度的變化曲線圖。
以下,參照圖式說明本發明之實施形態。
第一圖係顯示研磨裝置之模式圖。如第一圖所示,研磨裝置具備:保持基板之一例的晶圓W而使其旋轉之上方環形轉盤1;支撐研磨墊3之研磨台2;在研磨墊3表面供給研磨液(例如漿液)之研磨液供給噴嘴4;及調整研磨墊3之表面溫度的墊溫度調整裝置5。研磨墊3之表面(上面)構成研磨晶圓W的研磨面。
上方環形轉盤1可在鉛直方向移動,且可以其軸心為中心在箭頭指示的方向旋轉。晶圓W藉由真空吸附等而保持在上方環形轉盤1之下面。研磨台2連結有馬達(無圖示),可在箭頭指示之方向旋轉。如第一圖所示,上方環形轉盤1及研磨台2在相同方向旋轉。研磨墊3貼合於研磨台2之上面。
晶圓W之研磨進行如下。研磨之晶圓W藉由上方環形轉盤1保持,進一步藉由上方環形轉盤1旋轉。另外,研磨墊3與研磨台2一起旋轉。在該狀態下,從研磨液供給噴嘴4供給研磨液至研磨墊3表面,再者,晶圓W之表面藉由上方環形轉盤1對研磨墊3的表面(亦即研磨面)按壓。晶圓W表面在研磨液存在下藉由與研磨墊3滑動接觸而被研磨。晶圓W表面藉由研磨液之化學性作用與研磨液中包含之研磨粒的機械性作用而平坦化。
墊溫度調整裝置5具備:可接觸於研磨墊3表面之墊接觸構件
11;及將溫度調整後之加熱液及冷卻液供給至墊接觸構件11的液體供給系統30。該液體供給系統30具備:貯存溫度調整後之加熱液的作為加熱液供給源之加熱液供給槽31;以及連結加熱液供給槽31與墊接觸構件11之加熱液供給管32及加熱液回流管33。加熱液供給管32及加熱液回流管33之一方端部連接於加熱液供給槽31,另一方端部連接於墊接觸構件11。
溫度調整後之加熱液從加熱液供給槽31通過加熱液供給管32而供給至墊接觸構件11,並在墊接觸構件11中流動,而後,從墊接觸構件11通過加熱液回流管33返回加熱液供給槽31。如此,加熱液在加熱液供給槽31與墊接觸構件11之間循環。加熱液供給槽31具有加熱器(無圖示),加熱液藉由加熱器加熱至指定溫度。
加熱液供給管32中安裝有第一開閉閥門41及第一流量控制閥門42。第一流量控制閥門42配置於墊接觸構件11與第一開閉閥門41之間。第一開閉閥門41係並無流量調整功能之閥門,而第一流量控制閥門42係具有流量調整功能之閥門。
液體供給系統30進一步具備連接於墊接觸構件11之冷卻液供給管51及冷卻液排出管52。冷卻液供給管51連接於設置研磨裝置之工廠中設置的冷卻液供給源(例如冷水供給源)。冷卻液通過冷卻液供給管51供給至墊接觸構件11,並在墊接觸構件11中流動,而後,從墊接觸構件11通過冷卻液排出管52排出。一種實施形態亦可將在墊接觸構件11中流動之冷卻液通過冷卻液排出管52而返回冷卻液供給源。
冷卻液供給管51中安裝有第二開閉閥門55及第二流量控制閥門56。第二流量控制閥門56配置於墊接觸構件11與第二開閉閥門55之
間。第二開閉閥門55係不具流量調整功能之閥門,而第二流量控制閥門56係具有流量調整功能之閥門。
墊溫度調整裝置5進一步具備:測定研磨墊3之表面溫度(以下稱為墊表面溫度)的墊溫度測定器39;及依據藉由墊溫度測定器39所測定之墊表面溫度操作第一流量控制閥門42及第二流量控制閥門56的閥門控制部40。第一開閉閥門41及第二開閉閥門55通常打開。墊溫度測定器39可使用可以不接觸而測定研磨墊3之表面溫度的放射溫度計。
墊溫度測定器39不接觸地測定研磨墊3之表面溫度,並將其測定值送交閥門控制部40。閥門控制部40以墊表面溫度維持在預設之目標溫度的方式,依據所測定之墊表面溫度操作第一流量控制閥門42及第二流量控制閥門56,來控制加熱液及冷卻液的流量。第一流量控制閥門42及第二流量控制閥門56按照來自閥門控制部40之控制信號而動作,並調整供給至墊接觸構件11之加熱液流量及冷卻液流量。在墊接觸構件11中流動之加熱液及冷卻液與研磨墊3之間進行熱交換,藉此墊表面溫度變化。
