JP7374300B2 - 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 - Google Patents

基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 Download PDF

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Description

本開示は、基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体に関する。
特許文献１は、ＥＵＶ光源からのＥＵＶ光を用いた露光装置が開示されている。
特開２００９－４３９０６号公報
本開示は、微細パターンをより精度よく形成することが可能な技術を提供する。
本開示の一態様による基板処理方法は、基板の表面にレジスト膜を形成することと、前記基板の前記レジスト膜の表面に、水溶性ポリマーを含む処理液を供給し、界面制御膜を形成することと、前記界面制御膜が形成された前記基板を加熱することと、加熱後の前記基板に形成された前記レジスト膜を露光することと、を含む。
本開示によれば、微細パターンをより精度よく形成することが可能な技術が提供される。
図１は、基板処理システムの一例を示す模式的な斜視図である。 図２は、図１に示される基板処理システムの内部構成の一例を示す模式図である。 図３は、図１に示される基板処理システムの内部構成の一例を示す模式図である。 図４は、処理モジュールの一例を示す模式図である。 図５は、処理モジュールの一例を示す模式図である。 図６は、処理モジュールの一例を示す模式図である。 図７は、基板処理システムの主要部の一例を示すブロック図である。 図８は、制御装置のハードウェア構成の一例を示す概略図である。 図９は、基板処理方法の一例を示すフロー図である。 図１０（ａ）、図１０（ｂ）、図１０（ｃ）は、基板処理方法によるワークの表面の変化の一例を示す図である。
以下、種々の例示的実施形態について説明する。
一つの例示的実施形態において、基板処理方法が提供される。この基板処理方法は、基板の表面にレジスト膜を形成することと、前記基板の前記レジスト膜の表面に、水溶性ポリマーを含む処理液を供給し、界面制御膜を形成することと、前記界面制御膜が形成された前記基板を加熱することと、加熱後の前記基板に形成された前記レジスト膜を露光することと、を含む。
上記の基板処理方法によれば、レジスト膜の表面に界面制御膜が形成された状態で基板の加熱が行われ、その後レジスト膜が露光される。この結果、加熱によるレジスト膜の成分の偏在・分離等の発生が防がれるため、レジスト膜を用いた微細パターンの形成を精度よく行うことができる。
前記加熱することは、有機溶剤蒸気の雰囲気中で行われる態様とすることができる。
上記のように、有機溶剤蒸気の雰囲気中で基板の加熱を行うことにより、レジスト膜における成分の偏在・分離をさらに抑制することができる。
前記加熱することは、窒素、希ガス、および二酸化炭素のいずれかの雰囲気中で行われる態様とすることができる。
上記のように、窒素、希ガス、および二酸化炭素のいずれかの雰囲気中で基板の加熱を行うことにより、レジスト膜における成分の偏在・分離をさらに抑制することができる。
前記加熱することの後であって、前記露光することの前に、前記界面制御膜を除去することをさらに含む態様とすることができる。
露光することの前に界面制御膜を除去することにより、加熱時にはレジスト膜の成分の偏在・分離を抑制することができる。また、露光時には界面制御膜を考慮した光量の調整等が不要となるため、精度のよい微細パターンの形成をより簡単に実現することができる。
前記露光することにおいて、ＥＵＶ光によって露光する態様とすることができる。
ＥＵＶ光を用いた露光を行う場合、レジスト膜を薄膜化することが求められている。このような場合において、レジスト膜における成分の偏在・分離はパターニングへの影響が大きくなる。したがって、上述の界面制御膜の形成による加熱によるレジスト膜での成分の偏在・分離等の防止効果は、ＥＵＶ光による露光時に特に効果的である。
一つの例示的実施形態において、基板処理装置が提供される。この基板処理装置は、基板の表面に、レジスト液を供給するように構成されたレジスト液供給部と、前記基板の表面に、水溶性ポリマーを含む処理液を供給するように構成されたポリマー供給部と、前記基板を加熱する加熱処理部と、制御部と、を備え、前記制御部は、前記基板の表面に対してレジスト膜を形成するように、前記レジスト液供給部を制御する処理と、前記基板の前記レジスト膜の表面に界面制御膜を形成するように、前記ポリマー供給部を制御する処理と、前記界面制御膜が形成された基板を露光前に加熱するように、前記加熱処理部を制御する処理と、を実行する。
上記の基板処理装置では、露光前に、レジスト膜の表面に界面制御膜が形成された状態で基板の加熱が行われ、その後の、レジスト膜が露光される。この結果、加熱によるレジスト膜での成分の偏在・分離等の発生が防がれるため、レジスト膜を用いた微細パターンの形成を精度よく行うことができる。
さらに別の例示的実施形態において、上述の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体が提供される。
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一または相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
［基板処理システム］
図１に示す基板処理システム１は、基板（ワークＷ）に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、および当該感光性被膜の現像を施すシステムである。
