JP3356676B2 - 現像処理方法及びその装置 - Google Patents
現像処理方法及びその装置Info
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばレジストが
塗布され、露光処理がされた基板の表面に現像液を供給
して現像処理を行う方法及びその装置に関する。
塗布され、露光処理がされた基板の表面に現像液を供給
して現像処理を行う方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ（以下ウエハという）の表
面に回路パタ−ンを形成するためのマスクは、ウエハ表
面にレジストを塗布した後、光、電子線あるいはイオン
線等をレジスト面に照射し、現像することによって得ら
れる。このうち現像工程は、露光工程にて光等が照射さ
れた部分あるいは照射されない部分をアルカリ水溶液等
により溶解するものであり、従来では図１０及び図１１
に示す方法により行われている。
面に回路パタ−ンを形成するためのマスクは、ウエハ表
面にレジストを塗布した後、光、電子線あるいはイオン
線等をレジスト面に照射し、現像することによって得ら
れる。このうち現像工程は、露光工程にて光等が照射さ
れた部分あるいは照射されない部分をアルカリ水溶液等
により溶解するものであり、従来では図１０及び図１１
に示す方法により行われている。
【０００３】即ちこの従来方法においては、真空吸着機
能を備えたスピンチャック１１の上にウエハＷを吸着保
持させ、ウエハＷの直径に対応する長さに亘って多数の
吐出孔１２が配列された供給ノズル１３を、ウエハＷの
中央部にて吐出孔１２がウエハＷ表面から例えば１ｍｍ
上方になるように位置させる。そして吐出孔１２から現
像液１０をウエハＷ表面の中央部に供給して図１０に示
すように液盛りを行い、続いて吐出孔１２から現像液１
０の供給を行いながらウエハＷを半回転（１８０度回
転）させる。
能を備えたスピンチャック１１の上にウエハＷを吸着保
持させ、ウエハＷの直径に対応する長さに亘って多数の
吐出孔１２が配列された供給ノズル１３を、ウエハＷの
中央部にて吐出孔１２がウエハＷ表面から例えば１ｍｍ
上方になるように位置させる。そして吐出孔１２から現
像液１０をウエハＷ表面の中央部に供給して図１０に示
すように液盛りを行い、続いて吐出孔１２から現像液１
０の供給を行いながらウエハＷを半回転（１８０度回
転）させる。
【０００４】こうすることによってウエハ中央部にはじ
めに液盛りされた現像液１０が広げられると同時に現像
液１０が新たに供給され、この結果ウエハＷ表面全体に
現像液の液膜が所定の厚さで形成されることになる。な
おウエハＷを半回転以上回転させない理由は、はじめに
供給した古い現像液と新たな現像液とが混じり合うこと
を避け、混じった部分と混じらない部分との間の現像の
不均一さをなくすことにある。
めに液盛りされた現像液１０が広げられると同時に現像
液１０が新たに供給され、この結果ウエハＷ表面全体に
現像液の液膜が所定の厚さで形成されることになる。な
おウエハＷを半回転以上回転させない理由は、はじめに
供給した古い現像液と新たな現像液とが混じり合うこと
を避け、混じった部分と混じらない部分との間の現像の
不均一さをなくすことにある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述の現
像方式では、現像液をウエハＷ表面全体に所定の厚さで
供給するためには１〜２秒程度の時間がかかり、最初に
現像液が供給される箇所と最後に供給される箇所との間
には時間のずれが生じる。ここで現像処理の進行の状態
は現像液との接触時間に関係し、接触時間が長ければそ
れだけ現像が進行する。従って上述のように現像液の供
給時に時間的なずれがあると、現像液が最初に供給され
た箇所は最後に供給された箇所に比べて現像が進んでし
まう。このため上述の方法ではウエハＷの面内において
現像ムラが生じ、均一に現像処理を行うことは困難であ
った。
像方式では、現像液をウエハＷ表面全体に所定の厚さで
供給するためには１〜２秒程度の時間がかかり、最初に
現像液が供給される箇所と最後に供給される箇所との間
には時間のずれが生じる。ここで現像処理の進行の状態
は現像液との接触時間に関係し、接触時間が長ければそ
れだけ現像が進行する。従って上述のように現像液の供
給時に時間的なずれがあると、現像液が最初に供給され
た箇所は最後に供給された箇所に比べて現像が進んでし
まう。このため上述の方法ではウエハＷの面内において
現像ムラが生じ、均一に現像処理を行うことは困難であ
った。
【０００６】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は、基板表面に供給された現像液を
現像するに当たり、基板の面内において均一な現像処理
を行うことができる現像処理方法及びその装置を提供す
ることにある。
のであり、その目的は、基板表面に供給された現像液を
