JP2012141490A - 熱処理方法および熱処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板表面に形成されたレジスト膜の周縁部を短時間にて除去可能にすることができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】冷却プレート８１に保持された基板Ｗの表面の全面にはほぼ均一な厚さにてレジスト膜ＲＦが形成されている。フラッシュ照射部６０は、投光光学系６１を備えており、フラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を集光してレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥのみに一括照射する。フラッシュ光照射により周縁部ＲＦＥはガラス転移点Ｔｇ以上に加熱され、脱保護反応によって現像液に溶解可能となる。フラッシュ光照射によるレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥの加熱処理は処理時間が１秒以下の極めて短時間の処理であり、しかも周縁部ＲＦＥの全体に一括してフラッシュ光が照射されるため、その周縁部ＲＦＥを短時間にて除去可能とすることができる。
【選択図】図１０

Description

本発明は、半導体ウェハーや液晶表示装置用ガラス基板等の薄板状の精密電子基板（以下、単に「基板」と称する）の表面に形成されたレジスト膜の周縁部に対してフラッシュ光を照射して当該周縁部を加熱する熱処理方法および熱処理装置に関する。

半導体デバイスや液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。これらのうちレジスト塗布処理は、回転する基板の主面にレジスト液を滴下して、それを遠心力によって拡布し、基板主面に薄いレジスト膜を形成する処理である。このレジスト塗布処理によって基板全面にレジスト膜がほぼ均一に形成されることとなるが、基板主面の周縁部についてはパターン露光が行われないため、レジスト膜は不要である。また、基板主面の周縁部は、基板搬送時に搬送ロボットのアームが接触することとなるため、不要なレジスト膜が形成されていると発塵の原因ともなる。

このため、例えば特許文献１には、水銀キセノンランプなどの光源からの光線（通常は紫外線）を光ファイバによって露光ヘッドに導き、この露光ヘッドから基板主面の周縁部にスポット光を照射することによって、当該周縁部のレジスト膜を露光する技術（エッジ露光処理）が開示されている。こうして露光されたレジスト膜の周縁部は、パターン露光された部分とともに、後の現像処理工程において現像液によって溶解されて除去される（ポジ型レジストの場合）。

特開平９−３２６３５８号公報

しかしながら、特許文献１に開示されるような従来の技術においては、小さなスポット光をレジスト膜の周縁部に照射しつつ、そのスポット光を基板の周縁に沿って相対移動させて周縁部全体の露光を行っていた。このため、レジスト膜の周縁部露光に長時間を要することとなり、スループットを低下させるという問題が生じていた。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板表面に形成されたレジスト膜の周縁部を短時間にて除去可能にすることができる熱処理方法および熱処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板の熱処理方法において、基板の表面にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜の周縁部にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して当該周縁部の温度をガラス転移点以上に加熱する周縁部加熱工程と、前記周縁部加熱工程の後、前記基板の表面に現像液を供給して前記レジスト膜の前記周縁部を除去する現像工程と、を備えることを特徴とする。

また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る熱処理方法において、前記基板を冷却プレート上に保持しつつフラッシュ光の照射を行うことを特徴とする。

また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明に係る熱処理方法において、前記周縁部加熱工程でのフラッシュ光照射による加熱処理時間は１秒以下であることを特徴とする。

また、請求項４の発明は、請求項１から請求項３のいずれかの発明に係る熱処理方法において、前記周縁部加熱工程では、前記フラッシュランプに印加する電圧を制御することによって前記周縁部の加熱温度を変更することを特徴とする。

また、請求項５の発明は、基板の熱処理装置において、表面にレジスト膜が形成された基板を収容するチャンバーと、フラッシュ光を出射するフラッシュランプと、前記フラッシュランプから出射されたフラッシュ光を前記レジスト膜の周縁部のみに到達させる投光光学系と、フラッシュ光が照射された前記周縁部の温度がガラス転移点以上となるように、前記フラッシュランプに印加する電圧を制御する制御部と、を備えることを特徴とする。

また、請求項６の発明は、請求項５の発明に係る熱処理装置において、前記チャンバー内にて前記基板を載置して保持する冷却プレートをさらに備えることを特徴とする。

請求項１から請求項４の発明によれば、基板表面に形成されたレジスト膜の周縁部にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して当該周縁部の温度をガラス転移点以上に加熱するため、短時間のうちに当該周縁部に脱保護反応を生じさせて現像液に可溶とし、レジスト膜の周縁部を短時間にて除去可能にすることができる。

特に、請求項２の発明によれば、基板を冷却プレート上に保持しつつフラッシュ光の照射を行うため、連続して処理する基板間での温度履歴を均一にすることができる。

特に、請求項３の発明によれば、フラッシュ光照射による加熱処理時間は１秒以下であるため、基板表面に形成されたレジスト膜の周縁部を確実に短時間にて除去可能にすることができる。

特に、請求項４の発明によれば、フラッシュランプに印加する電圧を制御することによって周縁部の加熱温度を変更するため、その温度変更に要する待機時間は不要となる。

また、請求項５および請求項６の発明によれば、フラッシュランプから出射されたフラッシュ光を基板の表面に形成されたレジスト膜の周縁部のみに到達させる投光光学系と、フラッシュ光が照射された周縁部の温度がガラス転移点以上となるように、フラッシュランプに印加する電圧を制御する制御部と、を備えるため、短時間のうちに当該周縁部に脱保護反応を生じさせて現像液に可溶とし、レジスト膜の周縁部を短時間にて除去可能にすることができる。

特に、請求項６の発明によれば、チャンバー内にて基板を載置して保持する冷却プレートをさらに備えるため、連続して処理する基板間での温度履歴を均一にすることができる。

本発明に係る熱処理装置を組み込んだ基板処理装置の平面図である。 図１の基板処理装置の液処理部の正面図である。 図１の基板処理装置の熱処理部の正面図である。 図１の基板処理装置の搬送ロボットおよび基板載置部の配置構成を示す図である。 図１の基板処理装置のインターフェイスブロックの側面図である。 フラッシュベークユニットの要部構成を示す図である。 電源ユニットの要部構成を示す図である。 図１の基板処理装置における基板の処理手順を示すフローチャートである。 レジスト膜周縁部の表面温度の変化を示す図である。 フラッシュ照射部から基板の周縁部にフラッシュ光が照射される様子を模式的に示す図である。 フラッシュ光が照射されるレジスト膜の周縁部を示す平面図である。 レジスト膜の温度分布を示す図である。 基板の周縁部にフラッシュ光が照射される様子の他の例を示す図である。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

まず、本発明に係る熱処理装置を組み込んだ基板処理装置の全体構成について説明する。図１は、本発明に係る熱処理装置を組み込んだ基板処理装置１の平面図である。また、図２は基板処理装置１の液処理部の正面図であり、図３は熱処理部の正面図であり、図４は搬送ロボットおよび基板載置部の配置構成を示す図である。なお、図１および以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするためＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を適宜付している。また、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。