処理対象のワークＷは、例えば半導体用の基板である。基板としては、一例として、シリコンウェハである。ワークＷは円形に形成されてもよい。また、処理対象のワークＷは、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）などであってもよい。一例として、ワークＷとして、波長１０ｎｍ～１００ｎｍ程度の範囲のＥＵＶ光を用いたＥＵＶリソグラフィ（Extreme ultraviolet lithography：極端紫外線リソグラフィ）を適用可能な材料を選択することができる。一例として、ＥＵＶ光としては波長１３．５ｎｍの光が用いられ得る。また、ワークＷに形成されるレジスト膜としては、ＥＵＶリソグラフィ用のレジスト膜が用いられてもよい。したがって、レジスト膜の形成に用いられるレジスト液（薬液）は、ＥＵＶ光に対して感光性を有するものが用いられる。なお、このようなＥＵＶリソグラフィ用のレジスト膜に使用することができる公知のレジスト液を用いることができる。
基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ワークＷ（基板）上に形成されたレジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ワークＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法にレジスト膜の露光対象部分に選択的にエネルギー線を照射する。エネルギー線としては、上述のＥＵＶ光のほかに、例えばＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、ｇ線、ｉ線等が挙げられる。このように、基板処理システム１における露光処理は、ＥＵＶ光による処理に限定されない。
ワークＷは、例えば、基板の表面にシリコン含有反射防止コーティング（ＳｉＡＲＣ）層が形成されたものであってもよい。ＵＶ光によってリソグラフィを行う場合、ＵＶ光が基板で反射することによって生じる定在波がレジスト側壁に影響を及ぼす可能性がある。そのため、一般的に反射を防止するための下層膜が形成されることがある。ただし、ＥＵＶ光は基板での材料の反射が少ないため、下層膜を省略することができる。なお、シリコン含有反射防止コーティング（ＳｉＡＲＣ）層に代えて、他の下層膜が形成されていてもよい。同様に、レジスト膜の上に上層膜を形成してもよい。
［基板処理装置］
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１～図３に示されるように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、制御装置１００（制御部）とを備える。
キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのワークＷの導入および塗布・現像装置２内からのワークＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ワークＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のワークＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリアＣからワークＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からワークＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。
処理ブロック５は、複数の処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。処理モジュール１１，１２，１３，１４は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。塗布ユニットＵ１は、処理液をワークＷの表面に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板および冷却板を内蔵しており、熱板によりワークＷを加熱し、加熱後のワークＷを冷却板により冷却して熱処理を行う。
処理モジュール１１は、塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２によりワークＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１１の塗布ユニットＵ１は、下層膜を形成するための処理液をワークＷ上に塗布する。処理モジュール１１の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
処理モジュール１２は、塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜の上に塗布する。また、塗布ユニットＵ１は、塗布された処理液の上に水溶性ポリマーを供給することで界面制御膜を形成する。処理モジュール１２の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させてレジスト膜とするための加熱処理（ＰＡＢ：Pre Applied Bake）が挙げられる。
処理モジュール１３は、塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１３の塗布ユニットＵ１は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１３の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
処理モジュール１４は、塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１４の塗布ユニットＵ１は、露光済みのワークＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等が挙げられる。
処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でワークＷを昇降させる。
処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
さらに、棚ユニットＵ１１上には、膜除去ユニットＵ１３が設けられる。膜除去ユニットＵ１３は、処理モジュール１２におけるレジスト膜の形成に係る処理のあとに、レジスト膜上の界面制御膜を除去するための処理を行う。
