WO2021200282A1 - 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 - Google Patents

基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 Download PDF

Info

Publication number
WO2021200282A1
WO2021200282A1 PCT/JP2021/011456 JP2021011456W WO2021200282A1 WO 2021200282 A1 WO2021200282 A1 WO 2021200282A1 JP 2021011456 W JP2021011456 W JP 2021011456W WO 2021200282 A1 WO2021200282 A1 WO 2021200282A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
work
unit
substrate
film
resist film
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/011456
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
真一路 川上
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京エレクトロン株式会社 filed Critical 東京エレクトロン株式会社
Priority to JP2022511923A priority Critical patent/JP7374300B2/ja
Priority to KR1020227036212A priority patent/KR20220160609A/ko
Priority to CN202180022769.1A priority patent/CN115315782A/zh
Publication of WO2021200282A1 publication Critical patent/WO2021200282A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
    • B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a storage medium.
  • Patent Document 1 discloses an exposure apparatus using EUV light from an EUV light source.
  • the present disclosure provides a technique capable of forming a fine pattern with higher accuracy.
  • a resist film is formed on the surface of the substrate, and a treatment liquid containing a water-soluble polymer is supplied to the surface of the resist film on the substrate to form an interface control film.
  • a treatment liquid containing a water-soluble polymer is supplied to the surface of the resist film on the substrate to form an interface control film. This includes heating the substrate on which the interface control film is formed and exposing the resist film formed on the substrate after heating.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view showing an example of a substrate processing system.
  • FIG. 2 is a schematic view showing an example of the internal configuration of the substrate processing system shown in FIG.
  • FIG. 3 is a schematic view showing an example of the internal configuration of the substrate processing system shown in FIG.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of the processing module.
  • FIG. 5 is a schematic diagram showing an example of the processing module.
  • FIG. 6 is a schematic view showing an example of the processing module.
  • FIG. 7 is a block diagram showing an example of a main part of the substrate processing system.
  • FIG. 8 is a schematic view showing an example of the hardware configuration of the control device.
  • FIG. 9 is a flow chart showing an example of the substrate processing method.
  • 10 (a), 10 (b), and 10 (c) are diagrams showing an example of changes in the surface of the work due to the substrate processing method.
  • a substrate processing method comprises forming a resist film on the surface of the substrate, supplying a treatment liquid containing a water-soluble polymer to the surface of the resist film on the substrate to form an interface control film, and forming the interface. This includes heating the substrate on which the control film is formed and exposing the resist film formed on the substrate after heating.
  • the substrate is heated with the interface control film formed on the surface of the resist film, and then the resist film is exposed.
  • the generation of uneven distribution / separation of the components of the resist film due to heating is prevented, so that the fine pattern can be formed accurately using the resist film.
  • the heating can be performed in an atmosphere of organic solvent vapor.
  • the heating can be performed in any of nitrogen, noble gas, and carbon dioxide atmospheres.
  • the embodiment may further include removing the interface control film after the heating and before the exposure.
  • the effect of preventing uneven distribution / separation of components in the resist film due to heating by forming the above-mentioned interface control film is particularly effective during exposure with EUV light.
  • a substrate processing apparatus has a resist liquid supply unit configured to supply a resist liquid to the surface of the substrate, and a polymer supply unit configured to supply a treatment liquid containing a water-soluble polymer to the surface of the substrate.
  • a process that includes a unit, a heat treatment unit that heats the substrate, and a control unit, and the control unit controls the resist liquid supply unit so as to form a resist film on the surface of the substrate.
  • the process of controlling the polymer supply unit so as to form an interface control film on the surface of the resist film of the substrate, and the heat treatment of heating the substrate on which the interface control film is formed before exposure.
  • the substrate is heated with the interface control film formed on the surface of the resist film before exposure, and then the resist film is exposed.
  • the generation of uneven distribution / separation of the components in the resist film due to heating is prevented, so that the fine pattern can be formed accurately using the resist film.
  • a computer-readable storage medium stores a program for causing the apparatus to execute the substrate processing method described above.
  • the substrate processing system 1 shown in FIG. 1 is a system that forms a photosensitive film, exposes the photosensitive film, and develops the photosensitive film on the substrate (work W).
  • the work W to be processed is, for example, a substrate for a semiconductor.
  • the substrate is a silicon wafer.
  • the work W may be formed in a circular shape.
  • the work W to be processed may be a glass substrate, a mask substrate, an FPD (Flat Panel Display), or the like.
  • a material to which EUV lithography (Extreme ultraviolet lithography) using EUV light having a wavelength in the range of about 10 nm to 100 nm can be selected can be selected.
  • light having a wavelength of 13.5 nm can be used as EUV light.
  • the resist film formed on the work W a resist film for EUV lithography may be used. Therefore, as the resist solution (chemical solution) used for forming the resist film, one having photosensitivity to EUV light is used. A known resist solution that can be used for such a resist film for EUV lithography can be used.
  • the substrate processing system 1 includes a coating / developing device 2 and an exposure device 3.
  • the exposure apparatus 3 performs an exposure process of a resist film (photosensitive film) formed on the work W (substrate). Specifically, the exposed portion of the resist film is irradiated with energy rays by a method such as immersion exposure.
  • the coating / developing device 2 performs a process of forming a resist film on the surface of the work W (substrate) before the exposure process by the exposure device 3, and develops the resist film after the exposure process. Specifically, the exposure target portion of the resist film is selectively irradiated with energy rays by a method such as immersion exposure.
  • Examples of energy rays include, for example, ArF excimer laser, KrF excimer laser, g-ray, i-ray and the like, in addition to the above-mentioned EUV light.
  • the exposure processing in the substrate processing system 1 is not limited to the processing by EUV light.
  • the work W may have, for example, a silicon-containing antireflection coating (SiARC) layer formed on the surface of the substrate.
  • SiARC silicon-containing antireflection coating
  • an underlayer film for preventing reflection may be formed.
  • EUV light reflects less material on the substrate, the underlayer film can be omitted.
  • another underlayer film may be formed instead of the silicon-containing antireflection coating (SiARC) layer.
  • an upper layer film may be formed on the resist film.
  • the coating / developing device 2 includes a carrier block 4, a processing block 5, an interface block 6, and a control device 100 (control unit).
  • the carrier block 4 introduces the work W into the coating / developing device 2 and derives the work W from the coating / developing device 2.
  • the carrier block 4 can support a plurality of carriers C for the work W, and has a built-in delivery arm A1.
  • the carrier C accommodates, for example, a plurality of circular workpieces W.
  • the delivery arm A1 takes out the work W from the carrier C, passes it to the processing block 5, receives the work W from the processing block 5, and returns it to the carrier C.
  • the processing block 5 has a plurality of processing modules 11, 12, 13, and 14.
  • the processing modules 11, 12, 13, and 14 include a coating unit U1, a heat treatment unit U2, and a transfer arm A3 for transporting the work W to these units.
  • the coating unit U1 coats the treatment liquid on the surface of the work W.
  • the heat treatment unit U2 contains, for example, a hot plate and a cooling plate. The work W is heated by the hot plate, and the heated work W is cooled by the cooling plate to perform heat treatment.
  • the processing module 11 forms an underlayer film on the surface of the work W by the coating unit U1 and the heat treatment unit U2.
  • the coating unit U1 of the treatment module 11 coats the treatment liquid for forming the underlayer film on the work W.
  • the heat treatment unit U2 of the processing module 11 performs various heat treatments accompanying the formation of the underlayer film.
  • the processing module 12 forms a resist film on the lower layer film by the coating unit U1 and the heat treatment unit U2.
  • the coating unit U1 of the treatment module 12 coats the treatment liquid for forming the resist film on the lower layer film. Further, the coating unit U1 forms an interface control film by supplying a water-soluble polymer on the coated treatment liquid.
  • the heat treatment unit U2 of the processing module 12 performs various heat treatments accompanying the formation of the resist film. Specific examples of the heat treatment include heat treatment (PAB: Pre-Applied Bake) for curing the coating film to form a resist film.
  • PAB Pre-Applied Bake
  • the processing module 13 forms an upper layer film on the resist film by the coating unit U1 and the heat treatment unit U2.
  • the coating unit U1 of the processing module 13 coats the liquid for forming the upper layer film on the resist film.
  • the heat treatment unit U2 of the processing module 13 performs various heat treatments accompanying the formation of the upper layer film.
  • the processing module 14 develops the resist film after exposure by the coating unit U1 and the heat treatment unit U2.
  • the coating unit U1 of the processing module 14 applies the developing solution on the surface of the exposed work W and then rinses it with a rinsing solution to develop the resist film.
  • the heat treatment unit U2 performs various heat treatments associated with the development process. Specific examples of the heat treatment include heat treatment (PEB: Post Exposure Bake) before development treatment, heat treatment (PB: Post Bake) after development treatment, and the like.
  • a shelf unit U10 is provided on the carrier block 4 side in the processing block 5.
  • the shelf unit U10 is divided into a plurality of cells arranged in the vertical direction.
  • An elevating arm A7 is provided in the vicinity of the shelf unit U10. The elevating arm A7 raises and lowers the work W between the cells of the shelf unit U10.
  • a shelf unit U11 is provided on the interface block 6 side in the processing block 5.
  • the shelf unit U11 is divided into a plurality of cells arranged in the vertical direction.
  • a film removing unit U13 is provided on the shelf unit U11.
  • the film removing unit U13 performs a process for removing the interface control film on the resist film after the process related to the formation of the resist film in the processing module 12.
  • the interface block 6 transfers the work W to and from the exposure apparatus 3.
  • the interface block 6 has a built-in transfer arm A8 and is connected to the exposure apparatus 3.
  • the delivery arm A8 passes the work W arranged on the shelf unit U11 to the exposure device 3, receives the work W from the exposure device 3, and returns the work W to the shelf unit U11.
  • the control device 100 controls the coating / developing device 2 so as to execute the coating / developing process in the following procedure, for example.
  • the control device 100 controls the transfer arm A1 so as to convey the work W in the carrier C to the shelf unit U10, and controls the elevating arm A7 so as to arrange the work W in the cell for the processing module 11.
  • control device 100 controls the transport arm A3 so as to transport the work W of the shelf unit U10 to the coating unit U1 and the heat treatment unit U2 in the processing module 11. Further, the control device 100 controls the coating unit U1 and the heat treatment unit U2 so as to form an underlayer film on the surface of the work W. After that, the control device 100 controls the transport arm A3 so as to return the work W on which the lower layer film is formed to the shelf unit U10, and controls the elevating arm A7 so as to arrange the work W in the cell for the processing module 12. ..
  • control device 100 controls the transport arm A3 so as to transport the work W of the shelf unit U10 to the coating unit U1 and the heat treatment unit U2 in the processing module 12. Further, the control device 100 controls the coating unit U1 and the heat treatment unit U2 so as to form a resist film on the surface of the work W. At this time, an interface control film is formed on the resist film on the surface of the work W. After that, the control device 100 controls the transport arm A3 so as to return the work W to the shelf unit U10, and controls the elevating arm A7 so as to arrange the work W in the cell for the processing module 13.
  • control device 100 controls the transport arm A3 so as to transport the work W of the shelf unit U10 to the film removing unit U13. Further, the control device 100 controls the film removing unit U13 so as to remove the interface control film on the surface of the work W. After that, the control device 100 controls the transport arm A3 so as to return the work W to the shelf unit U10, and controls the elevating arm A7 so as to arrange the work W in the cell for the processing module 13.
  • control device 100 controls the transport arm A3 so as to transport the work W of the shelf unit U10 to each unit in the processing module 13. Further, the control device 100 controls the coating unit U1 and the heat treatment unit U2 so as to form an upper layer film on the resist film of the work W. After that, the control device 100 controls the transport arm A3 so as to transport the work W to the shelf unit U11.
  • control device 100 controls the delivery arm A8 so as to send the work W of the shelf unit U11 to the exposure device 3. After that, the control device 100 controls the transfer arm A8 so as to receive the exposed work W from the exposure device 3 and arrange it in the cell for the processing module 14 in the shelf unit U11.
  • control device 100 controls the transport arm A3 so as to transport the work W of the shelf unit U11 to each unit in the processing module 14, and the coating unit U1 and the coating unit U1 and the resist film of the work W are developed.
  • the heat treatment unit U2 is controlled.
  • control device 100 controls the transport arm A3 so as to return the work W to the shelf unit U10, and controls the elevating arm A7 and the delivery arm A1 so as to return the work W to the carrier C. This completes the coating / developing process.
