JP2007208064A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】一連の処理プロセスにおける異常の発生を即時に検知できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に対して一連の処理プロセスを行う基板処理装置において、各処理プロセスを行う処理部に対して基板の受け渡しを行う主搬送機構１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅの保持アーム１００ａ（１００ｂ）に質量測定手段として光学式センサーを取り付ける。光学式センサーが測定した保持アーム１００ａ，１００ｂのたわみ量から、各処理部から取り出される基板Ｗの質量を算出して、各種の処理プロセスが行われる前後の基板の質量データを得る。この質量データから、各処理プロセスについて処理プロセス前後の質量変化量を算出し、質量変化量が所定の数値領域にない場合、当該プロセスを行った処理部において異常が発生していると判断する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用の基板などの基板（以下、単に「基板」という）に、一連の処理を行う基板処理装置に関する。

このような基板処理装置おいては、歩留まりの低減の観点から、複数の基板に対して均一な処理を行うとともに、一連の処理プロセスにおける異常の発生を早期に検知することが求められている。

一般に、一連の処理プロセスにおける異常の発生は、処理が行われた基板を検査することによって検知される。このような検査装置として、例えば、基板上に形成されたパターンを光学式方法を用いて検査する検査装置などが知られている。

また、複数の基板に対して均一な処理を行う技術として、一連の処理プロセスを開始する前に測定した基板の質量に応じて熱処理プロセスの温調制御を行うことによって、質量が異なる基板間における熱履歴のばらつきを低減する技術が提案されている（特許文献１参照）。

特開２００１−３５８０４５号公報

しかしながら、一連の処理プロセスにおける異常の検出については次のような問題があった。すなわち、処理プロセスにおける異常の検出を別途の検査機器によって行う場合、一連の処理プロセスとは別のプロセスで異常の検知を行うため、異常の発生を即時に検知できないという点である。さらに、近年、ＥＥＣ(Equipment Engineering Capability)の観点から、プロセスにおける異常検出および異常の発生源や原因の分類（ＦＤＣ）を適確に行うことが一層重要となってきている。

また、一連の処理プロセス開始前の基板の質量に基づいて、処理プロセスの制御を行うことで、複数の基板に対して均一な処理を行うことについても次のような問題があった。すなわち、一連の処理プロセスにおいては、各処理が行われる度に基板の質量が微量に変化するため、一連の処理プロセスを開始する前に測定した基板の質量値では、各処理プロセスのそれぞれについて均一な処理を行うための高精度な制御を行うことが難しいという点である。

本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、各処理プロセスにおける異常の発生を一連の処理プロセスの中で検知できる基板処理装置を提供することを第１の目的としている。

また、複数の基板に対する処理のばらつきを低減できる基板処理装置を提供することを第２の目的としている。

請求項１の発明は、基板に対して一連の処理プロセスを行う基板処理装置において、基板に各種の処理プロセスを行うための複数の処理部と、前記複数の処理部に対して所定の順序で基板の受け渡しを行う搬送機構と、前記各種の処理プロセスうちの少なくともひとつの処理プロセスが行われる前後の基板の質量を測定する質量測定手段と、前記質量測定手段による基板の質量測定値に基づいて、前記複数の処理部のうち前記測定の結果に影響を及ぼす部分における異常の発生を検知する異常検知手段と、を備え、前記質量測定手段が、前記搬送機構に搭載されている。

請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記質量測定手段が、前記搬送機構が基板を前記複数の処理部のうちのいずれかの処理部から搬出する際に、当該搬出される基板の質量を測定する。

請求項３の発明は、請求項２に記載の基板処理装置において、前記搬送機構が、基板を水平姿勢で保持する保持アーム、を有し、前記質量測定手段が、前記複数の処理部のうちのいずれかの処理部にある基板を前記保持アームによって保持する際に、当該保持された基板の質量を測定する。

請求項４の発明は、請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記異常検知手段によって異常の発生が検知されたことを報知する異常報知手段、を備える。

請求項５の発明は、請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置において、前記異常検知手段が、前記質量測定値から、前記一連の処理プロセスのうちの一部の処理プロセスが行われる前後の基板の質量変化量を算出し、前記質量変化量に基づいて、前記複数の処理部のうちの、前記一部の処理プロセスを行う処理部における異常の発生を検知する。

請求項６の発明は、請求項５に記載の基板処理装置において、前記複数の処理部が、基板への所定の薬液塗布処理プロセスを行う薬液塗布処理部を有し、前記異常検知手段が、前記薬液塗布処理プロセスが行われる前後の基板の質量変化量が所定の数値領域内にない場合に、前記薬液塗布処理部において異常が発生したと判断する。

請求項７の発明は、請求項５または６に記載の基板処理装置において、前記複数の処理部が、基板への所定の熱処理プロセスを行う熱処理部を有し、前記異常検知手段が、前記熱処理プロセスが行われる前後の基板の質量変化量が所定の数値領域内にない場合に、前記熱処理部において異常が発生したと判断する。

請求項８の発明は、請求項５〜７のいずれかに記載の基板処理装置において、前記基板処理装置が液浸法による露光処理を行う露光装置に隣接するように配置されており、前記一連の処理プロセスが基板に対する感光剤の塗布処理プロセスと、現像処理プロセスとを含み、前記基板処理装置と前記露光装置とによって、基板に対して、前記感光剤の塗布処理と、前記露光処理と、前記現像処理とが順に行われ、前記質量測定値から前記露光処理が行われる前後の基板の質量変化量を算出し、前記質量変化量に基づいて、前記露光処理における異常の発生を検知する露光異常検知手段、を備える。

請求項９の発明は、基板に対して一連の処理プロセスを行う基板処理装置において、基板に各種の処理プロセスを行うための複数の処理部と、前記複数の処理部に対して所定の順序で基板の受け渡しを行う搬送機構と、前記各種の処理プロセスのうちの少なくともひとつの処理プロセスが行われる前後の基板の質量を測定する質量測定手段と、前記質量測定手段による基板の質量測定値に基づいて、前記一連の処理プロセスを構成する各々の処理プロセスのうちの少なくともひとつの処理プロセスの処理条件を調整するプロセス制御手段、を備える。

請求項１０の発明は、請求項９に記載の基板処理装置において、前記プロセス制御手段が、前記一連の処理プロセスのうちの特定の処理プロセスが行われた後の基板の質量測定値に基づいて、当該基板に対する前記一連の処理プロセスのうち、前記特定の処理プロセスの後に続く処理プロセスの処理条件を調整する。

請求項１１の発明は、請求項９または１０に記載の基板処理装置において、前記プロセス制御手段が、前記質量測定値から、前記一連の処理プロセスのうちの特定の処理プロセスの前後の基板の質量変化量を算出し、前記質量変化量に基づいて、前記特定の処理プロセスを行う処理部の処理条件を調整する。

請求項１２の発明は、基板に対して一連の処理工程を行う基板処理方法において、前記一連の処理工程を構成する各処理工程のうちの少なくともひとつの処理工程の前後に基板の質量を測定する質量測定工程、を備え、前記質量測定工程によって得られた質量測定値に基づいて、当該処理工程における異常の発生を検知する。

請求項１３の発明は、基板に対して一連の処理工程を行う基板処理方法において、前記一連の処理工程を構成する各処理工程のうちの少なくともひとつの処理工程の前後に基板の質量を測定する質量測定工程、を備え、前記質量測定工程によって得られた質量測定値に基づいて、前記一連の処理工程の少なくともひとつの処理条件を調整する。

請求項１〜８，１２の発明によれば、各種の処理プロセスが行われる前後の基板の質量を測定し、この質量測定値に基づいて異常の発生の検知を行うため、各処理プロセスにおける異常の発生を一連の処理プロセスの中で検知できる。

請求項２および請求項３の発明によれば、処理部から搬出される際の基板の質量を測定するので、各処理プロセスが行われる前後の精確な基板の質量測定値を得ることができる。このため、処理部における異常の発生を確実に検知することができる。

請求項５の発明によれば、一連の処理プロセスのうちの一部の処理プロセスが行われる前後の基板の質量変化量に基づいて、処理部における異常の発生を検知することができるので、質量変化を伴う処理を行う処理部における異常の発生を適確に検知することができる。

請求項９〜１１，１３の発明によれば、各種の処理プロセスが行われる前後の基板の質量測定値に基づいて、一連の処理プロセスを構成する各々の処理プロセスの処理条件を調整するので、質量の違いに起因する処理のばらつきを低減し、複数の基板に対して均一な処理を行うことができる。

請求項１０の発明によれば、一連の処理プロセスのうちの特定の処理プロセスを行われた後の基板の質量測定値に基づいて、後に続く処理プロセスの処理条件を調整するので、処理条件の調整に用いられる質量測定値と実際に処理が行われる基板の質量との間で誤差が生じにくい。このため、基板の質量に応じた均一で精確な処理を行うことができる。また、一部の処理において生じた基板の質量変化を後続の処理に反映させることによって、特定の処理に関連する後続の処理を適切に行うことができる。

請求項１１の発明によれば、一連の処理プロセスのうちの特定の処理プロセスを行われた前後の基板の質量変化量に基づいて、当該特定の処理プロセスを行う処理部の処理条件を調整するので、処理のばらつきを低減させ、基板に対して常に一定の処理を行うことができる。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。

〈１．基板処理装置の装置構成〉
図１は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の平面図、図２はその正面図、図３は熱処理部の正面図である。図１〜図４の各図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。

図１を参照する。本実施の形態に係る係る基板処理装置は大きく分けて、インデクサブロック１と、基板Ｗに対して所定の薬液処理および乾燥処理を行う４つの処理ブロック（具体的には反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４、および乾燥処理ブロック５）と、インターフェイスブロック６とからなり、これらのブロックを併設して構成されている。インターフェイスブロック６には本実施の形態に係る基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置（ステッパー）ＳＴＰが併設される。露光装置ＳＴＰにおいては、液浸法による基板Ｗの露光処理が行われる。

