JP3069945B2 - 処理装置 - Google Patents

処理装置

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JP3069945B2
JP3069945B2 JP7212857A JP21285795A JP3069945B2 JP 3069945 B2 JP3069945 B2 JP 3069945B2 JP 7212857 A JP7212857 A JP 7212857A JP 21285795 A JP21285795 A JP 21285795A JP 3069945 B2 JP3069945 B2 JP 3069945B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、処理装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程には、被処理
体例えばシリコン基板等の半導体ウエハに処理液例えば
フォトレジスト液を塗布し、フォトリソグラフィ技術を
用いて回路パターン等を縮小してフォトレジスト膜を露
光し、これを現像処理する一連の処理工程がある。この
処理工程は、半導体デバイスの高集積化において極めて
重要なプロセスである。
【０００３】上記処理を行う装置として、被処理体例え
ば半導体ウエハの表面に処理液例えばレジスト液を塗布
してレジスト膜を形成する塗布装置、半導体ウエハ表面
に塗布されたレジスト膜に所定のパターンを有するマス
ク部材を介して光源からの光を照射して回路パターンを
露光する露光装置、及び露光後の半導体ウエハの表面に
現像液を塗布して現像処理を行う現像装置等の処理装置
が使用されている。これら処理装置は、一般に、未処理
あるいは処理済みの半導体ウエハを収容するカセット
（容器）と、これらカセットとの間で半導体ウエハを搬
出又は搬入する搬送機構とを具備するカセットステーシ
ョン（搬入・搬出部）と塗布処理部あるいは現像処理部
等とを組合わせた構造である。したがって、半導体ウエ
ハにレジスト液を塗布し、露光し、現像するためにはこ
れら各処理装置を組合わせて使用する必要がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、塗布処
理、露光処理及び現像処理を別々の処理システムを用い
て行うものにおいては、塗布処理部や現像処理部等にそ
れぞれカセットステーションを設けるため、スペースを
多くとるばかりか装置の大型化を招き、コストが嵩むと
いう問題があった。
【０００５】また、半導体ウエハを上述した一連のプロ
セスで処理、すなわち、半導体ウエハとレジストとの密
着性を改善するために疎水化処理し、レジスト液を塗布
し、塗布されたレジスト膜をベーキングし乾燥した後、
塗布されたレジスト膜に所定の回路パターンを露光し、
露光された半導体ウエハの表面に現像液を供給して現像
処理を施す工程において、回路パターンの正確な線幅が
得られず、集積度の高精度の性能が充分得られないとい
う問題もあった。この高集積度の対応について発明者等
は鋭意研究した結果、明らかではないが、以下の理由に
より回路パターンの正確な線幅が得られないと推測され
る。
【０００６】すなわち、レジスト液を半導体ウエハ表面
に塗布する前工程として半導体ウエハ表面の疎水化処理
を行う際に、アミン系溶剤が使用されるため、アミン等
のアルカリ成分が生成される。上記工程、すなわち疎水
化処理工程において発生したアルカリ成分が露光工程後
の焼成工程や現像工程などの雰囲気に流入することによ
り、上記焼成時や現像時に回路パターンの正確な線幅が
得られず、ＩＣ素子の歩留まりの低下を招くものと考え
られる。
【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、装置の小型化を図ると共に、装置精度の向上を図れ
るようにした処理装置を提供することを目的とするもの
である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の処理装置は、未処理の被処理体を収
容する第１の容器と、処理済みの被処理体を収容する第
２の容器とを配置すると共に、これら容器を、装置外部
