KR100248565B1 - 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치 - Google Patents

레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치 Download PDF

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KR100248565B1
KR100248565B1 KR1019950004757A KR19950004757A KR100248565B1 KR 100248565 B1 KR100248565 B1 KR 100248565B1 KR 1019950004757 A KR1019950004757 A KR 1019950004757A KR 19950004757 A KR19950004757 A KR 19950004757A KR 100248565 B1 KR100248565 B1 KR 100248565B1
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다카유키 도모에다
마사아키 무라카미
겐이치 니시오카
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다카시마 히로시
도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤
히가시 데쓰로
동경 엘렉트론주식회사
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Abstract

본 발명은, 피처리체에 처리액을 공급하여 피처리체에 처리를 하는 처리공정과, 피처리체에 세정액을 공급하여 피처리체를 세정하는 세정공정을 가지며, 처리공정과 세정공정이 적어도 일부에서 오버랩하는 피처리체의 레지스트 처리방법을 제공한다.
또한, 본 발명은, 대향하는 한 쌍의 끝단테두리를 가지는 사각형상의 피처리체의 윗쪽에 처리액을 공급하는 처리액 공급수단을 위치시키는 공정과, 처리액 공급수단에 의해서 처리액을 피처리체에 공급하면서, 처리액 공급수단을 피처리체의 한 쌍의 끝단테두리의 한 쪽의 끝단테두리를 향하여 피처리체에 대하여 상대적으로 이동시키는 공정과, 처리액 공급 수단에 의해서 처리액을 피처리체에 공급하면서, 처리액 공급수단을 피처리체의 상기 한 쪽의 끝단테두리로부터 한 쌍의 끝단테두리의 다른 쪽의 끝단테두리를 향하여 피처리체에 대하여 상대적으로 이동시키는 공정을 가지는 피처리체의 레지스트 처리방법을 제공한다.

Description

레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치.
제1도는, 본 발명의 제1의 발명에 관한 레지스트 처리방법을 실현할 때에 사용하는 레지스트 처리장치를 조립한 레지스트 도포현상 처리시스템의 사시도,
제2도 및 제3도는, 제1의 발명에 관한 레지스트 처리방법을 설명하기 위한 개략도,
제4도는, 제1도의 발명에 관한 레지스트 처리방법의 타이밍챠트,
제5(a)도 내지 제6(c)도는, 제1의 발명에 관한 레지스트 처리방법의 처리공정과 세정공정의 오버랩의 상태를 나타내는 타이밍 챠트,
제7도 및 제12도는, 본 발명의 제2의 발명에 관한 레지스트 처리 방법을 실시할 때에 사용하는 레지스트 처리장치를 나타내는 단면도,
제8도는, 제7도의 레지스트 처리장치의 요부를 나타내는 확대단면도,
제9도는, 제7도의 레지스트 처리장치의 시일기구의 요부를 나타내는 단면사시도,
제10도는, 제9도에 나타내는 시일기구의 개략단면도,
제11(a)도 및 제11(b)도는, 시일기구의 다른 예를 나타내는 개략단면도,
제13도 및 제16도는, 제2의 발명에 관한 레지스트 처리장치의 처리액 공급수단을 나타내는 단면도,
제14도 및 제17도는, 처리액공급수단과 세정액공급수단의 이동기구의 일례를 나타내는 평면도,
제15도는, 처리액공급수단의 동작을 나타내는 설명도,
제18(a)도~제18(e)도는, 제2의 발명에 관한 레지스트 처리방법을 설명하기 위한 도면,
제19도는, 본 발명의 제2의 발명에 관한 레지스트 처리방법을 실시할 때에 사용하는 레지스트 처리장치를 조립한 레지스트 도포 현상 처리시스템의 사시도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 로우더부 2 : 브러시세정장치
3 : 제트수 세정장치 4 : 어드히젼 처리장치
5 : 냉각처리장치 6 : 레지스트 도포장치
7 : 가열처리장치 8 : 현상처리장치
9 : 웨이퍼 반송로 10 : 웨이퍼 반송아암
11 : 웨이퍼 반송기구 20 : 스핀척
21 : 처리컵 22 : 공급노즐
23 : 회전축 24 : 합류관
25 : 삼방향 전환밸브 26 : 현상액 공급관
27 : 린스액 공급관 28 : 현상액 탱크
29,33,36,46 : 필터 30,37,47 : 매스플로우 컨트롤러
31,33 : 유량계 32 : 레귤레이터
34 : N2가스 공급원 35 : 린스액 탱크
39 : 배출관 40 : 트랩 탱크
40a : 기포빼기 포트 40b : 드레인 포트
41 : 3포트 2위치 전환밸브 42 : 배기관
43 : 에젝터 43a : 공기실
43b : 분사노즐 44 : 압축공기 공급원
45,49,50,51 : 개폐밸브 48 : 배기관
101 : 스핀척 103 : 회전축
105 : 고정칼라 106 : 회전내통
107 : 스프라인 베어링 108 : 가동칼라
108b : 플랜지부 109 : 가동벽
110 : 처리용기 111 : 베이스부
111a : 개구 112 : 배기구
112a : 배기관 113 : 하부용기
113a : 배기통로 114 : 용기기초부
114a : 둘레홈 114b : 배액구
114c : 배액관 115 : 안 용기
115a : 매달리는 조각 115b : 경사조각
116a : 제 1 바깥용기 116b : 제2바깥용기
117 : 뚜껑체 117a : 매달림부
118 : 매달림아암 118a : 베어링
119a : 맞닿는 부 119b : 장착부재
120 : 현상액 공급노즐 121 : 현상액 수용체
122 : 가는 구멍 123 : 현상액 수용탱크
124 : 현상액 공급배관 125 : 지지아암
126 : 이동수단 126a : 이동축
126b : 스탭모우터 127 : 안내아암
128 : 안내레일 130 : 린스액 공급노즐
133,135 : 반송레일 134 : 이동아암
136 : 파지아암 141 : 종동풀리
143 : 벨트 144 : 슬라이드 샤프트
146 : 통로 147 : 배기관
148 : 회전구동 전달실 149 : 승강구동실
150 : 시일기구 151 : 틈
152 : 시일부재 153 : 스프링부재
160 : 세정수 분사노즐 161 : 세정수 공급관
171 : 발광부 172 : 수광부
173 : 센서 180 : 온도조정기구
181 : 온도조정실 182 : 유입구
183 : 유출구 184 : 급배배관
186 : 거품빼기구멍 187 : 기포배출관
188 : 흡인량 조절기구 188a : 공기실
188b : 분사노즐 189a : 압축공기 공급원
189b : 유량조정밸브 190 : 로우더부
191 : 제1처리부 192 : 제2처리부
193 : 중계부 194,213 : 받아넘김부
195 : 노광장치 196,197,211 : 카세트
198 : 카세트 얹어놓는 대 199 : 기판 반출입 핀셋기구
201 : 아암기구 202 : 반송로
203 : 블러시 세정장치 204 : 제트수 세정장치
205 : 어드히젼 처리장치 206 : 냉각 처리장치
207 : 레지스트 도포장치 208 : 레지스트 제거장치
209 : 가열처리장치 210 : 현상장치
212 : 반송용 핀셋기구 G : 기판
본 발명은, 반도체 웨이퍼 (이하, "웨이퍼"로 약칭함)나 LCD 기판등의 피처리체에 레지스트 처리를 하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체디바이스나 액정표시소자의 제조공정에 있어서는, 고속회전이 가능하게 구성된 스핀척상에 웨이퍼나 LCD 기판등의 피처리체를 배치하고, 이것을 고속회전시키면서 피처리체상에 감광성재료를 함유하는 포토레지스트를 도포하고, 포토리소그래피기술을 이용하여 회로 패턴을 포토레지스트에 전사하고, 그 후 포토레지스트에 현상처리를 하는 일련의 처리가 이루어진다. 상기 현상처리에 있어서는, 회로패턴이 전사된 포토레지스트에 처리액으로서 현상액을 공급하고 그 후, 현상액을 헹구어 웨이퍼표면을 세정하는 세정액(린스액)을 공급하므로써 이루어진다.
이 경우, 노광되므로써 현상액에 대하여 불용해된 포토레지스트 현상 처리시, 우선 현상액과 접촉하면, 포토레지스트가 팽창한다(체적이 증대한다). 게다가, 이 팽창한 포토레지스트가 린스액과 접촉하면 현상액이 씻어 흘러내리므로써 수축한다. 따라서 포토레지스트에 전사된 회로패턴의 폭이 좁을 때에는, 포토레지스트가 팽창했을 때에 회로패턴사이에 브리지가 형성된다는 문제가 있다. 또, 포토레지스트가 팽창·수축하므로 포토레지스트에 스트레스가 가해진다.
그런데, 가령 폴리이미드계의 레지스트는 비교적 고점도(高粘度)이며, 층간절연막으로서 사용하는 경우에는, 막두께가 10㎛정도로 두껍게 형성된다. 이 경우, 종래의 현상방법에서는, 현상처리에 많은 시간을 요하며, 스루풋의 저하를 초래한다는 문제가 있다. 이 문제를 해결하기 위해, 현상액의 공급량을 많게 하는 것이 고려되는데, 현상액을 증대시켜도 그다지 스루풋은 향상되지 않고, 현상액이나 린스액의 소비량이 많아져 버린다.
현상처리에 있어서, 피처리체가 직사각형 형상의 LCD 기판인 경우, LCD 기판이 비교적 대형인 관계상, LCD 기판에 대해서 상대적으로 이동시킬 수 있도록, 현상액을 공급하는 현상액 공급노즐(처리액 공급수단)을 대향시켜서 배치한다. 또, 스핀척의 회전시에 축흔들림이 발생하기 쉬우므로, 스핀척의 회전축과 구동모터를 밸트나 체인등의 전달수단을 통하여 스핀척을 회전구동시킨다. 또, 현상액 공급노즐에 현상액을 공급할 때에는, 현상액 공급배관을 개재하여 현상액공급노즐에 접속되어 있는 현상액탱크내에, 가령 질소(N2)가스등을 넣어 현상액을 현상액공급노즐에 공급한다.
이러한 구성의 레지스터 처리장치를 이용하여 현상처리를 하는 경우, 회로패턴을 전사한 포토레지스트를 갖는 LCD 기판에 대하여 현상액 공급노즐을 상대적으로 이동시키고, 포토레지스트상에 현상액을 막형상으로 공급하여 소정시간 현상을 한다. 그 후, 스핀척을 고속회전시키면서 탈이온수 또는 순수한 물등의 린스액을 LCD 기판상에 공급하여 현상액을 씻어 내린다.
그러나, 상기 레지스트 처리방법에 있어서는, 현상액 공급노즐을 LCD 기판에 대해서 상대적으로 이동시키므로, LCD 기판에 대한 현상액 공급 노즐의 위치맞춤이 부정확하면, LCD 기판의 끝단부에 현상액이 도포되지 않고, 포토레지스트상에 형성되는 현상액막이 불균일해지며, 수율의 저하를 초래한다. 또, 스핀척의 회전시에 축흔들림이 생기므로, 회전축의 시일부의 마모가 심하고, 스핀척의 회전요동에 의한 현상액의 막두께를 불균일하게 한다는 우려도 있으며, 게다가 장치의 수명저하를 초래한다.
