JP2003224175A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置および基板処理方法

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JP2003224175A JP2002023698A JP2002023698A JP2003224175A JP 2003224175 A JP2003224175 A JP 2003224175A JP 2002023698 A JP2002023698 A JP 2002023698A JP 2002023698 A JP2002023698 A JP 2002023698A JP 2003224175 A JP2003224175 A JP 2003224175A
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 基板搬送時にその基板の搬送先が基板の搬入
を禁止した場合に、基板搬送装置の動作の停止および基
板の損傷を防止する。 【解決手段】 レジスト塗布／現像処理システムは、カ
セットステーションと、処理ステーションとインターフ
ェイスステーションとを有している。インターフェイス
ステーションに設けられた高精度温調ユニット（ＣＰＬ
−Ｇ９）から露光装置のインステージへウエハを搬送す
る第２ウエハ搬送体は、インステージへウエハを搬入す
ることができる状態であったために高精度温調ユニット
（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハを搬出したが、その後にイ
ンステージへウエハを搬入することができなくなった場
合に、保持しているウエハを臨時に巻き戻しユニット
（ＲＳＭ）へ載置する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体ウ
エハ上にレジスト液を塗布し、現像する処理を行う基板
処理装置と基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体デバイスの製造において
は、半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）にレジスト
液を塗布し、フォトマスクを用いてレジスト膜を露光
し、さらに現像処理を行うことによって、所望のレジス
トパターンを基板上に形成するフォトリソグラフィー技
術が用いられており、このような一連の処理には、従来
からレジスト塗布／現像処理システムが使用されてい
る。
【０００３】このレジスト塗布／現像処理システムに
は、レジスト塗布処理および現像処理に必要な一連の処
理、例えば、ウエハにレジスト液の塗布を行うレジスト
塗布処理、露光処理が終了したウエハに現像処理を施す
現像処理、レジスト塗布後や現像処理後のウエハを加熱
する加熱処理、等を個別に行う各種の処理ユニットが備
えられている。また、レジスト塗布／現像処理システム
には露光装置が隣接して配置されるために、レジスト塗
布／現像処理システムには、露光装置に対してウエハを
搬入出するためのウエハ搬送装置を備えたインターフェ
イスステーションが設けられている。
【０００４】一般的に、露光装置はウエハを搬入するた
めにウエハを載置する搬入ステージを有している。ま
た、露光装置はこの搬入ステージへのウエハの搬入を許
可する信号（以下「許可信号」という）または搬入ステ
ージへのウエハの搬入を禁止する信号（以下「禁止信
号」という）をレジスト塗布／現像処理システムに対し
て発信している。このために、インターフェイスステー
ションに設けられたウエハ搬送装置は、例えば、許可信
号にしたがって処理ステーションに設けられた所定の処
理ユニットから搬入ステージへウエハを搬送する。一
方、露光装置から禁止信号が出されている場合には、ウ
エハ搬送装置は搬入ステージへのウエハの搬入を行わず
に、例えば、露光処理が終了したウエハを露光装置から
搬出して処理ステーションに搬入する等の動作を行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、露光装
置が許可信号を出していたためにウエハ搬送装置が処理
ステーションの所定の処理ユニットからウエハを搬出し
たが、その後に禁止信号が出されて搬入ステージへのウ
エハの搬入が禁止される場合がある。この場合には、従
来、ウエハ搬送装置はウエハを保持した状態で静止する
か、またはウエハを取り出した後の禁止信号を無視して
ウエハを搬入ステージへ搬入していた。
【０００６】ウエハを保持した状態でウエハ搬送装置の
動作が停止した場合には、露光装置が次に許可信号を出
すまでの間は、例えば、ウエハ搬送装置は露光処理が終
了したウエハを処理ステーションへ戻す作業を行うこと
ができない。これによってさらに処理ステーションにお
けるウエハの処理を停止する必要が生ずる場合がある。
また、禁止信号を無視してウエハを搬入ステージに搬入
した場合には、搬入ステージに対するウエハの受け渡し
が失敗するおそれがある。この場合には、ウエハが落下
して破損したり、ウエハ搬送装置や搬入ステージが損傷
する等の問題を生じる。
【０００７】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、基板搬送時にその基板の搬送先が突然に基
板の搬入を禁止した場合に、基板搬送装置の動作が停止
することを防止した基板処理装置を提供することを目的
とする。また本発明は、基板搬送時にその基板の搬送先
が突然に基板の搬入を禁止した場合に、搬送中の基板の
破損を防止した基板処理装置を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の観点によ
れば、基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
基板に所定の処理を行う第１の処理ユニットと、前記第
１の処理ユニットにおける処理が終了した基板にさらに
別の処理を行う第２の処理ユニットと、前記第１の処理
ユニットから前記第２の処理ユニットへ基板を搬送する
基板搬送装置と、前記基板搬送装置の動作を制御する制
御装置と、前記第１の処理ユニットから搬出された基板
を臨時に載置する臨時基板載置ユニットと、を具備し、
前記制御装置は、前記基板搬送装置が前記第１の処理ユ
ニットから基板を搬出した後に前記第２の処理ユニット
への基板の搬入が禁止された際に、前記基板を前記臨時
基板載置ユニットに載置するように前記基板搬送装置を
制御することを特徴とする基板処理装置、が提供され
る。
【０００９】本発明の第２の観点によれば、基板に所定
の処理を施す基板処理装置であって、基板に所定の処理
を行う第１の処理ユニットと、前記第１の処理ユニット
における処理が終了した基板にさらに別の処理を行う第
２の処理ユニットと、前記第１の処理ユニットから前記
第２の処理ユニットへ基板を搬送する基板搬送装置と、
前記基板搬送装置の動作を制御する制御装置と、前記第
２の処理ユニットが基板の搬入を許可または禁止するい
ずれの状態にあるかを検出して、その検出信号を前記制
御装置へ送信する検出機構と、前記第１の処理ユニット
から搬出された基板を臨時に載置する臨時基板載置ユニ
ットと、を具備し、前記第２の処理ユニットが基板の搬
入を許可する状態にあることを示す前記検出機構による
検出信号にしたがって前記制御装置が前記基板搬送装置
によって前記第１の処理ユニットから基板を搬出させた
後に、前記第２の処理ユニットが前記基板の搬入を禁止
する状態になったことを示す前記検出機構による検出信