との間で搬入・搬出可能な搬入・搬出部と、上記搬入・
搬出部に配設されて上記容器との間で上記被処理体を搬
出又は搬入する搬送機構と、 上記搬入・搬出部の一方
側に配設されて、上記被処理体の搬送機構を具備すると
共に、被処理体の表面に処理液を塗布する塗布処理部
と、 搬入・搬出部の他方側に配設されて、上記被処理
体の搬送機構を具備すると共に、被処理体の塗布膜を現
像処理する現像処理部と、を具備し、 上記搬入・搬出
部における塗布処理部側及び現像処理部側に、それぞれ
搬送機構に対して受け渡し可能な載置台を具備すること
を特徴とする。
【００１０】請求項２記載の処理装置は、請求項１記載
の処理装置において、 上記現像処理部における搬入・
搬出部と反対側に、被処理体に形成されたレジスト膜を
露光する露光処理部を具備することを特徴とする。
【００１１】請求項２記載の処理装置において、上記露
光処理部と搬入・搬出部に対して容器を搬入又は搬出す
る容器の搬送手段を配設するか、あるいは、搬入・搬出
部における容器と、露光処理部における露光マスク部材
を収容する容器とを略同一線上に配置し、これら容器の
配置の近傍位置に容器の搬送手段を配設する方が好まし
い（請求項３，４）。
【００１２】請求項５記載の処理装置は、請求項１ない
し４のいずれかに記載の処理装置において、 上記塗布
処理部を、被処理体の表面にレジスト液を塗布するレジ
スト塗布処理部にて形成し、 上記被処理体の搬送機構
の搬送路を介して、上記レジスト塗布処理部と対向する
側に、レジスト膜を形成する前の被処理体の表面に疎水
化処理を施す疎水化処理部を具備する、ことを特徴とす
る。
【００１３】請求項６記載の処理装置は、請求項１ない
し５のいずれかに記載の処理装置において、 少なくと
も上記現像処理部に、該現像処理部内の雰囲気を清浄化
する空気清浄機構を具備することを特徴とする。
【００１４】請求項７記載の処理装置は、請求項１ない
し６のいずれかに記載の処理装置において、 上記塗布
処理部を、処理液の塗布部と、塗布処理前後の被処理体
を熱処理する第１の熱処理部とで構成すると共に、塗布
部と第１の熱処理部とを被処理体の搬送機構の搬送路を
介して対向配置し、 上記現像処理部を、現像部と、現
像処理前後の上記被処理体を熱処理する第２の熱処理部
とで構成する共に、現像部と第２の熱処理部とを被処理
体の搬送機構の搬送路を介して対向配置してなる、こと
を特徴とする。
【００１５】上記のように構成されるこの発明の処理装
置によれば、装置外部との間において未処理又は処理済
みの被処理体を収容する容器を、搬入・搬出可能な搬入
・搬出部によって被処理体を直接塗布処理部又は現像処
理部にそれぞれ搬出又は搬入することができ、また、塗
布処理部と現像処理部とを搬入・搬出部で区画すること
ができることで、塗布処理部と現像処理部との雰囲気を
区画することができる（請求項１）。
【００１６】また、塗布処理部の塗布部と第１の熱処理
部とを被処理体の搬送機構の搬送路を介して対向配置
し、現像処理部の現像部と第２の熱処理部とを被処理体
の搬送機構の搬送路を介して対向配置することにより、
塗布部及び現像部と熱処理部とを間隔をおいて設けるこ
とができ、塗布部及び現像部が熱処理部から受ける熱的
影響を可及的に少なくすることができる（請求項７）。
【００１７】また、搬入・搬出部にて露光前工程と露光
後工程とを離間させて構成し、また、少なくとも現像処
理部に、この現像処理部の雰囲気を清浄化する空気清浄
機構を設けることにより、レジスト塗布処理及び露光処
理された被処理体と共に持ち込まれるレジスト塗布処理
部や露光処理部の雰囲気成分を除去することができ、現
像処理雰囲気を清浄化することができる（請求項２，
５，６）。
【００１８】また、露光処理部と搬入・搬出部に対して
容器を搬入又は搬出する容器の搬送手段を配設するか、
あるいは、搬入・搬出部における容器と、露光処理部に
おける露光マスク部材を収容する容器とを略同一線上に
配置し、これら容器の配置の近傍位置に容器の搬送手段
を配設することにより、被処理体を収容する容器及び露
光マスク部材を収容する容器の搬送を同一の搬送手段に
て行うことができると共に、搬送を円滑にすることがで