  • the specific configuration of the substrate processing apparatus is not limited to the configuration of the coating / developing apparatus 2 illustrated above.
  • the substrate processing apparatus may be any as long as it includes a coating unit U1, a heat treatment unit U2, a film removing unit U13, and a control device 100 capable of controlling the film removing unit U13.
  • each process in the process module 11 and the process module 13 can be omitted.
  • the formation of the lower layer film and the upper layer film may be omitted. In the following embodiment, the case where the lower layer film and the upper layer film are not formed will be described.
  • the coating unit U1 will be described with reference to FIG.
  • the coating unit U1 shown in FIG. 4 is a coating unit U1 that can be applied particularly to the processing module 12 related to the resist film.
  • the coating unit U1 includes a rotation holding unit 20, a liquid supply unit 30 (resist liquid supply unit), and a liquid supply unit 40 (polymer supply unit).
  • the rotation holding portion 20 has a rotating portion 21 and a holding portion 22.
  • the rotating portion 21 has a shaft 23 protruding upward.
  • the rotating unit 21 rotates the shaft 23 using, for example, an electric motor or the like as a power source.
  • the holding portion 22 is provided at the tip end portion of the shaft 23.
  • the work W is arranged on the holding portion 22.
  • the holding portion 22 is, for example, a suction chuck that holds the work W substantially horizontally by suction or the like.
  • the shape of the holding portion 22 (suction chuck) is not particularly limited, but may be circular, for example.
  • the size of the holding portion 22 may be smaller than that of the work W. When the holding portion 22 is circular, the size of the holding portion 22 may be, for example, about 80 mm in diameter.
  • the rotation holding portion 20 rotates the work W around an axis (rotation axis) perpendicular to the surface Wa of the work W in a state where the posture of the work W is substantially horizontal.
  • the rotation axis passes through the center of the work W having a circular shape, and is therefore also the center axis.
  • the rotation holding portion 20 rotates the work W clockwise when viewed from above.
  • the liquid supply unit 30 is configured to supply the treatment liquid L1 to the surface Wa of the work W.
  • the treatment liquid L1 is a coating liquid made of a resist material for forming a resist film.
  • the liquid supply unit 30 functions as a resist liquid supply unit.
  • the treatment liquid L1 can be a material for forming the lower layer film, a material for forming the lower layer film, or a developing solution.
  • a resist for EUV lithography having photosensitivity to EUV light can be used as described above, but the resist material is not limited to this. Further, as the resist material, either a negative type or a positive type can be selected. Further, a metal resist can also be selected. As described above, the type of resist material used in the treatment liquid L1 is not particularly limited.
  • the liquid supply unit 30 includes a liquid source 31, a pump 32, a valve 33, a nozzle 34, and a pipe 35.
  • the liquid source 31 functions as a supply source for the treatment liquid L1.
  • the pump 32 sucks the processing liquid L1 from the liquid source 31 and sends it to the nozzle 34 via the pipe 35 and the valve 33.
  • the nozzle 34 is arranged above the work W so that the discharge port faces the surface Wa of the work W.
  • the nozzle 34 is configured to be movable in the horizontal direction and the vertical direction by a drive unit (not shown).
  • the nozzle 34 can discharge the processing liquid L1 delivered from the pump 32 onto the surface Wa of the work W.
  • the pipe 35 connects the liquid source 31, the pump 32, the valve 33, and the nozzle 34 in this order from the upstream side.
  • the liquid supply unit 40 is configured to supply the treatment liquid L2 to the surface Wa of the work W.
  • the treatment liquid L2 is a water-soluble polymer for forming an interface control film on the resist film.
  • the liquid supply unit 40 functions as a polymer supply unit.
  • the treatment liquid L2 may be used as various organic solvents for removing the lower layer film or the upper layer film from the work W.
  • the processing liquid L2 may be a rinsing liquid. Note that some processing modules do not have to have the liquid supply unit 40.
  • the water-soluble polymer for forming the interface control film used in the processing module 12 can be selected as the water-soluble polymer for forming the interface control film used in the processing module 12.
  • examples thereof include polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, methyl cellulose, methyl vinyl ether, polyacrylamide, polyethylene oxide, sodium polyacrylate, water-soluble nylon and the like.
  • a treatment liquid L2 in a state in which these water-soluble polymers are dissolved in an aqueous solvent is prepared, and this is supplied to the surface Wa of the work W coated with the treatment liquid L1 for a resist film.
  • the type of water-soluble polymer for forming the interface control film can be selected according to the type of resist film formed under the water-soluble polymer. That is, a water-soluble polymer can be selected according to the type of the treatment liquid L1 that is the material of the resist film.
  • the liquid supply unit 40 has a liquid source 41, a pump 42, a valve 43, a nozzle 44, and a pipe 45.
  • the liquid source 41 functions as a supply source of the treatment liquid L2.
  • the pump 42 sucks the processing liquid L2 from the liquid source 41 and sends it to the nozzle 44 via the pipe 45 and the valve 43.
  • the nozzle 44 is arranged above the work W so that the discharge port faces the surface Wa of the work W.
  • the nozzle 44 is configured to be movable in the horizontal direction and the vertical direction by a drive unit (not shown).
  • the nozzle 44 can discharge the processing liquid L2 sent out from the pump 42 to the surface Wa of the work W.
  • the pipe 45 connects the liquid source 41, the pump 42, the valve 43, and the nozzle 44 in this order from the upstream side.
  • the work W is coated to form a resist film R1 (coating film with a resist solution) on the surface Wa of the work W, and further, an interface control film R2 is formed on the upper surface thereof.
  • a resist film R1 coating film with a resist solution
  • the heat treatment unit U2 includes a processing chamber 50, a solvent supply unit 70, a gas supply unit 73, and an exhaust unit 76.
  • the processing chamber 50 accommodates the work W to be heat-treated.
  • the work W is heat-treated in the processing chamber 50.
  • the processing chamber 50 includes a housing 51, a temperature adjusting mechanism 55, and a heating mechanism 60. Note that FIG. 5 shows a part of the configuration of the heat treatment unit U2, and does not show all the configurations of the heat treatment unit U2.
  • the housing 51 is a processing container that houses the temperature adjusting mechanism 55 and the heating mechanism 60.
  • a carry-in entrance 52 for carrying in the work W is opened on the side wall of the housing 51.
  • the temperature adjusting mechanism 55 is a mechanism for adjusting the temperature of the work W to a predetermined temperature in the processing chamber 50.
  • the temperature adjustment of the work W in the temperature adjusting mechanism 55 may be partially included in the heat treatment in the heat treatment unit U2.
  • the temperature adjusting mechanism 55 transfers the work W to and from the external transport arm A3.
  • the temperature adjusting mechanism 55 includes a temperature adjusting plate 55a, a connecting bracket 55b, and a driving mechanism 55c.
  • the temperature adjustment plate 55a is a plate for adjusting the temperature of the mounted work W.
  • the temperature adjusting plate 55a is a cool plate on which the work W heated by the heating mechanism 60 is placed and the work W is cooled to a predetermined temperature.
  • the temperature control plate 55a may be formed in a substantially disk shape.
  • the temperature control plate 55a may be made of a metal such as aluminum, silver, or copper having high thermal conductivity, or may be made of one kind of material from the viewpoint of preventing deformation due to heat.
  • a cooling flow path (not shown) for flowing cooling water or cooling gas may be formed inside the temperature adjusting plate 55a.
  • the connecting bracket 55b is connected to the temperature control plate 55a.
  • the drive mechanism 55c operates based on the instruction of the control device 100 to move the connecting bracket 55b.
  • the connecting bracket 55b is moved in the housing 51 by the drive mechanism 55c. Specifically, the connecting bracket 55b moves along a guide rail (not shown) extending between the carry-in inlet 52 of the housing 51 and the vicinity of the heating mechanism 60. As the connecting bracket 55b moves along the guide rail, the temperature adjusting plate 55a moves between the carry-in inlet 52 and the heating mechanism 60.
  • the connecting bracket 55b may be made of a metal such as aluminum, silver, or copper having high thermal conductivity.
  • the heating mechanism 60 is a mechanism for heat-treating the work W in the processing chamber 50.
  • the heat treatment of the work W in the heating mechanism 60 is included in a part of the heat treatment in the heat treatment unit U2.
  • the heating mechanism 60 includes a support base 61, a hot plate 62, a heater 63, a chamber 64 (cover body), an elevating mechanism 65, a support pin 66, and an elevating mechanism 67.
  • the support base 61 has a cylindrical shape with a recess formed in the central portion.
  • the support base 61 supports the hot plate 62.
  • the hot plate 62 is formed in a substantially disk shape, for example, and is housed in a recess of the support base 61.
  • the hot plate 62 has a mounting surface 62a.
  • the hot plate 62 supports the work W by mounting the work W to be processed on the mounting surface 62a.
  • the hot plate 62 heats the placed work W.
  • a heater 63 for heating the hot plate 62 is provided on the lower surface of the hot plate 62 opposite to the mounting surface 62a.
  • the heater 63 is composed of a resistance heating element. The heater 63 generates heat when an electric current flows through the heater 63.
  • the heater 63 may be embedded in the hot plate 62.
  • the heat plate 62 can be made of, for example, a metal such as aluminum, silver, or copper having high thermal conductivity. However, if the heat from the heater 63 can be transferred to heat the work W, the heat plate 62 can be heated. It may be composed of any shape and material.
  • the chamber 64 is configured to surround the mounting surface 62a of the work W on the hot plate 62.
  • the chamber 64 has a top plate portion 64a and a foot portion 64b.
  • the top plate portion 64a is formed in a disk shape having a diameter similar to that of the support base 61.
  • the top plate portion 64a is arranged so as to face the mounting surface 62a of the hot plate 62 in the vertical direction.
  • the foot portion 64b is configured to extend downward from the outer edge of the top plate portion 64a.
  • the elevating mechanism 65 is a mechanism for elevating and lowering the chamber 64 in response to an instruction from the control device 100. When the chamber 64 is raised by the elevating mechanism 65, the space for heat treatment of the work W is opened, and when the chamber 64 is lowered, the space for heat treatment of the work W is closed. ..
  • the support pin 66 extends in the vertical direction so as to penetrate the support base 61 and the hot plate 62, and is a pin that supports the work W from below.
  • the support pin 66 raises and lowers in the vertical direction to arrange the work W at a predetermined position.
  • the support pin 66 transfers the work W to and from the temperature control plate 55a that conveys the work W.
  • the support pins 66 may be composed of, for example, three pins arranged at equal intervals in the circumferential direction.
  • the elevating mechanism 67 is a mechanism for elevating and lowering the support pin 66 in response to an instruction from the control device 100.
  • the elevating mechanism 67 is configured so that the work W (specifically, the support pin 66 that supports the work W) can be raised and lowered so that the work W is brought closer to the hot plate 62 and the work W is placed on the hot plate 62. Has been done.
  • the solvent supply unit 70 supplies solvent vapor derived from an organic solvent to the space where the work W is heat-treated.
  • the solvent supply unit 70 has a solvent supply source 71 and a steam supply pipe 72. Further, a valve V1 as an on-off valve is provided on the steam supply pipe 72. By opening and closing the valve V1, the solvent vapor from the solvent supply source 71 is supplied into the chamber 64 and the supply amount thereof is adjusted.
  • an organic solvent having a property of dissolving the resist pattern can be used.
  • examples include propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), cyclohexanone, and gamma butyl easy ton tower.
  • the gas supply unit 73 supplies rare gas, carbon dioxide, or the like to the space where the work W is heat-treated.
  • the gas supply unit 73 has a gas supply source 74 and a gas supply pipe 75. Further, a valve V2 as an on-off valve is provided on the gas supply pipe 75. By opening and closing the valve V2, the gas from the gas supply source 74 is supplied into the chamber 64 and the supply amount thereof is adjusted.
  • Examples of the gas supplied by the gas supply unit 73 include nitrogen (N 2 ), argon (Ar), carbon dioxide and the like.
  • FIG. 5 shows a configuration in which N 2 is supplied as an example, a plurality of gas supply units 73 may be provided in order to supply these gases. Further, the supply amount and the like may be individually controllable by the valve V2 for each of the gas supply units 73.
  • the heating mechanism 60 may be provided with a mechanism for measuring the temperature of the hot plate, a mechanism for measuring the temperature inside the chamber 64, and the like. These mechanisms may measure the temperature of the object to be measured in response to an instruction from the control device 100. Each of these mechanisms outputs the measurement result to the control device 100. Each of these mechanisms may be a thermistor. The control device 100 may control the heating temperature and the like based on the information from these mechanisms.
  • the exhaust unit 76 discharges gas from the processing chamber 50.
  • the exhaust unit 76 discharges gas from the processing chamber 50 to the outside of the heat treatment unit U2 (coating / developing device 2).
  • the exhaust unit 76 includes an exhaust duct 77 and an opening / closing unit 78.
  • the exhaust duct 77 connects the space in the processing chamber 50 (the space partitioned by the housing 51) and the exhaust destination.
  • the opening / closing portion 78 is provided on the flow path of the exhaust duct 77.
  • the opening / closing unit 78 switches the flow path of the exhaust duct 77 to an open state or a shutoff state according to an instruction from the control device 100.
  • the opening / closing unit 78 is, for example, a solenoid valve (solenoid valve).
