JP4908304B2 - 基板の処理方法、基板の処理システム及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 - Google Patents

Description

本発明は、基板の処理方法、基板の処理システム及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関する。

例えば半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィー処理は、通常塗布現像処理システムを用いて行われている。塗布現像処理システムは、例えばウェハを搬入出するためのカセットステーションと、レジスト塗布処理、現像処理及び熱処理等の各種処理を行う複数の処理装置が配置された処理ステーションと、隣接する露光装置と処理ステーションとの間でウェハの受け渡しを行うためのインターフェイスステーションを備え、別装置である露光装置がインライン化されている。

そして、上記塗布現像処理システムでは、複数枚のウェハが枚葉式に連続的に処理される。例えばカセットステーションのカセットに収容された複数枚のウェハが処理ステーションに順次搬送され、処理ステーションの各処理装置において各ウェハに対してレジスト塗布処理、熱処理などの所定の処理が順次に施される。その後、各ウェハは、インターフェイスステーションを介して露光装置に搬送され、露光処理される。その後、ウェハは、再び処理ステーションに戻され、各処理装置において現像処理などの所定の処理が施される。その後、各ウェハは、処理ステーションからカセットステーションに順次戻され、カセットに収容される（特許文献１参照）。

特開２００６−２８７１７８号公報

ところで、上記塗布現像処理システムにおいて、カセットステーションから処理ステーションに搬入されてから露光装置に搬送されるまでに行われる前段のウェハ処理では、例えばレジスト塗布処理が行われる。このレジスト塗布処理は、通常レジスト塗布装置で行われている。レジスト塗布装置は、装置内を汚染しやすいレジスト液を使用し、また洗浄な雰囲気内で処理を行う必要があるため、他の装置に比べて清掃や部品交換などのメンテナンスを頻繁に行う必要がある。そしてメンテナンスを行うときには、塗布現像処理システムの全体の稼動を停止し、ウェハ処理を停止させる必要があった。このため、メンテナンスを頻繁に行うと、塗布現像処理システムの稼働率が低下し、ウェハ製品の生産性が低下していた。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、上記塗布現像処理システムのように、処理が前段と後段に分割されるような基板の処理システムにおいて、前段の処理を行う装置のメンテナンスを行うことによる、基板製品の生産性の低下を抑制することをその目的とする。

上記目的を達成するための本発明は、基板を搬入出する搬入出部と、基板に対し複数の処理を行う処理部を有し、フォトリソグラフィー処理を行う基板の処理システムにおいて、搬入出部から搬入された基板を処理部で処理し、当該基板を処理部から隣接し、基板を露光処理する露光装置である外部装置に搬出し、その後外部装置から処理部に戻された基板を処理部で処理し搬入出部に戻す、基板の処理方法であって、搬入出部から搬入されてから外部装置に搬出されるまでに行われ、基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成処理を含む前段の基板処理のスループットが、外部装置から戻されてから搬入出部に戻されるまでに行われ、基板の現像処理を含む後段の基板処理のスループットよりも高く設定されており、前記前段の基板処理が終了した基板を基板収容部に収容して貯め、前記前段の基板処理を行う処理部のメンテナンスを行う際、前記後段の基板処理を継続して行うことを特徴とする。

本発明によれば、前段の基板処理のスループットが後段の基板処理のスループットよりも高く設定されているので、一定枚数の基板に対する前段の基板処理が後段の基板処理よりも早く終了する。これにより、前段の基板処理を行う装置のメンテナンス時間を確保できる。また、前段の基板処理が終了し、後段の基板処理待ちの基板を貯めることができるので、例えば前段の基板処理を行う装置をメンテナンスする際に、上述の貯めた基板に対し後段の基板処理を行い、基板処理を継続することができる。したがって、メンテナンスによる基板製品の生産性の低下を抑制できる。

前記後段の基板処理のスループットは、外部装置における基板処理のスループットと同じかそれより高く設定されていてもよい。
また、前記搬入出部、前記処理部、インターフェイス部及び前記外部装置は、この順で一体に形成され、前記処理部には、前記前段の基板処理を行う処理装置と前記後段の基板処理を行う処理装置が積層され、前記前段の基板処理を行う処理装置のメンテナンスを行う際、前記後段の基板処理を行う処理装置を作動させて当該後段の基板処理を継続して行ってもよい。