号を前記制御装置が受信した場合に、前記制御装置は、
前記基板搬送装置が保持している基板を前記臨時基板載
置ユニットに載置するように前記基板搬送装置を制御す
ることを特徴とする基板処理装置、が提供される。
【００１０】本発明の第３の観点によれば、基板に所定
の処理を施す基板処理装置であって、複数の基板が収容
されたカセットを載置するカセットステーションと、基
板に対して所定の処理を施す処理ステーションと、前記
カセットステーションと前記処理ステーションとの間で
基板の搬送を行う第１の基板搬送装置と、前記処理ステ
ーションに隣接して設けられる別の基板処理装置と前記
処理ステーションとの間で基板を搬送するインターフェ
イスステーションと、を具備し、前記インターフェイス
ステーションは、前記処理ステーションと前記別の基板
処理装置との間で基板を搬送する第２の基板搬送装置
と、前記第２の基板搬送装置を制御する制御装置と、前
記処理ステーションから搬出された基板を臨時に載置す
る臨時基板載置ユニットと、を有し、前記制御装置は、
前記第２の基板搬送装置が前記処理ステーションから基
板を搬出した後に前記別の基板処理装置への基板の搬入
が禁止された際に、前記基板を前記臨時基板載置ユニッ
トに載置するように前記第２の基板搬送装置を制御する
ことを特徴とする基板処理装置、が提供される。
【００１１】本発明の第４の観点によれば、基板に所定
の処理を施す基板処理装置であって、複数の基板が収容
されたカセットを載置するカセットステーションと、基
板に対して所定の処理を施す処理ステーションと、前記
カセットステーションと前記処理ステーションとの間で
基板の搬送を行う第１の基板搬送装置と、前記処理ステ
ーションに隣接して設けられる別の基板処理装置と前記
処理ステーションとの間で基板を搬送するインターフェ
イスステーションと、を具備し、前記インターフェイス
ステーションは、前記処理ステーションから前記別の基
板処理装置へ搬送される基板のみを載置する基板載置ユ
ニットと、前記処理ステーションと前記基板載置ユニッ
トの間で基板を搬送する第２の基板搬送装置と、前記基
板載置ユニットと前記別の基板処理装置との間で基板を
搬送する第３の基板搬送装置と、前記第３の基板搬送装
置を制御する制御装置と、前記基板載置ユニットと並列
に設けられ、前記基板載置ユニットから搬出された基板
を臨時に搬入する臨時基板載置ユニットと、を有し、前
記制御装置は、前記第３の基板搬送装置が前記基板載置
ユニットから基板を搬出した後に前記別の基板処理装置
への基板の搬入が禁止された際に、前記基板を前記臨時
基板載置ユニットに載置するように前記第３の基板搬送
装置を制御することを特徴とする基板処理装置、が提供
される。
【００１２】本発明の第５の観点によれば、基板に所定
の処理を施す基板処理方法であって、基板に所定の処理
を施す第１の処理ユニットから前記処理が施された基板
を搬出する第１工程と、基板に対して別の処理を施す第
２の処理ユニットへ前記基板を搬入する際に前記第２の
処理ユニットへの前記基板の搬入が禁止された場合に、
臨時に基板を載置する臨時基板載置ユニットに前記基板
を載置する第２工程と、前記第２の処理ユニットが基板
の搬入を許可する状態に変わった際に、前記臨時基板載
置ユニットに載置されている基板を前記第２の処理ユニ
ットへ搬入する第３工程と、を有することを特徴とする
基板処理方法、が提供される。
【００１３】本発明の第６の観点によれば、基板に所定
の処理を施す基板処理方法であって、基板に所定の処理
を施す第１の処理ユニットから前記第１の処理ユニット
における処理が終了した基板に別の処理を施す第２の処
理ユニットへ基板を搬送する際に、前記第２の処理ユニ
ットが基板の搬入を許可する状態にあることを確認した
後に前記第１の処理ユニットから処理の終了した基板を
搬出する第１工程と、前記第２の処理ユニットへ前記基
板を搬入する直前に前記第２の処理ユニットが基板の搬
入を許可または禁止する状態のいずれの状態にあるかを
確認する第２工程と、前記第２の処理ユニットへの基板
の搬入が許可されている場合または前記第２の処理ユニ
ットへの前記基板の搬入が禁止されたが所定時間内に前
記禁止が解除された場合には前記基板を前記第２の処理
ユニットへ搬入し、前記第２の処理ユニットへの前記基
板の搬入が禁止され、かつ、所定時間が経過した場合に
は臨時に基板を載置する臨時基板載置ユニットに前記基
板を載置する第３工程と、前記臨時基板載置ユニットに
前記基板が載置された後に前記第２の処理ユニットが基
板の搬入を許可する状態に変わった際に、前記臨時基板
載置ユニットから基板を搬出する第４工程と、前記臨時
基板載置ユニットから搬出された基板に対して、前記第
２工程から前記第４工程の処理を反復して行う第５工程
と、を有することを特徴とする基板処理方法、が提供さ
れる。
【００１４】このような基板処理装置および基板処理方
法によれば、臨時基板載置ユニットが設けられているた
めに、基板搬送中に搬送先のユニットが突然に基板の搬
入を禁止した場合にも、搬送中の基板を臨時基板載置ユ
ニットに載置することができる。これにより搬送中の基
板が保護される。また、基板の搬送先の処理ユニットへ
無理に基板を搬入することによって生じ得る処理ユニッ
トおよび搬送装置の損傷が回避される。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。ここでは、半導体ウエ
ハ（以下「ウエハ」という）にレジスト液を塗布し、露
光処理されたウエハを現像処理するレジスト塗布／現像
処理システムについて説明することとする。図１は、レ
ジスト塗布／現像処理システム１の概略平面図、図２は
その概略正面図、図３はその概略背面図である。
【００１６】このレジスト塗布／現像処理システム１
は、搬送ステーションであるカセットステーション１１
と、複数の処理ユニットを有する処理ステーション１２
と、処理ステーション１２に隣接して設けられる露光装
置１４と処理ステーション１２との間でウエハＷを受け
渡すためのインターフェイスステーション１３と、を有
している。
【００１７】レジスト塗布／現像処理システム１におい
て処理を行う複数枚（例えば、２５枚）のウエハＷが収
容されたウエハカセット（ＣＲ）が他のシステムからカ
セットステーション１１へ搬入される。また逆にレジス
ト塗布／現像処理システム１における処理が終了したウ
エハＷが収容されたウエハカセット（ＣＲ）がカセット
ステーション１１から他のシステムへ搬出される。さら
にカセットステーション１１はウエハカセット（ＣＲ）
と処理ステーション１２との間でのウエハＷの搬送を行
う。
【００１８】カセットステーション１１においては、図
１に示すように、カセット載置台２０上にＸ方向に沿っ
て１列に複数（図１では５個）の位置決め突起２０ａが
形成されている。ウエハカセット（ＣＲ）はウエハ搬入
出口を処理ステーション１２側に向けてこの突起２０ａ
の位置に載置できるようになっている。なお、ウエハカ
セット（ＣＲ）内においては、ウエハＷは水平姿勢で垂
直方向（Ｚ方向）に略平行に配列されている（図２およ
び図３参照）。
【００１９】カセットステーション１１には、ウエハ搬
送機構２１がカセット載置台２０と処理ステーション１
２との間に位置するように設けられている。このウエハ
搬送機構２１は、カセット配列方向（Ｘ方向）およびウ
エハカセット（ＣＲ）中のウエハＷの配列方向（Ｚ方
向）に移動可能なウエハ搬送用ピック２１ａを有してお
り、このウエハ搬送用ピック２１ａは、図１中に示され
るθ方向に回転可能である。こうしてウエハ搬送用ピッ
ク２１ａはいずれかのウエハカセット（ＣＲ）に対して