インタフェースブロック６は、露光装置３との間でワークＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたワークＷを露光装置３に渡し、露光装置３からワークＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。
制御装置１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まず制御装置１００は、キャリアＣ内のワークＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、このワークＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１１内の塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの表面上に下層膜を形成するように、塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、下層膜が形成されたワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１２内の塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの表面に対してレジスト膜を形成するように塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２を制御する。この際に、ワークＷの表面にはレジスト膜上に界面制御膜が形成される。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを膜除去ユニットＵ１３に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの表面の界面制御膜を除去するように膜除去ユニットＵ１３を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のワークＷを露光装置３に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後制御装置１００は、露光処理が施されたワークＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように受け渡しアームＡ８を制御する。
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のワークＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このワークＷのレジスト膜に現像処理を施すように塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このワークＷをキャリアＣ内に戻すように昇降アームＡ７および受け渡しアームＡ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。
なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、膜除去ユニットＵ１３と、これを制御可能な制御装置１００とを備えていればどのようなものであってもよい。
また、ワークＷによっては、上述の下層膜および上層膜を設けない場合がある。この場合、処理モジュール１１および処理モジュール１３における各処理は省略することができる。例えば、レジストの種類によっては、下層膜および上層膜の形成が省略される場合がある。以下の実施形態では、下層膜および上層膜を形成しない場合について説明する。
（塗布ユニット）
図４を参照して、塗布ユニットＵ１について説明する。図４に示す塗布ユニットＵ１は、特にレジスト膜に係る処理モジュール１２に適用され得る塗布ユニットＵ１である。塗布ユニットＵ１は、図４に示されるように、回転保持部２０と、液供給部３０（レジスト液供給部）と、液供給部４０（ポリマー供給部）を備える。
回転保持部２０は、回転部２１と、保持部２２とを有する。回転部２１は、上方に突出したシャフト２３を有する。回転部２１は、例えば電動モータ等を動力源としてシャフト２３を回転させる。保持部２２は、シャフト２３の先端部に設けられている。保持部２２上にはワークＷが配置される。保持部２２は、例えば、吸着等によりワークＷを略水平に保持する吸着チャックである。保持部２２（吸着チャック）の形状は特に限定されないが、例えば円形であってもよい。保持部２２のサイズは、ワークＷよりも小さくてもよい。保持部２２が円形の場合、保持部２２のサイズは、例えば直径が８０ｍｍ程度であってもよい。
回転保持部２０は、ワークＷの姿勢が略水平の状態で、ワークＷの表面Ｗａに対して垂直な軸（回転軸）周りでワークＷを回転させる。本実施形態では、回転軸は、円形状を呈するワークＷの中心を通っているので、中心軸でもある。本実施形態では、図４に示されるように、回転保持部２０は、上方から見て時計回りにワークＷを回転させる。
液供給部３０は、ワークＷの表面Ｗａに処理液Ｌ１を供給するように構成されている。処理モジュール１２では、処理液Ｌ１は、レジスト膜を形成するためのレジスト材料からなる塗布液である。この場合、液供給部３０は、レジスト液供給部として機能する。処理モジュール１１，１３，１４では、処理液Ｌ１は、下層膜を形成する材料、下層膜を形成する材料、または、現像液となり得る。
処理モジュール１２において処理液Ｌ１として用いられるレジスト材料は、上述のようにＥＵＶ光に対して感光性を有するＥＵＶリソグラフィ用レジストを用いることができるが、これに限定されるものではない。また、レジスト材料としては、ネガ型、ポジ型のいずれも選択することができる。さらに、メタル系レジストも選択することができる。このように、処理液Ｌ１に用いられるレジスト材料の種類は特に限定されない。