本実施形態の基板処理装置１は、略円形の半導体ウェハー等の基板Ｗにフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、パターン露光後の基板Ｗに現像処理を行う装置（いわゆるコータ＆デベロッパ）である。なお、本発明に係る基板処理装置１の処理対象となる基板Ｗは半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置用ガラス基板やフォトマスク用ガラス基板等であっても良い。

本実施形態の基板処理装置１は、インデクサブロック１０、バークブロック２０、レジスト塗布ブロック３０、現像処理ブロック４０およびインターフェイスブロック５０の５つの処理ブロックを一方向（Ｘ方向）に連設して構成されている。インターフェイスブロック５０には基板処理装置１とは別体の外部装置である露光ユニット（ステッパ）ＥＸＰが接続配置されている。

インデクサブロック１０は、装置外から受け取った未処理基板を装置内に搬入するとともに、現像処理の終了した処理済み基板を装置外に搬出するための処理ブロックである。インデクサブロック１０は、複数のキャリアＣ（本実施形態では４個）を並べて載置する載置台１１と、各キャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出すとともに、各キャリアＣに処理済みの基板Ｗを収納するインデクサロボットＩＲと、を備えている。

インデクサロボットＩＲは、載置台１１に沿って（Ｙ軸方向に沿って）水平移動可能であるとともに昇降（Ｚ軸方向）移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である可動台１２を備えている。可動台１２には、基板Ｗを水平姿勢で保持する２つの保持アーム１３ａ，１３ｂが搭載されている。保持アーム１３ａ，１３ｂは相互に独立して前後にスライド移動可能とされている。よって、保持アーム１３ａ，１３ｂのそれぞれは、Ｙ軸方向に沿った水平移動、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、インデクサロボットＩＲは、保持アーム１３ａ，１３ｂを個別に各キャリアＣにアクセスさせて未処理の基板Ｗの取り出しおよび処理済みの基板Ｗの収納を行うことができる。なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)であっても良い。

インデクサブロック１０に隣接してバークブロック２０が設けられている。インデクサブロック１０とバークブロック２０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１５が設けられている。この隔壁１５にインデクサブロック１０とバークブロック２０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に積層して設けられている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、インデクサブロック１０からバークブロック２０へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ１は３本の支持ピンを備えており、インデクサブロック１０のインデクサロボットＩＲはキャリアＣから取り出した未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを後述するバークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、バークブロック２０からインデクサブロック１０へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ２も３本の支持ピンを備えており、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１は処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板ＷをインデクサロボットＩＲが受け取ってキャリアＣに収納する。なお、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０の構成も基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同じである。

基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２は、隔壁１５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、インデクサロボットＩＲや搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。

次に、バークブロック２０について説明する。バークブロック２０は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下地に反射防止膜を塗布形成するための処理ブロックである。バークブロック２０は、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成するための下地塗布処理部２１と、反射防止膜の塗布形成に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー２２，２３と、下地塗布処理部２１および熱処理タワー２２，２３に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ１とを備える。

バークブロック２０においては、搬送ロボットＴＲ１を挟んで下地塗布処理部２１と熱処理タワー２２，２３とが対向して配置されている。具体的には、下地塗布処理部２１が装置正面側（（−Ｙ）側）に、２つの熱処理タワー２２，２３が装置背面側（（＋Ｙ）側）に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー２２，２３の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。下地塗布処理部２１と熱処理タワー２２，２３とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー２２，２３から下地塗布処理部２１に熱的影響を与えることを回避しているのである。

図２に示すように、下地塗布処理部２１は同様の構成を備えた４つの塗布処理ユニットＢＲＣを上下に積層配置して構成されている。それぞれの塗布処理ユニットＢＲＣは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック２６、このスピンチャック２６上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を吐出する塗布ノズル２７、スピンチャック２６を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック２６上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示すように、熱処理タワー２２には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する２個の加熱ユニットＨＰ、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持する２個の冷却ユニットＣＰおよびレジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気中で基板Ｗを熱処理する３個の密着強化処理ユニットＡＨＬが上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー２３にも２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置されている。加熱ユニットＨＰおよび密着強化処理ＡＨＬは基板Ｗを載置して加熱するホットプレートを備え、冷却ユニットＣＰは基板Ｗを載置して冷却するクーリングプレートを備えている。なお、図３において「×」印で示した箇所には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている（後述する他の熱処理タワーについても同じ）。

図４に示すように、搬送ロボットＴＲ１は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム２４ａ，２４ｂを上下２段に近接させて備えている。搬送アーム２４ａ，２４ｂのそれぞれは、先端部が平面視で「Ｃ」字形状になっており、この「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Ｗの周縁を下方から支持するようになっている。搬送アーム２４ａ，２４ｂは搬送ヘッド２８に搭載されている。搬送ヘッド２８は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド２８は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム２４ａ，２４ｂを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム２４ａ，２４ｂのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットＴＲ１は、２個の搬送アーム２４ａ，２４ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２、熱処理タワー２２，２３に設けられた熱処理ユニット（加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび密着強化処理ユニットＡＨＬ）、下地塗布処理部２１に設けられた４つの塗布処理ユニットＢＲＣおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。

次に、レジスト塗布ブロック３０について説明する。バークブロック２０と現像処理ブロック４０との間に挟み込まれるようにしてレジスト塗布ブロック３０が設けられている。このレジスト塗布ブロック３０とバークブロック２０との間にも、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられている。この隔壁２５にバークブロック２０とレジスト塗布ブロック３０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、バークブロック２０からレジスト塗布ブロック３０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ３に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、レジスト塗布ブロック３０からバークブロック２０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ４に載置した基板Ｗをバークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。

基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、隔壁２５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。

レジスト塗布ブロック３０は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストを塗布してレジスト膜を形成するための処理ブロックである。なお、本実施形態では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト塗布ブロック３０は、下地塗布された反射防止膜の上にレジストを塗布するレジスト塗布処理部３１と、レジスト塗布処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー３２，３３と、レジスト塗布処理部３１および熱処理タワー３２，３３に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ２とを備える。

レジスト塗布ブロック３０においては、搬送ロボットＴＲ２を挟んでレジスト塗布処理部３１と熱処理タワー３２，３３とが対向して配置されている。具体的には、レジスト塗布処理部３１が装置正面側に、２つの熱処理タワー３２，３３が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー３２，３３の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。レジスト塗布処理部３１と熱処理タワー３２，３３とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー３２，３３からレジスト塗布処理部３１に熱的影響を与えることを回避しているのである。

図２に示すように、レジスト塗布処理部３１は同様の構成を備えた４つの塗布処理ユニットＳＣを上下に積層配置して構成されている。それぞれの塗布処理ユニットＳＣは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック３６、このスピンチャック３６上に保持された基板Ｗ上にフォトレジストの塗布液を吐出する塗布ノズル３７、スピンチャック３６を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック３６上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示すように、熱処理タワー３２には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱するホットプレートを備えた２個の加熱ユニットＨＰおよび加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクーリングプレートを備えた２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー３３にも２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置されている。

