JP3916473B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、半導体ウエハ上にレジスト液を塗布し、現像する処理を行う基板処理装置と基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、半導体デバイスの製造においては、半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）にレジスト液を塗布し、フォトマスクを用いてレジスト膜を露光し、さらに現像処理を行うことによって、所望のレジストパターンを基板上に形成するフォトリソグラフィー技術が用いられており、このような一連の処理には、従来からレジスト塗布／現像処理システムが使用されている。
【０００３】
このレジスト塗布／現像処理システムには、レジスト塗布処理および現像処理に必要な一連の処理、例えば、ウエハにレジスト液の塗布を行うレジスト塗布処理、露光処理が終了したウエハに現像処理を施す現像処理、レジスト塗布後や現像処理後のウエハを加熱する加熱処理、等を個別に行う各種の処理ユニットが備えられている。また、レジスト塗布／現像処理システムには露光装置が隣接して配置されるために、レジスト塗布／現像処理システムには、露光装置に対してウエハを搬入出するためのウエハ搬送装置を備えたインターフェイスステーションが設けられている。
【０００４】
一般的に、露光装置はウエハを搬入するためにウエハを載置する搬入ステージを有している。また、露光装置はこの搬入ステージへのウエハの搬入を許可する信号（以下「許可信号」という）または搬入ステージへのウエハの搬入を禁止する信号（以下「禁止信号」という）をレジスト塗布／現像処理システムに対して発信している。このために、インターフェイスステーションに設けられたウエハ搬送装置は、例えば、許可信号にしたがって処理ステーションに設けられた所定の処理ユニットから搬入ステージへウエハを搬送する。一方、露光装置から禁止信号が出されている場合には、ウエハ搬送装置は搬入ステージへのウエハの搬入を行わずに、例えば、露光処理が終了したウエハを露光装置から搬出して処理ステーションに搬入する等の動作を行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、露光装置が許可信号を出していたためにウエハ搬送装置が処理ステーションの所定の処理ユニットからウエハを搬出したが、その後に禁止信号が出されて搬入ステージへのウエハの搬入が禁止される場合がある。この場合には、従来、ウエハ搬送装置はウエハを保持した状態で静止するか、またはウエハを取り出した後の禁止信号を無視してウエハを搬入ステージへ搬入していた。
【０００６】
ウエハを保持した状態でウエハ搬送装置の動作が停止した場合には、露光装置が次に許可信号を出すまでの間は、例えば、ウエハ搬送装置は露光処理が終了したウエハを処理ステーションへ戻す作業を行うことができない。これによってさらに処理ステーションにおけるウエハの処理を停止する必要が生ずる場合がある。また、禁止信号を無視してウエハを搬入ステージに搬入した場合には、搬入ステージに対するウエハの受け渡しが失敗するおそれがある。この場合には、ウエハが落下して破損したり、ウエハ搬送装置や搬入ステージが損傷する等の問題を生じる。
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、基板搬送時にその基板の搬送先が突然に基板の搬入を禁止した場合に、基板搬送装置の動作が停止することを防止した基板処理装置を提供することを目的とする。また本発明は、基板搬送時にその基板の搬送先が突然に基板の搬入を禁止した場合に、搬送中の基板の破損を防止した基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の観点によれば、基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
基板に所定の処理を行う第１の処理ユニットと、
前記第１の処理ユニットにおける処理が終了した基板にさらに別の処理を行う第２の処理ユニットと、
前記第１の処理ユニットから前記第２の処理ユニットへ基板を搬送する基板搬送装置と、
前記基板搬送装置の動作を制御する制御装置と、
前記第１の処理ユニットから搬出された基板を臨時に載置する臨時基板載置ユニットと、
を具備し、
前記制御装置は、
前記第１の処理ユニットから前記第２の処理ユニットへ基板を搬送する際に、
前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可する状態にあることを確認した後に前記第１の処理ユニットから処理の終了した基板を搬出し、
前記第２の処理ユニットへ基板を搬入する直前に前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可または禁止する状態のいずれの状態にあるかを確認し、
前記第２の処理ユニットへの基板の搬入が許可されている場合または前記第２の処理ユニットへの基板の搬入が禁止されたが所定時間内に前記禁止が解除された場合には基板を前記第２の処理ユニットへ搬入し、
前記第２の処理ユニットへの基板の搬入が禁止され、かつ、所定時間が経過した場合には前記臨時基板載置ユニットに基板を載置し、
前記臨時基板載置ユニットに基板が載置された後に前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可する状態に変わった際に、前記臨時基板載置ユニットから基板を搬出するように前記基板搬送装置を制御することを特徴とする基板処理装置、が提供される。
【０００９】
本発明の第２の観点によれば、基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
基板に所定の処理を行う第１の処理ユニットと、
前記第１の処理ユニットにおける処理が終了した基板にさらに別の処理を行う第２の処理ユニットと、
前記第１の処理ユニットから前記第２の処理ユニットへ基板を搬送する基板搬送装置と、
前記基板搬送装置の動作を制御する制御装置と、
前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可または禁止するいずれの状態にあるかを検出して、その検出信号を前記制御装置へ送信する検出機構と、
前記第１の処理ユニットから搬出された基板を臨時に載置する臨時基板載置ユニットと、
を具備し、
前記制御装置は、
前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可する状態にあることを示す前記検出機構による検出信号にしたがって前記基板搬送装置によって前記第１の処理ユニットから基板を搬出させた後に、前記第２の処理ユニットへ基板を搬入する直前に前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可または禁止する状態のいずれの状態にあるかを前記検出機構の検出信号により確認し、
前記第２の処理ユニットへの基板の搬入が許可されている場合または前記第２の処理ユニットへの基板の搬入が禁止されたが所定時間内に前記禁止が解除された場合には基板を前記第２の処理ユニットへ搬入し、
前記第２の処理ユニットが基板の搬入を禁止する状態になったことを示す前記検出機構による検出信号を前記制御装置が受信し、かつ、所定時間が経過した場合には、前記基板搬送装置が保持している基板を前記臨時基板載置ユニットに載置し、
前記臨時基板載置ユニットに基板が載置された後に前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可する状態に変わったことを示す前記検出機構による検出信号を受信した場合に、前記臨時基板載置ユニットから基板を搬出するように前記基板搬送装置を制御することを特徴とする基板処理装置、が提供される。
【００１０】
本発明の第３の観点によれば、基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
複数の基板が収容されたカセットを載置するカセットステーションと、
基板に対して所定の処理を施す処理ステーションと、
前記カセットステーションと前記処理ステーションとの間で基板の搬送を行う第１の基板搬送装置と、
前記処理ステーションに隣接して設けられる別の基板処理装置と前記処理ステーションとの間で基板を搬送するインターフェイスステーションと、
を具備し、
前記インターフェイスステーションは、
前記処理ステーションと前記別の基板処理装置との間で基板を搬送する第２の基板搬送装置と、
前記第２の基板搬送装置を制御する制御装置と、
前記処理ステーションから搬出された基板を臨時に載置する臨時基板載置ユニットと、
を有し、
前記制御装置は、
前記処理ステーションから前記別の基板処理装置へ基板を搬送する際に、
前記別の基板処理装置が基板の搬入を許可する状態にあることを確認した後に前記処理ステーションから処理の終了した基板を搬出し、
前記別の基板処理装置へ基板を搬入する直前に前記別の基板処理装置が基板の搬入を許可または禁止する状態のいずれの状態にあるかを確認し、
前記別の基板処理装置への基板の搬入が許可されている場合または前記別の基板処理装置への基板の搬入が禁止されたが所定時間内に前記禁止が解除された場合には基板を前記別の基板処理装置へ搬入し、
前記別の基板処理装置への基板の搬入が禁止され、かつ、所定時間が経過した場合には前記臨時基板載置ユニットに基板を載置し、
前記臨時基板載置ユニットに基板が載置された後に前記別の基板処理装置が基板の搬入を許可する状態に変わった際に、前記臨時基板載置ユニットから基板を搬出するように前記第２の基板搬送装置を制御することを特徴とする基板処理装置、が提供される。
【００１１】
本発明の第４の観点によれば、基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
複数の基板が収容されたカセットを載置するカセットステーションと、
基板に対して所定の処理を施す処理ステーションと、
前記カセットステーションと前記処理ステーションとの間で基板の搬送を行う第１の基板搬送装置と、
前記処理ステーションに隣接して設けられる別の基板処理装置と前記処理ステーションとの間で基板を搬送するインターフェイスステーションと、
を具備し、
前記インターフェイスステーションは、
前記処理ステーションから前記別の基板処理装置へ搬送される基板のみを載置する基板載置ユニットと、
前記処理ステーションと前記基板載置ユニットの間で基板を搬送する第２の基板搬送装置と、
前記基板載置ユニットと前記別の基板処理装置との間で基板を搬送する第３の基板搬送装置と、
前記第３の基板搬送装置を制御する制御装置と、
前記基板載置ユニットと並列に設けられ、前記基板載置ユニットから搬出された基板を臨時に搬入する臨時基板載置ユニットと、
を有し、
前記制御装置は、前記基板載置ユニットから前記別の基板処理装置へ基板を搬送する際に、
前記別の基板処理装置が基板の搬入を許可する状態にあることを確認した後に前記基板載置ユニットから基板を搬出し、
前記別の基板処理装置へ基板を搬入する直前に前記別の基板処理装置が基板の搬入を許可または禁止する状態のいずれの状態にあるかを確認し、
前記別の基板処理装置への基板の搬入が許可されている場合または前記別の基板処理装置への基板の搬入が禁止されたが所定時間内に前記禁止が解除された場合には基板を前記別の基板処理装置へ搬入し、
前記別の基板処理装置への基板の搬入が禁止され、かつ、所定時間が経過した場合には前記臨時基板載置ユニットに基板を載置し、
前記臨時基板載置ユニットに基板が載置された後に前記別の基板処理装置が基板の搬入を許可する状態に変わった際に、前記臨時基板載置ユニットから基板を搬出するように前記第３の基板搬送装置を制御することを特徴とする基板処理装置、が提供される。
【００１２】
本発明の第５の観点によれば、基板に所定の処理を施す基板処理方法であって、
基板に所定の処理を施す第１の処理ユニットから前記第１の処理ユニットにおける処理が終了した基板に別の処理を施す第２の処理ユニットへ基板を搬送する際に、
前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可する状態にあることを確認した後に前記第１の処理ユニットから処理の終了した基板を搬出する第１工程と、
前記第２の処理ユニットへ前記基板を搬入する直前に前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可または禁止する状態のいずれの状態にあるかを確認する第２工程と、
前記第２の処理ユニットへの基板の搬入が許可されている場合または前記第２の処理ユニットへの前記基板の搬入が禁止されたが所定時間内に前記禁止が解除された場合には前記基板を前記第２の処理ユニットへ搬入し、前記第２の処理ユニットへの前記基板の搬入が禁止され、かつ、所定時間が経過した場合には臨時に基板を載置する臨時基板載置ユニットに前記基板を載置する第３工程と、
前記臨時基板載置ユニットに前記基板が載置された後に前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可する状態に変わった際に、前記臨時基板載置ユニットから基板を搬出する第４工程と、
前記臨時基板載置ユニットから搬出された基板に対して、前記第２工程から前記第４工程の処理を反復して行う第５工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法、が提供される。
【００１３】
このような基板処理装置および基板処理方法によれば、臨時基板載置ユニットが設けられているために、基板搬送中に搬送先のユニットが突然に基板の搬入を禁止した場合にも、搬送中の基板を臨時基板載置ユニットに載置することができる。これにより搬送中の基板が保護される。また、基板の搬送先の処理ユニットへ無理に基板を搬入することによって生じ得る処理ユニットおよび搬送装置の損傷が回避される。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。ここでは、半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）にレジスト液を塗布し、露光処理されたウエハを現像処理するレジスト塗布／現像処理システムについて説明することとする。図１は、レジスト塗布／現像処理システム１の概略平面図、図２はその概略正面図、図３はその概略背面図である。