〈１−１．各ブロックの構成〉
インデクサブロック１は、基板Ｗを多段に収納するカセットＣからの基板Ｗの取り出しや、カセットＣへの基板Ｗの収納を行う機構であり、複数個のカセットＣを並べて載置するカセット載置台１１と、各カセットＣから未処理の基板Ｗを順に取り出すとともに、各カセットＣに処理済みの基板Ｗを順に収納するインデクサ用搬送機構１２とを備える。

インデクサ用搬送機構１２は、カセット載置台１１に沿って（Ｙ方向）に水平移動可能な可動台１２１を備えている。また、可動台１２１には基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム１２０が搭載されている。保持アーム１２０は、可動台１２１上を昇降（Ｚ方向）移動、水平面内の旋回（θ方向）移動、および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。

インデクサブロック１と、隣接する反射防止膜用処理ブロック２との間には、雰囲気遮断用の隔壁７が設けられている。この隔壁７には、インデクサブロック１と反射防止膜用処理ブロック２との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、インデクサブロック１から反射防止膜用処理ブロック２へ基板Ｗを払い出すために、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、反射防止膜用処理ブロック２からインデクサブロック１へ基板Ｗを戻すために、それぞれ設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２は、隔壁７を部分的に貫通して設けられている。

基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサー（図示省略）が設けられており、センサーの出力信号に基づいてインデクサ用搬送機構１２や、後述する反射防止膜用処理ブロック２の主搬送機構１０Ａが、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２に対して基板Ｗの受け渡しを行うか否かを判断する。なお、支持ピンおよび光学センサーは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１２にも設けられている。

反射防止膜用処理ブロック２は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下部に反射防止膜を塗布形成するための機構であり、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成するための反射防止膜用塗布処理部２１と、反射防止膜の塗布形成に関連して基板Ｗに熱処理を行う反射防止膜用熱処理部２２と、反射防止膜用塗布処理部２１および反射防止膜用熱処理部２２に対して基板Ｗの受け渡しを行う第１の主搬送機構１０Ａとを備える。反射防止膜用処理ブロック２は、第１の主搬送機構１０Ａを挟んで、反射防止膜用塗布処理部２１（装置正面側）と反射防止膜用熱処理部２２（装置背面側）とが対向して配置されている。なお、第１の主搬送機構１０Ａについては後に説明する。

図２に示すように、反射防止膜用塗布処理部２１は、３つの塗布ユニットＢＡＲＫを上下に積層配置して構成されている。塗布ユニットＢＡＲＫは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック２１１や、スピンチャック２１１上に吸着保持された基板Ｗ上に反射防止膜の塗布液を供給するノズル２１２を備えている。

図３に示すように、反射防止膜用熱処理部２２は、基板Ｗを所定の温度まで加熱する複数個の加熱プレートＨＰ、加熱された基板Ｗを常温にまで冷却する複数個の冷却プレートＣＰなどが上下に積層配置して構成されている。また、最下部には、加熱プレートＨＰおよび冷却プレートＣＰの温度を制御するローカルコントローラＣＯＮＴが配置されている。なお、加熱プレートＨＰ、冷却プレートＣＰに加えて、レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気下で基板Ｗを熱処理する、アドヒージョン処理部ＡＨＬを設ける構成でもよい。

反射防止膜用処理ブロック２と、隣接するレジスト膜用処理ブロック３との間にも、雰囲気遮断用の隔壁７が設けられている。この隔壁７には、反射防止膜用処理ブロック２とレジスト膜用処理ブロック３との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は基板Ｗを払い出すために、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は基板Ｗを戻すために、それぞれ設けられている。なお、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４の下側に、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の冷却プレート（図示省略）を設けてもよい。
レジスト膜用処理ブロック３は、フォトレジスト膜を塗布形成するための機構であり、反射防止膜が形成された基板Ｗにフォトレジスト膜を塗布形成するレジスト膜用塗布処理部３１と、フォトレジスト膜の塗布形成に関連して基板Ｗに熱処理を行うレジスト膜用熱処理部３２と、レジスト膜用塗布処理部３１およびレジスト膜用熱処理部３２に対して基板Ｗの受け渡しを行う第２の主搬送機構１０Ｂとを備える。レジスト膜用処理ブロック３は、第２の主搬送機構１０Ｂを挟んで、レジスト膜用塗布処理部３１（装置正面側）とレジスト膜用熱処理部３２（装置背面側）とが対向して配置されている。第２の主搬送機構１０Ｂは、第１の主搬送機構１０Ａと同様の構成を備えている。

図２に示すように、レジスト膜用塗布処理部３１は、３つの塗布ユニットＲＥＳを上下に積層配置して構成されている。塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３１１や、スピンチャック３１１上に吸着保持された基板Ｗ上にレジスト膜の塗布液を供給するノズル３１２を備えている。

図３に示すように、レジスト膜用熱処理部３２は、基板Ｗを所定の温度まで加熱する基板仮置部付きの複数個の加熱部ＰＨＰや複数個の冷却プレートＣＰなどが上下に積層配置して構成されている。また、最下部に加熱部ＰＨＰおよび冷却プレートＣＰの温度を制御するローカルコントローラＣＯＮＴが配置されている。加熱部ＰＨＰは、基板Ｗを載置して加熱処理をする加熱プレートＨＰと、この加熱プレートＨＰから離れた上方位置もしくは下方位置に基板Ｗを載置しておく基板仮置部（図示省略）と、加熱プレートＨＰと基板仮置部との間で基板Ｗを搬送するローカル搬送機構３２０（図１参照）とを備えている。ローカル搬送機構３２０は、加熱プレートＨＰおよび基板仮置部を挟んで第２の主搬送機構１０Ｂの反対側（装置背面側）に設置されている。

レジスト膜用処理ブロック３と、隣接する現像処理ブロック４との間にも、雰囲気遮断用の隔壁７が設けられている。この隔壁７には、レジスト膜用処理ブロック３と現像処理ブロック４との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は基板Ｗを払い出すために、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は基板Ｗを戻すために、それぞれ設けられている。なお、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６の下側にも、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の冷却プレート（図示省略）を設けてもよい。

現像処理ブロック４は、液浸法によって露光された基板Ｗに現像処理を行うための機構であり、露光後に乾燥された基板Ｗに現像処理を行う現像処理部４１と、現像処理に関連して基板Ｗに熱処理を行う現像用熱処理部４２と、現像処理部４１および現像用熱処理部４２に対して基板Ｗの受け渡しを行う第３の主搬送機構１０Ｃとを備える。現像処理ブロック４は、第３の主搬送機構１０Ｃを挟んで、現像処理部４１（装置正面側）と現像用熱処理部４２（装置背面側）とが対向して配置されている。第３の主搬送機構１０Ｃは、第１の主搬送機構１０Ａと同様の構成を備えている。

図２に示すように、現像処理部４１は、５つの現像処理ユニットＤＥＶを上下に積層配置して構成されている。現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック４１１や、スピンチャック４１１上に吸着保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル４１２を備えている。

図３に示すように、現像用熱処理部４２は、複数個の加熱プレートＨＰ、冷却プレートＣＰなどが上下に積層配置して構成されている。また、最下部に加熱プレートＨＰおよび冷却プレートＣＰの温度を制御するローカルコントローラＣＯＮＴが配置されている。

現像処理ブロック４と、隣接する乾燥処理ブロック５との間にも、雰囲気遮断用の隔壁７が設けられている。この隔壁７には、現像処理ブロック４と乾燥処理ブロック５との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は基板Ｗを払い出すために、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は基板Ｗを戻すために、それぞれ設けられている。

乾燥処理ブロック５は、液浸法によって露光された基板Ｗの乾燥処理および露光後ベークを行うための機構であり、露光された基板Ｗに乾燥処理を行う乾燥処理部５１と、基板Ｗに露光後ベークを行う露光後ベーク用熱処理部５２と、乾燥処理部５１および露光後ベーク用熱処理部５２に対して基板Ｗの受け渡しを行う第４の主搬送機構１０Ｄとを備える。乾燥処理ブロック５は、第４の主搬送機構１０Ｄを挟んで、乾燥処理部５１（装置正面側）と露光後ベーク用熱処理部５２（装置背面側）とが対向して配置されている。第４の主搬送機構１０Ｄは、第１の主搬送機構１０Ａと同様の構成を備えている。

図２に示すように、乾燥処理部５１は、３つの乾燥処理ユニットＤＲＹを上下に積層配置して構成されている。乾燥処理ユニットＤＲＹは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１１や、スピンチャック５１１上に吸着保持された基板Ｗ上に洗浄液やリンス液、および窒素ガスを供給するノズル５１２を備えている。このような構成において、乾燥処理ユニットＤＲＹは、スピンチャック５１１によって保持された基板Ｗを回転し、その表面にノズル５１２より洗浄液などを供給して基板Ｗの洗浄を行う。洗浄処理が終了すると、続いて、ノズル５１２より窒素ガスを供給しながらスピンチャック５１１によって保持された基板Ｗを回転することで基板Ｗの乾燥を行う。

図３に示すように、露光後ベーク用熱処理部５２は、複数個の加熱部ＰＨＰ、加熱プレートＨＰ、冷却プレートＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に積層配置して構成されている。また、最下部に加熱部ＰＨＰ、加熱プレートＨＰおよび冷却プレートＣＰの温度を制御するローカルコントローラＣＯＮＴが配置されている。なお、上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は基板Ｗを払い出すために、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は基板Ｗを戻すために、それぞれ設けられている。また、加熱部ＰＨＰは、加熱プレートＨＰ、基板仮置部（図示省略）およびローカル搬送機構５２０（図１参照）を備えている。

インターフェイスブロック６は、本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受け渡しを行う機構であり、インターフェイス用搬送機構６０と、基板送り用のバッファＳＢＦと、第５の主搬送機構１０Ｅと、２つのエッジ露光部ＥＥＷと、基板戻し用のバッファＲＢＦと、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２と、を備える。

インターフェイス用搬送機構６０は、本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受け渡しを行う機構であり、図１および図４に示すように、Ｙ方向に水平移動可能な可動台６０１を備えている。可動台６０１には基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム６００が搭載されている。保持アーム６００は、可動台６０１上を昇降（Ｚ方向）移動、水平面内の旋回（θ方向）移動、および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。また保持アーム６００には、光学式センサーｓが取り付けられている。