別の観点による本発明は、基板を搬入出する搬入出部と、基板に対し複数の処理を行う処理部を有し、搬入出部から搬入された基板を処理部で処理し、当該基板を処理部から隣接し、基板を露光処理する露光装置である外部装置に搬出し、その後外部装置から処理部に戻された基板を処理部で処理し搬入出部に戻す、フォトリソグラフィー処理を行う基板の処理システムであって、搬入出部から搬入されてから外部装置に搬出されるまでに行われ、基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成処理を含む前段の基板処理のスループットが、外部装置から戻されてから搬入出部に搬出されるまでに行われ、基板の現像処理を含む後段の基板処理のスループットよりも高くなるように制御し、且つ前記前段の基板処理を行う処理部のメンテナンスを行う際、前記後段の基板処理を継続して行うように制御する制御部と、前記前段の基板処理の終了した基板を収容して貯める基板収容部と、を有することを特徴とする。

前記後段の基板処理のスループットは、外部装置における基板処理のスループットと同じかそれより高く設定されていてもよい。

前記搬入出部には、当該搬入出部内の基板を処理部に搬送する第１の搬送装置と、処理部内の基板を搬入出部に搬送する第２の搬送装置が設けられていてもよい。
また、前記搬入出部、前記処理部、インターフェイス部及び前記外部装置は、この順で一体に形成され、前記処理部には、前記前段の基板処理を行う処理装置と前記後段の基板処理を行う処理装置が積層されていてもよい。

別の観点による本発明によれば、上記基板の処理方法を基板の処理システムによって実行させるために、当該基板の処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体が提供される。

本発明によれば、メンテナンスによる基板の処理効率の低下を抑制できるので、基板製品の生産性の向上が図られる。

以下、本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は、本発明にかかる基板の処理方法が実現される基板の処理システムとしての塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図である。

塗布現像処理システム１は、図１に示すように例えば外部から塗布現像処理システム１に対して複数枚のウェハＷをカセット単位で搬入出するための搬入出部としてのカセットステーション２と、フォトリソグラフィー処理の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理部としての処理ステーション３と、処理ステーション３に隣接する露光装置４との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。

カセットステーション２には、カセット載置台１０が設けられ、当該カセット載置台１０には、複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置できる。カセットステーション２には、例えば２台のウェハ搬送装置１１、１２が設けられている。第１のウェハ搬送装置１１及び第２のウェハ搬送装置１２は、Ｘ方向に延びる搬送路１３上を移動自在である。第１及び第２のウェハ搬送装置１１、１２は、水平方向、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）に移動自在な搬送アームを有し、カセット載置台１０上のカセットＣと、後述する処理ステーション３の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。

処理ステーション３には、各種装置を備えた複数、例えば４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば処理ステーション３の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション３の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション３のカセットステーション２側（図１のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション３のインターフェイスステーション５側（図１のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。

例えば第１のブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理装置、例えばウェハＷを現像処理する現像装置３０、ウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成装置３１、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置３２、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成装置３３が下から順に４段に重ねられている。例えば現像装置３０と下部反射防止膜形成装置３１との間には、空間があり、この空間の高さには後述するシャトル搬送装置８４が配置されている。

例えば第１のブロックＧ１の各装置３０〜３３は、図１に示すように処理時にウェハＷを収容するカップＦを水平方向に複数有し、複数のウェハＷを並行して処理することができる。

例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すようにウェハＷの熱処理を行う熱処理装置４０や、アドヒージョン装置４１が上下方向と水平方向に並べて設けられている。熱処理装置４０は、例えば第１のブロックＧ１の各装置３０〜３３に対応する高さに設けられている。なお、熱処理装置４０とアドヒージョン装置４１の数や配置は、任意に選択できる。例えば熱処理装置４０は、図１に示すようにウェハＷを載置して加熱する熱板４０ａと、ウェハＷを載置して冷却する冷却板４０ｂを有し、加熱と冷却の両方を行うことができる。

例えば第３のブロックＧ３には、図２に示すように複数の受け渡し装置５０、５１、５２、５３が下から順に設けられている。各受け渡し装置５０〜５３は、第１のブロックＧ１の各装置３０〜３３に対応する高さに設けられている。また、現像装置３０と反射防止膜形成装置３１との間のシャトル搬送装置８４と同程度の高さには、受け渡し装置５４が配置されている。また、第３のブロックＧ３には、複数枚のウェハＷを一時的に収容可能な基板収容部としてのバッファカセット６０が設けられている。バッファカセット６０は、シャトル搬送装置８４と同程度の高さに設けられている。