【００１５】
このレジスト塗布／現像処理システム１は、搬送ステーションであるカセットステーション１１と、複数の処理ユニットを有する処理ステーション１２と、処理ステーション１２に隣接して設けられる露光装置１４と処理ステーション１２との間でウエハＷを受け渡すためのインターフェイスステーション１３と、を有している。
【００１６】
レジスト塗布／現像処理システム１において処理を行う複数枚（例えば、２５枚）のウエハＷが収容されたウエハカセット（ＣＲ）が他のシステムからカセットステーション１１へ搬入される。また逆にレジスト塗布／現像処理システム１における処理が終了したウエハＷが収容されたウエハカセット（ＣＲ）がカセットステーション１１から他のシステムへ搬出される。さらにカセットステーション１１はウエハカセット（ＣＲ）と処理ステーション１２との間でのウエハＷの搬送を行う。
【００１７】
カセットステーション１１においては、図１に示すように、カセット載置台２０上にＸ方向に沿って１列に複数（図１では５個）の位置決め突起２０ａが形成されている。ウエハカセット（ＣＲ）はウエハ搬入出口を処理ステーション１２側に向けてこの突起２０ａの位置に載置できるようになっている。なお、ウエハカセット（ＣＲ）内においては、ウエハＷは水平姿勢で垂直方向（Ｚ方向）に略平行に配列されている（図２および図３参照）。
【００１８】
カセットステーション１１には、ウエハ搬送機構２１がカセット載置台２０と処理ステーション１２との間に位置するように設けられている。このウエハ搬送機構２１は、カセット配列方向（Ｘ方向）およびウエハカセット（ＣＲ）中のウエハＷの配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送用ピック２１ａを有しており、このウエハ搬送用ピック２１ａは、図１中に示されるθ方向に回転可能である。こうしてウエハ搬送用ピック２１ａはいずれかのウエハカセット（ＣＲ）に対して選択的にアクセスでき、かつ、後述する処理ステーション１２の第３処理ユニット群Ｇ３に設けられたトランジションユニット（ＴＲＳ−Ｇ３）にアクセスできるようになっている。
【００１９】
処理ステーション１２では、システム背面側（図１上方）に、カセットステーション１１側から順に、第３処理ユニット群Ｇ３、第４処理ユニット群Ｇ４および第５処理ユニット群Ｇ５が配置されている。また第３処理ユニット群Ｇ３と第４処理ユニット群Ｇ４との間に第１主搬送部Ａ１が設けられ、第４処理ユニット群Ｇ４と第５処理ユニット群Ｇ５との間に第２主搬送部Ａ２設けられている。さらにシステム前面側（図１下方）に、カセットステーション１１側から順に、第１処理ユニット群Ｇ１と第２処理ユニット群Ｇ２が設けられている。
【００２０】
図３に示すように、第３処理ユニット群Ｇ３では、ウエハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えばウエハＷに所定の加熱処理を施す高温度熱処理ユニット（ＢＡＫＥ）、ウエハＷに精度のよい温度管理下で加熱処理を施す高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ３）、温調ユニット（ＴＣＰ）、カセットステーション１１と第１主搬送部Ａ１との間でのウエハＷの受け渡し部となるトランジションユニット（ＴＲＳ−Ｇ３）が、例えば１０段に重ねられている。なお、第３処理ユニット群Ｇ３には下から３段目にスペアの空間が設けられており、所望のオーブン型処理ユニット等を設けることができるようになっている。
【００２１】
第４処理ユニット群Ｇ４では、例えば、レジスト塗布後のウエハＷに加熱処理を施すプリベークユニット（ＰＡＢ）、現像処理後のウエハＷに加熱処理を施すポストベークユニット（ＰＯＳＴ）、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ４）が、例えば１０段に重ねられている。第５処理ユニット群Ｇ５では、例えば、露光後現像前のウエハＷに加熱処理を施すポストエクスポージャーベークユニット（ＰＥＢ）、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ５）が、例えば１０段に重ねられている。
【００２２】
図１および図３に示すように、第１主搬送部Ａ１の背面側には、アドヒージョンユニット（ＡＤ）と、ウエハＷを加熱する加熱ユニット（ＨＰ）とを有する第６処理ユニット群Ｇ６が設けられている。ここで、アドヒージョンユニット（ＡＤ）にはウエハＷを温調する機構を持たせてもよい。
【００２３】
第２主搬送部Ａ２の背面側には、ウエハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置（ＷＥＥ）と、レジスト膜厚を測定する膜厚測定装置（ＦＴＩ）とを有する第７処理ユニット群Ｇ７が設けられている。ここで、周辺露光装置（ＷＥＥ）は多段に配置しても構わない。また、第２主搬送部Ａ２の背面側には、第１主搬送部Ａ１の背面側と同様に加熱ユニット（ＨＰ）等の熱処理ユニットを配置することもできる。
【００２４】
図１および図２に示すように、第１処理ユニット群Ｇ１では、カップ（ＣＰ）内でウエハＷをスピンチャックＳＰに載せて所定の処理を行う液供給ユニットとしての５台のスピンナ型処理ユニット、例えば、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）と、露光時の光の反射を防止する反射防止膜を形成するボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）が計５段に重ねられている。また第２処理ユニット群Ｇ２では、５台のスピンナ型処理ユニット、例えば、現像ユニット（ＤＥＶ）が５段に重ねられている。
【００２５】
第１主搬送部Ａ１には第１主ウエハ搬送装置１６が設けられ、この第１主ウエハ搬送装置１６は、第１処理ユニット群Ｇ１、第３処理ユニット群Ｇ３、第４処理ユニット群Ｇ４と第６処理ユニット群Ｇ６に備えられた各ユニットに選択的にアクセスできるようになっている。また、第２主搬送部Ａ２には第２主ウエハ搬送装置１７が設けられ、この第２主ウエハ搬送装置１７は、第２処理ユニット群Ｇ２、第４処理ユニット群Ｇ４、第５処理ユニット群Ｇ５、第７処理ユニット群Ｇ７に備えられた各ユニットに選択的にアクセスできるようになっている。
【００２６】
図４は第１主ウエハ搬送装置１６の概略構造を示す斜視図である。第１主ウエハ搬送装置１６は、ウエハＷを保持する３本のアーム７ａ（上段）・７ｂ（中段）・７ｃ（下段）と、アーム７ａ〜７ｃのそれぞれの基端に取り付けられたアーム支持板５１（アーム７ａに取り付けられたもののみを図示）と、各アーム支持板５１と係合している基台５２と、基台５２等を支持する支持部５３と、支持部５３に内蔵された図示しないモータと、基台５２とモータとを連結する回転ロッド５４と、第１処理ユニット群Ｇ１および第２処理ユニット群Ｇ２側に設けられ、鉛直方向にスリーブ５５ａが形成された支柱５５と、スリーブ５５ａに摺動可能に係合し、かつ支持部５３と連結されたフランジ部材５６と、フランジ部材５６を昇降させる図示しない昇降機構と、を有している。
【００２７】
基台５２上には基台５２の長手方向と平行にアーム支持板５１毎にレール（図示せず）が敷設されており、各アーム支持板５１はこのレールに沿ってスライド自在となっている。また、支持部５３に内蔵されたモータを回転させると回転ロッド５４が回転し、これにより基台５２はＸ−Ｙ面内で回転することができるようになっている。さらに、支持部５３はＺ方向に移動可能なフランジ部材５６に取り付けられているために、基台５２もまたＺ方向に移動可能である。
【００２８】
このような構成によって、第１主ウエハ搬送装置１６のアーム７ａ〜７ｂは、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の各方向に移動可能であり、これにより先に述べたように、第１処理ユニット群Ｇ１、第３処理ユニット群Ｇ３、第４処理ユニット群Ｇ４および第６処理ユニット群Ｇ６の各ユニットにそれぞれアクセス可能となっている。
【００２９】
基台５２の先端部両側には垂直部材５９ａが取り付けられている。また、これら垂直部材５９ａには、アーム７ａとアーム７ｂとの間に両アームからの放射熱を遮る遮蔽板８が取り付けられ、さらにこれら垂直部材５９ａ間に架橋部材５９ｂが取り付けられている。この架橋部材５９ｂの中央および基台５２の先端には一対の光学的センサ（図示せず）が設けられており、これにより各アーム７ａ〜７ｃにおけるウエハＷの有無とウエハＷのはみ出し等が確認されるようになっている。第２主ウエハ搬送装置１７は第１主ウエハ搬送装置１６と同様の構造を有している。
【００３０】
なお、図４中に示す壁部５７は、第１処理ユニット群Ｇ１側にある第２主搬送部Ａ２のハウジングの一部である。壁部５７に設けられた窓部５７ａは、第１処理ユニット群Ｇ１に設けられた各ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うためのものである。また、第２主搬送部Ａ２の底部に設けられている４台のファン５８は、第２主搬送部Ａ２内の気圧および温湿度を制御している。
【００３１】
第１処理ユニット群Ｇ１とカセットステーション１１との間および第２処理ユニット群Ｇ２とインターフェイスステーション１３との間にはそれぞれ、第１処理ユニット群Ｇ１と第２処理ユニット群Ｇ２に所定の処理液を供給する液温調ポンプ２４・２５が設けられており、さらにレジスト塗布／現像処理システム１外に設けられた図示しない空調器からの清浄な空気を各処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ５の内部に供給するためのダクト２８・２９が設けられている。
【００３２】
第１処理ユニット群Ｇ１〜第７処理ユニット群Ｇ７は、メンテナンスのために取り外しが可能となっており、処理ステーション１２の背面側のパネルも取り外しまたは開閉可能となっている。また、第１処理ユニット群Ｇ１と第２処理ユニット群Ｇ２のそれぞれの最下段には、第１処理ユニット群Ｇ１と第２処理ユニット群Ｇ２に所定の処理液を供給するケミカルユニット（ＣＨＭ）２６・２７が設けられている。カセットステーション１１の下方部にはこのレジスト塗布／現像処理システム１全体を制御する集中制御部１９が設けられている。
【００３３】
インターフェイスステーション１３は、処理ステーション１２側の第１インターフェイスステーション１３ａと、露光装置１４側の第２インターフェイスステーション１３ｂから構成されており、第１インターフェイスステーション１３ａには第５処理ユニット群Ｇ５の開口部と対面するように第１ウエハ搬送体６２が配置され、第２インターフェイスステーション１３ｂにはＸ方向に移動可能な第２ウエハ搬送体６３が配置されている。
【００３４】
第１ウエハ搬送体６２の背面側には、周辺露光装置（ＷＥＥ）、露光装置１４に搬送されるウエハＷを一時収容するイン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）、露光装置１４から搬出されたウエハＷを一時収容するアウト用バッファカセット（ＯＵＴＢＲ）が多段に設けられた第８処理ユニット群Ｇ８が配置されている。イン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）とアウト用バッファカセット（ＯＵＴＢＲ）は、例えば、ウエハＷを２５枚収容できるようになっている。
【００３５】
また第１ウエハ搬送体６２の正面側には、上から順に、第１ウエハ搬送体６２と第２ウエハ搬送体６３との間でのウエハＷの受け渡し部であるトランジションユニット（ＴＲＳ−Ｇ９）と、巻き戻しユニット（ＲＳＭ）、２段の高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）が多段に設けられた第９処理ユニット群Ｇ９が配置されている。巻き戻しユニット（ＲＳＭ）については後に詳細に説明する。
【００３６】
第１ウエハ搬送体６２は、Ｚ方向に移動可能かつθ方向に回転可能であり、かつＸ−Ｙ面内において進退自在なウエハ受け渡し用のフォーク６２ａを有している。このフォーク６２ａは、第５処理ユニット群Ｇ５、第８処理ユニット群Ｇ８、第９処理ユニット群Ｇ９の各ユニットに対してアクセス可能であり、これにより各ユニット間でのウエハＷの搬送を行うことができるようになっている。
【００３７】
第２ウエハ搬送体６３は、Ｘ方向およびＺ方向に移動可能であり、かつ、θ方向に回転可能であり、さらにＸ−Ｙ面内において進退自在なウエハ受け渡し用のフォーク６３ａを有している。このフォーク６３ａは、第９処理ユニット群Ｇ９の各ユニットと、露光装置１４のインステージ１４ａおよびアウトステージ１４ｂに対してアクセス可能であり、これら各部の間でウエハＷの搬送を行うことができるようになっている。
【００３８】
露光装置１４は、インステージ１４ａへのウエハＷの搬入の可否を検出して、その検出信号をレジスト塗布／現像処理システム１の集中制御部１９へ伝達する検出装置（図示せず）を有している。この検出信号がインステージ１４ａへのウエハＷの搬入を許可する信号（許可信号）である場合に、集中制御部１９はウエハＷを高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）から搬出してインステージ１４ａへ搬入するように、第２ウエハ搬送体６３を制御する。一方、この検出信号がインステージ１４ａへのウエハＷの搬入を禁止する信号（禁止信号）である場合には、集中制御部１９は、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からのウエハＷの搬出動作が行われないように、第２ウエハ搬送体６３を制御する。