現像するに当たり、基板の面内において均一な現像処理
を行うことができる現像処理方法及びその装置を提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このため本発明は、現像
液を現像機能が低い状態で基板表面の被処理領域全体に
供給する工程と、前記基板表面に供給された現像液の現
像機能を高めて前記被処理領域全体に対して現像を行う
工程と、を含むことを特徴とし、具体的にはアルカリ水
溶液からなる現像液を現像が進行しない低い濃度で基板
表面の被処理領域全体に供給し、次いで前記基板表面に
供給された現像液の濃度を高めて前記被処理領域全体に
対して現像を行うことにより実施される。この際現像液
の濃度を高める工程は、例えば現像液の電気分解や、現
像液に含まれる水を蒸発させることにより行なわれる。
液を現像機能が低い状態で基板表面の被処理領域全体に
供給する工程と、前記基板表面に供給された現像液の現
像機能を高めて前記被処理領域全体に対して現像を行う
工程と、を含むことを特徴とし、具体的にはアルカリ水
溶液からなる現像液を現像が進行しない低い濃度で基板
表面の被処理領域全体に供給し、次いで前記基板表面に
供給された現像液の濃度を高めて前記被処理領域全体に
対して現像を行うことにより実施される。この際現像液
の濃度を高める工程は、例えば現像液の電気分解や、現
像液に含まれる水を蒸発させることにより行なわれる。
【０００８】このような発明では、現像液を基板表面に
供給するときには現像が進行せず、この後現像液の濃度
が高められてから現像が進行するので、現像液の供給時
に基板の面内において時間的なずれがあっても、基板の
面内において均一な現像処理を行うことができる。ここ
で現像液の電気分解を行う場合に、電流量を連続的又は
段階的に大きくするようにしてもよく、この場合には現
像液により溶解される凹部の垂直性が向上する。
供給するときには現像が進行せず、この後現像液の濃度
が高められてから現像が進行するので、現像液の供給時
に基板の面内において時間的なずれがあっても、基板の
面内において均一な現像処理を行うことができる。ここ
で現像液の電気分解を行う場合に、電流量を連続的又は
段階的に大きくするようにしてもよく、この場合には現
像液により溶解される凹部の垂直性が向上する。
【０００９】また本発明は、アルカリ水溶液からなる現
像液を現像が進行しない温度で基板表面の被処理領域全
体に供給し、次いで前記基板表面に供給された現像液の
温度を、現像を促進させる温度に調整して前記被処理領
域全体に対して現像を行うようにしてもよく、この場合
にも現像液を基板表面に供給するときには現像が進行せ
ず、この後現像液の温度が調整されてから現像が進行す
るので、現像液の供給時に基板の面内において時間的な
ずれがあっても、基板の面内において均一な現像処理を
行うことができる。この際現像液の温度の調整は、例え
ば現像液を冷却することにより行なわれる。本発明の現
像処理装置は、現像が全く進行しないかまたはほとんど
進行しない低い濃度に調整された現像液を基板表面の被
処理領域に供給する機構と、基板表面の被処理領域に供
給された現像液に対して現像液の濃度を高めるために電
気分解処理を施す機構と、を具備したことを特徴とす
る。この場合、電気分解処理を施す機構の代りに、基板
が置かれる処理空間を減圧状態にする機構、載置台上の
基板表面に現像液が存在する状態で載置台の温度を所定
の温度まで低下せしめる機構を設けるようにしてもよ
い。
像液を現像が進行しない温度で基板表面の被処理領域全
体に供給し、次いで前記基板表面に供給された現像液の
温度を、現像を促進させる温度に調整して前記被処理領
域全体に対して現像を行うようにしてもよく、この場合
にも現像液を基板表面に供給するときには現像が進行せ
ず、この後現像液の温度が調整されてから現像が進行す
るので、現像液の供給時に基板の面内において時間的な
ずれがあっても、基板の面内において均一な現像処理を
行うことができる。この際現像液の温度の調整は、例え
ば現像液を冷却することにより行なわれる。本発明の現
像処理装置は、現像が全く進行しないかまたはほとんど
進行しない低い濃度に調整された現像液を基板表面の被
処理領域に供給する機構と、基板表面の被処理領域に供
給された現像液に対して現像液の濃度を高めるために電
気分解処理を施す機構と、を具備したことを特徴とす
る。この場合、電気分解処理を施す機構の代りに、基板
が置かれる処理空間を減圧状態にする機構、載置台上の
基板表面に現像液が存在する状態で載置台の温度を所定
の温度まで低下せしめる機構を設けるようにしてもよ
い。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の液膜形成方法の一実施の
形態について説明する。この実施の形態は、現像が進行
しない程度の低い濃度の現像液を基板表面の被処理領域
全体に供給した後、基板表面に供給された現像液に対し