또한, 현상액을 N2가스등으로 압송하여 LCD 기판상에 공급하므로, 현상액에 N2가스가 녹아들어가 거품이 되며, 이 거품이 현상액과 함께 LCD 기판상에 공급되고, 이 거품이 현상얼룩을 일으키는 문제도 있다. 또, 현상액 공급노즐의 작은 구멍으로 부터 노즐내에 공기가 침입하는 우려도 있으며, 이 경우에는, 노즐내에 침입한 공기가 상술과 같이 거품이 되어 LCD 기판상에 공급되어 현상얼룩을 야기하는 수가 있다.
본 발명의 목적은, 현상액이나 린스액등의 처리액을 유효하게 이용하고, 스루풋의 향상을 도모할 수 있는 피처리체의 레지스트 처리방법을 제공하는 것이다.
이 목적은, 본 발명의 제1의 발명인 피처리체에 처리체를 공급하여 상기 피처리체에 처리를 실시하는 처리공정과, 상기 피처리체에 세정액을 공급하여 상기 피처리체를 세정하는 세정공정을 구비하고, 상기 처리 공정과 상기 세정공정이 적어도 일부에서 오버랩하는 피처리체의 레지스트 처리방법에 의해 달성된다.
제1발명에 있어서 처리공정과 세정공정을 오버랩시킬 때에는, 피처리체에 처리액을 공급하고 있는 동안에 세정액을 더 공급해도 좋고, 처리액과 세정액을 미리 혼합하여, 그 혼합액을 피처리체에 공급해도 좋다. 또, 처리액의 공급에 대해서는, 잠시 정지해도 좋고, 소정량까지 점차 감소시켜도 좋다.
또한, 세정액의 공급에 관해서는, 순간적으로 시행해도 좋으며, 소정량까지 점차 증가시켜도 좋다. 또한, 처리액 및 세정액의 공급에 관하여, 처리액의 공급을 점차 감소시킴과 동시에, 세정액의 공급을 점차 증가시켜도 된다.
제1의 발명에 있어서는, 피처리체에 세정액을 공급하여 피처리체를 세정하고(전처리공정), 이어서 이 피처리체에 처리액을 공급하여 처리를 하며, 다음에 상기처리의 종료전에 처리액과 세정액을 혼합하여 이 피처리체에 공급하고(제1의 후처리공정), 그 후 이 피처리체에 세정액을 공급하는 (제2의 후처리공정) 제1의 처리방법을 예로 들수 있다. 이 제1의 처리방법에 의하면, 회로패턴이 전사된 피처리체에 처리액을 공급하기 전에, 세정액을 공급하고 있으므로, 피처리체의 표면에 세정액의 막이 형성되어, 이 막에 의해 처리액의 퍼짐을 촉진할 수 있다. 이에 의해, 처리시간을 단축시킬 수 있다. 또, 처리액과 세정액을 혼합하여 서로 치환하므로써, 피처리체에 형성된 회로패턴의 레지스트의 팽창과 수축을 완화할 수 있다.
또, 제1의 발명에 있어서는, 피처리체에 세정액을 공급하여 피처리체를 세정하고, 이어서 세정의 종료전부터 이 피처리체에 처리액을 공급하여 피처리체에 처리를 하고, 다음에 상기 처리의 종료전에 처리액과 세정액을 혼합하여 이 피처리체에 공급하고(제1의 후처리공정), 그 후 이 피처리체에 세정액을 공급하는(제2의 후처리공정) 제2의 처리공정을 예로 들수 있다. 이 제2의 처리방법에 의하면, 피처리체에 처리를 할 때에 세정액의 공급과 처리액의 공급이 중복되므로, 이 공급이 중복되는 시간내에 처리액을 소정량까지 점차 증가시키므로써, 처리액의 농도를 점차 진하게 할 수 있으며, 극단적인 액변화를 완화할 수 있어, 피처리체로의 처리를 균일화를 도모할 수 있다. 또, 이에 따라 수율을 향상시킬 수 있다.
또, 본 발명의 목적은, 피처리체 표면에 현상액등의 처리액을 균일하게 도포하여, 수율의 향상을 도모할 수 있는 피처리체의 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치를 제공하는 것이다.
이 목적은, 본 발명의 제2의 발명인 대향하는 한쌍의 끝단테두리를 갖는 사각형상의 피처리체의 위에 처리액을 공급하는 처리액공급수단을 위치시키는 공정과, 상기 처리액공급수단에 의해 처리액을 상기 피처리체에 공급하면서 상기 처리액공급수단을 상기 피처리체의 상기 한쌍의 끝단테두리의 한쪽의 끝단테두리를 향하여 상기 피처리체에 대해서 상대적으로 이동시키는 공정과, 상기 처리액공급수단에 의해 처리액을 상기 피처리체에 공급하면서, 상기 처리액공급수단을 상기 피처리체의 상기 한쪽의 끝단테두리로 부터 상기 한쌍의 끝단테두리의 다른 쪽 끝단테두리를 향하여 상기 피처리체에 대하여 상대적으로 이동시키는 공정을 구비하는 피처리체의 레지스트 처리방법에 의해 달성된다. 제2의 발명인 레지스트 처리방법에 의하면, 처리액공급수단을 피처리체에 대해서 이동시킬 때에 한쪽의 끝단테두리를 향하여 이동시킨 후에, 이동방향을 변경하여 한쪽의 끝단테두리로 부터 다른 쪽의 끝단테두리를 향하여 이동시키므로, 피처리체의 끝단테두리부에 처리액을 확실히 공급할 수 있어, 처리액을 균일하게 도포할 수 있다. 또 이에 따라 수율을 향상시킬 수 있다.
제2의 발명의 레지스터 처리방법에 있어서는, 처리액이 도포된 피처리체를 회정방향을 변경하면서 회전시키는 것이 바람직하다. 이와 같이 피처리체를 왕복회전시키므로써 피처리체표면상의 처리액을 바깥쪽으로 확산시켜서 피처리체와 처리액을 친화시킬 수 있으며, 처리액을 양호하게 도포할 수 있다. 또, 그러므로써 수율을 더욱 향상시킬 수 있다.
또, 제2의 발명은, 피처리체를 회전가능하게 유지하는 유지수단과, 상기 피처리체의 표면에 처리액을 공급하는 처리액공급수단과, 상기 피처리체의 표면에 세정액을 공급하는 세정액공급수단을 구비하고, 상기 유지수단은, 처리용기내에 배치되어 승강 및 회전가능한 회전축을 갖는 진공흡착식 스핀척을 구비하고 있으며, 상기 회전축과 상기 처리용기와의 사이에 시일기구가 설치되어 있고, 상기 시일기구는, 상시 회전축과 상기 처리용기와의 사이의 간격을 폐쇄하는 가요성(可撓性)을 가지는 시일부재와 상기 시일부재를 회전축과 상기 처리용기측에 누르는 용수철부재로 주로 구성되어 있는 레지스트 처리장치를 제공한다. 이와 같은 구성의 레지스트 처리장치에 의하면, 스핀척의 회전구동시에 회전축이 축요동을 해도 그 축요동을 용수철부재의 탄력성으로 흡수할 수 있고, 회전축과 처리용기와의 사이의 간격을 간격의 대소에 영향을 받지않고 기밀하게 시일할 수 있다. 또, 스핀척의 설치 및 관리를 용이하게 할 수 있으며 동시에 장치수명을 길게 할 수 있다. 게다가, 피처리체를 스핀척으로 확실히 진공흡착할 수 있어, 처리액의 도포의 균일화를 도모할 수 있다.
제2의 발명에 관한 레지스트 처리장치에 있어서는, 처리액공급수단은, 피처리체의 한쌍의 끝단테두리를 포함하는 긴 파이프형상의 처리액 수용체와, 이 처리액수용체의 길이방향을 따라 소정의 간격을 두고 설치된 복수의 작은 구멍으로 구성되어 있고, 처리액공급수단과 처리액공급원을 접속하는 처리액공급배관의 처리액공급수단 근처의 어느 위치에 온도조정기구가 설치되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같은 구성의 레지스트 처리장치에 의하면, 피처리체에 공급되는 처리액의 온도를 소정온도로 유지할 수 있어 처리조건을 최적화 하여, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.
제2의 발명에 관한 레지스트 처리장치에 있어서는, 처리액공급수단은, 처리액수용체의 상부에 거품빼기구멍이 형성되어 있고, 거품빼기구멍에 흡인량조절기구를 끼워 설치한 기포배출관이 접속되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같은 구성의 레지스트 처리장치에 의하면, 처리액공급 수단내에 수용되는 처리액중으로부터 기포를 제거할 수 있으며, 기포에 의한 피처리체의 도포얼룩을 방지할 수 있다.
본 발명에 있어서, 제1의 발명과 제2의 발명은 적절히 조합시켜서 사용할 수 있다. 이에 의해, 더욱 스루풋의 향상 및 수율의 향상을 도모할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다.
본 실시예에서는, 본 발명의 제1의 발명에 관한 레지스트 처리방법을 웨이퍼의 처리시스템에 적용한 경우에 관하여 설명한다.
웨이퍼의 처리시스템은, 도면 1에 나타나듯이, 피처리체로서의 웨이퍼 W를 반입·반출하는 로우더부(1), 웨이퍼 W를 브러시세정하는 브러시세정장치(2), 웨이퍼 W를 고압제트수로 세정하는 제트수 세정장치(3), 웨이퍼 W의 표면을 소수화(疎水化)처리하는 어드히젼처리장치(4), 펠티에 효과를 이용한 펠티에소자등의 전자냉각수단에 의해 웨이퍼 W를 소정온도로 냉각하는 냉각처리장치(5), 웨이퍼 W의 표면에 레지스트를 도포하고, 사이드린스처리에 의해 웨이퍼 가장자리부의 여분인 레지스트를 제거하는 기능을 구비한 레지스트도포장치(6), 레지스트도포의 전후에 웨이퍼 W를 가열하여 프리베이크 및 포스트베이크를 하는 가열처리장치(7), 노광된 웨이퍼 W를 현상처리하여 현상후의 회로패턴을 린스처리하는 기능을 구비한 본 발명에 관한 처리장치(현상처리장치)(8)등에 의해 구성되어 있다. 상기 장치를 집합화하므로써, 작업효율을 향상시킬 수 있다.