藉由此種反饋控制,研磨墊3之表面溫度(墊表面溫度)維持在指定的目標溫度。閥門控制部40可使用PID控制器。研磨墊3之目標溫度依晶圓W種類或研磨程序而決定,決定後之目標溫度預先輸入閥門控制部40。
為了將墊表面溫度維持在指定的目標溫度,在晶圓W研磨中,墊接觸構件11接觸於研磨墊3之表面(亦即研磨面)。本說明書中,墊接觸構件11接觸於研磨墊3表面之樣態,除了墊接觸構件11直接接觸於研磨墊3表面的樣態之外,亦包含在墊接觸構件11與研磨墊3表面之間存在研磨
液(漿液)狀態下,墊接觸構件11接觸於研磨墊3之表面的樣態。任何一種樣態皆係在墊接觸構件11中流動之加熱液及冷卻液與研磨墊3之間進行熱交換,藉此控制墊表面溫度。
供給至墊接觸構件11之加熱液係使用溫水。溫水藉由加熱液供給槽31之加熱器例如約加熱至80℃。欲使研磨墊3之表面溫度迅速上昇情況下,亦可使用矽油作為加熱液。使用矽油作為加熱液情況下,矽油藉由加熱液供給槽31之加熱器加熱至100℃以上(例如,約120℃)。供給至墊接觸構件11之冷卻液使用冷水或矽油。使用矽油作為冷卻液情況下,作為冷卻液供給源係將冷卻器連接於冷卻液供給管51,藉由使矽油冷卻至0℃以下,即可迅速冷卻研磨墊3。冷水可使用純水。為了冷卻純水而生成冷水,亦可使用冷卻器作為冷卻液供給源。此時亦可將在墊接觸構件11中流動之冷水通過冷卻液排出管52返回冷卻器。
加熱液供給管32及冷卻液供給管51係完全獨立之配管。因此,加熱液及冷卻液不致混合,而同時供給至墊接觸構件11。加熱液回流管33及冷卻液排出管52亦係完全獨立之配管。因此,加熱液不致與冷卻液混合而返回加熱液供給槽31,冷卻液不致與加熱液混合而排出,或是返回冷卻液供給源。
其次,參照第二圖說明墊接觸構件11。第二圖係顯示墊接觸構件11之水平剖面圖。如第二圖所示,墊接觸構件11具有形成於其內部之加熱流路61及冷卻流路62。加熱流路61及冷卻流路62彼此鄰接(彼此並排)延伸,且螺旋狀延伸。本實施形態之加熱流路61亦可比冷卻流路62短。
加熱液供給管32連接於加熱流路61之入口61a,加熱液回流
管33連接於加熱流路61之出口61b。冷卻液供給管51連接於冷卻流路62之入口62a,冷卻液排出管52連接於冷卻流路62之出口62b。加熱流路61及冷卻流路62之入口61a、62a位於墊接觸構件11之周緣部,加熱流路61及冷卻流路62之出口61b、62b位於墊接觸構件11的中心部。因此,加熱液及冷卻液係從墊接觸構件11之周緣部朝向中心部螺旋狀流動。加熱流路61及冷卻流路62完全分離,因此加熱液及冷卻液不致在墊接觸構件11內混合。
第三圖係顯示研磨墊3上之墊接觸構件11與上方環形轉盤1的位置關係之俯視圖。墊接觸構件11從上方觀看時係圓形,且墊接觸構件11之直徑比上方環形轉盤1的直徑小。從研磨墊3之旋轉中心至墊接觸構件11的中心之距離,與從研磨墊3之旋轉中心至上方環形轉盤1中心的距離相同。由於加熱流路61及冷卻流路62彼此鄰接,因此加熱流路61及冷卻流路62除了在研磨墊3的徑方向之外,亦沿著研磨墊3之周方向排列。因此,在研磨台2及研磨墊3旋轉中,接觸於墊接觸構件11之研磨墊3與加熱液及冷卻液兩者進行熱交換。
閥門控制部40係以為了使預設之目標溫度與測定後的研磨墊3表面溫度無差異,而決定所需之第一流量控制閥門42的操作量及第二流量控制閥門56的操作量之方式構成。第一流量控制閥門42之操作量及第二流量控制閥門56的操作量換言之即是閥門開度。第一流量控制閥門42之操作量與加熱液的流量成比例,第二流量控制閥門56之操作量與冷卻液的流量成比例。並宜如第四圖所示,第一流量控制閥門42之操作量與加熱液的流量成正比,第二流量控制閥門56之操作量與冷卻液的流量成正比。
第五圖係閥門控制部40之動作的說明圖。以0%至100%之數
