JPH0945613A - 処理装置 - Google Patents

処理装置

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JPH0945613A
JPH0945613A JP7212857A JP21285795A JPH0945613A JP H0945613 A JPH0945613 A JP H0945613A JP 7212857 A JP7212857 A JP 7212857A JP 21285795 A JP21285795 A JP 21285795A JP H0945613 A JPH0945613 A JP H0945613A
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正巳 飽本
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Tokyo Electron Kyushu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 装置の小型化を図ると共に、装置の精度の向
上を図ること。 【解決手段】 未処理及び処理済みの半導体ウエハＷを
収容するカセット４２ａ，４２ｂを配置し、半導体ウエ
ハＷを搬送するピンセット４１を具備するカセットステ
ーション４０の一方側に、半導体ウエハＷの表面にレジ
スト液を塗布するレジスト液塗布部１８を有する塗布処
理部１０を配設する。また、カセットステーション４０
の他方側に、半導体ウエハＷの露光部を現像処理する現
像処理部３０を配設する。これにより、塗布処理部１０
の雰囲気と現像処理部３０の雰囲気を区画することがで
きると共に、１つのカセットステーション４０から直接
塗布処理部１０や現像処理部３０へ半導体ウエハＷを搬
送することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、処理装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程には、被処理
体例えばシリコン基板等の半導体ウエハに処理液例えば
フォトレジスト液を塗布し、フォトリソグラフィ技術を
用いて回路パターン等を縮小してフォトレジスト膜を露
光し、これを現像処理する一連の処理工程がある。この
処理工程は、半導体デバイスの高集積化において極めて
重要なプロセスである。
【０００３】上記処理を行う装置として、被処理体例え
ば半導体ウエハの表面に処理液例えばレジスト液を塗布
してレジスト膜を形成する塗布装置、半導体ウエハ表面
に塗布されたレジスト膜に所定のパターンを有するマス
ク部材を介して光源からの光を照射して回路パターンを
露光する露光装置、及び露光後の半導体ウエハの表面に
現像液を塗布して現像処理を行う現像装置等の処理装置
が使用されている。これら処理装置は、一般に、未処理
あるいは処理済みの半導体ウエハを収容するカセット
（容器）と、これらカセットとの間で半導体ウエハを搬
出又は搬入する搬送機構とを具備するカセットステーシ
ョン（搬入・搬出部）と塗布処理部あるいは現像処理部
等とを組合わせた構造である。したがって、半導体ウエ
ハにレジスト液を塗布し、露光し、現像するためにはこ
れら各処理装置を組合わせて使用する必要がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、塗布処
理、露光処理及び現像処理を別々の処理システムを用い
て行うものにおいては、塗布処理部や現像処理部等にそ
れぞれカセットステーションを設けるため、スペースを
多くとるばかりか装置の大型化を招き、コストが嵩むと
いう問題があった。
【０００５】また、半導体ウエハを上述した一連のプロ
セスで処理、すなわち、半導体ウエハとレジストとの密
着性を改善するために疎水化処理し、レジスト液を塗布
し、塗布されたレジスト膜をベーキングし乾燥した後、