きる（請求項３，４）。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に、この発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳細に説明する。この実施形態では、こ
の発明に係る処理装置を半導体ウエハへのレジスト液塗
布・現像処理システムに適用した場合について説明す
る。
【００２０】上記レジスト液塗布・現像処理システム
は、図１に示すように、未処理の被処理体例えば半導体
ウエハＷ（以下にウエハという）を収容する第１のカセ
ット４２ａ（容器）と、処理済みのウエハＷを収容する
第２のカセット４２ｂ（容器）を所定位置に配置すると
共に、これらカセット４２ａ，４２ｂを、装置外部との
間で搬入・搬出可能なカセットステーション４０（搬入
・搬出部）と、このカセットステーション４０に配設さ
れて、容器４２ａ及び４２ｂとの間でウエハＷの搬出又
は搬入を行うウエハＷの搬送用ピンセット４１（搬送機
構）と、このカセットステーション４０の一方側（図１
において右側）に配設されてウエハＷの表面にレジスト
膜を形成する塗布処理部１０と、カセットステーション
４０の他方側（図１において左側）に配設されて露光処
理されたウエハＷを現像処理する現像処理部３０と、こ
の現像処理部３０におけるカセットステーション４０と
反対側に配設されて塗布処理されたウエハＷに所定のマ
スク部材Ｍを介して光源から紫外光を照射してレジスト
膜に所定の回路パターンを露光する露光装置２０（露光
処理部）とで主要部が構成されている。
【００２１】上記塗布処理部１０は、筐体１０ａの中央
に配置された直線状の搬送路１１を移動可能な搬送機構
１２が設けられており、この搬送機構１２には水平面内
でＸ，Ｙ方向及び垂直方向（Ｚ方向）に移動し、かつ回
転（θ）自在なウエハ搬送アーム１３が設けられてい
る。この搬送機構１２の搬送路１１の側縁に沿う一方の
側には、ブラシ洗浄部１４，疎水化処理工程を実行する
アドヒージョン部１５ａと冷却部１５ｂとを積み重ねて
設けたアドヒージョン部／冷却部１５及びベーク部１６
（第１の熱処理部）が一列に隣接して配置されている。
また、搬送路１１の他方の側には、ジェット水洗浄部１
７と、複数例えば２個のレジスト液をスピンコーティン
グするレジスト塗布部１８が一列に隣接して配置され、
レジスト塗布部１８とベーク部１６とが搬送路１１を介
して対向配置されている。このように搬送路１１を介し
てベーク部１６とレジスト塗布部１８とを離した状態で
対向配置することにより、ベーク部１６の熱がレジスト
塗布部１８に伝わるのを防止することができ、レジスト
塗布処理に際して熱的影響を受けるのを防止することが
できる。
【００２２】上記露光装置２０は、ウエハＷを受け渡し
するための中継部２５を介して上記現像処理部３０に連
接されており、この露光装置２０には、ウエハ載置台２
１と光照射手段（図示せず）が設けられている。また、
この露光装置２０の一側にはウエハ載置台２１上に載置
されたウエハＷの上面に配設されるマスク部材Ｍを収容
する容器２２が配置され、この容器２２とウエハ載置台
２１との間でマスク部材Ｍを受渡しするマスク部材搬送
アーム２３がＸ，Ｙ方向、Ｚ方向及び回転（θ）自在に
設けられている。また、露光装置２０には、この露光装
置２０と現像処理部３０との間に配置された中継部２５
との間でウエハＷの受渡しを行うウエハ搬送アーム２４
がＸ，Ｙ方向、Ｚ方向及び回転（θ）自在に設けられて
いる。
【００２３】上記現像処理部３０は、上記塗布処理部１
０と同様に、筐体３０ａの中央に配置された直線状の搬
送路３１を移動可能な搬送機構３２が設けられており、
この搬送機構３２には水平面内でＸ，Ｙ方向及び垂直方
向（Ｚ方向）に移動し、かつ回転（θ）自在なウエハ搬
送アーム３３が設けられている。この搬送機構３２の搬
送路３１の側縁に沿う一方の側には、露光後のレジスト
膜を化学増感するための２個のベーク部３４（第２の熱
処理部）が一列に隣接して配置されている。また、搬送
路３１の他方の側には、ベーク部３４と対向して複数例
えば２個の現像部３５例えば現像液を回転塗布する現像
装置が隣接して配置されている。このように、ベーク部
３４と現像部３５とを搬送路３１を介して離した状態で
