JP2024014708A - 基板処理装置、基板処理方法、及び基板処理プログラム - Google Patents

Abstract

【課題】基板に形成されたメタル含有レジストによる被膜が大気雰囲気に接する時間をできるだけ短くする。【解決手段】塗布現像装置２は、メタル含有レジストの被膜を形成する成膜処理部としての塗布ユニットＵ１と、被膜に対して露光処理が施されたワークＷを加熱処理する熱処理部としての熱処理ユニットＵ４と、加熱処理が施されたワークＷの被膜を現像処理する現像ユニットＵ３と、露光処理の後から現像処理が行われる前の期間において、被膜を不活性ガスと接触させるガス接触部としてのガス供給ユニットＵ６と、を有する。【選択図】図１

Description

本開示は、基板処理装置、基板処理方法、及び基板処理プログラムに関する。

特許文献１では、メタル含有レジストを用いて形成された被膜に対して、加熱処理の際に反応する水分量の基板ごとの差を縮小させる調整制御部を備えた構成が開示されている。

特開２０２０－１１９９６１号公報

本開示は、基板に形成されたメタル含有レジストによる被膜が大気雰囲気に接する時間をできるだけ短くする技術を提供する。

本開示の一態様による基板処理装置は、メタル含有レジストの被膜を含む基板を処理する基板処理装置であって、前記被膜に対して露光処理が施された前記基板を加熱処理する熱処理部と、前記加熱処理が施された前記基板の前記被膜を現像処理する現像処理部と、前記露光処理の後から前記現像処理が行われる前の期間において、前記被膜を不活性ガスと接触させるガス接触部と、を有する。

本開示によれば、基板に形成されたメタル含有レジストによる被膜が大気雰囲気に接する時間をできるだけ短くする技術が提供される。

図１は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムの概略構成を例示する図である。 図２は、基板処理装置の内部構成を例示する模式図である。 図３は、図２のIII－III線矢視図に対応する構成を例示する模式図である。 図４は、ガス供給ユニットの一例を示す模式図である。 図５は、熱処理ユニットの一例を示す模式図である。 図６は、温度調整ユニットの一例を示す模式図である。 図７は、制御装置の機能的な構成の一例を示す機能ブロック図である。 図８は、基板の搬送経路の一例を示す図である。 図９は、制御装置のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。 図１０は、基板処理方法の一例を示すフローチャートである。 図１１（ａ）、図１１（ｂ）は、ガス接触部の構成の変更例を示す図である。 図１２（ａ）、図１２（ｂ）は、ガス接触部の構成の変更例を示す図である。 図１３は、基板処理方法の別の一例を示すフローチャートである。 図１４は、変形例に係る塗布現像装置の内部構成を例示する模式図である。 図１５は、図１４のＸＶ－ＸＶ線矢視図に対応する構成を例示する模式図である。

以下、種々の例示的実施形態について説明する。

一つの例示的実施形態において、基板処理装置が提供される。基板処理装置は、メタル含有レジストの被膜を含む基板を処理する基板処理装置であって、前記被膜に対して露光処理が施された前記基板を加熱処理する熱処理部と、前記加熱処理が施された前記基板の前記被膜を現像処理する現像処理部と、前記露光処理の後から前記現像処理が行われる前の期間において、前記被膜を不活性ガスと接触させるガス接触部と、を有する。

上記の基板処理装置では、ガス接触部において被膜が不活性ガスと接触するため、ガス接触部を設けない場合と比べて、メタル含有レジストによる被膜が大気雰囲気に接触する時間を短くすることができる。

前記ガス接触部は、所定の筐体内に前記基板を一次的に載置すると共に、前記筐体内に前記ガスを供給するガス供給部を含むガス処理ユニットであって、インタフェースブロックに設けられている態様としてもよい。

上記の構成とすることで、ガス処理ユニット内に基板を搬送することで、被膜を不活性ガスと接触させることができる。また、このガス処理ユニットがインタフェースブロックに設けられている場合、露光装置との間で基板を搬送する途中で基板をガス処理ユニットに搬送することができるため、ガス処理ユニットへの搬送時間も短くすることができ、基板が大気雰囲気に晒される時間を減らすことができる。

前記熱処理部は、前記基板を加熱する熱板と、前記熱板における加熱処理後の前記基板を保持する温度調整プレートと、を有し、前記ガス接触部は、前記熱処理部の前記温度調整プレートと、前記温度調整プレート上の前記基板の前記被膜が前記不活性ガスと接触するように、前記不活性ガスを供給する第２ガス供給部と、を含む態様としてもよい。

上記の構成とすることで、熱処理部において、加熱処理後に温度調整プレートで保持される基板の被膜についても、不活性ガスと接触させることができる。

前記ガス接触部は、前記第２ガス供給部から供給された前記不活性ガスが前記被膜と接触するように前記温度調整プレートの周囲を囲むチャンバをさらに含む態様としてもよい。

上記のように、温度調整プレートの周囲をチャンバで囲む構成とすることで、第２ガス供給部から供給された不活性ガスを被膜と接触させやすくなる。

前記ガス接触部は、前記熱処理部から搬出された前記基板を、前記現像処理部に搬入する前に一次的に保持する温度調整ユニットであり、前記温度調整ユニット内に前記不活性ガスを供給する第３ガス供給部を含む態様としてもよい。

上記の構成とすることで、温度調整ユニットにおいても、基板の被膜を不活性ガスと接触させることができるため、基板が大気雰囲気に晒される時間を減らすことができる。

前記ガス接触部における前記基板の接触期間と、前記ガス接触部への前記基板の搬送と、を制御する制御部をさらに有する態様としてもよい。

上記の構成とすることで、制御部によって、ガス接触部における前記基板の接触期間と、ガス接触部への前記基板の搬送と、を制御することが可能になり、例えば、複数の基板の搬送経路等を調節しながら、各基板のメタル含有レジストによる被膜が大気雰囲気に接触する時間を短くすることができる。

前記ガス接触部は、所定の筐体内に前記基板を一次的に載置すると共に、前記筐体内に前記ガスを供給するガス供給部を含むガス処理ユニットであり、前記ガス接触部は、インタフェースブロックに設けられていて、前記制御部は、前記基板を前記ガス処理ユニットに搬送し、前記ガス処理ユニットにおいて、前記被膜を前記不活性ガスに所定時間接触させる制御を行う態様としてもよい。

上記の構成とすることで、制御部によってガス処理ユニットに基板を搬送することで、被膜を不活性ガスと接触させることができる。

前記熱処理部は、前記基板を加熱する熱板と、前記熱板における加熱処理後の前記基板を保持する温度調整プレートと、前記温度調整プレート上の前記基板の前記被膜が前記不活性ガスと接触するように、前記不活性ガスを供給する第２ガス供給部と、を有し、前記制御部は、前記ガス処理ユニットから搬出された前記基板に対して、前記熱処理部の前記温度調整プレート上で、前記被膜を前記不活性ガスに所定時間接触させる制御を行う態様としてもよい。

上記の構成とすることで、制御部によって温度調整プレート上で基板を待機させることで、被膜を不活性ガスと接触させることができる。

前記熱処理部から搬出された前記基板を、前記現像処理部に搬入する前に一次的に保持する温度調整ユニットをさらに有し、前記温度調整ユニットは、前記温度調整ユニット内に前記不活性ガスを供給する第３ガス供給部を含み、前記制御部は、前記熱処理部から搬出された前記基板に対して、前記温度調整ユニットにおいて、前記被膜を前記不活性ガスに所定時間接触させる制御を行う態様としてもよい。

上記の構成とすることで、制御部によって温度調整ユニットに基板を搬送することで、被膜を不活性ガスと接触させることができる。

前記ガス接触部は、前記基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部の上方及び側方を囲む包囲部と、前記包囲部の上方から前記包囲部内に前記不活性ガスを供給するガス供給口とを有し、前記包囲部内に不活性ガスが供給されることで、内部の大気が下方に押し出されることによって、前記不活性ガスを前記基板保持部に保持される前記基板と接触させる態様としてもよい。

上記の構成とすることで、包囲部の上方から前記包囲部内に供給された不活性ガスが内部の大気を下方に押し出すことで、不活性ガスを基板保持部に保持される基板と接触させることができる。

前記ガス接触部は、前記基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部の上方及び下方と、側方の一部とを囲む包囲部と、前記包囲部内に前記不活性ガスを供給するガス供給口とを有し、前記包囲部内に不活性ガスが供給されることで、内部の大気が開口している側方に押し出されることによって、前記不活性ガスを前記基板保持部に保持される前記基板と接触させる態様としてもよい。

上記の構成とすることで、包囲部内に供給された不活性ガスが内部の大気を開口している側方を押し出すことで、不活性ガスを基板保持部に保持される基板と接触させることができる。

前記不活性ガスは窒素ガスである態様としてもよい。

上記の構成とすることで、基板が大気雰囲気に晒される状態をより安価且つ確実に減らすことができる。

前記基板上にメタル含有レジストの被膜を形成する成膜処理部による処理の後から前記露光処理が行われる前の期間において、前記被膜を不活性ガスと接触させる第２ガス接触部をさらに有する態様としてもよい。

上記の構成とすることで、露光処理が行われる前の被膜についても、第２ガス接触部によって不活性ガスと接触するため、メタル含有レジストによる被膜が大気雰囲気に接触する時間を短くすることができる。

前記基板処理装置では、前記基板を搬送する搬送装置と、前記搬送装置を制御する制御部と、を更に有し、前記ガス接触部は、前記インタフェースブロックに設けられ、露光処理後の前記基板を収容する収容室と、前記収容室内に前記ガスを供給するガス供給部と、を含み、前記制御部は、前記熱処理部が前記基板を受け入れ可能となった後に前記基板を前記収容室から搬出し、前記熱処理部に搬入するように、前記搬送装置を制御する態様としてもよい。

上記の構成とすることで、他の基板に対して加熱処理が完了するまでは、収容室において基板を不活性ガスと接触させることができる。これにより、基板がユニット外で待機することで水分及び／または酸素と接触する時間を減らすことができる。

前記基板処理装置では、前記熱処理部から搬出された前記基板を収容し、前記基板を温度調整処理する温度調整ユニットと、をさらに有し、前記熱処理部は、前記基板を加熱する熱板を有し、前記ガス接触部は、前記熱板における加熱処理後の前記基板を収容するように前記熱処理部に設けられた第２収容室と、前記第２収容室内に前記不活性ガスを供給する第２ガス供給部と、をさらに含み、前記制御部は、前記温度調整ユニットが前記基板を受け入れ可能となった後に、前記基板を前記第２収容室から搬出し、前記温度調整ユニットに搬入するように、前記搬送装置を制御する態様としてもよい。

上記の構成とすることで、他の基板に対して温度調整処理が完了するまでは、熱処理部に設けられた第２収容室において基板を不活性ガスと接触させることができる。これにより、基板がユニット外で待機することで水分及び／または酸素と接触する時間を減らすことができる。

前記基板処理装置では、前記ガス接触部は、前記温度調整ユニット内に前記不活性ガスを供給する第３ガス供給部をさらに含み、前記制御部は、前記現像処理部が前記基板を受け入れ可能となった後に前記基板を前記温度調整ユニットから搬出し、前記現像処理部に搬入するように、前記搬送装置を制御する態様としてもよい。

上記の構成とすることで、他の基板に対して現像処理が完了するまでは、温度調整ユニットにおいて基板を不活性ガスと接触させることができる。これにより、基板がユニット外で待機することで水分及び／または酸素と接触する時間を減らすことができる。

前記基板処理装置では、前記熱処理部は、前記基板を加熱する熱板を有し、前記ガス接触部は、前記熱板における加熱処理後の前記基板を収容するように前記熱処理部に設けられた第２収容室と、前記第２収容室内に前記不活性ガスを供給する第２ガス供給部と、を含み、前記制御部は、前記現像処理部が前記基板を受け入れ可能となった後に、前記基板を前記第２収容室から搬出し、前記現像処理部に搬入するように、前記搬送装置を制御する態様としてもよい。