図４に示すように、搬送ロボットＴＲ２は、搬送ロボットＴＲ１と同様の構成を備えており、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム３４ａ，３４ｂを上下２段に近接させて備えている。搬送アーム３４ａ，３４ｂは、「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Ｗの周縁を下方から支持する。搬送アーム３４ａ，３４ｂは搬送ヘッド３８に搭載されている。搬送ヘッド３８は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド３８は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム３４ａ，３４ｂを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム３４ａ，３４ｂのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットＴＲ２は、２個の搬送アーム３４ａ，３４ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４、熱処理タワー３２，３３に設けられた熱処理ユニット、レジスト塗布処理部３１に設けられた４つの塗布処理ユニットＳＣおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。

次に、現像処理ブロック４０について説明する。レジスト塗布ブロック３０とインターフェイスブロック５０との間に挟み込まれるようにして現像処理ブロック４０が設けられている。この現像処理ブロック４０とレジスト塗布ブロック３０との間にも、雰囲気遮断用の隔壁３５が設けられている。この隔壁３５にレジスト塗布ブロック３０と現像処理ブロック４０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、レジスト塗布ブロック３０から現像処理ブロック４０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ５に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、現像処理ブロック４０からレジスト塗布ブロック３０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ６に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。

基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、隔壁３５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ２，ＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。

現像処理ブロック４０は、露光処理後の基板Ｗに対して現像処理を行うための処理ブロックである。現像処理ブロック４０は、パターンが露光された基板Ｗに対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部４１と、現像処理後の熱処理を行う熱処理タワー４２と、露光直後の基板Ｗに熱処理を行う熱処理タワー４３と、現像処理部４１および熱処理タワー４２に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ３とを備える。

図２に示すように、現像処理部４１は、同様の構成を備えた５つの現像処理ユニットＳＤを上下に積層配置して構成されている。各現像処理ユニットＳＤは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック４６、このスピンチャック４６上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル４７、スピンチャック４６を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック４６上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示すように、熱処理タワー４２には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱するホットプレートを備えた２個の加熱ユニットＨＰおよび加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクーリングプレートを備えた２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー４３にも２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置されている。熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰは露光直後の基板Ｗに対して露光後ベーク処理(Post Exposure Bake)を行う。熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰに対してはインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４が基板Ｗの搬出入を行う。

また、熱処理タワー４３には、現像処理ブロック４０とインターフェイスブロック５０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して組み込まれている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理ブロック４０からインターフェイスブロック５０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ７に載置した基板Ｗをインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、インターフェイスブロック５０から現像処理ブロック４０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、インターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４が基板載置部ＰＡＳＳ８に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。なお、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３およびインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４の両側に対して開口している。

搬送ロボットＴＲ３は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム４４ａ，４４ｂを上下に近接させて備えている。搬送アーム４４ａ，４４ｂは、「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Ｗの周縁を下方から支持する。搬送アーム４４ａ，４４ｂは搬送ヘッド４８に搭載されている。搬送ヘッド４８は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド４８は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム４４ａ，４４ｂを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム４４ａ，４４ｂのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットＴＲ３は、２個の搬送アーム４４ａ，４４ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、熱処理タワー４２に設けられた熱処理ユニット、現像処理部４１に設けられた５つの現像処理ユニットＳＤおよび熱処理タワー４３の基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。

次に、インターフェイスブロック５０について説明する。インターフェイスブロック５０は、現像処理ブロック４０に隣接して配置され、レジスト膜が塗布形成された未露光の基板Ｗを基板処理装置１とは別体の外部装置である露光ユニットＥＸＰに渡すとともに、露光済みの基板Ｗを露光ユニットＥＸＰから受け取って現像処理ブロック４０に渡す処理ブロックである。

図５は、インターフェイスブロック５０の側面図である。インターフェイスブロック５０は、露光ユニットＥＸＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行うための搬送機構ＩＦＲと、現像処理ブロック４０の熱処理タワー４３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための搬送ロボットＴＲ４と、を備える。また、インターフェイスブロック５０は、表面にレジスト膜が形成された基板Ｗの周縁部にフラッシュ光を照射して当該周縁部を瞬間的に加熱する１個のフラッシュベークユニットＦＬＢを備える。

図５に示すように、フラッシュベークユニットＦＬＢは、インターフェイスブロック５０の最上部に配置されている。フラッシュベークユニットＦＬＢに対しては搬送ロボットＴＲ４が基板Ｗの受け渡しを行う。フラッシュベークユニットＦＬＢは、発光時間が極めて短いフラッシュランプを備え、基板Ｗの周縁部全体に一括して同時にフラッシュ光を照射する。このフラッシュベークユニットＦＬＢの詳細な構成についてはさらに後述する。

また、フラッシュベークユニットＦＬＢの下方スペースであって、搬送ロボットＴＲ４と搬送機構ＩＦＲとの間には、基板送り用のセンドバッファＳＢＦ、基板戻し用のリターンバッファＲＢＦ、および、２つの基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０、が上下に積層配置されている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は搬送ロボットＴＲ４から搬送機構ＩＦＲに基板Ｗを渡すために使用するものであり、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は搬送機構ＩＦＲから搬送ロボットＴＲ４に基板Ｗを渡すために使用するものである。

リターンバッファＲＢＦは、何らかの障害によって現像処理ブロック４０が露光済みの基板Ｗの現像処理を行うことができない場合に、現像処理ブロック４０の熱処理タワー４３で露光後ベーク処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。一方、センドバッファＳＢＦは、露光ユニットＥＸＰが未露光の基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するものである。リターンバッファＲＢＦおよびセンドバッファＳＢＦはいずれも複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。なお、リターンバッファＲＢＦに対しては搬送ロボットＴＲ４がアクセスを行い、センドバッファＳＢＦに対しては搬送機構ＩＦＲがアクセスを行う。

現像処理ブロック４０の熱処理タワー４３に隣接して配置されている搬送ロボットＴＲ４は、搬送ロボットＴＲ１〜ＴＲ３と同様の構成を備えており、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム５４ａ，５４ｂを上下に近接させて備えている。搬送アーム５４ａ，５４ｂは、「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Ｗの周縁を下方から支持する。搬送アーム５４ａ，５４ｂは搬送ヘッド５８に搭載されている。搬送ヘッド５８は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド５８は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム５４ａ，５４ｂを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。

また、搬送機構ＩＦＲは、昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能な可動台５２を備え、その可動台５２に基板Ｗを水平姿勢で保持する２つの保持アーム５３ａ，５３ｂを搭載している。保持アーム５３ａ，５３ｂは相互に独立して前後にスライド移動可能とされている。よって、保持アーム５３ａ，５３ｂのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。

露光ユニットＥＸＰは、基板処理装置１にてレジスト塗布された露光前の基板Ｗを搬送機構ＩＦＲから受け取ってパターン露光処理を行う。露光ユニットＥＸＰにて露光処理の行われた基板Ｗは搬送機構ＩＦＲによって受け取られる。本実施形態の露光ユニットＥＸＰは、化学増幅型レジスト膜が形成された基板Ｗに対してエキシマレーザを用いてパターン露光処理を行う。なお、露光ユニットＥＸＰは、投影光学系と基板Ｗとの間に屈折率の大きな液体（例えば、屈折率ｎ＝１．４４の純水）を満たした状態で露光処理を行う、いわゆる「液浸露光処理」に対応したものであっても良い。