值表示第一流量控制閥門42及第二流量控制閥門56之各個操作量時,係以閥門控制部40藉由從100%減去第一流量控制閥門42之操作量,來決定第二流量控制閥門56之操作量的方式構成。一種實施形態亦可藉由從100%減去第二流量控制閥門56之操作量來決定第一流量控制閥門42的操作量。
第一流量控制閥門42之操作量係100%時表示第一流量控制閥門42全開,第一流量控制閥門42之操作量係0%時表示將第一流量控制閥門42完全關閉。同樣地,第二流量控制閥門56之操作量係100%時表示第二流量控制閥門56全開,第二流量控制閥門56之操作量係0%時表示將第二流量控制閥門56完全關閉。
第一流量控制閥門42之操作量係100%時的加熱液流量,與第二流量控制閥門56之操作量係100%時的冷卻液流量相同。因此,通過第一流量控制閥門42之加熱液流量與通過第二流量控制閥門56之冷卻液流量的合計隨時保持一定。
第六圖係顯示墊表面溫度之變化與各閥門的狀態曲線圖。如第六圖所示,係操作第一流量控制閥門42及第二流量控制閥門56使第一流量控制閥門42之操作量與第二流量控制閥門56的操作量之總和為100%。如此,由於將加熱亦流量與冷卻液流量的總和保持一定,因此可防止墊表面溫度變動。
採用本實施形態時,墊接觸構件11之加熱流路61中僅流入加熱液,冷卻流路62中僅流入冷卻液。加熱液及冷卻液之各個流量依據研磨墊3之表面溫度來控制。換言之,第一流量控制閥門42及第二流量控制閥門56係依據研磨墊3之表面溫度與目標溫度之差而動作。因此,可將研磨墊3
之表面溫度穩定維持在目標溫度。
第七圖係顯示墊接觸構件11之其他實施形態的水平剖面圖,第八圖係顯示第七圖所示之墊接觸構件11與上方環形轉盤1的位置關係俯視圖。與第二圖所示之實施形態相同,加熱流路61及冷卻流路62彼此鄰接(彼此並排)延伸,且螺旋狀延伸。再者,加熱流路61及冷卻流路62具有點對稱之形狀,且彼此具有相同長度。其中,加熱流路61之入口61a位於研磨墊3之中心側,冷卻流路62之入口62a位於研磨墊3之外周側。
第九圖係顯示墊接觸構件11之另一種實施形態的水平剖面圖,第十圖係顯示第九圖所示之墊接觸構件11與上方環形轉盤1的位置關係俯視圖。與第二圖所示之實施形態相同,加熱流路61及冷卻流路62彼此鄰接(彼此並排)延伸,且螺旋狀延伸。再者,加熱流路61及冷卻流路62具有點對稱之形狀,且彼此具有相同長度。
如第九圖所示,加熱流路61及冷卻流路62基本上分別由曲率一定之複數條圓弧流路64;及連結此等圓弧流路64之複數條傾斜流路65而構成。鄰接之2條圓弧流路64藉由各傾斜流路65連結。藉由採用此種構成,可將加熱流路61及冷卻流路62之各個最外周部配置於墊接觸構件11的最外周部。換言之,從墊接觸構件11下面構成之墊接觸面的大致全體位於加熱流路61及冷卻流路62的下方,加熱液及冷卻液可將研磨墊3表面迅速加熱及冷卻。
第十一圖係顯示墊接觸構件11之另一種實施形態的水平剖面圖,第十二圖係顯示第十一圖所示之墊接觸構件11與上方環形轉盤1的位置關係俯視圖。加熱流路61及冷卻流路62由分別配置於半圓區域內而進入
的流路構成。加熱流路61及冷卻流路62以研磨墊3之半徑方向為中心而對稱。加熱流路61及冷卻流路62沿著研磨墊3之周方向而排列。因此,研磨台2旋轉時,配置加熱流路61及冷卻流路62之2個半圓區域接觸於研磨墊3表面內的相同區域。
第十三圖係顯示墊接觸構件11之另一種實施形態的水平剖面圖,第十四圖係顯示第十三圖所示之墊接觸構件11與上方環形轉盤1的位置關係剖面圖。加熱流路61及冷卻流路62彼此鄰接(彼此並排)延伸,且交錯地延伸。再者,加熱流路61及冷卻流路62具有點對稱之形狀,且彼此具有相同長度。本實施形態亦沿著研磨墊3之周方向排列加熱流路61及冷卻流路62。