液供給部３０は、液源３１と、ポンプ３２と、バルブ３３と、ノズル３４と、配管３５とを有する。液源３１は、処理液Ｌ１の供給源として機能する。ポンプ３２は、液源３１から処理液Ｌ１を吸引し、配管３５およびバルブ３３を介してノズル３４に送り出す。ノズル３４は、吐出口がワークＷの表面Ｗａに向かうようにワークＷの上方に配置されている。ノズル３４は、図示しない駆動部によって水平方向および上下方向に移動可能に構成されている。ノズル３４は、ポンプ３２から送り出された処理液Ｌ１を、ワークＷの表面Ｗａに吐出可能である。配管３５は、上流側から順に、液源３１、ポンプ３２、バルブ３３およびノズル３４を接続している。
液供給部４０は、ワークＷの表面Ｗａに処理液Ｌ２を供給するように構成されている。処理モジュール１２において、処理液Ｌ２は、レジスト膜上に界面制御膜を形成するための水溶性ポリマーである。この場合、液供給部４０は、ポリマー供給部として機能する。処理モジュール１１，１３では、処理液Ｌ２は、下層膜または上層膜をワークＷから除去するための各種有機溶剤としてもよい。また、処理モジュール１４では、処理液Ｌ２はリンス液としてもよい。なお、処理モジュールによっては、液供給部４０を有していなくもてよい。
処理モジュール１２において用いられる、界面制御膜を形成するための水溶性ポリマーとしてしては、種々の材料を選択できる。一例として、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、メチルセルロース、メチルビニルエーテル、ポリアクリルアミド、ポリエチレンオキサイド、ポリアクリル酸ナトリウム、水溶性ナイロン等が挙げられる。処理モジュール１２では、これらの水溶性ポリマーを水性溶媒に溶解した状態の処理液Ｌ２を準備し、これをレジスト膜用の処理液Ｌ１が塗布されたワークＷの表面Ｗａに供給する。
界面制御膜を形成するための水溶性ポリマーの種類は、その下層に形成されるレジスト膜の種類に応じて選択され得る。すなわち、レジスト膜の材料となる処理液Ｌ１の種類に応じて、水溶性ポリマーが選択され得る。
液供給部４０は、液源４１と、ポンプ４２と、バルブ４３と、ノズル４４と、配管４５とを有する。液源４１は、処理液Ｌ２の供給源として機能する。ポンプ４２は、液源４１から処理液Ｌ２を吸引し、配管４５およびバルブ４３を介してノズル４４に送り出す。ノズル４４は、吐出口がワークＷの表面Ｗａに向かうようにワークＷの上方に配置されている。ノズル４４は、図示しない駆動部によって水平方向および上下方向に移動可能に構成されている。ノズル４４は、ポンプ４２から送り出された処理液Ｌ２を、ワークＷの表面Ｗａに吐出可能である。配管４５は、上流側から順に、液源４１、ポンプ４２、バルブ４３およびノズル４４を接続している。
処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１において、ワークＷに対して塗布処理を施すことにより、ワークＷの表面Ｗａにレジスト膜Ｒ１（レジスト液による塗布膜）を形成し、さらに、その上面に界面制御膜Ｒ２を形成する。
（熱処理ユニット）
続いて、熱処理ユニットＵ２について図５を参照して詳細に説明する。図５に示されるように、熱処理ユニットＵ２は、処理室５０と、溶剤供給部７０と、ガス供給部７３と、排気部７６とを備える。
処理室５０は、熱処理の対象であるワークＷを収容する。処理室５０内においてワークＷに対する熱処理が行われる。処理室５０は、筐体５１と、温度調整機構５５と、加熱機構６０と、を有する。なお、図５は、熱処理ユニットＵ２の一部の構成を示しており、熱処理ユニットＵ２の全ての構成を示すものではない。
筐体５１は、温度調整機構５５および加熱機構６０を収容する処理容器である。筐体５１の側壁には、ワークＷを搬入するための搬入口５２が開口されている。
温度調整機構５５は、処理室５０内においてワークＷの温度を所定温度に調整する機構である。温度調整機構５５におけるワークＷの温度の調整は、熱処理ユニットＵ２における熱処理に一部に含まれてもよい。温度調整機構５５は、外部の搬送アームＡ３との間でワークＷの受け渡しを行う。温度調整機構５５は、温度調整プレート５５ａと、連結ブラケット５５ｂと、駆動機構５５ｃとを有する。
温度調整プレート５５ａは、載置されたワークＷの温度調整を行うプレートである。具体的には、温度調整プレート５５ａは、加熱機構６０により加熱されたワークＷを載置し、該ワークＷを所定温度に冷却するクールプレートである。例えば、温度調整プレート５５ａは、略円盤状に形成されていてもよい。温度調整プレート５５ａは、熱伝導性の高いアルミ、銀、または銅等の金属によって構成されていてもよく、熱による変形を防止する観点から一種類の材料で構成されていてもよい。温度調整プレート５５ａの内部には、冷却水または冷却気体を流通させるための冷却流路（不図示）が形成されていてもよい。
連結ブラケット５５ｂは、温度調整プレート５５ａに連結されている。駆動機構５５ｃは、制御装置１００の指示に基づいて動作し、連結ブラケット５５ｂを移動させる。連結ブラケット５５ｂは、駆動機構５５ｃによって筐体５１内を移動する。具体的には、連結ブラケット５５ｂは、筐体５１の搬入口５２と加熱機構６０の近傍との間に延びるガイドレール（不図示）に沿って移動する。連結ブラケット５５ｂがガイドレールに沿って移動することにより、温度調整プレート５５ａが搬入口５２と加熱機構６０との間を移動する。連結ブラケット５５ｂは、例えば熱伝導率の高いアルミ、銀、または銅等の金属によって構成されていてもよい。
加熱機構６０は、処理室５０内においてワークＷを加熱処理する機構である。加熱機構６０におけるワークＷに対する加熱処理は、熱処理ユニットＵ２における熱処理の一部に含まれる。加熱機構６０は、支持台６１と、熱板６２と、ヒータ６３と、チャンバー６４（蓋体）と、昇降機構６５と、支持ピン６６と、昇降機構６７とを有する。
支持台６１は、中央部分に窪みが形成された円筒形状を呈している。支持台６１は、熱板６２を支持している。熱板６２は、例えば略円盤状に形成されており、支持台６１の窪みに収容されている。熱板６２は、載置面６２ａを有している。載置面６２ａに処理対象のワークＷが載置されることで、熱板６２はワークＷを支持する。熱板６２は、載置されたワークＷを加熱する。熱板６２の載置面６２ａとは反対側の下面には、熱板６２を加熱するためのヒータ６３が設けられている。例えば、ヒータ６３は、抵抗発熱体から構成されている。ヒータ６３に対して電流が流れることにより、ヒータ６３は発熱する。そして、ヒータ６３からの熱が伝熱して、熱板６２の温度が上昇する。ヒータ６３には、制御装置１００からの指示に応じた値の電流が流れてもよく、制御装置１００からの指示に応じた値の電圧が印加され、当該電圧値に応じた電流が流れてもよい。なお、ヒータ６３は、熱板６２内に埋め込まれていてもよい。なお、熱板６２は、例えば熱伝導率の高いアルミ、銀、または銅等の金属によって構成することができるが、ヒータ６３からの熱が伝わり、ワークＷを加熱することが可能であれば、どのような形状および材料から構成されていてもよい。