例えば第４のブロックＧ４には、複数の受け渡し装置７０、７１が下から順に設けられている。受け渡し装置７０は、現像装置３０と同程度の高さに設けられ、受け渡し装置７１は、第１のブロックＧ１のシャトル搬送装置８４と同程度の高さに設けられている。

図１に示すように第１のブロックＧ１と第２のブロックＧ２との間には、Ｙ方向に延びる搬送用通路Ｒが設けられている。搬送用通路Ｒには、例えばメイン搬送装置８０、８１、８２、８３と、シャトル搬送装置８４が配置されている。

メイン搬送装置８０、８１、８２、８３は、例えば図２に示すように下から順に設けられ、例えば第１のブロックＧ１の各装置３０、３１、３２、３３に対応する高さにそれぞれ設けられている。

例えばメイン搬送装置８０は、例えば図２及び図４に示すように上下方向、水平方向及びθ方向に移動自在なメイン搬送アーム８０ａを有している。また、メイン搬送装置８０は、例えば図４に示すように第２のブロックＧ２に取り付けられたＹ方向に延びるレール８５上を移動自在である。メイン搬送装置８０は、搬送用通路Ｒを移動し、第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４の各装置間でウェハＷを搬送できる。メイン搬送装置８１〜８３は、メイン搬送装置８０と同様の構成を有し、例えば図２に示すようにＹ方向に延びるレール８５上を移動し、第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４の各装置間でウェハＷを搬送できる。

シャトル搬送装置８４は、メイン搬送装置８０とメイン搬送装置８１との間に設けられている。なお、シャトル搬送装置８４の移動領域とメイン搬送装置８０の移動領域の間と、シャトル搬送装置８４の移動領域とメイン搬送装置８１の移動領域の間には、図示しない仕切り板が設けられている。

シャトル搬送装置８４は、例えば図４に示すように水平方向及びθ方向に移動自在なシャトル搬送アーム８４ａを有している。また、シャトル搬送装置８４は、例えば図４に示すように第２のブロックＧ２に取り付けられたＹ方向に延びるレール８６上を移動自在である。シャトル搬送装置８４は、搬送用通路Ｒを移動し、例えば第３のブロックＧ３の受け渡し装置５４又はバッファカセット６０と第４のブロックＧ４の受け渡し装置７１との間でウェハＷを搬送できる。

図１に示すように第３のブロックＧ３の隣には、ウェハ搬送装置９０が設けられている。ウェハ搬送装置９０は、上下方向、水平方向に移動自在な搬送アームを有し、第３のブロックＧ３の各受け渡し装置５０〜５４やバッファカセット６０間でウェハＷを搬送できる。

インターフェイスステーション５には、ウェハ搬送装置１００が設けられている。ウェハ搬送装置１００は、上下方向、水平方向及びθ方向に移動自在な搬送アームを有し、インターフェイスステーション５に隣接した露光装置４と、第４のブロックＧ４の受け渡し装置７０、７１との間でウェハＷを搬送できる。

以上の塗布現像処理システム１の動作や処理ステーション３の各種装置、搬送装置等の動作は、例えば図１に示す制御部１１０により制御されている。制御部１１０は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータにより構成され、例えばメモリに記憶されたプログラムを実行することによって、塗布現像処理システム１におけるウェハＷの処理方法を実現できる。当該ウェハＷの処理方法を実現するための各種プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なＣＤなどの記憶媒体Ｈに記憶されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部１１０にインストールされたものが用いられている。

例えば制御部１１０により、塗布現像処理システム１におけるウェハ処理のスループット（単位時間当たりの処理枚数）が制御されている。制御部１１０には、例えばウェハＷがカセットステーション２から処理ステーション３に搬入されてから露光装置４に搬入されるまでに行われる前段処理Ｐ１のスループットＡと、ウェハＷが露光装置４から処理ステーション３に戻されてからカセットステーション２に戻されるまでに行われる後段処理Ｐ２のスループットＢが別々に設定され、前段処理Ｐ１のスループットＡが後段処理Ｐ２のスループットＢよりも高くなるように設定されている。