インターフェイス用搬送機構６０の搬送経路の一端（図４に示す位置Ｐ１）は基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２の下方にまで延びており、この位置Ｐ１で露光装置ＳＴＰとの基板Ｗの受け渡しを行う。また、搬送経路の他端（図４に示す位置Ｐ２）では、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２に対する基板Ｗの受け渡しおよび基板送り用のバッファＳＢＦに対する基板Ｗの受け渡しを行う。基板送り用のバッファＳＢＦは、露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れをできない場合に、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するものであり、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。

第５の主搬送機構１０Ｅは、乾燥処理ブロック５およびエッジ露光部ＥＥＷに対して基板Ｗの受け渡しを行うものであり、第１の主搬送機構１０Ａと同様の構成を備えている。

エッジ露光部ＥＥＷは、フォトレジストが塗布形成された基板Ｗの周縁部を露光するものであり、インターフェイスブロック６の中央部に上下に積層配置されている。図２に示すように、エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１１や、スピンチャック６１１上に吸着保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器６１２を備えている。

また、図２に示すように、エッジ露光部ＥＥＷの下側には基板戻し用のバッファＲＢＦがあり、さらにその下に基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が積層配置されている。基板戻し用のバッファＲＢＦは、故障などのために乾燥処理ブロック５が基板Ｗの乾燥処理をすることができない場合に、露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管するものであり、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。

基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２は、第５の主搬送機構１０Ｅとインターフェイス用搬送機構６０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置するものであり、上側の基板載置部ＰＡＳＳ１１は基板Ｗを払い出すために、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１２は基板Ｗを戻すために、それぞれ設けられている。

以上の各ブロック１〜６内には、清浄空気がダウンフローの状態で供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック１〜６内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれており、外部環境からのパーティクルなどの侵入を防いでいる。

〈１−２．第１の主搬送機構１０Ａ〉
第１の主搬送機構１０Ａについて説明する。なお、第２〜第５の各主搬送機構１０Ｂ〜１０Ｅも第１の主搬送機構１０Ａと同様に構成されている。以下、第１〜第５の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｅについて特に区別しない場合には単に主搬送機構１０という。

図５は、主搬送機構１０の平面図（ａ）および正面図（ｂ）である。主搬送機構１０の基台１０１は、装置基台に対して固定設置されている。基台１０１上には、螺軸１０２が回転可能に立設支持されている。また、この螺軸１０２を回転駆動するモータ１０３が基台１０１に設けられている。螺軸１０２には、昇降台１０４が螺合されており、モータ１０３が螺軸１０２を回転駆動することにより昇降台１０４がガイド軸１０７に案内されて昇降移動する（矢印ＡＲ１）。

昇降台１０４には、アーム基台１０５が縦軸心周りに旋回可能（矢印ＡＲ２）に搭載されている。また、このアーム基台１０５を旋回駆動するモータ１０６が昇降台１０４に設けられている。

アーム基台１０５上には、２つの保持アーム１００ａ，１００ｂが上下に配設されている。また、アーム基台１０５には各保持アーム１００ａ，１００ｂを各々独立にアーム基台１０５の旋回半径方向に進退移動可能（矢印ＡＲ３）にする駆動機構（図示省略）が設けられている。

保持アーム１００ａ，１００ｂは、先端部が「Ｃ」の字状になっており、この「Ｃ」の字状のアームの内側には内方に突き出た複数本のピン１０１が設けられている。この複数本のピン１０１によって基板Ｗの周縁を下方から支持することができる。なお、２つの保持アーム１００ａ，１００ｂは同様の構成を有しており、以下、各保持アーム１００ａ，１００ｂについて特に区別しない場合には単に保持アーム１００という。

次に保持アーム１００に保持された基板Ｗの質量の測定手段について説明する。図６は第１の主搬送機構１０Ａにおいて、保持アーム１００に保持された基板Ｗの質量測定を示す概念図である。ただし、他の主搬送機構１０Ｂ〜１０Ｅも同様の構成を有している。図６に示すように、保持アーム１００ａの「Ｃ」の字状の部分を支持する保持アーム１００ａの軸部分には、光学式センサーｓが取り付けられている。なお、図６には示されていないが、同様に保持アーム１００ｂの軸部分にも、光学式センサーｓが取り付けられている（図５（ｂ）参照）。図６に示すように、この光学式センサーｓは、保持アーム１００ａが基板Ｗを保持した際（仮想線位置）に、保持アーム１００ａに生じるたわみ量Ｂを測定する。測定されたたわみ量Ｂから、各保持アーム１００ａに保持された基板Ｗの質量値が得られ、後述するセルコントローラＣＴ２に送信される。

なお、たわみ量Ｂはレーザー変位計などを用いて測定してもよい。また、光学式センサーｓなどは、アーム基台１０５に取り付けてもよい。さらに、基板Ｗを保持しない状態の保持アーム１００と同じ高さ位置にレーザー変位計などを固定しておき、基板Ｗを保持した際に保持アーム１００に生じるたわみ量Ｂを測定してもよい。このようにたわみ量Ｂを測定するにあたっては、基板Ｗを保持アーム１００ａで受け取り、上昇する時の値を採るようにするのがより好ましい。かかる上昇時のたわみ量が大きく、差を求めやすいからである。

保持アーム１００に保持された基板Ｗの質量を測定する方法は上記のように各保持アーム１００に生じるたわみ量Ｂを測定するものに限らない。例えば、各保持アーム１００の「Ｃ」の字状部分に、歪みゲージを貼り付けることによって基板Ｗの質量を測定してもよい。この場合、保持アーム１００に基板Ｗが保持された際に保持アーム１００に生じる歪み量を歪みゲージが電気抵抗値の変化として検出し、検出された歪み量から、各保持アーム１００に保持された基板Ｗの質量値が得られる。歪みゲージは、「Ｃ」の字状部分の互いに異なる位置に複数個貼り付けてもよい。また、基台１０１に電子天秤などの精密な質量測定機器を搭載し、保持アーム１００の各々に保持された基板Ｗの質量を算出する構成でもよい。

〈１−３．警報ランプ〉
図１に示すように、インデクサブロック１と、４つの処理ブロック（すなわち反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４、および乾燥処理ブロック５）のそれぞれの外壁面には、異常報知用の警報ランプＡ１〜Ａ５が設けられている。また、インターフェイスブロック６の外壁面には２つの警報ランプＡ６，Ａ７が設けられている。警報ランプＡ１〜Ａ７は、それぞれ後述するセルコントローラと接続されており、各々が接続されたセルコントローラもしくはメインコントローラからの指示によってランプを点灯させ、各ブロック１〜６における異常の発生を外部に報知する。

なお、異常の発生を外部に報知する方法はこのような警報ランプＡ１〜Ａ７を設けるものに限らず、例えば、警報アラーム音を発生させるものであってもよい。また、警報ランプＡ１〜Ａ７は、複数の点灯色や点滅など各種の点灯方法を選択可能とする構成でもよい。

〈２．基板処理装置の制御系〉
本実施の形態に係る基板処理装置は、装置全体を複数の被制御ユニット（以下において「セル」という。）に分割し、セル毎に制御を行う。具体的には、各セルに対応するセルコントローラが、当該セル内での処理状況や基板Ｗの搬送状況などの制御を、各々独立して行う。

図７は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の各ブロック１〜６の配置を示す平面図（ａ）および本発明の実施の形態に係る基板処理装置の各セルＣ１〜Ｃ７の配置を示す平面図（ｂ）である。図８は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の制御系を示す図である。

図７を参照する。各セルＣ１〜Ｃ７は、インデクサ用搬送機構１２、第１〜５の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｅおよびインターフェイス用搬送機構６０の各々が基板Ｗの受け渡しを行う範囲を基準に分割されている。

インデクサセルＣ１は、インデクサブロック１と対応する。すなわち、インデクサセルＣ１は、インデクサ用搬送機構１２が基板Ｗの受け渡しを行う範囲を基準に分割された要素であり、セルコントローラＣＴ１（図８参照）によって制御される。

反射防止膜用処理セルＣ２は、反射防止膜用処理ブロック２と対応する。すなわち、反射防止膜用処理セルＣ２は、第１の主搬送機構１０Ａが基板Ｗの受け渡しを行う範囲を基準に分割された要素であり、セルコントローラＣＴ２（図８参照）によって制御される。

レジスト膜用処理セルＣ３は、レジスト膜用処理ブロック３と対応する。すなわち、レジスト膜用処理セルＣ３は、第２の主搬送機構１０Ｂが基板Ｗの受け渡しを行う範囲を基準に分割された要素であり、セルコントローラＣＴ３（図８参照）によって制御される。

現像処理セルＣ４は、現像処理ブロック４と対応する。すなわち、現像処理セルＣ４は、第３の主搬送機構１０Ｃが基板Ｗの受け渡しを行う範囲を基準に分割された要素であり、セルコントローラＣＴ４（図８参照）によって制御される。

乾燥処理セルＣ５は、乾燥処理ブロック５と対応する。すなわち、乾燥処理セルＣは、第４の主搬送機構１０Ｄが基板Ｗの受け渡しを行う範囲を基準に分割された要素であり、セルコントローラＣＴ５（図８参照）によって制御される。

エッジ露光処理セルＣ６は、インターフェイスブロック６の一部分、具体的には、２つのエッジ露光部ＥＥＷ、第５の主搬送機構１０Ｅおよび基板戻し用バッファＲＢＦ、と対応する。すなわち、エッジ露光処理セルＣ６は、第５の主搬送機構１０Ｅが基板Ｗの受け渡しを行う範囲を基準に分割された要素であり、セルコントローラＣＴ６（図８参照）によって制御される。

インターフェイスセルＣ７は、インターフェイスブロック６の一部分、具体的には、２つのエッジ露光部ＥＥＷ、第５の主搬送機構１０Ｅおよび基板戻し用バッファＲＢＦを除く部分と対応する。すなわち、インターフェイスセルＣ７は、インターフェイス用搬送機構６０が基板Ｗの受け渡しを行う範囲を基準に分割された要素であり、セルコントローラＣＴ７（図８参照）によって制御される。