対向配置することにより、ベーク部３４の熱が現像部３
５に伝わるのを防止することができ、現像処理に際して
熱的影響を受けるのを防止することができる。
【００２４】一方、上記カセットステーション４０の一
側すなわち上記露光装置２０に配置される容器２２と同
一側（図１において手前側）には、未処理のウエハＷと
処理済みのウエハＷを収容する４個のカセット４２ａ，
４２ｂが配置されている。また、このカセットステーシ
ョン４０には、図１及び図２に示すように、カセット４
２ａ，４２ｂとの間でウエハＷの受渡しを行うウエハ搬
送用のピンセット４１が水平面内のＸ，Ｙ方向、垂直方
向（Ｚ方向）及び回転（θ）自在に配設され、上記塗布
処理部１０及び現像処理部３０と連接する境界部位に、
それぞれピンセット４１に対して受け渡し可能なウエハ
Ｗの位置合せ用の載置台４３ａ，４３ｂが配置されてい
る。
【００２５】このように構成されるカセットステーショ
ン４０において、例えば未処理のウエハＷを収容するカ
セット４２ａからピンセット４１で受け取り塗布処理部
側の載置台４３ａ上に搬送したり、塗布処理部１０にて
レジスト塗布されたウエハＷを載置台４３ａからピンセ
ット４１で受け取って現像処理部側の載置台４３ｂ上に
搬送したり、露光処理及び現像処理されたウエハＷを載
置台４３ｂからピンセット４１で受け取って処理済み用
のカセット４２ｂに搬送することができる。したがっ
て、カセットステーション４０を共通にして、疎水化処
理工程、レジスト液塗布工程、この塗布工程で塗布され
たレジスト膜をベーキングし乾燥する工程、塗布された
レジスト膜に予め定められたＩＣパターンを露光する工
程、露光されたウエハＷに現像液をシャワー状に供給し
てスピンコーティングする工程などを１箇所のプロセス
ステーションとしてまとめることができ、限られた超ク
リーンルームのスペースを有効利用することができる。
【００２６】一方、上記露光装置２０のマスク部材収容
用の容器２２とカセットステーション４０のカセット４
２ａ，４２ｂの配置側近傍位置にガイドレール５１が沿
設されており、このガイドレール５１に例えばボールね
じ機構、ベルト機構、リニアモータ，エアー搬送機構等
によって移動自在な容器の搬送手段としての搬送ロボッ
ト５０が装着されている。この搬送ロボット５０はガイ
ドレール５１に沿うＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の移動及び
回転（θ）自在に形成されて、未処理のウエハＷを収容
するカセット４２ａのカセットステーション４０への搬
入及び処理済みのウエハＷを収容するカセット４２ｂの
カセットステーション４０からの搬出に供され、また、
マスク部材収容容器２２の露光装置２０への搬入、搬出
に供されるようになっている。
【００２７】このように、露光装置２０とカセットステ
ーション４０を略同一線上の一側にマスク部材収容容器
２２を配置すると共に、未処理及び処理済みのウエハＷ
の収容用カセット４２ａ，４２ｂを配置し、そして、こ
れらと平行な近傍位置にガイドレール５１を沿設し、ガ
イドレール５１に搬送ロボット５０を装着することによ
り、同一の搬送ロボット５０によってウエハ収容用カセ
ット４２ａ，４２ｂ及びマスク部材収容容器２２の搬入
・搬出及び移動を行うことができる。したがって、構成
部材の削減によるスペースの有効利用が図れると共に、
搬送作業の能率化を図ることができる。
【００２８】また、上記のように構成される塗布処理部
１０及び現像処理部３０の側方及び上方はカバーによっ
て覆われており、処理部内に清浄化された空気が供給さ
れるように構成されている。この空気清浄機構６０につ
いて、図３に示す現像処理部３０を代表して説明する
と、筐体３０ａによって形成される処理部を覆うカバー
６１の上部側にダクト６２が形成され、このダクト６２
と処理部内とを連通する連通路６３内に送風ファン６４
とフィルタ６５が配設されて清浄化された空気が処理部
内にダウンフロー状態で供給されるようになっている。
また、処理部中央の搬送路３１の底部には排気通路６６
が設けられており、この排気通路６６内に排気ファン６
７が配設されて、上方より処理部内に供給された清浄な
空気が搬送路３１及び現像部３５に供給された後、下方