チャンバー６４は、熱板６２におけるワークＷの載置面６２ａを囲むように構成されている。チャンバー６４は、天板部６４ａと、足部６４ｂとを有している。天板部６４ａは、支持台６１と同程度の直径を有する円板状に構成されている。天板部６４ａは、熱板６２の載置面６２ａと上下方向において対向するように配置されている。足部６４ｂは、天板部６４ａの外縁から下方に延びるように構成されている。昇降機構６５は、制御装置１００の指示に応じてチャンバー６４を昇降させる機構である。昇降機構６５によりチャンバー６４が上昇することによって、ワークＷの加熱処理を行う空間が開かれた状態となり、チャンバー６４が下降することによって、ワークＷの加熱処理を行う空間が閉じられた状態となる。
支持ピン６６は、支持台６１および熱板６２を貫通するように上下方向に延びており、ワークＷを下方から支持するピンである。支持ピン６６は、上下方向に昇降することにより、ワークＷを所定の位置に配置する。支持ピン６６は、ワークＷを搬送する温度調整プレート５５ａとの間でワークＷの受け渡しを行う。支持ピン６６は、例えば周方向に等間隔に配置された３本のピンにより構成されてもよい。昇降機構６７は、制御装置１００の指示に応じて支持ピン６６を昇降させる機構である。昇降機構６７は、熱板６２に対してワークＷを近づけ、熱板６２にワークＷが載置されるように、ワークＷ（詳細にはワークＷを支持する支持ピン６６）を昇降可能に構成されている。
溶剤供給部７０は、ワークＷの加熱処理を行う空間に対して有機溶剤由来の溶剤蒸気を供給する。溶剤供給部７０は、溶剤供給源７１と、蒸気供給管７２とを有している。また、蒸気供給管７２上には開閉弁としてのバルブＶ１が設けられている。バルブＶ１の開閉によって、溶剤供給源７１からの溶剤蒸気がチャンバー６４内に供給されるとともにその供給量が調整される。
なお、溶剤としては、レジストパターンを溶解する性質をもつ有機溶剤が用いられ得る。一例としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、シクロヘキサノン、ガンマブチル楽トン塔が挙げられる。
ガス供給部７３は、ワークＷの加熱処理を行う空間に対して希ガスまたは二酸化炭素等を供給する。ガス供給部７３は、ガス供給源７４と、ガス供給管７５とを有している。また、ガス供給管７５上には開閉弁としてのバルブＶ２が設けられている。バルブＶ２の開閉によって、ガス供給源７４からのガスがチャンバー６４内に供給されるとともにその供給量が調整される。
なお、ガス供給部７３が供給するガスとしては、例えば、窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）、二酸化炭素等が挙げられる。図５では、一例としてＮ２が供給される構成を示しているが、これらのガスを供給するために、ガス供給部７３が複数設けられていてもよい。また、ガス供給部７３それぞれについてバルブＶ２によって供給量等が個別に制御可能であってよい。
加熱機構６０には、熱板の温度を測定する機構およびチャンバー６４内の温度を測定する機構等が設けられていてもよい。これらの機構は、制御装置１００からの指示に応じて測定対象の温度を測定してもよい。これらの機構は、測定結果をそれぞれ制御装置１００に出力する。これらの機構は、それぞれは、サーミスタであってもよい。制御装置１００は、これらの機構からの情報に基づいて加熱温度等を制御してもよい。
排気部７６は、処理室５０から気体を排出する。例えば、排気部７６は、処理室５０から熱処理ユニットＵ２（塗布・現像装置２）の外部へ気体を排出する。排気部７６は、排気ダクト７７と、開閉部７８とを含む。排気ダクト７７は、処理室５０内の空間（筐体５１により区画される空間）と排出先とを接続する。開閉部７８は、排気ダクト７７の流路上に設けられる。開閉部７８は、制御装置１００の指示に応じて排気ダクト７７の流路を開放状態または遮断状態に切り替える。開閉部７８は、例えばソレノイドバルブ（電磁弁）である。開閉部７８が開状態に設定されることで、排気ダクト７７の流路は遮断状態から開放状態に切り替えられる。開閉部７８が閉状態に設定されることで、排気ダクト７７の流路は開放状態から遮断状態に切り替えられる。
なお、排気部７６とは別に、支持台６１およびチャンバー６４により区画される空間（以下、チャンバー６４内の空間という。）から気体を排出する排気部７９が設けられていてもよい。排気部７９が設けられている場合、例えば、排気部７６と同様に動作することで、チャンバー６４内から熱処理ユニットＵ２（塗布・現像装置２）の外部へ気体を排出することが可能となる。
（膜除去ユニット）
図６を参照して、膜除去ユニットＵ１３について説明する。図６に示す膜除去ユニットＵ１３は、レジスト膜を形成して加熱処理を行った後のワークＷから界面制御膜を除去する。膜除去ユニットＵ１３は、図６に示されるように、回転保持部２０と、液供給部８０（除去液供給部）とを備える。
回転保持部２０は、塗布ユニットＵ１（図４参照）の回転保持部２０と同様の構成を有する。すなわち、膜除去ユニットＵ１３の回転保持部２０も、回転部２１と、保持部２２とを有する。回転部２１は、上方に突出したシャフト２３を有する。保持部２２は、シャフト２３の先端部に設けられ、保持部２２上にはワークＷが配置される。
回転保持部２０は、ワークＷの姿勢が略水平の状態で、ワークＷの表面Ｗａに対して垂直な軸（回転軸）周りでワークＷを回転させる。本実施形態では、回転軸は、円形状を呈するワークＷの中心を通っているので、中心軸でもある。本実施形態では、図６に示されるように、回転保持部２０は、上方から見て時計回りにワークＷを回転させる。