図８に示すように、各セルＣ１〜Ｃ７は、各々対応するセルコントローラＣＴ１〜ＣＴ７によって独立に制御される。各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ７は、それぞれメモリ１０１〜１０７とＣＰＵ１１１〜１１７を備えている。また、セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ７はメインコントローラＭＣと接続されている。

メモリ１０１にはインデクサセルＣ１から送信されるデータやプログラムなどが格納され、ＣＰＵ１１１にメモリ１０１に格納されたプログラムに従ってインデクサセルＣ１の制御やインデクサセルＣ１における異常の検知を行う。他のセルセルコントローラＣＴ２〜ＣＴ７についても同様である。

メインコントローラＭＣは、各セルＣ１〜Ｃ７に含まれる処理部を制御して基板処理装置による半導体製造工程を管理する制御装置であり、プログラムや変数などを格納するメモリ１０８と、メモリ１０８に格納されたプログラムに従って基板処理装置を制御するＣＰＵ１１８とを備えている。

メインコントローラＭＣは各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ７と有線または無線ネットワークを介して通信可能に接続されており、セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ７から各セルＣ１〜Ｃ７についての情報を受信することができる。メインコントローラＭＣは、受信した情報に基づいて各セルＣ１〜Ｃ７を制御する。

〈３．基板処理装置の動作〉
次に、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の動作について説明する。なお、以下の動作は、メインコントローラＭＣおよび各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ４の制御下で行われる。

インデクサセルＣ１の動作について説明する。なお、インデクサセルＣ１の動作は、セルコントローラＣＴ１の制御下で自動に行われる。はじめに、インデクサ用搬送機構１２が、所定のカセットＣに収納された未処理の基板Ｗを取り出して基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。また、基板載置部ＰＡＳＳ２に現像処理済みの基板Ｗが載置されていることが検出されると、基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された処理済みの基板Ｗを受け取って、所定のカセットＣに収納する。インデクサ用搬送機構１２は、この動作を反復して行う。

反射防止膜用処理セルＣ２の動作について説明する。なお、反射防止膜用処理セルＣ２の動作は、セルコントローラＣＴ２の制御下で自動に行われる。基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗが載置されていることが検出されると、第１の主搬送機構１０Ａの一方の保持アーム１００に保持している現像処理済みの基板Ｗを、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２に載置するとともに、基板載置部ＰＡＳＳ１上に置かれている未処理の基板Ｗを他方の保持アーム１００によって保持する。このとき、保持アーム１００に取り付けられた光学式センサーｓによって測定されたたわみ量Ｂより、保持アーム１００上に保持された未処理基板Ｗの質量が算出され、続いてセルコントローラＣＴ２に送信される。セルコントローラＣＴ２において受信された質量データは、メモリ１０２に記憶される。

基板Ｗの受け渡し動作は、さらに具体的に説明すると以下のように行われる。すなわち、まず現像処理済み基板Ｗを保持している方の保持アーム１００（例えば保持アーム１００ｂとする）を前進移動させて基板載置部ＰＡＳＳ２上に置く。現像処理済み基板Ｗを渡した保持アーム１００ｂは、後退移動して元の位置に戻る。続いて、２つの保持アーム１００ａ、１００ｂを一体にわずかに上昇させた後に、他方の保持アーム１００ａを前進移動させて、基板載置部ＰＡＳＳ１上に置かれた未処理基板Ｗをその保持アーム１００ａ上に受け取る。未処理基板Ｗを受け取った保持アーム１００ａは、後退移動して元の位置に戻る。

また、保持アーム１００上に保持された未処理基板Ｗの質量測定は、以下のように行われる。例えば、保持アーム１００ａが未処理基板Ｗを保持するとき、すなわち、保持アーム１００ａを前進移動させて基板載置部ＰＡＳＳ１の支持ピン上に置かれている未処理基板Ｗの下部に挿入し、さらにわずかに上昇させて、保持アーム１００ａに設けられた複数のピン１０１によって下方から支持された基板Ｗを持ち上げるとき、保持した基板Ｗの重みによって保持アーム１００ａにはたわみが生じる。保持アーム１００ａに取り付けられた光学式センサーｓは、保持アーム１００ａに生じたたわみ量Ｂを測定し、測定されたたわみ量Ｂから保持された基板Ｗの質量を算出してセルコントローラＣＴ２に送信する（図６参照）。

なお、以下においても第１の主搬送機構１０Ａの保持アーム１００が基板Ｗを保持する際には、これと同様の動作によって、保持アーム１００に取り付けられた光学式センサーｓがたわみ量Ｂを測定し、測定されたたわみ量Ｂから保持された基板Ｗの質量が算出されてセルコントローラＣＴ２に送信される。これによって、反射防止膜用処理セルＣ２の各処理部で行われる処理プロセスの前後の基板Ｗの質量データがセルコントローラＣＴ２に送信されることになる。ただし、例えば基板載置部ＰＡＳＳ４上に置かれている現像処理済みの基板Ｗを保持する際のように、基板載置部間を移動させるために基板Ｗを保持する際には質量の測定を行わなくてもよい。

基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第１の主搬送機構１０Ａは、反射防止膜用熱処理部２２の所定の冷却プレートＣＰ上に置かれている冷却処理済みの基板Ｗを空の保持アーム１００によって保持するとともに、他方の保持アーム１００に保持している未処理基板Ｗを、この冷却プレートＣＰ上に置く。冷却プレートＣＰに置かれた基板Ｗには、所定の熱処理が行われる。

冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第１の主搬送機構１０Ａは、反射防止膜用塗布処理部２１の所定の塗布ユニットＢＡＲＫのスピンチャック２１１上にある反射防止膜の塗布処理済みの基板Ｗを空の保持アーム１００によって保持するとともに、他方の保持アーム１００に保持している冷却処理済みの基板Ｗを、このスピンチャック２１１上に置く。スピンチャック２１１上に置かれた基板Ｗには、反射防止膜の塗布処理が行われる。

反射防止膜用塗布処理部２１に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第１の主搬送機構１０Ａは、反射防止膜用熱処理部２２の所定の加熱プレートＨＰ上に置かれている加熱処理済みの基板Ｗを空の保持アーム１００によって保持するとともに、他方の保持アーム１００に保持している反射防止膜の塗布処理済みの基板Ｗを、この加熱プレートＨＰ上に置く。加熱プレートＨＰに置かれた基板Ｗには、所定の熱処理が行われ、基板Ｗ上に形成された反射防止膜に含まれる余剰の溶剤が除去される。

加熱プレートＨＰに対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第１の主搬送機構１０Ａは、反射防止膜用熱処理部２２の所定の冷却プレートＣＰ上にある冷却処理済みの基板Ｗを空の保持アーム１００によって保持するとともに、他方の保持アーム１００に保持している加熱処理済みの基板Ｗを、この冷却プレートＣＰ上に置く。冷却プレートＣＰ上に置かれた基板Ｗには、所定の熱処理が行われる。

冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第１の主搬送機構１０Ａは、基板載置部ＰＡＳＳ４上に置かれている現像処理済みの基板Ｗを空の保持アーム１００によって保持するとともに、他方の保持アーム１００に保持している冷却処理済みの基板Ｗを、反射防止膜形成処理済みの基板Ｗとして、基板載置部ＰＡＳＳ３上に置く。

基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第１の主搬送機構１０Ａは、再び基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２に対する基板Ｗの受け渡しを行う。

レジスト膜用処理セルＣ３の動作について説明する。レジスト膜用処理セルＣ３の動作は、セルコントローラＣＴ３の制御下で自動に行われる。なお、第２の主搬送機構１０Ｂの保持アーム１００がレジスト膜用処理セルＣ３における各処理部に置かれている基板Ｗを保持する際にも、第１の主搬送機構１０Ａと同様、保持アーム１００に取り付けられた光学式センサーｓがたわみ量Ｂを測定し、測定されたたわみ量Ｂから保持された基板Ｗの質量が算出されてセルコントローラＣＴ３に送信される。

基板載置部ＰＡＳＳ３に反射防止膜の形成処理済みの基板Ｗが載置されていることが検出されると、第２の主搬送機構１０Ｂの一方の保持アーム１００に保持している現像処理済みの基板Ｗを、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４に載置するとともに、基板載置部ＰＡＳＳ３上に置かれている反射防止膜形成処理済みの基板Ｗを他方の保持アーム１００によって保持する。

基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第２の主搬送機構１０Ｂは、レジスト膜用熱処理部３２の所定の冷却プレートＣＰ上に置かれている冷却処理済みの基板Ｗを空の保持アーム１００によって保持するとともに、他方の保持アーム１００に保持している反射防止膜形成処理済みの基板Ｗを、この冷却プレートＣＰ上に置く。冷却プレートＣＰに置かれた基板Ｗには、所定の熱処理が行われる。

冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第２の主搬送機構１０Ｂは、レジスト膜用塗布処理部３１の所定の塗布ユニットＲＥＳのスピンチャック３１１上にあるレジスト膜の塗布処理済みの基板Ｗを空の保持アーム１００によって保持するとともに、他方の保持アーム１００に保持している冷却処理済みの基板Ｗを、このスピンチャック３１１上に置く。スピンチャック３１１上に置かれた基板Ｗには、レジスト膜の塗布処理が行われる。

レジスト膜用塗布処理部３１に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第２の主搬送機構１０Ｂは、レジスト膜用熱処理部３２の所定の加熱部ＰＨＰの基板仮置部に置かれている加熱処理済みの基板Ｗを空の保持アーム１００によって保持するとともに、他方の保持アーム１００に保持しているレジスト膜の塗布処理済みの基板Ｗを、この基板仮置部に置く。基板仮置部に置かれた基板Ｗは、その加熱部ＰＨＰのローカル搬送機構３２０によって加熱プレートＨＰ上に置かれ、所定の熱処理を行われる。また、熱処理が終了すると、再びローカル搬送機構３２０によって基板仮置部に置かれる。

加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第２の主搬送機構１０Ｂは、レジスト膜用熱処理部３２の所定の冷却プレートＣＰ上にある冷却処理済みの基板Ｗを空の保持アーム１００によって保持するとともに、他方の保持アーム１００に保持している加熱処理済みの基板Ｗを、この冷却プレートＣＰ上に置く。冷却プレートＣＰ上に置かれた基板Ｗには、所定の熱処理が行われる。

冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第２の主搬送機構１０Ｂは、基板載置部ＰＡＳＳ６上に置かれている現像処理済みの基板Ｗを空の保持アーム１００によって保持するとともに、他方の保持アーム１００に保持している冷却処理済みの基板Ｗを、レジスト膜の形成処理済みの基板Ｗとして、基板載置部ＰＡＳＳ５上に置く。

基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第２の主搬送機構１０Ｂは、再び基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しを行う。

現像処理セルＣ４の動作について説明する。現像処理セルＣ４の動作は、セルコントローラＣＴ４の制御下で自動に行われる。なお、第３の主搬送機構１０Ｃの保持アーム１００が基板Ｗを保持する際にも、保持アーム１００に取り付けられた光学式センサーｓがたわみ量Ｂを測定し、測定されたたわみ量Ｂから保持された基板Ｗの質量が算出されてセルコントローラＣＴ４に送信される。

基板載置部ＰＡＳＳ５にレジスト膜の形成処理済みの基板Ｗが載置されていることが検出されると、第３の主搬送機構１０Ｃの一方の保持アーム１００に保持している現像後熱処理済みの基板Ｗを、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６に載置するとともに、基板載置部ＰＡＳＳ５上に置かれているレジスト膜の形成処理済みの基板Ｗを他方の保持アーム１００によって保持する。

基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第３の主搬送機構１０Ｃは、基板載置部ＰＡＳＳ８上に置かれている乾燥処理済みの基板Ｗを空の保持アーム１００によって保持するとともに、他方の保持アーム１００に保持しているレジスト膜の形成処理済みの基板Ｗを、基板載置部ＰＡＳＳ７上に置く。

基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第３の主搬送機構１０Ｃは、現像用熱処理部４２の所定の冷却プレートＣＰ上にある冷却処理済みの基板Ｗを空の保持アーム１００ａによって保持するとともに、他方の保持アーム１００に保持している乾燥処理済みの基板Ｗを、この冷却プレートＣＰ上に置く。冷却プレートＣＰ上に置かれた基板Ｗには、所定の冷却処理が行われる。

現像用熱処理部４２に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第３の主搬送機構１０Ｃは、現像処理部４１の所定の現像処理ユニットＤＥＶのスピンチャック４１１上にある現像処理部済みの基板Ｗを空の保持アーム１００によって保持するとともに、他方の保持アーム１００に保持している冷却処理済みの基板Ｗを、このスピンチャック４１１上に置く。スピンチャック４１１上に置かれた基板Ｗには、現像処理が行われる。

現像処理部４１に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第３の主搬送機構１０Ｃは、現像用熱処理部４２の所定の加熱プレートＨＰ上にある現像熱処理済みの基板Ｗを空の保持アーム１００によって保持するとともに、他方の保持アーム１００に保持している現像処理済みの基板Ｗを、この加熱プレートＨＰ上に置く。加熱プレートＨＰ上に置かれた基板Ｗには、所定の熱処理が行われる。

加熱プレートＨＰに対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第３の主搬送機構１０Ｃは、再び基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しを行う。

乾燥処理セルＣ５の動作について説明する。なお、乾燥処理セルＣ５の動作は、セルコントローラＣＴ５の制御下で自動に行われる。なお、第４の主搬送機構１０Ｄの保持アーム１００が基板Ｗを保持する際にも、保持アーム１００に取り付けられた光学式センサーｓがたわみ量Ｂを測定し、測定されたたわみ量Ｂから保持された基板Ｗの質量が算出されてセルコントローラＣＴ５に送信される。

基板載置部ＰＡＳＳ７にレジスト膜の形成処理済みの基板Ｗが載置されていることが検出されると、第４の主搬送機構１０Ｄの一方の保持アーム１００に保持している露光後ベーク処理済みの基板Ｗを、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８に載置するとともに、基板載置部ＰＡＳＳ７上に置かれているレジスト膜の形成処理済みの基板Ｗを他方の保持アーム１００によって保持する。

基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、基板載置部ＰＡＳＳ１０上に置かれている露光処理済みの基板Ｗを空の保持アーム１００によって保持するとともに、他方の保持アーム１００に保持しているレジスト膜の形成処理済みの基板Ｗを、基板載置部ＰＡＳＳ９上に置く。

基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、乾燥処理部５１の所定の乾燥処理ユニットＤＲＹのスピンチャック５１１上に置かれている乾燥処理済みの基板Ｗを空の保持アーム１００によって保持するとともに、他方の保持アーム１００に保持している露光処理済みの基板Ｗを、このスピンチャック５１１上に置く。スピンチャック５１１上に置かれた基板Ｗには、洗浄および乾燥処理が行われる。

乾燥処理ユニットＤＲＹに対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、露光後ベーク用熱処理部５２の所定の加熱部ＰＨＰの基板仮置部１９に置かれている露光後ベーク処理済みの基板Ｗを空の保持アーム１００によって保持するとともに、他方の保持アーム１００に保持している乾燥処理済みの基板Ｗを、この基板仮置部１９に置く。

基板仮置部に置かれた基板Ｗは、その加熱部ＰＨＰのローカル搬送機構５２０によってその加熱部ＰＨＰの加熱プレートＨＰ上に置かれ、所定の熱処理を行われる。また、熱処理が終了すると、再びローカル搬送機構５２０によって基板仮置部に置かれる。

露光後ベーク用熱処理部５２に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、再び基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しを行う。

エッジ露光処理セルＣ６の動作について説明する。エッジ露光処理セルＣ６の動作は、セルコントローラＣＴ６の制御下で自動に行われる。なお、第５の主搬送機構１０Ｅの保持アーム１００が基板Ｗを保持する際にも、保持アーム１００に取り付けられた光学式センサーｓがたわみ量Ｂを測定し、測定されたたわみ量Ｂから保持された基板Ｗの質量が算出されてセルコントローラＣＴ６に送信される。

基板載置部ＰＡＳＳ９にレジスト膜の形成処理済みの基板Ｗが載置されていることが検出されると、第５の主搬送機構１０Ｅの一方の保持アーム１００に保持している露光処理済みの基板Ｗを、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置するとともに、基板載置部ＰＡＳＳ９上に置かれているレジスト膜の形成処理済みの基板Ｗを他方の保持アーム１００によって保持する。

基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第５の主搬送機構１０Ｅは、所定のエッジ露光部ＥＥＷのスピンチャック６１１に置かれている周辺露光済みの基板Ｗを空の保持アーム１００によって保持するとともに、他方の保持アーム１００に保持しているレジスト膜の形成処理済みの基板Ｗを、このスピンチャック６１１上に置く。スピンチャック６１１に置かれた基板Ｗには、周縁部の露光が行われる。

エッジ露光部ＥＥＷに対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第５の主搬送機構１０Ｅは、基板載置部ＰＡＳＳ１２上に置かれている露光処理済みの基板Ｗを空の保持アーム１００によって保持するとともに、他方の保持アーム１００に保持している周辺露光済みの基板Ｗを、基板載置部ＰＡＳＳ１１上に置く。

基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第５の主搬送機構１０Ｅは、再び基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しを行う。

インターフェイスセルＣ７の動作について説明する。なお、インターフェイスセルＣ７の動作は、セルコントローラＣＴ７の制御下で自動に行われる。なお、インターフェイス用搬送機構６０の保持アーム６００が基板Ｗを保持する際にも、保持アーム６００に取り付けられた光学式センサーｓがたわみ量Ｂを測定し、測定されたたわみ量Ｂから保持された基板Ｗの質量が算出されてセルコントローラＣＴ７に送信される。

基板載置部ＰＡＳＳ１１に周辺露光済みの基板Ｗが載置されていることが検出されると、インターフェイス用搬送機構６０は、基板載置部ＰＡＳＳ１１上に置かれている周辺露光処理済みの基板Ｗを保持アーム６００によって保持して露光装置ＳＴＰの搬入部（図示省略）に置く。露光装置ＳＴＰに渡された基板Ｗには、露光処理が行われる。

続いて、インターフェイス用搬送機構６０は、露光装置ＳＴＰの搬出部（図示省略）に置かれている露光処理済みの基板Ｗを保持アーム６００によって保持して基板載置部ＰＡＳＳ１２上に置く。

なお、露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れをできない場合、インターフェイス用搬送機構６０は、基板載置部ＰＡＳＳ１１に置かれた基板Ｗを受け取り、その基板ＷをバッファＳＢＦに一時的に収納する。バッファＳＢＦに収納可能な枚数だけ、処理が継続され、収納不可能になると予測された場合に、インデクサセルＣ１からの基板Ｗの払い出しを停止する。露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れが可能になると、インターフェイス用搬送機構６０は、バッファＳＢＦに収納した基板Ｗを順に取り出して露光装置ＳＴＰに渡す。

また、乾燥処理部５１が基板Ｗの受け入れをできない場合、インターフェイス用搬送機構６０は、露光装置ＳＴＰから露光処理済みの基板Ｗを受け取り、その基板ＷをバッファＲＢＦに一時的に収納する。この場合も、バッファＲＢＦに収納可能な枚数だけ、処理が継続され、収納不可能になると予測された場合に、インデクサセルＣ１からの基板Ｗの払い出しを停止する。乾燥処理部５１が基板Ｗの受け入れが可能になると、インターフェイス用搬送機構６０は、バッファＲＢＦに収納した基板Ｗを順に取り出して乾燥処理部５１に渡す。

〈４．質量データに基づく異常発生の検知および制御〉
上述の通り、セルコントローラＣＴ２〜ＣＴ７には、各セルＣ２〜Ｃ７の処理部で行われる処理プロセスの前後の基板Ｗの質量データが送信され、メモリ１０２〜１０７に記憶される。メインコントローラＭＣおよびセルコントローラＣＴ１〜ＣＴ７は、これらの質量データに基づいて各セルＣ１〜７の処理部の異常発生の検知および制御を行う。以下において図９〜図１３を参照しながら質量データに基づく異常発生の検知および制御について説明する。