選択的にアクセスでき、かつ、後述する処理ステーショ
ン１２の第３処理ユニット群Ｇ３に設けられたトランジ
ションユニット（ＴＲＳ−Ｇ３）にアクセスできるよう
になっている。
【００２０】処理ステーション１２では、システム背面
側（図１上方）に、カセットステーション１１側から順
に、第３処理ユニット群Ｇ３、第４処理ユニット群Ｇ４
および第５処理ユニット群Ｇ５が配置されている。また
第３処理ユニット群Ｇ３と第４処理ユニット群Ｇ４との
間に第１主搬送部Ａ１が設けられ、第４処理ユニット群
Ｇ４と第５処理ユニット群Ｇ５との間に第２主搬送部Ａ
２設けられている。さらにシステム前面側（図１下方）
に、カセットステーション１１側から順に、第１処理ユ
ニット群Ｇ１と第２処理ユニット群Ｇ２が設けられてい
る。
【００２１】図３に示すように、第３処理ユニット群Ｇ
３では、ウエハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオ
ーブン型の処理ユニット、例えばウエハＷに所定の加熱
処理を施す高温度熱処理ユニット（ＢＡＫＥ）、ウエハ
Ｗに精度のよい温度管理下で加熱処理を施す高精度温調
ユニット（ＣＰＬ−Ｇ３）、温調ユニット（ＴＣＰ）、
カセットステーション１１と第１主搬送部Ａ１との間で
のウエハＷの受け渡し部となるトランジションユニット
（ＴＲＳ−Ｇ３）が、例えば１０段に重ねられている。
なお、第３処理ユニット群Ｇ３には下から３段目にスペ
アの空間が設けられており、所望のオーブン型処理ユニ
ット等を設けることができるようになっている。
【００２２】第４処理ユニット群Ｇ４では、例えば、レ
ジスト塗布後のウエハＷに加熱処理を施すプリベークユ
ニット（ＰＡＢ）、現像処理後のウエハＷに加熱処理を
施すポストベークユニット（ＰＯＳＴ）、高精度温調ユ
ニット（ＣＰＬ−Ｇ４）が、例えば１０段に重ねられて
いる。第５処理ユニット群Ｇ５では、例えば、露光後現
像前のウエハＷに加熱処理を施すポストエクスポージャ
ーベークユニット（ＰＥＢ）、高精度温調ユニット（Ｃ
ＰＬ−Ｇ５）が、例えば１０段に重ねられている。
【００２３】図１および図３に示すように、第１主搬送
部Ａ１の背面側には、アドヒージョンユニット（ＡＤ）
と、ウエハＷを加熱する加熱ユニット（ＨＰ）とを有す
る第６処理ユニット群Ｇ６が設けられている。ここで、
アドヒージョンユニット（ＡＤ）にはウエハＷを温調す
る機構を持たせてもよい。
【００２４】第２主搬送部Ａ２の背面側には、ウエハＷ
のエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置（ＷＥ
Ｅ）と、レジスト膜厚を測定する膜厚測定装置（ＦＴ
Ｉ）とを有する第７処理ユニット群Ｇ７が設けられてい
る。ここで、周辺露光装置（ＷＥＥ）は多段に配置して
も構わない。また、第２主搬送部Ａ２の背面側には、第
１主搬送部Ａ１の背面側と同様に加熱ユニット（ＨＰ）
等の熱処理ユニットを配置することもできる。
【００２５】図１および図２に示すように、第１処理ユ
ニット群Ｇ１では、カップ（ＣＰ）内でウエハＷをスピ
ンチャックＳＰに載せて所定の処理を行う液供給ユニッ
トとしての５台のスピンナ型処理ユニット、例えば、レ
ジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）と、露光時の光の反射を
防止する反射防止膜を形成するボトムコーティングユニ
ット（ＢＡＲＣ）が計５段に重ねられている。また第２
処理ユニット群Ｇ２では、５台のスピンナ型処理ユニッ
ト、例えば、現像ユニット（ＤＥＶ）が５段に重ねられ
ている。
【００２６】第１主搬送部Ａ１には第１主ウエハ搬送装
置１６が設けられ、この第１主ウエハ搬送装置１６は、
第１処理ユニット群Ｇ１、第３処理ユニット群Ｇ３、第
４処理ユニット群Ｇ４と第６処理ユニット群Ｇ６に備え
られた各ユニットに選択的にアクセスできるようになっ
ている。また、第２主搬送部Ａ２には第２主ウエハ搬送
装置１７が設けられ、この第２主ウエハ搬送装置１７
は、第２処理ユニット群Ｇ２、第４処理ユニット群
Ｇ４、第５処理ユニット群Ｇ５、第７処理ユニット群Ｇ
７に備えられた各ユニットに選択的にアクセスできるよ
うになっている。
【００２７】図４は第１主ウエハ搬送装置１６の概略構
造を示す斜視図である。第１主ウエハ搬送装置１６は、
ウエハＷを保持する３本のアーム７ａ（上段）・７ｂ
（中段）・７ｃ（下段）と、アーム７ａ〜７ｃのそれぞ
れの基端に取り付けられたアーム支持板５１（アーム７
ａに取り付けられたもののみを図示）と、各アーム支持
板５１と係合している基台５２と、基台５２等を支持す
る支持部５３と、支持部５３に内蔵された図示しないモ
ータと、基台５２とモータとを連結する回転ロッド５４
と、第１処理ユニット群Ｇ１および第２処理ユニット群
Ｇ２側に設けられ、鉛直方向にスリーブ５５ａが形成さ
れた支柱５５と、スリーブ５５ａに摺動可能に係合し、
かつ支持部５３と連結されたフランジ部材５６と、フラ
ンジ部材５６を昇降させる図示しない昇降機構と、を有
している。
【００２８】基台５２上には基台５２の長手方向と平行
にアーム支持板５１毎にレール（図示せず）が敷設され
ており、各アーム支持板５１はこのレールに沿ってスラ
イド自在となっている。また、支持部５３に内蔵された
モータを回転させると回転ロッド５４が回転し、これに
より基台５２はＸ−Ｙ面内で回転することができるよう
になっている。さらに、支持部５３はＺ方向に移動可能
なフランジ部材５６に取り付けられているために、基台
５２もまたＺ方向に移動可能である。
【００２９】このような構成によって、第１主ウエハ搬
送装置１６のアーム７ａ〜７ｂは、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ
方向の各方向に移動可能であり、これにより先に述べた
ように、第１処理ユニット群Ｇ１、第３処理ユニット群
Ｇ３、第４処理ユニット群Ｇ ４および第６処理ユニット
群Ｇ６の各ユニットにそれぞれアクセス可能となってい
る。
【００３０】基台５２の先端部両側には垂直部材５９ａ
が取り付けられている。また、これら垂直部材５９ａに
は、アーム７ａとアーム７ｂとの間に両アームからの放
射熱を遮る遮蔽板８が取り付けられ、さらにこれら垂直
部材５９ａ間に架橋部材５９ｂが取り付けられている。
この架橋部材５９ｂの中央および基台５２の先端には一
対の光学的センサ（図示せず）が設けられており、これ
により各アーム７ａ〜７ｃにおけるウエハＷの有無とウ
エハＷのはみ出し等が確認されるようになっている。第
２主ウエハ搬送装置１７は第１主ウエハ搬送装置１６と
同様の構造を有している。
【００３１】なお、図４中に示す壁部５７は、第１処理
ユニット群Ｇ１側にある第２主搬送部Ａ２のハウジング
の一部である。壁部５７に設けられた窓部５７ａは、第
１処理ユニット群Ｇ１に設けられた各ユニットとの間で
ウエハＷの受け渡しを行うためのものである。また、第
２主搬送部Ａ２の底部に設けられている４台のファン５
８は、第２主搬送部Ａ２内の気圧および温湿度を制御し
ている。
【００３２】第１処理ユニット群Ｇ１とカセットステー
ション１１との間および第２処理ユニット群Ｇ２とイン
ターフェイスステーション１３との間にはそれぞれ、第
１処理ユニット群Ｇ１と第２処理ユニット群Ｇ２に所定
の処理液を供給する液温調ポンプ２４・２５が設けられ
ており、さらにレジスト塗布／現像処理システム１外に
設けられた図示しない空調器からの清浄な空気を各処理
ユニット群Ｇ１〜Ｇ５の内部に供給するためのダクト２
８・２９が設けられている。
【００３３】第１処理ユニット群Ｇ１〜第７処理ユニッ