液供給部８０は、ワークＷの表面Ｗａに処理液Ｌ３を供給するように構成されている。処理液Ｌ３は、界面制御膜を除去するための処理液である。一例として、処理液Ｌ３として純水が用いられ得る。
液供給部８０は、液源８１と、ポンプ８２と、バルブ８３と、ノズル８４と、配管８５とを有する。液源８１は、処理液Ｌ３の供給源として機能する。ポンプ８２は、液源８１から処理液Ｌ３を吸引し、配管８５およびバルブ８３を介してノズル８４に送り出す。ノズル８４は、吐出口がワークＷの表面Ｗａに向かうようにワークＷの上方に配置されている。ノズル３４は、図示しない駆動部によって水平方向および上下方向に移動可能に構成されている。ノズル８４は、ポンプ８２から送り出された処理液Ｌ３を、ワークＷの表面Ｗａに吐出可能である。配管８５は、上流側から順に、液源８１、ポンプ８２、バルブ８３およびノズル８４を接続している。
膜除去ユニットＵ１３において、ワークＷに対して処理を施すことにより、ワークＷの表面Ｗａに形成された界面制御膜が除去され、レジスト膜Ｒ１が表面に露出した状態となる。
（制御装置）
制御装置１００は、図７に示されるように、機能モジュールとして、読取部Ｍ１と、記憶部Ｍ２と、処理部Ｍ３と、指示部Ｍ４とを有する。これらの機能モジュールは、制御装置１００の機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、制御装置１００を構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路（例えば論理回路）により実現されてもよい。また、各機能モジュールは、これを集積した集積回路（ＡＳＩＣ：Application Specific Integrated Circuit）により実現されるものであってもよい。
読取部Ｍ１は、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体ＲＭからプログラムを読み取る。記憶媒体ＲＭは、基板処理システム１の各部を動作させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体ＲＭとしては、例えば、半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、光磁気記録ディスクであってもよい。
記憶部Ｍ２は、種々のデータを記憶する。記憶部Ｍ２は、例えば、読取部Ｍ１において記憶媒体ＲＭから読み出したプログラム、ワークＷを処理する際の各種データ（いわゆる処理レシピ）、外部入力装置（図示せず）を介してオペレータから入力された設定データ等を記憶する。
処理部Ｍ３は、各種データを処理する。処理部Ｍ３は、例えば、記憶部Ｍ２に記憶されている各種データに基づいて、塗布ユニットＵ１、熱処理ユニットＵ２、および膜除去ユニットＵ１３を動作させるための動作信号を生成する。
指示部Ｍ４は、処理部Ｍ３において生成された動作信号を各種装置に送信する。例えば、加熱機構６０に送信される動作信号には、ヒータ６３に流す電流値を示す信号が含まれてもよい。あるいは、指示部Ｍ４は、処理部Ｍ３で定められたヒータ６３に流す電流値を有する電流を、ディジタル－アナログ変換回路を介してヒータ６３に出力してもよい。
制御装置１００のハードウェアは、例えば一つまたは複数の制御用のコンピュータにより構成される。例えば制御装置１００は、図８に示す回路１２０を有する。回路１２０は、一つまたは複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４と、タイマー１２５とを有する。ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述の基板処理手順を露光・現像装置２に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスクおよび光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記憶媒体からロードしたプログラムおよびプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート１２４は、プロセッサ１２１からの指令に従って、基板処理システム１の各部との間で電気信号の入出力を行う。タイマー１２５は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。
制御装置１００は、上記の構成により、基板処理システム１に含まれる塗布ユニットＵ１、熱処理ユニットＵ２、および膜除去ユニットＵ１３等を制御する。また、制御装置１００は、図７において図示しない他のユニットの制御も行ってもよい。なお、上記の制御装置１００の構成は一例であって、上記に限定されるものではない。
［基板処理方法］
図９および図１０を参照して、基板処理方法の一例について説明する。図９では、ワークＷに対するレジスト膜の形成に係る一連の処理を説明する。図９に示される各ステップは、制御装置１００が塗布・現像装置２を構成する各ユニットを制御することにより実行される。
まず、制御装置１００は、ステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１では、制御装置１００は、ワークＷを処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１へ搬入し、ワークＷの表面Ｗａに対して処理液Ｌ１を供給し、レジスト液を塗布する。なお、ステップＳ０１の前に処理モジュール１１において、ワークＷの表面Ｗａに下層膜を形成する処理を行ってもよい。これにより、図１０（ａ）に示すように、ワークＷにレジスト膜Ｒ１（に対応する塗布膜）が形成される。
次に、制御装置１００は、ステップＳ０２を実行する。ステップＳ０２では、制御装置１００は、処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１へ搬入された状態のワークＷの表面Ｗａ上に塗布されたレジスト液によるレジスト膜Ｒ１の上面に処理液Ｌ２を供給し、界面制御膜Ｒ２を形成する。これにより、図１０（ｂ）に示すように、ワークＷのレジスト膜Ｒ１（に対応するレジスト液層）上に界面制御膜Ｒ２が形成される。界面制御膜Ｒ２は、レジスト膜Ｒ１の表面全体を覆うように形成することができる。この場合、界面制御膜Ｒ２を設けることによる後述の効果が高められる。ただし、レジスト膜Ｒ１の一部が表面に露出した状態で界面制御膜Ｒ２が形成されていてもよい。