上記の構成とすることで、他の基板に対して現像処理が完了するまでは、熱処理部に設けられた第２収容室において基板を不活性ガスと接触させることができる。これにより、基板がユニット外で待機することで水分及び／または酸素と接触する時間を減らすことができる。

一つの例示的実施形態に係る基板処理方法は、基板上に、メタル含有レジストの被膜を形成することと、前記被膜に対して露光処理が施された前記基板を加熱処理することと、前記加熱処理が施された前記基板の前記被膜を現像処理することと、前記露光処理の後から前記現像処理が行われる前の期間において、前記被膜を不活性ガスと接触させることと、を含む。

上記の基板処理方法によれば、ガス接触部において被膜が不活性ガスと接触するため、ガス接触部を設けない場合と比べて、メタル含有レジストによる被膜が大気雰囲気に接触する時間を短くすることができる。

一つの例示的実施形態に係る基板処理プログラムは、基板処理をコンピュータに実行させる基板処理プログラムであって、基板上に、メタル含有レジストの被膜を形成することと、前記被膜に対して露光処理が施された前記基板を加熱処理することと、前記加熱処理が施された前記基板の前記被膜を現像処理することと、前記露光処理の後から前記現像処理が行われる前の期間において、前記被膜を不活性ガスと接触させることと、を前記コンピュータに実行させる。

上記の基板処理プログラムによれば、ガス接触部において被膜が不活性ガスと接触するため、ガス接触部を設けない場合と比べて、メタル含有レジストによる被膜が大気雰囲気に接触する時間を短くすることができる。

［例示的実施形態］
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

［基板処理システム］
基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象のワークＷは、例えば基板、あるいは所定の処理が施されることで膜又は回路等が形成された状態の基板である。当該基板は、一例として、シリコンウェハである。ワークＷ（基板）は、円形であってもよい。ワークＷは、ガラス基板、マスク基板、又はＦＰＤ（Flat Panel Display）などであってもよい。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。

図１及び図２に示されるように、基板処理システム１は、塗布現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ワークＷ（基板）上に形成されたレジスト膜（感光性被膜）を露光する露光処理用の装置である。露光装置３の内部空間は、例えば実質的な真空状態に保たれている。具体的には、露光装置３は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。エネルギー線は、例えば、電離放射線又は非電離放射線である。電離放射線は、原子又は分子を電離させるのに十分なエネルギーを有する放射線である。電離放射線は、極端紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet）、電子線、イオンビーム、Ｘ線、α線、β線、γ線、重粒子線、陽子線などであってもよい。非電離放射線は、原子又は分子を電離させるのに十分なエネルギーを有しない放射線である。非電離放射線は、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ２エキシマレーザーなどであってもよい。

塗布現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ワークＷの表面にレジスト（薬液）を塗布してレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。基板処理システム１は、金属を含有するレジスト（以下、「メタル含有レジスト」という。）を用いて、メタル含有レジストの被膜を形成する。例えば、基板処理システム１は、酸化金属を含有するレジストを用いて上記被膜を形成してもよい。

［基板処理装置］

以下、基板処理装置の一例として、塗布現像装置２の構成を説明する。図１及び図２に示されるように、塗布現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、制御装置１００とを備える。

キャリアブロック４は、塗布現像装置２内へのワークＷの導入及び塗布現像装置２内からのワークＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ワークＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のワークＷを収容する。搬送装置Ａ１は、キャリアＣからワークＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からワークＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。処理ブロック５は、複数の処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。

処理モジュール１１は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１１は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりワークＷの表面上に下層膜を形成する。塗布ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をワークＷ上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１２は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１２は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にメタル含有レジストの被膜を形成する。つまり、処理モジュール１２は、成膜処理部として機能する。塗布ユニットＵ１は、被膜形成用の処理液として、メタル含有レジストを下層膜の上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、被膜の形成に伴う各種熱処理を行う。これにより、ワークＷの表面にメタル含有レジストの被膜が形成される。

処理モジュール１３は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１３は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。塗布ユニットＵ１は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１４は、現像ユニットＵ３（現像処理部）と、熱処理ユニットＵ４（熱処理部）と、温度調整ユニットＵ５（不活性ガス接触部）と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１４は、現像ユニットＵ３及び熱処理ユニットＵ４により、露光処理が施された被膜の現像処理及び現像処理に伴う加熱処理を行う。これにより、ワークＷの表面にメタル含有レジストを用いたレジストパターンが形成される。現像ユニットＵ３は、露光済みのワークＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、メタル含有レジストの被膜の現像処理を行う。或いは、現像ユニットＵ３は、現像ガスを用いたドライ現像によって、メタル含有レジストの被膜の現像処理を行ってもよい。例えば、メタル含有レジストがポジ型である場合、ワークＷを現像ガスに晒すことにより、ワークＷの金属含有レジストのうち、ＥＵＶによって露光された領域が選択的に除去されてもよい。メタル含有レジストがネガ型である場合、ワークＷを現像ガスに晒すことにより、ワークＷの金属含有レジストのうち、ＥＵＶによって露光された領域以外の領域が選択的に除去されてもよい。熱処理ユニットＵ４は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）等が挙げられる。現像ユニットＵ３は、熱処理ユニットＵ４により加熱処理（ＰＥＢ）が施されたワークＷを現像処理する。また、温度調整ユニットＵ５は、熱処理ユニットＵ４により加熱処理（ＰＥＢ）が施されたワークＷについて、現像ユニットＵ３で現像処理を行う前に温度調整を行う機能を有する。

以下、特に説明がない限り、熱処理ユニットＵ４での加熱処理は、「現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ）」であるとして説明する。また、メタル含有レジストの被膜は、単に「被膜」として説明する。

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームを含む搬送装置Ａ７が設けられている。搬送装置Ａ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でワークＷを昇降させる。

インタフェースブロック６は、露光装置３との間でワークＷの受け渡しを行う。インタフェースブロック６には、棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。搬送装置Ａ３は、処理ブロック５内の各ユニットと棚ユニットＵ１１のセルとの間でワークＷを受け渡す。

また、インタフェースブロック６は、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。インタフェースブロック６には、ガス供給ユニットＵ６（不活性ガス接触部）が設けられる。ガス供給ユニットＵ６は、ワークＷの表面に形成された被膜を、不活性ガスと接触させる機能を有する。ガス供給ユニットＵ６の構成については後述する。さらに、インタフェースブロック６には、上述のガス供給ユニットＵ６のほか、ワークＷの表面または裏面を洗浄する洗浄ユニットＵ７が設けられている。

インタフェースブロック６における搬送装置Ａ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたワークＷを露光装置３に渡す。搬送装置Ａ８は、露光装置３からワークＷを受け取ってガス供給ユニットＵ６を介して棚ユニットＵ１１に戻す。さらに、搬送装置Ａ８は、棚ユニットＵ１１と洗浄ユニットＵ７との間とのワークＷの受け渡しも行う。そのため、搬送装置Ａ８は、インタフェースブロック６内に複数配置される。図１～３で示す例では、搬送装置Ａ８は、インタフェースブロック６内に３台配置されている。

制御装置１００は、例えば以下の手順で塗布現像処理を実行するように塗布現像装置２を制御する。まず制御装置１００は、キャリアＣ内のワークＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように搬送装置Ａ１を制御し、このワークＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１１内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの表面上に下層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、下層膜が形成されたワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１２内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの下層膜上にメタル含有レジストの被膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの被膜上に上層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のワークＷを露光装置３に送り出すように搬送装置Ａ８を制御する。その後制御装置１００は、露光処理が施されたワークＷを露光装置３から受け入れて、ガス供給ユニットＵ６に搬入するように搬送装置Ａ８を制御する。そして、制御装置１００は、ガス供給ユニットＵ６内のワークＷを棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように搬送装置Ａ８を制御する。

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のワークＷを処理モジュール１４内の熱処理ユニットＵ４に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。そして、制御装置１００は、ワークＷの被膜に加熱処理を施すように熱処理ユニットＵ４を制御する。次に、制御装置１００は、温度調整ユニットＵ５により加熱後のワークＷの温度調整を行う。次に、制御装置１００は、温度調整後のワークＷの被膜に現像処理、及び現像処理後の加熱処理を施すように現像ユニットＵ３及び熱処理ユニットＵ４を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷをキャリアＣ内に戻すように搬送装置Ａ７及び搬送装置Ａ１を制御する。以上で塗布現像処理が完了する。

なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、メタル含有レジストの被膜を形成する成膜処理を行うユニット、露光処理後に被膜を加熱処理する熱処理ユニット、被膜を現像処理する現像ユニット、及びこれらを制御可能な制御装置を備えていればどのようなものであってもよい。ガス供給ユニットＵ６は、キャリアブロック４又は処理モジュール１１，１２，１３，１４内に設けられてもよい。

上記の基板処理装置における塗布現像処理において、メタル含有レジストは、露光してから現像処理を開始するまでの間にも反応が進む。そのため、露光装置３での露光処理終了後から露光後にワークＷを処理モジュール１４の熱処理ユニットＵ４において、露光後の熱処理（ＰＥＢ）を行うまでの露光後遅延時間（ＰＥＤ時間）の長さが線幅（ＣＤ）に影響を与える可能性がある。また、露光後の熱処理（ＰＥＢ）を行った後に、現像ユニットＵ３においてワークＷの現像処理を開始するまでの加熱後遅延時間（ＰＰＤ時間）の長さもワークＷ表面の線幅（ＣＤ）に影響を与える可能性がある。具体的には、露光後遅延時間（ＰＥＤ時間）及び／または加熱後遅延時間（ＰＰＤ時間）が長くなると、ワークＷに形成された被膜の線幅が大きくなる傾向がある。つまり、ワークＷ毎に露光後遅延時間（ＰＥＤ時間及び加熱後遅延時間（ＰＰＤ時間）の合計時間が変動すると、ワークＷ毎の線幅のバラツキが大きくなる。これは、上述の遅延時間において、メタル含有レジストが周辺雰囲気の水分及び／または酸素と反応することに由来すると考えられる。また、酸素と同様に、酸素原子を含むガスである二酸化炭素も、メタル含有レジストの線幅（ＣＤ）に影響を与え得る。つまり、周辺雰囲気の水分、酸素、及び／または二酸化炭素を含む状態を大気雰囲気とした際に、大気雰囲気下においては、メタル含有レジストの線幅（ＣＤ）が影響を受けやすい。大気雰囲気は、空気で満たされた雰囲気と言い換えることができる。

しかしながら、上述の搬送装置は互いに非同期で独立して制御されるため、搬送の都合によりワークＷ毎に遅延時間が必然的にばらついてしまう。したがって、ワークＷにおける線幅均一性を確保するには、上述の遅延時間において、ワークＷの表面と水分との接触を低減することが必要となる。そのための構成として、基板処理装置では、露光装置３から搬出されたワークＷが現像ユニットＵ３へ搬入するまでの経路中で、ワークＷの表面と水分及び／または酸素との接触を避けながら上述の遅延時間を経過させるための構成を有する。具体的には、ガス供給ユニットＵ６、熱処理ユニットＵ４及び温度調整ユニットＵ５において、ワークＷの表面のメタル含有レジストと水分及び／または酸素との接触を避けながら上述の遅延時間を経過させる。そのための具体的な構成について説明する。

（ガス供給ユニット）
まず、ガス供給ユニットＵ６の構成について説明する。図４に示されるように、ガス供給ユニットＵ６は、チャンバ２０と、複数の支持ピン２５と、ガス供給部３０とを備える。

チャンバ２０は、ガス処理を行う熱処理空間を形成する。チャンバ２０は、上チャンバ２１と、下チャンバ２２とを備える。上チャンバ２１は、駆動部（不図示）に接続されており、下チャンバ２２に対して上下方向に移動する。上チャンバ２１は、チャンバ２０内に配置されるワークＷと対向する天板と、ワークＷを囲む側壁とを含む。下チャンバ２２は、保持部２３を含んでおり、ワークＷを保持する保持板２４を支持している。