塗布されたレジスト膜に所定の回路パターンを露光し、
露光された半導体ウエハの表面に現像液を供給して現像
処理を施す工程において、回路パターンの正確な線幅が
得られず、集積度の高精度の性能が充分得られないとい
う問題もあった。この高集積度の対応について発明者等
は鋭意研究した結果、明らかではないが、以下の理由に
より回路パターンの正確な線幅が得られないと推測され
る。
【０００６】すなわち、レジスト液を半導体ウエハ表
面に塗布する前工程として半導体ウエハ表面の疎水化処
理を行う際に、アミン系溶剤が使用されるため、アミン
等のアルカリ成分が生成される。露光処理時の異常露
光の発生を防止するために使用する反射防止膜である塗
布剤の溶剤としてアミン系溶剤を使用するため、同様に
アミン等のアルカリ成分が生成される。上記の工
程、すなわち疎水化処理工程及び露光処理工程において
発生したアルカリ成分が露光工程後の焼成工程や現像工
程などの雰囲気に流入することにより、上記焼成時や現
像時に回路パターンの正確な線幅が得られず、ＩＣ素子
の歩留まりの低下を招くものと考えられる。
【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、装置の小型化を図ると共に、装置精度の向上を図れ
るようにした処理装置を提供することを目的とするもの
である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の処理装置は、未処理の被処理体を収
容する第１の容器と処理済みの被処理体を収容する第２
の容器とを配置し、これら容器との間で上記被処理体を
搬出又は搬入する搬送機構を具備する被処理体の搬入・
搬出部と、 上記搬入・搬出部の一方側に配設されて、
上記被処理体の表面に処理液を塗布する塗布処理部と、
上記搬入・搬出部の他方側に配設されて、上記被処理
体の塗布膜を現像処理する現像処理部と、を具備するこ
とを特徴とする。
【０００９】請求項２記載の処理装置は、未処理の被処
理体を収容する第１の容器と処理済みの被処理体を収容
する第２の容器とを配置し、これら容器との間で上記被
処理体を搬出又は搬入する搬送機構を具備する被処理体
の搬入・搬出部と、 上記搬入・搬出部の一方側に配設
されて、上記被処理体の表面に処理液を塗布する塗布処
理部と、 上記搬入・搬出部の他方側に配設されて、上
記被処理体の塗布膜を現像処理する現像処理部と、を具
備してなり、 上記塗布処理部を、処理液の塗布部と、
塗布処理前後の上記被処理体を熱処理する第１の熱処理
部とで構成すると共に、塗布部と第１の熱処理部とを被
処理体の搬送機構の搬送路を介して対向配置し、 上記
現像処理部を、現像部と、現像処理前後の上記被処理体
を熱処理する第２の熱処理部とで構成する共に、現像部
と第２の熱処理部とを被処理体の搬送機構の搬送路を介
して対向配置してなる、ことを特徴とする。
【００１０】請求項３記載の処理装置は、未処理の被処
理体を収容する第１の容器と処理済みの被処理体を収容
する第２の容器とを配置し、これら容器との間で上記被
処理体を搬出又は搬入する搬送機構を具備する被処理体
の搬入・搬出部と、 上記搬入・搬出部の一方側に配設
されて、上記被処理体の表面にレジスト液を塗布するレ
ジスト塗布処理部と、 上記搬入・搬出部の一方側に配
設されて、レジスト膜を形成する前の上記被処理体の表
面に疎水化処理を施す疎水化処理部と、 上記搬入・搬
出部の他方側に配設されて、上記被処理体の塗布膜を現
像処理する現像処理部と、 上記搬入・搬出部の他方側
に配設されて、上記被処理体のレジスト膜を露光する露
光処理部と、を具備してなり、 少なくとも上記現像処
理部に、この現像処理部の雰囲気を清浄化する空気清浄
機構を設けた、ことを特徴とする。
【００１１】請求項４記載の処理装置は、未処理の被処
理体を収容する第１の容器と処理済みの被処理体を収容
する第２の容器とを配置し、これら容器との間で上記被
処理体を搬出又は搬入する搬送機構を具備する被処理体