次に、制御装置１００は、ステップＳ０３を実行する。ステップＳ０３では、制御装置１００は、処理モジュール１２の熱処理ユニットＵ２へワークＷを搬入し、加熱機構６０において加熱処理を行う。このとき、溶剤供給部７０およびガス供給部７３からガスを供給し、チャンバー６４内を加熱処理用のガス雰囲気とする。チャンバー６４内の気圧は大気圧程度に調整され得る。加熱機構６０により、例えば、熱板６２の温度を５０℃～１５０℃程度とし、チャンバー６４内に供給されるガスの温度を３０℃～６０℃程度とする。この状態で、ワークＷを熱板６２上に支持し、ワークＷに対する加熱処理を行う。加熱処理時間は、例えば、数分～数十分程度とする。ワークＷに対する加熱処理の結果、ワークＷとレジスト膜Ｒ１との界面、および、レジスト膜Ｒ１と界面制御膜Ｒ２との間に、成分偏在が発生し得るが、界面制御膜Ｒ２によってワークＷの上面が覆われていることで、成分偏在が抑制される。なお、図１０（ｃ）では、ワークＷとレジスト膜Ｒ１との界面に生じ得る成分偏在を模式的に示している。
次に、制御装置１００は、ステップＳ０４を実行する。ステップＳ０４では、制御装置１００は、膜除去ユニットＵ１３へワークＷを搬入し、ワークＷの表面Ｗａに対して処理液Ｌ３を供給し、表面Ｗａに設けられた界面制御膜Ｒ２を除去する。これにより、図１０（ｃ）に示すように、ワークＷの界面制御膜Ｒ２が除去され、レジスト膜Ｒ１が露出した状態となる。
次に、制御装置１００は、ステップＳ０５を実行する。ステップＳ０５では、制御装置１００は、露光装置３へワークＷを搬入し、ワークＷに対する露光処理を行う。なお、ステップＳ０５の前に必要に応じて処理モジュール１３において上層膜の形成処理を行ってもよい。露光装置３による露光処理の結果、レジスト膜Ｒ１に対して所定のパターンが形成される。
次に、制御装置１００は、ステップＳ０６を実行する。ステップＳ０６では、制御装置１００は、処理モジュール１４へワークＷを搬入し、ワークＷのレジスト膜Ｒ１に対する現像処理を行う。この結果、レジスト膜Ｒ１における未感光部分が除去される。
［作用］
上記の基板処理システム１および基板処理方法によれば、レジスト膜Ｒ１の表面に界面制御膜Ｒ２が形成された状態で基板の加熱が行われ、その後にレジスト膜Ｒ１が露光される。この結果、加熱によるレジスト膜の成分の偏在・分離等の発生が防がれるため、レジスト膜を用いた微細パターンの形成を精度よく行うことができる。
近年、パターンの微細化に伴って、パターン倒れなどの課題を回避することを目的としてレジスト膜の薄膜化が進められている。しかしながら、薄膜化されたレジスト膜は、加熱処理による影響を受けやすいことが判明した。特に、厚さが３０ｎｍ以下程度レジスト膜では、加熱時に下層の基板との界面や、表面付近でレジスト材料に含まれる成分の偏在・分離が生じやすく、その結果レジストとしての性能が低下する可能性があった。成分の偏在・分離は、加熱時の表面エネルギーの差によって起きると考えられることから、加熱時に界面における表面エネルギーの差が小さくなることが求められた。
これに対して、上記の基板処理システム１および基板処理方法では、レジスト膜Ｒ１上に水溶性ポリマーを含む処理液を供給することによって界面制御膜Ｒ２を形成した後、その状態で加熱が行われる。したがって、水溶性ポリマーを含む処理液によって形成された界面制御膜Ｒ２は、レジスト膜が露出している場合と比較して、レジスト材料との表面エネルギーの差を小さくすることができる。したがって、レジスト膜の表面におけるレジスト膜の成分の偏在・分離等の発生が防がれ、微細パターンの形成を精度よく行うことができる。
また、上記実施形態では、加熱することは、溶剤供給部７０によって供給される有機溶剤蒸気の雰囲気中で行われる。このように、有機溶剤蒸気の雰囲気中で基板の加熱を行うことにより、レジスト膜における成分の偏在・分離をさらに抑制することができる。
なお、加熱することは、ガス供給部７３によって供給される窒素、希ガス、および二酸化炭素のいずれかの雰囲気中で行われてもよい。上記のように、窒素、希ガス、および二酸化炭素のいずれかの雰囲気中で基板の加熱を行うことにより、レジスト膜における成分の偏在・分離をさらに抑制することができる。窒素、希ガス、および二酸化炭素のいずれかの雰囲気中で加熱処理を行う場合、例えば、加熱機構６０により、例えば、熱板６２の温度を５０℃～１５０℃程度とし、チャンバー６４内に供給されるガスの温度を室温程度とする。
また、加熱することは、溶剤供給部７０およびガス供給部７３を用いず、大気中で行う構成としてもよい。大気中で加熱する場合であっても、レジスト膜における成分の偏在・分離を抑制することができる。大気中で加熱処理を行う場合、例えば、加熱機構６０により、例えば、熱板６２の温度を５０℃～１５０℃程度とし、チャンバー６４内に供給されるガスの温度を室温程度とする。
なお、加熱する際の雰囲気は、大気よりも有機溶剤蒸気の雰囲気、または、窒素、希ガス、および二酸化炭素のいずれかの雰囲気であるほうが、レジスト膜における成分の偏在・分離を抑制することができる。窒素、希ガス、および二酸化炭素は、いずれも、活性の低い気体であるため、大気と比べて加熱時にレジスト膜に与える影響を小さくすることができると考えられる。また、有機溶剤蒸気は、レジスト膜と表面自由エネルギーが近いため、窒素、希ガス、および二酸化炭素と比べて、さらに、レジスト膜へ与える影響を小さくすることができる。なお、有機溶剤蒸気と、窒素、希ガス、および二酸化炭素と、は、混合して使用してもよい。
また、加熱することの後であって、露光することの前に、膜除去ユニットＵ１３において、界面制御膜を除去してもよい。露光することの前に界面制御膜を除去することにより、加熱時にはレジスト膜の成分の偏在・分離を抑制することができるとともに、露光時には界面制御膜を考慮した光量の調整等が不要となるため、精度のよい微細パターンの形成をより簡単に実現することができる。レジスト膜上に界面制御膜が存在した状態で露光しようとすると、界面制御膜の影響を考慮して、露光量を調節することが必要となるため、微細パターンの形成に影響する可能性がある。上記のように界面制御膜を除去した後に、露光する場合、界面制御膜を考慮した露光量の調節が不要となる。