ト群Ｇ７は、メンテナンスのために取り外しが可能とな
っており、処理ステーション１２の背面側のパネルも取
り外しまたは開閉可能となっている。また、第１処理ユ
ニット群Ｇ１と第２処理ユニット群Ｇ２のそれぞれの最
下段には、第１処理ユニット群Ｇ１と第２処理ユニット
群Ｇ２に所定の処理液を供給するケミカルユニット（Ｃ
ＨＭ）２６・２７が設けられている。カセットステーシ
ョン１１の下方部にはこのレジスト塗布／現像処理シス
テム１全体を制御する集中制御部１９が設けられてい
る。
【００３４】インターフェイスステーション１３は、処
理ステーション１２側の第１インターフェイスステーシ
ョン１３ａと、露光装置１４側の第２インターフェイス
ステーション１３ｂから構成されており、第１インター
フェイスステーション１３ａには第５処理ユニット群Ｇ
５の開口部と対面するように第１ウエハ搬送体６２が配
置され、第２インターフェイスステーション１３ｂには
Ｘ方向に移動可能な第２ウエハ搬送体６３が配置されて
いる。
【００３５】第１ウエハ搬送体６２の背面側には、周辺
露光装置（ＷＥＥ）、露光装置１４に搬送されるウエハ
Ｗを一時収容するイン用バッファカセット（ＩＮＢ
Ｒ）、露光装置１４から搬出されたウエハＷを一時収容
するアウト用バッファカセット（ＯＵＴＢＲ）が多段に
設けられた第８処理ユニット群Ｇ８が配置されている。
イン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）とアウト用バッフ
ァカセット（ＯＵＴＢＲ）は、例えば、ウエハＷを２５
枚収容できるようになっている。
【００３６】また第１ウエハ搬送体６２の正面側には、
上から順に、第１ウエハ搬送体６２と第２ウエハ搬送体
６３との間でのウエハＷの受け渡し部であるトランジシ
ョンユニット（ＴＲＳ−Ｇ９）と、巻き戻しユニット
（ＲＳＭ）、２段の高精度温調ユニット（ＣＰＬ−
Ｇ９）が多段に設けられた第９処理ユニット群Ｇ９が配
置されている。巻き戻しユニット（ＲＳＭ）については
後に詳細に説明する。
【００３７】第１ウエハ搬送体６２は、Ｚ方向に移動可
能かつθ方向に回転可能であり、かつＸ−Ｙ面内におい
て進退自在なウエハ受け渡し用のフォーク６２ａを有し
ている。このフォーク６２ａは、第５処理ユニット群Ｇ
５、第８処理ユニット群Ｇ８、第９処理ユニット群Ｇ９
の各ユニットに対してアクセス可能であり、これにより
各ユニット間でのウエハＷの搬送を行うことができるよ
うになっている。
【００３８】第２ウエハ搬送体６３は、Ｘ方向およびＺ
方向に移動可能であり、かつ、θ方向に回転可能であ
り、さらにＸ−Ｙ面内において進退自在なウエハ受け渡
し用のフォーク６３ａを有している。このフォーク６３
ａは、第９処理ユニット群Ｇ９の各ユニットと、露光装
置１４のインステージ１４ａおよびアウトステージ１４
ｂに対してアクセス可能であり、これら各部の間でウエ
ハＷの搬送を行うことができるようになっている。
【００３９】露光装置１４は、インステージ１４ａへの
ウエハＷの搬入の可否を検出して、その検出信号をレジ
スト塗布／現像処理システム１の集中制御部１９へ伝達
する検出装置（図示せず）を有している。この検出信号
がインステージ１４ａへのウエハＷの搬入を許可する信
号（許可信号）である場合に、集中制御部１９はウエハ
Ｗを高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）から搬出して
インステージ１４ａへ搬入するように、第２ウエハ搬送
体６３を制御する。一方、この検出信号がインステージ
１４ａへのウエハＷの搬入を禁止する信号（禁止信号）
である場合には、集中制御部１９は、高精度温調ユニッ
ト（ＣＰＬ−Ｇ９）からのウエハＷの搬出動作が行われ
ないように、第２ウエハ搬送体６３を制御する。
【００４０】しかしここで、露光装置１４に設けられた
検出装置からの検出信号が許可信号であったために、第
２ウエハ搬送体６３が高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ
９）からウエハＷを搬出したが、その後に検出装置から
の検出信号が禁止信号へと変わってしまう場合がある。
例えば、インステージ１４ａが温調機能を有しており、
インステージ１４ａの温度または温度均一性が設定され
た条件を満たさなくなったときに、その温度または温度
均一性が所望の状態に復帰するまで、検出装置がインス
テージ１４ａへのウエハＷの搬入を禁止する場合が挙げ
られる。
【００４１】このような場合には、集中制御部１９は、
第２ウエハ搬送体６３が保持しているウエハＷを巻き戻
しユニット（ＲＳＭ）へ載置するように、第２ウエハ搬
送体６３を制御する。巻き戻しユニット（ＲＳＭ）は、
インステージ１４ａにウエハＷを載置することが可能で
あったために高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）から
ウエハＷを搬出したが、その後にインステージ１４ａに
ウエハＷを載置することができない事情が生じた場合
に、保持しているウエハＷが臨時に載置されるユニット
である。
【００４２】上述したレジスト塗布／現像処理システム
１においては、ウエハ搬送機構２１が、処理前のウエハ
を収容しているウエハカセット（ＣＲ）からウエハカセ
ット（ＣＲ）内での配列順序にしたがってウエハＷを抜
き出し、このウエハＷをトランジションユニット（ＴＲ
Ｓ−Ｇ３）に搬送する。ウエハＷは第１主ウエハ搬送装
置１６によってトランジションユニット（ＴＲＳ−
Ｇ３）から例えば温調ユニット（ＴＣＰ）に搬送され、
そこで所定の温調処理が行われる。なお、ウエハ搬送機
構２１がウエハＷを直接にウエハカセット（ＣＲ）から
温調ユニット（ＴＣＰ）へ搬送するようにしてもよい。
【００４３】温調ユニット（ＴＣＰ）での処理終了後
に、ウエハＷは第１処理ユニット群Ｇ １に属するボトム
コーティングユニット（ＢＡＲＣ）に搬送され、そこで
反射防止膜の形成が行われる。次いでウエハＷは加熱ユ
ニット（ＨＰ）に搬送されて、そこで所定の加熱処理が
施される。続いてウエハＷは高温度熱処理ユニット（Ｂ
ＡＫＥ）に搬送されて、そこで加熱ユニット（ＨＰ）に
おける処理温度よりも高い温度での熱処理が行われる。
なお、ボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）による
ウエハＷへの反射防止膜の形成前にウエハＷをアドヒー
ジョンユニット（ＡＤ）に搬送し、そこでアドヒージョ
ン処理を行ってもよい。
【００４４】次いで、ウエハＷは第１主ウエハ搬送装置
１６によって高温度熱処理ユニット（ＢＡＫＥ）から高
精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ４）へ搬送され、そこで
所定の温調処理が行われる。この温調処理が終了したウ
エハＷは、第１処理ユニット群Ｇ１に属するレジスト塗
布ユニット（ＣＯＴ）へ搬送され、そこでレジスト液の
塗布処理が行われる。
【００４５】なお、先のボトムコーティングユニット
（ＢＡＲＣ）によるウエハＷへの反射防止膜の形成を行
わない場合には、例えば、ウエハＷをアドヒージョンユ
ニット（ＡＤ）に搬送し、そこでアドヒージョン処理を
行い、その後にウエハＷを高精度温調ユニット（ＣＰＬ
−Ｇ４）へ搬送して温調処理を行い、さらにそこからウ
エハＷをレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）に搬送するこ
とができる。
【００４６】レジスト液が塗布されたウエハＷは、第４
処理ユニット群Ｇ４に設けられたプリベークユニット