の搬入・搬出部と、 上記搬入・搬出部の一方側に配設
されて、上記被処理体の表面にレジスト液を塗布するレ
ジスト塗布処理部と、 上記搬入・搬出部の一方側に配
設されて、レジスト膜を形成する前の上記被処理体の表
面に疎水化処理を施す疎水化処理部と、 上記搬入・搬
出部の他方側に配設されて、上記被処理体の塗布膜を現
像処理する現像処理部と、 上記搬入・搬出部の他方側
に配設されて、上記被処理体のレジスト膜を露光する露
光処理部と、を具備してなり、 少なくとも上記現像処
理部に、この現像処理部の雰囲気を清浄化する空気清浄
機構を設け、 上記レジスト塗布処理部を、レジスト液
の塗布部と、レジスト塗布処理前後の上記被処理体を熱
処理する第１の熱処理部とで構成すると共に、塗布部と
第１の熱処理部とを被処理体の搬送機構の搬送路を介し
て対向配置し、 上記現像処理部を、現像部と、現像処
理前後の上記被処理体を熱処理する第２の熱処理部とで
構成する共に、現像部と第２の熱処理部とを被処理体の
搬送機構の搬送路を介して対向配置してなる、ことを特
徴とする。
【００１２】上記請求項３又は４記載の処理装置におい
て、搬入・搬出部における容器と、露光処理部における
露光マスク部材を収容する容器とを略同一線上に配置
し、これら容器の配置の近傍位置に容器の搬送手段を配
設する方が好ましい（請求項５）。
【００１３】上記のように構成されるこの発明の処理装
置によれば、１つの搬入・搬出部によって被処理体を直
接塗布処理部又は現像処理部にそれぞれ搬出又は搬入す
ることができ、また、塗布処理部と現像処理部とを搬入
・搬出部で区画することができることで、塗布処理部と
現像処理部との雰囲気を区画することができる（請求項
１）。
【００１４】また、塗布処理部の塗布部と第１の熱処理
部とを被処理体の搬送機構の搬送路を介して対向配置
し、現像処理部の現像部と第２の熱処理部とを被処理体
の搬送機構の搬送路を介して対向配置することにより、
塗布部及び現像部と熱処理部とを間隔をおいて設けるこ
とができ、塗布部及び現像部が熱処理部から受ける熱的
影響を可及的に少なくすることができる（請求項２，
４）。
【００１５】また、少なくとも現像処理部に、この現像
処理部の雰囲気を清浄化する空気清浄機構を設けること
により、レジスト塗布処理及び露光処理された被処理体
と共に持ち込まれるレジスト塗布処理部や露光処理部の
雰囲気成分を除去することができ、現像処理雰囲気を清
浄化することができる（請求項３，４）。
【００１６】また、搬入・搬出部における容器と、露光
処理部における露光マスク部材を収容する容器とを略同
一線上に配置し、これら容器の配置の近傍位置に容器の
搬送手段を配設することにより、被処理体を収容する容
器及び露光マスク部材を収容する容器の搬送を同一の搬
送手段にて行うことができると共に、搬送を円滑にする
ことができる（請求項５）。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、この発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳細に説明する。この実施形態では、こ
の発明に係る処理装置を半導体ウエハへのレジスト液塗
布・現像処理システムに適用した場合について説明す
る。
【００１８】上記レジスト液塗布・現像処理システム
は、図１に示すように、未処理の被処理体例えば半導体
ウエハＷ（以下にウエハという）を収容する第１のカセ
ット４２ａ（容器）と処理済みのウエハＷを収容する第
２のカセット４２ｂ（容器）を所定位置に配置し、これ
ら容器４２ａ及び４２ｂとの間でウエハＷの搬出又は搬
入を行うウエハＷの搬送用ピンセット４１（搬送機構）
を具備するカセットステーション４０（搬入・搬出部）
と、このカセットステーション４０の一方側（図１にお
いて右側）に配設されてウエハＷの表面にレジスト膜を
形成する塗布処理部１０と、カセットステーション４０
の他方側（図１において左側）に配設されて露光処理さ