상기 구성을 가지는 처리시스템의 중앙부에는, 길이방향을 따라 웨이퍼반송로(9)가 설치되어 있고, 각 장치(2)-(8)은 그 웨이퍼반입·반출구가 웨이퍼반송로(9)를 향하도록 배치되어 있다. 웨이퍼반송로(9)에는, 각 장치(2)-(8)과의 사이에서 웨이퍼 W의 받아넘김을 하는 웨이퍼반송아암(10)이 웨이퍼반송로(9)를 따라서 이동이 자유롭게 설치되어 있다. 웨이퍼반송로(9) 및 반송아암(10)에 의해 웨이퍼 반송기구(11)이 구성되어 있다. 이러한 처리시스템에 있어서는, 가령 로우더부(1)의 웨이퍼카셋트(도시생략)내에 수납되어 있는 처리전의 웨이퍼 W를 1매 출력하여 반송하고, 웨이퍼 W에 세정, 어드히젼처리, 냉각, 레지스트도포, 프리베이크, 노광장치(도시생략)에 의한 노광을 순서대로 하고, 그 후 이 웨이퍼 W에 본 발명에 관한 레지스트 처리장치인 현상장치(8)에 있어서 현상처리를 시행한 후, 포스트베이크를 하고, 처리후의 웨이퍼 W를 로우더부(1)의 웨이퍼카셋트내에 반송하여 수납한다.
상기 현상장치(8)은, 제2도에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 W를 도시하지 않은 진공장치에 의해 흡착유지하고, 이것을 수평회전시키는 스핀척(20)과, 이 스핀척(20)의 웨이퍼유지부를 둘러싸듯 배열설치되는 처리컵(21)과, 웨이퍼 W상에 처리액 예를 들면, 현상액 및 세정액, 가령 순수한 물등의 린스액을 공급하는 공급노즐(22)로 주로 구성되어 있다. 이 경우, 스핀척(20)은, 회전축(23)에 연결된 승강실린더(도시생략)의 구동에 의해 상하방향으로 이동할 수 있도록 구성되어 있다. 또, 처리컵(21)도 승강실린더(도시생략)에 의해 상하방향으로 이동할 수 있도록 구성되어 있다.
공급노즐(22)의 공급측에는, 현상액과 린스액을 공급하는 합류관(24)가 접속되어 있고, 이 합류관(24)에는, 삼방향전환밸브(25)를 통하여 현상액 공급관(26) 및 린스액공급관(27)이 각각 접속되어 있다. 현상액 공급관(26)은 현상액 D을 수용하는 현상액탱크(28)에 접속되어 있고, 이 현상액공급관(26)에는, 삼방향전환밸브(25)로부터 현상액탱크(28)을 향하여 순서대로 필터(29), 매스플로우 컨트롤러(30) 및 유량계(31)이 끼워 설치되어 있다. 또, 현상액탱크(28)에는, 레귤레이터(32)와 필터(33)을 개재하여 가령 질소(N2)등의 불활성가스의 공급원(34)가 접속되어 있고, 이 N2가스공급원(34)로부터 공급되는 N2가스에 의한 가압에 의해 현상액탱크(28)내의 현상액 D가 공급노즐(22)에 송부되어, 웨이퍼 W상에 공급되도록 되어 있다. 또, 린스액공급관(27)은, 린스액 R을 수용하는 린스액탱크(35)에 접속되어 있고, 이 린스액공급관(27)에는, 삼방향전환밸브(25)로부터 린스액탱크(35)를 향하여 순서대로, 필터(36), 매스플로우 컨트롤러(37)및 유량계(38)이 끼워 설치되어 있다. 또, 린스액 탱크(35)에는, 레귤레이터(32)와 필터(33)을 통하여 N2가스공급원(34)가 접속되어 있고, 이 N2가스공급원으로 부터 공급되는 N2가스에 의한 가압에 의해 린스액탱크(35)내의 린스액 R이 공급노즐(22)에 송부되어, 웨이퍼 W상에 공급되도록 되어 있다. 이와 같이, 합류관(24)를 개재하여 현상액 D와 린스액 R을 공통의 공급노즐(22)로부터 웨이퍼 W표면에 공급하므로써, 현상액 D와 린스액 R을 동일위치에 개개로 또는 혼합하여 공급할 수 있으며, 현상액 D에 의해 용해한 레지스트의 찌꺼기(스컴)에 의한 현상얼룩을 방지할 수 있다.
한편, 공급노즐(22)에는 현상액 D와 린스액 R의 공급부와는 다른 인접한 위치에 배출관(39)의 앞끝단부분이 접속되어 있고, 이 배출관(39)에는, 3포트 2 위치전환밸브(41)을 개재하여 N2가스공급원(34) 또는 기액분리수단으로서의 트랩탱크(40)이 접속되어 있다. 트랩탱크(40)의 상부의 기포빼기포트(40a)에 접속되는 배기관(42)에는, 에젝터(43)(공기 압축식 진공장치)가 접속되어 있다. 이 에젝터(43)은, 배기관(42)에 접속하는 공기실(43a)내에, 가령 압축공기의 분사노즐(43b)를 삽입함과 동시에, 분사노즐(43b)의 분출구를 배출측을 향하여 배설한 구조를 가지고 있으며, 분사노즐(43b)에 접속하는 압축공기공급원(44)로부터 공급되는 압축공기를 분사노즐(43b)로부터 분산시키므로써 베르누이효과에 의해 트랩탱크(40)내에 회수된 배액중의 공기를 배기관(42)를 통하여 배출할 수 있다. 이 경우, 에젝터(43)의 분사노즐(43b)와 압축공기공급원(44)와의 사이에는 개폐밸브(45)가 끼워 설치되어 있고, 이 개폐밸브(45)를 개폐조정하여 에젝터(43)의 동작을 제어하므로써, 트랩탱크(40)내를 항상 부압으로 하여 배기관(42)측으로 배액이 흘러들어 가는 것을 방지할 수 있도록 되어 있다. 한편, 3포트 2위치전환밸브(41)과 N2가스공급원(34)와의 사이에는, 필터(46), 매스플로우 컨트롤러(47) 및 레귤레이터(32)가 끼워 설치되어 있다. 또, 트랩탱크(40)의 드레인포트(40b)에 접속하는 배액관(48)에는, 개폐밸브(49)가 끼워 설치되어 있다. 상기와 같이 공급노즐(22)에 배기관(42)를 통하여 N2가스공급원(34)와 에젝터(43)을 전환접속이 가능하게 구성함으로써, 공급노즐(22)가 웨이퍼 W상에서 후퇴하여 대기할 때에, 현상액 D 혹은 린스액 R의 웨이퍼 W상으로의 액체흐름을 방지할 수 있다. 게다가, 처리후에 공급노즐(22)내에 N2가스를 공급하여 공급노즐(22)내의 청소를 할 수 있다.
다음에, 상기와 같이 구성되는 현상장치를 이용하여, 회로패턴이 전사된 폴리이미드계 레지스트막을 갖는 웨이퍼 W를 현상처리하는 동작에 대하여 제4도를 참조하여 설명한다.
우선, 처리컵(21)을 하강시켜서, 노광처리된 웨이퍼 W를 웨이퍼 반송 기구(11)의 웨이퍼 반송아암(10)으로부터 스핀척(20)위에 받고, 그 후 처리컵(21)을 상승시켜서 웨이퍼 W를 유지한다. 그 후, 이동기구(도시생략)에 의해 공급노즐(22)을 대기위치로부터 웨이퍼 W의 중심위쪽으로 이동시키고, 스핀척(20)의 구동에 의해 회전하는 웨이퍼 W의 표면에 린스액 R을 1-2초간, 가령 130cc/min MAX 정도의 유량으로 분사(공급)하여, 웨이퍼 W표면에 린스액 R의 액막을 형성한다(전처리공정).
이어서, 현상액 D를 약 60초간, 가령 130cc/min MAX의 유량으로 분사하여 스프레이현상한다(처리공정). 전처리공정 및 처리공정시의 웨이퍼 W의 회전수는 약 1000rpm이다. 다음, 현상액 D의 공급이 종료하기 전 약 3초전부터 린스액 R을 가령 130cc/min MAX의 유량으로 공급하고(제1의 후처리공정), 현상액 D의 공급이 종료한 후, 약 10-20초간 린스액 R을 공급한다(제2의 후처리공정). 제1 및 제2의 후처리공정시 웨이퍼 W의 회전수는 1000-1500rpm이다. 한편, 린스액 R의 공급후에 현상액 D를 공급할 때, 제5도 A에 나타내듯이, 린스액 R의 공급의 종료전에 현상액 D의 공급을 개시하고, 린스액 R과 현상액 D를 동시에 공급해도 좋다. 이렇게 함으로써, 린스액 R에 의해 형성된 액막을 따라서 현상액 D를 공급할 수 있어, 현상액 D의 퍼짐을 더욱 원활히 할 수 있다.
상기와 같이, 현상액 D와 린스액 R을 웨이퍼 W표면에, 통상의 폴리이미드계 레지스트이외의 레지스트의 경우보다도 강하게 접하도록 공급하고, 레지스트막을 용해하여 없애서, 용해물을 적극적으로 흘러가도록 하므로써, 가령 레지스트의 막두께가 10㎛인 경우에도 60초간으로 현상처리를 할수 있으며, 통상의 레지스트막의 경우의 현상속도(막도께 1㎛을 60초로 한다)보다도 10배정도의 속도로 현상할 수 있다. 한편 폴리이미드계 레지스트의 회로패턴의 선폭은, 가령 3㎛와 통상의 레지스트의 회로패턴의 선폭(0.5㎛)에 비교해서 넓기 때문에, 현상액 D와 린스액 R을 웨이퍼 W표면에 강하게 접하여 막을 없애도록 처리해도 패턴형성 프로세스상, 특별히 지장을 초래하는 일은 없다.
제3도는 본 발명의 제1의 발명에 관한 현상장치의 다른 예를 나타내는 개략도이다. 이 예는, 린스액과 현상액을 동시에 공급하는 경우의 타이밍과 공급량을 가변할 수 있도록 한 것이다. 즉, 현상액공급관(26)과 린스액공급관(27)에 있어서의 합류관(24)의 접속부의 상류측에 각각 개폐밸브(50),(51)를 끼워 설치하고, 이들 개폐밸브(50),(51)의 개폐동작에 의해 현상액 D 또는 린스액 R의 공급의 타이밍과 공급량을 가변할 수 있도록 하고 있다. 한편, 이 예에 있어서, 제2도에 나타내는 부분과 같은 부분은, 동일부호를 붙이고 그 설명은 생략한다.
상기와 같이 구성되는 현상장치를 이용하여, 회로패턴이 전사된 폴리이미드계 레지스트막을 갖는 웨이퍼 W에 현상처리를 하는 경우, 제5도 B에 나타나듯이, 린스액 R의 공급의 종료전에 현상액 D의 공급을 개시할때, 개폐밸브(50),(51)를 조작하여 현상액 D의 공급량을 점차 증가(가령, 1-2초간 0에서 130cc/min 으로 증가)시켜서 린스액 R과 현상액 D를 동시 공급할 수 있다.