第十五圖係顯示使具有第二圖所示之渦卷狀加熱流路61及冷卻流路62的墊接觸構件11接觸於研磨墊3時之墊表面溫度變化的實驗資料。該實驗係以使第一流量控制閥門42之操作量與第二流量控制閥門56的操作量之總和成為100%之方式,操作第一流量控制閥門42及第二流量控制閥門56。目標溫度係40℃、50℃、60℃。從第十五圖瞭解,研磨墊3之表面溫度並未隨之大幅變動,而係維持在各目標溫度。
第十六圖係顯示使具有第十一圖所示半圓狀延伸之加熱流路61及冷卻流路62的墊接觸構件11接觸於研磨墊3時之墊表面溫度變化的實驗資料。該實驗係以使第一流量控制閥門42之操作量與第二流量控制閥門56的操作量之總和成為100%之方式,操作第一流量控制閥門42及第二流量控制閥門56。目標溫度係40℃、50℃、60℃。從第十六圖瞭解,研磨墊3之表面溫度並未隨之大幅變動,而係維持在各目標溫度。
第十七圖係顯示使具有第十三圖所示之交錯狀加熱流路61及冷卻流路62的墊接觸構件11接觸於研磨墊3時之墊表面溫度變化的實驗資料。該實驗係以使第一流量控制閥門42之操作量與第二流量控制閥門56的操作量之總和成為100%之方式,操作第一流量控制閥門42及第二流量控制閥門56。目標溫度係40℃、50℃、60℃。從第十七圖瞭解,研磨墊3之表面溫度並未隨之大幅變動,而係維持在各目標溫度。
其次,說明就墊表面溫度之均勻性調查的實驗結果。第十八圖係顯示使具有第二圖所示之渦卷狀加熱流路61及冷卻流路62的墊接觸構件11接觸於研磨墊3時之墊表面溫度的分布曲線圖。第十九圖係顯示使具有第十一圖所示半圓狀延伸之加熱流路61及冷卻流路62的墊接觸構件11接觸於研磨墊3時墊表面溫度之分布曲線圖。第二十圖係顯示使具有第十三圖所示之交錯狀加熱流路61及冷卻流路62的墊接觸構件11接觸於研磨墊3時墊表面溫度之分布曲線圖。第十八圖至第二十圖中,墊表面溫度之分布表示研磨墊3的半徑方向分布。
第十八圖至第二十圖所示之實驗全部在相同條件下實施。研磨墊3表面之目標溫度係55℃。從研磨台2之中心至墊接觸構件11中心的距離,與從研磨台2之中心至上方環形轉盤1中心的距離相同。從第十八圖至第二十圖所示的實驗瞭解,關於墊表面溫度之均勻性,具有半圓狀延伸之加熱流路61及冷卻流路62的墊接觸構件11,比具有捲繞狀之加熱流路61及冷卻流路62的墊接觸構件11佳,且具有捲繞狀之加熱流路61及冷卻流路62的墊接觸構件11,比具有交錯狀之加熱流路61及冷卻流路62的墊接觸構件11佳。
其次,參照第二十一圖說明使用墊溫度調整裝置5研磨晶圓W之一種實施形態。以下說明之實施形態在晶圓W研磨中,係將研磨墊3表面之目標溫度從第一目標溫度變化到第二目標溫度,不過一種實施形態亦可在晶圓W之研磨中將目標溫度維持一定。
本實施形態在開始研磨晶圓W前,先使墊接觸構件11接觸於研磨墊3的表面(研磨面),並將研磨墊3表面預先加熱(前加熱工序)。該前加熱工序係將研磨墊3表面之目標溫度設定成最大值。墊表面溫度超過第一目標溫度時,研磨墊3表面之目標溫度從最大值切換成第一目標溫度。第一目標溫度係比最大值低之溫度。再者,晶圓W接觸於研磨墊3表面開始研磨晶圓W(第一研磨工序)。由於研磨墊3表面在開始研磨晶圓W前預先加熱,因此可以高研磨率開始研磨晶圓W。
開始第一研磨工序後經過指定時間時,或是晶圓W之膜厚達到指定值時,在晶圓W接觸於研磨墊3的狀態下,研磨墊3表面之目標溫度從第一目標溫度變成第二目標溫度。在研磨墊3表面溫度維持在第二目標溫度狀態下研磨晶圓W(第二研磨工序)。
採用本實施形態時,由於將研磨墊3之表面溫度維持在比第二目標溫度高的第一目標溫度,而且進行第一研磨工序,因此可以高研磨率研磨晶圓W。由於第二研磨工序係以低研磨率研磨晶圓W,因此可精密調整晶圓W之膜厚輪廓。
第二十二圖係顯示墊溫度調整裝置5之其他實施形態的圖。由於未特別說明之本實施形態的構成及動作與第二圖所示的墊溫度調整裝置5相同,因此省略其重複說明。另外,第二十二圖省略了上方環形轉盤1