れたウエハＷを現像処理する現像処理部３０と、この現
像処理部３０と同じ側に配設されて塗布処理されたウエ
ハＷに所定のマスク部材Ｍを介して光源から紫外光を照
射してレジスト膜に所定の回路パターンを露光する露光
装置２０（露光処理部）とで主要部が構成されている。
【００１９】上記塗布処理部１０は、筐体１０ａの中央
に配置された直線状の搬送路１１を移動可能な搬送機構
１２が設けられており、この搬送機構１２には水平面内
でＸ，Ｙ方向及び垂直方向（Ｚ方向）に移動し、かつ回
転（θ）自在なウエハ搬送アーム１３が設けられてい
る。この搬送機構１２の搬送路１１の側縁に沿う一方の
側には、ブラシ洗浄部１４，疎水化処理工程を実行する
アドヒージョン部１５ａと冷却部１５ｂとを積み重ねて
設けたアドヒージョン部／冷却部１５及びベーク部１６
（第１の熱処理部）が一列に隣接して配置されている。
また、搬送路１１の他方の側には、ジェット水洗浄部１
７と個数例えば２個のレジスト液をスピンコーティング
するレジスト塗布部１８が一列に隣接して配置され、レ
ジスト塗布部１８とベーク部１６とが搬送路１１を介し
て対向配置されている。このように搬送路１１を介して
ベーク部１６とレジスト塗布部１８とを離した状態で対
向配置することにより、ベーク部１６の熱がレジスト塗
布部１８に伝わるのを防止することができ、レジスト塗
布処理に際して熱的影響を受けるのを防止することがで
きる。
【００２０】上記露光装置２０は、ウエハＷを受け渡し
するための中継部２５を介して上記現像処理部３０に連
接されており、この露光装置２０には、ウエハ載置台２
１と光照射手段（図示せず）が設けられている。また、
この露光装置２０の一側にはウエハ載置台２１上に載置
されたウエハＷの上面に配設されるマスク部材Ｍを収容
する容器２２が配置され、この容器２２とウエハ載置台
２１との間でマスク部材Ｍを受渡しするマスク部材搬送
アーム２３がＸ，Ｙ方向、Ｚ方向及び回転（θ）自在に
設けられている。また、露光装置２０には、この露光装
置２０と現像処理部３０との間に配置された中継部２５
との間でウエハＷの受渡しを行うウエハ搬送アーム２４
がＸ，Ｙ方向、Ｚ方向及び回転（θ）自在に設けられて
いる。
【００２１】上記現像処理部３０は、上記塗布処理部１
０と同様に、筐体３０ａの中央に配置された直線状の搬
送路３１を移動可能な搬送機構３２が設けられており、
この搬送機構３２には水平面内でＸ，Ｙ方向及び垂直方
向（Ｚ方向）に移動し、かつ回転（θ）自在なウエハ搬
送アーム３３が設けられている。この搬送機構３２の搬
送路３１の側縁に沿う一方の側には、露光後のレジスト
膜を化学増感するための２個のベーク部３４（第２の熱
処理部）が一列に隣接して配置されている。また、搬送
路３１の他方の側には、ベーク部３４と対向して個数例
えば２個の現像部３５例えば現像液を回転塗布する現像
装置が隣接して配置されている。このように、ベーク部
３４と現像部３５とを搬送路３１を介して離した状態で
対向配置することにより、ベーク部３４の熱が現像部３
５に伝わるのを防止することができ、現像処理に際して
熱的影響を受けるのを防止することができる。
【００２２】一方、上記カセットステーション４０の一
側すなわち上記露光装置２０に配置される容器２２と同
一側（図１において手前側）には、未処理のウエハＷと
処理済みのウエハＷを収容する４個のカセット４２ａ，
４２ｂが配置されている。また、このカセットステーシ
ョン４０には、図１及び図２に示すように、カセット４
２ａ，４２ｂとの間でウエハＷの受渡しを行うウエハ搬
送用のピンセット４１が水平面内のＸ，Ｙ方向、垂直方
向（Ｚ方向）及び回転（θ）自在に配設され、上記塗布
処理部１０及び現像処理部３０と連接する境界部位にウ
エハＷの位置合せ用の載置台４３ａ，４３ｂが配置され
ている。
【００２３】このように構成されるカセットステーショ
ン４０において、例えば未処理のウエハＷを収容するカ