支持ピン２５は、ワークＷを下方から支持するピンである。支持ピン２５は、保持板２４を貫通するように上下方向に延びている。複数の支持ピン２５は、保持板２４の中心周りの周方向において互いに等間隔に配置されていてもよい。駆動部２６は、制御装置１００の指示に応じて支持ピン２５を昇降させる。駆動部２６は、例えば昇降アクチュエータである。

ガス供給部３０は、チャンバ２０内（熱処理空間）にガスを供給するように構成されている。ガス供給部３０が供給するガスとは、不活性ガスである。一例として、ガス供給部３０は、チャンバ２０内に窒素（Ｎ_２）ガスを供給する。ただし、不活性ガスは窒素ガスに代えてアルゴン（Ａｒ）ガスであってもよく、その他の不活性ガスであってもよい。不活性ガスは、水分、酸素、二酸化炭素等を含む空気と比較して、メタル含有レジストとの反応性が低く、メタル含有レジストの線幅（ＣＤ）に影響を与え難い性質を有する。不活性ガスは、メタル含有レジストの線幅（ＣＤ）に影響を与え得るガスを含まないガスであってもよい。不活性ガスは、酸素を含まないガスであってもよい。不活性ガスは、二酸化炭素を含まないガスであってもよい。ガス供給部３０は、ガス供給源３１と、バルブ３２と、配管３３とを備える。ガス供給源３１は、ガスの供給源として機能する。バルブ３２は、制御装置１００の指示に応じて開状態と閉状態とに切り替わる。ガス供給源３１は、バルブ３２が開状態であるときに、配管３３を介してチャンバ２０内（熱処理空間）にガスを送り出す。

上述のガス供給ユニットＵ６では、ワークＷを保持する際にチャンバ２０を閉じた状態で、ガス供給部３０からガスを供給する。その結果、チャンバ２０内部が不活性ガス雰囲気となることから、ワークＷの表面と水分との接触が抑制される。

（熱処理ユニット）
次に、熱処理ユニットＵ４の構成について説明する。図５に示されるように、熱処理ユニットＵ４は、処理室４０と、温度調整部５０と、加熱部６０と、を備える。

処理室４０は、熱処理の対象であるワークＷを収容する。処理室４０は、筐体４１を含んで構成される。筐体４１は、温度調整部５０及び加熱部６０を収容する処理容器である。筐体４１の側壁には、ワークＷを搬入するための搬入口４２が開口されている。

温度調整部５０は、処理室４０内においてワークＷの温度を所定温度に調整する機構である。温度調整部５０におけるワークＷの温度の調整は、熱処理ユニットＵ４における熱処理に一部に含まれてもよい。温度調整部５０は、外部の搬送装置Ａ３との間でワークＷの受け渡しを行う。温度調整部５０は、温度調整プレート５１と、連結ブラケット５２と、駆動機構５３と、チャンバ５４と、ガス供給部５８と、を有する。

温度調整プレート５１は、載置されたワークＷの温度調整を行うプレートである。具体的には、温度調整プレート５１は、加熱部６０により加熱されたワークＷを載置し、所定温度までワークＷを冷却するクールプレートである。例えば、温度調整プレート５１は、略円盤状に形成されていてもよい。温度調整プレート５１は、熱伝導性の高いアルミ、銀、又は銅等の金属によって構成されていてもよい。温度調整プレート５１の内部には、冷却水又は冷却気体を流通させるための冷却流路（不図示）が形成されている。

連結ブラケット５２は、温度調整プレート５１に連結されている。駆動機構５３は、制御装置１００の指示に基づいて動作し、連結ブラケット５２を移動させる。連結ブラケット５２は、駆動機構５３によって筐体４１内を移動する。具体的には、連結ブラケット５２は、筐体４１の搬入口４２と加熱部６０の近傍との間に延びるガイドレール（不図示）に沿って移動することにより、温度調整プレート５１が搬入口４２と加熱部６０との間を移動する。

チャンバ５４は、温度調整プレート５１を所定の位置に移動させた場合に、温度調整プレート５１のワークＷの載置面を囲むように構成されている。チャンバ５４は、上チャンバ５５と下チャンバ５６とによって構成される。上チャンバ５５は、天板部５５ａと、足部５５ｂとを有している。天板部５５ａは、温度調整プレート５１の載置面と上下方向において対向して配置される円板状として構成されている。足部５５ｂは、天板部５５ａの外縁から下方に延びるように構成されている。下チャンバ５６は、上チャンバ５５に上下方向において対向した位置に配置される。昇降機構５７は、制御装置１００の指示に応じて上チャンバ５５を昇降させる機構である。昇降機構５７により上チャンバ５５が上昇することによって、ワークＷの加熱処理を行う空間が開かれた状態となり、上チャンバ５５が下降することによって、ワークＷの加熱処理を行う空間が概ね閉じられた状態となる。なお、チャンバ５４は、完全に閉じた状態となっていなくてもよい。

ガス供給部５８（第２ガス供給部）は、チャンバ５４内（熱処理空間）にガスを供給するように構成されている。ガス供給部５８が供給するガスとは、不活性ガスである。一例として、ガス供給部５８は、チャンバ５４内に窒素（Ｎ_２）ガスを供給する。ただし、不活性ガスは窒素ガスに代えてアルゴン（Ａｒ）ガスであってもよく、その他の不活性ガスであってもよい。ガス供給部５８は、図示しないガス供給源と、バルブ５８ａと、配管５８ｂとを備える。ガス供給源は、ガスの供給源として機能する。バルブ５８ａは、制御装置１００の指示に応じて開状態と閉状態とに切り替わる。ガス供給源は、バルブ５８ａが開状態であるときに、配管５８ｂを介してチャンバ５４内（熱処理空間）にガスを送り出す。

加熱部６０は、処理室４０内においてワークＷを加熱処理する機構である。加熱部６０は、支持台６１と、熱板６２と、ヒータ６３と、チャンバ６４（蓋体）と、昇降機構６５と、支持ピン６６と、昇降機構６７とを有する。

支持台６１は、中央部分に窪みが形成された円筒形状を呈していて、熱板６２を支持している。熱板６２は、例えば略円盤状であって、支持台６１の窪みに収容される。熱板６２の載置面６２ａに処理対象のワークＷが載置されることで、熱板６２はワークＷを支持する。この状態で、熱板６２は、載置されたワークＷを加熱する。熱板６２の下面には、熱板６２を加熱するためのヒータ６３が設けられていてもよい。ヒータ６３は、熱板６２内に埋め込まれていてもよい。

チャンバ６４は、熱板６２におけるワークＷの載置面６２ａを囲むように構成されている。チャンバ６４は、天板部６４ａと、足部６４ｂとを有している。天板部６４ａは、熱板６２の載置面６２ａと上下方向において対向して配置される円板状として構成されている。足部６４ｂは、天板部６４ａの外縁から下方に延びるように構成されている。昇降機構６５は、制御装置１００の指示に応じてチャンバ６４を昇降させる機構である。昇降機構６５によりチャンバ４４が上昇することによって、ワークＷの加熱処理を行う空間が開かれた状態となり、チャンバ６４が下降することによって、ワークＷの加熱処理を行う空間が閉じられた状態となる。

支持ピン６６は、支持台６１及び熱板６２を貫通するように上下方向に延びており、ワークＷを下方から支持するピンである。支持ピン６６は、上下方向に昇降することにより、ワークＷを所定の位置に配置する。支持ピン６６は、ワークＷを搬送する温度調整プレート５１との間でワークＷの受け渡しを行う。支持ピン６６は、例えば周方向に等間隔に配置された３本のピンにより構成されてもよい。昇降機構６７は、制御装置１００の指示に応じて支持ピン４６を昇降させる機構である。昇降機構６７は、熱板６２に対してワークＷを近づけ、熱板６２にワークＷが載置されるように、ワークＷを支持する支持ピン６６を昇降可能に構成されている。

排気部７０は、処理室４０から気体を排出する。例えば、排気部７０は、処理室４０から熱処理ユニットＵ４（塗布現像装置２）の外部へ気体を排出する。排気部７０は、排気ダクト７１と、開閉部７２とを含む。排気ダクト７１は、処理室４０内の空間（筐体４１により区画される空間）と排出先とを接続する。開閉部７２は、排気ダクト７１の流路上に設けられて、制御装置１００の指示に応じて排気ダクト７１の流路を開放状態又は遮断状態に切り替える。

排気部７５は、支持台６１及びチャンバ６４により区画される、チャンバ６４内の空間から気体を排出する。このチャンバ６４内の空間は、処理室４０内の空間に含まれている。例えば、排気部７５は、チャンバ６４内から熱処理ユニットＵ４（塗布現像装置２）の外部へ気体を排出する。排気部７５は、排気ダクト７６と、開閉部７７とを含む。排気ダクト７６は、チャンバ６４内の空間と排出先とを接続する。排気ダクト７６は、例えば、チャンバ６４の天板部６４ａに接続される。開閉部７７は、排気ダクト７６の流路上に設けられて、制御装置１００の指示に応じて排気ダクト７６の流路を開放状態又は遮断状態に切り替える。

なお、排気部７０及び排気部７５から排出される気体の総排気量は、開閉部７２，７７の開閉状態を制御することにより変化させることができる。

上述の熱処理ユニットＵ４では、温度調整プレート５１においてワークＷを保持する際にチャンバ５４を閉じた状態で、ガス供給部５８からガスを供給する。その結果、チャンバ５４内部が不活性ガス雰囲気となることから、ワークＷの表面と水分との接触が抑制される。

（温度調整ユニット）
次に、温度調整ユニットＵ５の構成について説明する。図６に示されるように、温度調整ユニットＵ５は、温調板８４と、チャンバ８０と、複数の支持ピン８５と、ガス供給部９０とを備える。

温調板８４は、温度調整の対象のワークＷを支持し、支持している当該ワークＷを所定の温度に調節する。温調板９４は、一例として略円板状に形成されている。温調板９４は、熱伝導率の高いアルミ、銀、又は銅等の金属によって構成されてもよい。温調板９４は、図示しない冷媒等によって冷却されていてもよい。

チャンバ８０は、温度調整処理を行う処理空間を形成する。チャンバ８０は、上チャンバ８１と、下チャンバ８２とを備える。上チャンバ８１は、駆動部（不図示）に接続されており、下チャンバ８２に対して上下方向に移動する。上チャンバ８１は、温調板９４上のワークＷと対向する天板と、温調板８４上のワークＷを囲む側壁とを含む。下チャンバ８２は、保持部８３を含んでおり、温調板８４を保持している。

支持ピン８５は、ワークＷを下方から支持するピンである。支持ピン８５は、温調板８４を貫通するように上下方向に延びている。複数の支持ピン８５は、温調板８４の中心周りの周方向において互いに等間隔に配置されていてもよい。駆動部８６は、制御装置１００の指示に応じて支持ピン８５を昇降させる。駆動部８６は、例えば昇降アクチュエータである。

ガス供給部９０（第３ガス供給部）は、チャンバ８０内（熱処理空間）にガスを供給するように構成されている。例えば、ガス供給部９０は、ガスとして不活性ガスを供給する。例えば、ガス供給部９０は、チャンバ８０内に窒素ガスを供給する。ガス供給部９０は、ガス供給源９１と、バルブ９２と、配管９３とを備える。ガス供給源９１は、ガスの供給源として機能する。バルブ９２は、制御装置１００の指示に応じて開状態と閉状態とに切り替わる。ガス供給源９１は、バルブ９２が開状態であるときに、配管９３を介してチャンバ８０内にガスを送り出す。

上述の温度調整ユニットＵ５では、ワークＷを保持する際にチャンバ８０を閉じた状態で、ガス供給部９０からガスを供給する。その結果、チャンバ８０内部が不活性ガス雰囲気となることから、ワークＷの表面と水分との接触が抑制される。

（制御装置）
図２及び図７に示される制御装置１００は、塗布現像装置２に含まれる各要素を制御する。制御装置１００は、ワークＷ上に、メタル含有レジストの被膜を形成することと、被膜に対して露光処理が施されたワークＷを加熱処理することと、加熱処理が施されたワークＷの被膜を現像処理することと、露光処理の後から現像処理が行われる前の期間において、被膜を不活性ガスと接触させることと、を実行するように構成されている。