  • the opening / closing portion 78 When the opening / closing portion 78 is set to the open state, the flow path of the exhaust duct 77 is switched from the cut-off state to the open state. When the opening / closing portion 78 is set to the closed state, the flow path of the exhaust duct 77 is switched from the open state to the shutoff state.
  • an exhaust unit 79 that discharges gas from the space partitioned by the support base 61 and the chamber 64 (hereinafter, referred to as the space in the chamber 64) may be provided.
  • the exhaust unit 79 is provided, for example, by operating in the same manner as the exhaust unit 76, gas can be discharged from the inside of the chamber 64 to the outside of the heat treatment unit U2 (coating / developing device 2).
  • the film removing unit U13 will be described with reference to FIG.
  • the film removing unit U13 shown in FIG. 6 removes the interface control film from the work W after forming the resist film and performing the heat treatment.
  • the film removing unit U13 includes a rotation holding unit 20 and a liquid supply unit 80 (removal liquid supply unit).
  • the rotation holding portion 20 has the same configuration as the rotation holding portion 20 of the coating unit U1 (see FIG. 4). That is, the rotation holding portion 20 of the film removing unit U13 also has a rotating portion 21 and a holding portion 22.
  • the rotating portion 21 has a shaft 23 protruding upward.
  • the holding portion 22 is provided at the tip end portion of the shaft 23, and the work W is arranged on the holding portion 22.
  • the rotation holding portion 20 rotates the work W around an axis (rotation axis) perpendicular to the surface Wa of the work W in a state where the posture of the work W is substantially horizontal.
  • the rotation axis passes through the center of the work W having a circular shape, and is therefore also the center axis.
  • the rotation holding portion 20 rotates the work W clockwise when viewed from above.
  • the liquid supply unit 80 is configured to supply the treatment liquid L3 to the surface Wa of the work W.
  • the treatment liquid L3 is a treatment liquid for removing the interface control film.
  • pure water can be used as the treatment liquid L3.
  • the liquid supply unit 80 includes a liquid source 81, a pump 82, a valve 83, a nozzle 84, and a pipe 85.
  • the liquid source 81 functions as a supply source for the treatment liquid L3.
  • the pump 82 sucks the processing liquid L3 from the liquid source 81 and sends it to the nozzle 84 via the pipe 85 and the valve 83.
  • the nozzle 84 is arranged above the work W so that the discharge port faces the surface Wa of the work W.
  • the nozzle 34 is configured to be movable in the horizontal direction and the vertical direction by a drive unit (not shown).
  • the nozzle 84 can discharge the processing liquid L3 sent out from the pump 82 to the surface Wa of the work W.
  • the pipe 85 connects the liquid source 81, the pump 82, the valve 83, and the nozzle 84 in this order from the upstream side.
  • the interface control film formed on the surface Wa of the work W is removed, and the resist film R1 is exposed on the surface.
  • control device 100 has a reading unit M1, a storage unit M2, a processing unit M3, and an indicating unit M4 as functional modules.
  • These functional modules merely divide the functions of the control device 100 into a plurality of modules for convenience, and do not necessarily mean that the hardware constituting the control device 100 is divided into such modules.
  • Each functional module is not limited to that realized by executing a program, and may be realized by a dedicated electric circuit (for example, a logic circuit). Further, each functional module may be realized by an integrated circuit (ASIC: Application Specific Integrated Circuit) in which the modules are integrated.
  • ASIC Application Specific Integrated Circuit
  • the reading unit M1 reads the program from the computer-readable storage medium RM.
  • the storage medium RM stores a program for operating each part of the substrate processing system 1.
  • the storage medium RM may be, for example, a semiconductor memory, an optical recording disk, a magnetic recording disk, or an optical magnetic recording disk.
  • the storage unit M2 stores various data.
  • the storage unit M2 is input from the operator via, for example, a program read from the storage medium RM by the reading unit M1, various data when processing the work W (so-called processing recipe), and an external input device (not shown). Stores setting data, etc.
  • the processing unit M3 processes various data.
  • the processing unit M3 generates an operation signal for operating the coating unit U1, the heat treatment unit U2, and the film removing unit U13, for example, based on various data stored in the storage unit M2.
  • the instruction unit M4 transmits the operation signal generated by the processing unit M3 to various devices.
  • the operation signal transmitted to the heating mechanism 60 may include a signal indicating a current value to be passed through the heater 63.
  • the indicator unit M4 may output a current having a current value to be passed through the heater 63 defined by the processing unit M3 to the heater 63 via the digital-to-analog conversion circuit.
  • the hardware of the control device 100 is composed of, for example, one or a plurality of control computers.
  • the control device 100 has a circuit 120 shown in FIG.
  • the circuit 120 has one or more processors 121, a memory 122, a storage 123, an input / output port 124, and a timer 125.
  • the storage 123 has a storage medium that can be read by a computer, such as a hard disk.
  • the storage medium stores a program for causing the exposure / developing apparatus 2 to execute the substrate processing procedure described later.
  • the storage medium may be a removable medium such as a non-volatile semiconductor memory, a magnetic disk, or an optical disk.
  • the memory 122 temporarily stores the program loaded from the storage medium of the storage 123 and the calculation result by the processor 121.
  • the processor 121 constitutes each of the above-mentioned functional modules by executing the above program in cooperation with the memory 122.
  • the input / output port 124 inputs / outputs an electric signal to / from each part of the board processing system 1 in accordance with a command from the processor 121.
  • the timer 125 measures the elapsed time, for example, by counting a reference pulse having a fixed cycle.
  • the control device 100 controls the coating unit U1, the heat treatment unit U2, the film removing unit U13, and the like included in the substrate processing system 1 according to the above configuration. Further, the control device 100 may also control other units (not shown in FIG. 7). The configuration of the control device 100 is an example, and is not limited to the above.
  • FIG. 9 describes a series of processes related to the formation of a resist film on the work W. Each step shown in FIG. 9 is executed by the control device 100 controlling each unit constituting the coating / developing device 2.
  • step S01 the control device 100 carries the work W into the coating unit U1 of the processing module 12, supplies the processing liquid L1 to the surface Wa of the work W, and applies the resist liquid.
  • the processing module 11 may perform a process of forming an underlayer film on the surface Wa of the work W. As a result, as shown in FIG. 10A, a resist film R1 (corresponding coating film) is formed on the work W.
  • step S02 the control device 100 supplies the processing liquid L2 to the upper surface of the resist film R1 by the resist liquid applied on the surface Wa of the work W in the state of being carried into the coating unit U1 of the processing module 12 to control the interface. It forms a film R2.
  • the interface control film R2 is formed on the resist film R1 (corresponding to the resist liquid layer) of the work W.
  • the interface control film R2 can be formed so as to cover the entire surface of the resist film R1. In this case, the effect described later is enhanced by providing the interface control film R2.
  • the interface control film R2 may be formed with a part of the resist film R1 exposed on the surface.
  • step S03 the control device 100 carries the work W into the heat treatment unit U2 of the processing module 12 and heat-treats the work W in the heating mechanism 60.
  • gas is supplied from the solvent supply unit 70 and the gas supply unit 73, and the inside of the chamber 64 is made into a gas atmosphere for heat treatment.
  • the pressure in the chamber 64 can be adjusted to about atmospheric pressure.
  • the heating mechanism 60 for example, the temperature of the hot plate 62 is set to about 50 ° C. to 150 ° C., and the temperature of the gas supplied into the chamber 64 is set to about 30 ° C. to 60 ° C. In this state, the work W is supported on the hot plate 62, and the work W is heat-treated.
  • the heat treatment time is, for example, about several minutes to several tens of minutes.
  • uneven distribution of components may occur between the interface between the work W and the resist film R1 and between the resist film R1 and the interface control film R2.
  • FIG. 10C schematically shows the uneven distribution of components that may occur at the interface between the work W and the resist film R1.
  • step S04 the control device 100 carries the work W into the film removing unit U13, supplies the treatment liquid L3 to the surface Wa of the work W, and removes the interface control film R2 provided on the surface Wa.
  • the interface control film R2 of the work W is removed, and the resist film R1 is exposed.
  • step S05 the control device 100 carries the work W into the exposure device 3 and performs an exposure process on the work W. If necessary, the upper layer film may be formed in the processing module 13 before step S05. As a result of the exposure process by the exposure apparatus 3, a predetermined pattern is formed on the resist film R1.
  • step S06 the control device 100 carries the work W into the processing module 14 and performs a developing process on the resist film R1 of the work W. As a result, the unphotosensitive portion of the resist film R1 is removed.
  • the substrate is heated with the interface control film R2 formed on the surface of the resist film R1, and then the resist film R1 is exposed.
  • the generation of uneven distribution / separation of the components of the resist film due to heating is prevented, so that the fine pattern can be formed accurately using the resist film.
  • the interface control film R2 is formed by supplying a treatment liquid containing a water-soluble polymer on the resist film R1, and then heating is performed in that state. .. Therefore, the interface control film R2 formed by the treatment liquid containing the water-soluble polymer can reduce the difference in surface energy from the resist material as compared with the case where the resist film is exposed. Therefore, it is possible to prevent uneven distribution / separation of the components of the resist film on the surface of the resist film, and to form a fine pattern with high accuracy.
  • heating is performed in an atmosphere of organic solvent vapor supplied by the solvent supply unit 70.
  • the heating may be performed in any of the atmospheres of nitrogen, noble gas, and carbon dioxide supplied by the gas supply unit 73. As described above, by heating the substrate in any of nitrogen, noble gas, and carbon dioxide atmospheres, uneven distribution and separation of components in the resist film can be further suppressed.
  • the temperature of the heat plate 62 is set to about 50 ° C. to 150 ° C. by the heating mechanism 60, and the heat plate 62 is supplied into the chamber 64.
  • the temperature of the gas is about room temperature.
  • heating may be performed in the atmosphere without using the solvent supply unit 70 and the gas supply unit 73. Even when heating in the air, uneven distribution / separation of components in the resist film can be suppressed.
  • the temperature of the hot plate 62 is set to about 50 ° C. to 150 ° C.
  • the temperature of the gas supplied into the chamber 64 is set to about room temperature by the heating mechanism 60.
  • the atmosphere at the time of heating is an atmosphere of organic solvent vapor or an atmosphere of nitrogen, noble gas, or carbon dioxide rather than the atmosphere.
  • nitrogen, noble gas, and carbon dioxide are all low-activity gases, it is considered that the influence on the resist film during heating can be reduced as compared with the atmosphere.
  • the organic solvent vapor has a surface free energy close to that of the resist film, the influence on the resist film can be further reduced as compared with nitrogen, noble gas, and carbon dioxide.
  • the organic solvent vapor and nitrogen, noble gas, and carbon dioxide may be mixed and used.
  • the interface control film may be removed in the film removing unit U13 after heating and before exposure.
  • the interface control film By removing the interface control film before exposure, it is possible to suppress uneven distribution and separation of the components of the resist film during heating, and it is not necessary to adjust the amount of light in consideration of the interface control film during exposure. , It is possible to more easily realize the formation of a fine pattern with high accuracy. If an attempt is made to expose with the interface control film present on the resist film, it is necessary to adjust the exposure amount in consideration of the influence of the interface control film, which may affect the formation of fine patterns. .. When exposure is performed after removing the interface control film as described above, it is not necessary to adjust the exposure amount in consideration of the interface control film.
  • the exposure may be performed by EUV light.
  • EUV light When performing exposure using EUV light, it is required to thin the resist film. In such a case, the uneven distribution / separation of the components in the resist film has a large effect on patterning. Therefore, the effect of preventing uneven distribution / separation of components in the resist film due to heating by forming the above-mentioned interface control film is particularly effective during exposure with EUV light.
  • the interface control film may be further provided on the lower surface of the resist film.
  • the interface control film may be provided by applying a treatment liquid containing a water-soluble polymer.
  • the material of the interface control film provided on the lower surface of the resist film R1 may be changed.
  • a silicon-containing antireflection coating (SiARC) layer may be formed as an interface control film between the substrate and the resist film. good.
  • Substrate processing system 2 ... Development device, 3 ... Exposure device, 11-14 ... Processing module, 20 ... Rotation holding section, 21 ... Rotating section, 30 ... Liquid supply section, 40 ... Liquid supply section, 50 ... Processing chamber , 51 ... housing, 55 ... temperature control mechanism, 60 ... heating mechanism, 61 ... support, 62 ... hot plate, 63 ... heater, 64 ... chamber, 70 ... solvent supply unit, 71 ... solvent supply source, 72 ... steam Supply pipe, 73 ... gas supply unit, 74 ... gas supply source, 75 ... gas supply pipe, 76 ... exhaust unit, 79 ... exhaust unit, 80 ... liquid supply unit, 100 ... control device.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