또, 현상액 D의 공급이 종료하기 전 약 3초간부터 린스액 R을 공급할때(제1의 후처리공정시), 개폐밸브(50),(51)을 조작하여 현상액 D의 공급량을 제6도 A에 나타나듯이 점차 감소(가령, 3초간 130cc/min 에서 0으로 감소)하던가, 제6도 B에 나타나듯이 린스액 R을 점차 증가(가령, 3초간 0에서 130cc/min으로 증가)하던가 혹은, 제6도 C에 나타나는 것처럼 현상액 D를 점차 감소(가령, 130cc/min에서) 0으로 함과 동시에, 린스액 R을 점차 증가(가령, 0에서 130cc/min)할 수 있다. 이와 같이, 현상액 D와 린스액 R을 점차 농도를 변화시키면서 혼합 ·치환하므로써 이종액체인 현상액 D와 린스액 R의 융합을 좋게하여 혼합공급할 수 있다. 또, 특히 린스액 R의 공급의 종료전에 현상액 D의 공급을 개시할 때, 현상액 D를 점차 증가(가령, 0에서 130cc/min으로 증가)시킴으로써, 현상액 D의 농도를 점차 짙게 할 수 있으므로, 현상액 D와 린스액 R의 융합을 좋게 한 상태로 현상할 수 있어, 현상의 균일화를 도모할 수 있다.
본 실시예에서는, 현상액 D와 린스액 R을 합류관(24)를 통하여 공통의 공급노즐(22)로 부터 웨이퍼 W표면에 공급하는 경우에 관하여 설명했는데, 반드시 현상액 D와 린스액 R은 공통의 공급노즐(22)로 부터 공급할 필요는 없고, 예를 들면 동일 분사패턴이 얻어지는 동일형상의 현상액용 공급노즐과 린스액용 공급노즐을 근접시켜서 배설해도 좋다. 또, 본 실시예에서는, 스프레이식의 공급노즐(22)에 의해 현상액 D와 린스액 R을 웨이퍼 W표면에 공급하는 경우에 관하여 설명했는데, 스프레이식 공급노즐(22) 대신에 커텐상으로 토출하는 패들식 공급노즐을 사용하는 것도 가능하다. 또, 본 실시예에서는, 피처리체가 웨이퍼의 경우에 관하여 설명했는데, 가령 LCD 기판, 세라믹 기판등에 대하여 처리를 하는 경우에 관해서도 적용할 수 있다.
본 실시예에서는, 본 발명의 제2의 발명을 LCD기판의 현상장치에 적용한 경우에 관하여 설명한다.
제7도는 본 발명의 제2의 발명의 레지스트 처리장치를 나타내는 개략단면도이며, 제8도는 그 요부확대 단면도이다. 이 레지스트 처리장치는, 사각형상의 피처리체, 가령 직사각형상의 LCD 기판 G(이하, 기판으로 생략한다)를 진공장치(도시생략)에 의해 흡착유지함과 동시에 수평방향으로 회전하는 유지수단인 스핀척(101)과, 이 스핀척(101)를 둘러싸듯이 배치되는 처리용기(110)과, 기판 G 상에 처리액 가령 현상액을 공급하는 처리액 공급수단, 예를 들면 현상액 공급노즐(120)과, 기판 G상에 탈이온수 또는 순수한 물등의 후처리액 가령 린스액을 공급하는 린스액 공급노즐(130)으로 주로 구성되어 있다.
스핀척(101)은, 구동모터(102)의 구동에 의해 회전하는 중공상태의 회전축(103)을 개재하여 수평방향으로 회전(자전) 가능하게 되어 있고, 또 회전축(103)에 연결된 승강실린더(104)의 구동에 의해 상하방향으로 회전할 수 있도록 구성되어 있다. 이 경우, 스핀척(101)의 윗면은, 진공흡착에 의해, 예를 들면 최대 500 ×400mm의 직사각형 기판 G를 유지할 수 있도록 구성되어 있다. 또, 스핀척(101)의 회전축(103)은, 처리용기(110)내에 배치된 고정칼라(1050)의 안둘레면에 베어링(105a) 및 라비린스시일(105b)를 통하여 회전가능하게 장착된 회전내통(106)의 안둘레면에 끼워붙인 스프라인베어링(107)에 미끄럼운동이 가능하게 연결되어 있다. 스프라인베어링(107)에는, 종동풀리(141)이 장착되어 있고, 종동풀리(141)에는, 처리용기(110)의 바깥으로 배치된 구동모터(102)의 구동축(102a)에 장착된 구동풀리(142)와의 사이에서 밸트(143)이 놓여져 있다. 따라서, 구동모터(102)의 구동에 의해 밸트(143)을 통하여 회전축(1030)이 회전하므로써 스핀척(101)이 회전한다. 또, 회전축(103)의 하부측은, 처리용기(110)의 하부측에 배치되고, 처리용기(110)의 바깥에 배치된 승강실린더(104)에 의해 승강가능한 가동컬러(108)내에 베어링(108a)를 개재하여 배설되어 있다. 그와 동시에, 가동컬러(108)내에 있어서 회전축(103)은, 시일기구(150)을 통하여 승강실린더(123)에 연결되고, 승강실린더(123)의 구동에 의해 회전축(103)이 상하방향으로 이동할 수 있도록 되어 있다.
또한, 가동칼라(108)의 플랜지부(108b)에는, 슬라이드 샤프트(144)가 부착되어 있고, 이 슬라이드 샤프트(144)가 처리용기(110)의 베이스부(111)에 고정되는 안내통체(145)내에 미끄러 움직일 수 있게 끼워넣어져 있어서, 스핀척(101)의 승강을 원활하게 행할 수 있게 되어 있다. 또한, 스핀척(101)은, 회전축(103)에 설치된 통로(146) 및 이 통로(146)에 접속하는 배기관(147)을 통해서 진공펌프(도시하지 않음)에 접속되고, 진공펌프의 구동에 의해서 진공흡인되며 스핀척(101)위에 기판(G)을 진공 흡착에 의해서 유지할 수 있도록 구성되어 있다.
상기 시일기구(150)는, 회전축(103)과 처리용기(110)[구체적으로는, 가동칼라(108)에 고정되는 가동벽(109)]와의 사이의 틈(151)에 끼워서 설치되고 처리용기(110)를 외부로부터 차단하여 스핀척(101)의 진공흡착을 양호하게 행할 수 있도록 한 것이다. 이 시일기구(150)의 구조는, 제8도~제10도에 나타낸 바와 같이, 회전축(103)과 가동벽(109)과의 사이의 틈(151)을 폐쇄하는 단면이 거의 U자형상의, 예를 들면 테프론(상품명) 등의 불소수지제의 가소성을 가지는 고리형상의 시일부재(152)와, 이 시일부재(152)를 회전축(103)과 가동벽(109), 즉 처리용기측으로 누르는 단면이 거의 U자형상의, 예를 들면 스테인레스제의 스프링부재(153)로 구성되어 있다.
이와 같은 구성을 가지는 시일기구(150)를 사용함으로써, 스프링부재(153)의 탄성력에 의해서 항상 시일부재(152)가 회전축(103)과 가동벽(109)(처리용기측)에 눌려지므로, 스핀척(101)의 설치시에 틈(151)에 다소의 치수오차가 생겨도 시일기구(150)로 오차분을 흡수할 수 있고, 회전축(103)의 위치맞춤을 용이하게 할 수 있다. 또한, 스핀척(101)의 회전구동시에 회전축(103)에 축흔들림이 발생하였어도, 스프링부재(153)의 탄성력에 의해서 항상 시일부재(152)가 회전축(103)과 가동벽(109)에 눌려지므로, 시일상태는 항상 양호하다. 또한, 축흔들림이 발생하여도 그 흔들림이 가동벽(109)에 전달하는 것을 제어할 수 있으므로, 처리장치의 흔들거림을 방지할 수 있다. 또한, 시일부재(152)는 변형이 가능하므로, 그 마찰을 적게 할 수 있다. 이와 같이 구성되는 시일기구(150)를 이용함으로써, 스핀척의 회전축(103)과 처리용기측과의 틈(151)을 그 대소에 관계없이 기밀하게 시일할 수 있고, 또한, 스핀척(101)의 설치 및 관리 유지가 용이해지며, 또한, 스핀척(101) 및 장치전체의 수명을 길게 할 수 있다. 또한, 상기 시일기구(150)는 상기 구조에 한정되지 않고, 예를 들면 제 11(a)도에 나타낸 바와 같이, 슬릿(154)을 가지는 단면원형상의 스프링부재(153a)를 시일부재(152)내에 배열설치하여도 좋고, 또는, 제11(b)도에 나타낸 바와 같이, 시일부재(152)내에 뱀의 배형상의 스프링부재(153b)를 배열설치한 구조로 하여도 좋다.
상기 처리용기(110)는, 베이스부(111)에 설치된 배기구(112)에 연이어 통하는 배기통로(113a)와, 베이스부(111)에 배치된 고정칼라(105)의 장착구멍(113b)을 가지는 하부용기(113)와, 이 하부용기(113)의 바깥둘레에 위치하고, 바닥면이 경사지는 둘레홈(114a)을 가지는 용기기초부(114)와, 용기기초부(114)의 둘레홈(114a)내에 매달리는 매달리는 조각(115a)의 윗끝단으로부터 스핀척(101)에 유지되는 기판(G)의 아래면측을 향하여 윗방향으로 경사지는 경사조각(115b)을 가지는 안 용기(115)와, 이 안 용기(115)의 바깥둘레측에 위치하고, 승강수단(도시하지 않음)에 의해서 용기기초부(114)의 둘레홈(114a)내에 출몰이 가능하게 돌출하는 통형상의 제1바깥용기(116a)와, 이 제 1 바깥용기(116a)의 상승에 따라서 안 용기(115)의 바깥측 윗쪽으로 돌출하는 통형상의 제2 바깥용기(116b)로 주로 구성되어 있다. 이 경우, 상기 배기구(112) 및 배기통로(113a)는, 도면상에서는 1군데 설치되어 있으나, 실제로는 동심상에 2군데 설치되어 있고, 이 배기구(112)에는 배기장치(도시하지 않음)를 끼워 설치하는 배기관(112a)이 접속되어 있다. 또한, 상기 용기기초부(114)의 둘레홈(114a)에서의 최하부측 바닥부에는, 배액관(114b)를 접속하는 배액구(114b)가 설치되어 있다.
상기와 같이 구성된 처리용기(110)를 설치하는 베이스부(111)에는, 스핀척(101)의 회전축(103)을 끼워 넣는 개구(111a)가 설치되어 있고, 이 개구(111a)를 둘러싸도록 하여 개구(111a)의 윗쪽에 상기 종동풀리(141)를 배열설치하는 회전구동 전달실(148)을 통해서 상기 고정칼라(105)가 설치되고, 또한, 개구(111a)의 아래쪽에는, 상기 가동칼라(108)를 배열 설치하는 승강구동실(149)이 설치되어 있다.
또한, 상기 스핀척(101)의 유지부주변의 아래쪽에는, 기판(G)의 뒷면에 세정수를 분사하기 위한 세정수 분사노즐(160)이 설치되어 있다. 이 세정수 분사노즐(160)은, 스핀척(101) 바깥둘레의 8군데(도면에서는 2군데를 나타낸다)에 등간격으로 배치되어 있다. 각 분사노즐(160)은, 세정수 공급관(161)을 통해서 세정수 공급원(162)에 접속되어 있고, 필요에 따라서 세정수를 분사할 수 있도록 구성되어 있다. 이 경우, 각 분사노즐(160)의 기판(G)에 대한 분사각을 각각 다르게 설정하여 굳게 붙여도 좋고, 또는, 노즐각도 조정기구(도시하지 않음)를 설치하여 각 분사노즐(160)의 분사각을 가변할 수 있도록 구성하여도 좋다.