なお、本実施の形態では、例えば後述する温度調節処理Ｓ１から加熱処理Ｓ８までが前段処理Ｐ１になり、露光後ベーク処理Ｓ１０からポストベーク処理Ｓ１２までが後段処理Ｐ２になる。

次に、以上のように構成された塗布現像処理システム１を用いて行われるウェハＷの処理方法について説明する。

先ず、塗布現像処理システム１で行われるフォトリソグラフィー処理について説明する。図５は、かかるフォトリソグラフィー処理の主な工程を示すフローである。図１に示すように最初に複数枚の未処理のウェハＷを収容したカセットＣがカセットステーション２のカセット載置台１０に載置される。次にカセットＣ内の各ウェハＷが第１のウェハ搬送装置１１によって図２に示す処理ステーション３の第３のブロックＧ３の受け渡し装置５１に搬送される。その後、ウェハＷは、メイン搬送装置８１によって例えば第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され、温度調整される（図５の工程Ｓ１）。その後ウェハＷは、メイン搬送装置８１によって下部反射防止膜形成装置３１に搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される（図５の工程Ｓ２）。その後ウェハＷは、再び熱処理装置４０に搬送され、加熱され（図５の工程Ｓ３）、その後受け渡し装置５１に戻される。

次にウェハＷは、ウェハ搬送装置９０によって受け渡し装置５２に搬送される。その後ウェハＷは、メイン搬送装置８２によってアドヒージョン装置４１に搬送され、アドヒージョン処理される（図５の工程Ｓ４）。次にウェハＷは、メイン搬送装置８２によって熱処理装置４０に搬送され、温度調節され、その後レジスト塗布装置３２に搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される（図５の工程Ｓ５）。その後ウェハＷは、メイン搬送装置８２によって熱処理装置４０に搬送されて、加熱（プリベーク処理）され（図５の工程Ｓ６）、その後受け渡し装置５２に戻される。

次にウェハＷは、ウェハ搬送装置９０によって受け渡し装置５３に搬送される。その後ウェハＷは、メイン搬送装置８３によって上部反射防止膜形成装置３３に搬送され、ウェハＷ上に上部反射防止膜が形成される（図５の工程Ｓ７）。その後ウェハＷは、メイン搬送装置８３によって熱処理装置４０に搬送されて、加熱され（図５の工程Ｓ８）、その後受け渡し装置５３に戻される。こうして、フォトリソグラフィー処理の前段処理Ｐ１（工程Ｓ１〜工程Ｓ８）が終了する。

その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置９０によって例えばバッファカセット６０に搬送され、一時的に貯留される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置９０によって受け渡し装置５４に搬送され、シャトル搬送装置８４によって第４のブロックＧ４の受け渡し装置７１に搬送される。その後、ウェハＷは、インターフェイスステーション５のウェハ搬送装置１００によって露光装置４に搬送され、露光処理される（図５の工程Ｓ９）。

次に、ウェハＷは、ウェハ搬送装置１００によって露光装置４から処理ステーション３の第４のブロックＧ４の受け渡し装置７０に搬送される。その後、ウェハＷは、メイン搬送装置８０によって熱処理装置４０に搬送され、加熱（露光後ベーク処理）される（図５の工程Ｓ１０）。その後、ウェハＷは、メイン搬送装置８０によって現像装置３０に搬送され、現像される（図５の工程Ｓ１１）。現像終了後、ウェハＷは、メイン搬送装置８０によって熱処理装置４０に搬送され、加熱（ポストベーク処理）される（図５の工程Ｓ１２）。こうして、フォトリソグラフィー処理の後段処理Ｐ２（工程Ｓ１０〜工程Ｓ１２）が終了する。

その後、ウェハＷは、メイン搬送装置８０によって第３のブロックＧ３の受け渡し装置５０に搬送され、その後カセットステーション２の第２のウェハ搬送装置１２によってカセット載置台１０上のカセットＣに戻される。こうして一連のフォトリソグラフィー処理であるウェハ処理が終了する。