また、露光することでは、ＥＵＶ光によって露光することとしてもよい。ＥＵＶ光を用いた露光を行う場合、レジスト膜を薄膜化することが求められている。このような場合において、レジスト膜における成分の偏在・分離はパターニングへの影響が大きくなる。したがって、上述の界面制御膜の形成による加熱によるレジスト膜での成分の偏在・分離等の防止効果は、ＥＵＶ光による露光時に特に効果的である。
［変形例］
以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、および変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。
例えば、上記実施形態では、レジスト膜の上面に界面制御膜を設ける場合について説明したが、さらに、レジスト膜の下面に界面制御膜を設ける構成としてもよい。図１０（ｃ）に示したように、ワークＷとレジスト膜Ｒ１との間においても加熱によって成分の偏在等が生じ得る。そのため、これを回避することを目的として、水溶性ポリマーを含む処理液を塗布することによって界面制御膜を設けてもよい。また、レジスト膜Ｒ１の下面に設ける界面制御膜は、材料を変更してもよい。例えば、剥がれ等を防止する観点からＥＵＶリソグラフィ用のレジスト膜を設ける場合であっても、基板とレジスト膜との間に界面制御膜として、シリコン含有反射防止コーティング（ＳｉＡＲＣ）層を形成してもよい。
また、上記実施形態では、塗布ユニットＵ１において、レジスト膜Ｒ１と界面制御膜Ｒ２との両方を形成する場合について説明したが、これらの処理は別のユニットで行われてもよい。
以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲および主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。
１…基板処理システム、２…現像装置、３…露光装置、１１～１４…処理モジュール、２０…回転保持部、２１…回転部、３０…液供給部、４０…液供給部、５０…処理室、５１…筐体、５５…温度調整機構、６０…加熱機構、６１…支持台、６２…熱板、６３…ヒータ、６４…チャンバー、７０…溶剤供給部、７１…溶剤供給源、７２…蒸気供給管、７３…ガス供給部、７４…ガス供給源、７５…ガス供給管、７６…排気部、７９…排気部、８０…液供給部、１００…制御装置。

Claims (6)

  1. 基板の表面に厚さ３０ｎｍ以下のＥＵＶ光用のレジスト膜を形成することと、
    前記基板の前記レジスト膜の表面に、水溶性ポリマーを含む処理液を供給し、界面制御膜を形成することと、
    前記界面制御膜が形成されない場合に比較して、前記レジスト膜に含まれる成分の前記レジスト膜の表面への成分の偏在が抑制されるように、前記レジスト膜及び前記界面制御膜が形成された前記基板を有機溶剤蒸気の雰囲気中で加熱することと、
    加熱後の前記基板に形成された前記レジスト膜をＥＵＶ光により露光することと、
    を含む、基板処理方法。
  2. 基板の表面に厚さ３０ｎｍ以下のＥＵＶ光用のレジスト膜を形成することと、
    前記基板の前記レジスト膜の表面に、水溶性ポリマーを含む処理液を供給し、界面制御膜を形成することと、
    前記界面制御膜が形成されない場合に比較して、前記レジスト膜に含まれる成分の前記レジスト膜の表面への成分の偏在が抑制されるように、前記レジスト膜及び前記界面制御膜が形成された前記基板を窒素、希ガス、および二酸化炭素のいずれかの雰囲気中で加熱することと、
    加熱後の前記基板に形成された前記レジスト膜をＥＵＶ光により露光することと、
    を含む、基板処理方法。
  3. 前記加熱することの後であって、前記露光することの前に、前記界面制御膜を除去することをさらに含む、請求項１又は２に記載の基板処理方法。
  4. 基板の表面に、ＥＵＶ光用のレジスト液を供給するように構成されたレジスト液供給部と、
    前記基板の表面に、水溶性ポリマーを含む処理液を供給するように構成されたポリマー供給部と、
    前記基板を加熱する加熱処理部と、
    制御部と、を備え、
    前記制御部は、
    前記基板の表面に対して厚さ３０ｎｍ以下のレジスト膜を形成するように、前記レジスト液供給部を制御する処理と、
    前記基板の前記レジスト膜の表面に界面制御膜を形成するように、前記ポリマー供給部を制御する処理と、
    前記界面制御膜が形成されない場合に比較して、前記レジスト膜に含まれる成分の前記レジスト膜の表面への成分の偏在が抑制されるように、前記レジスト膜及び前記界面制御膜が形成された基板を露光前に有機溶剤蒸気の雰囲気中で加熱するように、前記加熱処理部を制御する処理と、を実行する基板処理装置。
  5. 基板の表面に、ＥＵＶ光用のレジスト液を供給するように構成されたレジスト液供給部と、
    前記基板の表面に、水溶性ポリマーを含む処理液を供給するように構成されたポリマー供給部と、
    前記基板を加熱する加熱処理部と、
    制御部と、を備え、
    前記制御部は、
    前記基板の表面に対して厚さ３０ｎｍ以下のレジスト膜を形成するように、前記レジスト液供給部を制御する処理と、
    前記基板の前記レジスト膜の表面に界面制御膜を形成するように、前記ポリマー供給部を制御する処理と、
    前記界面制御膜が形成されない場合に比較して、前記レジスト膜に含まれる成分の前記レジスト膜の表面への成分の偏在が抑制されるように、前記レジスト膜及び前記界面制御膜が形成された基板を露光前に窒素、希ガス、および二酸化炭素のいずれかの雰囲気中で加熱するように、前記加熱処理部を制御する処理と、を実行する基板処理装置。
  6. 請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
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