及研磨液供給噴嘴4的圖示。如第二十二圖所示,沿著研磨墊3之半徑方向排列複數個墊溫度測定器39。本實施形態係配置3個墊溫度測定器39,不過亦可配置2個或4個以上。複數個墊溫度測定器39連接於閥門控制部40。
墊接觸構件11保持於滑動機構71。該滑動機構71係構成在墊接觸構件11之下面(亦即墊接觸面)接觸於研磨墊3表面的狀態下,可使墊接觸構件11在研磨墊3之半徑方向移動。滑動機構71係由伺服馬達與滾珠螺桿機構之組合、或是空氣氣缸等構成。
閥門控制部40依據藉由墊溫度測定器39所測定之墊表面溫度操作滑動機構71使墊表面溫度之分布成為目標溫度分布。如此,藉由控制墊表面溫度之分布,可控制在研磨墊3上研磨之晶圓W的膜厚輪廓。
第二十三圖係顯示墊溫度調整裝置5之另一種實施形態的圖。想將研磨墊3急速加溫或冷卻時,殘留於墊接觸構件11中之冷卻水液或加熱液會妨礙急加熱、急冷卻。第二十三圖所示之實施形態則適合將研磨墊3急速加熱及急速冷卻。
如第二十三圖所示,墊溫度調整裝置5具備:分別連接於墊接觸構件11之加熱流路61及冷卻流路62的第一加熱液供給管32A及第二加熱液供給管32B;及分別連接於墊接觸構件11之加熱流路61及冷卻流路62的第一加熱液回流管33A及第二加熱液回流管33B。第二加熱液供給管32B連接於加熱液供給槽31,第一加熱液供給管32A從第二加熱液供給管32B分歧。第一加熱液回流管33A及第二加熱液回流管33B連接於加熱液供給槽31。
冷卻液供給管51連接於第一加熱液供給管32A,冷卻液排出管52連接於第一加熱液回流管33A。從冷卻液供給管51分歧之第一分歧管81
連接於第二加熱液供給管32B,從冷卻液排出管52分歧之第二分歧管84連接於第二加熱液回流管33B。
第一加熱液供給管32A中設有開閉閥門V1及流量控制閥門R1,第二加熱液供給管32B中設有開閉閥門V5及流量控制閥門R2。冷卻液供給管51中設有開閉閥門V2,冷卻液排出管52中設有開閉閥門V4。第一加熱液回流管33A中設有開閉閥門V3,第二加熱液回流管33B中設有開閉閥門V7。進一步在第一分歧管81中設有開閉閥門V6,第二分歧管84中設有開閉閥門V8。此等全部開閉閥門及流量控制閥門連接於閥門控制部40,而藉由閥門控制部40操作。
將研磨墊3急速加熱時,閥門控制部40打開開閉閥門V1、V3、V5、V7,關閉開閉閥門V2、V4、V6、V8。流量控制閥門R1、R2全開。加熱液通過第一加熱液供給管32A及第二加熱液供給管32B供給至墊接觸構件11之加熱流路61及冷卻流路62兩者,進一步通過第一加熱液回流管33A及第二加熱液回流管33B返回加熱液供給槽31。如此,對墊接觸構件11之加熱流路61及冷卻流路62兩者供給加熱液,因此墊接觸構件11可將研磨墊3急速加熱。
研磨墊3之表面溫度超過臨限值時,閥門控制部40在打開開閉閥門V1、V3狀態下繼續打開開閉閥門V6、V8,進一步在關閉開閉閥門V2、V4狀態下繼續關閉開閉閥門V5、V7。流量控制閥門R1、R2依據目標溫度與研磨墊3的表面溫度差異,藉由閥門控制部40進行PID控制。
將研磨墊3急速冷卻時,閥門控制部40關閉開閉閥門V1、V3、V5、V7,打開開閉閥門V2、V4、V6、V8。流量控制閥門R1、R2全開。
冷卻液通過冷卻液供給管51、第一加熱液供給管32A、第一分歧管81及第二加熱液供給管32B供給至墊接觸構件11的加熱流路61及冷卻流路62兩者。進一步冷卻液通過第一加熱液回流管33A、第二加熱液回流管33B、第二分歧管84及冷卻液排出管52排出。如此,對墊接觸構件11之加熱流路61及冷卻流路62兩者供給冷卻液,因此墊接觸構件11可將研磨墊3急速冷卻。