次に、インターフェイスブロック５０に設けられているフラッシュベークユニットＦＬＢについて説明する。図６は、フラッシュベークユニットＦＬＢの要部構成を示す図である。フラッシュベークユニットＦＬＢは、表面にレジスト膜が形成された基板Ｗにフラッシュ光を照射し、そのレジスト膜の周縁部を加熱する熱処理ユニットである。

フラッシュベークユニットＦＬＢは、レジスト膜が形成された基板Ｗを収容するチャンバー７０と、チャンバー７０内にて基板Ｗを載置して保持する冷却プレート（クーリングプレート）８１と、冷却プレート８１に保持された基板Ｗにフラッシュ光を照射するフラッシュ照射部６０と、を備えている。また、フラッシュベークユニットＦＬＢは、これらの各部を制御してフラッシュ加熱処理を実行させるユニットコントローラ９０を備える。

チャンバー７０は、基板Ｗを収容可能な筐体であり、インターフェイスブロック５０内の所定位置に配置されている。チャンバー７０の天井部にはフラッシュ照射部６０が設置されている。チャンバー７０の壁面（側壁、底壁および天井）によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。

チャンバー７０の側壁には、基板Ｗの搬入および搬出を行うための搬送開口部６８が設けられている。搬送開口部６８は、図示を省略するシャッターによって開閉可能とされている。搬送開口部６８が開放されると、搬送ロボットＴＲ４によってチャンバー７０に対する基板Ｗの搬入および搬出が可能となる。また、搬送開口部６８が閉鎖されると、熱処理空間６５が外部との通気が遮断された密閉空間となる。

冷却プレート８１は、冷却機構８２を内蔵した金属製（例えば、アルミニウム）の略円板形状の部材であり、チャンバー７０内にて基板Ｗを載置して水平姿勢（主面の法線方向が鉛直方向に沿う姿勢）に保持する。冷却プレート８１の径は、基板Ｗ（本実施形態では略円形）の径よりも大きい。冷却機構８２としては、水冷管やペルチェ素子などを用いることができる。冷却機構８２は、少なくとも冷却プレート８１のうちの載置する基板Ｗに対向する領域には均一な配設密度にて設けられている。このため冷却機構８２は、当該領域を均一に冷却することができる。冷却機構８２による冷却温度はユニットコントローラ９０によって制御されており、本実施形態では半導体製造技術分野における常温である２３℃を維持するように制御されている。

また、冷却プレート８１の内部には熱電対を用いて構成された温度センサ８３が配設されている。温度センサ８３は冷却プレート８１の上面近傍の温度を測定する。温度センサ８３による測定結果はユニットコントローラ９０に伝達される。温度センサ８３によって測定される冷却プレート８１の温度が予め設定された所定温度（本実施形態では２３℃）となるように、冷却機構８２がユニットコントローラ９０によって制御される。すなわち、ユニットコントローラ９０は、温度センサ８３の測定結果に基づいて、冷却プレート８１の温度をフィードバック制御する。なお、温度センサ８３は、冷却プレート８１が載置する基板Ｗが対向する領域に複数設けるようにしても良い。

冷却プレート８１の上面には、図示を省略する複数個（３個以上）のプロキシミティボールが配設されている。プロキシミティボールは、例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の部材によって構成され、その上端が冷却プレート８１の上面から微少量だけ突出する状態で配設される。このため、複数個のプロキシミティボールによって基板Ｗを支持したときには、基板Ｗの裏面と冷却プレート８１の上面との間にいわゆるプロキシミティギャップと称される微小間隔が形成される。なお、冷却プレート８１の上面にサセプタを設置し、そのサセプタを介して基板Ｗを支持するようにしても良い。

複数個のプロキシミティボールを介して冷却プレート８１に載置された基板Ｗは、冷却プレート８１によって常温（２３℃）に温調される。すなわち、基板Ｗの温度が常温よりも高温であれば、常温にまで冷却される。また、常温近傍の基板Ｗについては、そのまま基板Ｗを安定して常温に維持する。

冷却プレート８１には、その上面に出没する複数本（本実施の形態では３本）のリフトピン８４が設けられている。３本のリフトピン８４の上端高さ位置は同一水平面内に含まれる。３本のリフトピン８４はエアシリンダ８５によって一括して鉛直方向に沿って昇降される。各リフトピン８４は、冷却プレート８１に上下に貫通して設けられた挿通孔の内側に沿って昇降する。エアシリンダ８５が３本のリフトピン８４を上昇させると、各リフトピン８４の先端が冷却プレート８１の上面から突出する。また、エアシリンダ８５が３本のリフトピン８４を下降させると、各リフトピン８４の先端が冷却プレート８１の挿通孔の内部に埋入する。

チャンバー７０の天井部に設けられたフラッシュ照射部６０は、複数本（本実施形態では２本）のフラッシュランプＦＬからなる光源と、フラッシュ光を基板Ｗの周縁部のみに集光する投光光学系６１と、を備えている。複数のフラッシュランプＦＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプである。なお、フラッシュ照射部６０に備えるフラッシュランプＦＬの本数は特に限定されるものではなく、１本以上であれば良い。

複数のフラッシュランプＦＬのそれぞれには電源ユニット７１が接続されている。図７は、電源ユニット７１の要部構成を示す図である。電源ユニット７１は、コイル７２、コンデンサ７３および充電器７４を備える。本実施形態では、フラッシュランプＦＬとしてキセノンフラッシュランプを用いている。キセノンフラッシュランプＦＬは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部に陽極および陰極が配設された棒状のガラス管（放電管）７７と、該ガラス管７７の外周面上に付設されたトリガー電極７６とを備える。フラッシュランプＦＬの陽極と陰極とを結ぶ配線にコイル７２およびコンデンサ７３が直列に接続されている。コンデンサ７３には、充電器７４によって所定の電圧が印加され、その印加電圧に応じた電荷が充電される。充電器７４がコンデンサ７３に印加する電圧値はユニットコントローラ９０によって制御される。

また、トリガー電極７６にはトリガー回路７５から高電圧を印加することができる。トリガー回路７５がトリガー電極７６に電圧を印加するタイミングはユニットコントローラ９０によって制御される。

フラッシュランプＦＬを発光させるときには、ユニットコントローラ９０によって指定された電圧値にて充電器７４がコンデンサ７３に電圧を印加して充電する。コンデンサ７３に印加電圧に応じた電荷が蓄積されると、フラッシュランプＦＬのガラス管７７内の陽極と陰極との間に電位差が生じる。そのような状態となってもキセノンガスは電気的には絶縁体であることから、通常の状態ではガラス管７７内に電気は流れない。

しかしながら、トリガー回路７５からトリガー電極７６に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサ７３に蓄えられた電気が両端電極間の放電によってガラス管７７内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプＦＬにおいては、予めコンデンサ７３に蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。なお、ガラス管７７内に流れる電流の波形はコイル７２によって規定され、コイル７２のインダクタンスが大きいほどガラス管７７内に電流が流れる時間（つまり、発光時間）が長くなる。

こうしてフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光は投光光学系６１に入射する。投光光学系６１は、複数の光学素子（レンズおよび／またはミラー）を鏡筒内に収納して構成されている。投光光学系６１は、フラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を集光して冷却プレート８１の上面に保持された基板Ｗの周縁部のみに照射する。本実施形態では、基板Ｗが円形の半導体ウェハーであるため、投光光学系６１はフラッシュ光を円環状に集光して半導体ウェハーの周縁部のみに照射する（図９，１０参照）。

ユニットコントローラ９０は、フラッシュベークユニットＦＬＢに設けられた上記の種々の動作機構を制御する。ユニットコントローラ９０のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、ユニットコントローラ９０は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えて構成される。ユニットコントローラ９０のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによってフラッシュベークユニットＦＬＢにおける処理が進行する。なお、ユニットコントローラ９０は、基板処理装置１の全体を管理するメインコントローラの下位コントローラとして設けられていても良い。

次に、上記の構成を有する基板処理装置１における基板処理の手順について説明する。ここでは、まず、基板処理装置１における全体の処理手順を簡単に説明した後、フラッシュベークユニットＦＬＢでの処理について説明する。図８は、基板処理装置１における基板Ｗの処理手順を示すフローチャートである。

装置外部から未処理の基板ＷがキャリアＣに収納された状態でＡＧＶ等によってインデクサブロック１０に搬入される。続いて、インデクサブロック１０から未処理の基板Ｗの払い出しが行われる。具体的には、インデクサロボットＩＲが所定のキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出し、上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗが載置されると、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１がその基板Ｗを受け取って熱処理タワー２２のいずれかの密着強化処理ユニットＡＨＬに搬送する。密着強化処理ユニットＡＨＬでは、ＨＭＤＳの蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理して基板Ｗの密着性を向上させる。密着強化処理の終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって取り出され、熱処理タワー２２，２３のいずれかの冷却ユニットＣＰに搬送されて冷却される。

冷却された基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって冷却ユニットＣＰから下地塗布処理部２１のいずれかの塗布処理ユニットＢＲＣに搬送される。塗布処理ユニットＢＲＣでは、基板Ｗの表面に反射防止膜の塗布液が供給されて回転塗布される。

塗布処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって熱処理タワー２２，２３のいずれかの加熱ユニットＨＰに搬送される。加熱ユニットＨＰにて基板Ｗが加熱されることによって、塗布液が乾燥されて基板Ｗ上に下地の反射防止膜が焼成される（ステップＳ１）。その後、搬送ロボットＴＲ１によって加熱ユニットＨＰから取り出された基板Ｗは熱処理タワー２２，２３のいずれかの冷却ユニットＣＰに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。

次に、反射防止膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されると、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２がその基板Ｗを受け取って熱処理タワー３２，３３のいずれかの冷却ユニットＣＰに搬送して所定温度に温調する。続いて、搬送ロボットＴＲ２が温調済みの基板Ｗをレジスト塗布処理部３１のいずれかの塗布処理ユニットＳＣに搬送する。塗布処理ユニットＳＣでは、基板Ｗにレジスト膜の塗布液が回転塗布される。本実施形態においては、レジストとして化学増幅型レジストが使用される。

レジスト塗布処理が終了した後、塗布処理ユニットＳＣから搬出された基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって熱処理タワー３２，３３のいずれかの加熱ユニットＨＰに搬送される。加熱ユニットＨＰにて基板Ｗが加熱(Post Applied Bake)されることによって、塗布液が乾燥されて基板Ｗ上にレジスト膜が形成される（ステップＳ２）。レジスト膜は基板Ｗの表面全面にほぼ均一な厚さにて形成される。その後、搬送ロボットＴＲ２によって加熱ユニットＨＰから取り出された基板Ｗは熱処理タワー３２，３３のいずれかの冷却ユニットＣＰに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。

表面にレジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されると、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取ってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗはインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４によって受け取られ、フラッシュベークユニットＦＬＢに搬入される。詳細については後述するが、フラッシュベークユニットＦＬＢは、基板Ｗの表面に形成されたレジスト膜の周縁部のみにフラッシュ光を照射し、当該周縁部の温度をレジストのガラス転移点以上にまで加熱する（ステップＳ３）。このような加熱処理が終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ４によってフラッシュベークユニットＦＬＢから搬出され、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置される。そして、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは搬送機構ＩＦＲによって受け取られ、露光ユニットＥＸＰに搬入され、パターン露光処理に供される（ステップＳ４）。本実施形態では化学増幅型レジストを使用しているため、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜のうち露光された部分では光化学反応によって酸が生成する。

パターン露光処理が終了した露光済みの基板Ｗは露光ユニットＥＸＰから再びインターフェイスブロック５０に戻され、搬送機構ＩＦＲによって基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置される。露光後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置されると、搬送ロボットＴＲ４がその基板Ｗを受け取って現像処理ブロック４０の熱処理タワー４３のいずれかの加熱ユニットＨＰに搬送する。熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰでは、露光時の光化学反応によって生じた生成物を酸触媒としてレジストの樹脂の架橋・重合等の反応を進行させ、現像液に対する溶解度を露光部分のみ局所的に変化させるための露光後ベーク処理(Post Exposure Bake)が行われる（ステップＳ５）。

露光後ベーク処理が終了した基板Ｗは、加熱ユニットＨＰ内部の機構によって冷却されることにより上記化学反応が停止する。続いて基板Ｗは、搬送ロボットＴＲ４によって熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰから取り出され、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ８に基板Ｗが載置されると、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取って熱処理タワー４２のいずれかの冷却ユニットＣＰに搬送する。冷却ユニットＣＰにおいては、露光後ベーク処理が終了した基板Ｗがさらに冷却され、所定温度に正確に温調される。その後、搬送ロボットＴＲ３は、冷却ユニットＣＰから基板Ｗを取り出して現像処理部４１のいずれかの現像処理ユニットＳＤに搬送する。現像処理ユニットＳＤでは、基板Ｗに現像液を供給して現像処理を進行させる（ステップＳ６）。やがて現像処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によって熱処理タワー４２のいずれかの加熱ユニットＨＰに搬送され、現像後の焼き締め加熱処理(Hard Bake)が行われる。さらにその後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によって熱処理タワー４２のいずれかのいずれかの冷却ユニットＣＰに搬送されて冷却される。

その後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によって基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ２に載置されることにより、インデクサブロック１０に格納される。基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された処理済みの基板ＷはインデクサロボットＩＲによって所定のキャリアＣに収納される。その後、所定枚数の処理済み基板Ｗが収納されたキャリアＣが装置外部に搬出されて一連のフォトリソグラフィー処理が完了する。

フラッシュベークユニットＦＬＢでの処理についてさらに説明を続ける。フラッシュベークユニットＦＬＢは、基板Ｗの表面に形成されたレジスト膜の周縁部にフラッシュ光を照射して加熱処理を行う。図９は、レジスト膜周縁部の表面温度の変化を示す図である。フラッシュベークユニットＦＬＢでの処理は、ユニットコントローラ９０がフラッシュベークユニットＦＬＢの各動作機構を制御することにより進行する。