図７に示されるように、制御装置１００は、機能上の構成（以下、「機能モジュール」という。）として、待機制御設定部１０２と、搬送制御部１０４と、ユニット制御部１０６と、動作指令保持部１０８とを有する。動作指令保持部１０８には、例えば複数のワークＷそれぞれに対する搬送計画を含む処理スケジュールが含まれていてもよい。

待機制御設定部１０２は、各ワークＷに係る搬送基準時間を算出し、搬送基準時間から、各ワークＷについて不活性ガスを接触させる時間を設定するように構成されている。例えば搬送基準時間は、１つのワークＷに対して処理モジュール１２による露光装置３から搬出されたワークＷの現像ユニットＵ３への搬入までにかかる時間に対する一定の目標値である。待機制御設定部１０２は、動作指令保持部１０８に保持されている搬送計画に基づいて搬送基準時間を取得する。

搬送基準時間には、ワークＷが処理モジュール１４の熱処理ユニットＵ４または温度調整ユニットＵ５において処理される時間も含まれる。各ユニットでワークＷに対して所定の処理を実行するは決まっているため、搬送基準時間のうち残りの時間が、ワークＷに対して所定の処理を行わずに待機する待機時間となる。

つまり、待機時間は、いずれかの搬送装置が当該ワークＷを支持して搬送している時間と、当該ワークＷが搬送装置により搬送されていない時間とを含む。待機制御設定部１０２は、各ワークＷをどのユニットで待機させるかを決定する。上述したように、待機時間は、各ワークＷができるだけ不活性ガスと接触するように、ガス供給ユニットＵ６、熱処理ユニットＵ４の温度調整部５０、及び、温度調整ユニットＵ５のいずれかでワークＷを待機させるように、より詳細な待機時間や制御内容を決定する。

図８に示すように露光装置３から搬出されたワークＷは、少なくとも熱処理ユニットＵ４及び、温度調整ユニットＵ５を経て、現像ユニットＵ３へ搬入される。また、一部のワークＷは、熱処理ユニットＵ４よりも前段でガス供給ユニットＵ６を経由する。この経路上において、ガス供給ユニットＵ６、熱処理ユニットＵ４の温度調整部５０、及び、温度調整ユニットＵ５は、不活性ガスがワークＷ表面に供給される空間を有している。したがって、待機制御設定部１０２は、ワークＷ毎に、どの空間でどれだけの時間待機させるかを決定する。

塗布現像装置２は、ガス供給ユニットＵ６、熱処理ユニットＵ４、及び、温度調整ユニットＵ５を、互いに異なる台数有している。したがって、ワークＷ毎にその移動経路は異なって設定される。また、複数のワークＷが装置内で同時に処理されるため、全てのワークを同じ待機位置で待機させる制御を行うと、塗布現像装置２において処理するワークＷの枚数が少なくなってしまう。そのため、待機制御設定部１０２は、ワークＷの処理効率を考慮しながら、各ワークＷの待機場所及び待機時間決定する。なお、ワークＷによっては、ガス供給ユニットＵ６を経由しない場合がある。ガス供給ユニットＵ６を経由するか否かについても、待機制御設定部１０２によって決定される。

搬送制御部１０４は、ワークＷを搬送するように搬送装置Ａ３及び搬送装置Ａ８を制御する。搬送制御部１０４は、待機制御設定部１０２により設定された待機位置及び待機時間に基づいて、ワークＷ毎の移動タイミング等を制御する。搬送制御部１０４は、調整された収容待機時間にて各ワークＷを所定のユニットに搬入するように搬送装置Ａ３，Ａ８を制御する。

ユニット制御部１０６は、動作指令保持部１０８に基づいて、ワークＷが搬入される各ユニット（例えば、現像ユニットＵ３、熱処理ユニットＵ４、温度調整ユニットＵ５、及び、ガス供給ユニットＵ６）を制御する。

制御装置１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御装置１００は、図９に示される回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、タイマー１２４と、入出力ポート１２５とを有する。ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述の基板処理手順を制御装置１００に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート１２５は、プロセッサ１２１からの指令に従って、搬送装置Ａ３，Ａ８及び各ユニットとの間で電気信号の入出力を行う。タイマー１２４は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。

なお、制御装置１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御装置１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。

［基板処理手順］
続いて、基板処理方法の一例として、塗布現像装置２において実行される基板処理手順を説明する。この基板処理手順は、ワークＷに被膜（メタル含有レジストの被膜）を形成することと、被膜が形成され、当該被膜に露光処理が施されたワークＷに対して加熱処理することと、加熱処理が施されたワークＷの被膜を現像処理することと、を含む。さらに、基板処理手順は、露光後の被膜を現像する前に、ワークＷの表面に対して不活性ガスを接触させることを含む。

また、以下の手順では、制御装置１００の待機制御設定部１０２によって、各ワークＷの待機場所及び待機時間が決定されているものとする。

図１０は、露光処理以降のワークＷの処理手順を示すフローチャートである。まず、制御装置１００は、ステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１では、ユニット制御部１０６が、動作指令保持部１０８に記憶されている搬送計画に基づいて、ワークＷに対する露光処理を実行する。

次に、制御装置１００は、ステップＳ０２を実行する。ステップＳ０２では、搬送制御部１０４は、動作指令保持部１０８に記憶されている搬送計画と、待機制御設定部１０２により設定された待機位置及び待機時間に基づいて、露光処理が終了したワークＷをガス供給ユニットＵ６経由の経路で搬送するか否かを判定する。判定の結果、ガス供給ユニットＵ６を経由すると判定した場合（Ｓ０２－ＹＥＳ）、制御装置１００は、ステップＳ０３を実行する。ステップＳ０３では、搬送制御部１０４は、ワークＷをガス供給ユニットＵ６に搬入するように搬送装置Ａ８を制御する。さらに、ステップＳ０３では、ユニット制御部１０６は、ガス供給ユニットＵ６を制御して、ワークＷを搬入する際にチャンバ２０の開閉動作を行うと共に、ガス供給部３０からのガスの供給を開始させてもよい。

次に、制御装置１００は、ステップＳ０４を実行する。ステップＳ０４では、搬送制御部１０４は、待機制御設定部１０２により設定された待機位置及び待機時間に基づいて、ガス供給ユニットＵ６において所定の待機時間が経過したかを判定する。所定の待機時間が経過していない場合（Ｓ０４－ＮＯ）、所定の待機時間が経過するまでワークＷをガス供給ユニットＵ６内に待機させる。一方、所定の待機時間が経過した場合（Ｓ０４－ＹＥＳ）、制御装置１００は、ステップＳ０５を実行する。ステップＳ０５では、搬送制御部１０４は、ワークＷをガス供給ユニットＵ６から搬出するように、搬送装置Ａ８を制御する。

ステップＳ０２において、ワークＷがガス供給ユニットＵ６を経由しないと判定した場合（Ｓ０２－ＮＯ）、または、ステップＳ０５を実行した後、制御装置１００は、ステップＳ０６を実行する。ステップＳ０６では、搬送制御部１０４は、ワークＷを熱処理ユニットＵ４に搬入するように搬送装置Ａ８を制御する。さらに、ステップＳ０６では、ユニット制御部１０６は、熱処理ユニットＵ４を制御して、処理室４０内の加熱部６０においてワークＷを所定時間加熱した後に、温度調整部５０に移動させる。

次に、制御装置１００は、ステップＳ０７を実行する。ステップＳ０７では、搬送制御部１０４は、待機制御設定部１０２により設定された待機位置及び待機時間に基づいて、熱処理ユニットＵ４において所定の待機時間が経過したかを判定する。所定の待機時間が経過していない場合（Ｓ０７－ＮＯ）、所定の待機時間が経過するまでワークＷを温度調整部５０内に待機させる。なお、待機制御設定部１０２により、熱処理ユニットＵ４の温度調整部５０では待機をさせないように設定がされた場合には、所定の待機時間が経過した（Ｓ０７－ＹＥＳ）として、後段の処理へ移行する。

所定の待機時間が経過した場合（Ｓ０７－ＹＥＳ）、制御装置１００は、ステップＳ０８を実行する。ステップＳ０８では、搬送制御部１０４は、ワークＷを熱処理ユニットＵ４から搬出し、さらに、温度調整ユニットＵ５へ搬入するように、搬送装置Ａ３を制御する。また、ステップＳ０８では、ユニット制御部１０６は、温度調整ユニットＵ５を制御して、ワークＷを搬入する際にチャンバ８０の開閉動作を行うと共に、ガス供給部９０からのガスの供給を開始させてもよい。

次に、制御装置１００は、ステップＳ０９を実行する。ステップＳ０９では、搬送制御部１０４は、待機制御設定部１０２により設定された待機位置及び待機時間に基づいて、温度調整ユニットＵ５において所定の待機時間が経過したかを判定する。所定の待機時間が経過していない場合（Ｓ０９－ＮＯ）、所定の待機時間が経過するまでワークＷを温度調整ユニットＵ５内に待機させる。一方、所定の待機時間が経過した場合（Ｓ０９－ＹＥＳ）、制御装置１００は、ステップＳ１０を実行する。ステップＳ１０では、搬送制御部１０４は、ワークＷを温度調整ユニットＵ５から搬出し、さらに、現像ユニットＵ３へ搬入するように、搬送装置Ａ３を制御する。その後、制御装置１００は、ステップＳ１１を実行する。ステップＳ１１では、ユニット制御部１０６は、現像ユニットＵ３を制御して、ワークＷに対する現像処理を行う。これにより、ワークＷの現像処理が完了する。

［実施形態の効果］
以上説明した本実施形態に係る塗布現像装置２は、メタル含有レジストの被膜を形成する成膜処理部としての塗布ユニットＵ１と、被膜に対して露光処理が施されたワークＷを加熱処理する熱処理部としての熱処理ユニットＵ４と、加熱処理が施されたワークＷの被膜を現像処理する現像ユニットＵ３と、露光処理の後から現像処理が行われる前の期間において、被膜を不活性ガスと接触させるガス接触部（例えば、ガス供給ユニットＵ６、熱処理ユニットＵ４及び温度調整ユニットＵ５）と、を有する。

上記の塗布現像装置２は、ガス接触部において被膜が不活性ガスと接触するため、ガス接触部を設けない場合と比べて、メタル含有レジストによる被膜が大気雰囲気に接触する時間を短くすることができる。上記実施形態で説明したように、ガス接触部として機能する、ガス供給ユニットＵ６、熱処理ユニットＵ４及び温度調整ユニットＵ５において、ワークＷの表面のメタル含有レジストと水分及び／または酸素との接触を避けることができるため、大気雰囲気との接触時間を短くすることができる。

ガス接触部は、所定の筐体内にワークＷを一次的に載置すると共に、前記筐体内に前記ガスを供給するガス供給部を含むガス処理ユニットとしてのガス供給ユニットＵ６であってもよい。また、ガス供給ユニットＵ６は、インタフェースブロック６に設けられていてもよい。このような構成とすることで、ガス供給ユニットＵ６内にワークＷを搬送することで、被膜を不活性ガスと接触させることができる。また、このガス供給ユニットＵ６がインタフェースブロック６に設けられている場合、露光装置３との間でワークＷを搬送する途中でワークＷをガス供給ユニットＵ６に搬送することができる。そのため、ガス供給ユニットＵ６への搬送時間も短くすることができ、ワークＷが大気雰囲気に晒される時間を減らすことができる。

熱処理部としての熱処理ユニットＵ４は、ワークＷを加熱する熱板６２と、熱板６２における加熱処理後のワークＷを保持する温度調整プレート５１と、を有していてもよい。このとき、ガス接触部は、熱処理ユニットＵ４の温度調整プレート５１と、温度調整プレート５１上のワークＷの被膜が不活性ガスと接触するように、不活性ガスを供給する第２ガス供給部としてのガス供給部５８を含んでいてもよい。熱処理ユニットＵ４において、加熱処理後に温度調整プレート５１で保持されるワークＷの被膜についても、不活性ガスと接触させることができる。