【００３９】
しかしここで、露光装置１４に設けられた検出装置からの検出信号が許可信号であったために、第２ウエハ搬送体６３が高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷを搬出したが、その後に検出装置からの検出信号が禁止信号へと変わってしまう場合がある。例えば、インステージ１４ａが温調機能を有しており、インステージ１４ａの温度または温度均一性が設定された条件を満たさなくなったときに、その温度または温度均一性が所望の状態に復帰するまで、検出装置がインステージ１４ａへのウエハＷの搬入を禁止する場合が挙げられる。
【００４０】
このような場合には、集中制御部１９は、第２ウエハ搬送体６３が保持しているウエハＷを巻き戻しユニット（ＲＳＭ）へ載置するように、第２ウエハ搬送体６３を制御する。巻き戻しユニット（ＲＳＭ）は、インステージ１４ａにウエハＷを載置することが可能であったために高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷを搬出したが、その後にインステージ１４ａにウエハＷを載置することができない事情が生じた場合に、保持しているウエハＷが臨時に載置されるユニットである。
【００４１】
上述したレジスト塗布／現像処理システム１においては、ウエハ搬送機構２１が、処理前のウエハを収容しているウエハカセット（ＣＲ）からウエハカセット（ＣＲ）内での配列順序にしたがってウエハＷを抜き出し、このウエハＷをトランジションユニット（ＴＲＳ−Ｇ３）に搬送する。ウエハＷは第１主ウエハ搬送装置１６によってトランジションユニット（ＴＲＳ−Ｇ３）から例えば温調ユニット（ＴＣＰ）に搬送され、そこで所定の温調処理が行われる。なお、ウエハ搬送機構２１がウエハＷを直接にウエハカセット（ＣＲ）から温調ユニット（ＴＣＰ）へ搬送するようにしてもよい。
【００４２】
温調ユニット（ＴＣＰ）での処理終了後に、ウエハＷは第１処理ユニット群Ｇ１に属するボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）に搬送され、そこで反射防止膜の形成が行われる。次いでウエハＷは加熱ユニット（ＨＰ）に搬送されて、そこで所定の加熱処理が施される。続いてウエハＷは高温度熱処理ユニット（ＢＡＫＥ）に搬送されて、そこで加熱ユニット（ＨＰ）における処理温度よりも高い温度での熱処理が行われる。なお、ボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）によるウエハＷへの反射防止膜の形成前にウエハＷをアドヒージョンユニット（ＡＤ）に搬送し、そこでアドヒージョン処理を行ってもよい。
【００４３】
次いで、ウエハＷは第１主ウエハ搬送装置１６によって高温度熱処理ユニット（ＢＡＫＥ）から高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ４）へ搬送され、そこで所定の温調処理が行われる。この温調処理が終了したウエハＷは、第１処理ユニット群Ｇ１に属するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）へ搬送され、そこでレジスト液の塗布処理が行われる。
【００４４】
なお、先のボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）によるウエハＷへの反射防止膜の形成を行わない場合には、例えば、ウエハＷをアドヒージョンユニット（ＡＤ）に搬送し、そこでアドヒージョン処理を行い、その後にウエハＷを高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ４）へ搬送して温調処理を行い、さらにそこからウエハＷをレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）に搬送することができる。
【００４５】
レジスト液が塗布されたウエハＷは、第４処理ユニット群Ｇ４に設けられたプリベークユニット（ＰＡＢ）へ搬送され、そこで所定の熱処理が行われる。プリベークユニット（ＰＡＢ）においては、ウエハＷ上の塗布膜から残存溶剤が蒸発除去される。
【００４６】
プリベークユニット（ＰＡＢ）での処理が終了したウエハＷは、第７処理ユニット群Ｇ７に設けられた膜厚測定装置（ＦＴＩ）へ搬送されてそこで膜厚測定が行われ、その後に周辺露光装置（ＷＥＥ）に搬送されてそこで周辺露光処理が施される。周辺露光処理は、インターフェイスステーション１３に搬送された際に、第８処理ユニット群Ｇ８に設けられた周辺露光装置（ＷＥＥ）を用いて行ってもよい。
【００４７】
次いで、ウエハＷは高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ５）へ搬入され、そこから第１ウエハ搬送体６２によって搬出された後に、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）へ搬入される。高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）において、ウエハＷには所定の温調処理が施される。高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）における処理が終了したウエハＷは、通常は所定時間が経過する前に、第２ウエハ搬送体６３によって高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）から搬出される。
【００４８】
しかし、例えば、露光装置１４の調整等の理由によって露光装置１４のインステージ１４ａにウエハＷを搬入することができない事情が生じている場合や、露光装置１４のスループットがレジスト膜を形成する処理のスループットよりも遅い場合等には、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷを搬出することができないために、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）にウエハＷが存在する状態が続くこととなる。この場合には、第１ウエハ搬送体６２は高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ５）に搬入されたウエハＷを高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）へ搬送することができない。
【００４９】
そこで、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）にウエハＷが存在する間に高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ５）に別のウエハＷが搬入された場合には、第１ウエハ搬送体６２は、この別のウエハＷをイン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）へ搬送する。そして、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷが搬出されたら、第１ウエハ搬送体６２は、先ずイン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）に収容されたウエハＷをウエハＷの搬送順序にしたがって取り出し、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）へ搬入する。
【００５０】
図５は第２ウエハ搬送体６３の搬送動作を示す説明図である。前述したように、露光装置１４からはインステージ１４ａへのウエハＷの搬入を許可する許可信号と、インステージ１４ａへのウエハＷの搬入を禁止する禁止信号の２種類の検出信号が出されている。第２ウエハ搬送体６３は、この許可信号にしたがって高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）にアクセスして、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷを搬出する。一方、露光装置１４から禁止信号が出されている場合には、第２ウエハ搬送体６３は、この禁止信号が許可信号に変わるまで、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からのウエハＷの搬出動作を行わない。
【００５１】
許可信号にしたがって高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷを取り出した第２ウエハ搬送体６３は、保持したウエハＷをインステージ１４ａに載置するために、インステージ１４ａの前までウエハＷを移動させる。そこで、第２ウエハ搬送体６３は再び検出信号を確認して、その検出信号が許可信号の場合には保持しているウエハＷをインステージ１４ａへ受け渡す。
【００５２】
ところが、許可信号にしたがって高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷを搬出したが、このウエハＷをインステージ１４ａに搬入する前に、検出信号が禁止信号に変わる場合がある。この場合において、予め定められた時間（以下「待機時間」という。例えば、１０秒）の間は第２ウエハ搬送体６３は待機状態となる。そして、この待機時間内に禁止信号が許可信号に変わった場合には、第２ウエハ搬送体６３は保持しているウエハＷをインステージ１４ａへ受け渡す。一方、待機時間が経過しても禁止信号が解除されない場合には、第２ウエハ搬送体６３は保持しているウエハＷを巻き戻しユニット（ＲＳＭ）へ載置する。これによって第２ウエハ搬送体６３がフリーな状態となるために、例えば、第２ウエハ搬送体６３は露光装置１４のアウトステージ１４ｂに載置されたウエハＷをそこから搬出して、トランジションユニット（ＴＲＳ−Ｇ９）に搬入する等の動作を行うことができる。
【００５３】
なお、この待機時間は任意の長さに設定することができるが、勿論、０秒に設定してもよい。この場合には、第２ウエハ搬送体６３が高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷを取り出した後に検出信号が禁止信号に変わった場合に、ウエハＷは直ちに巻き戻しユニット（ＲＳＭ）へ載置される。
【００５４】
なお、第２ウエハ搬送体６３が保持しているウエハＷを、巻き戻しユニット（ＲＳＭ）に代えて高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）に戻すように、第２ウエハ搬送体６３を制御することも可能である。しかし、ウエハＷが第２ウエハ搬送体６３によって取り出された後には、第１ウエハ搬送体６２によって次のウエハＷが高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）へ搬入されている場合がある。高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）に次のウエハＷが載置されている状態で、さらに第２ウエハ搬送体６３が保持しているウエハＷを高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）へ搬入しようとすると、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）におけるウエハＷの受け渡しが失敗して、ウエハＷが破損するおそれがある。巻き戻しユニット（ＲＳＭ）へウエハＷを臨時に載置することによって、このようなウエハＷの破損を回避することができる。
【００５５】
巻き戻しユニット（ＲＳＭ）にウエハＷが載置されている状態では、第２ウエハ搬送体６３は、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からのウエハＷの搬出を行わない。これによりウエハＷを搬送順序にしたがって露光装置１４へ搬送することができる。そして、巻き戻しユニット（ＲＳＭ）にウエハＷが載置されている状態で、露光装置１４からの検出信号が禁止信号から許可信号に変わった際には、第２ウエハ搬送体６３は、巻き戻しユニット（ＲＳＭ）からウエハＷを搬出して、インステージ１４ａの前までウエハＷを移動させ、そこで再び検出信号が許可信号であることを確認して、保持しているウエハＷをインステージ１４ａへ受け渡す。
【００５６】
このように巻き戻しユニット（ＲＳＭ）は一時的にウエハＷを載置するユニットであるが、同様に、ウエハＷを一時的に収容するイン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）とは使用目的が異なる。
【００５７】
つまり、イン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）は、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）へウエハＷを搬送することができないことがわかっている状態において、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ５）から取り出されたウエハＷが搬入されるユニットであり、レジスト塗布／現像処理システム１におけるスループットを向上させ、また、レジスト塗布／現像処理システム１と露光装置１４とのスループットの差を調整するために設けられている。アウト用バッファカセット（ＯＵＴＢＲ）もイン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）と同様の目的で設けられているユニットである。
【００５８】
これに対して、巻き戻しユニット（ＲＳＭ）は、インステージ１４ａへウエハＷを載置することができる状態であったために、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷを搬出したが、その後にインステージ１４ａへウエハＷを載置することができなくなった場合に、臨時にそのウエハＷが搬入されるユニットであり、ウエハＷおよびインステージ１４ａ、第２ウエハ搬送体６３の保護と、第２ウエハ搬送体６３の動作停止を防止するために設けられている。