まず、図示省略のシャッターが開いて搬送開口部６８が開放され、搬送ロボットＴＲ４により搬送開口部６８を介してレジスト膜が形成された基板Ｗがチャンバー７０内に搬入される。具体的には、表面にレジスト膜が形成された基板Ｗを保持した搬送ロボットＴＲ４の搬送アーム５４ａ（または５４ｂ）が搬送開口部６８からチャンバー７０内に進入し、冷却プレート８１の直上にて停止する。続いて、３本のリフトピン８４が上昇して搬送アーム５４ａから基板Ｗを受け取る。その後、搬送ロボットＴＲ４の搬送アーム５４ａがチャンバー７０から退出するとともに、搬送開口部６８が閉鎖されることによってチャンバー７０内の熱処理空間６５が密閉空間とされる。

また、搬送アーム５４ａが退出した後、基板Ｗを支持する３本のリフトピン８４が下降して冷却プレート８１の挿通孔の内部に埋入する。リフトピン８４が下降する過程において、図９の時刻ｔ１にて基板Ｗはリフトピン８４から冷却プレート８１の上面に渡され、その上面に水平姿勢にて載置・保持される。冷却プレート８１に受け渡された時刻ｔ１の時点での基板Ｗおよびその表面に形成されたレジスト膜の温度は基板処理装置１が設置されている雰囲気の温度と同じであり、概ね常温（ＲＴ：本実施形態では２３℃）である。

冷却プレート８１は、冷却機構８２によって予め常温に温調されている。ユニットコントローラ９０は、温度センサ８３の測定結果に基づいて、冷却プレート８１の温度が２３℃となるように冷却機構８２を制御している。リフトピン８４が下降して基板Ｗが常温に温調された冷却プレート８１に載置されることにより、時刻ｔ１から基板Ｗに対する冷却プレート８１による温調が開始される。これにより、基板Ｗは正確に２３℃に温調されることとなり、その結果ロットに含まれる複数の基板Ｗ間での温度履歴均一性を向上させることができる。

レジスト膜が形成された基板Ｗが冷却プレート８１に載置されてから所定時間が経過した時刻ｔ２にてユニットコントローラ９０の制御によりフラッシュ照射部６０のフラッシュランプＦＬが発光する。より詳細には、時刻ｔ２よりも前に（基板Ｗがチャンバー７０に搬入される前であっても良い）、ユニットコントローラ９０が設定した電圧値にて充電器７４がコンデンサ７３に電圧を印加して充電する。時刻ｔ２の時点ではコンデンサ７３にはユニットコントローラ９０が設定した印加電圧に応じた電荷が蓄積されており、フラッシュランプＦＬのガラス管７７内の陽極と陰極との間にもその印加電圧にほぼ等しい電位差が生じている。そして、時刻ｔ２にてユニットコントローラ９０の制御下でトリガー回路７５がトリガー電極７６に高電圧を印加する。これにより、キセノンガスの絶縁性が破壊され、コンデンサ７３に蓄積されていた電荷がガラス管７７の両極間で瞬時に放電し、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。こうしてフラッシュランプＦＬから放出される光がフラッシュ光であり、その発光時間は０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンドという極めて短い時間である。なお、フラッシュランプＦＬの発光時間はコイル７２のインダクタンスによって規定される。

フラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光は投光光学系６１に入射する。投光光学系６１は、フラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を集光して冷却プレート８１の上面に保持された基板Ｗの周縁部のみに照射する。図１０は、フラッシュ照射部６０から基板Ｗの周縁部にフラッシュ光が照射される様子を模式的に示す図である。基板Ｗの表面の全面にはほぼ均一な厚さにてレジスト膜ＲＦが形成されている。レジスト膜ＲＦの厚さは数１０ｎｍと非常に薄い。フラッシュ照射部６０から基板Ｗの周縁部に向けて出射されたフラッシュ光は、その基板Ｗの表面に形成されたレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥのみに照射される。すなわち、フラッシュ照射部６０の投光光学系６１は、フラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光をレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥのみに到達させる。

本実施形態においては、基板Ｗが円形の半導体ウェハーであるため、その表面全面に形成されたレジスト膜ＲＦも円形の薄膜である。従って、図１１に示すように、投光光学系６１は、フラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を円環形状に集光してレジスト膜ＲＦの円環状の周縁部ＲＦＥのみに到達させる。また、フラッシュ照射部６０は、円環状の周縁部ＲＦＥの全体に一括してフラッシュ光を照射する。

このようなレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥへのフラッシュ光一括照射によって、その周縁部ＲＦＥの表面がフラッシュ加熱される。フラッシュ照射部６０から照射されるフラッシュ光は、予めコンデンサ７３に蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、発光時間が０．１ミリセカンド以上１００ミリセカンド以下程度の極めて短く強い閃光である。そのようなフラッシュ光が照射されたレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥの表面温度は、図９に示すように瞬間的に処理温度（加熱温度）Ｔ１にまで上昇し、その後急速に常温にまで下降する。

この処理温度Ｔ１は、レジスト膜ＲＦを構成する化学増幅型レジストのガラス転移点Ｔｇ以上である。ガラス転移点Ｔｇは、非晶質固体材料にガラス転移が生じる温度であり、高分子材料やガラスなどにおいてその存在が知られている。ガラス転移とは、低温では結晶質のように剛性および粘度が大きかった非晶質固体が、ある温度以上になると急激に剛性および粘度が低下して流動性が増す現象であり、その温度がガラス転移点と称される。レジスト膜ＲＦを構成する化学増幅型レジストも高分子材料であり、ガラス転移点Ｔｇが存在している。レジスト膜ＲＦのガラス転移点Ｔｇは、化学増幅型レジストの種類にもよるが、１００℃〜１５０℃の範囲内である。

レジスト膜ＲＦが瞬間的にでもガラス転移点Ｔｇ以上にまで加熱されると、高分子材料である化学増幅型レジストの鎖状部分が解けて脱保護反応が生じる。その結果、ガラス転移点Ｔｇ以上にまで加熱されたレジスト膜ＲＦは、露光されていなくても、後の現像工程にて現像液によって溶解される。本発明は、このような現象を利用し、従来行われていたエッジ露光処理に代えて、フラッシュ光照射によってレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥをガラス転移点Ｔｇ以上にまで加熱している。なお、図９に示しているのは、レジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥの表面温度であるが、レジスト膜ＲＦの厚さは極めて薄いため、瞬間的にでも表面がガラス転移点Ｔｇ以上にまで加熱されると周縁部ＲＦＥの全体もガラス転移点Ｔｇ以上にまで加熱される。

フラッシュ光が照射されてレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥの表面温度が昇温を開始した時刻ｔ２から常温にまで降温した時刻ｔ３までの加熱処理時間は１秒以下である。このような１秒以下の短時間であっても、強度の大きなフラッシュ光照射によってレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥを確実にガラス転移点Ｔｇ以上に加熱して脱保護反応を生じさせることができる。