研磨墊3之表面溫度低於臨限值時,閥門控制部40在關閉開閉閥門V5、V7狀態下繼續打開開閉閥門V1、V3,進一步在打開開閉閥門V6、V8狀態下繼續關閉開閉閥門V2、V4。流量控制閥門R1、R2依據目標溫度與研磨墊3的表面溫度差異,藉由閥門控制部40進行PID控制。
墊溫度調整裝置5之動作從上述之墊急速冷卻動作切換成一般的墊溫度控制動作時,若打開開閉閥門V3的時間過早,冷卻液會流入加熱液供給槽31,可能造成供給至墊接觸構件11之加熱液的溫度降低。因此,如第二十四圖所示,宜將溫度感測器或熱電偶等溫度檢測器90安裝於第一加熱液回流管33A。溫度檢測器90配置於墊接觸構件11與開閉閥門V3之間。並宜將溫度檢測器90配置於開閉閥門V3的附近。溫度檢測器90連接於閥門控制部40。
研磨墊3急速冷卻中打開開閉閥門V2、V4、V6、V8,並關閉開閉閥門V1、V3、V5、V7。墊表面溫度低於上述之臨限值時,打開開閉閥門V1,不過不立即打開開閉閥門V3。溫度檢測器90檢測流經第一加熱液回流管33A之液體溫度超過設定值時,閥門控制部40打開開閉閥門V3並關閉開閉閥門V4。藉由如此操作,可防止墊接觸構件11及第一加熱液回流管33A中殘留之冷卻液流入加熱液供給槽31。
將流經第一加熱液供給管32A及第一加熱液回流管33A之液體從加熱液切換成冷卻液時,亦可在打開開閉閥門V3狀態下將加熱液返回加熱液供給槽31,直至溫度檢測器90檢測出流經第一加熱液回流管33A之液體溫度低於設定值(與上述之設定值不同)。藉由如此操作,可減少加熱液捨棄量,而使加熱液有效循環。
上述實施形態係以具有本發明所屬技術領域之一般知識者可實施本發明為目的而記載者。熟悉本技術之業者當然可形成上述實施形態之各種變形例,且本發明之技術性思想亦可適用於其他實施形態。因此,本發明不限定於記載之實施形態,應解釋成係按照藉由申請專利範圍所定義之技術性思想的最廣範圍。
1‧‧‧上方環形轉盤
2‧‧‧研磨台
3‧‧‧研磨墊
4‧‧‧研磨液供給噴嘴
5‧‧‧墊溫度調整裝置
11‧‧‧墊接觸構件
30‧‧‧液體供給系統
31‧‧‧加熱液供給槽
32‧‧‧加熱液供給管
33‧‧‧加熱液回流管
39‧‧‧墊溫度測定器
40‧‧‧閥門控制部
41‧‧‧第一開閉閥門
42‧‧‧第一流量控制閥門
51‧‧‧冷卻液供給管
52‧‧‧冷卻液排出管
55‧‧‧第二開閉閥門
56‧‧‧第二流量控制閥門
W‧‧‧晶圓
Claims (13)
- 一種用以調整研磨墊之表面溫度的裝置,其特徵為具備:墊接觸構件,其係可接觸於前述研磨墊之表面,且在內部形成有加熱流路及冷卻流路;加熱液供給管,其係連接於前述加熱流路;冷卻液供給管,其係連接於前述冷卻流路;第一流量控制閥門,其係安裝於前述加熱液供給管;第二流量控制閥門,其係安裝於前述冷卻液供給管;墊溫度測定器,其係測定前述研磨墊之表面溫度;閥門控制部,其係依據前述研磨墊之表面溫度操作前述第一流量控制閥門及前述第二流量控制閥門;以及前述加熱流路及前述冷卻流路分別包含,曲率一定的複數條圓弧流路,以及連結前述圓弧流路的複數條傾斜流路。
- 如申請專利範圍第1項之裝置,其中前述加熱流路及前述冷卻流路彼此鄰接延伸,且螺旋狀延伸。
- 如申請專利範圍第2項之裝置,其中前述加熱流路及前述冷卻流路沿著前述研磨墊之周方向排列。
- 如申請專利範圍第1項之裝置,其中前述加熱流路及前述冷卻流路在前述研磨墊之半徑方向對稱。
- 如申請專利範圍第1項之裝置,其中前述閥門控制部決定使目標溫度與前述研磨墊之表面溫度無差異所需的前述第一流量控制閥門及前述第二流量控制閥門的操作量。
- 如申請專利範圍第1項之裝置,其中以0%至100%之數值表示前述第一流量控制閥門及前述第二流量控制閥門之各個操作量時,前述閥門控制部藉由從100%減去前述第一流量控制閥門及前述第二流量控制閥門中之一方操作量,來決定前述第一流量控制閥門及前述第二流量控制閥門中的另一方操作量。