ガス接触部は、第２ガス供給部としてのガス供給部５８から供給された不活性ガスが被膜と接触するように温度調整プレート５１の周囲を囲むチャンバ５４をさらに含んでいてもよい。温度調整プレート５１の周囲をチャンバ５４で囲む構成とすることで、ガス供給部５８から供給された不活性ガスを被膜と接触させやすくなる。

ガス接触部は、熱処理ユニットＵ４から搬出されたワークＷを、現像処理部としての現像ユニットＵ３に搬入する前に一次的に保持する温度調整ユニットＵ５であってもよい。このとき、温度調整ユニットＵ５は、ユニット内に不活性ガスを供給する第３ガス供給部としてのガス供給部９０を含んでいてもよい。このような構成とすることで、温度調整ユニットＵ５においても、ワークＷの被膜を不活性ガスと接触させることができるため、ワークＷが大気雰囲気に晒される時間を減らすことができる。

塗布現像装置２は、ガス接触部におけるワークＷの接触期間と、ガス接触部へのワークＷの搬送と、を制御する制御部としての制御装置１００をさらに有してもよい。このような構成とすることで、制御装置１００によって、ガス接触部におけるワークＷの接触期間と、ワークＷの搬送と、を制御することが可能になり、例えば、複数のワークＷの搬送経路等を調節しながら、各ワークＷのメタル含有レジストによる被膜が大気雰囲気に接触する時間を短くすることができる。

このとき、ガス接触部は、所定の筐体としてのチャンバ２０内にワークＷを一次的に載置すると共に、筐体内にガスを供給するガス供給部３０を含むガス処理ユニットしてのガス供給ユニットＵ６であってもよい。また、ガス供給ユニットＵ６は、インタフェースブロック６に設けられていてもよい。このとき、制御装置１００は、ワークＷをガス供給ユニットＵ６に搬送し、ガス供給ユニットＵ６において、被膜を不活性ガスに所定時間接触させる制御を行ってもよい。このような構成とした場合制御装置１００によってガス供給ユニットＵ６にワークＷを搬送することで、被膜を不活性ガスと接触させることができる。

熱処理部としての熱処理ユニットＵ４は、ワークＷを加熱する熱板６２と、熱板６２における加熱処理後のワークＷを保持する温度調整プレート５１と、不活性ガスを供給する第２ガス供給部としてのガス供給部５８を含んでいてもよい。このとき、制御装置１００は、ガス供給ユニットＵ６から搬出されたワークＷに対して、温度調整プレート５１上で、被膜を不活性ガスに所定時間接触させる制御を行ってもよい。このような構成とすることで、制御装置１００によって温度調整プレート５１上で基板を待機させながら、被膜を不活性ガスと接触させることができる。

熱処理ユニットＵ４から搬出されたワークＷを、現像処理部としての現像ユニットＵ３に搬入する前に一次的に保持する温度調整ユニットＵ５をさらに有していてもよい。このとき、温度調整ユニットＵ５は、ユニット内に不活性ガスを供給する第３ガス供給部としてのガス供給部９０を含んでいてもよい。このとき、制御装置１００は、熱処理ユニットＵ４から搬出されたワークＷに対して、温度調整ユニットＵ５において、被膜を不活性ガスに所定時間接触させる制御を行う態様としてもよい。このような構成とした場合、制御装置１００によって温度調整ユニットＵ５にワークＷを搬送することで、被膜を不活性ガスと接触させることができる。

また、上記の不活性ガスは窒素ガスである態様としてもよい。このような構成とすることで、基板が大気雰囲気に晒される状態をより安価且つ確実に減らすことができる。なお、ガス接触部においてワークＷと接触させるガスは、その純度が１００％である必要はなく、不活性ガスとは異なる成分が含まれていてもよい。ただし、上述のように、気体中の水分がワークＷの被膜の線幅（ＣＤ）に影響を与えることも考えられるため、ガス接触部から供給するガスに含まれる水分が所望の範囲（例えば、５％以下）に調節されていることで、線幅（ＣＤ）への影響を小さくすることができる。同様に、ガス接触部において供給するガスに含まれる酸素成分を小さくするように調節することも、線幅（ＣＤ）への影響を小さくすることに有効である。一方で、酸素量の調節が線幅（ＣＤ）のコントロールに有効である場合、不活性ガスに所定量の酸素成分を混合させたガスをワークＷに対して供給する構成としてもよい。

［変形例］
以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。

（ガス接触部の形状の変形例）
上記実施形態では、ガス接触部が、ガス供給ユニットＵ６、熱処理ユニットＵ４及び温度調整ユニットＵ５において実現される例を説明した。また、これらの構成例として、１枚のワークＷを保持した状態で、ワークＷに対して不活性ガスを接触させる構成について説明した。しかしながら、このような構成に代えて、複数のワークＷを不活性ガスに対して同時に接触させる構成を採用してもよい。このような構成の例として、図１１及び図１２を参照しながら２つの例を示す。図１１及び図１２に示す変形例は、ガス供給ユニットＵ６及び温度調整ユニットＵ５のどちらにも適用することができる。

図１１には、第１の例として、上方から不活性ガスを供給するガス接触部としてガス供給ユニットＵ１２の構成を示している。ガス接触部として機能するガス供給ユニットＵ１２は、ワークＷを保持する基板保持部２０１と、基板保持部２０１の上方及び側方を囲む包囲部２０２と、包囲部２０２の上方から包囲部内に不活性ガスを供給するガス供給口２０３とを有している。基板保持部２０１は上下方向に複数並んでいて、複数の基板保持部２０１によって複数のワークＷを保持可能であってもよい。また、包囲部２０２は、駆動部２０４によって、上下方向に駆動可能であってもよい。また、包囲部２０２は、下端は床面２０５に対して離間し、包囲部２０２の下端２０２ａと床面２０５との間に空間（隙間）が設けられていてもよい。なお、包囲部２０２には、ガス供給口２０３とは別の種類のガスを供給するガス供給口２０６が設けられていてもよい。この場合、ガス供給口２０６から供給するガスとしては、例えば、酸素等が挙げられる。

このとき、図１１（ａ）に示すように、包囲部２０２内にガス供給口２０３から不活性ガスが供給されることで、内部の大気は下方に押し出される。不活性ガスが窒素ガスである場合、窒素ガスよりも大気中の酸素または二酸化酸素はその比重の差によって窒素ガスによって下方に押し込まれ、下端２０２ａと床面２０５との間に隙間から外方へ押し出される。したがって、下方に隙間がある包囲部２０２を用いた場合であっても、不活性ガスとワークＷの被膜との接触を実現することができる。

なお、ワークＷを移動させる際には、図１１（ｂ）に示すように、駆動部２０４の駆動によって、包囲部２０２を上方へ移動させる。これにより、下端２０２ａと床面２０５との間の隙間が大きくなり、ワークＷの移動が可能となる。なお、基板保持部２０１自体を移動可能な構成としてもよい。

図１２には、第２の例として、包囲部の形状が変更されたガス供給ユニットＵ１３の構成を示している。ガス接触部として機能するガス供給ユニットＵ１３は、ワークＷを保持する基板保持部３０１と、基板保持部３０１の上方及び下方と、側方の一部とを囲む包囲部３０２と、包囲部３０２内へ不活性ガスを供給するガス供給口３０３とを有している。基板保持部３０１は上下方向に複数２枚のワークＷを保持可能であってもよい。また、包囲部３０２は、駆動部３０４によって、水平方向に駆動可能であってもよい。また、包囲部３０２及び駆動部３０４は、筐体３０５内に配置されていてもよい。

このとき、図１２（ａ）に示すように、包囲部３０２内のガス供給口３０３から不活性ガスが供給されることで、内部の大気は側方の開口から外方へ押し出される。したがって、側方に隙間がある包囲部３０２を用いた場合であっても、不活性ガスとワークＷの被膜との接触を実現することができる。

なお、ワークＷを移動させる際には、図１２（ｂ）に示すように、駆動部３０４の駆動によって、包囲部３０２を水平方向に、基板保持部３０１と重ならない位置まで移動させる。これにより、ワークＷの移動が可能となる。このガス供給ユニットＵ１３は、ガス供給ユニットＵ１２と比べて、ユニットの低背化が可能であるため、上下方向の空間の大きさに制限がある場合に有効な構成となり得る。なお、包囲部３０２を移動させることに代えて、基板保持部３０１を移動可能な構成としてもよい。また、ガス供給ユニットＵ１２と同様に、ガス供給口３０３とは別の種類のガスを供給するガス供給口が別途設けられていてもよい。

（その他の変形例）
上記実施形態では、ガス接触部が、ガス供給ユニットＵ６、熱処理ユニットＵ４及び温度調整ユニットＵ５において実現される例を説明したが、この中の一部のみにおいてガス接触部として実現されていてもよい。例えば、ガス供給ユニットＵ６のみがガス接触部として機能する構成であってもよい。

上記実施形態では、ガス供給ユニットＵ６を用いて、露光処理後のワークＷに対して不活性ガスを接触させる構成を説明した。この構成とは別に、成膜処理部による処理の後から露光処理が行われる前、すなわち、露光装置３に搬入される前のワークＷについて、ワークＷの被膜を不活性ガスと接触させる第２ガス接触部をさらに有していてもよい。第２ガス接触部の構成は、例えば、図４に示すガス供給ユニットＵ６と同様の構成とすることができる。また、第２ガス接触部を塗布現像装置２に配置する場合、例えば、図２または図３に示す洗浄ユニットＵ７が配置されているインタフェースブロック６の一部分に配置することが考えられる。

上記実施形態では、露光処理後の被膜が水分及び／または酸素と接触することで、線幅（ＣＤ）に影響を与えることについて説明したが、露光処理が行われる前の被膜と水分及び／または酸素との接触も、被膜の線幅に影響し得る。すなわち、上記実施形態では、露光後遅延時間（ＰＥＤ時間）が線幅（ＣＤ）に影響を与える可能性があるについて説明したが、露光前の露光前遅延時間の長さも線幅（ＣＤ）に影響を与える可能性がある。したがって、第２ガス接触部を配置する構成とすることで、メタル含有レジストの線幅をより安定して調整することができる。

また、第２ガス接触部を配置する場合、上記のようにインタフェースブロック６にユニットとして配置することに代えて、または加えて、別の構成を採用してもよい。例えば、メタル含有レジストをワークＷに塗布した後、露光前の加熱処理を行う前に、第２ガス接触部としてのユニットまたは機能部が設けられていてもよい。また、上記の場所に限らず、ワークＷの搬送経路における各モジュールについて、熱処理ユニットＵ４と同様に、不活性ガスを接触させる機能を設けるように構成してもよい。上述のように、ワークＷは、塗布現像装置２のキャリアＣから取り出され、キャリアブロック４から処理ブロック５へ搬送された後、処理ブロック５においてメタル含有レジストによる被膜形成と露光前の熱処理とが行われ、その後、露光前の熱処理を行った後、インタフェースブロック６へ搬送され、インタフェースブロック６から露光装置３へ搬送される。被膜を形成した後に限られず、露光装置３を搬送する前のワークＷに対して不活性ガスを接触させる第２ガス接触部としての機能が、ワークＷの経路上にユニットまたは機能部として設けられていていてもよい。

さらに、上記の不活性ガスとワークＷ上の被膜とを接触させる構成は、塗布現像装置２とは異なる装置にも適用が可能である。例えば、ワークＷに対する塗布処理のみを行う塗布装置においても、上述の第２ガス接触部に対応する機能を搭載させてもよい。

以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。

（基板処理の変形例）
塗布現像装置２では、複数のワークＷが同時に処理される。そこで、各ユニットにおいてワークＷの処理が完了するまでは、次に処理されるワークＷをガス接触部において不活性ガスに晒すように搬送計画が実行される。そして、各ユニットにおいて次に処理されるワークＷを受け入れ可能になった後に、次に処理されるワークＷが搬入されるように搬送計画が実行される。

図１３には、基板処理方法の別の一例を示すフローチャートを示している。まず、制御装置１００は、ステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１では、ユニット制御部１０６が、動作指令保持部１０８に記憶されている搬送計画に基づいて、ワークＷに対する露光処理を実行する。