（ＰＡＢ）へ搬送され、そこで所定の熱処理が行われ
る。プリベークユニット（ＰＡＢ）においては、ウエハ
Ｗ上の塗布膜から残存溶剤が蒸発除去される。
【００４７】プリベークユニット（ＰＡＢ）での処理が
終了したウエハＷは、第７処理ユニット群Ｇ７に設けら
れた膜厚測定装置（ＦＴＩ）へ搬送されてそこで膜厚測
定が行われ、その後に周辺露光装置（ＷＥＥ）に搬送さ
れてそこで周辺露光処理が施される。周辺露光処理は、
インターフェイスステーション１３に搬送された際に、
第８処理ユニット群Ｇ８に設けられた周辺露光装置（Ｗ
ＥＥ）を用いて行ってもよい。
【００４８】次いで、ウエハＷは高精度温調ユニット
（ＣＰＬ−Ｇ５）へ搬入され、そこから第１ウエハ搬送
体６２によって搬出された後に、高精度温調ユニット
（ＣＰＬ−Ｇ９）へ搬入される。高精度温調ユニット
（ＣＰＬ−Ｇ９）において、ウエハＷには所定の温調処
理が施される。高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）に
おける処理が終了したウエハＷは、通常は所定時間が経
過する前に、第２ウエハ搬送体６３によって高精度温調
ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）から搬出される。
【００４９】しかし、例えば、露光装置１４の調整等の
理由によって露光装置１４のインステージ１４ａにウエ
ハＷを搬入することができない事情が生じている場合
や、露光装置１４のスループットがレジスト膜を形成す
る処理のスループットよりも遅い場合等には、高精度温
調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷを搬出するこ
とができないために、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ
９）にウエハＷが存在する状態が続くこととなる。この
場合には、第１ウエハ搬送体６２は高精度温調ユニット
（ＣＰＬ−Ｇ５）に搬入されたウエハＷを高精度温調ユ
ニット（ＣＰＬ−Ｇ９）へ搬送することができない。
【００５０】そこで、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ
９）にウエハＷが存在する間に高精度温調ユニット（Ｃ
ＰＬ−Ｇ５）に別のウエハＷが搬入された場合には、第
１ウエハ搬送体６２は、この別のウエハＷをイン用バッ
ファカセット（ＩＮＢＲ）へ搬送する。そして、高精度
温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷが搬出され
たら、第１ウエハ搬送体６２は、先ずイン用バッファカ
セット（ＩＮＢＲ）に収容されたウエハＷをウエハＷの
搬送順序にしたがって取り出し、高精度温調ユニット
（ＣＰＬ−Ｇ９）へ搬入する。
【００５１】図５は第２ウエハ搬送体６３の搬送動作を
示す説明図である。前述したように、露光装置１４から
はインステージ１４ａへのウエハＷの搬入を許可する許
可信号と、インステージ１４ａへのウエハＷの搬入を禁
止する禁止信号の２種類の検出信号が出されている。第
２ウエハ搬送体６３は、この許可信号にしたがって高精
度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）にアクセスして、高精
度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷを搬出す
る。一方、露光装置１４から禁止信号が出されている場
合には、第２ウエハ搬送体６３は、この禁止信号が許可
信号に変わるまで、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−
Ｇ９）からのウエハＷの搬出動作を行わない。
【００５２】許可信号にしたがって高精度温調ユニット
（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷを取り出した第２ウエハ
搬送体６３は、保持したウエハＷをインステージ１４ａ
に載置するために、インステージ１４ａの前までウエハ
Ｗを移動させる。そこで、第２ウエハ搬送体６３は再び
検出信号を確認して、その検出信号が許可信号の場合に
は保持しているウエハＷをインステージ１４ａへ受け渡
す。
【００５３】ところが、許可信号にしたがって高精度温
調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷを搬出した
が、このウエハＷをインステージ１４ａに搬入する前
に、検出信号が禁止信号に変わる場合がある。この場合
において、予め定められた時間（以下「待機時間」とい
う。例えば、１０秒）の間は第２ウエハ搬送体６３は待
機状態となる。そして、この待機時間内に禁止信号が許
可信号に変わった場合には、第２ウエハ搬送体６３は保
持しているウエハＷをインステージ１４ａへ受け渡す。
一方、待機時間が経過しても禁止信号が解除されない場
合には、第２ウエハ搬送体６３は保持しているウエハＷ
を巻き戻しユニット（ＲＳＭ）へ載置する。これによっ
て第２ウエハ搬送体６３がフリーな状態となるために、
例えば、第２ウエハ搬送体６３は露光装置１４のアウト
ステージ１４ｂに載置されたウエハＷをそこから搬出し
て、トランジションユニット（ＴＲＳ−Ｇ９）に搬入す
る等の動作を行うことができる。
【００５４】なお、この待機時間は任意の長さに設定す
ることができるが、勿論、０秒に設定してもよい。この
場合には、第２ウエハ搬送体６３が高精度温調ユニット
（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷを取り出した後に検出信
号が禁止信号に変わった場合に、ウエハＷは直ちに巻き
戻しユニット（ＲＳＭ）へ載置される。
【００５５】なお、第２ウエハ搬送体６３が保持してい
るウエハＷを、巻き戻しユニット（ＲＳＭ）に代えて高
精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）に戻すように、第２
ウエハ搬送体６３を制御することも可能である。しか
し、ウエハＷが第２ウエハ搬送体６３によって取り出さ
れた後には、第１ウエハ搬送体６２によって次のウエハ
Ｗが高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）へ搬入されて
いる場合がある。高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）
に次のウエハＷが載置されている状態で、さらに第２ウ
エハ搬送体６３が保持しているウエハＷを高精度温調ユ
ニット（ＣＰＬ−Ｇ９）へ搬入しようとすると、高精度
温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）におけるウエハＷの受け
渡しが失敗して、ウエハＷが破損するおそれがある。巻
き戻しユニット（ＲＳＭ）へウエハＷを臨時に載置する
ことによって、このようなウエハＷの破損を回避するこ
とができる。
【００５６】巻き戻しユニット（ＲＳＭ）にウエハＷが
載置されている状態では、第２ウエハ搬送体６３は、高
精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）からのウエハＷの搬
出を行わない。これによりウエハＷを搬送順序にしたが
って露光装置１４へ搬送することができる。そして、巻
き戻しユニット（ＲＳＭ）にウエハＷが載置されている
状態で、露光装置１４からの検出信号が禁止信号から許
可信号に変わった際には、第２ウエハ搬送体６３は、巻
