JP5578675B2 - レジストパターン形成装置 - Google Patents
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Description
上記第3のブロック(COT層)B3に搬入されたウエハWに架橋剤を含有する第1レジスト液を塗布して、ウエハW表面にレジスト膜を形成する(S−1)。レジスト膜が形成されたウエハWは熱系棚ユニットに搬送され、プリベーク処理(S−2)によってレジスト膜から残存溶剤を蒸発除去し、クーリング処理(S−3)した後、露光装置S4に搬送され、露光処理(S−4)された後、ポストエクスポージャーベーク処理(S−5)してポジ型レジストの現像液に対する可溶解性をもたせる。その後、ウエハWは第1のブロック(DEV層)B1に搬入され、現像処理(S−6)されて、ウエハW表面に第1レジストパターンが形成される。
紫外線照射及び加熱処理(ハードベーク処理)された第1レジストパターンが形成されたウエハWは、搬送アームA1によって紫外線照射装置50の筐体54から搬出された後、受け渡し台TRS1に搬送され、受け渡しアームDによって受け渡しユニットCPL3及び搬送アームA3を介して再び第3のブロック(COT層)B3に搬入され、ウエハW表面に第1レジストパターン表面に第2レジスト液が塗布されて、第2レジスト膜が形成される(S−9)。この第2のレジスト塗布処理においては、上述したように第1レジストパターンが形成されたウエハW表面に紫外線を照射することによって接触角が低下すなわち親水性となるため、第2レジスト液の塗布の際にシンナー(溶剤)を用いずに第2レジスト液を塗布することができる。
上記第3のブロック(COT層)B3に搬入されたウエハWに架橋剤を含有する第1レジスト液を塗布して、ウエハW表面に第1レジスト膜を形成する(S−1)。第1レジスト膜が形成されたウエハWは、プリベーク処理(S−2)→クーリング処理(S−3)→露光処理(S−4)→ポストエクスポージャーベーク処理(S−5)→現像処理(S−6)されて、ウエハW表面に第1レジストパターンが形成される。
紫外線照射及び加熱処理(ハードベーク処理)された第1レジストパターンが形成されたウエハWは、搬送アームA1によって紫外線照射装置50Aの筐体54から搬出された後、受け渡し台TRS1に搬送され、受け渡しアームDによって受け渡しユニットCPL3及び搬送アームA3を介して再び第3のブロック(COT層)B3に搬入され、ウエハW表面に第1レジストパターン表面に第2レジスト液が塗布されて、第2レジスト膜が形成される(S−9)。この第2のレジスト塗布処理においては、上述したように第1レジストパターンが形成されたウエハW表面に紫外線を照射することによって接触角が低下すなわち親水性となるため、第2レジスト液の塗布の際にシンナー(溶剤)を用いずに第2レジスト液を塗布することができる。
実験条件
・レジスト:架橋剤を含有する自己架橋型レジスト
・紫外線の波長:172nm
・環境:大気中
試料
・比較例1:紫外線(UV)照射無し、ハードベーク時間190秒
・比較例2:紫外線(UV)照射時間2.1秒、ハードベーク無し
・実施例1:紫外線(UV)照射時間2.1秒、ハードベーク時間190秒
・実施例2:紫外線(UV)照射時間5.0秒、ハードベーク時間190秒
・実施例3:紫外線(UV)照射時間10.0秒、ハードベーク時間190秒
上記条件の下で、評価実験を行ってレジスト溶解性を調べたところ、表1及び図10に示すような結果が得られた。
ウエハにレジストパターンを形成して上記評価実験1と同様の条件で実験を行って、比較例3(UV照射無し、ハードベーク時間190秒)と実施例4(UV照射時間2.1秒、ハードベーク時間190秒)のウエハ中心部の膜厚ばらつきを調べたところ、図12に示すような結果が得られた。
S3 インターフェイスブロック
S4 露光装置(露光処理部)
B1 DEV層
B3 COT層
A1〜A4 搬送アーム(主搬送機構)
D 受け渡しアーム(主搬送機構)
21 現像ユニット(現像処理部)
23 塗布ユニット(塗布処理部)
50 紫外線照射装置
51,51A 基板保持台
52 紫外線ランプ(紫外線照射体)
53 ボールねじ機構(移動機構、補助搬送機構)
54 筐体
60 加熱部
61,61A ヒータ
62 熱板
70 酸素ボンベ(ガス供給手段)
73 開閉弁
80 コントローラ
100 制御部
Claims (3)
- 基板にレジスト塗布処理、露光処理及び現像処理等のリソグラフィ処理を施して所定のパターンを形成するリソグラフィ工程を繰り返し行うレジストパターン形成装置であって、
基板に架橋剤を含有するレジストを塗布する塗布処理部と、レジストが塗布された基板を露光する露光処理部、及び露光後の基板を現像する現像処理部等を備えるパターン形成部と、
上記パターン形成部によって第1レジストパターンが形成された現像処理後の基板に紫外線を照射する紫外線照射装置と、を具備し、
上記紫外線照射装置は、基板の表面を上面にして保持すると共に、加熱体を配設する基板保持台と、上記基板保持台に保持された基板に紫外線を照射する紫外線照射体と、上記基板保持台と紫外線照射体とを相対的に平行移動する移動機構と、上記基板保持台と紫外線照射体を配設する筐体に開閉弁を介して接続する酸素ガス供給手段と、上記紫外線照射体,上記移動機構,上記加熱体及び上記開閉弁を制御する制御手段と、を具備し、
上記筐体内の処理空間内に、上記基板表面を親水性にすべく上記紫外線を照射可能に形成してなる、
ことを特徴とするレジストパターン形成装置。 - 請求項1記載のレジストパターン形成装置において、
上記紫外線照射装置における上記筐体内の処理空間内が大気状態において、紫外線照射時間が2.1〜5秒に設定されている、ことを特徴とするレジストパターン形成装置。 - 請求項1又は2に記載のレジストパターン形成装置において、
上記紫外線照射装置における上記筐体内の処理空間内が大気状態において、上記加熱部における加熱温度がガラス転移温度以下に設定されている、ことを特徴とするレジストパターン形成装置。
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