セット４２ａからピンセット４１で受け取り塗布処理部
側の載置台４３ａ上に搬送したり、塗布処理部１０にて
レジスト塗布されたウエハＷを載置台４３ａからピンセ
ット４１で受け取って現像処理部側の載置台４３ｂ上に
搬送したり、露光処理及び現像処理されたウエハＷを載
置台４３ｂからピンセット４１で受け取って処理済み用
のカセット４２ｂに搬送することができる。したがっ
て、カセットステーション４０を共通にして、疎水化処
理工程、レジスト液塗布工程、この塗布工程で塗布され
たレジスト膜をベーキングし乾燥する工程、塗布された
レジスト膜に予め定められたＩＣパターンを露光する工
程、露光されたウエハＷに現像液をシャワー状に供給し
てスピンコーティングする工程などを１箇所のプロセス
ステーションとしてまとめることができ、限られた超ク
リーンルームのスペースを有効利用することができる。
【００２４】一方、上記露光装置２０のマスク部材収容
用の容器２２とカセットステーション４０のカセット４
２ａ，４２ｂの配置側近傍位置にガイドレール５１が沿
設されており、このガイドレール５１に例えばボールね
じ機構、ベルト機構、リニアモータ，エアー搬送機構等
によって移動自在な容器の搬送手段としての搬送ロボッ
ト５０が装着されている。この搬送ロボット５０はガイ
ドレール５１に沿うＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の移動及び
回転（θ）自在に形成されて、未処理のウエハＷを収容
するカセット４２ａのカセットステーション４０への搬
送及び処理済みのウエハＷを収容するカセット４２ｂの
カセットステーション４０からの搬出に供され、また、
マスク部材収容容器２２の露光装置２０への搬入、搬出
に供されるようになっている。
【００２５】このように、露光装置２０とカセットステ
ーション４０を略同一線上の一側にマスク部材収容容器
２２を配置すると共に、未処理及び処理済みのウエハＷ
の収容用カセット４２ａ，４２ｂを配置し、そして、こ
れらと平行な近傍位置にガイドレール５１を沿設し、ガ
イドレール５１に搬送ロボット５０を装着することによ
り、同一の搬送ロボット５０によってウエハ収容用カセ
ット４２ａ，４２ｂ及びマスク部材収容容器２２の搬入
・搬出及び移動を行うことができる。したがって、構成
部材の削減によるスペースの有効利用が図れると共に、
搬送作業の能率化を図ることができる。
【００２６】また、上記のように構成される塗布処理部
１０及び現像処理部３０の側方及び上方はカバーによっ
て覆われており、処理部内に清浄化された空気が供給さ
れるように構成されている。この空気清浄機構６０につ
いて、図３に示す現像処理部３０を代表して説明する
と、筐体３０ａによって形成される処理部を覆うカバー
６１の上部側にダクト６２が形成され、このダクト６２
と処理部内とを連通する連通路６３内に送風ファン６４
とフィルタ６５が配設されて清浄化された空気が処理部
内にダウンフロー状態で供給されるようになっている。
また、処理部中央の搬送路３１の底部には排気通路６６
が設けられており、この排気通路６６内に排気ファン６
７が配設されて、上方より処理部内に供給された清浄な
空気が搬送路３１及び現像部３５に供給された後、下方
に排気されるようになっている。なお、空気清浄機構は
現像部３５の上方に現像部専用のもの６０Ａを設け、下
方に設けた図示しない排気口より排気し、清浄な空気を
現像部３５内を流通させるようにしてもよい。
【００２７】上記のように、カセットステーション４０
を介在させて露光前工程と露光後工程を離間させて構成
し、更に空気清浄機構６０を設けることにより、塗布処
理部１０における疎水化処理により、あるいはレジスト
塗布の際に使用される反射防止膜の塗布により、生成さ
れるアミン等のアルカリ成分による雰囲気や装置の周囲
の空気中に含まれるアンモニア等のアルカリ成分を極力
除去する構成になっている。更に、露光後の焼成、現像
をカセットステーション４０を介して設けることにより