- 如申請專利範圍第1項之裝置,其中,前述加熱流路及前述冷卻流路之入口位於前述墊接觸構件之周緣部,前述加熱流路及前述冷卻流路之出口位於前述墊接觸構件之中心部。
- 如申請專利範圍第7項之裝置,其中,前述加熱流路之入口位於前述研磨墊之中心側,前述冷卻流路之入口位於前述研磨墊之外周側。
- 如申請專利範圍第3項之裝置,其中,在對前述墊接觸構件從上方觀察時,前述加熱流路及前述冷卻流路從前述墊接觸構件之中心部至周緣部交互配置。
- 如申請專利範圍第9項之裝置,其中,在對前述墊接觸構件從上方觀察時,前述加熱流路及前述冷卻流路具有點對稱的形狀。
- 一種用以調整研磨墊之表面溫度的裝置,其具備:熱交換器,其能與前述研磨墊之表面進行熱交換,而且內部形成有加熱流路及冷卻流路;加熱液供給管,其連接於前述加熱流路;冷卻液供給管,其連接於前述冷卻流路;第一流量控制閥,其安裝於前述加熱液供給管;第二流量控制閥,其安裝於前述冷卻液供給管; 墊溫度測定器,其測定前述研磨墊之表面溫度;閥門控制部,其根據前述研磨墊之表面溫度操作前述第一流量控制閥及前述第二流量控制閥;以及前述加熱流路及前述冷卻流路分別包含,曲率一定的複數條圓弧流路,以及連結前述圓弧流路的複數條傾斜流路。
- 一種用以調整研磨墊之表面溫度的裝置,其特徵為具備:墊接觸構件,其係可接觸於前述研磨墊之表面,且在內部形成有加熱流路及冷卻流路;加熱液供給管,其係連接於前述加熱流路;冷卻液供給管,其係連接於前述冷卻流路;第一流量控制閥門,其係安裝於前述加熱液供給管;第二流量控制閥門,其係安裝於前述冷卻液供給管;墊溫度測定器,其係測定前述研磨墊之表面溫度;閥門控制部,其係依據前述研磨墊之表面溫度操作前述第一流量控制閥門及前述第二流量控制閥門;以及前述加熱流路之入口位於前述研磨墊之中心側,前述冷卻流路之入口位於前述研磨墊之外周側。
- 一種用以調整研磨墊之表面溫度的裝置,其具備:熱交換器,其能與前述研磨墊之表面進行熱交換,而且內部形成有加熱流路及冷卻流路;加熱液供給管,其連接於前述加熱流路;冷卻液供給管,其連接於前述冷卻流路; 第一流量控制閥,其安裝於前述加熱液供給管;第二流量控制閥,其安裝於前述冷卻液供給管;墊溫度測定器,其測定前述研磨墊之表面溫度;閥門控制部,其根據前述研磨墊之表面溫度操作前述第一流量控制閥及前述第二流量控制閥;以及前述加熱流路之入口位於前述研磨墊之中心側,前述冷卻流路之入口位於前述研磨墊之外周側。
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JP7397617B2 (ja) * | 2019-10-16 | 2023-12-13 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
JP7236990B2 (ja) | 2019-12-09 | 2023-03-10 | 株式会社荏原製作所 | パッドの表面温度を調整するためのシステムおよび研磨装置 |
JP7421413B2 (ja) | 2020-05-08 | 2024-01-24 | 株式会社荏原製作所 | パッド温度調整装置、パッド温度調整方法、および研磨装置 |
JP2022149635A (ja) | 2021-03-25 | 2022-10-07 | 株式会社荏原製作所 | パッド温度調整装置、および研磨装置 |
JP2022165024A (ja) | 2021-04-19 | 2022-10-31 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法、および研磨装置 |
KR20220148106A (ko) | 2021-04-28 | 2022-11-04 | 에바라코포레이숀 | 연마 장치, 및 연마 방법 |