て電気分解を行うことにより、当該現像液の基板近傍の
濃度を高めて現像を行うことを特徴とするものである。
形態について説明する。この実施の形態は、現像が進行
しない程度の低い濃度の現像液を基板表面の被処理領域
全体に供給した後、基板表面に供給された現像液に対し
て電気分解を行うことにより、当該現像液の基板近傍の
濃度を高めて現像を行うことを特徴とするものである。
【００１１】以下にこの実施の形態を実施する液膜形成
装置の一例について図１の断面図及び図２の要部の斜視
図に基づいて説明する。図１中２は、基板例えばウエハ
Ｗを、表面を上に向けた状態で水平（ほぼ水平な状態も
含む。）に保持すると共に、鉛直な軸のまわりに回転さ
せるウエハ保持部である。このウエハ保持部２は例えば
バキュ−ムチャックよりなり、ウエハＷを吸着保持する
ようになっていると共に、下面に接続された鉛直な回転
軸２１を介して駆動部２２により回転可能、昇降可能に
構成されている。
装置の一例について図１の断面図及び図２の要部の斜視
図に基づいて説明する。図１中２は、基板例えばウエハ
Ｗを、表面を上に向けた状態で水平（ほぼ水平な状態も
含む。）に保持すると共に、鉛直な軸のまわりに回転さ
せるウエハ保持部である。このウエハ保持部２は例えば
バキュ−ムチャックよりなり、ウエハＷを吸着保持する
ようになっていると共に、下面に接続された鉛直な回転
軸２１を介して駆動部２２により回転可能、昇降可能に
構成されている。
【００１２】ウエハＷの表面には電気分解ユニット３が
設けられている。この電気分解ユニット３は、例えば図
１及び図２に示すように、円筒状のケ−ス３１内を、ウ
エハＷと対向するように配置された円形の平面状のイオ
ン交換膜３２で区画して、当該ケ−ス３１内の上方側に
陽極室３３、下方側に陰極室３４を夫々形成すると共
に、これら陽極室３３と陰極室３４内に円形の平面状の
陽極３５と陰極３６とを夫々ウエハＷと対向するよう配
置し、これら陽極３５と陰極３６とを電源部３７及びス
イッチ３８に接続することにより構成されている。
設けられている。この電気分解ユニット３は、例えば図
１及び図２に示すように、円筒状のケ−ス３１内を、ウ
エハＷと対向するように配置された円形の平面状のイオ
ン交換膜３２で区画して、当該ケ−ス３１内の上方側に
陽極室３３、下方側に陰極室３４を夫々形成すると共
に、これら陽極室３３と陰極室３４内に円形の平面状の
陽極３５と陰極３６とを夫々ウエハＷと対向するよう配
置し、これら陽極３５と陰極３６とを電源部３７及びス
イッチ３８に接続することにより構成されている。
【００１３】ここで前記イオン交換膜３２は例えばセニ
トロセルロースにより構成されており、陰イオンを選択
的に透過するようになっている。また前記陽極３５は例
えばアルミニウムのメッシュ体により構成され、陰極３
６は例えばアルミニウムのメッシュ体により構成されて
いる。
トロセルロースにより構成されており、陰イオンを選択
的に透過するようになっている。また前記陽極３５は例
えばアルミニウムのメッシュ体により構成され、陰極３
６は例えばアルミニウムのメッシュ体により構成されて
いる。
【００１４】前記ケ−ス３１はウエハＷの被処理領域の
外側に位置するように、かつケ−ス３１の底面がウエハ
Ｗ表面の周縁部に接触するかしない程度に近接するよう
に設けられており、例えばこの例ではケ−ス３１の外縁
がウエハＷの外縁近傍に位置し、ケ−ス３１の内縁が前
記被処理領域の外側に位置するように配置されている。
また前記イオン交換膜３２、陽極３５及び陰極３６は、
夫々内径がケ−ス３１の内径より僅かに小さくなるよう
に形成されており、これらは側面の例えば２か所におい
て支持部材３２ａ，３２ｂ，３５ａ，３５ｂ，３６ａ，
３６ｂを介してケ−ス３１の内壁面に夫々取り付けられ
ていて、イオン交換膜３２等の外面とケ−ス３１の内壁
面との間には僅かな隙間が形成されるようになってい
る。
外側に位置するように、かつケ−ス３１の底面がウエハ
Ｗ表面の周縁部に接触するかしない程度に近接するよう
に設けられており、例えばこの例ではケ−ス３１の外縁
がウエハＷの外縁近傍に位置し、ケ−ス３１の内縁が前
記被処理領域の外側に位置するように配置されている。
また前記イオン交換膜３２、陽極３５及び陰極３６は、
夫々内径がケ−ス３１の内径より僅かに小さくなるよう
に形成されており、これらは側面の例えば２か所におい
て支持部材３２ａ，３２ｂ，３５ａ，３５ｂ，３６ａ，
３６ｂを介してケ−ス３１の内壁面に夫々取り付けられ
ていて、イオン交換膜３２等の外面とケ−ス３１の内壁
面との間には僅かな隙間が形成されるようになってい
る。
【００１５】この例においては、例えば陰極３６はウエ
ハＷの表面から０．５ｍｍ程度上方側に位置し、イオン
交換膜３２及び陽極３５は例えばウエハＷの表面から
０．８〜１．０ｍｍ程度、１．３〜２．０ｍｍ程度上方
側に夫々位置するように設けられている。また前記ケ−