に排気されるようになっている。なお、空気清浄機構は
現像部３５の上方に現像部専用のもの６０Ａを設け、下
方に設けた図示しない排気口より排気し、清浄な空気を
現像部３５内を流通させるようにしてもよい。
【００２９】上記のように、カセットステーション４０
を介在させて露光前工程と露光後工程を離間させて構成
し、更に空気清浄機構６０を設けることにより、塗布処
理部１０における疎水化処理により、あるいはレジスト
塗布の際に使用される反射防止膜の塗布により、生成さ
れるアミン等のアルカリ成分による雰囲気や装置の周囲
の空気中に含まれるアンモニア等のアルカリ成分を極力
除去する構成になっている。更に、露光後の焼成、現像
をカセットステーション４０を介して設けることにより
アミン等のアルカリ成分による現像工程でのレジストパ
ターン形状の精度低下をより効果的に防止することがで
き、正確なパターンの線幅をより効果的に得ることがで
きる。なお、この空気清浄機構６０は少なくとも現像処
理部３０に設ければ、上記の目的は達成することができ
る。
【００３０】次に、上記のように構成されるこの発明の
処理装置におけるウエハＷの処理工程について、図１及
び図４のフローチャートを参照して説明する。
【００３１】まず、カセットステーション４０に配置さ
れた未処理のウエハＷをピンセット４１によってカセッ
ト４２ａから受け取って塗布処理部側の載置台４３ａに
搬送し、ウエハＷの中心位置合わせを行う。次に、ブラ
シ洗浄部１４に搬送してブラシ洗浄を行い、ジェット水
洗浄部１７に搬送してジェット水洗浄を行った後、アド
ヒージョン部１５ａに搬送して加熱しつつウエハＷとレ
ジストとの密着性を改善するための疎水化処理を施す。
疎水化処理されたウエハＷは冷却部１５ｂにて冷却され
た後、レジスト塗布部１８に搬送されて、表面にレジス
ト液の塗布が施される。なお、反射防止膜を塗布する場
合には、ウエハＷの表面に反射防止膜塗布を施し、ベー
キングした後、レジスト液の塗布が施される。レジスト
液の塗布が施されたウエハＷは再びベーク部１６に搬送
されてベークされてレジスト膜中の溶剤を蒸発した後、
カセットステーション４０の載置台４３ａに搬送され
る。
【００３２】上記塗布処理が施されたウエハＷはカセッ
トステーション４０のピンセット４１及び現像処理部３
０の搬送アーム３３を介して中継部２５の載置台２５ａ
に搬送されて位置合わせされた後、露光装置２０の搬送
アーム２３によって載置台２１上に搬送され、マスク部
材Ｍを介して光源からの光が照射されて所定のパターン
が縮小投影されて露光される。
【００３３】露光処理されたウエハＷは中継部２５を介
して搬送アーム３３によって現像処理部３０のベーク部
３４に搬送されてベークされた後、現像部に搬送されて
現像処理が施される。この際、現像処理部３０には補助
的に空気清浄機構６０が設けられているので、塗布処理
部１０の疎水化処理の際に発生したアミン等のアルカリ
成分雰囲気をダウンフローにより排気し、補助的に除去
することができるので、パターン精度を良好にすること
ができる。特に化学増幅型レジストを使用する場合に有
効である。このようにして現像処理されたウエハＷは再
びベーク部３４に搬送されてポストベークされてパター
ン強度が強化される。 上記のようにして現像が施され
たウエハＷはカセットステーション４０の現像処理部側
の載置台４３ｂに搬送された後、ピンセット４１によっ
て受け取られて処理済みのウエハＷを収容するカセット
４２ｂに搬送される。
【００３４】なお、上記説明では、カセットステーショ
ン４０からレジスト液塗布処理部１０、装置は別の構成
となる露光装置２０及び現像処理部３０に連続して搬送
し、処理する場合について説明したが、別の処理方法と
して、例えばカセットステーション４０から塗布処理部
１０に搬送して上記の手順で塗布処理が施されたウエハ
Ｗを一旦カセット４２ｂに収容し、そして、カセット４
２ｂから露光装置２０及び現像処理部３０に搬送して露
光処理及び現像処理を行うようにしてもよい。また、塗
布処理部１０側と現像処理部３０等側とを各々別々に動
作させるようにしてもよい。これにより、塗布処理、露
光・現像処理及び両者の連続処理等、処理プロセスに対
応して選択して動作させることが可能となる。更には、