ただし、図９は、セルコントローラＣＴ２の制御下で基板Ｗに行われる処理動作を示すフローチャートである。以下においては、セルコントローラＣＴ２に送信される、反射防止膜用処理セルＣ２における各処理プロセスの前後の基板Ｗの質量を質量Ｍａｎ〜Ｍｅｎと表す。具体的には、質量Ｍａｎは、反射防止膜用熱処理部９における反射防止膜の塗布処理前の冷却処理（以下において第１熱処理という）前の基板Ｗの質量を表す。質量Ｍｂｎは、第１熱処理後（すなわち、反射防止膜用熱処理部９における反射防止膜の塗布処理前）の質量を表す。質量Ｍｃｎは、反射防止膜用熱処理部９における反射防止膜の塗布処理後（すなわち、反射防止膜用熱処理部９における加熱処理（以下において第２熱処理という）前）の質量を表す。質量Ｍｄｎは、第２熱処理後（すなわち、反射防止膜用熱処理部９における冷却処理（以下において第３熱処理という）前）の質量を表す。また、質量Ｍｅｎは、第３熱処理後の質量を表す。ただし、添え字のｎは、ｎ番目に質量測定された未処理基板Ｗであることを意味し、従ってｎは任意の自然数である。

また、図１０は、セルコントローラＣＴ５，７の制御下で基板Ｗに行われる処理動作の一部を示すフローチャートである。以下においては、セルコントローラＣＴ７に送信される、露光処理前後の基板Ｗの質量を順に質量Ｍｆｎ，Ｍｇｎと表す。また、セルコントローラＣＴ５に送信される、乾燥処理セルＣ５における各処理プロセスの前後の基板Ｗの質量を順に質量Ｍｈｎ，Ｍｉｎと表す。具体的には、質量Ｍｆｎは、露光装置ＳＴＰにおける露光処理前の基板Ｗの質量を表す。質量Ｍｇｎは、露光処理後（すなわち、乾燥処理部４０における洗浄、乾燥処理前）の質量を表す。なお、図１０においては、露光装置ＳＴＰから受け取る際に測定した基板Ｗの質量を質量Ｍｇｎとしているが、基板載置部ＰＡＳＳ１０に置かれた基板Ｗを保持する際に測定したものを質量Ｍｇｎとしてもよい。質量Ｍｈｎは、乾燥処理部４０における洗浄、乾燥処理後（すなわち、露光後ベーク用熱処理部４１における露光後ベーク処理前）の質量を表す。質量Ｍｉｎは、露光後ベーク処理後の質量を表す。

〈４−１．異常発生の検知〉
セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ７は、基板Ｗの質量データに基づいてセルＣ１〜７の各処理部において異常が発生しているか否かの判断を行う。ただし、以下においては、各セルＣ１〜７における異常の発生の検知を、各々のセルコントローラＣＴ１〜ＣＴ７が行っているが、これらをメインコントローラＭＣが行う構成でもよい。

〈４−１−１．薬液塗布処理部における異常発生の検知〉
薬液塗布処理プロセスを行う薬液塗布処理部である、反射防止膜用塗布処理部２１における異常発生の検知動作について説明する。図１１は、反射防止膜用塗布処理部２１における異常検知動作を示すフローチャートである。

ｔ番目に質量測定された基板Ｗｔについての、反射防止膜の塗布処理後の質量Ｍｃｔが受信されると（ステップＳ１）、セルコントローラＣＴ２のＣＰＵ１１２は、当該基板Ｗｔの反射防止膜の塗布処理前の質量Ｍｂｔをメモリ１０２より読み出し（ステップＳ２）、基板Ｗｔが反射防止膜用塗布処理部２１において処理を行われる前後の質量変化量ΔＭ（ｂｃ）ｔ（すなわち、ΔＭ（ｂｃ）ｔ＝Ｍｃｔ−Ｍｂｔ）を算出する（ステップＳ３）。

続いて、算出された質量変化量ΔＭ（ｂｃ）ｔが予め設定された許容最小値Ｌ１から許容最大値Ｌ２の範囲内にあるか否かの判断を行う（ステップＳ４）。質量変化量ΔＭ（ｂｃ）ｔがこの範囲内にある場合（すなわちＬ１≦ΔＭ（ｂｃ）ｔ≦Ｌ２の場合）、ＣＰＵ１１２は異常なしと判断する。一方、範囲内にない場合、ＣＰＵ１１２は、基板Ｗｔに処理を行った塗布ユニットＢＡＲＫに異常が発生したと判断して、反射防止膜用処理ブロック２の警報ランプＡ２を点灯させる（ステップＳ５）（図６参照）。また、異常発生時における所定の対応、例えば、異常発生と判断された塗布ユニットＢＡＲＫに対する基板Ｗ搬入の中止指示などを行う。

質量変化量ΔＭ（ｂｃ）ｔは、反射防止膜用塗布処理部２１において基板Ｗに塗布された薬液の質量を示している。従って、許容最小値Ｌ１および許容最大値Ｌ２の値は、反射防止膜用塗布処理部２１において基板Ｗに塗布されるべき薬液の量から規定しておく。例えば、ノズル２１２に異常が発生して薬液が吐出されなかった場合、質量変化量ΔＭ（ｂｃ）ｔは許容最小値Ｌ１よりも小さくなり、警報ランプＡ２が点灯する。これによって、オペレータは即座に反射防止膜用処理ブロック２における異常の発生を検知することができる。

なお、ｔ番目の基板Ｗに対する処理が異常ありと判断された場合に、直ちに反射防止膜用処理ブロック２における異常の発生と判断するのではなく、異常ありと判断される基板Ｗが所定枚数連続した場合にのみ、反射防止膜用処理ブロック２において異常が発生したと判断してもよい。

また、反射防止膜用塗布処理部２１が備える複数の塗布ユニットＢＡＲＫのそれぞれについて個別の警報ランプを設け、異常の発生しているユニットを特定して外部に報知する構成でもよい。また、警報ランプＡ２の点灯方法や点灯色によって異常の発生しているユニットを特定してもよい。

本実施の形態においては、薬液塗布処理プロセスを行う薬液塗布処理部として、反射防止膜用塗布処理部２１の他に、レジスト膜用塗布処理部３１、および現像処理部４１がある。これらの各処理部においても同様の動作によって異常発生の検知が行われる。

なお、薬液塗布処理部における異常の検知と同様、露光装置ＳＴＰにおける液浸露光処理の前後における基板Ｗの質量変化から露光装置ＳＴＰにおいて適切な処理が行われなかった基板Ｗを検知することも可能である（図１０参照）。

この場合、質量変化量ΔＭ（ｆｇ）ｔ（すなわち、ΔＭ（ｆｇ）ｔ＝Ｍｇｔ−Ｍｆｔ）は、液浸漬露光処理において基板Ｗに付着した液の質量を示している。従って、例えば、露光装置から搬出された基板Ｗが異常に濡れている場合や、逆に異常に濡れが少ない場合、質量変化量ΔＭ（ｆｇ）ｔは許容範囲内に入らず、警報ランプＡ７が点灯し、オペレータは露光装置ＳＴＰおいて適切な処理が行われなかった異常基板の発生を検知することができる。

〈４−１−２．熱処理部における異常発生の検知〉
熱処理プロセスを行う熱処理部である、反射防止膜用熱処理部２２における異常発生の検知動作について説明する。図１２は、反射防止膜用熱処理部２２における異常検知動作を示すフローチャートである。

ｔ番目に質量測定された基板Ｗｔについての、第２熱処理後の質量Ｍｄｔが受信されると（ステップＳ１１）、セルコントローラＣＴ２のＣＰＵ１１２は、当該基板Ｗｔの第２熱処理前の質量Ｍｃｔをメモリ１０２より読み出し（ステップＳ１２）、基板Ｗｔが反射防止膜用熱処理部２２の加熱プレートＨＰにおいて第２熱処理を行われる前後の質量変化量ΔＭ（ｃｄ）ｔ（すなわち、ΔＭ（ｃｄ）ｔ＝Ｍｄｔ−Ｍｃｔ）を算出する（ステップＳ１３）。

続いて、算出された質量変化量ΔＭ（ｃｄ）ｔが予め設定された許容最小値Ｌ３から許容最大値Ｌ４の範囲内にあるか否かの判断を行う（ステップＳ１４）。質量変化量ΔＭ（ｃｄ）ｔがこの範囲内にある場合（すなわちＬ３≦ΔＭ（ｃｄ）ｔ≦Ｌ４の場合）、ＣＰＵ１１２は異常なしと判断する。一方、範囲内にない場合、ＣＰＵ１１２は、基板Ｗｔに処理を行った加熱プレートＨＰに異常が発生したと判断して、反射防止膜用処理ブロック２の警報ランプＡ２を点灯させる（ステップＳ１５）。また、異常発生時における所定の対応を行う。

反射防止膜用熱処理部２２においては、加熱処理によって、基板Ｗ上に形成された反射防止膜に含まれる余剰の溶剤が除去される。つまり、この質量変化量ΔＭ（ｃｄ）ｔは通常負の値をとり、その絶対値は除去された溶剤の質量を示している。従って、許容最小値Ｌ３および許容最大値Ｌ４の値は、反射防止膜用熱処理部２２において基板Ｗから除去されるべき溶剤の量から規定しておく。例えば、加熱プレートＨＰの温度が低く、基板Ｗの加熱が十分に行われなかった場合、基板Ｗ上に形成された反射防止膜に含まれる余剰の溶剤が適切に除去されないため、質量変化量ΔＭ（ｃｄ）ｔは許容最小値Ｌ４よりも大きくなり、警報ランプＡ２が点灯する。これによって、オペレータは即座に反射防止膜用処理ブロック２における異常の発生を検知することができる。

本実施の形態においては、熱処理プロセスを行う熱処理部として、反射防止膜用熱処理部２２の他に、レジスト膜用熱処理部３２、現像用熱処理部４２、および露光後ベーク用熱処理部５２がある。これらの各処理部においても同様の動作によって異常発生の検知が行われる。