基板処理方法は、基板の表面にレジスト膜を形成することと、基板の前記レジスト膜の表面に、水溶性ポリマーを含む処理液を供給し、界面制御膜を形成することと、界面制御膜が形成された基板を加熱することと、加熱後の基板に形成されたレジスト膜を露光することと、を含む。

Description

基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
　本開示は、基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体に関する。
　特許文献１は、ＥＵＶ光源からのＥＵＶ光を用いた露光装置が開示されている。
特開２００９－４３９０６号公報
　本開示は、微細パターンをより精度よく形成することが可能な技術を提供する。
　本開示の一態様による基板処理方法は、基板の表面にレジスト膜を形成することと、前記基板の前記レジスト膜の表面に、水溶性ポリマーを含む処理液を供給し、界面制御膜を形成することと、前記界面制御膜が形成された前記基板を加熱することと、加熱後の前記基板に形成された前記レジスト膜を露光することと、を含む。
　本開示によれば、微細パターンをより精度よく形成することが可能な技術が提供される。
図１は、基板処理システムの一例を示す模式的な斜視図である。 図２は、図１に示される基板処理システムの内部構成の一例を示す模式図である。 図３は、図１に示される基板処理システムの内部構成の一例を示す模式図である。 図４は、処理モジュールの一例を示す模式図である。 図５は、処理モジュールの一例を示す模式図である。 図６は、処理モジュールの一例を示す模式図である。 図７は、基板処理システムの主要部の一例を示すブロック図である。 図８は、制御装置のハードウェア構成の一例を示す概略図である。 図９は、基板処理方法の一例を示すフロー図である。 図１０（ａ）、図１０（ｂ）、図１０（ｃ）は、基板処理方法によるワークの表面の変化の一例を示す図である。
　以下、種々の例示的実施形態について説明する。
　一つの例示的実施形態において、基板処理方法が提供される。この基板処理方法は、基板の表面にレジスト膜を形成することと、前記基板の前記レジスト膜の表面に、水溶性ポリマーを含む処理液を供給し、界面制御膜を形成することと、前記界面制御膜が形成された前記基板を加熱することと、加熱後の前記基板に形成された前記レジスト膜を露光することと、を含む。
　上記の基板処理方法によれば、レジスト膜の表面に界面制御膜が形成された状態で基板の加熱が行われ、その後レジスト膜が露光される。この結果、加熱によるレジスト膜の成分の偏在・分離等の発生が防がれるため、レジスト膜を用いた微細パターンの形成を精度よく行うことができる。
　前記加熱することは、有機溶剤蒸気の雰囲気中で行われる態様とすることができる。
　上記のように、有機溶剤蒸気の雰囲気中で基板の加熱を行うことにより、レジスト膜における成分の偏在・分離をさらに抑制することができる。
　前記加熱することは、窒素、希ガス、および二酸化炭素のいずれかの雰囲気中で行われる態様とすることができる。
　上記のように、窒素、希ガス、および二酸化炭素のいずれかの雰囲気中で基板の加熱を行うことにより、レジスト膜における成分の偏在・分離をさらに抑制することができる。
　前記加熱することの後であって、前記露光することの前に、前記界面制御膜を除去することをさらに含む態様とすることができる。
　露光することの前に界面制御膜を除去することにより、加熱時にはレジスト膜の成分の偏在・分離を抑制することができる。また、露光時には界面制御膜を考慮した光量の調整等が不要となるため、精度のよい微細パターンの形成をより簡単に実現することができる。
　前記露光することにおいて、ＥＵＶ光によって露光する態様とすることができる。
　ＥＵＶ光を用いた露光を行う場合、レジスト膜を薄膜化することが求められている。このような場合において、レジスト膜における成分の偏在・分離はパターニングへの影響が大きくなる。したがって、上述の界面制御膜の形成による加熱によるレジスト膜での成分の偏在・分離等の防止効果は、ＥＵＶ光による露光時に特に効果的である。
　一つの例示的実施形態において、基板処理装置が提供される。この基板処理装置は、基板の表面に、レジスト液を供給するように構成されたレジスト液供給部と、前記基板の表面に、水溶性ポリマーを含む処理液を供給するように構成されたポリマー供給部と、前記基板を加熱する加熱処理部と、制御部と、を備え、前記制御部は、前記基板の表面に対してレジスト膜を形成するように、前記レジスト液供給部を制御する処理と、前記基板の前記レジスト膜の表面に界面制御膜を形成するように、前記ポリマー供給部を制御する処理と、前記界面制御膜が形成された基板を露光前に加熱するように、前記加熱処理部を制御する処理と、を実行する。
　上記の基板処理装置では、露光前に、レジスト膜の表面に界面制御膜が形成された状態で基板の加熱が行われ、その後の、レジスト膜が露光される。この結果、加熱によるレジスト膜での成分の偏在・分離等の発生が防がれるため、レジスト膜を用いた微細パターンの形成を精度よく行うことができる。
　さらに別の例示的実施形態において、上述の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体が提供される。
　以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一または相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
［基板処理システム］
　図１に示す基板処理システム１は、基板（ワークＷ）に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、および当該感光性被膜の現像を施すシステムである。
　処理対象のワークＷは、例えば半導体用の基板である。基板としては、一例として、シリコンウェハである。ワークＷは円形に形成されてもよい。また、処理対象のワークＷは、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）などであってもよい。一例として、ワークＷとして、波長１０ｎｍ～１００ｎｍ程度の範囲のＥＵＶ光を用いたＥＵＶリソグラフィ（Extreme ultraviolet lithography：極端紫外線リソグラフィ）を適用可能な材料を選択することができる。一例として、ＥＵＶ光としては波長１３．５ｎｍの光が用いられ得る。また、ワークＷに形成されるレジスト膜としては、ＥＵＶリソグラフィ用のレジスト膜が用いられてもよい。したがって、レジスト膜の形成に用いられるレジスト液（薬液）は、ＥＵＶ光に対して感光性を有するものが用いられる。なお、このようなＥＵＶリソグラフィ用のレジスト膜に使用することができる公知のレジスト液を用いることができる。
　基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ワークＷ（基板）上に形成されたレジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ワークＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法にレジスト膜の露光対象部分に選択的にエネルギー線を照射する。エネルギー線としては、上述のＥＵＶ光のほかに、例えばＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、ｇ線、ｉ線等が挙げられる。このように、基板処理システム１における露光処理は、ＥＵＶ光による処理に限定されない。
　ワークＷは、例えば、基板の表面にシリコン含有反射防止コーティング（ＳｉＡＲＣ）層が形成されたものであってもよい。ＵＶ光によってリソグラフィを行う場合、ＵＶ光が基板で反射することによって生じる定在波がレジスト側壁に影響を及ぼす可能性がある。そのため、一般的に反射を防止するための下層膜が形成されることがある。ただし、ＥＵＶ光は基板での材料の反射が少ないため、下層膜を省略することができる。なお、シリコン含有反射防止コーティング（ＳｉＡＲＣ）層に代えて、他の下層膜が形成されていてもよい。同様に、レジスト膜の上に上層膜を形成してもよい。
［基板処理装置］
　以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１～図３に示されるように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、制御装置１００（制御部）とを備える。
　キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのワークＷの導入および塗布・現像装置２内からのワークＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ワークＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のワークＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリアＣからワークＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からワークＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。
　処理ブロック５は、複数の処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。処理モジュール１１，１２，１３，１４は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。塗布ユニットＵ１は、処理液をワークＷの表面に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板および冷却板を内蔵しており、熱板によりワークＷを加熱し、加熱後のワークＷを冷却板により冷却して熱処理を行う。
　処理モジュール１１は、塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２によりワークＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１１の塗布ユニットＵ１は、下層膜を形成するための処理液をワークＷ上に塗布する。処理モジュール１１の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
　処理モジュール１２は、塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜の上に塗布する。また、塗布ユニットＵ１は、塗布された処理液の上に水溶性ポリマーを供給することで界面制御膜を形成する。処理モジュール１２の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させてレジスト膜とするための加熱処理（ＰＡＢ：Pre　Applied　Bake）が挙げられる。
　処理モジュール１３は、塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１３の塗布ユニットＵ１は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１３の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