フラッシュ光照射によるレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥの加熱処理が終了した後においても、基板Ｗは冷却プレート８１に保持され続けることによって冷却され、常温に維持される。やがて、所定時間が経過して時刻ｔ４に到達した時点にて、３本のリフトピン８４が上昇し、冷却プレート８１に載置されていた基板Ｗを突き上げて冷却プレート８１から離間させる。その後、搬送開口部６８が再び開放され、搬送ロボットＴＲ４の搬送アーム５４ａ（または５４ｂ）が搬送開口部６８からチャンバー７０内に進入して基板Ｗの直下で停止する。続いて、リフトピン８４が下降することによって、基板Ｗがリフトピン８４から搬送アーム５４ａに渡される。そして、基板Ｗを受け取った搬送ロボットＴＲ４の搬送アーム５４ａがチャンバー７０から退出することにより、基板Ｗがチャンバー７０から搬出され、フラッシュベークユニットＦＬＢにおけるレジスト膜周縁部加熱処理が完了する。

上述した通り、フラッシュベークユニットＦＬＢから搬出された基板Ｗは、その後パターン露光処理および露光後ベーク処理を経て現像処理ユニットＳＤに搬送される。現像処理ユニットＳＤでは、基板Ｗに現像液を供給して現像処理を実行する。このとき、基板Ｗの表面に形成されたレジスト膜ＲＦのパターン露光部分のみならず、フラッシュベークユニットＦＬＢでのフラッシュ光照射によってガラス転移点Ｔｇ以上にまで加熱されたレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥも現像液によって溶解されて除去される。こうして基板Ｗの周縁部からは不要なレジスト膜が除去されることとなる。なお、レジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥはパターン露光処理が行われる領域よりも外側であることは勿論である。

従来行われていたエッジ露光処理では、特許文献１にも開示されるように、スポット光を基板の周縁に沿って相対移動させるため、処理時間に長時間を要していた。本実施形態においては、基板Ｗの表面に形成されたレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥにフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を一括照射して当該周縁部ＲＦＥの温度をガラス転移点Ｔｇ以上に加熱し、脱保護反応を生じさせて現像液に可溶としている。フラッシュ光照射によるレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥの加熱処理は処理時間が１秒以下の極めて短時間の処理である。また、レジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥの全体に一括してフラッシュ光が照射される。その結果、基板Ｗの表面に形成されたレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥを短時間にて除去可能とすることができ、基板処理装置１におけるスループットを向上させることができる。

また、レジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥを除去可能とするのに要する時間が短時間であれば、基板処理装置１に１つのフラッシュベークユニットＦＬＢを搭載するだけでも、この処理が基板処理装置１全体を律速することはない。従って、従来と同等のスループットを得るために、基板処理装置１に搭載するユニット数は少なくなり、装置サイズをコンパクトにできるとともに、消費電力の増加を抑制することもできる。

ところで、従来のエッジ露光処理に代えてレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥをガラス転移点Ｔｇ以上に加熱するだけであれば、例えば周縁部ＲＦＥのみを加熱するホットプレートの如き加熱手段も採用することが可能である。しかしながら、ホットプレートなどによってレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥを加熱した場合には、処理に要する時間は少なくとも１０秒以上となり、その間に周縁部ＲＦＥから内側領域への熱伝導が生じる。その結果、加熱処理時に周縁部ＲＦＥのみを選択的に加熱したとしても、図１２（ｂ）に示すように、基板Ｗの端縁部から内側へと向けてレジスト膜ＲＦに緩やかな温度勾配が発生し、ガラス転移点Ｔｇ以上となるレジスト膜ＲＦの領域が周縁部ＲＦＥと一致しなくなる。すなわち、レジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥであってもガラス転移点Ｔｇにまで昇温しない部分が生じたり、逆に周縁部ＲＦＥよりも内側の領域（通常はパターン形成領域）がガラス転移点Ｔｇ以上にまで昇温したりする。このようになると、後の露光処理工程において、レジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥが正確に除去されず、除去された部分と残留部分との境界も不明瞭となる。

これに対して、本実施形態のように、フラッシュ光照射によってレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥを加熱するようにすれば、周縁部ＲＦＥが昇温を開始してから常温にまで降温する時間（図９の時刻ｔ２から時刻ｔ３までの時間）は１秒以下であるため、周縁部ＲＦＥから内側領域への熱伝導はほとんど生じない。このため、図１２（ａ）に示すように、レジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥとそれよりも内側領域とでは温度が不連続となり、周縁部ＲＦＥのみを正確にガラス転移点Ｔｇ以上に加熱することができる。その結果、後の露光処理工程においても、レジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥのみを正確に除去することができる。また、除去された部分と残留部分との境界も明確となる。なお、図１２はレジスト膜ＲＦの温度分布を示す図であり、図１２（ａ）は本実施形態のフラッシュ加熱によるものであり、図１２（ｂ）はホットプレートなどの長時間加熱によるものである。図１２において、横軸には基板Ｗの端縁から中心に向けての距離を示し、縦軸にはレジスト膜ＲＦの温度を示している。

また、化学増幅型レジストの種類によってガラス転移点Ｔｇが異なるため、基板Ｗの表面に形成されたレジスト膜ＲＦの種類が異なるとフラッシュ光照射時の処理温度Ｔ１を変更しなければならないこともある。本実施形態のフラッシュベークユニットＦＬＢであれば、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射の強度を変化させることによって容易にレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥの処理温度Ｔ１も変更することができるため、異なる種類のレジスト膜ＲＦを形成した基板Ｗであっても処理温度変更のための待機時間無しに連続してフラッシュ光照射処理を行うことができる。その結果、異なる種類のレジスト膜ＲＦを形成した基板Ｗを連続して処理する場合であっても、基板処理装置１のスループット低下を防止することができる。なお、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射の強度は、例えばユニットコントローラ９０が設定するコンデンサ７３への充電電圧を変化させ、フラッシュランプＦＬに印加する電圧を調整することによって容易に変更することができる。換言すれば、ユニットコントローラ９０は、フラッシュ光が照射されたレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥの温度が当該レジスト膜ＲＦを構成するレジスト材料のガラス転移点Ｔｇ以上となるように、充電器７４がコンデンサ７３に充電する電圧を設定し、フラッシュランプＦＬに印加する電圧を制御する。

また、本実施形態のフラッシュベークユニットＦＬＢは冷却プレート８１を備えており、この冷却プレート８１によってフラッシュ光照射前後の基板Ｗを正確に常温に温調している。このため、連続して処理する複数の基板Ｗ間での温度履歴を均一にすることができる。

さらに、冷却プレート８１によって基板Ｗを正確に常温に温調しているため、フラッシュ光照射時にもレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥよりも内側領域は常温に維持され続ける。その結果、当該内側領域を常温に維持しつつも、周縁部ＲＦＥのみを確実にガラス転移点Ｔｇ以上に昇温することができる。

以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、投光光学系６１を複数の光学素子（レンズおよび／またはミラー）にて構成していたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を基板Ｗの表面に形成されたレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥのみに到達させるものであれば良い。