アミン等のアルカリ成分による現像工程でのレジストパ
ターン形状の精度低下をより効果的に防止することがで
き、正確なパターンの線幅をより効果的に得ることがで
きる。なお、この空気清浄機構６０は少なくとも現像処
理部３０に設ければ、上記の目的は達成することができ
る。
【００２８】次に、上記のように構成されるこの発明の
処理装置におけるウエハＷの処理工程について、図１及
び図４のフローチャートを参照して説明する。
【００２９】まず、カセットステーション４０に配置さ
れた未処理のウエハＷをピンセット４１によってカセッ
ト４２ａから受け取って塗布処理部側の載置台４３ａに
搬送し、ウエハＷの中心位置合わせを行う。次に、ブラ
シ洗浄部１４に搬送してブラシ洗浄を行い、ジェット水
洗浄部１７に搬送してジェット水洗浄を行った後、アド
ヒージョン部１５ａに搬送して加熱しつつウエハＷとレ
ジストとの密着性を改善するための疎水化処理を施す。
疎水化処理されたウエハＷは冷却部１５ｂにて冷却され
た後、レジスト塗布部１８に搬送されて、表面にレジス
ト液の塗布が施される。なお、反射防止膜を塗布する場
合には、ウエハＷの表面に反射防止膜塗布を施し、ベー
キングした後、レジスト液の塗布が施される。レジスト
液の塗布が施されたウエハＷは再びベーク部１６に搬送
されてベークされてレジスト膜中の溶剤を蒸発した後、
カセットステーション４０の載置台４３ａに搬送され
る。
【００３０】上記塗布処理が施されたウエハＷはカセッ
トステーション４０のピンセット４１及び現像処理部３
０の搬送アーム３３を介して中継部２５の載置台２５ａ
に搬送されて位置合わせされた後、露光装置２０の搬送
アーム２３によって載置台２１上に搬送され、マスク部
材Ｍを介して光源からの光が照射されて所定のパターン
が縮小投影されて露光される。
【００３１】露光処理されたウエハＷは中継部２５を介
して搬送アーム３３によって現像処理部３０のベーク部
３４に搬送されてベークされた後、現像部に搬送されて
現像処理が施される。この際、現像処理部３０には補助
的に空気清浄機構６０が設けられているので、塗布処理
部１０の疎水化処理や反射防止膜塗布の際に発生したア
ミン等のアルカリ成分雰囲気をダウンフローにより排気
し、補助的に除去することができるので、パターン精度
を良好にすることができる。特に化学増幅型レジストを
使用する場合に有効である。このようにして現像処理さ
れたウエハＷは再びベーク部３４に搬送されてポストベ
ークされてパターン強度が強化される。上記のようにし
て現像が施されたウエハＷはカセットステーション４０
の現像処理部側の載置台４３ｂに搬送された後、ピンセ
ット４１によって受け取られて処理済みのウエハＷを収
容するカセット４２ｂに搬送される。
【００３２】なお、上記説明では、カセットステーショ
ン４０からレジスト液塗布処理部１０、装置は別の構成
となる露光装置２０及び現像処理部３０に連続して搬送
し、処理する場合について説明したが、別の処理方法と
して、例えばカセットステーション４０から塗布処理部
１０に搬送して上記の手順で塗布処理が施されたウエハ
Ｗを一旦カセット４２ｂに収容し、そして、カセット４
２ｂから露光装置２０及び現像処理部３０に搬送して露
光処理及び現像処理を行うようにしてもよい。また、塗
布処理部１０側と現像処理部３０等側とを各々別々に動
作させるようにしてもよい。これにより、塗布処理、露
光・現像処理及び両者の連続処理等、処理プロセスに対
応して選択して動作させることが可能となる。更には、
異種ロットウエハの平行処理が可能となる。
【００３３】なお、上記実施形態では、この発明の処理
装置を半導体ウエハの塗布・現像処理システムに適用し
た場合について説明したが、半導体ウエハ以外のＬＣＤ
基板等の被処理体にレジスト液を塗布し、露光及び現像
処理する場合にも適用できることは勿論である。更に、
上記実施形態では処理液としてレジスト液の例について