【００５９】
インステージ１４ａに載置されたウエハＷは、露光装置１４内を搬送され、所定の露光処理が行われた後に、アウトステージ１４ｂに載置される。アウトステージ１４ｂに載置されたウエハＷは、第２ウエハ搬送体６３によってそこから搬出されて、トランジションユニット（ＴＲＳ−Ｇ９）に搬入される。
【００６０】
トランジションユニット（ＴＲＳ−Ｇ９）に搬入されたウエハＷは、第１ウエハ搬送体６２によって、第５処理ユニット群Ｇ５に属するポストエクスポージャーベークユニット（ＰＥＢ）または第８処理ユニット群Ｇ８に属するアウト用バッファカセット（ＯＵＴＢＲ）へ搬送される。アウト用バッファカセット（ＯＵＴＢＲ）へのウエハＷの搬送は、ポストエクスポージャーベークユニット（ＰＥＢ）が全て使用中である場合等に行われ、ポストエクスポージャーベークユニット（ＰＥＢ）に空きが生じた時点で、アウト用バッファカセット（ＯＵＴＢＲ）への搬送順序にしたがってアウト用バッファカセット（ＯＵＴＢＲ）から順次搬出され、空いたポストエクスポージャーベークユニット（ＰＥＢ）へ搬送される。
【００６１】
ポストエクスポージャーベークユニット（ＰＥＢ）における処理が終了したウエハＷは、第２主ウエハ搬送装置１７によって高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ５）へ搬送され、そこで温調処理が施される。次いでウエハＷは第２主ウエハ搬送装置１７によって第２処理ユニット群Ｇ２に属する現像ユニット（ＤＥＶ）へ搬送されて、そこで現像処理が行われる。現像処理が終了したウエハＷは、第２主ウエハ搬送装置１７によってポストベークユニット（ＰＯＳＴ）へ搬送され、そこで所定の熱処理が行われる。
【００６２】
ポストベークユニット（ＰＯＳＴ）における熱処理が終了したウエハＷは、第１主ウエハ搬送装置１６によって高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ３）へ搬送されてそこで温調処理され、その後にトランジションユニット（ＴＲＳ−Ｇ３）に搬送される。最後に、ウエハ搬送機構２１が、トランジションユニット（ＴＲＳ−Ｇ３）からカセットステーション１１に載置されたウエハカセット（ＣＲ）の所定位置へウエハＷを搬送する。
【００６３】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、上記説明では、インターフェイスステーション１３に第１ウエハ搬送体６２と第２ウエハ搬送体６３の２台の搬送装置を設けた形態について示したが、図６の平面図に示すレジスト塗布／現像処理システム１´のように、インターフェイスステーションとして、１台のウエハ搬送体６４を備えたインターフェイスステーション１３´を有する構成としてもよい。
【００６４】
このウエハ搬送体６４は、第５処理ユニット群Ｇ５、第８処理ユニット群Ｇ８、第９処理ユニット群Ｇ９の各ユニット群を構成する各ユニットとインステージ１４ａおよびアウトステージ１４ｂにアクセス可能である。
【００６５】
例えば、レジスト塗布／現像処理システム１´においては、第９処理ユニット群Ｇ９を構成する各ユニットには、ウエハ搬送体６４のみがアクセス可能であることから、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷが搬出された後には、必ず高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）は空の状態となる。このために、露光装置１４からの許可信号にしたがって高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷが搬出された後に露光装置１４からの検出信号が禁止信号に変わった場合であっても、ウエハ搬送体６４が高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）へウエハＷを戻すように、ウエハ搬送体６４を制御することも可能である。
【００６６】
しかし、例えば、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ５）からウエハ搬送体６４がウエハＷを搬出した後に、搬送先の高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）およびイン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）のいずにもウエハＷを搬入することができない状態となり、かつ、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ５）には次のウエハＷが第２主ウエハ搬送装置１７によって搬入される場合がある。インターフェイスステーション１３´内に巻き戻しユニット（ＲＳＭ）が設けられていると、このような事態が生じた際に、ウエハ搬送体６４は保持しているウエハＷを巻き戻しユニット（ＲＳＭ）へ臨時に載置することができ、これによりウエハ搬送体６４をフリーな状態とすることが可能である。
【００６７】
なお、ウエハ搬送体６４はアウトステージ１４ｂから直接に第５処理ユニット群Ｇ５に属するポストエクスポージャーベークユニット（ＰＥＢ）または第８処理ユニット群Ｇ８に属するアウト用バッファカセット（ＯＵＴＢＲ）へウエハＷを搬送することができるために、レジスト塗布／現像処理システム１´においては、必ずしもトランジションユニット（ＴＲＳ−Ｇ９）は必要ではない。
【００６８】
上記説明においては、巻き戻しユニット（ＲＳＭ）をインターフェイスステーション１３・１３´に設けた場合について説明したが、このような巻き戻しユニット（ＲＳＭ）は処理ステーション１２に設けることもできる。例えば、第１主ウエハ搬送装置１６があるユニットからウエハＷを取り出した後に搬送先のユニットで警報が発せられたために、保持しているウエハＷをこの搬送先のユニットへ搬入できなくなった場合には、集中制御部１９は、保持しているウエハＷを退避的に巻き戻しユニット（ＲＳＭ）へ載置するように第１主ウエハ搬送装置１６を制御する。
【００６９】
レジスト塗布／現像処理システム１には、ウエハＷに形成されたレジストパターンの線幅を測定する線幅測定装置や、レジスト膜の表面の傷（スクラッチ検出）やレジスト液の塗布時に混入する異物（コメット検出）、現像ムラ、現像処理後の現像欠陥等を検査する欠陥検査装置を設けることも可能である。例えば、このような測定装置／検査装置は、ウエハ搬送機構２１によるアクセスが可能な位置に配置することができる。
【００７０】
上記説明においては、処理される基板として半導体ウエハを取り上げたが、基板は、液晶表示装置（ＬＣＤ）に使用されるガラス基板や、フォトマスクに使われるレチクル基板であってもよい。また、基板の処理についてレジスト塗布／現像処理を取り上げたが、洗浄処理や層間絶縁膜塗布処理、エッチング処理等の各処理を行う基板処理装置にも本発明を適用することができる。
【００７１】
【発明の効果】
上述の通り、本発明によれば、臨時基板載置ユニット（上記実施の形態に示した巻き戻しユニット）が設けられているために、基板搬送中に搬送先のユニットが突然に基板の搬入を禁止した場合にも、搬送中の基板を臨時基板載置ユニットに載置することが可能となる。これにより搬送中の基板が保護されるという効果が得られる。また、基板の搬送先の処理ユニットへ無理に基板を搬入することによって生じ得る処理ユニットおよび搬送装置の損傷が回避されるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係るレジスト塗布／現像処理システムを示す概略平面図。
【図２】 図１に示すレジスト塗布／現像処理システムの概略正面図。
【図３】 図１に示すレジスト塗布／現像処理システムの概略背面図。
【図４】 主ウエハ搬送装置の概略構造を示す斜視図。
【図５】 第２ウエハ搬送体によるウエハの搬送動作を示す説明図。
【図６】 本発明に係る別のレジスト塗布／現像処理システムを示す概略平面図。
【符号の説明】
１；レジスト塗布／現像処理システム
１１；カセットステーション
１２；処理ステーション
１３；インターフェイスステーション
１４；露光装置
１４ａ；インステージ
１４ｂ；アウトステージ
１６；第１主ウエハ搬送装置
１７；第２主ウエハ搬送装置
２１；ウエハ搬送機構
６２；第１ウエハ搬送体
６３；第２ウエハ搬送体
ＲＳＭ；巻き戻しユニット
Ｇ１〜Ｇ９；第１処理ユニット群〜第９処理ユニット群
Ｗ；半導体ウエハ
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、半導体ウエハ上にレジスト液を塗布し、現像する処理を行う基板処理装置と基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、半導体デバイスの製造においては、半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）にレジスト液を塗布し、フォトマスクを用いてレジスト膜を露光し、さらに現像処理を行うことによって、所望のレジストパターンを基板上に形成するフォトリソグラフィー技術が用いられており、このような一連の処理には、従来からレジスト塗布／現像処理システムが使用されている。
【０００３】
このレジスト塗布／現像処理システムには、レジスト塗布処理および現像処理に必要な一連の処理、例えば、ウエハにレジスト液の塗布を行うレジスト塗布処理、露光処理が終了したウエハに現像処理を施す現像処理、レジスト塗布後や現像処理後のウエハを加熱する加熱処理、等を個別に行う各種の処理ユニットが備えられている。また、レジスト塗布／現像処理システムには露光装置が隣接して配置されるために、レジスト塗布／現像処理システムには、露光装置に対してウエハを搬入出するためのウエハ搬送装置を備えたインターフェイスステーションが設けられている。
【０００４】
一般的に、露光装置はウエハを搬入するためにウエハを載置する搬入ステージを有している。また、露光装置はこの搬入ステージへのウエハの搬入を許可する信号（以下「許可信号」という）または搬入ステージへのウエハの搬入を禁止する信号（以下「禁止信号」という）をレジスト塗布／現像処理システムに対して発信している。このために、インターフェイスステーションに設けられたウエハ搬送装置は、例えば、許可信号にしたがって処理ステーションに設けられた所定の処理ユニットから搬入ステージへウエハを搬送する。一方、露光装置から禁止信号が出されている場合には、ウエハ搬送装置は搬入ステージへのウエハの搬入を行わずに、例えば、露光処理が終了したウエハを露光装置から搬出して処理ステーションに搬入する等の動作を行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、露光装置が許可信号を出していたためにウエハ搬送装置が処理ステーションの所定の処理ユニットからウエハを搬出したが、その後に禁止信号が出されて搬入ステージへのウエハの搬入が禁止される場合がある。この場合には、従来、ウエハ搬送装置はウエハを保持した状態で静止するか、またはウエハを取り出した後の禁止信号を無視してウエハを搬入ステージへ搬入していた。
【０００６】
ウエハを保持した状態でウエハ搬送装置の動作が停止した場合には、露光装置が次に許可信号を出すまでの間は、例えば、ウエハ搬送装置は露光処理が終了したウエハを処理ステーションへ戻す作業を行うことができない。これによってさらに処理ステーションにおけるウエハの処理を停止する必要が生ずる場合がある。また、禁止信号を無視してウエハを搬入ステージに搬入した場合には、搬入ステージに対するウエハの受け渡しが失敗するおそれがある。この場合には、ウエハが落下して破損したり、ウエハ搬送装置や搬入ステージが損傷する等の問題を生じる。
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、基板搬送時にその基板の搬送先が突然に基板の搬入を禁止した場合に、基板搬送装置の動作が停止することを防止した基板処理装置を提供することを目的とする。また本発明は、基板搬送時にその基板の搬送先が突然に基板の搬入を禁止した場合に、搬送中の基板の破損を防止した基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の観点によれば、基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
基板に所定の処理を行う第１の処理ユニットと、
前記第１の処理ユニットにおける処理が終了した基板にさらに別の処理を行う第２の処理ユニットと、
前記第１の処理ユニットから前記第２の処理ユニットへ基板を搬送する基板搬送装置と、
前記基板搬送装置の動作を制御する制御装置と、
前記第１の処理ユニットから搬出された基板を臨時に載置する臨時基板載置ユニットと、
を具備し、
前記制御装置は、
前記第１の処理ユニットから前記第２の処理ユニットへ基板を搬送する際に、
前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可する状態にあることを確認した後に前記第１の処理ユニットから処理の終了した基板を搬出し、
前記第２の処理ユニットへ基板を搬入する直前に前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可または禁止する状態のいずれの状態にあるかを確認し、
前記第２の処理ユニットへの基板の搬入が許可されている場合または前記第２の処理ユニットへの基板の搬入が禁止されたが所定時間内に前記禁止が解除された場合には基板を前記第２の処理ユニットへ搬入し、
前記第２の処理ユニットへの基板の搬入が禁止され、かつ、所定時間が経過した場合には前記臨時基板載置ユニットに基板を載置し、