　処理モジュール１４は、塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１４の塗布ユニットＵ１は、露光済みのワークＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Post　Exposure　Bake）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Post　Bake）等が挙げられる。
　処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でワークＷを昇降させる。
　処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
　さらに、棚ユニットＵ１１上には、膜除去ユニットＵ１３が設けられる。膜除去ユニットＵ１３は、処理モジュール１２におけるレジスト膜の形成に係る処理のあとに、レジスト膜上の界面制御膜を除去するための処理を行う。
　インタフェースブロック６は、露光装置３との間でワークＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたワークＷを露光装置３に渡し、露光装置３からワークＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。
　制御装置１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まず制御装置１００は、キャリアＣ内のワークＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、このワークＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
　次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１１内の塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの表面上に下層膜を形成するように、塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、下層膜が形成されたワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
　次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１２内の塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの表面に対してレジスト膜を形成するように塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２を制御する。この際に、ワークＷの表面にはレジスト膜上に界面制御膜が形成される。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
　次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを膜除去ユニットＵ１３に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの表面の界面制御膜を除去するように膜除去ユニットＵ１３を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
　次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。
　次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のワークＷを露光装置３に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後制御装置１００は、露光処理が施されたワークＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように受け渡しアームＡ８を制御する。
　次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のワークＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このワークＷのレジスト膜に現像処理を施すように塗布ユニットＵ１および熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このワークＷをキャリアＣ内に戻すように昇降アームＡ７および受け渡しアームＡ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。
　なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、膜除去ユニットＵ１３と、これを制御可能な制御装置１００とを備えていればどのようなものであってもよい。
　また、ワークＷによっては、上述の下層膜および上層膜を設けない場合がある。この場合、処理モジュール１１および処理モジュール１３における各処理は省略することができる。例えば、レジストの種類によっては、下層膜および上層膜の形成が省略される場合がある。以下の実施形態では、下層膜および上層膜を形成しない場合について説明する。
（塗布ユニット）
　図４を参照して、塗布ユニットＵ１について説明する。図４に示す塗布ユニットＵ１は、特にレジスト膜に係る処理モジュール１２に適用され得る塗布ユニットＵ１である。塗布ユニットＵ１は、図４に示されるように、回転保持部２０と、液供給部３０（レジスト液供給部）と、液供給部４０（ポリマー供給部）を備える。
　回転保持部２０は、回転部２１と、保持部２２とを有する。回転部２１は、上方に突出したシャフト２３を有する。回転部２１は、例えば電動モータ等を動力源としてシャフト２３を回転させる。保持部２２は、シャフト２３の先端部に設けられている。保持部２２上にはワークＷが配置される。保持部２２は、例えば、吸着等によりワークＷを略水平に保持する吸着チャックである。保持部２２（吸着チャック）の形状は特に限定されないが、例えば円形であってもよい。保持部２２のサイズは、ワークＷよりも小さくてもよい。保持部２２が円形の場合、保持部２２のサイズは、例えば直径が８０ｍｍ程度であってもよい。
　回転保持部２０は、ワークＷの姿勢が略水平の状態で、ワークＷの表面Ｗａに対して垂直な軸（回転軸）周りでワークＷを回転させる。本実施形態では、回転軸は、円形状を呈するワークＷの中心を通っているので、中心軸でもある。本実施形態では、図４に示されるように、回転保持部２０は、上方から見て時計回りにワークＷを回転させる。
　液供給部３０は、ワークＷの表面Ｗａに処理液Ｌ１を供給するように構成されている。処理モジュール１２では、処理液Ｌ１は、レジスト膜を形成するためのレジスト材料からなる塗布液である。この場合、液供給部３０は、レジスト液供給部として機能する。処理モジュール１１，１３，１４では、処理液Ｌ１は、下層膜を形成する材料、下層膜を形成する材料、または、現像液となり得る。
　処理モジュール１２において処理液Ｌ１として用いられるレジスト材料は、上述のようにＥＵＶ光に対して感光性を有するＥＵＶリソグラフィ用レジストを用いることができるが、これに限定されるものではない。また、レジスト材料としては、ネガ型、ポジ型のいずれも選択することができる。さらに、メタル系レジストも選択することができる。このように、処理液Ｌ１に用いられるレジスト材料の種類は特に限定されない。
　液供給部３０は、液源３１と、ポンプ３２と、バルブ３３と、ノズル３４と、配管３５とを有する。液源３１は、処理液Ｌ１の供給源として機能する。ポンプ３２は、液源３１から処理液Ｌ１を吸引し、配管３５およびバルブ３３を介してノズル３４に送り出す。ノズル３４は、吐出口がワークＷの表面Ｗａに向かうようにワークＷの上方に配置されている。ノズル３４は、図示しない駆動部によって水平方向および上下方向に移動可能に構成されている。ノズル３４は、ポンプ３２から送り出された処理液Ｌ１を、ワークＷの表面Ｗａに吐出可能である。配管３５は、上流側から順に、液源３１、ポンプ３２、バルブ３３およびノズル３４を接続している。
　液供給部４０は、ワークＷの表面Ｗａに処理液Ｌ２を供給するように構成されている。処理モジュール１２において、処理液Ｌ２は、レジスト膜上に界面制御膜を形成するための水溶性ポリマーである。この場合、液供給部４０は、ポリマー供給部として機能する。処理モジュール１１，１３では、処理液Ｌ２は、下層膜または上層膜をワークＷから除去するための各種有機溶剤としてもよい。また、処理モジュール１４では、処理液Ｌ２はリンス液としてもよい。なお、処理モジュールによっては、液供給部４０を有していなくもてよい。
　処理モジュール１２において用いられる、界面制御膜を形成するための水溶性ポリマーとしてしては、種々の材料を選択できる。一例として、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、メチルセルロース、メチルビニルエーテル、ポリアクリルアミド、ポリエチレンオキサイド、ポリアクリル酸ナトリウム、水溶性ナイロン等が挙げられる。処理モジュール１２では、これらの水溶性ポリマーを水性溶媒に溶解した状態の処理液Ｌ２を準備し、これをレジスト膜用の処理液Ｌ１が塗布されたワークＷの表面Ｗａに供給する。
　界面制御膜を形成するための水溶性ポリマーの種類は、その下層に形成されるレジスト膜の種類に応じて選択され得る。すなわち、レジスト膜の材料となる処理液Ｌ１の種類に応じて、水溶性ポリマーが選択され得る。
　液供給部４０は、液源４１と、ポンプ４２と、バルブ４３と、ノズル４４と、配管４５とを有する。液源４１は、処理液Ｌ２の供給源として機能する。ポンプ４２は、液源４１から処理液Ｌ２を吸引し、配管４５およびバルブ４３を介してノズル４４に送り出す。ノズル４４は、吐出口がワークＷの表面Ｗａに向かうようにワークＷの上方に配置されている。ノズル４４は、図示しない駆動部によって水平方向および上下方向に移動可能に構成されている。ノズル４４は、ポンプ４２から送り出された処理液Ｌ２を、ワークＷの表面Ｗａに吐出可能である。配管４５は、上流側から順に、液源４１、ポンプ４２、バルブ４３およびノズル４４を接続している。
　処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１において、ワークＷに対して塗布処理を施すことにより、ワークＷの表面Ｗａにレジスト膜Ｒ１（レジスト液による塗布膜）を形成し、さらに、その上面に界面制御膜Ｒ２を形成する。
（熱処理ユニット）
　続いて、熱処理ユニットＵ２について図５を参照して詳細に説明する。図５に示されるように、熱処理ユニットＵ２は、処理室５０と、溶剤供給部７０と、ガス供給部７３と、排気部７６とを備える。
　処理室５０は、熱処理の対象であるワークＷを収容する。処理室５０内においてワークＷに対する熱処理が行われる。処理室５０は、筐体５１と、温度調整機構５５と、加熱機構６０と、を有する。なお、図５は、熱処理ユニットＵ２の一部の構成を示しており、熱処理ユニットＵ２の全ての構成を示すものではない。
　筐体５１は、温度調整機構５５および加熱機構６０を収容する処理容器である。筐体５１の側壁には、ワークＷを搬入するための搬入口５２が開口されている。
　温度調整機構５５は、処理室５０内においてワークＷの温度を所定温度に調整する機構である。温度調整機構５５におけるワークＷの温度の調整は、熱処理ユニットＵ２における熱処理に一部に含まれてもよい。温度調整機構５５は、外部の搬送アームＡ３との間でワークＷの受け渡しを行う。温度調整機構５５は、温度調整プレート５５ａと、連結ブラケット５５ｂと、駆動機構５５ｃとを有する。