説明したが、処理液はこれに限らず例えば磁性粉液等を
用いてもよい。
【００３４】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の処理
装置によれば、上記のように構成されるので、以下のよ
うな効果が得られる。
【００３５】１）請求項１記載の処理装置によれば、１
つの搬入・搬出部によって被処理体を直接塗布処理部又
は現像処理部にそれぞれ搬出又は搬入することができる
ので、装置の小型化が図れる共にスペースの有効利用が
図れる。また、塗布処理部と現像処理部とを搬入・搬出
部で区画することにより、塗布処理部と現像処理部との
雰囲気を区画することができるので、異種雰囲気による
影響を極力少くすることができ、例えばＩＣ素子の回路
パターンの正確な線幅を得るなどのように装置の精度を
向上させることができる。
【００３６】２）請求項２及び４記載の処理装置によれ
ば、塗布処理部の塗布部と第１の熱処理部とを被処理体
の搬送機構の搬送路を介して対向配置し、現像処理部の
現像部と第２の熱処理部とを被処理体の搬送機構の搬送
路を介して対向配置するので、塗布部及び現像部と熱処
理部とを間隔をおいて設けることができるので、上記
１）に加えて塗布部及び現像部が熱処理部から受ける熱
的影響を可及的に少なくすることができると共に、更に
装置の精度の向上を図ることができる。
【００３７】３）請求項３及び４記載の処理装置によれ
ば、少なくとも現像処理部に、この現像処理部の雰囲気
を清浄化する空気清浄機構を設けるので、レジスト塗布
処理及び露光処理された被処理体と共に持ち込まれるレ
ジスト塗布処理部や露光処理部の雰囲気成分を更に確実
に除去することができ、上記１）に加えて更に装置精度
の向上を図ることができる。
【００３８】４）請求項５記載の処理装置によれば、搬
入・搬出部における容器と、露光処理部における露光マ
スク部材を収容する容器とを略同一線上に配置し、これ
ら容器の配置の近傍位置に容器の搬送手段を配設するの
で、被処理体を収容する容器及び露光マスク部材を収容
する容器の搬送を同一の搬送手段にて行うことができる
と共に、搬送を円滑にすることができる。したがって、
上記１）に加えて更に装置の小型化が図れると共に、ス
ペースの有効利用が図れ、かつ、スループットの向上を
図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の処理装置の一例を示す半導体ウエハ
のレジスト液塗布・現像システムの概略平面図である。
【図２】この発明における搬入・搬出部の概略斜視図で
ある。
【図３】この発明における現像処理部の概略断面図であ
る。
【図４】この発明の処理装置の処理工程を説明するフロ
ーチャートである。
【符号の説明】
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） Ｍ マスク部材 １０ 塗布処理部 １１ 搬送路 １２ 搬送機構 １５ａ アドヒージョン部（疎水化処理部） １６ ベーク部（第１の熱処理部） １８ レジスト塗布部 ２０ 露光装置（露光処理部） ２２ マスク部材収容容器 ３０ 現像処理部 ３１ 搬送路 ３２ 搬送機構 ３４ ベーク部（第２の熱処理部） ３５ 現像部 ４０ カセットステーション（搬入・搬出部） ４１ ピンセット８（搬送機構） ４２ａ，４２ｂ カセット（容器） ５０ 搬送ロボット（搬送手段） ６０ 空気清浄機構

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 未処理の被処理体を収容する第１の容器
    と処理済みの被処理体を収容する第２の容器とを配置
    し、これら容器との間で上記被処理体を搬出又は搬入す
    る搬送機構を具備する被処理体の搬入・搬出部と、 上記搬入・搬出部の一方側に配設されて、上記被処理体
    の表面に処理液を塗布する塗布処理部と、 上記搬入・搬出部の他方側に配設されて、上記被処理体