異種ロットウエハの平行処理が可能となる。
【００３５】なお、上記実施形態では、この発明の処理
装置を半導体ウエハの塗布・現像処理システムに適用し
た場合について説明したが、半導体ウエハ以外のＬＣＤ
基板等の被処理体にレジスト液を塗布し、露光及び現像
処理する場合にも適用できることは勿論である。更に、
上記実施形態では処理液としてレジスト液の例について
説明したが、処理液はこれに限らず例えば磁性粉液等を
用いてもよい。
【００３６】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の処理
装置によれば、上記のように構成されるので、以下のよ
うな効果が得られる。
【００３７】１）請求項１記載の処理装置によれば、装
置外部との間において未処理又は処理済みの被処理体を
収容する容器を、搬入・搬出可能な搬入・搬出部によっ
て被処理体を直接塗布処理部又は現像処理部にそれぞれ
搬出又は搬入することができるので、装置の小型化が図
れる共にスペースの有効利用が図れる。また、塗布処理
部と現像処理部とを搬入・搬出部で区画することによ
り、塗布処理部と現像処理部との雰囲気を区画すること
ができるので、異種雰囲気による影響を極力少くするこ
とができ、例えばＩＣ素子の回路パターンの正確な線幅
を得るなどのように装置の精度を向上させることができ
る。
【００３８】２）請求項７記載の処理装置によれば、塗
布処理部の塗布部と第１の熱処理部とを被処理体の搬送
機構の搬送路を介して対向配置し、現像処理部の現像部
と第２の熱処理部とを被処理体の搬送機構の搬送路を介
して対向配置するので、塗布部及び現像部と熱処理部と
を間隔をおいて設けることができるので、上記１）に加
えて塗布部及び現像部が熱処理部から受ける熱的影響を
可及的に少なくすることができると共に、更に装置の精
度の向上を図ることができる。
【００３９】３）請求項２，５及び６記載の処理装置に
よれば、搬入・搬出部にて露光前工程と露光後工程とを
離間させて構成し、また、少なくとも現像処理部に、こ
の現像処理部の雰囲気を清浄化する空気清浄機構を設け
るので、レジスト塗布処理及び露光処理された被処理体
と共に持ち込まれるレジスト塗布処理部や露光処理部の
雰囲気成分を更に確実に除去することができ、上記１）
に加えて更に装置精度の向上を図ることができる。
【００４０】４）請求項３記載の処理装置によれば、露
光処理部と搬入・搬出部に対して容器を搬入又は搬出す
る容器の搬送手段を配設するので、被処理体を収容する
容器及び露光マスク部材を収容する容器の搬送を同一の
搬送手段にて行うことができると共に、搬送を円滑にす
ることができる。また、請求項４記載の処理装置によれ
ば、搬入・搬出部における容器と、露光処理部における
露光マスク部材を収容する容器とを略同一線上に配置
し、これら容器の配置の近傍位置に容器の搬送手段を配
設するので、被処理体を収容する容器及び露光マスク部
材を収容する容器の搬送を同一の搬送手段にて行うこと
ができると共に、搬送を円滑にすることができる。した
がって、上記１）に加えて更に装置の小型化が図れると
共に、スペースの有効利用が図れ、かつ、スループット
の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の処理装置の一例を示す半導体ウエハ
のレジスト液塗布・現像システムの概略平面図である。
【図２】この発明における搬入・搬出部の概略斜視図で
ある。
【図３】この発明における現像処理部の概略断面図であ
る。
【図４】この発明の処理装置の処理工程を説明するフロ
ーチャートである。
【符号の説明】
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） Ｍ マスク部材 １０ 塗布処理部 １１ 搬送路 １２ 搬送機構 １５ａ アドヒージョン部（疎水化処理部） １６ ベーク部（第１の熱処理部） １８ レジスト塗布部 ２０ 露光装置（露光処理部） ２２ マスク部材収容容器 ３０ 現像処理部 ３１ 搬送路 ３２ 搬送機構 ３４ ベーク部（第２の熱処理部） ３５ 現像部 ４０ カセットステーション（搬入・搬出部） ４１ ピンセット８（搬送機構） ４２ａ，４２ｂ カセット（容器） ５０ 搬送ロボット（搬送手段） ６０ 空気清浄機構