前記臨時基板載置ユニットに基板が載置された後に前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可する状態に変わった際に、前記臨時基板載置ユニットから基板を搬出するように前記基板搬送装置を制御することを特徴とする基板処理装置、が提供される。
【０００９】
本発明の第２の観点によれば、基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
基板に所定の処理を行う第１の処理ユニットと、
前記第１の処理ユニットにおける処理が終了した基板にさらに別の処理を行う第２の処理ユニットと、
前記第１の処理ユニットから前記第２の処理ユニットへ基板を搬送する基板搬送装置と、
前記基板搬送装置の動作を制御する制御装置と、
前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可または禁止するいずれの状態にあるかを検出して、その検出信号を前記制御装置へ送信する検出機構と、
前記第１の処理ユニットから搬出された基板を臨時に載置する臨時基板載置ユニットと、
を具備し、
前記制御装置は、
前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可する状態にあることを示す前記検出機構による検出信号にしたがって前記基板搬送装置によって前記第１の処理ユニットから基板を搬出させた後に、前記第２の処理ユニットへ基板を搬入する直前に前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可または禁止する状態のいずれの状態にあるかを前記検出機構の検出信号により確認し、
前記第２の処理ユニットへの基板の搬入が許可されている場合または前記第２の処理ユニットへの基板の搬入が禁止されたが所定時間内に前記禁止が解除された場合には基板を前記第２の処理ユニットへ搬入し、
前記第２の処理ユニットが基板の搬入を禁止する状態になったことを示す前記検出機構による検出信号を前記制御装置が受信し、かつ、所定時間が経過した場合には、前記基板搬送装置が保持している基板を前記臨時基板載置ユニットに載置し、
前記臨時基板載置ユニットに基板が載置された後に前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可する状態に変わったことを示す前記検出機構による検出信号を受信した場合に、前記臨時基板載置ユニットから基板を搬出するように前記基板搬送装置を制御することを特徴とする基板処理装置、が提供される。
【００１０】
本発明の第３の観点によれば、基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
複数の基板が収容されたカセットを載置するカセットステーションと、
基板に対して所定の処理を施す処理ステーションと、
前記カセットステーションと前記処理ステーションとの間で基板の搬送を行う第１の基板搬送装置と、
前記処理ステーションに隣接して設けられる別の基板処理装置と前記処理ステーションとの間で基板を搬送するインターフェイスステーションと、
を具備し、
前記インターフェイスステーションは、
前記処理ステーションと前記別の基板処理装置との間で基板を搬送する第２の基板搬送装置と、
前記第２の基板搬送装置を制御する制御装置と、
前記処理ステーションから搬出された基板を臨時に載置する臨時基板載置ユニットと、
を有し、
前記制御装置は、
前記処理ステーションから前記別の基板処理装置へ基板を搬送する際に、
前記別の基板処理装置が基板の搬入を許可する状態にあることを確認した後に前記処理ステーションから処理の終了した基板を搬出し、
前記別の基板処理装置へ基板を搬入する直前に前記別の基板処理装置が基板の搬入を許可または禁止する状態のいずれの状態にあるかを確認し、
前記別の基板処理装置への基板の搬入が許可されている場合または前記別の基板処理装置への基板の搬入が禁止されたが所定時間内に前記禁止が解除された場合には基板を前記別の基板処理装置へ搬入し、
前記別の基板処理装置への基板の搬入が禁止され、かつ、所定時間が経過した場合には前記臨時基板載置ユニットに基板を載置し、
前記臨時基板載置ユニットに基板が載置された後に前記別の基板処理装置が基板の搬入を許可する状態に変わった際に、前記臨時基板載置ユニットから基板を搬出するように前記第２の基板搬送装置を制御することを特徴とする基板処理装置、が提供される。
【００１１】
本発明の第４の観点によれば、基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
複数の基板が収容されたカセットを載置するカセットステーションと、
基板に対して所定の処理を施す処理ステーションと、
前記カセットステーションと前記処理ステーションとの間で基板の搬送を行う第１の基板搬送装置と、
前記処理ステーションに隣接して設けられる別の基板処理装置と前記処理ステーションとの間で基板を搬送するインターフェイスステーションと、
を具備し、
前記インターフェイスステーションは、
前記処理ステーションから前記別の基板処理装置へ搬送される基板のみを載置する基板載置ユニットと、
前記処理ステーションと前記基板載置ユニットの間で基板を搬送する第２の基板搬送装置と、
前記基板載置ユニットと前記別の基板処理装置との間で基板を搬送する第３の基板搬送装置と、
前記第３の基板搬送装置を制御する制御装置と、
前記基板載置ユニットと並列に設けられ、前記基板載置ユニットから搬出された基板を臨時に搬入する臨時基板載置ユニットと、
を有し、
前記制御装置は、前記基板載置ユニットから前記別の基板処理装置へ基板を搬送する際に、
前記別の基板処理装置が基板の搬入を許可する状態にあることを確認した後に前記基板載置ユニットから基板を搬出し、
前記別の基板処理装置へ基板を搬入する直前に前記別の基板処理装置が基板の搬入を許可または禁止する状態のいずれの状態にあるかを確認し、
前記別の基板処理装置への基板の搬入が許可されている場合または前記別の基板処理装置への基板の搬入が禁止されたが所定時間内に前記禁止が解除された場合には基板を前記別の基板処理装置へ搬入し、
前記別の基板処理装置への基板の搬入が禁止され、かつ、所定時間が経過した場合には前記臨時基板載置ユニットに基板を載置し、
前記臨時基板載置ユニットに基板が載置された後に前記別の基板処理装置が基板の搬入を許可する状態に変わった際に、前記臨時基板載置ユニットから基板を搬出するように前記第３の基板搬送装置を制御することを特徴とする基板処理装置、が提供される。
【００１２】
本発明の第５の観点によれば、基板に所定の処理を施す基板処理方法であって、
基板に所定の処理を施す第１の処理ユニットから前記第１の処理ユニットにおける処理が終了した基板に別の処理を施す第２の処理ユニットへ基板を搬送する際に、
前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可する状態にあることを確認した後に前記第１の処理ユニットから処理の終了した基板を搬出する第１工程と、
前記第２の処理ユニットへ前記基板を搬入する直前に前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可または禁止する状態のいずれの状態にあるかを確認する第２工程と、
前記第２の処理ユニットへの基板の搬入が許可されている場合または前記第２の処理ユニットへの前記基板の搬入が禁止されたが所定時間内に前記禁止が解除された場合には前記基板を前記第２の処理ユニットへ搬入し、前記第２の処理ユニットへの前記基板の搬入が禁止され、かつ、所定時間が経過した場合には臨時に基板を載置する臨時基板載置ユニットに前記基板を載置する第３工程と、
前記臨時基板載置ユニットに前記基板が載置された後に前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可する状態に変わった際に、前記臨時基板載置ユニットから基板を搬出する第４工程と、
前記臨時基板載置ユニットから搬出された基板に対して、前記第２工程から前記第４工程の処理を反復して行う第５工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法、が提供される。
【００１３】
このような基板処理装置および基板処理方法によれば、臨時基板載置ユニットが設けられているために、基板搬送中に搬送先のユニットが突然に基板の搬入を禁止した場合にも、搬送中の基板を臨時基板載置ユニットに載置することができる。これにより搬送中の基板が保護される。また、基板の搬送先の処理ユニットへ無理に基板を搬入することによって生じ得る処理ユニットおよび搬送装置の損傷が回避される。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。ここでは、半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）にレジスト液を塗布し、露光処理されたウエハを現像処理するレジスト塗布／現像処理システムについて説明することとする。図１は、レジスト塗布／現像処理システム１の概略平面図、図２はその概略正面図、図３はその概略背面図である。
【００１５】
このレジスト塗布／現像処理システム１は、搬送ステーションであるカセットステーション１１と、複数の処理ユニットを有する処理ステーション１２と、処理ステーション１２に隣接して設けられる露光装置１４と処理ステーション１２との間でウエハＷを受け渡すためのインターフェイスステーション１３と、を有している。
【００１６】
レジスト塗布／現像処理システム１において処理を行う複数枚（例えば、２５枚）のウエハＷが収容されたウエハカセット（ＣＲ）が他のシステムからカセットステーション１１へ搬入される。また逆にレジスト塗布／現像処理システム１における処理が終了したウエハＷが収容されたウエハカセット（ＣＲ）がカセットステーション１１から他のシステムへ搬出される。さらにカセットステーション１１はウエハカセット（ＣＲ）と処理ステーション１２との間でのウエハＷの搬送を行う。
【００１７】
カセットステーション１１においては、図１に示すように、カセット載置台２０上にＸ方向に沿って１列に複数（図１では５個）の位置決め突起２０ａが形成されている。ウエハカセット（ＣＲ）はウエハ搬入出口を処理ステーション１２側に向けてこの突起２０ａの位置に載置できるようになっている。なお、ウエハカセット（ＣＲ）内においては、ウエハＷは水平姿勢で垂直方向（Ｚ方向）に略平行に配列されている（図２および図３参照）。
【００１８】
カセットステーション１１には、ウエハ搬送機構２１がカセット載置台２０と処理ステーション１２との間に位置するように設けられている。このウエハ搬送機構２１は、カセット配列方向（Ｘ方向）およびウエハカセット（ＣＲ）中のウエハＷの配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送用ピック２１ａを有しており、このウエハ搬送用ピック２１ａは、図１中に示されるθ方向に回転可能である。こうしてウエハ搬送用ピック２１ａはいずれかのウエハカセット（ＣＲ）に対して選択的にアクセスでき、かつ、後述する処理ステーション１２の第３処理ユニット群Ｇ３に設けられたトランジションユニット（ＴＲＳ−Ｇ３）にアクセスできるようになっている。
【００１９】
処理ステーション１２では、システム背面側（図１上方）に、カセットステーション１１側から順に、第３処理ユニット群Ｇ３、第４処理ユニット群Ｇ４および第５処理ユニット群Ｇ５が配置されている。また第３処理ユニット群Ｇ３と第４処理ユニット群Ｇ４との間に第１主搬送部Ａ１が設けられ、第４処理ユニット群Ｇ４と第５処理ユニット群Ｇ５との間に第２主搬送部Ａ２設けられている。さらにシステム前面側（図１下方）に、カセットステーション１１側から順に、第１処理ユニット群Ｇ１と第２処理ユニット群Ｇ２が設けられている。
【００２０】
図３に示すように、第３処理ユニット群Ｇ３では、ウエハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えばウエハＷに所定の加熱処理を施す高温度熱処理ユニット（ＢＡＫＥ）、ウエハＷに精度のよい温度管理下で加熱処理を施す高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ３）、温調ユニット（ＴＣＰ）、カセットステーション１１と第１主搬送部Ａ１との間でのウエハＷの受け渡し部となるトランジションユニット（ＴＲＳ−Ｇ３）が、例えば１０段に重ねられている。なお、第３処理ユニット群Ｇ３には下から３段目にスペアの空間が設けられており、所望のオーブン型処理ユニット等を設けることができるようになっている。
【００２１】
第４処理ユニット群Ｇ４では、例えば、レジスト塗布後のウエハＷに加熱処理を施すプリベークユニット（ＰＡＢ）、現像処理後のウエハＷに加熱処理を施すポストベークユニット（ＰＯＳＴ）、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ４）が、例えば１０段に重ねられている。第５処理ユニット群Ｇ５では、例えば、露光後現像前のウエハＷに加熱処理を施すポストエクスポージャーベークユニット（ＰＥＢ）、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ５）が、例えば１０段に重ねられている。
【００２２】
図１および図３に示すように、第１主搬送部Ａ１の背面側には、アドヒージョンユニット（ＡＤ）と、ウエハＷを加熱する加熱ユニット（ＨＰ）とを有する第６処理ユニット群Ｇ６が設けられている。ここで、アドヒージョンユニット（ＡＤ）にはウエハＷを温調する機構を持たせてもよい。
【００２３】
第２主搬送部Ａ２の背面側には、ウエハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置（ＷＥＥ）と、レジスト膜厚を測定する膜厚測定装置（ＦＴＩ）とを有する第７処理ユニット群Ｇ７が設けられている。ここで、周辺露光装置（ＷＥＥ）は多段に配置しても構わない。また、第２主搬送部Ａ２の背面側には、第１主搬送部Ａ１の背面側と同様に加熱ユニット（ＨＰ）等の熱処理ユニットを配置することもできる。
