JP2009135293A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】塗布処理ユニット31と、熱処理ユニット41と、各処理ユニット31、41に対して基板Wを搬送する第1主搬送機構T1とを備え、載置部PASS2を介して第1主搬送機構T1から第2主搬送機構T2に基板Wを受け渡すとともに、載置部PASS2に基板Wを載置できない時は当該基板Wをバッファ部BF2に載置する。よって、第1主搬送機構T1は引き続き基板Wの搬送を継続することができる。したがって、各処理ユニット31、41内のその他の各基板Wは、それぞれ遅れることなく処理ユニット31、41間で搬送されて、塗布処理および熱処理を含む一連の処理が所定の時間どおりに行われる。このため、基板Wに塗膜を形成する処理の品質が低下することを防ぐことができる。
【選択図】図1
Description
すなわち、従来の装置では、塗布処理ブロックの主搬送機構が隣接する他の主搬送機構に基板を受け渡す際に、例えば載置部に他の基板が載置されていれば、載置部に基板を載置することができない。このような場合、塗布処理ブロックの主搬送機構は基板を載置部に載置できる状態になるまで待機する。塗布処理ブロックの主搬送機構が待機しているときは、主搬送機構は各処理ユニット間で基板を搬送できない。このため、仮に塗布処理ユニットにおいて処理が終了した基板があったとしても、その基板は熱処理ユニットなど他の処理ユニットへ搬送されない。したがって、塗布処理ブロックで行う塗布処理および熱処理を含む一連の処理を所定の時間どおりに基板に行うことができない。この結果、基板に対する処理品質が低下するという不都合がある。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、基板に処理液を塗布する塗布処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニットとを有し、基板に塗膜を形成する塗膜形成処理部と、前記塗布処理ユニットおよび前記熱処理ユニットに対して基板を搬送する第1主搬送機構と、前記塗膜形成処理部で塗膜が形成された基板を前記第1主搬送機構から他の主搬送機構に受け渡すために当該基板を載置する載置部と、前記載置部に近接して設けられ、基板を一時的に載置するバッファ部と、を備えていることを特徴とするものである。
図1は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図2と図3は基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図であり、図4ないし図7は、図1におけるa−a矢視、b−b矢視、c−c矢視およびd−d矢視の各垂直断面図である。
[ID部1]
ID部1は複数枚の基板Wを収容するカセットCから基板Wを取り出すとともに、カセットCに基板Wを収納する。このID部1はカセットCを載置するカセット載置台9を備える。カセット載置台9は4個のカセットCを1列に並べて載置可能に構成される。ID部1はID用搬送機構TIDを備えている。ID用搬送機構TIDは、各カセットCに対して基板Wを搬送するとともに、後述する載置部PASS1及び載置部PASS3に基板Wを搬送する。ID用搬送機構TIDは、カセット載置台9の側方をカセットCの並び方向に水平移動する可動台21と、可動台21に対して鉛直方向に伸縮する昇降軸23と、この昇降軸23に対して旋回するとともに旋回半径方向に進退して基板Wを保持する保持アーム25とを備えている。ID用搬送機構TIDは、この発明におけるインデクサ用搬送機構に相当する。
本実施例では、処理部3は、複数(2台)の処理ブロックBa、Bbを横方向(搬送方向と略同じ)に並べて構成されている。各処理ブロックBa、Bbは、それぞれ上下方向に複数(2つ)の階層Kに分けられている。なお、本明細書では、処理ブロックBa、Bbの各階層について符号「K」を付す。処理ブロックBaの上側の階層K1には上述の主搬送機構T1とこれに対応する各種処理ユニットが配置されており、下側の階層K3には主搬送機構T3と各種処理ユニットが配置されている。同様に、処理ブロックBbの上側の階層K2には主搬送機構T2と各種処理ユニットが配置されており、下側の階層K4には主搬送機構T4と各種処理ユニットが配置されている。
処理ブロックBaはID部1に隣接して設けられている。ID部1と処理ブロックBaの各階層K1、K3の間には、基板Wを載置する載置部PASS1、PASS3が設けられている。載置部PASS1には、ID用搬送機構TIDと主搬送機構T1との間で受け渡される基板Wが載置される。同様に、載置部PASS3には、ID用搬送機構TIDと主搬送機構T3との間で受け渡される基板Wが載置される。断面視では載置部PASS1は上側の階層K1の下部付近の高さ位置に配置され、載置部PASS3は下側の階層K3の上部付近の高さに配置されている。このように載置部PASS1と載置部PASS3の位置が比較的近いので、ID用搬送機構TIDは少ない昇降量で載置部PASS1と載置部PASS3との間を移動することができる。
処理ブロックBbはIF部5と隣接している。階層K2について説明する。階層K1と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。階層K2の搬送スペースA2は搬送スペースA1の延長上となるように形成されている。
IF部5は処理部3(より詳しくは処理ブロックBbの各階層K2、K4)と、露光機EXPとの間で基板Wを受け渡す。IF部5は基板Wを搬送するIF用搬送機構TIFを備えている。IF用搬送機構TIFは、相互に基板Wを受け渡し可能なIF用第1搬送機構TIFAとIF用第2搬送機構TIFBを有する。IF用第1搬送機構TIFAは、各階層K2、K4に対して基板Wを搬送する。上述したように、本実施例ではIF用第1搬送機構TIFAは、階層K3、K4の載置部PASS5、PASS6と、各階層K3、K4の加熱冷却ユニットPHPに対して基板Wを搬送する。IF用第2搬送機構TIFBは、露光機EXPに対して基板Wを搬送する。IF用搬送機構TIFは、この発明におけるインターフェイス用搬送機構に相当する。