ス３１は、外側面に取り付けられた保持部材３９により
保持されており、この保持部材３９を介して図示しない
駆動機構により、ウエハＷに近接する位置とウエハＷの
外側の待機位置との間で移動されるように構成されてい
る。 さらにこの例では、ウエハＷとウエハＷ表面に設
けられた電気分解ユニット３との周りに、これらの側面
と底面とを囲むように固定カップ４が設けられており、
この固定カップ４の底面には排液路４１が形成されてい
る。またウエハＷ表面に設けられた電気分解ユニット３
の上方側には、ウエハＷ表面に現像液を供給するための
供給ノズル５が設けられている。
ハＷの表面から０．５ｍｍ程度上方側に位置し、イオン
交換膜３２及び陽極３５は例えばウエハＷの表面から
０．８〜１．０ｍｍ程度、１．３〜２．０ｍｍ程度上方
側に夫々位置するように設けられている。また前記ケ−
ス３１は、外側面に取り付けられた保持部材３９により
保持されており、この保持部材３９を介して図示しない
駆動機構により、ウエハＷに近接する位置とウエハＷの
外側の待機位置との間で移動されるように構成されてい
る。 さらにこの例では、ウエハＷとウエハＷ表面に設
けられた電気分解ユニット３との周りに、これらの側面
と底面とを囲むように固定カップ４が設けられており、
この固定カップ４の底面には排液路４１が形成されてい
る。またウエハＷ表面に設けられた電気分解ユニット３
の上方側には、ウエハＷ表面に現像液を供給するための
供給ノズル５が設けられている。
【００１６】この供給ノズル５の下面側には、例えば従
来の技術の欄で説明したように、ウエハＷの直径に対応
する長さに亘って多数の吐出孔５１が配列されており、
現像液供給管５２を介して供給ノズル５に供給された現
像液がこの吐出孔５１からウエハＷ表面に供給されるよ
うになっている。またこの供給ノズル５は、図示しない
支持ア−ムによりウエハＷ表面の中央部に現像液を供給
する供給位置（図１に示す位置）と、ウエハＷの外側の
待機位置との間で移動されるように構成されている。
来の技術の欄で説明したように、ウエハＷの直径に対応
する長さに亘って多数の吐出孔５１が配列されており、
現像液供給管５２を介して供給ノズル５に供給された現
像液がこの吐出孔５１からウエハＷ表面に供給されるよ
うになっている。またこの供給ノズル５は、図示しない
支持ア−ムによりウエハＷ表面の中央部に現像液を供給
する供給位置（図１に示す位置）と、ウエハＷの外側の
待機位置との間で移動されるように構成されている。
【００１７】続いてこの装置にて実施される液膜形成方
法について図３に基づいて説明する。先ずウエハ保持部
２１を上昇させ、回転カップ４の上方側の位置にて、露
光工程が行われたウエハＷを図示しない搬送ア−ムによ
りウエハ保持部２１に受け渡し、ウエハ保持部２１を図
１に示す位置まで下降させる。次いで電気分解ユニット
３を待機位置から移動させてウエハＷ表面に近接させる
と共に、供給ノズル５を待機位置から供給位置に移動さ
せる。
法について図３に基づいて説明する。先ずウエハ保持部
２１を上昇させ、回転カップ４の上方側の位置にて、露
光工程が行われたウエハＷを図示しない搬送ア−ムによ
りウエハ保持部２１に受け渡し、ウエハ保持部２１を図
１に示す位置まで下降させる。次いで電気分解ユニット
３を待機位置から移動させてウエハＷ表面に近接させる
と共に、供給ノズル５を待機位置から供給位置に移動さ
せる。
【００１８】この後図３（ａ）に示すように、ウエハＷ
をウエハ保持部２１により鉛直な軸のまわりに回転させ
ながら、ウエハＷ表面に供給ノズル５から現像液Ａを供
給する。ここで供給される現像液Ａについて説明する
と、現像液としては一般にアルカリ水溶液が用いられ、
この一つに２．３８ｖｏｌ％ＴＭＡＨ（テトラメチルア
ンモニウムハイドライド）水溶液があるが、本実施の形
態では、例えば現像が進行しない程度の濃度のＴＭＡＨ
水溶液、例えば１．１９〜１．５９ｖｏｌ％ＴＭＡＨ水
溶液が用いられる。
をウエハ保持部２１により鉛直な軸のまわりに回転させ
ながら、ウエハＷ表面に供給ノズル５から現像液Ａを供
給する。ここで供給される現像液Ａについて説明する
と、現像液としては一般にアルカリ水溶液が用いられ、
この一つに２．３８ｖｏｌ％ＴＭＡＨ（テトラメチルア
ンモニウムハイドライド）水溶液があるが、本実施の形
態では、例えば現像が進行しない程度の濃度のＴＭＡＨ
水溶液、例えば１．１９〜１．５９ｖｏｌ％ＴＭＡＨ水
溶液が用いられる。
【００１９】供給された現像液Ａはメッシュ状の陽極３
５を介して下方側に流れていくと共に、陽極３５の表面
を中央部から周縁部に向けて流れ、さらに陽極３５とケ
−ス３１との間から下方側の空間に流れていく。そして
陽極３５とイオン交換膜３２との間やイオン交換膜３２
と陰極３６との間に回り込みながら、イオン交換膜３２
や陰極３６とケ−ス３１との間や陰極３６自体を通過し
てウエハＷに向けて流れていく。こうして現像液Ａは電
気分解ユニット３の陽極３５の上方側まで供給されると