　温度調整プレート５５ａは、載置されたワークＷの温度調整を行うプレートである。具体的には、温度調整プレート５５ａは、加熱機構６０により加熱されたワークＷを載置し、該ワークＷを所定温度に冷却するクールプレートである。例えば、温度調整プレート５５ａは、略円盤状に形成されていてもよい。温度調整プレート５５ａは、熱伝導性の高いアルミ、銀、または銅等の金属によって構成されていてもよく、熱による変形を防止する観点から一種類の材料で構成されていてもよい。温度調整プレート５５ａの内部には、冷却水または冷却気体を流通させるための冷却流路（不図示）が形成されていてもよい。
　連結ブラケット５５ｂは、温度調整プレート５５ａに連結されている。駆動機構５５ｃは、制御装置１００の指示に基づいて動作し、連結ブラケット５５ｂを移動させる。連結ブラケット５５ｂは、駆動機構５５ｃによって筐体５１内を移動する。具体的には、連結ブラケット５５ｂは、筐体５１の搬入口５２と加熱機構６０の近傍との間に延びるガイドレール（不図示）に沿って移動する。連結ブラケット５５ｂがガイドレールに沿って移動することにより、温度調整プレート５５ａが搬入口５２と加熱機構６０との間を移動する。連結ブラケット５５ｂは、例えば熱伝導率の高いアルミ、銀、または銅等の金属によって構成されていてもよい。
　加熱機構６０は、処理室５０内においてワークＷを加熱処理する機構である。加熱機構６０におけるワークＷに対する加熱処理は、熱処理ユニットＵ２における熱処理の一部に含まれる。加熱機構６０は、支持台６１と、熱板６２と、ヒータ６３と、チャンバー６４（蓋体）と、昇降機構６５と、支持ピン６６と、昇降機構６７とを有する。
　支持台６１は、中央部分に窪みが形成された円筒形状を呈している。支持台６１は、熱板６２を支持している。熱板６２は、例えば略円盤状に形成されており、支持台６１の窪みに収容されている。熱板６２は、載置面６２ａを有している。載置面６２ａに処理対象のワークＷが載置されることで、熱板６２はワークＷを支持する。熱板６２は、載置されたワークＷを加熱する。熱板６２の載置面６２ａとは反対側の下面には、熱板６２を加熱するためのヒータ６３が設けられている。例えば、ヒータ６３は、抵抗発熱体から構成されている。ヒータ６３に対して電流が流れることにより、ヒータ６３は発熱する。そして、ヒータ６３からの熱が伝熱して、熱板６２の温度が上昇する。ヒータ６３には、制御装置１００からの指示に応じた値の電流が流れてもよく、制御装置１００からの指示に応じた値の電圧が印加され、当該電圧値に応じた電流が流れてもよい。なお、ヒータ６３は、熱板６２内に埋め込まれていてもよい。なお、熱板６２は、例えば熱伝導率の高いアルミ、銀、または銅等の金属によって構成することができるが、ヒータ６３からの熱が伝わり、ワークＷを加熱することが可能であれば、どのような形状および材料から構成されていてもよい。
　チャンバー６４は、熱板６２におけるワークＷの載置面６２ａを囲むように構成されている。チャンバー６４は、天板部６４ａと、足部６４ｂとを有している。天板部６４ａは、支持台６１と同程度の直径を有する円板状に構成されている。天板部６４ａは、熱板６２の載置面６２ａと上下方向において対向するように配置されている。足部６４ｂは、天板部６４ａの外縁から下方に延びるように構成されている。昇降機構６５は、制御装置１００の指示に応じてチャンバー６４を昇降させる機構である。昇降機構６５によりチャンバー６４が上昇することによって、ワークＷの加熱処理を行う空間が開かれた状態となり、チャンバー６４が下降することによって、ワークＷの加熱処理を行う空間が閉じられた状態となる。
　支持ピン６６は、支持台６１および熱板６２を貫通するように上下方向に延びており、ワークＷを下方から支持するピンである。支持ピン６６は、上下方向に昇降することにより、ワークＷを所定の位置に配置する。支持ピン６６は、ワークＷを搬送する温度調整プレート５５ａとの間でワークＷの受け渡しを行う。支持ピン６６は、例えば周方向に等間隔に配置された３本のピンにより構成されてもよい。昇降機構６７は、制御装置１００の指示に応じて支持ピン６６を昇降させる機構である。昇降機構６７は、熱板６２に対してワークＷを近づけ、熱板６２にワークＷが載置されるように、ワークＷ（詳細にはワークＷを支持する支持ピン６６）を昇降可能に構成されている。
　溶剤供給部７０は、ワークＷの加熱処理を行う空間に対して有機溶剤由来の溶剤蒸気を供給する。溶剤供給部７０は、溶剤供給源７１と、蒸気供給管７２とを有している。また、蒸気供給管７２上には開閉弁としてのバルブＶ１が設けられている。バルブＶ１の開閉によって、溶剤供給源７１からの溶剤蒸気がチャンバー６４内に供給されるとともにその供給量が調整される。
　なお、溶剤としては、レジストパターンを溶解する性質をもつ有機溶剤が用いられ得る。一例としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、シクロヘキサノン、ガンマブチル楽トン塔が挙げられる。
　ガス供給部７３は、ワークＷの加熱処理を行う空間に対して希ガスまたは二酸化炭素等を供給する。ガス供給部７３は、ガス供給源７４と、ガス供給管７５とを有している。また、ガス供給管７５上には開閉弁としてのバルブＶ２が設けられている。バルブＶ２の開閉によって、ガス供給源７４からのガスがチャンバー６４内に供給されるとともにその供給量が調整される。
　なお、ガス供給部７３が供給するガスとしては、例えば、窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）、二酸化炭素等が挙げられる。図５では、一例としてＮ２が供給される構成を示しているが、これらのガスを供給するために、ガス供給部７３が複数設けられていてもよい。また、ガス供給部７３それぞれについてバルブＶ２によって供給量等が個別に制御可能であってよい。
　加熱機構６０には、熱板の温度を測定する機構およびチャンバー６４内の温度を測定する機構等が設けられていてもよい。これらの機構は、制御装置１００からの指示に応じて測定対象の温度を測定してもよい。これらの機構は、測定結果をそれぞれ制御装置１００に出力する。これらの機構は、それぞれは、サーミスタであってもよい。制御装置１００は、これらの機構からの情報に基づいて加熱温度等を制御してもよい。
　排気部７６は、処理室５０から気体を排出する。例えば、排気部７６は、処理室５０から熱処理ユニットＵ２（塗布・現像装置２）の外部へ気体を排出する。排気部７６は、排気ダクト７７と、開閉部７８とを含む。排気ダクト７７は、処理室５０内の空間（筐体５１により区画される空間）と排出先とを接続する。開閉部７８は、排気ダクト７７の流路上に設けられる。開閉部７８は、制御装置１００の指示に応じて排気ダクト７７の流路を開放状態または遮断状態に切り替える。開閉部７８は、例えばソレノイドバルブ（電磁弁）である。開閉部７８が開状態に設定されることで、排気ダクト７７の流路は遮断状態から開放状態に切り替えられる。開閉部７８が閉状態に設定されることで、排気ダクト７７の流路は開放状態から遮断状態に切り替えられる。
　なお、排気部７６とは別に、支持台６１およびチャンバー６４により区画される空間（以下、チャンバー６４内の空間という。）から気体を排出する排気部７９が設けられていてもよい。排気部７９が設けられている場合、例えば、排気部７６と同様に動作することで、チャンバー６４内から熱処理ユニットＵ２（塗布・現像装置２）の外部へ気体を排出することが可能となる。
（膜除去ユニット）
　図６を参照して、膜除去ユニットＵ１３について説明する。図６に示す膜除去ユニットＵ１３は、レジスト膜を形成して加熱処理を行った後のワークＷから界面制御膜を除去する。膜除去ユニットＵ１３は、図６に示されるように、回転保持部２０と、液供給部８０（除去液供給部）とを備える。
　回転保持部２０は、塗布ユニットＵ１（図４参照）の回転保持部２０と同様の構成を有する。すなわち、膜除去ユニットＵ１３の回転保持部２０も、回転部２１と、保持部２２とを有する。回転部２１は、上方に突出したシャフト２３を有する。保持部２２は、シャフト２３の先端部に設けられ、保持部２２上にはワークＷが配置される。
　回転保持部２０は、ワークＷの姿勢が略水平の状態で、ワークＷの表面Ｗａに対して垂直な軸（回転軸）周りでワークＷを回転させる。本実施形態では、回転軸は、円形状を呈するワークＷの中心を通っているので、中心軸でもある。本実施形態では、図６に示されるように、回転保持部２０は、上方から見て時計回りにワークＷを回転させる。
　液供給部８０は、ワークＷの表面Ｗａに処理液Ｌ３を供給するように構成されている。処理液Ｌ３は、界面制御膜を除去するための処理液である。一例として、処理液Ｌ３として純水が用いられ得る。
　液供給部８０は、液源８１と、ポンプ８２と、バルブ８３と、ノズル８４と、配管８５とを有する。液源８１は、処理液Ｌ３の供給源として機能する。ポンプ８２は、液源８１から処理液Ｌ３を吸引し、配管８５およびバルブ８３を介してノズル８４に送り出す。ノズル８４は、吐出口がワークＷの表面Ｗａに向かうようにワークＷの上方に配置されている。ノズル３４は、図示しない駆動部によって水平方向および上下方向に移動可能に構成されている。ノズル８４は、ポンプ８２から送り出された処理液Ｌ３を、ワークＷの表面Ｗａに吐出可能である。配管８５は、上流側から順に、液源８１、ポンプ８２、バルブ８３およびノズル８４を接続している。
　膜除去ユニットＵ１３において、ワークＷに対して処理を施すことにより、ワークＷの表面Ｗａに形成された界面制御膜が除去され、レジスト膜Ｒ１が表面に露出した状態となる。
（制御装置）
　制御装置１００は、図７に示されるように、機能モジュールとして、読取部Ｍ１と、記憶部Ｍ２と、処理部Ｍ３と、指示部Ｍ４とを有する。これらの機能モジュールは、制御装置１００の機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、制御装置１００を構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路（例えば論理回路）により実現されてもよい。また、各機能モジュールは、これを集積した集積回路（ＡＳＩＣ：Application　Specific　Integrated　Circuit）により実現されるものであってもよい。
　読取部Ｍ１は、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体ＲＭからプログラムを読み取る。記憶媒体ＲＭは、基板処理システム１の各部を動作させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体ＲＭとしては、例えば、半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、光磁気記録ディスクであってもよい。
　記憶部Ｍ２は、種々のデータを記憶する。記憶部Ｍ２は、例えば、読取部Ｍ１において記憶媒体ＲＭから読み出したプログラム、ワークＷを処理する際の各種データ（いわゆる処理レシピ）、外部入力装置（図示せず）を介してオペレータから入力された設定データ等を記憶する。
　処理部Ｍ３は、各種データを処理する。処理部Ｍ３は、例えば、記憶部Ｍ２に記憶されている各種データに基づいて、塗布ユニットＵ１、熱処理ユニットＵ２、および膜除去ユニットＵ１３を動作させるための動作信号を生成する。
　指示部Ｍ４は、処理部Ｍ３において生成された動作信号を各種装置に送信する。例えば、加熱機構６０に送信される動作信号には、ヒータ６３に流す電流値を示す信号が含まれてもよい。あるいは、指示部Ｍ４は、処理部Ｍ３で定められたヒータ６３に流す電流値を有する電流を、ディジタル－アナログ変換回路を介してヒータ６３に出力してもよい。