上記塗布現像処理システム１におけるウェハ処理は、図６に示すように複数枚のウェハＷが所定の経路を通って連続的に処理されており、前段処理Ｐ１のスループットＡが後段処理Ｐ２のスループットＢや露光処理のスループットＥよりも高く設定されている。また、後段処理Ｐ２のスループットＢは、露光処理のスループットＥと同じかそれより高く設定されている。このため、後段処理Ｐ２や露光処理よりも前段処理Ｐ１の単位時間あたりの処理枚数が多くなり、処理ステーション３において前段処理Ｐ１が終了し、次の露光処理待ちのウェハＷが、バッファカセット６０に収容される。時間が経つにつれて、バッファカセット６０には、より多くのウェハＷが貯められる。

そして、例えば前段処理Ｐ１を行うレジスト塗布装置３２や下部反射防止膜形成装置３１、上部反射防止膜形成装置３３のメンテナンスを行う際には、前段処理Ｐ１を行う装置のみが停止される。現像装置３０などの後段処理Ｐ２を行う装置や露光装置４は引き続き稼動し、バッファカセット６０に貯められているウェハＷが順次露光装置４に搬送され、露光処理され、その後処理ステーション３に搬送され、後段処理Ｐ２が行われる。その後、前段処理Ｐ１を行う装置のメンテナンスが終了すると、再び前段処理Ｐ１を行う装置が稼動し、またバッファカセット６０にウェハＷが貯められる。

以上の実施の形態によれば、前段処理Ｐ１のスループットＡが後段処理Ｐ２のスループットＢよりも高く設定されているので、図７に示すように後段処理Ｐ２に比べて、前段処理Ｐ１の単位時間あたりの処理枚数が多くなり、一定枚数のウェハ処理にかかる時間が短くなる。これにより、前段処理Ｐ１を行う装置のメンテナンス時間Ｔを確保できる。つまり、通常稼動時に前段処理Ｐ１を高いスループットで行い、バッファカセット６０に前段処理Ｐ１の終了したウェハＷを貯めておき、前段処理Ｐ１を行う装置のメンテナンス時間Ｔを確保できる。そして、そのメンテナンス時に、その貯めておいたウェハＷの露光処理や後段処理Ｐ２を行うことができる。こうすることにより、ウェハ処理を停止させずに、メンテナンスを行うことができる。したがって、フォトリソグラフィー処理全体のスループットが低下することなく、メンテナンスによるウェハ製品の生産性の低下を抑制できる。

以上の実施の形態では、前段処理Ｐ１の終了したウェハＷをバッファカセット６０に貯めるようにしたので、メンテナンス時にそのバッファカセット６０内のウェハＷを搬送して露光処理や後段処理Ｐ２を継続することができる。これにより、メンテナンスによるウェハ処理のスループットの低下を好適に防止できる。

また、後段処理Ｐ２のスループットＢを露光処理のスループットＥと同じかそれより高くしたので、前段処理Ｐ１以降の露光処理と後段処理Ｐ２を待ち時間なしで効率的に行うことができる。

また、フォトリソグラフィー処理の前段処理Ｐ１を行うレジスト塗布装置３２などでは、頻繁にメンテナンスを行う必要があるので、本実施の形態のようにフォトリソグラフィー処理を行うウェハ処理に本発明を適用するメリットは大きい。

なお、本実施の形態の塗布現像処理システム１では、前段処理Ｐ１を行う際に使用するウェハの搬送系と後段処理Ｐ２を行う際に使用するウェハの搬送系が互いに独立しており、別個に制御できるので、本発明のように前段処理Ｐ１と後段処理Ｐ２とでスループットを変えることが容易に実現できる。

以上の実施の形態で記載した塗布現像処理システム１には、カセットステーション２のカセットＣから処理ステーション３へのウェハＷの搬送を行う第１のウェハ搬送装置１１と、処理ステーション３からカセットステーション２のカセットＣへのウェハＷの搬送を行う第２のウェハ搬送装置１２が別々に設けられているので、前段処理Ｐ１と後段処理Ｐ２のスループットが異なっても、カセットステーション２と処理ステーション３の間のウェハＷの搬送を好適に行うことができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。例えば以上の実施の形態で記載した前段処理Ｐ１の種類や数や、後段処理Ｐ２の種類や数は、これに限られるものではない。また、以上の実施の形態で記載した塗布現像処理システム１の構成もこれに限られるものではない。また、以上の実施の形態における基板の処理システムは、フォトリソグラフィー処理を行う塗布現像処理システムであったが、他の処理を行うシステムであってもよい。さらに、本発明は、半導体ウェハ以外に、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板の処理システムにも適用できる。