상기 구성을 가지는 처리용기(110)내에 기판(G)을 반입할 때에는, 먼저, 제1바깥용기(116a)와 제2바깥용기(116b)를 하강시킨 상태에서 스핀척(101)을 상승시킨다. 이어서, 반송아암(도시하지 않음)에 의해서 반송된 기판(G)을 처리용기(110)내로 반입한다. 그후, 제1 및 제2바깥용기(116a,116b)를 상승시킨 상태에서 기판(G)에 현상처리를 한다.
이와 같이 처리용기(110)내에 반입된 기판(G)표면에 현상액을 도포하는 경우, 현상액이 흩어져 기판(G)위에 다시 부착하는 것을 방지하기 위해서, 배기측 및 배액측을 흡인할 필요가 있으나, 이 경우, 기판(G)주위에 난류가 발생하지 않도록 고려할 필요가 있다. 그 때문에, 본 실시예에서는, 기판(G)의 윗면과 제2바깥용기(116b)의 개구끝단과의 치수(a)를 10~20mm, 기판(G)의 장편측단변과 제 2 바깥용기(116b)의 측벽(116c)과의 치수(b)를 15~75mm, 기판(G)의 아래면과 안 용기(115)의 경사조각(115b)의 꼭대기면과의 치수(c)를 10~25mm로 하고 있다.
또한, 본 실시예에서는, 윗쪽이 개구한 처리용기(110)을 고정하는 경우에 대하여 설명하였으나, 처리용기(110)의 개구부를 덮도록 뚜껑체를 설치함과 동시에, 처리용기(110)를 스핀척(101)과 함께 회전시켜서 현상처리를 행하는 구성으로 하여도 좋다. 예를 들면, 제12도에 나타낸 바와 같이, 상기 제 2 바깥용기(116b)의 상부개구부에 끼워맞추는 뚜껑체(117)의 중심부에 매달림부(117a)를 설치하고, 이 매달림부(117a)를 베어링(118a)를 통해서 상하로 움직일 수 있는 매달림아암(118)으로 지지함으로써, 매달림아암(118)의 상하움직임에 의해서 뚜껑체(117)를 상승 및 하강시키고, 또한, 회전가능하게 구성한다. 한편, 상하내용기(115)를 스핀척(101)에 부착함과 동시에, 하부용기(113)의 윗면에 기립하는 맞닿는 부(119a)에 부드럽게 움직일 수 있도록 맞닿게 하여 시일링하고, 또한, 안 용기(115)의 바깥측에 장착부재(119b)를 통해서 제 2 바깥용기(116b)를 부착한다. 이와 같이 구성함으로써, 스핀척(101)을 회전시키면, 안 용기(115)와 제 2 바깥용기(116b) 및 뚜껑체(117)가 일체적으로 회전하므로, 밀폐용기내에서 기판(G)표면에 현상액을 도포할 수 있고, 이 경우, 난기류 등의 외적요인에 영향을 받지 않고, 현상처리를 할 수 있다.
또한, 장착부재(119b)는, 공기가 원활하게 유통가능하도록 필요 최소한의 크기로 하고, 예를 들면, 봉형상을 여러개 설치한 것으로 한다. 또한, 스핀척(101)과 안 용기(115)의 부착부에 개구부를 설치하고, 세정수 분사노즐(160)로부터 기판(G) 뒷면에 세정수가 분사가능하도록 형성할 필요가 있다. 제12도에 있어서, 그 외의 부분은 상기 실시예와 같으므로 동일부분에는 동일부호를 붙여서, 그 설명은 생략한다.
한편, 상기 현상액 공급노즐(120)은, 제 13 도 및 제14도에 나타낸 바와 같이, 기판(G)의 한 변(단변) 전체를 포함하는 길이를 가지며, 양끝단이 폐쇄된 예를 들면 염화비닐제의 파이프형상의 현상액 수용체(121)와, 이 현상액 수용체(121)의 길이가 긴 방향을 따라, 예를 들면 1.5mm의 간격을 두고 설치된 직경 약 0.4mm의 가는 구멍(122)으로 구성되어 있다. 이 현상액 공급노즐(120)의 현상액 수용체(121)의 양측 끝단부에는, 처리액인 현상액을 수용하는 현상액 수용탱크(123)에 접속하는 현상액 공급배관(124)가 접속되어 있고, 현상액 수용탱크(123)내에 도입되는 압송용 N2가스에 의해서, 현상액이 현상액 공급노즐(120)내에 공급되어, 가는 구멍(122)으로부터 기판표면에 커텐형상으로 배어나오게 하여 공급되도록 되어 있다.
또한, 현상액 수용체(121)의 한 끝단에는, 지지아암(125)이 돌출하여 있고, 이 지지아암(125)에 볼나사로 형성되는 이동수단(126)의 이동축(126a)이 걸어맞추어져 있고, 예를 들면, 스텝 모우터(126b)에 의해서 정방향과 역방향으로 회전되는 이동축(126a)에 의해서 현상액 공급노즐(120)이 기판(G)의 긴변방향으로 상대적으로 이동할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 현상액 공급노즐(120)의 다른 끝단에는, 안내아암(127)이 돌출하여 있고, 이 안내아암(127)은 이동축(126a)과 평행하게 배열설치된 안내레일(128)로 미끄러 움직일 수 있게 장착되어 있으며, 현상액 공급노즐(120)의 이동을 원활하게 할 수 있도록 되어 있다. 이 경우, 상기 스텝핑 모우터(126b)는, 제어부(170)로부터의 신호에 의해서 정방향, 역방향 중 어느 한 쪽의 회전 및 회전시간이 결정되고, 현상액 공급노즐(120)을 기판(G) 장변측의 끝단부 부근에 배치한 후, 제 15 도에 나타낸 바와 같이, 현상액 공급노즐(120)을 한 끝단까지 되돌아온 후, 스텝핑 모우터(126a)를 역회전시켜 현상액 공급노즐(120)을 기판(G)의 다른 끝단까지 이동할 수 있게 되어 있다. 이 경우, 제 13 도 및 제 14도에 나타낸 바와 같이, 현상액 공급노즐(120)의 지지아암(125)과 안내아암(127)에 각각 부착된 발광부(171)와 수광부(172)로 이루어진 광학식 센서(173)를 설치함으로써, 이 센서(173)에 의해서 기판(G)의 끝단부까지 현상액 공급노즐(120)이 이동한 것을 검출할 수 있고, 이 검출신호를 제어부(170)에 송신하여 현상액 공급노즐(120)의 이동을 정지시킬 수 있다.
또한, 현상액 공급노즐(120)의 현상액 공급배관(124)에서의 현상액 공급노즐(120)의 근방위치에는 온도조정기구(180)가 설치되어 있고, 이 온도조정기구(180)에 의해서 현상액의 온도를 예를 들면 23℃의 소정의 온도로 유지하도록 되어 있다. 이 경우, 온도조정기구(180)는, 현상액 공급배관(124)을 덮는 온도조정실(181)과, 이 온도조정실(181)에 설치된 유입구(182)와 유출구(183)에 각각 접속하는 온도저정액의 급배배관(184)로 구성되어 있고, 현상액 공급배관(124)내를 흐르는 현상액과 온도조정액을 열교환시켜서 현상액 수용체(121)내로 공급되는 현상액의 온도를 일정하게 유지할 수 있다. 또한, 기판(G)에 있어서는, 웨이퍼만큼 미세한 선폭은 요구되지 않으므로, 현상액 공급배관(124)에 있어서의 현상액 공급노즐(120)의 근방위치에서 온도조정을 행함으로써 충분한 온도 관리를 행할 수 있다. 따라서, 현상액 공급노즐(120)을 중공파이프형상으로 형성할 수 있고, 구조를 간단하며 경량으로 할 수 있다. 또한, 현상액의 온도를 현상액의 도포처리에 최적한 온도, 예를 들면 23℃(온도 구배 ±1℃)로 설정할 수 있고, 현상처리에서의 수율의 향상 및 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 현상액 공급노즐(120)은, 중공파이프형상의 현상액 수용체(121)에 직접 가는 구멍(122)을 설치하는 경우이외에, 예를 들면 제16도에 나타낸 바와 같이, 중공파이프형상의 현상액 수용체(121)의 아래면에 길이가 긴 방향을 따라서 슬릿(121a)을 설치하고, 이 슬릿(121a)에 다수의 가능 구멍(122)을 설치한 분두(噴頭)(121b)를 용접으로 고정한 것이어도 좋다.
또한, 상기 현상액 공급노즐(120)의 현상액 수용체(121)의 상부중앙에는, 거품빼기 구멍(186)이 형성되어 있고, 이 거품빼기 구멍(186)에 접속되는 기포배출관(187)에 흡인량 조절기구(188)가 끼워 설치되어 있다. 흡인량 조절기구(188)는, 기포배출관(187)에 접속하는 공기실(188a)내에, 예를 들면 압축공기의 분사노즐(188b)를 삽입함과 동시에, 분사노즐(188b)의 분사구를 배출측을 향하여 배열설치한 구조로 되어 있고, 분사노즐(188b)로부터 압축공기를 분사시킴으로써 베르누이효과에 의해서 현상액 공급노즐(120)내에 발생하는 기포를 기포배출관(187)으로부터 배출할 수 있다. 이 경우, 현상액 수용체(121)의 상부내면(185)을 중앙을 향하여 상승구배의 경사면으로 함으로써, 기포가 거품빼기 구멍(186)를 향하여 모이기 쉽게 되어, 기포의 배출을 더욱 원활하게 할 수 있다. 이와 같이, 현상액 중에 발생하는 기포는 기포배출관(187)으로부터 외부에 배출되므로, 기포가 기판(G)의 표면에 부착할 우려가 있다. 이 거품빼기는, 기판(G)의 롯트단위, 소정매수 처리마다, 소정시간 경과시마다, 또는 기포검출수단(도시하지 않음)에 의한 기포검출시 등으로 행하면 된다. 또한, 제 13 도에 있어서, 부호 189a는 압축공기 공급원, 189b는 유량조절밸브를 나타내며, 유량조절밸브(189b)를 조정함으로써 압축공기의 분사량 및 기포의 흡인량을 조절할 수 있도록 되어 있다.
또한, 상기 린스액 공급노즐(130)은, 상부에 린스액 공급관(131)이 접속되어 있고, 아래면의 2군데에 린스액 분사용 분두(132)가 설치되어 있다. 린스액 공급노즐(130)은, 이동축(126a)및 안내레일(128)과 평행하게 배치된 반송레일(133)을 따라서 이동하는 이동아암(134)에 의해서 스핀척(101)에서 유지된 기판(G)윗쪽에 이동할 수 있도록 구성되어 있다.