共に、ウエハＷ表面に供給された現像液Ａは、ウエハＷ
の回転によりウエハＷ表面の被処理領域全体に伸展され
る。
５を介して下方側に流れていくと共に、陽極３５の表面
を中央部から周縁部に向けて流れ、さらに陽極３５とケ
−ス３１との間から下方側の空間に流れていく。そして
陽極３５とイオン交換膜３２との間やイオン交換膜３２
と陰極３６との間に回り込みながら、イオン交換膜３２
や陰極３６とケ−ス３１との間や陰極３６自体を通過し
てウエハＷに向けて流れていく。こうして現像液Ａは電
気分解ユニット３の陽極３５の上方側まで供給されると
共に、ウエハＷ表面に供給された現像液Ａは、ウエハＷ
の回転によりウエハＷ表面の被処理領域全体に伸展され
る。
【００２０】この際ウエハＷと電気分解ユニット３とは
接触するかしない程度に近接しているので、ウエハＷを
回転させる際に電気分解ユニット３との間には僅かな隙
間が生じるが、現像液Ａの表面張力により当該隙間から
の現像液Ａの漏れは抑えられる。またウエハＷを回転さ
せる際にウエハＷと電気分解ユニット３とが接触したと
しても、この部分は被処理領域の外側に当たるので処理
上問題にはならない。
接触するかしない程度に近接しているので、ウエハＷを
回転させる際に電気分解ユニット３との間には僅かな隙
間が生じるが、現像液Ａの表面張力により当該隙間から
の現像液Ａの漏れは抑えられる。またウエハＷを回転さ
せる際にウエハＷと電気分解ユニット３とが接触したと
しても、この部分は被処理領域の外側に当たるので処理
上問題にはならない。
【００２１】続いて図３（ｂ）に示すように、ウエハＷ
の回転を停止すると共に、スイッチ３８を接続し、陽極
３５と陰極３６とに電力を供給して電気分解を開始す
る。このようにすると、現像液であるＴＭＡＨ水溶液の
陰イオンがイオン交換膜３２を通過して陰極室３４に移
動し、これにより陰極室３４では次第にＴＭＡＨ水溶液
のアルカリ成分の濃度が大きくなって、ＴＭＡＨ水溶液
の濃度が高くなって来る。このため例えば所定時間例え
ば０．５分程度の電気分解を行うと、陰極室３４のＴＭ
ＡＨ水溶液の濃度は２．３８ｖｏｌ％程度になり、現像
が開始される。こうして現像が開始された段階でスイッ
チ３８を切断して電気分解を停止し、所定時間現像処理
を行って、露光工程にて光等が照射された部分あるいは
照射されない部分をＴＭＡＨ水溶液により溶解する。
の回転を停止すると共に、スイッチ３８を接続し、陽極
３５と陰極３６とに電力を供給して電気分解を開始す
る。このようにすると、現像液であるＴＭＡＨ水溶液の
陰イオンがイオン交換膜３２を通過して陰極室３４に移
動し、これにより陰極室３４では次第にＴＭＡＨ水溶液
のアルカリ成分の濃度が大きくなって、ＴＭＡＨ水溶液
の濃度が高くなって来る。このため例えば所定時間例え
ば０．５分程度の電気分解を行うと、陰極室３４のＴＭ
ＡＨ水溶液の濃度は２．３８ｖｏｌ％程度になり、現像
が開始される。こうして現像が開始された段階でスイッ
チ３８を切断して電気分解を停止し、所定時間現像処理
を行って、露光工程にて光等が照射された部分あるいは
照射されない部分をＴＭＡＨ水溶液により溶解する。
【００２２】次いで例えば電気分解ユニット３をウエハ
Ｗから浮上させ、現像液Ａをケ−ス３１とウエハＷとの
隙間から固定カップ４内にある程度流出させながら、電
気分解ユニット３を待機位置まで移動させる。この際供
給ノズル５は予め待機位置に移動させておく。この後ウ
エハＷを高速で回転させて、ウエハＷ表面に残存する現
像液Ａを回転の遠心力で振り切り、ウエハＷを乾燥させ
る。なお固定カップ４内に流出した現像液は排液路４１
を介して回収される。
Ｗから浮上させ、現像液Ａをケ−ス３１とウエハＷとの
隙間から固定カップ４内にある程度流出させながら、電
気分解ユニット３を待機位置まで移動させる。この際供
給ノズル５は予め待機位置に移動させておく。この後ウ
エハＷを高速で回転させて、ウエハＷ表面に残存する現
像液Ａを回転の遠心力で振り切り、ウエハＷを乾燥させ
る。なお固定カップ４内に流出した現像液は排液路４１
を介して回収される。
【００２３】このような実施の形態では、現像液Ａは現
像が進行しない濃度で供給されるので、現像液Ａを供給
した段階では現像が進行せず、この後電気分解を行な
い、陰極室３４の現像液Ａの濃度をある程度まで高める
と現像が開始される。ここでイオン交換膜３２や陽極３
５及び陰極３６は夫々円形の平面状であり、ウエハＷに
対向するように設けられているので、陰極室３４の現像
液ＡはウエハＷの面内においてほぼ均一に濃度が高まっ
ていく。このためウエハＷの面内において均一に現像が
進行するので、現像ムラが生じることがない。
像が進行しない濃度で供給されるので、現像液Ａを供給
した段階では現像が進行せず、この後電気分解を行な
い、陰極室３４の現像液Ａの濃度をある程度まで高める
と現像が開始される。ここでイオン交換膜３２や陽極３
５及び陰極３６は夫々円形の平面状であり、ウエハＷに