〈４−１−３．乾燥処理部における異常発生の検知〉
液浸露光後の基板Ｗに対して洗浄および乾燥熱処理プロセスを行う、乾燥処理部５１における異常発生の検知動作について説明する。

ｔ番目に質量測定された基板Ｗｔについての、乾燥処理済みの質量Ｍｈｔが受信されると、セルコントローラＣＴ５のＣＰＵ１１５は、当該基板Ｗｔの乾燥処理前の質量Ｍｇｔをメモリ１０５より読み出し、基板Ｗｔが乾燥処理部５１において洗浄および乾燥加熱処理を行われる前後の質量変化量ΔＭ（ｇｈ）ｔ（すなわち、ΔＭ（ｇｈ）ｔ＝Ｍｈｔ−Ｍｇｔ）を算出する。

続いて、算出された質量変化量ΔＭ（ｇｈ）ｔが予め設定された許容最大値Ｌ５よりも小さいか否かの判断を行う。質量変化量ΔＭ（ｇｈ）ｔが許容最大値Ｌ５より小さい場合（すなわちΔＭ（ｇｈ）ｔ≦Ｌ５の場合）、ＣＰＵ１１２は異常なしと判断する。一方、許容最大値Ｌ５より大きい場合、ＣＰＵ１１２は、基板Ｗｔに処理を行った乾燥処理ユニットＤＲＹに異常が発生したと判断して、乾燥処理ブロック５の警報ランプＡ５を点灯させる。また、異常発生時における所定の対応を行う。なお、異常発生の判断基準として、許容最小値をさらに設けてもよい。

乾燥処理部５１においては、液浸露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥が行われる。つまり、この質量変化量ΔＭ（ｇｈ）ｔは通常負の値をとり、その絶対値は乾燥処理によって除去された液の質量を示している。従って、許容最大値Ｌ５の値は、十分な乾燥処理が行われた場合に基板Ｗから除去されるべき液の量から規定しておく。乾燥処理ユニットＤＲＹが、スピンチャック５１１によって保持された基板Ｗを回転することで基板Ｗの乾燥を行う場合、例えば、回転が通常通り行われず基板Ｗ上に付着した薬液などが十分に振り切られないと、質量変化量ΔＭ（ｇｈ）ｔは許容最小値Ｌ５よりも小さくなり、警報ランプＡ５が点灯する。これによって、オペレータは即座に乾燥処理ブロック５における異常の発生を検知することができる。

なお、乾燥加熱処理を行われる前後の質量変化量ΔＭ（ｇｈ）ｔによってではなく、乾燥処理済みの質量Ｍｈｔを所定の基準値と比較することによって乾燥処理部５１における異常の発生の有無を判断してもよい。また、乾燥処理済みの質量Ｍｈｔと、露光処理前の質量Ｍｆｔとから、一連の露光、洗浄および乾燥加熱処理を行われる前後の質量変化量ΔＭ（ｆｈ）ｔを算出し、これによって乾燥処理部５１における異常の発生の有無を判断してもよい。

〈４−１−４．その他〉
上記の異常発生の検知の他にも、例えば、第１の主搬送機構１０Ａが基板載置部ＰＡＳＳ１上に置かれた未処理基板Ｗを保持する際の基板Ｗの質量を測定し、当該未処理基板Ｗの質量が予め設定した許容数値領域内にない場合、インデクサブロック１の警報ランプＡ１を点灯させてもよい。

また、必ずしも質量Ｍａｎ〜Ｍｅｎの全ての質量データを取得する必要はない。例えば、質量Ｍａｎと質量Ｍｃｎとの質量変化量から、反射防止膜用塗布処理部２１もしくは反射防止膜用熱処理部２２において、異常が発生しているか否かを判断してもよい。つまり、一連の処理プロセスのうちの一部の処理プロセス（ここでは、１つの処理プロセスまたは２以上の連続する処理プロセスを意味する）が行われる前後の基板の質量データから、当該処理を行った１つもしくは複数の処理部における異常の発生を検知することができる。

〈４−２．フィード・フォワード制御〉
セルコントローラＣＴ２〜ＣＴ７およびメインコントローラＭＣは、基板Ｗの質量データに基づいてセルＣ１〜Ｃ７の各処理部のフィード・フォワード制御を行う。

〈４−２−１．熱処理部のフィード・フォワード制御〉
熱処理プロセスを行う熱処理部である、反射防止膜用熱処理部２２に対するフィード・フォワード制御ＦＦ２について説明する（図９参照）。図１３は、フィード・フォワード制御ＦＦ２を示すフローチャートである。

ｔ番目に質量測定された基板Ｗｔについての、第２熱処理前の質量Ｍｃｔが受信されると（ステップＳ２１）、セルコントローラＣＴ２のＣＰＵ１１２は、質量Ｍｃｔと予め設定された基準質量Ｍｃｏとの質量差Ｄｃ（すなわち、Ｄｃ＝Ｍｃｔ−Ｍｃｏ）を算出する（ステップＳ２２）。

続いて、質量差Ｄｃに基づいて、反射防止膜用熱処理部２２を制御する（ステップＳ２３）。具体的には、質量差Ｄｃに応じて、基板Ｗｔに対する熱処理を行う加熱プレートＨＰの温度や加熱時間などの処理条件を調整する。

例えば、質量差Ｄｃが正の値、すなわち基板Ｗｔの質量Ｍｃｔが基準質量Ｍｃｏよりも大きい場合、加熱プレートＨＰによる加熱時間を延長する。これによって、基板Ｗｔに適切な熱処理が行われる。つまり、フィード・フォワード制御ＦＦ２を行うことによって、互いに処理前の質量が異なる複数の基板間における熱処理のばらつきを低減することができる。

また、加熱プレートＨＰの温度制御がＰＩＤ（Proportional Integral Derivative)制御によって行われている場合、質量差Ｄｃに応じてＰＩＤ定数を制御してもよい。この場合も、基板Ｗの質量に応じた均一な熱処理を行うことができる。

ここでは、当該基板Ｗの加熱処理を行う直前の質量Ｍｃｔに基づいて処理条件を調整しているので、制御に用いられる質量測定値と実際に加熱処理が行われる基板Ｗの質量との間で誤差が生じにくく、精確な制御を行うことができる。

なお、質量差Ｄｃではなく、質量Ｍｃｔに応じてフィード・フォワード制御を行ってもよい。

また、反射防止膜用塗布処理部２１において処理を行われる前後の質量変化量ΔＭｔに基づいて反射防止膜用熱処理部２２における熱処理の制御を行ってもよい。この場合、個々の基板Ｗに塗布された薬液の塗布量に応じて熱処理を行うことができる。

同様に、質量Ｍａｎに基づいて、第１熱処理における処理条件を調整する（図９に示す制御ＦＦ１）。また質量Ｍｄｎに基づいて、第３熱処理における処理条件を調整する（図９に示す制御ＦＦ３）。

他の処理ブロックの各熱処理部においても同様の動作によってフィード・フォワード制御が行われる。例えば、乾燥処理ブロック５の露光後ベーク用熱処理部５２においては、露光後ベーク処理前の質量、すなわち乾燥処理後の質量Ｍｈｎに基づいて、露光後ベーク用熱処理部５２における処理条件を調整する（図１０に示す制御ＦＦ５）。

〈４−２−２．乾燥処理部のフィード・フォワード制御〉
基板Ｗに対する洗浄、乾燥処理プロセスを行う、乾燥処理部５１に対するフィード・フォワード制御ＦＦ４について説明する（図１０参照）。

ｔ番目に質量測定された基板Ｗｔについての、露光処理済みの質量Ｍｇｔが受信されると、セルコントローラＣＴ７のＣＰＵ１１７は、当該基板Ｗｔの露光処理前の質量Ｍｆｔをメモリ１０７より読み出し、基板Ｗｔが露光装置ＳＴＰにおいて露光処理を行われる前後の質量変化量ΔＭ（ｆｇ）ｔ（すなわち、ΔＭ（ｆｇ）ｔ＝Ｍｇｔ−Ｍｆｔ）を算出する。続いて、セルコントローラＣＴ７は、算出した質量変化量ΔＭ（ｆｇ）ｔをメインコントローラＭＣに送信する。

メインコントローラＭＣのＣＰＵ１１８は、受信した質量変化量ΔＭ（ｆｇ）ｔに基づいて、乾燥処理ブロック５の乾燥処理部５１を制御する。具体的には、乾燥処理ユニットＤＲＹが、窒素ガスを供給しながらスピンチャック５１１によって保持された基板Ｗを回転することで基板Ｗの乾燥を行う場合、窒素ガスの供給量、基板Ｗの回転数や回転時間などの各種の処理条件を調整する。

例えば、質量変化量ΔＭ（ｆｇ）ｔが予め設定された基準値よりも大きい場合、すなわち露光処理後の基板Ｗに付着した液の質量が所定値よりも大きい場合、メインコントローラＭＣは、基板Ｗの濡れがひどいと判断して、基板Ｗｔの乾燥処理を行う乾燥処理ユニットＤＲＹに、乾燥処理における基板Ｗの回転時間を延長する指示を与える。これによって、基板Ｗの濡れが激しい場合にも十分な乾燥処理が行われ、乾燥不良の発生を防止することができる。

なお、質量変化量ΔＭ（ｆｇ）ｔではなく、露光処理後の質量Ｍｇｔのみに基づいて乾燥処理部５１の制御を行ってもよい。

〈４−２−３．その他〉
上記のフィード・フォワード制御と同様に、薬液処理部に対するフィード・フォワード制御を行ってもよい。例えば、薬液処理が行われる前の基板Ｗの質量に応じて薬液処理部で基板Ｗ上に塗布する薬液の量を変えることによって、基板Ｗの質量に応じた薬液の塗布処理を行うことができる。

〈４−３．フィード・バック制御〉
セルコントローラＣＴ２〜ＣＴ７は、基板Ｗの質量データに基づいてセルＣ２〜Ｃ７の各処理部のフィード・バック制御を行う。ただし、以下においては、各セルＣ２〜Ｃ７におけるフィード・バック制御を、各々のセルコントローラＣＴ２〜ＣＴ７が行っているが、メインコントローラＭＣが各セルＣ２〜７の制御を行う構成でもよい。