ID用搬送機構TIDは一のカセットCに対向する位置に移動し、カセットCに収容される一枚の未処理の基板Wを保持アーム25に保持してカセットCから搬出する。ID用搬送機構TIDは保持アーム25を旋回し昇降軸23を昇降して載置部PASS1に対向する位置に移動し、保持している基板Wを載置部PASS1Aに載置する(図8におけるステップS1aに対応する。以下、ステップの番号のみ付記する。)。このとき、載置部PASS1Bには通常、基板Wが載置されており、この基板Wを受け取ってカセットCに収納する(ステップS23)。なお、載置部PASS1Bに基板Wがない場合はステップS23を省略する。続いて、ID用搬送機構TIDはカセットCにアクセスして、カセットCに収容される基板Wを載置部PASS3Aへ搬送する(ステップS1b)。ここでも、載置部PASS3Bに基板Wが載置されていれば、この基板WをカセットCに収納する(ステップS23)。ID用搬送機構TIDは上述した動作を繰り返し行う。
主搬送機構T3の動作は主搬送機構T1の動作と略同じであるので、主搬送機構T1についてのみ説明する。主搬送機構T1は載置部PASS1に対向する位置に移動する。このとき、主搬送機構T1は直前に載置部PASS2Bから受け取った基板Wを一方の保持アーム57(例えば57b)に保持している。主搬送機構T1は保持している基板Wを載置部PASS1Bに載置するとともに(ステップS22)、他方の保持アーム57(例えば57a)で載置部PASS1Aに載置されている基板Wを保持する。
主搬送機構T4の動作は主搬送機構T2の動作と略同じであるので、主搬送機構T2についてのみ説明する。主搬送機構T2は載置部PASS2に対向する位置に移動する。このとき、主搬送機構T2は直前にアクセスした冷却ユニットCP2から受け取った基板Wを保持している。主搬送機構T2は保持している基板Wを載置部PASS2Bに載置するとともに(ステップS21)、載置部PASS2Aに載置されている基板Wを保持する(ステップS9)。
IF用第1搬送機構TIFAは載置部PASS5にアクセスし、載置部PASS5Aに載置される基板Wを受け取る(ステップS11a)。IF用第1搬送機構TIFAは受け取った基板Wを保持して載置部PASS−CPに移動し、載置部PASS−CP内に搬入する(ステップS12)。
IF用第2搬送機構TIFBは載置部PASS−CPから基板Wを取り出して、露光機EXPに搬送する。そして、露光機EXPから払い出される露光済みの基板Wを受け取ると、載置部PASS7に搬送する。
3 …処理部
5 …インターフェイス部(IF部)
31 …塗布処理ユニット
41、42 …熱処理ユニット
61 …第1吹出ユニット
61a …第1吹出口
62 …排出ユニット
62a …排出口
65 …第2気体供給管
66 …第2気体排出管
90 …制御部
91 …メインコントローラ
93〜99 …第1ないし第7コントローラ
K、K1、K2、K3、K4 …階層
B、Ba、Bb …処理ブロック
Bc …反射防止膜用塗布処理ブロック
Bd …レジスト膜用塗布処理ブロック
Be …現像処理ブロック
BARC …反射防止膜用塗布処理ユニット
RESIST …レジスト膜用塗布処理ユニット
DEV …現像処理ユニット
EEW …エッジ露光ユニット
PHP …加熱冷却ユニット
TID…ID用搬送機構
T1、T2、T3、T4、T9 …主搬送機構
TIF …IF用搬送機構
PASS、PASS−CP …載置部
BF、BF2、BF4、BFIF、BF9 …バッファ部
BFIFS …送り用バッファ部
BFIFR …戻り用バッファ部
A1、A2、A3、A4 …搬送スペース
EXP …露光機
Sp …センサ
C …カセット
W …基板
Claims (19)
- 基板に処理を行う基板処理装置において、
基板に処理液を塗布する塗布処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニットとを有し、基板に塗膜を形成する塗膜形成処理部と、
前記塗布処理ユニットおよび前記熱処理ユニットに対して基板を搬送する第1主搬送機構と、
前記塗膜形成処理部で塗膜が形成された基板を前記第1主搬送機構から他の主搬送機構に受け渡すために当該基板を載置する載置部と、
前記載置部に近接して設けられ、基板を一時的に載置するバッファ部と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記第1主搬送機構が前記載置部に基板を載置できない時に、前記第1主搬送機構は基板を前記バッファ部に一時的に載置することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載の基板処理装置において、
前記バッファ部に載置された基板を前記他の主搬送機構によって受け取ることが許容されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記他の主搬送機構は、前記第1主搬送機構へ基板を受け渡すために当該基板を前記載置部に載置するとともに、基板を一時的に前記バッファ部に載置可能であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置において、
前記他の主搬送機構が前記載置部に基板を載置できない時には、前記他の主搬送機構は前記第1主搬送機構へ受け渡すための基板を前記バッファ部に載置することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項5のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記バッファ部は前記載置部に積層されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項5のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記バッファ部は、前記載置部の上方又は下方の少なくともいずれか一方に配置されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項7のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記バッファ部が載置可能な基板の枚数は、前記塗膜形成処理部で同時に処理可能な基板の枚数以上であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項8のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記塗膜形成処理部は基板にレジスト膜を形成することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項9に記載の基板処理装置において、