【００２４】
図１および図２に示すように、第１処理ユニット群Ｇ１では、カップ（ＣＰ）内でウエハＷをスピンチャックＳＰに載せて所定の処理を行う液供給ユニットとしての５台のスピンナ型処理ユニット、例えば、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）と、露光時の光の反射を防止する反射防止膜を形成するボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）が計５段に重ねられている。また第２処理ユニット群Ｇ２では、５台のスピンナ型処理ユニット、例えば、現像ユニット（ＤＥＶ）が５段に重ねられている。
【００２５】
第１主搬送部Ａ１には第１主ウエハ搬送装置１６が設けられ、この第１主ウエハ搬送装置１６は、第１処理ユニット群Ｇ１、第３処理ユニット群Ｇ３、第４処理ユニット群Ｇ４と第６処理ユニット群Ｇ６に備えられた各ユニットに選択的にアクセスできるようになっている。また、第２主搬送部Ａ２には第２主ウエハ搬送装置１７が設けられ、この第２主ウエハ搬送装置１７は、第２処理ユニット群Ｇ２、第４処理ユニット群Ｇ４、第５処理ユニット群Ｇ５、第７処理ユニット群Ｇ７に備えられた各ユニットに選択的にアクセスできるようになっている。
【００２６】
図４は第１主ウエハ搬送装置１６の概略構造を示す斜視図である。第１主ウエハ搬送装置１６は、ウエハＷを保持する３本のアーム７ａ（上段）・７ｂ（中段）・７ｃ（下段）と、アーム７ａ〜７ｃのそれぞれの基端に取り付けられたアーム支持板５１（アーム７ａに取り付けられたもののみを図示）と、各アーム支持板５１と係合している基台５２と、基台５２等を支持する支持部５３と、支持部５３に内蔵された図示しないモータと、基台５２とモータとを連結する回転ロッド５４と、第１処理ユニット群Ｇ１および第２処理ユニット群Ｇ２側に設けられ、鉛直方向にスリーブ５５ａが形成された支柱５５と、スリーブ５５ａに摺動可能に係合し、かつ支持部５３と連結されたフランジ部材５６と、フランジ部材５６を昇降させる図示しない昇降機構と、を有している。
【００２７】
基台５２上には基台５２の長手方向と平行にアーム支持板５１毎にレール（図示せず）が敷設されており、各アーム支持板５１はこのレールに沿ってスライド自在となっている。また、支持部５３に内蔵されたモータを回転させると回転ロッド５４が回転し、これにより基台５２はＸ−Ｙ面内で回転することができるようになっている。さらに、支持部５３はＺ方向に移動可能なフランジ部材５６に取り付けられているために、基台５２もまたＺ方向に移動可能である。
【００２８】
このような構成によって、第１主ウエハ搬送装置１６のアーム７ａ〜７ｂは、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の各方向に移動可能であり、これにより先に述べたように、第１処理ユニット群Ｇ１、第３処理ユニット群Ｇ３、第４処理ユニット群Ｇ４および第６処理ユニット群Ｇ６の各ユニットにそれぞれアクセス可能となっている。
【００２９】
基台５２の先端部両側には垂直部材５９ａが取り付けられている。また、これら垂直部材５９ａには、アーム７ａとアーム７ｂとの間に両アームからの放射熱を遮る遮蔽板８が取り付けられ、さらにこれら垂直部材５９ａ間に架橋部材５９ｂが取り付けられている。この架橋部材５９ｂの中央および基台５２の先端には一対の光学的センサ（図示せず）が設けられており、これにより各アーム７ａ〜７ｃにおけるウエハＷの有無とウエハＷのはみ出し等が確認されるようになっている。第２主ウエハ搬送装置１７は第１主ウエハ搬送装置１６と同様の構造を有している。
【００３０】
なお、図４中に示す壁部５７は、第１処理ユニット群Ｇ１側にある第２主搬送部Ａ２のハウジングの一部である。壁部５７に設けられた窓部５７ａは、第１処理ユニット群Ｇ１に設けられた各ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うためのものである。また、第２主搬送部Ａ２の底部に設けられている４台のファン５８は、第２主搬送部Ａ２内の気圧および温湿度を制御している。
【００３１】
第１処理ユニット群Ｇ１とカセットステーション１１との間および第２処理ユニット群Ｇ２とインターフェイスステーション１３との間にはそれぞれ、第１処理ユニット群Ｇ１と第２処理ユニット群Ｇ２に所定の処理液を供給する液温調ポンプ２４・２５が設けられており、さらにレジスト塗布／現像処理システム１外に設けられた図示しない空調器からの清浄な空気を各処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ５の内部に供給するためのダクト２８・２９が設けられている。
【００３２】
第１処理ユニット群Ｇ１〜第７処理ユニット群Ｇ７は、メンテナンスのために取り外しが可能となっており、処理ステーション１２の背面側のパネルも取り外しまたは開閉可能となっている。また、第１処理ユニット群Ｇ１と第２処理ユニット群Ｇ２のそれぞれの最下段には、第１処理ユニット群Ｇ１と第２処理ユニット群Ｇ２に所定の処理液を供給するケミカルユニット（ＣＨＭ）２６・２７が設けられている。カセットステーション１１の下方部にはこのレジスト塗布／現像処理システム１全体を制御する集中制御部１９が設けられている。
【００３３】
インターフェイスステーション１３は、処理ステーション１２側の第１インターフェイスステーション１３ａと、露光装置１４側の第２インターフェイスステーション１３ｂから構成されており、第１インターフェイスステーション１３ａには第５処理ユニット群Ｇ５の開口部と対面するように第１ウエハ搬送体６２が配置され、第２インターフェイスステーション１３ｂにはＸ方向に移動可能な第２ウエハ搬送体６３が配置されている。
【００３４】
第１ウエハ搬送体６２の背面側には、周辺露光装置（ＷＥＥ）、露光装置１４に搬送されるウエハＷを一時収容するイン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）、露光装置１４から搬出されたウエハＷを一時収容するアウト用バッファカセット（ＯＵＴＢＲ）が多段に設けられた第８処理ユニット群Ｇ８が配置されている。イン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）とアウト用バッファカセット（ＯＵＴＢＲ）は、例えば、ウエハＷを２５枚収容できるようになっている。
【００３５】
また第１ウエハ搬送体６２の正面側には、上から順に、第１ウエハ搬送体６２と第２ウエハ搬送体６３との間でのウエハＷの受け渡し部であるトランジションユニット（ＴＲＳ−Ｇ９）と、巻き戻しユニット（ＲＳＭ）、２段の高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）が多段に設けられた第９処理ユニット群Ｇ９が配置されている。巻き戻しユニット（ＲＳＭ）については後に詳細に説明する。
【００３６】
第１ウエハ搬送体６２は、Ｚ方向に移動可能かつθ方向に回転可能であり、かつＸ−Ｙ面内において進退自在なウエハ受け渡し用のフォーク６２ａを有している。このフォーク６２ａは、第５処理ユニット群Ｇ５、第８処理ユニット群Ｇ８、第９処理ユニット群Ｇ９の各ユニットに対してアクセス可能であり、これにより各ユニット間でのウエハＷの搬送を行うことができるようになっている。
【００３７】
第２ウエハ搬送体６３は、Ｘ方向およびＺ方向に移動可能であり、かつ、θ方向に回転可能であり、さらにＸ−Ｙ面内において進退自在なウエハ受け渡し用のフォーク６３ａを有している。このフォーク６３ａは、第９処理ユニット群Ｇ９の各ユニットと、露光装置１４のインステージ１４ａおよびアウトステージ１４ｂに対してアクセス可能であり、これら各部の間でウエハＷの搬送を行うことができるようになっている。
【００３８】
露光装置１４は、インステージ１４ａへのウエハＷの搬入の可否を検出して、その検出信号をレジスト塗布／現像処理システム１の集中制御部１９へ伝達する検出装置（図示せず）を有している。この検出信号がインステージ１４ａへのウエハＷの搬入を許可する信号（許可信号）である場合に、集中制御部１９はウエハＷを高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）から搬出してインステージ１４ａへ搬入するように、第２ウエハ搬送体６３を制御する。一方、この検出信号がインステージ１４ａへのウエハＷの搬入を禁止する信号（禁止信号）である場合には、集中制御部１９は、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からのウエハＷの搬出動作が行われないように、第２ウエハ搬送体６３を制御する。
【００３９】
しかしここで、露光装置１４に設けられた検出装置からの検出信号が許可信号であったために、第２ウエハ搬送体６３が高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷを搬出したが、その後に検出装置からの検出信号が禁止信号へと変わってしまう場合がある。例えば、インステージ１４ａが温調機能を有しており、インステージ１４ａの温度または温度均一性が設定された条件を満たさなくなったときに、その温度または温度均一性が所望の状態に復帰するまで、検出装置がインステージ１４ａへのウエハＷの搬入を禁止する場合が挙げられる。
【００４０】
このような場合には、集中制御部１９は、第２ウエハ搬送体６３が保持しているウエハＷを巻き戻しユニット（ＲＳＭ）へ載置するように、第２ウエハ搬送体６３を制御する。巻き戻しユニット（ＲＳＭ）は、インステージ１４ａにウエハＷを載置することが可能であったために高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷを搬出したが、その後にインステージ１４ａにウエハＷを載置することができない事情が生じた場合に、保持しているウエハＷが臨時に載置されるユニットである。
【００４１】
上述したレジスト塗布／現像処理システム１においては、ウエハ搬送機構２１が、処理前のウエハを収容しているウエハカセット（ＣＲ）からウエハカセット（ＣＲ）内での配列順序にしたがってウエハＷを抜き出し、このウエハＷをトランジションユニット（ＴＲＳ−Ｇ３）に搬送する。ウエハＷは第１主ウエハ搬送装置１６によってトランジションユニット（ＴＲＳ−Ｇ３）から例えば温調ユニット（ＴＣＰ）に搬送され、そこで所定の温調処理が行われる。なお、ウエハ搬送機構２１がウエハＷを直接にウエハカセット（ＣＲ）から温調ユニット（ＴＣＰ）へ搬送するようにしてもよい。
【００４２】
温調ユニット（ＴＣＰ）での処理終了後に、ウエハＷは第１処理ユニット群Ｇ１に属するボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）に搬送され、そこで反射防止膜の形成が行われる。次いでウエハＷは加熱ユニット（ＨＰ）に搬送されて、そこで所定の加熱処理が施される。続いてウエハＷは高温度熱処理ユニット（ＢＡＫＥ）に搬送されて、そこで加熱ユニット（ＨＰ）における処理温度よりも高い温度での熱処理が行われる。なお、ボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）によるウエハＷへの反射防止膜の形成前にウエハＷをアドヒージョンユニット（ＡＤ）に搬送し、そこでアドヒージョン処理を行ってもよい。
【００４３】
次いで、ウエハＷは第１主ウエハ搬送装置１６によって高温度熱処理ユニット（ＢＡＫＥ）から高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ４）へ搬送され、そこで所定の温調処理が行われる。この温調処理が終了したウエハＷは、第１処理ユニット群Ｇ１に属するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）へ搬送され、そこでレジスト液の塗布処理が行われる。
【００４４】
なお、先のボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）によるウエハＷへの反射防止膜の形成を行わない場合には、例えば、ウエハＷをアドヒージョンユニット（ＡＤ）に搬送し、そこでアドヒージョン処理を行い、その後にウエハＷを高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ４）へ搬送して温調処理を行い、さらにそこからウエハＷをレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）に搬送することができる。
【００４５】
レジスト液が塗布されたウエハＷは、第４処理ユニット群Ｇ４に設けられたプリベークユニット（ＰＡＢ）へ搬送され、そこで所定の熱処理が行われる。プリベークユニット（ＰＡＢ）においては、ウエハＷ上の塗布膜から残存溶剤が蒸発除去される。
【００４６】
プリベークユニット（ＰＡＢ）での処理が終了したウエハＷは、第７処理ユニット群Ｇ７に設けられた膜厚測定装置（ＦＴＩ）へ搬送されてそこで膜厚測定が行われ、その後に周辺露光装置（ＷＥＥ）に搬送されてそこで周辺露光処理が施される。周辺露光処理は、インターフェイスステーション１３に搬送された際に、第８処理ユニット群Ｇ８に設けられた周辺露光装置（ＷＥＥ）を用いて行ってもよい。
【００４７】
次いで、ウエハＷは高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ５）へ搬入され、そこから第１ウエハ搬送体６２によって搬出された後に、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）へ搬入される。高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）において、ウエハＷには所定の温調処理が施される。高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）における処理が終了したウエハＷは、通常は所定時間が経過する前に、第２ウエハ搬送体６３によって高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）から搬出される。