対向するように設けられているので、陰極室３４の現像
液ＡはウエハＷの面内においてほぼ均一に濃度が高まっ
ていく。このためウエハＷの面内において均一に現像が
進行するので、現像ムラが生じることがない。
【００２４】従って現像液ＡをウエハＷ表面に供給する
ときに、ウエハＷの面内において時間的なズレが生じた
としても、均一に現像処理を行うことができる。またこ
のように濃度が薄い現像液Ａを供給するようにすると、
現像液Ａの消費量が節約できるので、コスト的にも有利
である。
ときに、ウエハＷの面内において時間的なズレが生じた
としても、均一に現像処理を行うことができる。またこ
のように濃度が薄い現像液Ａを供給するようにすると、
現像液Ａの消費量が節約できるので、コスト的にも有利
である。
【００２５】本実施の形態では、例えば図４に示すよう
に、電気分解の際に電流量を時間的に変化させるよう
に、つまり電気分解の開始時には電流を小さくしてお
き、徐々に大きくするようにしてもよい。ここで図４
（ａ）は電流量を連続的に徐々に大きくする例であり、
図４（ｂ）は電流量を段階的に徐々に大きくする例であ
る。
に、電気分解の際に電流量を時間的に変化させるよう
に、つまり電気分解の開始時には電流を小さくしてお
き、徐々に大きくするようにしてもよい。ここで図４
（ａ）は電流量を連続的に徐々に大きくする例であり、
図４（ｂ）は電流量を段階的に徐々に大きくする例であ
る。
【００２６】この場合には回路パタ−ンの凹部の垂直性
が向上するという利点が得られる。つまり電気分解の電
流量を初めから大きくし、陰極室３４における現像液の
濃度を急に高めると現像時に凹部が広がってしまう。こ
れを防ぐためには電流量をある程度の大きさにしなくて
はならないが、このようにすると露光時のフォ−カスが
悪い場合には当該現像時に凹部の垂直性が悪くなってし
まうことがある（図５（ａ）参照）。つまり露光時にフ
ォ−カスがずれると、凹部の下側には光が十分入らなく
なるので、現像時に凹部を溶解する際凹部の下側が狭く
なってしまう。
が向上するという利点が得られる。つまり電気分解の電
流量を初めから大きくし、陰極室３４における現像液の
濃度を急に高めると現像時に凹部が広がってしまう。こ
れを防ぐためには電流量をある程度の大きさにしなくて
はならないが、このようにすると露光時のフォ−カスが
悪い場合には当該現像時に凹部の垂直性が悪くなってし
まうことがある（図５（ａ）参照）。つまり露光時にフ
ォ−カスがずれると、凹部の下側には光が十分入らなく
なるので、現像時に凹部を溶解する際凹部の下側が狭く
なってしまう。
【００２７】そこでこの例のように現像時に電流量を徐
々に大きくしていき、現像液の濃度を徐々に高めていく
ようにすると、現像力（溶解力）は初めは小さく、徐々
に大きくなっていく。このため凹部の下側を溶解すると
きにはかなり溶解力が大きくなっているので、凹部の下
側も十分に溶解でき、この結果図５（ｂ）に示すように
凹部の垂直姓が向上する。
々に大きくしていき、現像液の濃度を徐々に高めていく
ようにすると、現像力（溶解力）は初めは小さく、徐々
に大きくなっていく。このため凹部の下側を溶解すると
きにはかなり溶解力が大きくなっているので、凹部の下
側も十分に溶解でき、この結果図５（ｂ）に示すように
凹部の垂直姓が向上する。
【００２８】またこの実施の形態では、陽極３５および
陰極３６のメッシュの密度を平面方向で変えてるように
してもよく、この場合には現像の程度をウエハＷの面内
において変化させることができる。
陰極３６のメッシュの密度を平面方向で変えてるように
してもよく、この場合には現像の程度をウエハＷの面内
において変化させることができる。
【００２９】続いて本発明の他の実施の形態について説
明する。この実施の形態は、現像が進行しない温度の現
像液を基板表面の被処理領域全体に供給した後、基板表
面に供給された現像液の温度を現像が進行する温度に調
整することにより現像を行うことを特徴とするものであ
る。
明する。この実施の形態は、現像が進行しない温度の現
像液を基板表面の被処理領域全体に供給した後、基板表
面に供給された現像液の温度を現像が進行する温度に調
整することにより現像を行うことを特徴とするものであ
る。
【００３０】図６はこの実施の形態を実施する液膜形成
装置の一例の断面図である。図６中６は基板例えばウエ
ハＷを表面を上に向けた状態で水平に保持する載置台で
あり、この載置台６は筒状の保持部材６１にて下方側か
ら支持されている。これら載置台６及び保持部材６１は
上側が開放されたケ−ス６２内に配置されており、これ
らの側方部がケ−ス６２により囲まれるようになってい
る。
装置の一例の断面図である。図６中６は基板例えばウエ
ハＷを表面を上に向けた状態で水平に保持する載置台で
あり、この載置台６は筒状の保持部材６１にて下方側か
ら支持されている。これら載置台６及び保持部材６１は
上側が開放されたケ−ス６２内に配置されており、これ