前記塗膜形成処理部は、さらに基板に反射防止膜を形成することを特徴とする基板処理装置。 - 基板に処理を行う基板処理装置において、
基板に処理液を塗布する塗布処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニットとを有し、基板に塗膜を形成する塗膜形成処理部と、
前記塗布処理ユニットおよび前記熱処理ユニットに対して基板を搬送する第1主搬送機構と、
前記第1主搬送機構から他の主搬送機構に基板を受け渡すために当該基板を載置する載置部と、
前記載置部に近接して設けられ、基板を一時的に載置するバッファ部と、
前記第1主搬送機構を制御して、前記他の主搬送機構に受け渡す基板を前記載置部に載置させ、前記載置部に基板を載置できない異常時には当該基板を一時的に前記バッファ部に載置させる制御部と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項11に記載の基板処理装置において、
前記載置部に載置される基板を検出する第1検出部を備え、
前記制御手段は、前記第1主搬送機構から前記他の主搬送機構に基板を受け渡す際、前記第1検出部の検出結果に基づいて前記載置部に基板が載置されていると判断したときは、基板を一時的に前記バッファ部に載置させることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項11または請求項12に記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、前記第1主搬送機構によって基板を一時的に前記バッファ部に載置させた場合は、前記バッファ部に載置させた基板を前記他の主搬送機構によって受け取らせることを特徴とする基板処理装置。 - 基板に処理を行う基板処理装置において、
基板にレジスト膜材料を塗布するレジスト膜用塗布処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、これらレジスト膜用塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第1主搬送機構とを備えるレジスト膜用塗布処理ブロックと、
前記レジスト膜用塗布処理ブロックに隣接する現像処理ブロックであって、基板に現像液を供給する現像処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、これら現像処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第2主搬送機構とを備える現像処理ブロックと、
前記現像処理ブロックに隣接し、本装置とは別体の露光機との間で基板を搬送するインターフェイス用搬送機構を備えるインターフェイス部と、
を備え、
前記第1主搬送機構と前記第2主搬送機構とは、基板を載置する第1載置部を介して基板の受け渡しを行うとともに、前記第1主搬送機構が前記第1載置部に基板を載置できない時には当該基板を第1バッファ部に一時的に載置することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項14に記載の基板処理装置において、
前記第1バッファ部は、前記第1載置部の上方または下方に近接して設けられていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項14または請求項15に記載の基板処理装置において、
前記レジスト膜用塗布処理ブロックおよび前記現像処理ブロックはそれぞれ上下方向の階層に分けられており、
前記レジスト膜用塗布処理ユニットと前記第1主搬送機構と前記レジスト膜用塗布処理ブロックの熱処理ユニットは、前記レジスト膜用塗布処理ブロックの各階層にそれぞれ設けられるとともに、
前記現像処理ユニットと前記第2主搬送機構と前記現像処理ブロックの熱処理ユニットは、前記現像処理ブロックの各階層にそれぞれ設けられており、
前記第1載置部は、前記レジスト膜用塗布処理ブロックと前記現像処理ブロックの間に各階層ごとに設けられるとともに、
前記第1バッファ部は前記第1載置部のそれぞれに対応して設けられていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項14から請求項16のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記インターフェイス用搬送機構は前記現像処理ブロックの熱処理ユニットに基板を搬送して、当該熱処理ユニットで露光後の基板に露光後加熱(PEB:Post Exposure Bake)処理を行うとともに、
前記インターフェイス用搬送機構と前記第2主搬送機構とは、基板を載置する第2載置部を介して基板の受け渡しを行い、かつ、前記インターフェイス用搬送機構が前記第2載置部に基板を載置できない時には第2バッファ部に一時的に基板を載置することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項14から請求項17のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第2バッファ部は、前記インターフェイス部に設けられていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項14から請求項18のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記レジスト膜用塗布処理ブロックは、基板に反射防止膜用の処理液を塗布する反射防止膜用塗布処理ユニットをさらに備えていることを特徴とする基板処理装置。
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