상기 실시예에서는, 현상액 공급노즐(120)과 린스액 공급노즐(130)을 다른 구동수단에 의해서 이동시키고 있으나, 동일한 구동수단에 의해서 구동하는 것도 가능하다. 즉, 제 17 도에 나타낸 바와 같이, 스핀척(101)에서 흡착유지되는 기판(G)의 길이가 긴 방향으로 평행하게 배열설치된 반송레일(135)을 설치함과 동시에, 이 반송레일(135)을 따라서, 예를 들면 에어 실린더, 스텝핑 모우터 등에 의해서 구동되는 이동기구(도시하지 않음)에 의해서 이동이 가능하게 이루어진 파지아암(136)을 설치하고, 이 파지아암(136)에 의해서 현상액 공급노즐(120) 또는 린스액 공급노즐(130)을 파지할 수 있도록 구성하면 된다. 또한, 파지아암(136)에 의해서 현상액 공급노즐(120) 또는 린스액 공급노즐(130)을 파지하기 위해서는, 예를 들면 에오 실린더 등을 사용한 메카니컬 척기구, 진공흡착식, 전자석식의 척 등을 사용할 수 있다.
다음으로, 상기 구성을 가지는 본 발명의 제 2 발명에 관한 처리장치를 사용하여 기판(G) 위에 현상액을 도포하는 방법에 대하여 제18(a) 도 ~ 제18(e)도를 참조하여 설명한다. 먼저, 제18(a)도에 나타낸 바와 같이, 반송되어 온 기판(G)을 스핀척(101)위에 얹어놓고, 스핀척(101)으로 흡착유지한다. 이어서, 기판(G)의 단변 끝단부의 윗쪽위치에 예를 들면, 가는 구멍(122)이 끝단테두리로부터 5mm정도 내측에 위치하도록 현상액 공급노즐(120)을 대향배치한다. 그리고, 현상액 공급노즐(120)로부터 현상액을 기판(G)위에 공급한다.
이어서, 제18(b)도에 나타낸 바와 같이, 현상액을 공급하면서 현상 공급노즐(120)을 기판(G)의 한 끝단테두리까지 이동하여 되돌아오고, 기판(G)의 끝단부에 현상액을 도포한다(①). 이어서, 제18(c)도에 나타낸 바와 같이, 현상액 공급노즐(120)을 기판(G)의 다른 끝단테두리 위치까지 이동하여 기판(G)표면의 전면에 현상액을 도포한 후, 현상액의 공급을 정지하여 현상액 공급노즐(120)을 그대로 대기시키거나, 원래의 대기위치로 복귀시킨다(② 및 ③). 또한, 제 18(d)도에 나타낸 바와 같이, 스핀척(101)을 예를 들면 10rpm, 주기 3초정도로 왕복회전시키고 기판(G) 위에 도포된 현상액을 원심력에 의해서 바깥쪽으로 확산함과 동시에, 기판(G)과 현상액을 잘 융합시킨다. 마지막으로, 제18(e)도에 나타낸 바와 같이, 스핀척(101)을 200rpm정도로 연속회전시키면서 현상액을 충분히 뿌리고, 기판(G)위에 린스액 공급노즐(130)을 이동시키고, 린스액 공급노즐(130)로부터 린스액을 기판(G)위에 공급하여 현상을 정지시킨다.
상기 구성의 레지스트 처리장치는 단독의 장치로서 사용할 수 있는 것은 물론이나, 이하에 설명하는 LCD기판의 도포·현상처리시스템을 편성하여 사용할 수 있다.
상기 도포·현상처리시스템은, 제19도에 나타낸 바와 같이, 기판(G)을 반입·반출하는 로우더부(190)와, 기판(G)의 제 1 처리부(191)와, 중계부(193)를 통해서 제 1 처리부(191)에 연이어 설치된 제 2 처리부(192)로 주로 구성되어 있다. 또한, 제 2 처리부(192)에는, 받아넘김부(194)를 통해서 레지스트막에 소정의 미세패턴을 노광하기 위한 노광장치(195)를 연이어 설치할 수 있게 되어 있다.
상기 로우더부(190)는, 미처리의 기판(G)을 수용하는 카세트(196)와, 처리완료된 기판(G)을 수용하는 카세트(197)를 얹어놓는 카세트 얹어놓는대(198)와, 이 카세트 얹어놓는대(198)위의 카세트(196,197)와의 사이에서 기판(G)의 반입·반출을 행하도록 수평(X,Y) 및 수직(Z)방향의 이동 및 회전()이 가능한 기판반출입 핀셋기구(199)로 구성되어 있다.
상기 제 1 처리부(191)는, X,Y,Z 방향의 이동 및회전이 가능한 반송아암기구(201)의 반송로(202)의 한 쪽측에, 기판(G)을 블러시세정하는 블러시 세정장치(203)와, 기판(G)을 고압제트수로 세정하는 제트수 세정장치(204)와, 기판(G)의 표면을 소수화처리하는 어드히젼 처리장치(205)와, 이 어드히젼 처리장치(205)하에 가판(G)을 소정온도로 냉각하는 냉각 처리장치(206)를 배치하고, 반송로(202)의 다른 쪽측에, 기판(G)의 표면에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포장치(207)와, 기판(G)의 둘레부 레지스트를 제거하는 레지스트 제거장치(208)를 배치하여 이루어진 것이다.
또한, 상기 제 2 처리부(192)는, 제 1 처리부(191)와 마찬가지로, X,T,Z 방향의 이동 및회전이 가능한 반송아암기구(201a)를 가지고, 이 반송아암기구(201a)의 반송로(202a)의 한 쪽측에, 레지스트액 도포후에 기판(G)을 가열하여 프리베이크 또는 포스트베이크를 행하는 가열처리장치(209)를 배치하고, 반송로(202a)의 다른 쪽측에, 본 발명의 처리장치로서의 현상장치(201)를 배치하여 이루어진 것이다.
또한, 상기 받아넘김부(194)에는, 기판(G)을 일시대기시키기 위한 카세트(211)와, 이 카세트(211)와의 사이에서 기판(G)의 출입을 행하는 반송용 핀셋기구(212)와, 기판(G)의 받아넘김대(213)가 설치되어 있다.
상기 구성을 가지는 도포·현상처리시스템에 있어서, 카세트(196)내에 수용된 미처리의 기판(G)은, 로우더부(190)의 반입·반출 핀셋기구(199)에 의해서 빼내어진 후, 제 1 처리부(191)의 반송아암기구(201)로 인도 되고, 그 후, 블러시 세정장치(203)내로 반송된다. 이 블러시 세정장치(203)내에서 블러시세정된 기판(G)은 곧 이어서 건조된다. 또한, 프로세스에 따라서 제트수 세정장치(204)내에서 고압제트수에 의해서 세정시키도록 하여도 좋다.
그 후, 기판(G)은, 어드히젼 처리장치(205)에서 소수화처리가 행하여지고, 냉각처리장치(206)에서 냉각된 후, 레지스트 도포장치(207)에서 포토레지스트, 즉 감광성막이 도포형성된다. 그리고, 이 포토레지스트가 가열처리장치(209)에서 가열되어 베이킹처리가 행하여진 후, 노광장치(195)에서 소정의 패턴이 노광된다. 그리고, 노광후의 기판(G)은, 본 발명의 제 2 발명에 관계되는 현상장치(210)내로 반송되며, 여기에서 상술한 바와 같은 본 발명의 처리공정을 거쳐 현상액에 의해서 현상된 후에 린스액에 의해서 현상액을 씻어흐르게 하고, 현상처리가 완료된다. 현상처리된 처리완료된 기판(G)은, 로우더부(190)의 카세트(197)내로 수용된후에 반출되고 다음 처리공정을 향하여 반송된다.
본 실시예에서는, 본 발명의 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치를 LCD기판의 현상처리에 적용한 경우에 대하여 설명하였으나, LCD기판 이외의 사각형상 피처리체에 처리액을 도포하는 방법 및 장치에도 적용할 수 있는 것은 물론이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 제 1 발명은, 피처리체에 처리액을 공급하여 상기 피처리체에 처리를 하는 처리공정과, 상기 피처리체에 세정액을 공급하여 상기 피처리체를 세정하는 세정공정을 구비하고, 상기 처리공정과 상기 세정공정이 적어도 일부에서 오버랩하므로, 회로패턴이 전사된 피처리체에 처리액을 공급하기 전에, 세정액을 공급하여 피처리체의 표면에 액막을 만들고, 처리액의 퍼짐을 재촉할 수 있으며, 이에 의해서, 스루 풋의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 처리액과 세정액을 혼합·치환함으로써 피처리체로 형성된 회로패턴의 레지스트의 팽창과 수축을 완화할 수 있으므로, 수율의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 본 발명의 제 2 발명은, 대향하는 한 쌍의 끝단테두리를 가지는 사각형상의 피처리체의 윗쪽에 처리액을 공급하는 처리액 공급수단을 위치하게 하는 공정과, 상기 처리액 공급수단에 의해서 처리액을 상기 피처리체에 공급하면서, 상기 처리액 공급수단을 상기 피처리체의 상기 한쌍의 끝단테두리의 한 쪽의 끝단테두리를 향하여 상기 피처리체에 대하여 상대적으로 이동시키는 공정과, 상기 처리액 공급수단에 의해서 처리액을 상기 피처리체에 공급하면서, 상기 처리액 공급수단을 상기 피처리체의 상기 한 쪽의 끝단테두리로부터 상기 한 쌍의 끝단테두리의 다른쪽의 끝단테두리를 향하여 상기 피처리체에 대하여 상대적으로 이동시키는 공정을 구비하므로, 피처리체의 끝단테두리부 위에 처리액을 확실하게 도포할 수 있고, 처리액의 도포를 균일하게 할 수 있다. 따라서, 수율의 향상을 도모할 수 있다.

Claims (26)

  1. 피처리체에 레지스트 처리액을 공급하여 상기 피처리체에 처리를 수행하는 단계 ; 및
    상기 피처리체를 세정하기 위하여 상기 피처리체에 세정액을 공급하는 단계를 포함하여 구성되며 ;
    상기 처리단계는 세정단계와 적어도 일부에서 오버랩하고, 레지스트 처리액은 세정액이 아니며, 상기 레지스트 처리액과 상기 세정액중 적어도 하나의 공급량은 상기 처리단계가 상기 세정단계와 일부에서 오버랩하는 동안에 변화되는 것을 특징으로 하는 레지스트 처리방법.