き戻しユニット（ＲＳＭ）からウエハＷを搬出して、イ
ンステージ１４ａの前までウエハＷを移動させ、そこで
再び検出信号が許可信号であることを確認して、保持し
ているウエハＷをインステージ１４ａへ受け渡す。
【００５７】このように巻き戻しユニット（ＲＳＭ）は
一時的にウエハＷを載置するユニットであるが、同様
に、ウエハＷを一時的に収容するイン用バッファカセッ
ト（ＩＮＢＲ）とは使用目的が異なる。
【００５８】つまり、イン用バッファカセット（ＩＮＢ
Ｒ）は、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）へウエハ
Ｗを搬送することができないことがわかっている状態に
おいて、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ５）から取り
出されたウエハＷが搬入されるユニットであり、レジス
ト塗布／現像処理システム１におけるスループットを向
上させ、また、レジスト塗布／現像処理システム１と露
光装置１４とのスループットの差を調整するために設け
られている。アウト用バッファカセット（ＯＵＴＢＲ）
もイン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）と同様の目的で
設けられているユニットである。
【００５９】これに対して、巻き戻しユニット（ＲＳ
Ｍ）は、インステージ１４ａへウエハＷを載置すること
ができる状態であったために、高精度温調ユニット（Ｃ
ＰＬ−Ｇ９）からウエハＷを搬出したが、その後にイン
ステージ１４ａへウエハＷを載置することができなくな
った場合に、臨時にそのウエハＷが搬入されるユニット
であり、ウエハＷおよびインステージ１４ａ、第２ウエ
ハ搬送体６３の保護と、第２ウエハ搬送体６３の動作停
止を防止するために設けられている。
【００６０】インステージ１４ａに載置されたウエハＷ
は、露光装置１４内を搬送され、所定の露光処理が行わ
れた後に、アウトステージ１４ｂに載置される。アウト
ステージ１４ｂに載置されたウエハＷは、第２ウエハ搬
送体６３によってそこから搬出されて、トランジション
ユニット（ＴＲＳ−Ｇ９）に搬入される。
【００６１】トランジションユニット（ＴＲＳ−Ｇ９）
に搬入されたウエハＷは、第１ウエハ搬送体６２によっ
て、第５処理ユニット群Ｇ５に属するポストエクスポー
ジャーベークユニット（ＰＥＢ）または第８処理ユニッ
ト群Ｇ８に属するアウト用バッファカセット（ＯＵＴＢ
Ｒ）へ搬送される。アウト用バッファカセット（ＯＵＴ
ＢＲ）へのウエハＷの搬送は、ポストエクスポージャー
ベークユニット（ＰＥＢ）が全て使用中である場合等に
行われ、ポストエクスポージャーベークユニット（ＰＥ
Ｂ）に空きが生じた時点で、アウト用バッファカセット
（ＯＵＴＢＲ）への搬送順序にしたがってアウト用バッ
ファカセット（ＯＵＴＢＲ）から順次搬出され、空いた
ポストエクスポージャーベークユニット（ＰＥＢ）へ搬
送される。
【００６２】ポストエクスポージャーベークユニット
（ＰＥＢ）における処理が終了したウエハＷは、第２主
ウエハ搬送装置１７によって高精度温調ユニット（ＣＰ
Ｌ−Ｇ ５）へ搬送され、そこで温調処理が施される。次
いでウエハＷは第２主ウエハ搬送装置１７によって第２
処理ユニット群Ｇ２に属する現像ユニット（ＤＥＶ）へ
搬送されて、そこで現像処理が行われる。現像処理が終
了したウエハＷは、第２主ウエハ搬送装置１７によって
ポストベークユニット（ＰＯＳＴ）へ搬送され、そこで
所定の熱処理が行われる。
【００６３】ポストベークユニット（ＰＯＳＴ）におけ
る熱処理が終了したウエハＷは、第１主ウエハ搬送装置
１６によって高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ３）へ搬
送されてそこで温調処理され、その後にトランジション
ユニット（ＴＲＳ−Ｇ３）に搬送される。最後に、ウエ
ハ搬送機構２１が、トランジションユニット（ＴＲＳ−
Ｇ３）からカセットステーション１１に載置されたウエ
ハカセット（ＣＲ）の所定位置へウエハＷを搬送する。
【００６４】以上、本発明の実施の形態について説明し
てきたが、本発明はこのような形態に限定されるもので
はない。例えば、上記説明では、インターフェイスステ
ーション１３に第１ウエハ搬送体６２と第２ウエハ搬送
体６３の２台の搬送装置を設けた形態について示した
が、図６の平面図に示すレジスト塗布／現像処理システ
ム１´のように、インターフェイスステーションとし
て、１台のウエハ搬送体６４を備えたインターフェイス
ステーション１３´を有する構成としてもよい。
【００６５】このウエハ搬送体６４は、第５処理ユニッ
ト群Ｇ５、第８処理ユニット群Ｇ８、第９処理ユニット
群Ｇ９の各ユニット群を構成する各ユニットとインステ
ージ１４ａおよびアウトステージ１４ｂにアクセス可能
である。
【００６６】例えば、レジスト塗布／現像処理システム
１´においては、第９処理ユニット群Ｇ９を構成する各
ユニットには、ウエハ搬送体６４のみがアクセス可能で
あることから、高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）か
らウエハＷが搬出された後には、必ず高精度温調ユニッ
ト（ＣＰＬ−Ｇ９）は空の状態となる。このために、露
光装置１４からの許可信号にしたがって高精度温調ユニ
ット（ＣＰＬ−Ｇ９）からウエハＷが搬出された後に露
光装置１４からの検出信号が禁止信号に変わった場合で
あっても、ウエハ搬送体６４が高精度温調ユニット（Ｃ
ＰＬ−Ｇ９）へウエハＷを戻すように、ウエハ搬送体６
４を制御することも可能である。
【００６７】しかし、例えば、高精度温調ユニット（Ｃ
ＰＬ−Ｇ５）からウエハ搬送体６４がウエハＷを搬出し
た後に、搬送先の高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ９）
およびイン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）のいずにも
ウエハＷを搬入することができない状態となり、かつ、
高精度温調ユニット（ＣＰＬ−Ｇ５）には次のウエハＷ
が第２主ウエハ搬送装置１７によって搬入される場合が
ある。インターフェイスステーション１３´内に巻き戻
しユニット（ＲＳＭ）が設けられていると、このような
事態が生じた際に、ウエハ搬送体６４は保持しているウ
エハＷを巻き戻しユニット（ＲＳＭ）へ臨時に載置する
ことができ、これによりウエハ搬送体６４をフリーな状
態とすることが可能である。
【００６８】なお、ウエハ搬送体６４はアウトステージ
１４ｂから直接に第５処理ユニット群Ｇ５に属するポス
トエクスポージャーベークユニット（ＰＥＢ）または第
８処理ユニット群Ｇ８に属するアウト用バッファカセッ
ト（ＯＵＴＢＲ）へウエハＷを搬送することができるた
めに、レジスト塗布／現像処理システム１´において
は、必ずしもトランジションユニット（ＴＲＳ−Ｇ９）
は必要ではない。
【００６９】上記説明においては、巻き戻しユニット
（ＲＳＭ）をインターフェイスステーション１３・１３
´に設けた場合について説明したが、このような巻き戻
しユニット（ＲＳＭ）は処理ステーション１２に設ける
こともできる。例えば、第１主ウエハ搬送装置１６があ
るユニットからウエハＷを取り出した後に搬送先のユニ
ットで警報が発せられたために、保持しているウエハＷ
をこの搬送先のユニットへ搬入できなくなった場合に
は、集中制御部１９は、保持しているウエハＷを退避的
に巻き戻しユニット（ＲＳＭ）へ載置するように第１主
ウエハ搬送装置１６を制御する。
【００７０】レジスト塗布／現像処理システム１には、