次に、制御装置１００は、ステップＳ０２を実行する。ステップＳ０２では、搬送制御部１０４は、露光処理が終了したワークＷをガス供給ユニットＵ６に搬入するように搬送装置Ａ８を制御する。ステップＳ０２では、ユニット制御部１０６は、ガス供給ユニットＵ６を制御して、チャンバ２０（収容室）の開閉動作を行い、ワークＷをチャンバ２０に収容する。それと共に、ユニット制御部１０６は、ガス供給部３０からのチャンバ２０内へのガスの供給を開始させる。この際に、ガス供給ユニットＵ６が、ガス接触部として機能する。ユニット制御部１０６は、ワークＷがチャンバ２０に収容される前から、ガス供給部３０からチャンバ２０内へのガスの供給を開始させ、予めチャンバ２０内を不活性ガスで満たしておいてもよい。

次に、制御装置１００は、ステップＳ０３を実行する。ステップＳ０３では、搬送制御部１０４は、熱処理ユニットＵ４がワークＷを受け入れ可能か否か判定する。例えば搬送制御部１０４は、ワークＷの搬送履歴、又は熱処理ユニットＵ４から得られるステータス信号等に基づいて、熱処理ユニットＵ４がワークＷを受け入れ可能かどうかを判定する。判定の結果、熱処理ユニットＵ４がワークＷを受け入れ可能ではない場合（Ｓ０３－ＮＯ）、搬送制御部１０４は、ワークＷをガス供給ユニットＵ６から搬出しないように搬送装置Ａ８を制御する。この際に、ワークＷは、ガス供給ユニットＵ６内において、継続して不活性ガスに晒されてもよい。言い換えれば、搬送制御部１０４は、ワークＷをガス供給ユニットＵ６内に待機させてもよい。また、熱処理ユニットＵ４がワークＷを受け入れ可能ではない場合とは、例えば、熱処理ユニットＵ４内において他のワークＷに対する熱処理が行われている場合が考えられる。上記の構成とすることで、他のワークＷに対して加熱処理が完了するまでは、ガス供給ユニットＵ６においてワークＷを不活性ガスと接触させることができる。これにより、ワークＷがユニット外で待機することで水分、酸素、及び／または二酸化炭素と接触する時間を減らすことができる。

判定の結果、熱処理ユニットＵ４がワークＷを受け入れ可能である場合（Ｓ０３－ＹＥＳ）、制御装置１００は、ステップＳ０４を実行する。ステップＳ０４では、搬送制御部１０４は、ワークＷをガス供給ユニットＵ６におけるチャンバ２０から搬出し、熱処理ユニットＵ４に搬入するように搬送装置Ａ８を制御する。

続いて、制御装置１００は、ステップＳ０５を実行する。ステップＳ０５では、ユニット制御部１０６は、熱処理ユニットＵ４を制御して、加熱部６０の熱板６２においてワークＷを所定時間加熱した後に、温度調整部５０の温度調整プレート５１に移動させる。ステップＳ０５では、ユニット制御部１０６は、熱処理ユニットＵ４を制御して、温度調整部５０のチャンバ５４（第２収容室）の開閉動作を行い、ワークＷをチャンバ５４に収容する。それと共に、ユニット制御部１０６は、ガス供給部５８（第２ガス供給部）からのチャンバ５４内へのガスの供給を開始させてもよい。この際に、熱処理ユニットＵ４における温度調整部５０が、ガス接触部として機能してもよい。ユニット制御部１０６は、ワークＷがチャンバ５４に収容される前から、ガス供給部５８からチャンバ５４内へのガスの供給を開始させ、予めチャンバ５４内を不活性ガスで満たしておいてもよい。

次に、制御装置１００は、ステップＳ０６を実行する。ステップＳ０６では、搬送制御部１０４は、温度調整ユニットＵ５がワークＷを受け入れ可能か否か判定する。例えば搬送制御部１０４は、ワークＷの搬送履歴、又は温度調整ユニットＵ５から得られるステータス信号等に基づいて、温度調整ユニットＵ５がワークＷを受け入れ可能かどうかを判定する。判定の結果、温度調整ユニットＵ５がワークＷを受け入れ可能ではない場合（Ｓ０６－ＮＯ）、搬送制御部１０４は、ワークＷを熱処理ユニットＵ４における温度調整部５０から搬出しないように搬送装置Ａ３を制御する。この場合、ワークＷは、熱処理ユニットＵ４における温度調整部５０内において、継続して不活性ガスに晒されてもよい。言い換えれば、搬送制御部１０４は、ワークＷを熱処理ユニットＵ４における温度調整部５０内に待機させてもよい。また、温度調整ユニットＵ５がワークＷを受け入れ可能ではない場合とは、例えば、温度調整ユニットＵ５内において他のワークＷに対する温度調整処理が行われている場合が考えられる。上記の構成とすることで、他のワークＷに対して温度調整処理が完了するまでは、熱処理ユニットＵ４に含まれる温度調整部５０においてワークＷを不活性ガスと接触させることができる。これにより、ワークＷがユニット外で待機することで水分、酸素、及び／または二酸化炭素と接触する時間を減らすことができる。

判定の結果、温度調整ユニットＵ５がワークＷを受け入れ可能である場合（Ｓ０６－ＹＥＳ）、制御装置１００は、ステップＳ０７を実行する。ステップＳ０７では、搬送制御部１０４は、ワークＷを熱処理ユニットＵ４における温度調整部５０のチャンバ５４から搬出し、温度調整ユニットＵ５に搬入するように搬送装置Ａ３を制御する。ステップＳ０７では、ユニット制御部１０６は、温度調整ユニットＵ５を制御して、温度調整ユニットＵ５のチャンバ８０の開閉動作を行い、ワークＷをチャンバ８０に収容する。それと共に、ユニット制御部１０６は、ガス供給部９０（第３ガス供給部）からのチャンバ８０内へのガスの供給を開始させてもよい。この際に、温度調整ユニットＵ５が、ガス接触部として機能してもよい。ユニット制御部１０６は、ワークＷがチャンバ８０に収容される前から、ガス供給部９０からチャンバ８０内へのガスの供給を開始させ、予めチャンバ８０内を不活性ガスで満たしておいてもよい。

次に、制御装置１００は、ステップＳ０８を実行する。ステップＳ０８では、搬送制御部１０４は、現像ユニットＵ３がワークＷを受け入れ可能か否か判定する。例えば搬送制御部１０４は、ワークＷの搬送履歴、又は現像ユニットＵ３から得られるステータス信号等に基づいて、現像ユニットＵ３がワークＷを受け入れ可能かどうかを判定する。判定の結果、現像ユニットＵ３がワークＷを受け入れ可能ではない場合（Ｓ０８－ＮＯ）、搬送制御部１０４は、ワークＷを温度調整ユニットＵ５から搬出しないように搬送装置Ａ３を制御する。この場合、ワークＷは、温度調整ユニットＵ５内において、継続して不活性ガスに晒されてもよい。言い換えれば、搬送制御部１０４は、ワークＷを温度調整ユニットＵ５内に待機させてもよい。また、現像ユニットＵ３がワークＷを受け入れ可能ではない場合とは、例えば、現像ユニットＵ３内において他のワークＷに対する現像処理が行われている場合が考えられる。上記の構成とすることで、他のワークＷに対して現像処理が完了するまでは、温度調整ユニットＵ５においてワークＷを不活性ガスと接触させることができる。これにより、ワークＷがユニット外で待機することで水分、酸素、及び／または二酸化炭素と接触する時間を減らすことができる。

判定の結果、現像ユニットＵ３がワークＷを受け入れ可能である場合（Ｓ０８－ＹＥＳ）、制御装置１００は、ステップＳ０９を実行する。ステップＳ０９では、搬送制御部１０４は、ワークＷを温度調整ユニットＵ５のチャンバ８０から搬出し、現像ユニットＵ３に搬入するように搬送装置Ａ３を制御する。

最後に、制御装置１００は、ステップＳ１０を実行する。ステップＳ１０では、ユニット制御部１０６は、現像ユニットＵ３を制御して、ワークＷに対する現像処理を行う。これにより、ワークＷに対する一連の基板処理が完了する。

塗布現像装置が温度調整ユニットＵ５を備えない場合、ステップＳ０６，Ｓ０７が省略され、ステップＳ０５の後にステップＳ０８が実行される。ステップＳ０９では、熱処理ユニットＵ４からワークＷが搬出される。

塗布現像装置が温度調整ユニットＵ５を備える場合においても、搬送制御部１０４は、温度調整ユニットＵ５を経ることなく、一部のワークＷを熱処理ユニットＵ４から現像ユニットＵ３に直接搬送してもよい。例えば、熱処理ユニットＵ４における温度調整部５０内にワークＷが配置された状態にて、次のワークＷが熱処理ユニットＵ４への搬入を待機する前に、現像ユニットＵ３へのワークＷの搬入が可能となった場合に、搬送制御部１０４は、熱処理ユニットＵ４から現像ユニットＵ３にワークＷを直接搬送してもよい。このように、温度調整ユニットＵ５を経由することを部分的に省略することで、搬送装置Ａ３の負担を軽減することができる。

上述した手順において、搬送制御部１０４は、各ユニットにおいて他のワークＷに対する処理が完了し、ワークＷを受け入れ可能となった場合においても、必ずしもすぐにワークＷを搬送するように搬送装置Ａ８又はＡ３を制御しなくてもよい。例えば、熱処理ユニットＵ４における温度調整部５０のチャンバ５４においてワークＷが不活性ガスに晒されており、温度調整ユニットＵ５において他のワークＷに対する温度調整処理が完了した場合を想定する。この場合においても、例えば、次に熱処理ユニットＵ４で処理されるさらに他のワークＷがまだガス供給ユニットＵ６に搬入されていない場合、ワークＷは、熱処理ユニットＵ４における温度調整部５０内において、継続して不活性ガスに晒されてもよい。或いは、さらに他のワークＷに対してガス供給ユニットＵ６において処理される時間が十分に経過していない場合、ワークＷは、継続して不活性ガスに晒されてもよい。このように、温度調整部５０、ガス供給ユニットＵ６、又は温度調整ユニットＵ５等におけるワークＷの待機時間を適宜変更することで、搬送装置Ａ３の負担を時系列で分散させることができる。

（塗布現像装置の第１変形例）
塗布現像装置の構成は、実施形態に係る塗布現像装置２に限られない。第１変形例に係る塗布現像装置では、インタフェースブロック６に設けられた棚ユニットＵ１１がガス接触部として機能してもよい。この場合、例えば、棚ユニットＵ１１は、ガス供給部３０に接続されている。そして、ユニット制御部１０６は、棚ユニットＵ１１の複数のセル内にガス供給部３０から不活性ガスを供給するように、棚ユニットＵ１１及びガス供給部３０を制御する。棚ユニットＵ１１がガス接触部として機能する場合、インタフェースブロック６に、ガス供給ユニットＵ６が設けられてなくてもよい。

（塗布現像装置の第２変形例）
図１４には、第２変形例に係る塗布現像装置２Ａを例示する模式図を示している。塗布現像装置２Ａは、第１処理ブロック５Ａと、第２処理ブロック５Ｂとを備えている点において、実施形態に係る塗布現像装置２と相違し、それ以外の構成においては塗布現像装置２と同じである。第１処理ブロック５Ａ及び第２処理ブロック５Ｂは、互いに隣接して並んでいる。図１４の例では、第１処理ブロック５Ａは、キャリアブロック４に隣接して配置されている。第２処理ブロック５Ｂは、インタフェースブロック６に隣接して配置されている。