    の塗布膜を現像処理する現像処理部と、を具備すること
    を特徴とする処理装置。
  2. 【請求項２】 未処理の被処理体を収容する第１の容器
    と処理済みの被処理体を収容する第２の容器とを配置
    し、これら容器との間で上記被処理体を搬出又は搬入す
    る搬送機構を具備する被処理体の搬入・搬出部と、 上記搬入・搬出部の一方側に配設されて、上記被処理体
    の表面に処理液を塗布する塗布処理部と、 上記搬入・搬出部の他方側に配設されて、上記被処理体
    の塗布膜を現像処理する現像処理部と、を具備してな
    り、 上記塗布処理部を、処理液の塗布部と、塗布処理前後の
    上記被処理体を熱処理する第１の熱処理部とで構成する
    と共に、塗布部と第１の熱処理部とを被処理体の搬送機
    構の搬送路を介して対向配置し、 上記現像処理部を、現像部と、現像処理前後の上記被処
    理体を熱処理する第２の熱処理部とで構成する共に、現
    像部と第２の熱処理部とを被処理体の搬送機構の搬送路
    を介して対向配置してなる、ことを特徴とする処理装
    置。
  3. 【請求項３】 未処理の被処理体を収容する第１の容器
    と処理済みの被処理体を収容する第２の容器とを配置
    し、これら容器との間で上記被処理体を搬出又は搬入す
    る搬送機構を具備する被処理体の搬入・搬出部と、 上記搬入・搬出部の一方側に配設されて、上記被処理体
    の表面にレジスト液を塗布するレジスト塗布処理部と、 上記搬入・搬出部の一方側に配設されて、レジスト膜を
    形成する前の上記被処理体の表面に疎水化処理を施す疎
    水化処理部と、 上記搬入・搬出部の他方側に配設されて、上記被処理体
    の塗布膜を現像処理する現像処理部と、 上記搬入・搬出部の他方側に配設されて、上記被処理体
    のレジスト膜を露光する露光処理部と、を具備してな
    り、 少なくとも上記現像処理部に、この現像処理部の雰囲気
    を清浄化する空気清浄機構を設ける、ことを特徴とする
    処理装置。
  4. 【請求項４】 未処理の被処理体を収容する第１の容器
    と処理済みの被処理体を収容する第２の容器とを配置
    し、これら容器との間で上記被処理体を搬出又は搬入す
    る搬送機構を具備する被処理体の搬入・搬出部と、 上記搬入・搬出部の一方側に配設されて、上記被処理体
    の表面にレジスト液を塗布するレジスト塗布処理部と、 上記搬入・搬出部の一方側に配設されて、レジスト膜を
    形成する前の上記被処理体の表面に疎水化処理を施す疎
    水化処理部と、 上記搬入・搬出部の他方側に配設されて、上記被処理体
    の塗布膜を現像処理する現像処理部と、 上記搬入・搬出部の他方側に配設されて、上記被処理体
    のレジスト膜を露光する露光処理部と、を具備してな
    り、 少なくとも上記現像処理部に、この現像処理部の雰囲気
    を清浄化する空気清浄機構を設け、 上記レジスト塗布処理部を、レジスト液の塗布部と、レ
    ジスト塗布処理前後の上記被処理体を熱処理する第１の
    熱処理部とで構成すると共に、塗布部と第１の熱処理部
    とを被処理体の搬送機構の搬送路を介して対向配置し、 上記現像処理部を、現像部と、現像処理前後の上記被処
    理体を熱処理する第２の熱処理部とで構成する共に、現
    像部と第２の熱処理部とを被処理体の搬送機構の搬送路
    を介して対向配置してなる、ことを特徴とする処理装
    置。
  5. 【請求項５】 請求項３又は４記載の処理装置におい
    て、 搬入・搬出部における容器と、露光処理部における露光
    マスク部材を収容する容器とを略同一線上に配置し、こ
    れら容器の配置の近傍位置に容器の搬送手段を配設して
    なることを特徴とする処理装置。
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