ウエハＷに形成されたレジストパターンの線幅を測定す
る線幅測定装置や、レジスト膜の表面の傷（スクラッチ
検出）やレジスト液の塗布時に混入する異物（コメット
検出）、現像ムラ、現像処理後の現像欠陥等を検査する
欠陥検査装置を設けることも可能である。例えば、この
ような測定装置／検査装置は、ウエハ搬送機構２１によ
るアクセスが可能な位置に配置することができる。
【００７１】上記説明においては、処理される基板とし
て半導体ウエハを取り上げたが、基板は、液晶表示装置
（ＬＣＤ）に使用されるガラス基板や、フォトマスクに
使われるレチクル基板であってもよい。また、基板の処
理についてレジスト塗布／現像処理を取り上げたが、洗
浄処理や層間絶縁膜塗布処理、エッチング処理等の各処
理を行う基板処理装置にも本発明を適用することができ
る。
【００７２】
【発明の効果】上述の通り、本発明によれば、臨時基板
載置ユニット（上記実施の形態に示した巻き戻しユニッ
ト）が設けられているために、基板搬送中に搬送先のユ
ニットが突然に基板の搬入を禁止した場合にも、搬送中
の基板を臨時基板載置ユニットに載置することが可能と
なる。これにより搬送中の基板が保護されるという効果
が得られる。また、基板の搬送先の処理ユニットへ無理
に基板を搬入することによって生じ得る処理ユニットお
よび搬送装置の損傷が回避されるという効果が得られ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るレジスト塗布／現像処理システム
を示す概略平面図。
【図２】図１に示すレジスト塗布／現像処理システムの
概略正面図。
【図３】図１に示すレジスト塗布／現像処理システムの
概略背面図。
【図４】主ウエハ搬送装置の概略構造を示す斜視図。
【図５】第２ウエハ搬送体によるウエハの搬送動作を示
す説明図。
【図６】本発明に係る別のレジスト塗布／現像処理シス
テムを示す概略平面図。
【符号の説明】
１；レジスト塗布／現像処理システム １１；カセットステーション １２；処理ステーション １３；インターフェイスステーション １４；露光装置 １４ａ；インステージ １４ｂ；アウトステージ １６；第１主ウエハ搬送装置 １７；第２主ウエハ搬送装置 ２１；ウエハ搬送機構 ６２；第１ウエハ搬送体 ６３；第２ウエハ搬送体 ＲＳＭ；巻き戻しユニット Ｇ１〜Ｇ９；第１処理ユニット群〜第９処理ユニット群 Ｗ；半導体ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 和田 栄希 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 Ｆターム(参考） 5F031 CA02 CA05 CA07 DA17 FA01 FA07 FA11 FA12 FA15 GA04 GA35 GA36 GA42 GA47 GA48 GA49 JA05 JA22 JA27 MA02 MA03 MA04 MA13 MA24 MA26 MA30 PA02 PA20 5F046 CD01 CD05 CD10

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板に所定の処理を施す基板処理装置で
    あって、 基板に所定の処理を行う第１の処理ユニットと、 前記第１の処理ユニットにおける処理が終了した基板に
    さらに別の処理を行う第２の処理ユニットと、 前記第１の処理ユニットから前記第２の処理ユニットへ
    基板を搬送する基板搬送装置と、 前記基板搬送装置の動作を制御する制御装置と、 前記第１の処理ユニットから搬出された基板を臨時に載
    置する臨時基板載置ユニットと、 を具備し、 前記制御装置は、前記基板搬送装置が前記第１の処理ユ
    ニットから基板を搬出した後に前記第２の処理ユニット
    への基板の搬入が禁止された際に、前記基板を前記臨時
    基板載置ユニットに載置するように前記基板搬送装置を
    制御することを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項２】 前記第２の処理ユニットが基板の搬入を
    禁止した状態から基板の搬入を許可する状態へ変わった
    際に前記臨時基板載置ユニットに基板が載置されている
    場合に、前記制御装置は前記臨時基板載置ユニットに載
    置されている基板を最初に前記第２の処理ユニットへ搬
    入するように前記基板搬送装置を制御することを特徴と
    する請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 【請求項３】 基板に所定の処理を施す基板処理装置で
    あって、 基板に所定の処理を行う第１の処理ユニットと、 前記第１の処理ユニットにおける処理が終了した基板に
    さらに別の処理を行う第２の処理ユニットと、 前記第１の処理ユニットから前記第２の処理ユニットへ
    基板を搬送する基板搬送装置と、 前記基板搬送装置の動作を制御する制御装置と、 前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可または禁止
    するいずれの状態にあるかを検出して、その検出信号を
    前記制御装置へ送信する検出機構と、 前記第１の処理ユニットから搬出された基板を臨時に載
    置する臨時基板載置ユニットと、 を具備し、 前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可する状態に
    あることを示す前記検出機構による検出信号にしたがっ
    て前記制御装置が前記基板搬送装置によって前記第１の
    処理ユニットから基板を搬出させた後に、前記第２の処
    理ユニットが前記基板の搬入を禁止する状態になったこ
    とを示す前記検出機構による検出信号を前記制御装置が
    受信した場合に、前記制御装置は、前記基板搬送装置が
    保持している基板を前記臨時基板載置ユニットに載置す
    るように前記基板搬送装置を制御することを特徴とする
    基板処理装置。
  4. 【請求項４】 前記第２の処理ユニットが基板の搬入を
    禁止した状態から基板の搬入を許可する状態へ変わった
    際に前記臨時基板載置ユニットに基板が載置されている
    場合に、前記制御装置は、前記臨時基板載置ユニットに
    載置されている基板を最初に前記第２の処理ユニットへ
    搬入するように前記基板搬送装置を制御することを特徴
    とする請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 【請求項５】 基板に所定の処理を施す基板処理装置で
    あって、 複数の基板が収容されたカセットを載置するカセットス
    テーションと、 基板に対して所定の処理を施す処理ステーションと、 前記カセットステーションと前記処理ステーションとの
    間で基板の搬送を行う第１の基板搬送装置と、 前記処理ステーションに隣接して設けられる別の基板処
    理装置と前記処理ステーションとの間で基板を搬送する
    インターフェイスステーションと、 を具備し、 前記インターフェイスステーションは、 前記処理ステーションと前記別の基板処理装置との間で
    基板を搬送する第２の基板搬送装置と、 前記第２の基板搬送装置を制御する制御装置と、 前記処理ステーションから搬出された基板を臨時に載置
    する臨時基板載置ユニットと、 を有し、 前記制御装置は、前記第２の基板搬送装置が前記処理ス