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−305914（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−84410（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−142355（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−171478（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 H01L 21/68

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 未処理の被処理体を収容する第１の容器
    と、処理済みの被処理体を収容する第２の容器とを配置
    すると共に、これら容器を、装置外部との間で搬入・搬
    出可能な搬入・搬出部と、 上記搬入・搬出部に配設されて上記容器との間で上記被
    処理体を搬出又は搬入する搬送機構と、 上記搬入・搬出部の一方側に配設されて、上記被処理体
    の搬送機構を具備すると共に、被処理体の表面に処理液
    を塗布する塗布処理部と、 上記搬入・搬出部の他方側に配設されて、上記被処理体
    の搬送機構を具備すると共に、被処理体の塗布膜を現像
    処理する現像処理部と、を具備し、 上記搬入・搬出部における塗布処理部側及び現像処理部
    側に、それぞれ上記搬送機構に対して受け渡し可能な載
    置台を具備する ことを特徴とする処理装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の処理装置において、 上記現像処理部における搬入・搬出部と反対側に、被処
    理体に形成されたレジスト膜を露光する露光処理部を具
    備することを特徴とする処理装置。
  3. 【請求項３】 請求項２記載の処理装置において、 上記露光処理部と搬入・搬出部に対して容器を搬入又は
    搬出する容器の搬送手段を配設することを特徴とする処
    理装置。
  4. 【請求項４】 請求項３記載の処理装置において、 搬入・搬出部における容器と、露光処理部における露光
    マスク部材を収容する容器とを略同一線上に配置し、こ
    れら容器の配置の近傍位置に容器の搬送手段を配設して
    なることを特徴とする処理装置。
  5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の処
    理装置において、 上記塗布処理部を、被処理体の表面にレジスト液を塗布
    するレジスト塗布処理部にて形成し、 上記被処理体の搬送機構の搬送路を介して、上記レジス
    ト塗布処理部と対向する側に、レジスト膜を形成する前
    の被処理体の表面に疎水化処理を施す疎水化処理部を具
    備する、 ことを特徴とする処理装置。
  6. 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかに記載の処
    理装置において、 少なくとも上記現像処理部に、該現像処理部内の雰囲気
    を清浄化する空気清浄機構を具備することを特徴とする
    処理装置。
  7. 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれかに記載の処
    理装置において、 上記塗布処理部を、処理液の塗布部と、塗布処理前後の
    被処理体を熱処理する第１の熱処理部とで構成すると共
    に、塗布部と第１の熱処理部とを被処理体の搬送機構の
    搬送路を介して対向配置し、 上記現像処理部を、現像部と、現像処理前後の上記被処
    理体を熱処理する第２の熱処理部とで構成する共に、現
    像部と第２の熱処理部とを被処理体の搬送機構の搬送路
    を介して対向配置してなる、 ことを特徴とする処理装置。
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