例えば、図１３に示すように、投光光学系６１を遮光板６９にて構成するようにしても良い。遮光板６９は、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光に対して不透明な素材（例えば、ステンレススチールなどの金属）にて形成されている。遮光板６９は、冷却プレート８１に載置された基板Ｗの直上に近接して配置されており、その基板Ｗの表面に形成されたレジスト膜ＲＦのうち周縁部ＲＦＥを除く領域を覆う。すなわち、上方から見ると、レジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥのみが遮光板６９の周囲に露出している。上記実施形態のように、基板Ｗが円形の半導体ウェハーであれば、遮光板６９もそれも小径の円板形状となる。

レジスト膜ＲＦのうち周縁部ＲＦＥを除く領域を遮光板６９によって遮光した状態でフラッシュランプＦＬよりフラッシュ光を出射すると、周縁部ＲＦＥのみにフラッシュ光が一括照射される。これにより、レジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥのみがフラッシュ加熱され、ガラス転移点Ｔｇ以上にまで昇温される。その結果、上記実施形態と同様に、基板Ｗの表面に形成されたレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥを短時間にて除去可能とすることができる。なお、遮光板６９を配置する手法としては、チャンバー７０の天井部から吊り下げるようにしても良いし、側方から支持棒によって支持するようにしても良い。また、基板Ｗの搬出入の支障とならないように、遮光板６９を昇降するリフト機構を設けるようにしても良い。さらに、遮光板６９を支持棒によって側方から支持する場合には、当該支持棒がフラッシュ光照射時に周縁部ＲＦＥに影を作るため、当該支持棒を基板Ｗに対して相対的に回転させて２回フラッシュ光照射を行うのが好ましい。

また、フラッシュランプＦＬの形状は棒状ランプに限定されるものではなく、点光源のランプであっても良いし、円環形状のランプであっても良い。特に、図１３に示す例のように、基板Ｗが円形の半導体ウェハーであって遮光板６９によって周縁部ＲＦＥを除く領域を覆う場合には、周縁部ＲＦＥが円環形状となるため、それに対応してフラッシュランプＦＬの形状も円環形状とするのが好ましい。

また、上記実施形態では冷却プレート８１の平面サイズを基板Ｗのサイズよりも大きくしていたが、これを若干小さくしても良い。より具体的には、冷却プレート８１の平面サイズをレジスト膜ＲＦのうちの周縁部ＲＦＥを除く領域と等しいサイズとし、その冷却プレート８１上にレジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥのみがはみ出すように基板Ｗを載置するようにしても良い。このようにすれば、レジスト膜ＲＦの周縁部ＲＦＥは冷却されにくいため、周縁部ＲＦＥのみを確実にガラス転移点Ｔｇ以上に加熱することができる。

また、フラッシュベークユニットＦＬＢの配置位置はインターフェイスブロック５０に限定されるものではなく、基板Ｗの表面にレジスト膜ＲＦが形成された後、現像処理が行われる工程までに当該基板Ｗが搬送される経路上の任意の位置に設けるようにすれば良い。例えば、フラッシュベークユニットＦＬＢをレジスト塗布ブロック３０の熱処理タワー３２，３３のいずれかに組み込むようにしても良いし、現像処理ブロック４０の熱処理タワー４２，４３のいずれかに組み込むようにしても良い。

また、基板処理装置１に複数台のフラッシュベークユニットＦＬＢを搭載するようにしても良い。この場合、複数のフラッシュベークユニットＦＬＢを並行して使用するようにしても良いし、一部のフラッシュベークユニットＦＬＢを予備としても良い。

また、上記実施形態においては、フラッシュ光照射時の処理温度Ｔ１を変更するのに、コンデンサ７３への充電電圧を変化させることによって実現していたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射の強度を変更する任意の手法を採用することができる。例えば、フラッシュランプＦＬの陽極と陰極とを結ぶ配線に絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）などのスイッチング素子を設け、そのスイッチング素子によってフラッシュランプＦＬに流れる電流を制御することにより、フラッシュ光照射の強度を変えてフラッシュ光照射時の処理温度Ｔ１を変更するようにしても良い。また、電源ユニット７１に容量の異なる複数種類のコンデンサを設け、これらを切り替えることによってフラッシュ光照射の強度を変えるようにしても良い。

また、本発明に係る熱処理技術によって処理対象となる基板Ｗは半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などに用いるガラス基板や太陽電池用の基板であっても良い。これらの場合、処理対象となる基板Ｗの形状に応じて、フラッシュ照射部６０から照射するフラッシュ光の照射領域の形状を設定する。例えば、処理対象となる基板Ｗが矩形のガラス基板であれば、フラッシュ照射部６０はその矩形の周縁部にフラッシュ光を照射する。

１ 基板処理装置
１０ インデクサブロック
２０ バークブロック
３０ レジスト塗布ブロック
４０ 現像処理ブロック
５０ インターフェイスブロック
６０ フラッシュ照射部
６１ 投光光学系
６５ 熱処理空間
７０ チャンバー
７１ 電源ユニット
７２ コイル
７３ コンデンサ
７４ 充電器
８１ 冷却プレート
９０ ユニットコントローラ
ＢＲＣ，ＳＣ 塗布処理ユニット
ＣＰ 冷却ユニット
ＦＬ フラッシュランプ
ＦＬＢ フラッシュベークユニット
ＨＰ 加熱ユニット
ＩＦＲ 搬送機構
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０ 基板載置部
ＳＤ 現像処理ユニット
ＴＲ１，ＴＲ２，ＴＲ３，ＴＲ４ 搬送ロボット
Ｗ 基板

Claims (6)

1. 基板の表面にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
   前記レジスト膜の周縁部にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して当該周縁部の温度をガラス転移点以上に加熱する周縁部加熱工程と、
   前記周縁部加熱工程の後、前記基板の表面に現像液を供給して前記レジスト膜の前記周縁部を除去する現像工程と、
   を備えることを特徴とする熱処理方法。
2. 請求項１記載の熱処理方法において、
   前記基板を冷却プレート上に保持しつつフラッシュ光の照射を行うことを特徴とする熱処理方法。
3. 請求項１または請求項２記載の熱処理方法において、
   前記周縁部加熱工程でのフラッシュ光照射による加熱処理時間は１秒以下であることを特徴とする熱処理方法。
4. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の熱処理方法において、
   前記周縁部加熱工程では、前記フラッシュランプに印加する電圧を制御することによって前記周縁部の加熱温度を変更することを特徴とする熱処理方法。
5. 表面にレジスト膜が形成された基板を収容するチャンバーと、
   フラッシュ光を出射するフラッシュランプと、
   前記フラッシュランプから出射されたフラッシュ光を前記レジスト膜の周縁部のみに到達させる投光光学系と、
   フラッシュ光が照射された前記周縁部の温度がガラス転移点以上となるように、前記フラッシュランプに印加する電圧を制御する制御部と、
   を備えることを特徴とする熱処理装置。
6. 請求項５記載の熱処理装置において、
   前記チャンバー内にて前記基板を載置して保持する冷却プレートをさらに備えることを特徴とする熱処理装置。

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