【００４８】
しかし、例えば、露光装置１４の調整等の理由によって露光装置１４のインステージ１４ａにウエハＷを搬入することができない事情が生じている場合や、露光装置１４のスループットがレジスト膜を形成する処理のスループットよりも遅い場合等には、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷを搬出することができないために、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）にウエハＷが存在する状態が続くこととなる。この場合には、第１ウエハ搬送体６２は高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ５）に搬入されたウエハＷを高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）へ搬送することができない。
【００４９】
そこで、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）にウエハＷが存在する間に高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ５）に別のウエハＷが搬入された場合には、第１ウエハ搬送体６２は、この別のウエハＷをイン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）へ搬送する。そして、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷが搬出されたら、第１ウエハ搬送体６２は、先ずイン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）に収容されたウエハＷをウエハＷの搬送順序にしたがって取り出し、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）へ搬入する。
【００５０】
図５は第２ウエハ搬送体６３の搬送動作を示す説明図である。前述したように、露光装置１４からはインステージ１４ａへのウエハＷの搬入を許可する許可信号と、インステージ１４ａへのウエハＷの搬入を禁止する禁止信号の２種類の検出信号が出されている。第２ウエハ搬送体６３は、この許可信号にしたがって高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）にアクセスして、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷを搬出する。一方、露光装置１４から禁止信号が出されている場合には、第２ウエハ搬送体６３は、この禁止信号が許可信号に変わるまで、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からのウエハＷの搬出動作を行わない。
【００５１】
許可信号にしたがって高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷを取り出した第２ウエハ搬送体６３は、保持したウエハＷをインステージ１４ａに載置するために、インステージ１４ａの前までウエハＷを移動させる。そこで、第２ウエハ搬送体６３は再び検出信号を確認して、その検出信号が許可信号の場合には保持しているウエハＷをインステージ１４ａへ受け渡す。
【００５２】
ところが、許可信号にしたがって高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷを搬出したが、このウエハＷをインステージ１４ａに搬入する前に、検出信号が禁止信号に変わる場合がある。この場合において、予め定められた時間（以下「待機時間」という。例えば、１０秒）の間は第２ウエハ搬送体６３は待機状態となる。そして、この待機時間内に禁止信号が許可信号に変わった場合には、第２ウエハ搬送体６３は保持しているウエハＷをインステージ１４ａへ受け渡す。一方、待機時間が経過しても禁止信号が解除されない場合には、第２ウエハ搬送体６３は保持しているウエハＷを巻き戻しユニット（ＲＳＭ）へ載置する。これによって第２ウエハ搬送体６３がフリーな状態となるために、例えば、第２ウエハ搬送体６３は露光装置１４のアウトステージ１４ｂに載置されたウエハＷをそこから搬出して、トランジションユニット（ＴＲＳ−Ｇ９）に搬入する等の動作を行うことができる。
【００５３】
なお、この待機時間は任意の長さに設定することができるが、勿論、０秒に設定してもよい。この場合には、第２ウエハ搬送体６３が高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷを取り出した後に検出信号が禁止信号に変わった場合に、ウエハＷは直ちに巻き戻しユニット（ＲＳＭ）へ載置される。
【００５４】
なお、第２ウエハ搬送体６３が保持しているウエハＷを、巻き戻しユニット（ＲＳＭ）に代えて高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）に戻すように、第２ウエハ搬送体６３を制御することも可能である。しかし、ウエハＷが第２ウエハ搬送体６３によって取り出された後には、第１ウエハ搬送体６２によって次のウエハＷが高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）へ搬入されている場合がある。高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）に次のウエハＷが載置されている状態で、さらに第２ウエハ搬送体６３が保持しているウエハＷを高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）へ搬入しようとすると、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）におけるウエハＷの受け渡しが失敗して、ウエハＷが破損するおそれがある。巻き戻しユニット（ＲＳＭ）へウエハＷを臨時に載置することによって、このようなウエハＷの破損を回避することができる。
【００５５】
巻き戻しユニット（ＲＳＭ）にウエハＷが載置されている状態では、第２ウエハ搬送体６３は、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からのウエハＷの搬出を行わない。これによりウエハＷを搬送順序にしたがって露光装置１４へ搬送することができる。そして、巻き戻しユニット（ＲＳＭ）にウエハＷが載置されている状態で、露光装置１４からの検出信号が禁止信号から許可信号に変わった際には、第２ウエハ搬送体６３は、巻き戻しユニット（ＲＳＭ）からウエハＷを搬出して、インステージ１４ａの前までウエハＷを移動させ、そこで再び検出信号が許可信号であることを確認して、保持しているウエハＷをインステージ１４ａへ受け渡す。
【００５６】
このように巻き戻しユニット（ＲＳＭ）は一時的にウエハＷを載置するユニットであるが、同様に、ウエハＷを一時的に収容するイン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）とは使用目的が異なる。
【００５７】
つまり、イン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）は、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）へウエハＷを搬送することができないことがわかっている状態において、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ５）から取り出されたウエハＷが搬入されるユニットであり、レジスト塗布／現像処理システム１におけるスループットを向上させ、また、レジスト塗布／現像処理システム１と露光装置１４とのスループットの差を調整するために設けられている。アウト用バッファカセット（ＯＵＴＢＲ）もイン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）と同様の目的で設けられているユニットである。
【００５８】
これに対して、巻き戻しユニット（ＲＳＭ）は、インステージ１４ａへウエハＷを載置することができる状態であったために、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷを搬出したが、その後にインステージ１４ａへウエハＷを載置することができなくなった場合に、臨時にそのウエハＷが搬入されるユニットであり、ウエハＷおよびインステージ１４ａ、第２ウエハ搬送体６３の保護と、第２ウエハ搬送体６３の動作停止を防止するために設けられている。
【００５９】
インステージ１４ａに載置されたウエハＷは、露光装置１４内を搬送され、所定の露光処理が行われた後に、アウトステージ１４ｂに載置される。アウトステージ１４ｂに載置されたウエハＷは、第２ウエハ搬送体６３によってそこから搬出されて、トランジションユニット（ＴＲＳ−Ｇ９）に搬入される。
【００６０】
トランジションユニット（ＴＲＳ−Ｇ９）に搬入されたウエハＷは、第１ウエハ搬送体６２によって、第５処理ユニット群Ｇ５に属するポストエクスポージャーベークユニット（ＰＥＢ）または第８処理ユニット群Ｇ８に属するアウト用バッファカセット（ＯＵＴＢＲ）へ搬送される。アウト用バッファカセット（ＯＵＴＢＲ）へのウエハＷの搬送は、ポストエクスポージャーベークユニット（ＰＥＢ）が全て使用中である場合等に行われ、ポストエクスポージャーベークユニット（ＰＥＢ）に空きが生じた時点で、アウト用バッファカセット（ＯＵＴＢＲ）への搬送順序にしたがってアウト用バッファカセット（ＯＵＴＢＲ）から順次搬出され、空いたポストエクスポージャーベークユニット（ＰＥＢ）へ搬送される。
【００６１】
ポストエクスポージャーベークユニット（ＰＥＢ）における処理が終了したウエハＷは、第２主ウエハ搬送装置１７によって高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ５）へ搬送され、そこで温調処理が施される。次いでウエハＷは第２主ウエハ搬送装置１７によって第２処理ユニット群Ｇ２に属する現像ユニット（ＤＥＶ）へ搬送されて、そこで現像処理が行われる。現像処理が終了したウエハＷは、第２主ウエハ搬送装置１７によってポストベークユニット（ＰＯＳＴ）へ搬送され、そこで所定の熱処理が行われる。
【００６２】
ポストベークユニット（ＰＯＳＴ）における熱処理が終了したウエハＷは、第１主ウエハ搬送装置１６によって高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ３）へ搬送されてそこで温調処理され、その後にトランジションユニット（ＴＲＳ−Ｇ３）に搬送される。最後に、ウエハ搬送機構２１が、トランジションユニット（ＴＲＳ−Ｇ３）からカセットステーション１１に載置されたウエハカセット（ＣＲ）の所定位置へウエハＷを搬送する。
【００６３】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、上記説明では、インターフェイスステーション１３に第１ウエハ搬送体６２と第２ウエハ搬送体６３の２台の搬送装置を設けた形態について示したが、図６の平面図に示すレジスト塗布／現像処理システム１´のように、インターフェイスステーションとして、１台のウエハ搬送体６４を備えたインターフェイスステーション１３´を有する構成としてもよい。
【００６４】
このウエハ搬送体６４は、第５処理ユニット群Ｇ５、第８処理ユニット群Ｇ８、第９処理ユニット群Ｇ９の各ユニット群を構成する各ユニットとインステージ１４ａおよびアウトステージ１４ｂにアクセス可能である。
【００６５】
例えば、レジスト塗布／現像処理システム１´においては、第９処理ユニット群Ｇ９を構成する各ユニットには、ウエハ搬送体６４のみがアクセス可能であることから、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷが搬出された後には、必ず高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）は空の状態となる。このために、露光装置１４からの許可信号にしたがって高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷが搬出された後に露光装置１４からの検出信号が禁止信号に変わった場合であっても、ウエハ搬送体６４が高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）へウエハＷを戻すように、ウエハ搬送体６４を制御することも可能である。
【００６６】
しかし、例えば、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ５）からウエハ搬送体６４がウエハＷを搬出した後に、搬送先の高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）およびイン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）のいずにもウエハＷを搬入することができない状態となり、かつ、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ５）には次のウエハＷが第２主ウエハ搬送装置１７によって搬入される場合がある。インターフェイスステーション１３´内に巻き戻しユニット（ＲＳＭ）が設けられていると、このような事態が生じた際に、ウエハ搬送体６４は保持しているウエハＷを巻き戻しユニット（ＲＳＭ）へ臨時に載置することができ、これによりウエハ搬送体６４をフリーな状態とすることが可能である。
【００６７】