　制御装置１００のハードウェアは、例えば一つまたは複数の制御用のコンピュータにより構成される。例えば制御装置１００は、図８に示す回路１２０を有する。回路１２０は、一つまたは複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４と、タイマー１２５とを有する。ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述の基板処理手順を露光・現像装置２に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスクおよび光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記憶媒体からロードしたプログラムおよびプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート１２４は、プロセッサ１２１からの指令に従って、基板処理システム１の各部との間で電気信号の入出力を行う。タイマー１２５は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。
　制御装置１００は、上記の構成により、基板処理システム１に含まれる塗布ユニットＵ１、熱処理ユニットＵ２、および膜除去ユニットＵ１３等を制御する。また、制御装置１００は、図７において図示しない他のユニットの制御も行ってもよい。なお、上記の制御装置１００の構成は一例であって、上記に限定されるものではない。
［基板処理方法］
　図９および図１０を参照して、基板処理方法の一例について説明する。図９では、ワークＷに対するレジスト膜の形成に係る一連の処理を説明する。図９に示される各ステップは、制御装置１００が塗布・現像装置２を構成する各ユニットを制御することにより実行される。
　まず、制御装置１００は、ステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１では、制御装置１００は、ワークＷを処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１へ搬入し、ワークＷの表面Ｗａに対して処理液Ｌ１を供給し、レジスト液を塗布する。なお、ステップＳ０１の前に処理モジュール１１において、ワークＷの表面Ｗａに下層膜を形成する処理を行ってもよい。これにより、図１０（ａ）に示すように、ワークＷにレジスト膜Ｒ１（に対応する塗布膜）が形成される。
　次に、制御装置１００は、ステップＳ０２を実行する。ステップＳ０２では、制御装置１００は、処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１へ搬入された状態のワークＷの表面Ｗａ上に塗布されたレジスト液によるレジスト膜Ｒ１の上面に処理液Ｌ２を供給し、界面制御膜Ｒ２を形成する。これにより、図１０（ｂ）に示すように、ワークＷのレジスト膜Ｒ１（に対応するレジスト液層）上に界面制御膜Ｒ２が形成される。界面制御膜Ｒ２は、レジスト膜Ｒ１の表面全体を覆うように形成することができる。この場合、界面制御膜Ｒ２を設けることによる後述の効果が高められる。ただし、レジスト膜Ｒ１の一部が表面に露出した状態で界面制御膜Ｒ２が形成されていてもよい。
　次に、制御装置１００は、ステップＳ０３を実行する。ステップＳ０３では、制御装置１００は、処理モジュール１２の熱処理ユニットＵ２へワークＷを搬入し、加熱機構６０において加熱処理を行う。このとき、溶剤供給部７０およびガス供給部７３からガスを供給し、チャンバー６４内を加熱処理用のガス雰囲気とする。チャンバー６４内の気圧は大気圧程度に調整され得る。加熱機構６０により、例えば、熱板６２の温度を５０℃～１５０℃程度とし、チャンバー６４内に供給されるガスの温度を３０℃～６０℃程度とする。この状態で、ワークＷを熱板６２上に支持し、ワークＷに対する加熱処理を行う。加熱処理時間は、例えば、数分～数十分程度とする。ワークＷに対する加熱処理の結果、ワークＷとレジスト膜Ｒ１との界面、および、レジスト膜Ｒ１と界面制御膜Ｒ２との間に、成分偏在が発生し得るが、界面制御膜Ｒ２によってワークＷの上面が覆われていることで、成分偏在が抑制される。なお、図１０（ｃ）では、ワークＷとレジスト膜Ｒ１との界面に生じ得る成分偏在を模式的に示している。
　次に、制御装置１００は、ステップＳ０４を実行する。ステップＳ０４では、制御装置１００は、膜除去ユニットＵ１３へワークＷを搬入し、ワークＷの表面Ｗａに対して処理液Ｌ３を供給し、表面Ｗａに設けられた界面制御膜Ｒ２を除去する。これにより、図１０（ｃ）に示すように、ワークＷの界面制御膜Ｒ２が除去され、レジスト膜Ｒ１が露出した状態となる。
　次に、制御装置１００は、ステップＳ０５を実行する。ステップＳ０５では、制御装置１００は、露光装置３へワークＷを搬入し、ワークＷに対する露光処理を行う。なお、ステップＳ０５の前に必要に応じて処理モジュール１３において上層膜の形成処理を行ってもよい。露光装置３による露光処理の結果、レジスト膜Ｒ１に対して所定のパターンが形成される。
　次に、制御装置１００は、ステップＳ０６を実行する。ステップＳ０６では、制御装置１００は、処理モジュール１４へワークＷを搬入し、ワークＷのレジスト膜Ｒ１に対する現像処理を行う。この結果、レジスト膜Ｒ１における未感光部分が除去される。
［作用］
　上記の基板処理システム１および基板処理方法によれば、レジスト膜Ｒ１の表面に界面制御膜Ｒ２が形成された状態で基板の加熱が行われ、その後にレジスト膜Ｒ１が露光される。この結果、加熱によるレジスト膜の成分の偏在・分離等の発生が防がれるため、レジスト膜を用いた微細パターンの形成を精度よく行うことができる。
　近年、パターンの微細化に伴って、パターン倒れなどの課題を回避することを目的としてレジスト膜の薄膜化が進められている。しかしながら、薄膜化されたレジスト膜は、加熱処理による影響を受けやすいことが判明した。特に、厚さが３０ｎｍ以下程度レジスト膜では、加熱時に下層の基板との界面や、表面付近でレジスト材料に含まれる成分の偏在・分離が生じやすく、その結果レジストとしての性能が低下する可能性があった。成分の偏在・分離は、加熱時の表面エネルギーの差によって起きると考えられることから、加熱時に界面における表面エネルギーの差が小さくなることが求められた。
　これに対して、上記の基板処理システム１および基板処理方法では、レジスト膜Ｒ１上に水溶性ポリマーを含む処理液を供給することによって界面制御膜Ｒ２を形成した後、その状態で加熱が行われる。したがって、水溶性ポリマーを含む処理液によって形成された界面制御膜Ｒ２は、レジスト膜が露出している場合と比較して、レジスト材料との表面エネルギーの差を小さくすることができる。したがって、レジスト膜の表面におけるレジスト膜の成分の偏在・分離等の発生が防がれ、微細パターンの形成を精度よく行うことができる。
　また、上記実施形態では、加熱することは、溶剤供給部７０によって供給される有機溶剤蒸気の雰囲気中で行われる。このように、有機溶剤蒸気の雰囲気中で基板の加熱を行うことにより、レジスト膜における成分の偏在・分離をさらに抑制することができる。
　なお、加熱することは、ガス供給部７３によって供給される窒素、希ガス、および二酸化炭素のいずれかの雰囲気中で行われてもよい。上記のように、窒素、希ガス、および二酸化炭素のいずれかの雰囲気中で基板の加熱を行うことにより、レジスト膜における成分の偏在・分離をさらに抑制することができる。窒素、希ガス、および二酸化炭素のいずれかの雰囲気中で加熱処理を行う場合、例えば、加熱機構６０により、例えば、熱板６２の温度を５０℃～１５０℃程度とし、チャンバー６４内に供給されるガスの温度を室温程度とする。
　また、加熱することは、溶剤供給部７０およびガス供給部７３を用いず、大気中で行う構成としてもよい。大気中で加熱する場合であっても、レジスト膜における成分の偏在・分離を抑制することができる。大気中で加熱処理を行う場合、例えば、加熱機構６０により、例えば、熱板６２の温度を５０℃～１５０℃程度とし、チャンバー６４内に供給されるガスの温度を室温程度とする。
　なお、加熱する際の雰囲気は、大気よりも有機溶剤蒸気の雰囲気、または、窒素、希ガス、および二酸化炭素のいずれかの雰囲気であるほうが、レジスト膜における成分の偏在・分離を抑制することができる。窒素、希ガス、および二酸化炭素は、いずれも、活性の低い気体であるため、大気と比べて加熱時にレジスト膜に与える影響を小さくすることができると考えられる。また、有機溶剤蒸気は、レジスト膜と表面自由エネルギーが近いため、窒素、希ガス、および二酸化炭素と比べて、さらに、レジスト膜へ与える影響を小さくすることができる。なお、有機溶剤蒸気と、窒素、希ガス、および二酸化炭素と、は、混合して使用してもよい。
　また、加熱することの後であって、露光することの前に、膜除去ユニットＵ１３において、界面制御膜を除去してもよい。露光することの前に界面制御膜を除去することにより、加熱時にはレジスト膜の成分の偏在・分離を抑制することができるとともに、露光時には界面制御膜を考慮した光量の調整等が不要となるため、精度のよい微細パターンの形成をより簡単に実現することができる。レジスト膜上に界面制御膜が存在した状態で露光しようとすると、界面制御膜の影響を考慮して、露光量を調節することが必要となるため、微細パターンの形成に影響する可能性がある。上記のように界面制御膜を除去した後に、露光する場合、界面制御膜を考慮した露光量の調節が不要となる。
　また、露光することでは、ＥＵＶ光によって露光することとしてもよい。ＥＵＶ光を用いた露光を行う場合、レジスト膜を薄膜化することが求められている。このような場合において、レジスト膜における成分の偏在・分離はパターニングへの影響が大きくなる。したがって、上述の界面制御膜の形成による加熱によるレジスト膜での成分の偏在・分離等の防止効果は、ＥＵＶ光による露光時に特に効果的である。
［変形例］
　以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、および変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。
　例えば、上記実施形態では、レジスト膜の上面に界面制御膜を設ける場合について説明したが、さらに、レジスト膜の下面に界面制御膜を設ける構成としてもよい。図１０（ｃ）に示したように、ワークＷとレジスト膜Ｒ１との間においても加熱によって成分の偏在等が生じ得る。そのため、これを回避することを目的として、水溶性ポリマーを含む処理液を塗布することによって界面制御膜を設けてもよい。また、レジスト膜Ｒ１の下面に設ける界面制御膜は、材料を変更してもよい。例えば、剥がれ等を防止する観点からＥＵＶリソグラフィ用のレジスト膜を設ける場合であっても、基板とレジスト膜との間に界面制御膜として、シリコン含有反射防止コーティング（ＳｉＡＲＣ）層を形成してもよい。
　また、上記実施形態では、塗布ユニットＵ１において、レジスト膜Ｒ１と界面制御膜Ｒ２との両方を形成する場合について説明したが、これらの処理は別のユニットで行われてもよい。
　以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲および主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。
　１…基板処理システム、２…現像装置、３…露光装置、１１～１４…処理モジュール、２０…回転保持部、２１…回転部、３０…液供給部、４０…液供給部、５０…処理室、５１…筐体、５５…温度調整機構、６０…加熱機構、６１…支持台、６２…熱板、６３…ヒータ、６４…チャンバー、７０…溶剤供給部、７１…溶剤供給源、７２…蒸気供給管、７３…ガス供給部、７４…ガス供給源、７５…ガス供給管、７６…排気部、７９…排気部、８０…液供給部、１００…制御装置。
 