図１５には、塗布現像装置２ＡのＸＶ－ＸＶ線矢視図に対応する構成を例示している。第１処理ブロック５Ａ及び第２処理ブロック５Ｂのそれぞれは、シャトル搬送路Ｓ１を有している点において、処理ブロック５の構成と相違し、それ以外の構成においては、処理ブロック５と同じである。処理モジュール１１側を下側、処理モジュール１４側を上側とした際に、シャトル搬送路Ｓ１は、処理モジュール１４の上に配置されている。シャトル搬送路Ｓ１内には、シャトル搬送装置Ａ０が設けられている。ここで、第１処理ブロック５Ａ内に設けられた棚ユニットを棚ユニットＵ１０Ａとし、第２処理ブロック５Ｂに設けられた棚ユニットを棚ユニットＵ１０Ｂとする。

第１処理ブロック５Ａ内のシャトル搬送装置Ａ０は、棚ユニットＵ１０Ａと棚ユニットＵ１０Ｂとの間において双方向にワークＷを搬送する。また、第２処理ブロック５Ｂ内のシャトル搬送装置Ａ０は、棚ユニットＵ１０Ｂと棚ユニットＵ１１との間において双方向にワークＷを搬送する。

棚ユニットＵ１０Ａ、棚ユニットＵ１０Ｂ、棚ユニットＵ１１、第１処理ブロック５Ａ内のシャトル搬送路Ｓ１、及び第２処理ブロック５Ｂ内のシャトル搬送路Ｓ１のうち、少なくとも一つは、ガス接触部として機能する。棚ユニットＵ１０Ａ、棚ユニットＵ１０Ｂ、棚ユニットＵ１１、第１処理ブロック５Ａ内のシャトル搬送路Ｓ１、及び第２処理ブロック５Ｂ内のシャトル搬送路Ｓ１は、既存のガス供給部と接続されていてもよい。既存のガス供給部とは、例えば、熱処理ユニットＵ４内に設けられたガス供給部５８である。或いは、棚ユニットＵ１０Ａ、棚ユニットＵ１０Ｂ、棚ユニットＵ１１、第１処理ブロック５Ａ内のシャトル搬送路Ｓ１、及び第２処理ブロック５Ｂ内のシャトル搬送路Ｓ１は、新たに設けられたガス供給部と接続されていてもよい。ユニット制御部１０６は、棚ユニットＵ１０Ａ、棚ユニットＵ１０Ｂ、及び棚ユニットＵ１１の複数のセル内にガス供給部から不活性ガスを供給するように、各棚ユニット及び各棚ユニットに接続されたガス供給部を制御する。また、ユニット制御部１０６は、第１処理ブロック５Ａ内のシャトル搬送路Ｓ１、及び第２処理ブロック５Ｂ内にガス供給部から不活性ガスを供給するように、各シャトル搬送路Ｓ１及び各シャトル搬送路Ｓ１に接続されたガス供給部を制御する。

以下、棚ユニットＵ１０Ａ、棚ユニットＵ１０Ｂ、棚ユニットＵ１１、第１処理ブロック５Ａ内のシャトル搬送路Ｓ１、及び第２処理ブロック５Ｂ内のシャトル搬送路Ｓ１のうち、少なくとも一つがガス接触部として機能するいくつかのパターンについて説明する。

第１のパターンとして、第２処理ブロック５Ｂにおいて熱処理が行われ、第１処理ブロック５Ａにおいて現像処理が行われる場合について説明する。搬送制御部１０４は、露光処理後のワークＷを棚ユニットＵ１１に搬入するように搬送装置Ａ８を制御する。棚ユニットＵ１１は、第２処理ブロック５Ｂ内の熱処理ユニットＵ４において熱処理が可能になるまでワークＷを保管してもよい。この際に、棚ユニットＵ１１は、ガス接触部として機能し、ワークＷが不活性ガス雰囲気に晒される。続いて、搬送制御部１０４は、第２処理ブロック５Ｂ内の熱処理ユニットＵ４において熱処理が可能になったら、ワークＷを棚ユニットＵ１１から搬出後、熱処理ユニットＵ４に搬入するように、第２処理ブロック５Ｂ内の搬送装置Ａ３を制御する。第２処理ブロック５Ｂ内の熱処理ユニットＵ４に設けられた温度調整部５０がガス接触部として機能し、ワークＷが不活性ガス雰囲気に晒される。続いて、搬送制御部１０４は、熱処理されたワークＷを、熱処理ユニットＵ４から搬出後、棚ユニットＵ１０Ｂに搬入するように、第２処理ブロック５Ｂ内の搬送装置Ａ３を制御する。棚ユニットＵ１０Ｂは、第１処理ブロック５Ａ内の現像ユニットＵ３において現像処理が可能になるまでワークＷを保管してもよい。この際に、棚ユニットＵ１０Ｂは、ガス接触部として機能し、ワークＷが不活性ガス雰囲気に晒される。続いて、搬送制御部１０４は、第１処理ブロック５Ａ内の現像ユニットＵ３において現像処理が可能になったら、ワークＷを棚ユニットＵ１０Ｂから搬出後、現像ユニットＵ３に搬入するように、第１処理ブロック５Ａ内の搬送装置Ａ３を制御する。続いて、搬送制御部１０４は、現像処理されたワークＷを、現像ユニットＵ３から搬出後、棚ユニットＵ１０Ａに搬入するように、第１処理ブロック５Ａ内の搬送装置Ａ３を制御する。棚ユニットＵ１０Ａは、ワークＷを外部に搬出する準備が整うまでワークＷを保管してもよい。この際に、棚ユニットＵ１０Ａは、ガス接触部として機能し、ワークＷが不活性ガス雰囲気に晒される。

第２のパターンとして、第２処理ブロック５Ｂにおいて熱処理及び現像処理が行われる場合について説明する。ワークＷが第２処理ブロック５Ｂ内の熱処理ユニットＵ４において熱処理されるまでの工程は、第１のパターンと同じである。搬送制御部１０４は、熱処理されたワークＷを、熱処理ユニットＵ４から搬出後、第２処理ブロック５Ｂ内の温度調整ユニットＵ５に搬入するように、第２処理ブロック５Ｂ内の搬送装置Ａ３を制御する。温度調整ユニットＵ５がガス接触部として機能し、ワークＷが不活性ガス雰囲気に晒される。続いて、搬送制御部１０４は、温度調整されたワークＷを、温度調整ユニットＵ５から搬出後、第２処理ブロック５Ｂ内の現像ユニットＵ３に搬入するように、第２処理ブロック５Ｂ内の搬送装置Ａ３を制御する。搬送制御部１０４は、現像処理されたワークＷを、現像ユニットＵ３から搬出後、棚ユニットＵ１０Ｂに搬入するように、第２処理ブロック５Ｂ内の搬送装置Ａ３を制御する。この際に、棚ユニットＵ１０Ｂは、ガス接触部として機能し、ワークＷが不活性ガス雰囲気に晒される。続いて、搬送制御部１０４は、第１処理ブロック５Ａ内のシャトル搬送装置Ａ０を制御して、ワークＷを棚ユニットＵ１０Ｂから搬出し、棚ユニットＵ１０Ａに搬入する。この際に、第１処理ブロック５Ａ内のシャトル搬送路Ｓ１は、ガス接触部として機能し、ワークＷが不活性ガス雰囲気に晒される。棚ユニットＵ１０Ａは、ワークＷを外部に搬出する準備が整うまでワークＷを保管してもよい。この際に、棚ユニットＵ１０Ａは、ガス接触部として機能し、ワークＷが不活性ガス雰囲気に晒される。

第３のパターンとして、第１処理ブロック５Ａにおいて熱処理及び現像処理が行われる場合について説明する。搬送制御部１０４は、露光処理後のワークＷを棚ユニットＵ１１に搬入するように搬送装置Ａ８を制御する。この際に、棚ユニットＵ１１は、ガス接触部として機能し、ワークＷが不活性ガス雰囲気に晒される。続いて、搬送制御部１０４は、第２処理ブロック５Ｂ内のシャトル搬送装置Ａ０を制御して、ワークＷを棚ユニットＵ１１から搬出し、棚ユニットＵ１０Ｂに搬入する。この際に、第２処理ブロック５Ｂ内のシャトル搬送路Ｓ１は、ガス接触部として機能し、ワークＷが不活性ガス雰囲気に晒される。棚ユニットＵ１０Ｂは、第１処理ブロック５Ａ内の熱処理ユニットＵ４において熱処理が可能になるまでワークＷを保管してもよい。この際に、棚ユニットＵ１０Ｂは、ガス接触部として機能し、ワークＷが不活性ガス雰囲気に晒される。続いて、搬送制御部１０４は、第１処理ブロック５Ａ内の熱処理ユニットＵ４において熱処理が可能になったら、ワークＷを棚ユニットＵ１０Ｂから搬出後、熱処理ユニットＵ４に搬入するように、第１処理ブロック５Ａ内の搬送装置Ａ３を制御する。第１処理ブロック５Ａ内の熱処理ユニットＵ４に設けられた温度調整部５０がガス接触部として機能し、ワークＷが不活性ガス雰囲気に晒される。続いて、搬送制御部１０４は、熱処理されたワークＷを、熱処理ユニットＵ４から搬出後、第１処理ブロック５Ａ内の温度調整ユニットＵ５に搬入するように、第１処理ブロック５Ａ内の搬送装置Ａ３を制御する。温度調整ユニットＵ５がガス接触部として機能し、ワークＷが不活性ガス雰囲気に晒される。続いて、搬送制御部１０４は、温度調整されたワークＷを、温度調整ユニットＵ５から搬出後、第１処理ブロック５Ａ内の現像ユニットＵ３に搬入するように、第１処理ブロック５Ａ内の搬送装置Ａ３を制御する。続いて、搬送制御部１０４は、現像処理されたワークＷを、現像ユニットＵ３から搬出後、棚ユニットＵ１０Ａに搬入するように、第１処理ブロック５Ａ内の搬送装置Ａ３を制御する。棚ユニットＵ１０Ａは、ワークＷを外部に搬出する準備が整うまでワークＷを保管してもよい。この際に、棚ユニットＵ１０Ａは、ガス接触部として機能し、ワークＷが不活性ガス雰囲気に晒される。

第４のパターンとして、第２処理ブロック５ＢにおいてワークＷを熱処理後、熱処理されたワークＷを外部に搬出する場合について説明する。熱処理されたワークＷが棚ユニットＵ１０Ｂに搬入されるまでの工程は、第１のパターンと同じである。搬送制御部１０４は、第１処理ブロック５Ａ内のシャトル搬送装置Ａ０を制御して、ワークＷを棚ユニットＵ１０Ｂから搬出し、棚ユニットＵ１０Ａに搬入する。この際に、第１処理ブロック５Ａ内のシャトル搬送路Ｓ１は、ガス接触部として機能し、ワークＷが不活性ガス雰囲気に晒される。棚ユニットＵ１０Ａは、ワークＷを外部に搬出する準備が整うまでワークＷを保管してもよい。この際に、棚ユニットＵ１０Ａは、ガス接触部として機能し、ワークＷが不活性ガス雰囲気に晒される。

第５のパターンとして、露光処理されたワークＷを外部に搬出する場合について説明する。搬送制御部１０４は、露光処理後のワークＷを棚ユニットＵ１１に搬入するように搬送装置Ａ８を制御する。この際に、棚ユニットＵ１１は、ガス接触部として機能し、ワークＷが不活性ガス雰囲気に晒される。続いて、搬送制御部１０４は、第２処理ブロック５Ｂ内のシャトル搬送装置Ａ０を制御して、ワークＷを棚ユニットＵ１１から搬出し、棚ユニットＵ１０Ｂに搬入する。この際に、第２処理ブロック５Ｂ内のシャトル搬送路Ｓ１は、ガス接触部として機能し、ワークＷが不活性ガス雰囲気に晒される。加えて、棚ユニットＵ１０Ｂは、ガス接触部として機能し、ワークＷが不活性ガス雰囲気に晒される。続いて、搬送制御部１０４は、第１処理ブロック５Ａ内のシャトル搬送装置Ａ０を制御して、ワークＷを棚ユニットＵ１０Ｂから搬出し、棚ユニットＵ１０Ａに搬入する。この際に、第１処理ブロック５Ａ内のシャトル搬送路Ｓ１は、ガス接触部として機能し、ワークＷが不活性ガス雰囲気に晒される。棚ユニットＵ１０Ａは、ワークＷを外部に搬出する準備が整うまでワークＷを保管してもよい。この際に、棚ユニットＵ１０Ａは、ガス接触部として機能し、ワークＷが不活性ガス雰囲気に晒される。