本発明は、基板の処理システムにおいて、メンテナンスによる基板製品の生産性の低下を抑制する際に有用である。

塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。 塗布現像処理システムの構成の概略を示す側面図である。 塗布現像処理システムの第２のブロックの構成を示す側面図である。 第１のブロックの現像装置、第２のブロックの熱処理装置、メイン搬送装置及びシャトル搬送装置の配置を示す説明図である。 本実施の形態におけるフォトリソグラフィー処理のフロー図である。 塗布現像処理システムにおけるフォトリソグラフィー処理の処理経路と、前段処理と後段処理のスループットの関係を示す模式図である。 前段処理、露光処理及び後段処理における一定枚数のウェハの処理時間を示す説明図である。

符号の説明

１ 塗布現像処理システム
２ カセットステーション
３ 処理ステーション
４ 露光装置
６０ バッファカセット
Ｐ１ 前段処理
Ｐ２ 後段処理
Ｗ ウェハ

Claims (8)

1. 基板を搬入出する搬入出部と、基板に対し複数の処理を行う処理部を有し、フォトリソグラフィー処理を行う基板の処理システムにおいて、搬入出部から搬入された基板を処理部で処理し、当該基板を処理部から隣接し、基板を露光処理する露光装置である外部装置に搬出し、その後外部装置から処理部に戻された基板を処理部で処理し搬入出部に戻す、基板の処理方法であって、
   搬入出部から搬入されてから外部装置に搬出されるまでに行われ、基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成処理を含む前段の基板処理のスループットが、外部装置から戻されてから搬入出部に戻されるまでに行われ、基板の現像処理を含む後段の基板処理のスループットよりも高く設定されており、
   前記前段の基板処理が終了した基板を基板収容部に収容して貯め、
   前記前段の基板処理を行う処理部のメンテナンスを行う際、前記後段の基板処理を継続して行うことを特徴とする、基板の処理方法。
2. 前記後段の基板処理のスループットは、外部装置における基板処理のスループットと同じかそれより高く設定されていることを特徴とする、請求項１に記載の基板の処理方法。
3. 前記搬入出部、前記処理部、インターフェイス部及び前記外部装置は、この順で一体に形成され、
   前記処理部には、前記前段の基板処理を行う処理装置と前記後段の基板処理を行う処理装置が積層され、
   前記前段の基板処理を行う処理装置のメンテナンスを行う際、前記後段の基板処理を行う処理装置を作動させて当該後段の基板処理を継続して行うことを特徴とする、請求項１又は２に記載の基板の処理方法。
4. 基板を搬入出する搬入出部と、基板に対し複数の処理を行う処理部を有し、搬入出部から搬入された基板を処理部で処理し、当該基板を処理部から隣接し、基板を露光処理する露光装置である外部装置に搬出し、その後外部装置から処理部に戻された基板を処理部で処理し搬入出部に戻す、フォトリソグラフィー処理を行う基板の処理システムであって、
   搬入出部から搬入されてから外部装置に搬出されるまでに行われ、基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成処理を含む前段の基板処理のスループットが、外部装置から戻されてから搬入出部に搬出されるまでに行われ、基板の現像処理を含む後段の基板処理のスループットよりも高くなるように制御し、且つ前記前段の基板処理を行う処理部のメンテナンスを行う際、前記後段の基板処理を継続して行うように制御する制御部と、
   前記前段の基板処理の終了した基板を収容して貯める基板収容部と、を有することを特徴とする、基板の処理システム。
5. 前記後段の基板処理のスループットは、外部装置における基板処理のスループットと同じかそれより高く設定されていることを特徴とする、請求項４に記載の基板の処理システム。
6. 前記搬入出部には、当該搬入出部内の基板を処理部に搬送する第１の搬送装置と、処理部内の基板を搬入出部に搬送する第２の搬送装置が設けられていることを特徴とする、請求項４又は５に記載の基板の処理システム。
7. 前記搬入出部、前記処理部、インターフェイス部及び前記外部装置は、この順で一体に形成され、
   前記処理部には、前記前段の基板処理を行う処理装置と前記後段の基板処理を行う処理装置が積層されていることを特徴とする、請求項４〜６のいずれかに記載の基板の処理システム。
8. 請求項１〜３のいずれかに記載の基板の処理方法を基板の処理システムによって実行させるために、当該基板の処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

Images