CN114800147B (zh) * | 2022-04-29 | 2022-12-23 | 江苏华杰不锈钢制品有限公司 | 一种用于废旧钢料的研磨装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10277924A (ja) * | 1997-04-07 | 1998-10-20 | Noritake Co Ltd | 回転定盤の温度保持構造 |
US6705923B2 (en) * | 2002-04-25 | 2004-03-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Chemical mechanical polisher equipped with chilled wafer holder and polishing pad and method of using |
TW201507810A (zh) * | 2013-08-27 | 2015-03-01 | Ebara Corp | 研磨方法及研磨裝置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2004079805A1 (ja) * | 2003-03-07 | 2006-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び温度調節装置 |
KR101024356B1 (ko) * | 2008-11-28 | 2011-03-23 | 세메스 주식회사 | 기판 코팅 유닛, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한기판 처리 방법 |
JP6263092B2 (ja) * | 2014-06-23 | 2018-01-17 | 株式会社荏原製作所 | 研磨パッドの温度調節システムおよびこれを備えた基板処理装置 |
JP6580939B2 (ja) * | 2015-10-20 | 2019-09-25 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
-
2017
- 2017-01-31 JP JP2017015389A patent/JP6929072B2/ja active Active
- 2017-02-17 KR KR1020170021358A patent/KR102604745B1/ko active IP Right Grant
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10277924A (ja) * | 1997-04-07 | 1998-10-20 | Noritake Co Ltd | 回転定盤の温度保持構造 |
US6705923B2 (en) * | 2002-04-25 | 2004-03-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Chemical mechanical polisher equipped with chilled wafer holder and polishing pad and method of using |
TW201507810A (zh) * | 2013-08-27 | 2015-03-01 | Ebara Corp | 研磨方法及研磨裝置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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