  2. 피처리체에 레지스트 처리액을 공급하여 상기 피처리체에 처리를 수행하는 연속단계와 ;
    상기 피처리체에 상기 처리액을 공급하는 동안에 상기 피처리체에 세정액을 공급하는 연속단계와 ;
    상기 레지스트 처리액의 공급을 중단하는 연속단계 ; 및
    상기 세정액으로 상기 피처리체를 세정하는 연속단계를 포함하여 구성되며 ;
    상기 레지스트 처리액은 세정액이 아닌 것을 특징으로 하는 레지스트 처리방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 피처리체에 제 1 세정액을 공급하고, 상기 피처리체를 세정하고, 상기 레지스트 처리액을 공급하는 단계보다 더 중요한 상기 세정액의 공급을 중단하는 최초의 단계를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 레지스트 처리액을 공급하는 단계보다 중요한 상기 피처리체를 세정하기 위하여 상기 피처리체에 제 1 세정액을 공급하는 제 1 단계를 더 포함하여 구성되며, 상기 레지스트 세정액을 공급하는 상기 단계는 상기 제 1 세정액의 최초의 공급과 일부에서 오버랩하고, 상기 제 1 세정액의 상기 최초의 공급은 상기 레지스트 처리액이 공급되는 동안에 중단되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 레지스트 처리액의 공급량은 처리단계가 세정단계와 일부에서 오버랩하는 동안에 점차 증가되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 레지스트 처리액의 공급량은 처리단계가 세정단계와 일부에서 오버랩하는 동안에 점차 감소되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 세정액의 공급량은 처리단계가 세정단계와 일부에서 오버랩하는 동안에 점차 감소하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 처리액의 공급량은 점차 감소되고, 상기 세정액의 공급량은 처리단계가 세정단계와 일부에서 오버랩하는 동안에 점차 증가되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 처리될 피처리체를 회전가능하게 유지하기 위한 유지수단과 ;
    처리될 피처리체로부터 일정한 간격으로 떨어져 배치되고, 처리될 상기 피처리체의 표면에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급수단 ; 및
    처리될 피처리체로부터 일정한 간격으로 떨어져 배치되고, 처리될 상기 피처리체의 상기 표면에 세정액을 공급하기 위한 세정액 공급수단을 포함하여 구성되며,
    상기 유지수단은, 처리용기내에 배치되어, 승강 및 회전이 가능한 회전축을 가진 진공흡착식 스핀척을 가지며, 시일기구가 상기 회전축과 상기 처리용기사이의 소정의 공간에 설치되고, 상기 시일기구는 상기 회전축과 상기 처리용기사이의 틈을 폐쇄하는 가요성을 가지는 시일부재 및 상기 회전축과 상기 처리용기측으로 상기 시일부재를 밀어누르기 위한 스프링부재로 구성되는 것을 특징으로 하는 레지스트 처리장치.
  10. 처리될 피처리체를 회전가능하게 지지하기 위한 지지수단과 ;
    처리될 피처리체로부터 일정한 틈으로 떨어져 배치되고, 처리될 상기 피처리체의 표면으로 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급수단 ; 및
    처리될 피처리체로부터 일정한 틈으로 떨어져 배치되고, 처리될 상기 피처리체의 상기 표면상으로 세정액을 공급하기 위한 세정액 공급수단을 포함하여 구성되며,
    상기 처리액 공급수단은, 처리액 수용체의 상부내에 형성된 거품빼기 구멍을 가지고, 흡인양 조정기구가 삽입되는 거품배출관은 거품빼기 구멍에 연결되는 것을 특징으로 하는 레지스트 처리장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 처리액 공급수단은, 관형상의 처리액 수용체에 의하여 구성되어 처리될 상기 피처리체의 한 쌍의 끝단테두리 사이의 틈이 실질적으로 같은 길이를 가지고, 상기 처리액 수용체의 길이방향을 따라서 소정의 간격에 형성된 다수 개의 가는 구멍으로 구성되어 있으며, 온도조정기구는 상기 처리액 공급수단의 근방중의 처리액 공급배관의 어느 위치에 설치되어, 상기 처리액 공급수단과 처리액 공급원을 연결시키기는 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 대향하는 한 쌍의 끝단테두리를 가진 처리될 사각형상의 피처리체의 윗쪽에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급수단을 위치시키는 단계와 ;
    상기 처리액 공급수단에 의하여 상기 피처리체에 상기 처리액을 공급하는 동안에 상기 피처리체에 대하여 상기 피처리체의 상기 한 쌍의 끝단테두리중의 한 끝단테두리를 향하여 상기 처리액 공급수단을 이동시키는 단계와 ;
    상기 처리액 공급수단에 의하여 상기 피처리체의 한 주면에 상기 처리액을 공급하는 동안에 상기 피처리체에 대하여 피처리체의 상기 한 쌍의 끝단테두리의 다른 쪽의 끝단테두리를 향하여 상기 피처리체의 한 끝단테두리로부터 상기 처리액 공급수단을 이동시키는 단계 ; 및
    상기 피처리체의 다른 쪽의 주면에 세정수를 공급하는 단계를 포함하여 구성되며, 처리될 피처리체를 위한 레지스트 처리방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 피처리체의 다른 쪽의 주면에 공급된 상기 세정수는 상기 피처리체의 바깥쪽에서 제거되는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 대향하는 한 쌍의 끝단테두리를 가진 처리될 사각형상의 피처리체에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급수단을 위치시키는 단계와 ;
    상기 처리액 공급수단에 의하여 상기 피처리체에 상기 처리액을 공급하는 동안에 상기 피처리체에 대하여 상기 피처리체의 상기 한 쌍의 끝단테두리의 한 끝단테두리를 향하여 상기 처리액 공급수단을 이동시키는 단계와 ;
    상기 처리액 공급수단에 의하여 상기 피처리체의 한 주면에 상기 처리액을 공급하는 동안에 상기 피처리체에 대하여 피처리체의 상기 한 쌍의 끝단테두리의 다른 쪽의 끝단테두리를 향하여 상기 피처리체의 한 끝단테두리로부터 상기 처리액 공급수단을 이동시키는 단계 ; 및
    시계방향과 반시계방향으로 회전방향을 변화시키는 동안에 상기 처리액으로 도포된 피처리체를 회전시키는 단계를 포함하여 구성되는, 처리될 피처리체를 위한 레지스트 처리방법.
  15. 대향하는 한 쌍의 끝단테두리를 가진 처리될 사각형상의 피처리체에 상기 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급수단을 위치시키는 단계와 ;
    상기 처리액 공급수단에 의하여 상기 피처리체에 상기 처리액을 공급하는 동안에 상기 피처리체에 대하여 상기 피처리체의 상기 한 쌍의 끝단테두리의 한 끝단테두리를 향하여 상기 처리액 공급수단을 이동시키는 단계 ; 및
    상기 처리액 공급수단에 의하여 상기 피처리체의 한 주면에 상기 처리액으로 공급하는 동안에 상기 피처리체에 대하여 피처리체의 상기 한 쌍의 끝단테두리의 다른 쪽의 끝단테두리를 향하여 상기 피처리체의 한 끝단테두리로부터 상기 처리액 공급수단을 이동시키는 단계를 포함하여 구성되며,
    상기 피처리체의 끝단테두리에 도달하기 위하여 상기 처리액 공급수단의 이동이 검지되는 것을 특징으로 하는, 처리될 피처리체를 위한 레지스트 처리방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 피처리체의 끝단테두리에 도달하기 위하여 상기 처리액 공급수단의 이동은 광센서에 의하여 검지되는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 대향하는 한 쌍의 테두리를 가진 처리될 사각형상의 피처리체에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급수단을 위치시키는 단계와 ;
    상기 처리액 공급수단에 의하여 상기 피처리체에 상기 처리액을 공급하는 동안에 상기 피처리체에 대하여 상기 피처리체의 상기 한 쌍의 끝단테두리중 한 끝단테두리를 향하여 상기 처리액 공급수단을 이동시키는 단계 ; 및
    상기 처리액 공급수단에 의하여 상기 피처리체의 한 주면에 상기 처리액을 공급하는 동안에 상기 피처리체에 대하여 피처리체의 상기 한 쌍의 끝단테두리 중 다른 쪽의 끝단테두리를 향하여 상기 피처리체의 한 끝단테두리로부터 상기 처리액 공급수단을 이동시키는 단계를 포함하여 구성되며,
    상기 처리액 공급수단내에서 발생된 거품이 제거되는 것을 특징으로 하는, 처리될 피처리체를 위한 레지스트 처리방법.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 처리액 공급수단내에서 발생된 거품이 처리액 공급수단내로 압축된 공기를 불어서 제거하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 대향하는 한 쌍의 끝단테두리를 가진 처리될 사각형상의 피처리체의 상으로 처리액을 공급하기 위하여 처리액 공급수단을 위치시키는 단계와 ;
    상기 처리액 공급수단에 의하여 상시 피처리체에 상기 처리액을 공급하는 동안에 상기 피처리체에 대하여 상기 피처리체의 상기 한 쌍의 끝단테두리중 한 끝단테두리를 향하여 상기 처리액 공급수단을 이동시키는 단계 ; 및
    상기 처리액 공급수단에 의하여 상기 피처리체의 한 주면에 상기 처리액을 공급하는 동안에 상기 피처리체에 대하여 피처리체의 상기 한 쌍의 끝단테두리중 다른 쪽의 끝단테두리를 향하여 상기 피처리체의 한 끝단테두리로부터 상기 처리액 공급수단을 이동시키는 단계를 포함하여 구성되며,
    난류의 발생은, 처리될 상기 피처리체주위에서 방지되는 것을 특징으로 하는, 처리될 피처리체를 위한 레지스트 처리방법.
  20. 제 12 항에 있어서, 상기 처리액은 상기 처리에 공급수단으로부터 피처리체의 한 주면에 연속적으로 공급되는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 대향하는 한 쌍의 끝단테두리를 가진 처리될 사각형상의 피처리체에 처리액을 공급하기 위하여 처리액 공급수단을 위치시키는 단계와 ;
    상기 처리액 공급수단에 의하여 상기 피처리체에 상기 처리액을 공급하는 동안에 상기 피처리체에 대하여 상기 피처리체의 상기 한 쌍의 끝단테두리중 한 끝단테두리를 향하여 상기 처리액 공급수단을 이동시키는 단계 ; 및
    상기 처리액 공급수단에 의하여 상기 피처리체의 한 주면에 상기 처리액을 공급하는 동안에 상기 피처리체에 대하여 피처리체의 상기 한 쌍의 끝단테두리 중 다른 쪽의 끝단테두리를 향하여 상기 피처리체 중 한 끝단테두리로부터 상기 처리액 공급수단을 이동시키는 단계를 포함하여 구성되며,
    처리될 상기 피처리체는, LCD기판인 것을 특징으로 하는, 처리될 피처리체를 위한 레지스트 처리방법.
  22. 제 14 항에 있어서, 상기 처리액이 상기 처리액 공급수단으로부터 피처리체의 한 주면에 연속적으로 공급되는 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 제 15 항에 있어서, 상기 처리액이 상기 처리액 공급수단으로부터 피처리체의 한 주면에 연속적으로 공급되는 것을 특징으로 하는 방법.
  24. 제 17 항에 있어서, 상기 처리액이 상기 처리액 공급수단으로부터 피처리체의 한 주면에 연속적으로 공급되는 것을 특징으로 하는 방법.
  25. 제 19 항에 있어서, 상기 처리액이 상기 처리액 공급수단으로부터 피처리체의 한 주면에 연속적으로 공급되는 것을 특징으로 하는 방법.
  26. 제 21 항에 있어서, 상기 처리액이 상기 처리액 공급수단으로부터 피처리체의 한 주면에 연속적으로 공급되는 것을 특징으로 하는 방법.