なお、ウエハ搬送体６４はアウトステージ１４ｂから直接に第５処理ユニット群Ｇ５に属するポストエクスポージャーベークユニット（ＰＥＢ）または第８処理ユニット群Ｇ８に属するアウト用バッファカセット（ＯＵＴＢＲ）へウエハＷを搬送することができるために、レジスト塗布／現像処理システム１´においては、必ずしもトランジションユニット（ＴＲＳ−Ｇ９）は必要ではない。
【００６８】
上記説明においては、巻き戻しユニット（ＲＳＭ）をインターフェイスステーション１３・１３´に設けた場合について説明したが、このような巻き戻しユニット（ＲＳＭ）は処理ステーション１２に設けることもできる。例えば、第１主ウエハ搬送装置１６があるユニットからウエハＷを取り出した後に搬送先のユニットで警報が発せられたために、保持しているウエハＷをこの搬送先のユニットへ搬入できなくなった場合には、集中制御部１９は、保持しているウエハＷを退避的に巻き戻しユニット（ＲＳＭ）へ載置するように第１主ウエハ搬送装置１６を制御する。
【００６９】
レジスト塗布／現像処理システム１には、ウエハＷに形成されたレジストパターンの線幅を測定する線幅測定装置や、レジスト膜の表面の傷（スクラッチ検出）やレジスト液の塗布時に混入する異物（コメット検出）、現像ムラ、現像処理後の現像欠陥等を検査する欠陥検査装置を設けることも可能である。例えば、このような測定装置／検査装置は、ウエハ搬送機構２１によるアクセスが可能な位置に配置することができる。
【００７０】
上記説明においては、処理される基板として半導体ウエハを取り上げたが、基板は、液晶表示装置（ＬＣＤ）に使用されるガラス基板や、フォトマスクに使われるレチクル基板であってもよい。また、基板の処理についてレジスト塗布／現像処理を取り上げたが、洗浄処理や層間絶縁膜塗布処理、エッチング処理等の各処理を行う基板処理装置にも本発明を適用することができる。
【００７１】
【発明の効果】
上述の通り、本発明によれば、臨時基板載置ユニット（上記実施の形態に示した巻き戻しユニット）が設けられているために、基板搬送中に搬送先のユニットが突然に基板の搬入を禁止した場合にも、搬送中の基板を臨時基板載置ユニットに載置することが可能となる。これにより搬送中の基板が保護されるという効果が得られる。また、基板の搬送先の処理ユニットへ無理に基板を搬入することによって生じ得る処理ユニットおよび搬送装置の損傷が回避されるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係るレジスト塗布／現像処理システムを示す概略平面図。
【図２】 図１に示すレジスト塗布／現像処理システムの概略正面図。
【図３】 図１に示すレジスト塗布／現像処理システムの概略背面図。
【図４】 主ウエハ搬送装置の概略構造を示す斜視図。
【図５】 第２ウエハ搬送体によるウエハの搬送動作を示す説明図。
【図６】 本発明に係る別のレジスト塗布／現像処理システムを示す概略平面図。
【符号の説明】
１；レジスト塗布／現像処理システム
１１；カセットステーション
１２；処理ステーション
１３；インターフェイスステーション
１４；露光装置
１４ａ；インステージ
１４ｂ；アウトステージ
１６；第１主ウエハ搬送装置
１７；第２主ウエハ搬送装置
２１；ウエハ搬送機構
６２；第１ウエハ搬送体
６３；第２ウエハ搬送体
ＲＳＭ；巻き戻しユニット
Ｇ１〜Ｇ９；第１処理ユニット群〜第９処理ユニット群
Ｗ；半導体ウエハ
Claims (6)
- 基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
基板に所定の処理を行う第１の処理ユニットと、
前記第１の処理ユニットにおける処理が終了した基板にさらに別の処理を行う第２の処理ユニットと、
前記第１の処理ユニットから前記第２の処理ユニットへ基板を搬送する基板搬送装置と、
前記基板搬送装置の動作を制御する制御装置と、
前記第１の処理ユニットから搬出された基板を臨時に載置する臨時基板載置ユニットと、
を具備し、
前記制御装置は、
前記第１の処理ユニットから前記第２の処理ユニットへ基板を搬送する際に、
前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可する状態にあることを確認した後に前記第１の処理ユニットから処理の終了した基板を搬出し、
前記第２の処理ユニットへ基板を搬入する直前に前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可または禁止する状態のいずれの状態にあるかを確認し、
前記第２の処理ユニットへの基板の搬入が許可されている場合または前記第２の処理ユニットへの基板の搬入が禁止されたが所定時間内に前記禁止が解除された場合には基板を前記第２の処理ユニットへ搬入し、
前記第２の処理ユニットへの基板の搬入が禁止され、かつ、所定時間が経過した場合には前記臨時基板載置ユニットに基板を載置し、
前記臨時基板載置ユニットに基板が載置された後に前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可する状態に変わった際に、前記臨時基板載置ユニットから基板を搬出するように前記基板搬送装置を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
基板に所定の処理を行う第１の処理ユニットと、
前記第１の処理ユニットにおける処理が終了した基板にさらに別の処理を行う第２の処理ユニットと、
前記第１の処理ユニットから前記第２の処理ユニットへ基板を搬送する基板搬送装置と、
前記基板搬送装置の動作を制御する制御装置と、
前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可または禁止するいずれの状態にあるかを検出して、その検出信号を前記制御装置へ送信する検出機構と、
前記第１の処理ユニットから搬出された基板を臨時に載置する臨時基板載置ユニットと、
を具備し、
前記制御装置は、
前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可する状態にあることを示す前記検出機構による検出信号にしたがって前記基板搬送装置によって前記第１の処理ユニットから基板を搬出させた後に、前記第２の処理ユニットへ基板を搬入する直前に前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可または禁止する状態のいずれの状態にあるかを前記検出機構の検出信号により確認し、
前記第２の処理ユニットへの基板の搬入が許可されている場合または前記第２の処理ユニットへの基板の搬入が禁止されたが所定時間内に前記禁止が解除された場合には基板を前記第２の処理ユニットへ搬入し、
前記第２の処理ユニットが基板の搬入を禁止する状態になったことを示す前記検出機構による検出信号を前記制御装置が受信し、かつ、所定時間が経過した場合には、前記基板 搬送装置が保持している基板を前記臨時基板載置ユニットに載置し、
前記臨時基板載置ユニットに基板が載置された後に前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可する状態に変わったことを示す前記検出機構による検出信号を受信した場合に、前記臨時基板載置ユニットから基板を搬出するように前記基板搬送装置を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
複数の基板が収容されたカセットを載置するカセットステーションと、
基板に対して所定の処理を施す処理ステーションと、
前記カセットステーションと前記処理ステーションとの間で基板の搬送を行う第１の基板搬送装置と、
前記処理ステーションに隣接して設けられる別の基板処理装置と前記処理ステーションとの間で基板を搬送するインターフェイスステーションと、
を具備し、
前記インターフェイスステーションは、
前記処理ステーションと前記別の基板処理装置との間で基板を搬送する第２の基板搬送装置と、
前記第２の基板搬送装置を制御する制御装置と、
前記処理ステーションから搬出された基板を臨時に載置する臨時基板載置ユニットと、
を有し、
前記制御装置は、
前記処理ステーションから前記別の基板処理装置へ基板を搬送する際に、
前記別の基板処理装置が基板の搬入を許可する状態にあることを確認した後に前記処理ステーションから処理の終了した基板を搬出し、
前記別の基板処理装置へ基板を搬入する直前に前記別の基板処理装置が基板の搬入を許可または禁止する状態のいずれの状態にあるかを確認し、
前記別の基板処理装置への基板の搬入が許可されている場合または前記別の基板処理装置への基板の搬入が禁止されたが所定時間内に前記禁止が解除された場合には基板を前記別の基板処理装置へ搬入し、
前記別の基板処理装置への基板の搬入が禁止され、かつ、所定時間が経過した場合には前記臨時基板載置ユニットに基板を載置し、
前記臨時基板載置ユニットに基板が載置された後に前記別の基板処理装置が基板の搬入を許可する状態に変わった際に、前記臨時基板載置ユニットから基板を搬出するように前記第２の基板搬送装置を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
複数の基板が収容されたカセットを載置するカセットステーションと、
基板に対して所定の処理を施す処理ステーションと、
前記カセットステーションと前記処理ステーションとの間で基板の搬送を行う第１の基板搬送装置と、
前記処理ステーションに隣接して設けられる別の基板処理装置と前記処理ステーションとの間で基板を搬送するインターフェイスステーションと、
を具備し、
前記インターフェイスステーションは、
前記処理ステーションから前記別の基板処理装置へ搬送される基板のみを載置する基板載置ユニットと、
前記処理ステーションと前記基板載置ユニットの間で基板を搬送する第２の基板搬送装置と、
前記基板載置ユニットと前記別の基板処理装置との間で基板を搬送する第３の基板搬送装置と、
前記第３の基板搬送装置を制御する制御装置と、
前記基板載置ユニットと並列に設けられ、前記基板載置ユニットから搬出された基板を臨時に搬入する臨時基板載置ユニットと、
を有し、
前記制御装置は、前記基板載置ユニットから前記別の基板処理装置へ基板を搬送する際に、
前記別の基板処理装置が基板の搬入を許可する状態にあることを確認した後に前記基板載置ユニットから基板を搬出し、
前記別の基板処理装置へ基板を搬入する直前に前記別の基板処理装置が基板の搬入を許可または禁止する状態のいずれの状態にあるかを確認し、
前記別の基板処理装置への基板の搬入が許可されている場合または前記別の基板処理装置への基板の搬入が禁止されたが所定時間内に前記禁止が解除された場合には基板を前記別の基板処理装置へ搬入し、
前記別の基板処理装置への基板の搬入が禁止され、かつ、所定時間が経過した場合には前記臨時基板載置ユニットに基板を載置し、
前記臨時基板載置ユニットに基板が載置された後に前記別の基板処理装置が基板の搬入を許可する状態に変わった際に、前記臨時基板載置ユニットから基板を搬出するように前記第３の基板搬送装置を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 前記インターフェイスステーションは、
前記第２の基板搬送装置による基板の搬入出が行われ、前記処理ステーションから前記別の基板処理装置へ搬送すべき基板を収容可能な第１の基板収容ユニットと、
前記第２の基板搬送装置による基板の搬入出が行われ、前記別の基板処理装置から前記処理ステーションに戻すべき基板を収容可能な第２の基板収容ユニットと、
前記基板載置ユニットと並列に設けられ、前記別の基板処理装置から前記処理ステーションへ戻される基板のみが載置される別の基板載置ユニットと、
をさらに具備し、
前記別の基板処理装置が基板の搬入を禁止した状態にある場合に、前記処理ステーションにおける所定の処理が終了した基板を前記第１の基板収容ユニットに収容し、前記別の基板処理装置における処理が終了した基板を前記第２の基板収容ユニットに収容しもしくは前記処理ステーションへ搬送しまたは前記第２の基板収容ユニットに収容された基板を前記処理ステーションへ搬送することによって、前記処理ステーションにおける所定の処理を継続して行うことができることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。 - 基板に所定の処理を施す基板処理方法であって、
基板に所定の処理を施す第１の処理ユニットから前記第１の処理ユニットにおける処理が終了した基板に別の処理を施す第２の処理ユニットへ基板を搬送する際に、
前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可する状態にあることを確認した後に前記第１の処理ユニットから処理の終了した基板を搬出する第１工程と、
前記第２の処理ユニットへ前記基板を搬入する直前に前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可または禁止する状態のいずれの状態にあるかを確認する第２工程と、
前記第２の処理ユニットへの基板の搬入が許可されている場合または前記第２の処理ユニットへの前記基板の搬入が禁止されたが所定時間内に前記禁止が解除された場合には前記基板を前記第２の処理ユニットへ搬入し、前記第２の処理ユニットへの前記基板の搬入が禁止され、かつ、所定時間が経過した場合には臨時に基板を載置する臨時基板載置ユニットに前記基板を載置する第３工程と、
前記臨時基板載置ユニットに前記基板が載置された後に前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可する状態に変わった際に、前記臨時基板載置ユニットから基板を搬出する第４工程と、
前記臨時基板載置ユニットから搬出された基板に対して、前記第２工程から前記第４工程の処理を反復して行う第５工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
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