らの側方部がケ−ス６２により囲まれるようになってい
る。
【００３１】前記載置台６の内部には温調液を通流させ
るための流路６３が形成されており、当該流路６３には
温調液を供給するための温調液供給管６４ａと温調液を
排出するための温調液排出管６４ｂとが接続されてい
る。また載置台６の上面からは例えば３本の昇降ピン６
５が突出するようになっており、これら昇降ピン６５は
保持部材６１内部に設けられた昇降部６６により共通の
水平な台枠６７を介して昇降するように構成されてい
る。さらに前記ケ−ス６２の底部には排液路６８が接続
されている。
るための流路６３が形成されており、当該流路６３には
温調液を供給するための温調液供給管６４ａと温調液を
排出するための温調液排出管６４ｂとが接続されてい
る。また載置台６の上面からは例えば３本の昇降ピン６
５が突出するようになっており、これら昇降ピン６５は
保持部材６１内部に設けられた昇降部６６により共通の
水平な台枠６７を介して昇降するように構成されてい
る。さらに前記ケ−ス６２の底部には排液路６８が接続
されている。
【００３２】載置台６上に載置されたウエハＷの上方側
には、ウエハＷ表面に現像液を供給するための供給ノズ
ル５が設けられている。この供給ノズル５は、支持ア−
ム５３に取り付けられた回転機構５４により鉛直な回転
軸５５を介して回転可能に構成されていると共に、現像
液供給管が支持ア−ム５３の内部に収納されている。こ
の他は上述の図１に示す液膜形成装置に設けられた供給
ノズル５と同様に構成されており、前記支持ア−ム５３
によりウエハＷ表面の中央部に現像液を供給する供給位
置（図６に示す位置）と、ウエハＷの外側の待機位置と
の間で移動されるようになっている。
には、ウエハＷ表面に現像液を供給するための供給ノズ
ル５が設けられている。この供給ノズル５は、支持ア−
ム５３に取り付けられた回転機構５４により鉛直な回転
軸５５を介して回転可能に構成されていると共に、現像
液供給管が支持ア−ム５３の内部に収納されている。こ
の他は上述の図１に示す液膜形成装置に設けられた供給
ノズル５と同様に構成されており、前記支持ア−ム５３
によりウエハＷ表面の中央部に現像液を供給する供給位
置（図６に示す位置）と、ウエハＷの外側の待機位置と
の間で移動されるようになっている。
【００３３】このような装置では、先ず昇降ピン６５を
載置台６の上面から突出させ、図７（ａ）に示す位置で
露光工程が行われたウエハＷを図示しない搬送ア−ムに
より当該昇降ピン６５に受け渡す。そしてウエハＷをこ
の位置に位置させておいて、供給ノズル５を待機位置か
ら供給位置に移動させ、供給ノズル５からウエハＷ表面
に現像液Ｂ例えば１．５９ｖｏｌ％のＴＭＡＨ水溶液を
供給する。これらの処理は室温例えば２３℃の下で行な
われ、現像液Ｂを供給するときのウエハＷ表面の温度は
前記現像液Ｂの現像が進行しない程度の温度例えば３０
℃程度になっている。
載置台６の上面から突出させ、図７（ａ）に示す位置で
露光工程が行われたウエハＷを図示しない搬送ア−ムに
より当該昇降ピン６５に受け渡す。そしてウエハＷをこ
の位置に位置させておいて、供給ノズル５を待機位置か
ら供給位置に移動させ、供給ノズル５からウエハＷ表面
に現像液Ｂ例えば１．５９ｖｏｌ％のＴＭＡＨ水溶液を
供給する。これらの処理は室温例えば２３℃の下で行な
われ、現像液Ｂを供給するときのウエハＷ表面の温度は
前記現像液Ｂの現像が進行しない程度の温度例えば３０
℃程度になっている。
【００３４】この際先ず現像液ＢをウエハＷ表面の中央
部に供給し、続いて供給ノズル５を半回転（１８０度回
転）させながら現像液Ｂの供給が行なう。このようにす
ると供給ノズル５にはウエハＷの直径に対応する長さに
亘って多数の吐出孔５１が配列されているので、ウエハ
Ｗ表面の被処理領域全体に現像液Ｂが供給される。
部に供給し、続いて供給ノズル５を半回転（１８０度回
転）させながら現像液Ｂの供給が行なう。このようにす
ると供給ノズル５にはウエハＷの直径に対応する長さに
亘って多数の吐出孔５１が配列されているので、ウエハ
Ｗ表面の被処理領域全体に現像液Ｂが供給される。
【００３５】一方載置台６には温調液例えば冷却水を通
流させておき、予め載置台６の上面が前記現像液Ｂの現
像が促進される程度の温度例えば１５℃になるように制
御しておく。そして図７（ｂ）に示すように、昇降ピン
６５を下降させて前記現像液Ｂが供給されたウエハＷを
載置台６上に受け渡す。このようにするとウエハＷより
も載置台６の上面の方が温度が低いので、当該載置台６
の上面が冷却プレ−トとして作用し、ウエハＷの熱が載
置台６に急熱されていく。こうしてウエハＷ表面の温度
が１５℃程度まで冷却され、さらにウエハＷ表面の現像
液Ｂの温度も１５℃程度まで冷却される。
流させておき、予め載置台６の上面が前記現像液Ｂの現
像が促進される程度の温度例えば１５℃になるように制
御しておく。そして図７（ｂ）に示すように、昇降ピン