棚ユニットＵ１０Ａ、棚ユニットＵ１０Ｂ、棚ユニットＵ１１、第１処理ブロック５Ａ内のシャトル搬送路Ｓ１、及び第２処理ブロック５Ｂ内のシャトル搬送路Ｓ１のうち、少なくとも一つがガス接触部として機能する。これにより、ワークＷの被膜を不活性ガスと接触させる時間をより長く確保することができる。これにより、露光してから現像処理が開始されるまでのメタル含有レジストの反応を更に抑制し易くすることができる。

第１パターン～第５パターンのそれぞれにおいて、棚ユニットＵ１０Ｂがガス接触部として機能し、ワークＷが不活性ガス雰囲気に晒される際に、棚ユニットＵ１０Ｂは、ワークＷの温度を所定温度に調整する機構を有していてもよい。

第１パターン～第５パターンのそれぞれにおいて、搬送制御部１０４は、棚ユニット１０Ｂに代えて棚ユニット１０ＡにワークＷを搬入してもよい。例えば、搬送制御部１０４は、ワークＷを棚ユニットＵ１０Ｂに搬入する際に、棚ユニット１０Ｂの複数のセルが全て他のワークＷで埋まっている場合に、棚ユニット１０ＡにワークＷを搬入してもよい。例えば、第１のパターンでは、搬送制御部１０４は、熱処理されたワークＷを、第２処理ブロック５Ｂ内の熱処理ユニットＵ４から搬出後、棚ユニットＵ１０Ｂを経由して、棚ユニットＵ１０Ａに搬入するように、第１処理ブロック５Ａ内の搬送装置Ａ３を制御してもよい。或いは、搬送制御部１０４は、第１処理ブロック５Ａ内のシャトル搬送装置Ａ０を制御して、ワークＷを棚ユニットＵ１０Ｂを経由して、棚ユニットＵ１０Ａに搬入してもよい。そして、棚ユニットＵ１０Ａは、第１処理ブロック５Ａ内の現像ユニットＵ３において現像処理が可能になるまでワークＷを保管してもよい。この際に、棚ユニットＵ１０Ａは、ワークＷの温度を所定温度に調整する機構を有していてもよい。

第１パターン～第５パターンのそれぞれにおいて、棚ユニットＵ１０Ａは、ワークＷを外部に搬出する準備が整うまでの間だけでなく、ワークＷに対して再度何らかの処理をするまでの間にワークＷを保管してもよい。例えば、棚ユニットＵ１０Ａは、次の搬送先への搬送が可能となるまでの間、ワークＷを保管してもよい。次の搬送先は、例えば、キャリアブロック４であってもよい。次の搬送先は、例えば、塗布現像装置２内に設けられた他の処理ユニットであってもよい。他の処理ユニットでは、例えば、現像処理されたワークＷに対して、液処理、熱処理、又は研磨処理等が行われてもよい。ワークＷが保管される場所は、棚ユニットＵ１０Ａに限られず、棚ユニットＵ１０Ｂ、棚ユニットＵ１１、第１処理ブロック５Ａ内のシャトル搬送路Ｓ１、及び第２処理ブロック５Ｂ内のシャトル搬送路Ｓ１のうち、少なくとも一つであってもよい。この際に、ワークＷが保管される場所は、ガス接触部として機能する。この場合、第１パターン～第３パターンでは、現像処理されたワークＷが棚ユニットＵ１０Ａ、棚ユニットＵ１０Ｂ、棚ユニットＵ１１、第１処理ブロック５Ａ内のシャトル搬送路Ｓ１、及び第２処理ブロック５Ｂ内のシャトル搬送路Ｓ１のうち、少なくとも一つにおいて、不活性ガスに晒される。

１…基板処理システム、２…塗布現像装置、３…露光装置、４…キャリアブロック、５…処理ブロック、６…インタフェースブロック、２０…チャンバ（収容室）、３０…ガス供給部、３１…ガス供給源、４０…処理室、５０…温度調整部、５１…温度調整プレート、５４…チャンバ（第２収容室）、５８…ガス供給部（第２ガス供給部）、６２…熱板、８０…チャンバ、９０…ガス供給部（第３ガス供給部）、１００…制御装置、１０２…待機制御設定部、１０４…搬送制御部、１０６…ユニット制御部、１０８…動作指令保持部、Ａ３，Ａ８…搬送装置、Ｕ１…塗布ユニット、Ｕ２…熱処理ユニット、Ｕ３…現像ユニット（現像処理部）Ｕ４…熱処理ユニット（熱処理部）、Ｕ５…温度調整ユニット（ガス接触部）、Ｕ６…ガス供給ユニット（ガス接触部）、Ｕ７…洗浄ユニット、Ｕ１２，Ｕ１３…ガス供給ユニット、Ｗ…ワーク。

Claims (19)

1. メタル含有レジストの被膜を含む基板を処理する基板処理装置であって、
   前記被膜に対して露光処理が施された前記基板を加熱処理する熱処理部と、
   前記加熱処理が施された前記基板の前記被膜を現像処理する現像処理部と、
   前記露光処理の後から前記現像処理が行われる前の期間において、前記被膜を不活性ガスと接触させるガス接触部と、
   を有する、基板処理装置。
2. 前記ガス接触部は、
   所定の筐体内に前記基板を一次的に載置すると共に、前記筐体内に前記ガスを供給するガス供給部を含むガス処理ユニットであって、インタフェースブロックに設けられている、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記熱処理部は、
   前記基板を加熱する熱板と、
   前記熱板における加熱処理後の前記基板を保持する温度調整プレートと、
   を有し、
   前記ガス接触部は、
   前記熱処理部の前記温度調整プレートと、前記温度調整プレート上の前記基板の前記被膜が前記不活性ガスと接触するように、前記不活性ガスを供給する第２ガス供給部と、を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
4. 前記ガス接触部は、前記第２ガス供給部から供給された前記不活性ガスが前記被膜と接触するように前記温度調整プレートの周囲を囲むチャンバをさらに含む、請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記ガス接触部は、
   前記熱処理部から搬出された前記基板を、前記現像処理部に搬入する前に一次的に保持する温度調整ユニットであり、
   前記温度調整ユニット内に前記不活性ガスを供給する第３ガス供給部を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
6. 前記ガス接触部における前記基板の接触期間と、前記ガス接触部への前記基板の搬送と、を制御する制御部をさらに有する、請求項１に記載の基板処理装置。
7. 前記ガス接触部は、所定の筐体内に前記基板を一次的に載置すると共に、前記筐体内に前記ガスを供給するガス供給部を含むガス処理ユニットであり、
   前記ガス接触部は、インタフェースブロックに設けられていて、
   前記制御部は、前記基板を前記ガス処理ユニットに搬送し、前記ガス処理ユニットにおいて、前記被膜を前記不活性ガスに所定時間接触させる制御を行う、請求項６に記載の基板処理装置。
8. 前記熱処理部は、前記基板を加熱する熱板と、前記熱板における加熱処理後の前記基板を保持する温度調整プレートと、前記温度調整プレート上の前記基板の前記被膜が前記不活性ガスと接触するように、前記不活性ガスを供給する第２ガス供給部と、を有し、
   前記制御部は、前記ガス処理ユニットから搬出された前記基板に対して、前記熱処理部の前記温度調整プレート上で、前記被膜を前記不活性ガスに所定時間接触させる制御を行う、請求項７に記載の基板処理装置。
9. 前記熱処理部から搬出された前記基板を、前記現像処理部に搬入する前に一次的に保持する温度調整ユニットをさらに有し、
   前記温度調整ユニットは、前記温度調整ユニット内に前記不活性ガスを供給する第３ガス供給部を含み、
   前記制御部は、前記熱処理部から搬出された前記基板に対して、前記温度調整ユニットにおいて、前記被膜を前記不活性ガスに所定時間接触させる制御を行う、請求項８に記載の基板処理装置。
10. 前記ガス接触部は、前記基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部の上方及び側方を囲む包囲部と、前記包囲部の上方から前記包囲部内に前記不活性ガスを供給するガス供給口とを有し、
    前記包囲部内に不活性ガスが供給されることで、内部の大気が下方に押し出されることによって、前記不活性ガスを前記基板保持部に保持される前記基板と接触させる、請求項１に記載の基板処理装置。
11. 前記ガス接触部は、前記基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部の上方及び下方と、側方の一部とを囲む包囲部と、前記包囲部内に前記不活性ガスを供給するガス供給口とを有し、
    前記包囲部内に不活性ガスが供給されることで、内部の大気が開口している側方に押し出されることによって、前記不活性ガスを前記基板保持部に保持される前記基板と接触させる、請求項１に記載の基板処理装置。
12. 前記不活性ガスは窒素ガスである、請求項１に記載の基板処理装置。
13. 前記基板上にメタル含有レジストの被膜を形成する成膜処理部による処理の後から前記露光処理が行われる前の期間において、前記被膜を不活性ガスと接触させる第２ガス接触部をさらに有する、請求項１に記載の基板処理装置。
14. 前記基板を搬送する搬送装置と、
    前記搬送装置を制御する制御部と、を更に有し、
    前記ガス接触部は、
    インタフェースブロックに設けられ、露光処理後の前記基板を収容する収容室と、
    前記収容室内に前記ガスを供給するガス供給部と、
    を含み、
    前記制御部は、 前記熱処理部が前記基板を受け入れ可能となった後に前記基板を前記収容室から搬出し、前記熱処理部に搬入するように、前記搬送装置を制御する、請求項１に記載の基板処理装置。
15. 前記熱処理部から搬出された前記基板を収容し、前記基板を温度調整処理する温度調整ユニットと、をさらに有し、
    前記熱処理部は、前記基板を加熱する熱板を有し、
    前記ガス接触部は、
    前記熱板における加熱処理後の前記基板を収容するように前記熱処理部に設けられた第２収容室と、
    前記第２収容室内に前記不活性ガスを供給する第２ガス供給部と、
    をさらに含み、
    前記制御部は、
    前記温度調整ユニットが前記基板を受け入れ可能となった後に、前記基板を前記第２収容室から搬出し、前記温度調整ユニットに搬入するように、前記搬送装置を制御する、請求項１４に記載の基板処理装置。
16. 前記ガス接触部は、前記温度調整ユニット内に前記不活性ガスを供給する第３ガス供給部をさらに含み、
    前記制御部は、 前記現像処理部が前記基板を受け入れ可能となった後に前記基板を前記温度調整ユニットから搬出し、前記現像処理部に搬入するように、前記搬送装置を制御する、請求項１５に記載の基板処理装置。
17. 前記熱処理部は、前記基板を加熱する熱板を有し、
    前記ガス接触部は、
    前記熱板における加熱処理後の前記基板を収容するように前記熱処理部に設けられた第２収容室と、
    前記第２収容室内に前記不活性ガスを供給する第２ガス供給部と、を含み、
    前記制御部は、
    前記現像処理部が前記基板を受け入れ可能となった後に、前記基板を前記第２収容室から搬出し、前記現像処理部に搬入するように、前記搬送装置を制御する、請求項１４に記載の基板処理装置。
18. 基板上に、メタル含有レジストの被膜を形成することと、
    前記被膜に対して露光処理が施された前記基板を加熱処理することと、
    前記加熱処理が施された前記基板の前記被膜を現像処理することと、
    前記露光処理の後から前記現像処理が行われる前の期間において、前記被膜を不活性ガスと接触させることと、
    を含む、基板処理方法。
19. 基板処理をコンピュータに実行させる基板処理プログラムであって、
    基板上に、メタル含有レジストの被膜を形成することと、
    前記被膜に対して露光処理が施された前記基板を加熱処理することと、
    前記加熱処理が施された前記基板の前記被膜を現像処理することと、
    前記露光処理の後から前記現像処理が行われる前の期間において、前記被膜を不活性ガスと接触させることと、
    を前記コンピュータに実行させる、基板処理プログラム。
    
    

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