    テーションから基板を搬出した後に前記別の基板処理装
    置への基板の搬入が禁止された際に、前記基板を前記臨
    時基板載置ユニットに載置するように前記第２の基板搬
    送装置を制御することを特徴とする基板処理装置。
  6. 【請求項６】 前記別の基板処理装置が基板の搬入を禁
    止した状態から基板の搬入を許可する状態へ変わった際
    に前記臨時基板載置ユニットに基板が載置されている場
    合に、前記制御装置は、前記臨時基板載置ユニットに載
    置されている基板を最初に前記別の基板処理装置へ搬入
    するように前記第２の基板搬送装置を制御することを特
    徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 【請求項７】 前記制御装置は、前記別の基板処理装置
    が基板の搬入を許可する状態にあることを確認した後
    に、前記第２の基板搬送装置が前記処理ステーションか
    ら基板を搬出するように、前記第２の基板搬送装置を制
    御することを特徴とする請求項５または請求項６に記載
    の基板処理装置。
  8. 【請求項８】 基板に所定の処理を施す基板処理装置で
    あって、 複数の基板が収容されたカセットを載置するカセットス
    テーションと、 基板に対して所定の処理を施す処理ステーションと、 前記カセットステーションと前記処理ステーションとの
    間で基板の搬送を行う第１の基板搬送装置と、 前記処理ステーションに隣接して設けられる別の基板処
    理装置と前記処理ステーションとの間で基板を搬送する
    インターフェイスステーションと、 を具備し、 前記インターフェイスステーションは、 前記処理ステーションから前記別の基板処理装置へ搬送
    される基板のみを載置する基板載置ユニットと、 前記処理ステーションと前記基板載置ユニットの間で基
    板を搬送する第２の基板搬送装置と、 前記基板載置ユニットと前記別の基板処理装置との間で
    基板を搬送する第３の基板搬送装置と、 前記第３の基板搬送装置を制御する制御装置と、 前記基板載置ユニットと並列に設けられ、前記基板載置
    ユニットから搬出された基板を臨時に搬入する臨時基板
    載置ユニットと、 を有し、 前記制御装置は、前記第３の基板搬送装置が前記基板載
    置ユニットから基板を搬出した後に前記別の基板処理装
    置への基板の搬入が禁止された際に、前記基板を前記臨
    時基板載置ユニットに載置するように前記第３の基板搬
    送装置を制御することを特徴とする基板処理装置。
  9. 【請求項９】 前記別の基板処理装置が基板の搬入を禁
    止した状態から基板の搬入を許可する状態へ変わった際
    に前記臨時基板載置ユニットに基板が載置されている場
    合に、前記制御装置は、前記臨時基板載置ユニットに載
    置されている基板を最初に前記別の基板処理装置へ搬入
    するように前記第３の基板搬送装置を制御することを特
    徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
  10. 【請求項１０】 前記制御装置は、前記別の基板処理装
    置が基板の搬入を許可する状態にあることを確認した後
    に、前記第３の基板搬送装置が前記基板載置ユニットか
    ら基板を搬出するように、前記第３の基板搬送装置を制
    御することを特徴とする請求項８または請求項９に記載
    の基板処理装置。
  11. 【請求項１１】 前記インターフェイスステーション
    は、 前記第２の基板搬送装置による基板の搬入出が行われ、
    前記処理ステーションから前記別の基板処理装置へ搬送
    すべき基板を収容可能な第１の基板収容ユニットと、 前記第２の基板搬送装置による基板の搬入出が行われ、
    前記別の基板処理装置から前記処理ステーションに戻す
    べき基板を収容可能な第２の基板収容ユニットと、 前記基板載置ユニットと並列に設けられ、前記別の基板
    処理装置から前記処理ステーションへ戻される基板のみ
    が載置される別の基板載置ユニットと、 をさらに具備し、 前記別の基板処理装置が基板の搬入を禁止した状態にあ
    る場合に、前記処理ステーションにおける所定の処理が
    終了した基板を前記第１の基板収容ユニットに収容し、
    前記別の基板処理装置における処理が終了した基板を前
    記第２の基板収容ユニットに収容しもしくは前記処理ス
    テーションへ搬送しまたは前記第２の基板収容ユニット
    に収容された基板を前記処理ステーションへ搬送するこ
    とによって、前記処理ステーションにおける所定の処理
    を継続して行うことができることを特徴とする請求項８
    から請求項１０のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  12. 【請求項１２】 基板に所定の処理を施す基板処理方法
    であって、 基板に所定の処理を施す第１の処理ユニットから前記処
    理が施された基板を搬出する第１工程と、 基板に対して別の処理を施す第２の処理ユニットへ前記
    基板を搬入する際に前記第２の処理ユニットへの前記基
    板の搬入が禁止された場合に、臨時に基板を載置する臨
    時基板載置ユニットに前記基板を載置する第２工程と、 前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可する状態に
    変わった際に、前記臨時基板載置ユニットに載置されて
    いる基板を前記第２の処理ユニットへ搬入する第３工程
    と、 を有することを特徴とする基板処理方法。
  13. 【請求項１３】 基板に所定の処理を施す基板処理方法
    であって、 基板に所定の処理を施す第１の処理ユニットから前記第
    １の処理ユニットにおける処理が終了した基板に別の処
    理を施す第２の処理ユニットへ基板を搬送する際に、 前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可する状態に
    あることを確認した後に前記第１の処理ユニットから処
    理の終了した基板を搬出する第１工程と、 前記第２の処理ユニットへ前記基板を搬入する直前に前
    記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可または禁止す
    る状態のいずれの状態にあるかを確認する第２工程と、 前記第２の処理ユニットへの基板の搬入が許可されてい
    る場合または前記第２の処理ユニットへの前記基板の搬
    入が禁止されたが所定時間内に前記禁止が解除された場
    合には前記基板を前記第２の処理ユニットへ搬入し、前
    記第２の処理ユニットへの前記基板の搬入が禁止され、
    かつ、所定時間が経過した場合には臨時に基板を載置す
    る臨時基板載置ユニットに前記基板を載置する第３工程
    と、 前記臨時基板載置ユニットに前記基板が載置された後に
    前記第２の処理ユニットが基板の搬入を許可する状態に
    変わった際に、前記臨時基板載置ユニットから基板を搬
    出する第４工程と、 前記臨時基板載置ユニットから搬出された基板に対し
    て、前記第２工程から前記第４工程の処理を反復して行
    う第５工程と、 を有することを特徴とする基板処理方法。
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