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Families Citing this family (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5902399A (en) * 1995-07-27 1999-05-11 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for improved coating of a semiconductor wafer
JP3069945B2 (ja) * 1995-07-28 2000-07-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置
TW317644B (ko) * 1996-01-26 1997-10-11 Tokyo Electron Co Ltd
US5849084A (en) * 1996-06-21 1998-12-15 Micron Technology, Inc. Spin coating dispense arm assembly
US5985031A (en) * 1996-06-21 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Spin coating spindle and chuck assembly
US6350319B1 (en) * 1998-03-13 2002-02-26 Semitool, Inc. Micro-environment reactor for processing a workpiece
US6264752B1 (en) 1998-03-13 2001-07-24 Gary L. Curtis Reactor for processing a microelectronic workpiece
US6413436B1 (en) 1999-01-27 2002-07-02 Semitool, Inc. Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece
JP3202929B2 (ja) * 1996-09-13 2001-08-27 東京エレクトロン株式会社 処理システム
KR100508575B1 (ko) * 1996-09-24 2005-10-21 동경 엘렉트론 주식회사 세정처리방법및장치와기판처리용장치
SG76527A1 (en) * 1996-09-24 2000-11-21 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for cleaning treatment
US6039059A (en) 1996-09-30 2000-03-21 Verteq, Inc. Wafer cleaning system
JP3286539B2 (ja) * 1996-10-30 2002-05-27 信越半導体株式会社 洗浄装置および洗浄方法
TW357389B (en) * 1996-12-27 1999-05-01 Tokyo Electric Ltd Apparatus and method for supplying process solution to surface of substrate to be processed
JPH10209102A (ja) * 1997-01-17 1998-08-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP3280880B2 (ja) * 1997-02-07 2002-05-13 東京エレクトロン株式会社 脱気機構およびそれを用いた処理装置
JP3321540B2 (ja) * 1997-02-14 2002-09-03 東京エレクトロン株式会社 脱気機構およびそれを用いた処理装置、ならびに脱気方法
JP3180893B2 (ja) * 1997-02-28 2001-06-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US6207231B1 (en) * 1997-05-07 2001-03-27 Tokyo Electron Limited Coating film forming method and coating apparatus
TW442336B (en) * 1997-08-19 2001-06-23 Tokyo Electron Ltd Film forming method
DE19748063A1 (de) * 1997-10-31 1999-05-06 Acr Automation In Cleanroom Vorrichtung zum Aufbringen einer dünnen Schicht auf die Oberfläche eines Bildschirmglaskolbens
TW386256B (en) * 1997-12-24 2000-04-01 United Microelectronics Corp Method for removing photoresistor
JP3356676B2 (ja) * 1998-02-04 2002-12-16 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法及びその装置
US6495205B1 (en) * 1998-02-17 2002-12-17 Fastar, Ltd. Linear extrusion coating system and method
US6017585A (en) * 1998-02-24 2000-01-25 National Semiconductor Corporation High efficiency semiconductor wafer coating apparatus and method
JPH11260707A (ja) * 1998-03-09 1999-09-24 Tokyo Electron Ltd 現像処理方法及び現像処理装置
US6318385B1 (en) * 1998-03-13 2001-11-20 Semitool, Inc. Micro-environment chamber and system for rinsing and drying a semiconductor workpiece
US6423642B1 (en) 1998-03-13 2002-07-23 Semitool, Inc. Reactor for processing a semiconductor wafer
US20050217707A1 (en) * 1998-03-13 2005-10-06 Aegerter Brian K Selective processing of microelectronic workpiece surfaces
US6632292B1 (en) 1998-03-13 2003-10-14 Semitool, Inc. Selective treatment of microelectronic workpiece surfaces
US7001713B2 (en) * 1998-04-18 2006-02-21 United Microelectronics, Corp. Method of forming partial reverse active mask
JP3381776B2 (ja) * 1998-05-19 2003-03-04 東京エレクトロン株式会社 処理装置および処理方法
US6106618A (en) * 1998-06-01 2000-08-22 Advanced Micro Devices, Inc. Photoresist application for a circlet wafer
TW396510B (en) * 1998-06-03 2000-07-01 United Microelectronics Corp Shallow trench isolation formed by chemical mechanical polishing
US6790742B2 (en) 1998-06-03 2004-09-14 United Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing in forming semiconductor device
TWM249206U (en) * 1998-07-31 2004-11-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus
US6021789A (en) * 1998-11-10 2000-02-08 International Business Machines Corporation Wafer cleaning system with progressive megasonic wave
US6139636A (en) * 1998-11-12 2000-10-31 United Microelectronics Corp. Spray coating device
US6210050B1 (en) * 1998-12-01 2001-04-03 Advanced Micro Devices, Inc. Resist developing method and apparatus with nozzle offset for uniform developer application
US6984302B2 (en) * 1998-12-30 2006-01-10 Intel Corporation Electroplating cell based upon rotational plating solution flow
US6092937A (en) * 1999-01-08 2000-07-25 Fastar, Ltd. Linear developer
US6680253B2 (en) 1999-01-22 2004-01-20 Semitool, Inc. Apparatus for processing a workpiece
US7217325B2 (en) * 1999-01-22 2007-05-15 Semitool, Inc. System for processing a workpiece
US6492284B2 (en) 1999-01-22 2002-12-10 Semitool, Inc. Reactor for processing a workpiece using sonic energy
US6548411B2 (en) 1999-01-22 2003-04-15 Semitool, Inc. Apparatus and methods for processing a workpiece
US6511914B2 (en) 1999-01-22 2003-01-28 Semitool, Inc. Reactor for processing a workpiece using sonic energy
TW410374B (en) * 1999-02-05 2000-11-01 United Microelectronics Corp Developer tank
US6398429B1 (en) 1999-03-15 2002-06-04 Tokyo Electron Limited Developing method and developing apparatus
JP3393082B2 (ja) 1999-04-02 2003-04-07 東京エレクトロン株式会社 現像方法および現像装置
TW505822B (en) 1999-06-09 2002-10-11 Tokyo Electron Ltd Developing method and developing apparatus
KR100629746B1 (ko) 1999-07-28 2006-09-28 동경 엘렉트론 주식회사 현상장치 및 그 방법
US6238747B1 (en) * 1999-09-07 2001-05-29 Advanced Micro Devices, Inc. Mechanism for dispensing liquid onto an integrated circuit wafer with minimized back-splash
US6514343B1 (en) * 1999-10-01 2003-02-04 Tokyo Electron Limited Coating apparatus
US6774056B2 (en) * 1999-11-10 2004-08-10 Semitool, Inc. Sonic immersion process system and methods
US6616760B2 (en) * 1999-12-17 2003-09-09 Tokyo Electron Limited Film forming unit
US6286231B1 (en) 2000-01-12 2001-09-11 Semitool, Inc. Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying
JP2002055422A (ja) * 2000-05-29 2002-02-20 Fuji Photo Film Co Ltd 感光材料の液中搬送構造
US6692165B2 (en) * 2001-03-01 2004-02-17 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US20050061676A1 (en) * 2001-03-12 2005-03-24 Wilson Gregory J. System for electrochemically processing a workpiece
WO2004020704A1 (en) * 2001-08-31 2004-03-11 Semitool, Inc. Apparatus and method for deposition of an electrophoretic emulsion
US7090751B2 (en) * 2001-08-31 2006-08-15 Semitool, Inc. Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces
JP3944368B2 (ja) * 2001-09-05 2007-07-11 株式会社荏原製作所 基板処理装置及び基板処理方法
US6706641B2 (en) * 2001-09-13 2004-03-16 Micell Technologies, Inc. Spray member and method for using the same
TWI261875B (en) * 2002-01-30 2006-09-11 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus and substrate processing method
US20080011421A1 (en) * 2002-04-26 2008-01-17 Accretech Usa, Inc. Processing chamber having labyrinth seal
EP1571694A4 (en) * 2002-12-10 2008-10-15 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE DEVICE
US7550043B2 (en) * 2002-12-20 2009-06-23 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP3890025B2 (ja) * 2003-03-10 2007-03-07 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置及び塗布処理方法
US7371022B2 (en) 2004-12-22 2008-05-13 Sokudo Co., Ltd. Developer endpoint detection in a track lithography system
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
DE202005020274U1 (de) * 2005-12-23 2006-02-23 Bohnet, Saskia Beschichtungsanlage für Wafer
KR100725101B1 (ko) * 2006-01-03 2007-06-04 삼성전자주식회사 폭스공정설비의 케미컬 분사장치
CN101007298B (zh) * 2006-01-24 2011-06-29 深圳富泰宏精密工业有限公司 支架稳固装置
JP2007305864A (ja) * 2006-05-12 2007-11-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 現像方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2007311408A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Toshiba Corp 基板処理装置及び基板処理方法
TWI352628B (en) * 2006-07-21 2011-11-21 Akrion Technologies Inc Nozzle for use in the megasonic cleaning of substr
US20080280230A1 (en) * 2007-05-10 2008-11-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photolithography process including a chemical rinse
US8304179B2 (en) * 2009-05-11 2012-11-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device using a modified photosensitive layer
US10269615B2 (en) * 2011-09-09 2019-04-23 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
JP5874514B2 (ja) * 2012-04-26 2016-03-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
US10026629B2 (en) * 2014-10-17 2018-07-17 Tokyo Electron Limited Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium storing substrate liquid processing program
CN109037111B (zh) 2015-02-25 2022-03-22 株式会社思可林集团 基板处理装置
US10283384B2 (en) 2015-04-27 2019-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for etching etch layer and wafer etching apparatus
US10663865B2 (en) * 2018-06-29 2020-05-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist recycling apparatus

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3793054A (en) * 1971-07-06 1974-02-19 Ppg Industries Inc Angled crossfire rinses
US3876450A (en) * 1973-08-13 1975-04-08 W J Tanner Inc Method and composition for transparent abrasion-resistant coating
NL7811399A (nl) * 1978-11-20 1980-05-22 Akzo Nv Werkwijze voor het aanbrengen van een bekledingslaag op een boven de waterspiegel gelegen gedeelte van een zich in een zeemilieu bevindende constructie.
US4564280A (en) * 1982-10-28 1986-01-14 Fujitsu Limited Method and apparatus for developing resist film including a movable nozzle arm
US4938994A (en) * 1987-11-23 1990-07-03 Epicor Technology, Inc. Method and apparatus for patch coating printed circuit boards
US5002008A (en) * 1988-05-27 1991-03-26 Tokyo Electron Limited Coating apparatus and method for applying a liquid to a semiconductor wafer, including selecting a nozzle in a stand-by state
US5066616A (en) * 1989-06-14 1991-11-19 Hewlett-Packard Company Method for improving photoresist on wafers by applying fluid layer of liquid solvent
US5136970A (en) * 1989-10-06 1992-08-11 Fuji Photo Film Co., Ltd. Coating apparatus with vertically movable solution receiver
US5062384A (en) * 1989-11-13 1991-11-05 Mfm Technology, Inc. Vacuum chuck rotary seal
JP2533812B2 (ja) * 1990-07-13 1996-09-11 富士写真フイルム株式会社 ガラス乾板製造方法及び装置
JP2971681B2 (ja) * 1992-10-02 1999-11-08 東京エレクトロン株式会社 処理装置

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