 

Claims (7)

  1. 　基板の表面にレジスト膜を形成することと、
    　前記基板の前記レジスト膜の表面に、水溶性ポリマーを含む処理液を供給し、界面制御膜を形成することと、
    　前記界面制御膜が形成された前記基板を加熱することと、
    　加熱後の前記基板に形成された前記レジスト膜を露光することと、
    　を含む、基板処理方法。
  2. 　前記加熱することは、有機溶剤蒸気の雰囲気中で行われる、請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 　前記加熱することは、窒素、希ガス、および二酸化炭素のいずれかの雰囲気中で行われる、請求項１に記載の基板処理方法。
  4. 　前記加熱することの後であって、前記露光することの前に、前記界面制御膜を除去することをさらに含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  5. 　前記露光することにおいて、ＥＵＶ光によって露光する、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  6. 　基板の表面に、レジスト液を供給するように構成されたレジスト液供給部と、
    　前記基板の表面に、水溶性ポリマーを含む処理液を供給するように構成されたポリマー供給部と、
    　前記基板を加熱する加熱処理部と、
    　制御部と、を備え、
    　前記制御部は、
    　　前記基板の表面に対してレジスト膜を形成するように、前記レジスト液供給部を制御する処理と、
    　　前記基板の前記レジスト膜の表面に界面制御膜を形成するように、前記ポリマー供給部を制御する処理と、
    　　前記界面制御膜が形成された基板を露光前に加熱するように、前記加熱処理部を制御する処理と、を実行する基板処理装置。
  7. 　請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
     
PCT/JP2021/011456 2020-03-30 2021-03-19 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 WO2021200282A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022511923A JP7374300B2 (ja) 2020-03-30 2021-03-19 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
KR1020227036212A KR20220160609A (ko) 2020-03-30 2021-03-19 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체
CN202180022769.1A CN115315782A (zh) 2020-03-30 2021-03-19 基片处理方法、基片处理装置和存储介质

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020061086 2020-03-30
JP2020-061086 2020-03-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2021200282A1 true WO2021200282A1 (ja) 2021-10-07

Family

ID=77928246

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/011456 WO2021200282A1 (ja) 2020-03-30 2021-03-19 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7374300B2 (ja)
KR (1) KR20220160609A (ja)
CN (1) CN115315782A (ja)
TW (1) TW202147396A (ja)
WO (1) WO2021200282A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002148809A (ja) * 2000-11-14 2002-05-22 Victor Co Of Japan Ltd レジスト基板の製造方法及びレジスト基板
WO2007119384A1 (ja) * 2006-03-16 2007-10-25 Asahi Glass Company, Limited ネガ型感光性含フッ素芳香族系樹脂組成物
JP2016213438A (ja) * 2015-04-30 2016-12-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及び基板処理システム
JP2018029133A (ja) * 2016-08-18 2018-02-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置、基板処理装置、熱処理方法および基板処理方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4962203B2 (ja) 2007-08-08 2012-06-27 株式会社ニコン Ｅｕｖ露光装置、露光方法およびデバイス製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002148809A (ja) * 2000-11-14 2002-05-22 Victor Co Of Japan Ltd レジスト基板の製造方法及びレジスト基板
WO2007119384A1 (ja) * 2006-03-16 2007-10-25 Asahi Glass Company, Limited ネガ型感光性含フッ素芳香族系樹脂組成物
JP2016213438A (ja) * 2015-04-30 2016-12-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及び基板処理システム
JP2018029133A (ja) * 2016-08-18 2018-02-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置、基板処理装置、熱処理方法および基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN115315782A (zh) 2022-11-08
TW202147396A (zh) 2021-12-16
JP7374300B2 (ja) 2023-11-06
KR20220160609A (ko) 2022-12-06
JPWO2021200282A1 (ja) 2021-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7875420B2 (en) Method for improving surface roughness of processed film of substrate and apparatus for processing substrate
KR101061647B1 (ko) 도포ㆍ현상 장치 및 도포ㆍ현상 방법
US7809460B2 (en) Coating and developing apparatus, coating and developing method and storage medium in which a computer-readable program is stored
US8460476B2 (en) Apparatus for and method of processing substrate subjected to exposure process
JP5875759B2 (ja) 熱処理方法および熱処理装置
TWI805765B (zh) 基板處理方法、基板處理裝置及電腦可讀取記錄媒體
JP2008186934A (ja) 熱処理装置および熱処理方法
JP2009071008A (ja) 基板処理装置
KR101347983B1 (ko) 도포 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
WO2021200282A1 (ja) 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
TW200837837A (en) Heat treatment apparatus with thermal uniformity
JP2004055766A (ja) 処理方法及び処理装置
US20210191271A1 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method, and computer-readable recording medium
US11594424B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP6145065B2 (ja) 基板処理方法、基板処理装置及び記録媒体
JP4807749B2 (ja) 露光・現像処理方法
JP5065121B2 (ja) レジスト液供給装置、レジスト液供給方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP4950771B2 (ja) 塗布処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
TW202217929A (zh) 基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體
KR20130058422A (ko) 기판 처리 장치
JP2008311578A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2012141490A (ja) 熱処理方法および熱処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21780806

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2022511923

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20227036212

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21780806

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1