〈４−３−１．薬液塗布処理部のフィード・バック制御〉
薬液塗布処理プロセスを行う薬液塗布処理部である、反射防止膜用塗布処理部２１に対するフィード・バック制御ＦＢ１について説明する（図９参照）。

ｔ番目に質量測定された基板Ｗｔについての、反射防止膜の塗布処理済みの質量Ｍｃｔが受信されると、セルコントローラＣＴ２のＣＰＵ１１２は、当該基板Ｗｔの反射防止膜の塗布処理前の質量Ｍｂｔをメモリ１０２より読み出し、基板Ｗｔが反射防止膜用塗布処理部２１において処理を行われる前後の質量変化量ΔＭ（ｂｃ）ｔを算出する。

セルコントローラＣＴ２のＣＰＵ１１２は、質量変化量ΔＭ（ｂｃ）ｔに基づいて、反射防止膜用塗布処理部２１を制御する。具体的には、当該塗布ユニットＢＡＲＫにおける反射防止膜の塗布処理における各種の処理条件を調整する。

例えば、質量変化量ΔＭ（ｂｃ）ｔ、すなわち反射防止膜用塗布処理部２１における薬液の塗布量が、予め設定された基準量よりも大きい場合、当該処理を行った塗布ユニットＢＡＲＫのノズル２１２からの薬液の吐出量を小さくする。また逆に、予め設定された基準量よりも小さい場合、ノズル２１２からの薬液の吐出量を大きくする。

これによって、反射防止膜用塗布処理部２１におけるわずかな処理のばらつきを修正して、常に一定の処理を行うことができる。

なお、このようなフィード・バック制御は、先に述べた異常の検知動作と組み合わせることができる。この場合、特定の塗布ユニットＢＡＲＫにおいて、フィード・バック制御を行ったにも拘わらず、質量変化量が基準量よりも大きい、もしくは小さい基板Ｗが所定枚数連続する場合、当該塗布ユニットＢＡＲＫにおいて異常が発生していると判断する。

薬液塗布処理プロセスを行う他の薬液塗布処理部においても同様の動作によってフィード・バック制御が行われる。

〈４−３−２．熱処理部のフィード・バック制御〉
熱処理プロセスを行う熱処理部である、反射防止膜用熱処理部２２に対するフィード・バック制御ＦＢ２について説明する（図９参照）。

ｔ番目に質量測定された基板Ｗｔについての、反射防止膜の塗布処理後の加熱処理済みの質量Ｍｄｔが受信されると、セルコントローラＣＴ２のＣＰＵ１１２は、当該基板Ｗｔの加熱処理前の質量Ｍｃｔをメモリ１０２より読み出し、基板Ｗｔが反射防止膜用熱処理部２２において加熱処理を行われる前後の質量変化量ΔＭ（ｃｄ）ｔを算出する。

セルコントローラＣＴ２のＣＰＵ１１２は、質量変化量ΔＭ（ｃｄ）ｔに基づいて、反射防止膜用熱処理部２２を制御する。具体的には、当該加熱プレートＨＰの温度や加熱時間などの各種の処理条件を調整する。

例えば、質量変化量ΔＭ（ｃｄ）ｔ、すなわちその絶対値が加熱処理によって除去された溶剤の質量を示す値が、予め設定された基準量よりも大きい場合、すなわち基板Ｗ上に形成された反射防止膜に含まれる余剰の溶剤が適切に除去されていない場合、当該処理を行った加熱プレートＨＰにおける加熱時間の延長を行う。

これによって、当該加熱プレートＨＰにおいて処理される後続の基板Ｗに対してより適切な量の溶剤除去が行われることが期待でき、反射防止膜用熱処理部２２において、常に適切な熱処理を行うことができる。

熱処理プロセスを行う他の処理ブロックの各熱処理部においても同様の動作によってフィード・バック制御が行われる。例えば、露光後ベーク用熱処理部５２においては、露光後ベーク処理前後の質量変化量ΔＭ（ｈｉ）ｔに基づいて、露光後ベーク用熱処理部５２における処理条件を調整する（図１０に示す制御ＦＢ３）。

本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図である。 本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す正面図である。 本発明の実施の形態に係る基板処理装置の熱処理部を示す正面図である。 インターフェイスブロック６を示す側面図である。 主搬送機構１０を示す平面図（ａ）および正面図（ｂ）である。 保持アーム１００に保持された基板Ｗの質量測定を示す概念図である。 本発明の実施の形態に係る基板処理装置のブロックの配置（ａ）およびセルの配置（ｂ）をそれぞれ示す図である。 本発明の実施の形態に係る基板処理装置の制御系を示す図である。 本発明の実施の形態に係る基板処理装置の処理動作を示すフローチャートである。 本発明の実施の形態に係る基板処理装置の処理動作を示すフローチャートである。 反射防止膜用塗布処理部２１における異常検知動作を示すフローチャートである。 反射防止膜用熱処理部２２における異常検知動作を示すフローチャートである。 反射防止膜用熱処理部２２に対するフィード・フォワード制御を示すフローチャートである。

符号の説明

１ インデクサブロック
２ 反射防止膜用処理ブロック
３ レジスト膜用処理ブロック
４ 現像処理ブロック
５ 乾燥処理ブロック
６ インターフェイスブロック
１２ インデクサ用搬送機構
１０ 主搬送機構
６０ インターフェイス用搬送機構
１００ 保持アーム
ｓ 光学式センサー
ＣＴ セルコントローラ
ＭＣ メインコントローラ

Claims (13)

1. 基板に対して一連の処理プロセスを行う基板処理装置において、
   基板に各種の処理プロセスを行うための複数の処理部と、
   前記複数の処理部に対して所定の順序で基板の受け渡しを行う搬送機構と、
   前記各種の処理プロセスうちの少なくともひとつの処理プロセスが行われる前後の基板の質量を測定する質量測定手段と、
   前記質量測定手段による基板の質量測定値に基づいて、前記複数の処理部のうち前記測定の結果に影響を及ぼす部分における異常の発生を検知する異常検知手段と、
   を備え、
   前記質量測定手段が、前記搬送機構に搭載されていることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記質量測定手段が、前記搬送機構が基板を前記複数の処理部のうちのいずれかの処理部から搬出する際に、当該搬出される基板の質量を測定することを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置において、
   前記搬送機構が、
   基板を水平姿勢で保持する保持アーム、
   を有し、
   前記質量測定手段が、前記複数の処理部のうちのいずれかの処理部にある基板を前記保持アームによって保持する際に、当該保持された基板の質量を測定することを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記異常検知手段によって異常の発生が検知されたことを報知する異常報知手段、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記異常検知手段が、前記質量測定値から、前記一連の処理プロセスのうちの一部の処理プロセスが行われる前後の基板の質量変化量を算出し、前記質量変化量に基づいて、前記複数の処理部のうちの、前記一部の処理プロセスを行う処理部における異常の発生を検知することを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項５に記載の基板処理装置において、
   前記複数の処理部が、基板への所定の薬液塗布処理プロセスを行う薬液塗布処理部を有し、
   前記異常検知手段が、前記薬液塗布処理プロセスが行われる前後の基板の質量変化量が所定の数値領域内にない場合に、前記薬液塗布処理部において異常が発生したと判断することを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項５または６に記載の基板処理装置において、
   前記複数の処理部が、基板への所定の熱処理プロセスを行う熱処理部を有し、
   前記異常検知手段が、前記熱処理プロセスが行われる前後の基板の質量変化量が所定の数値領域内にない場合に、前記熱処理部において異常が発生したと判断することを特徴とする基板処理装置。
8. 請求項５〜７のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記基板処理装置が液浸法による露光処理を行う露光装置に隣接するように配置されており、
   前記一連の処理プロセスが基板に対する感光剤の塗布処理プロセスと、現像処理プロセスとを含み、
   前記基板処理装置と前記露光装置とによって、基板に対して、前記感光剤の塗布処理と、前記露光処理と、前記現像処理とが順に行われ、
   前記質量測定値から前記露光処理が行われる前後の基板の質量変化量を算出し、前記質量変化量に基づいて、前記露光処理における異常の発生を検知する露光異常検知手段、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
9. 基板に対して一連の処理プロセスを行う基板処理装置において、
   基板に各種の処理プロセスを行うための複数の処理部と、
   前記複数の処理部に対して所定の順序で基板の受け渡しを行う搬送機構と、
   前記各種の処理プロセスのうちの少なくともひとつの処理プロセスが行われる前後の基板の質量を測定する質量測定手段と、
   前記質量測定手段による基板の質量測定値に基づいて、前記一連の処理プロセスを構成する各々の処理プロセスのうちの少なくともひとつの処理プロセスの処理条件を調整するプロセス制御手段、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
10. 請求項９に記載の基板処理装置において、
    前記プロセス制御手段が、前記一連の処理プロセスのうちの特定の処理プロセスが行われた後の基板の質量測定値に基づいて、当該基板に対する前記一連の処理プロセスのうち、前記特定の処理プロセスの後に続く処理プロセスの処理条件を調整することを特徴とする基板処理装置。
11. 請求項９または１０に記載の基板処理装置において、
    前記プロセス制御手段が、前記質量測定値から、前記一連の処理プロセスのうちの特定の処理プロセスの前後の基板の質量変化量を算出し、前記質量変化量に基づいて、前記特定の処理プロセスを行う処理部の処理条件を調整することを特徴とする基板処理装置。
12. 基板に対して一連の処理工程を行う基板処理方法において、
    前記一連の処理工程を構成する各処理工程のうちの少なくともひとつの処理工程の前後に基板の質量を測定する質量測定工程、
    を備え、
    前記質量測定工程によって得られた質量測定値に基づいて、当該処理工程における異常の発生を検知することを特徴とする基板処理方法。
13. 基板に対して一連の処理工程を行う基板処理方法において、
    前記一連の処理工程を構成する各処理工程のうちの少なくともひとつの処理工程の前後に基板の質量を測定する質量測定工程、
    を備え、
    前記質量測定工程によって得られた質量測定値に基づいて、前記一連の処理工程の少なくともひとつの処理条件を調整することを特徴とする基板処理方法。

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