６５を下降させて前記現像液Ｂが供給されたウエハＷを
載置台６上に受け渡す。このようにするとウエハＷより
も載置台６の上面の方が温度が低いので、当該載置台６
の上面が冷却プレ−トとして作用し、ウエハＷの熱が載
置台６に急熱されていく。こうしてウエハＷ表面の温度
が１５℃程度まで冷却され、さらにウエハＷ表面の現像
液Ｂの温度も１５℃程度まで冷却される。
【００３６】ここで前記ＴＭＡＨ水溶液は１５℃にする
と現像作用が促進されることが知られている。従って一
般に用いられている２．３８ｖｏｌ％よりも濃度が低い
１．５９ｖｏｌ％程度の濃度のＴＭＡＨ水溶液を用いれ
ば、室温では現像が進行しないが、１５℃程度の温度で
は現像を進行させることができる。つまり載置台６にて
ウエハＷを介して現像液Ｂを冷却すると、現像液Ｂが１
５℃近傍の温度になった時点で現像が開始される。
と現像作用が促進されることが知られている。従って一
般に用いられている２．３８ｖｏｌ％よりも濃度が低い
１．５９ｖｏｌ％程度の濃度のＴＭＡＨ水溶液を用いれ
ば、室温では現像が進行しないが、１５℃程度の温度で
は現像を進行させることができる。つまり載置台６にて
ウエハＷを介して現像液Ｂを冷却すると、現像液Ｂが１
５℃近傍の温度になった時点で現像が開始される。
【００３７】こうして現像液Ｂの温度を１５℃程度の温
度に制御しながら所定時間現像処理を行なった後、昇降
ピン６５によりウエハＷを載置台６から浮上させて現像
処理を終了させる。この後、例えばウエハＷを搬送ア−
ムにより、図示しない乾燥ユニットまで搬送し、当該ユ
ニットにおいて例えばウエハＷを高速で回転させてウエ
ハＷを乾燥させる。なお現像処理やウエハＷの受け渡し
の際に、ケ−ス６２内に漏れ出た現像液は排液路６８を
介して回収される。
度に制御しながら所定時間現像処理を行なった後、昇降
ピン６５によりウエハＷを載置台６から浮上させて現像
処理を終了させる。この後、例えばウエハＷを搬送ア−
ムにより、図示しない乾燥ユニットまで搬送し、当該ユ
ニットにおいて例えばウエハＷを高速で回転させてウエ
ハＷを乾燥させる。なお現像処理やウエハＷの受け渡し
の際に、ケ−ス６２内に漏れ出た現像液は排液路６８を
介して回収される。
【００３８】この実施の形態においても、現像液Ｂを供
給した段階では現像が進行せず、この後現像液Ｂを現像
が促進される温度まで冷却すると現像が開始される。こ
の際現像液ＢはウエハＷを介して冷却されるので、現像
液Ｂの温度はウエハＷの面内においてほぼ均一に下がっ
ていき、このためウエハＷの面内において均一に現像が
進行する。従って現像液ＢをウエハＷ表面に供給すると
きに、ウエハＷの面内において時間的なズレが生じたと
しても、均一に現像処理を行うことができる。またこの
例においても通常の現像液よりも濃度が薄い現像液Ｂが
供給されるので、現像液Ｂの消費量が節約できる。
給した段階では現像が進行せず、この後現像液Ｂを現像
が促進される温度まで冷却すると現像が開始される。こ
の際現像液ＢはウエハＷを介して冷却されるので、現像
液Ｂの温度はウエハＷの面内においてほぼ均一に下がっ
ていき、このためウエハＷの面内において均一に現像が
進行する。従って現像液ＢをウエハＷ表面に供給すると
きに、ウエハＷの面内において時間的なズレが生じたと
しても、均一に現像処理を行うことができる。またこの
例においても通常の現像液よりも濃度が薄い現像液Ｂが
供給されるので、現像液Ｂの消費量が節約できる。
【００３９】続いて本発明のさらに他の実施の形態につ
いて説明する。この実施の形態は、現像が進行しない程
度の低い濃度の現像液を基板表面の被処理領域全体に供
給した後、基板表面に供給された現像液に含まれる水分
を蒸発させることにより、当該現像液の濃度を高めて現
像を行うことを特徴とするものである。
いて説明する。この実施の形態は、現像が進行しない程
度の低い濃度の現像液を基板表面の被処理領域全体に供
給した後、基板表面に供給された現像液に含まれる水分
を蒸発させることにより、当該現像液の濃度を高めて現
像を行うことを特徴とするものである。
【００４０】図８はこの実施の形態を実施する液膜形成
装置の一例の断面図であり、図８中７１は基板例えばウ
エハＷを表面を上に向けた状態で水平に保持するための
例えばバキュ−ムチャックよりなるウエハ保持部７１で
ある。このウエハ保持部７１は例えば駆動部７２により
回転軸７３を介して昇降可能及び鉛直な軸のまわりに回
転可能に構成されている。
装置の一例の断面図であり、図８中７１は基板例えばウ
エハＷを表面を上に向けた状態で水平に保持するための
例えばバキュ−ムチャックよりなるウエハ保持部７１で
ある。このウエハ保持部７１は例えば駆動部７２により
回転軸７３を介して昇降可能及び鉛直な軸のまわりに回
転可能に構成されている。
【００４１】図中７４は、ウエハ保持部７１の側方側及
び下方側を囲むように設けられ、上方側にウエハＷが通
過する大きさの開口部７４ａが形成された固定カップで
ある。前記開口部７４ａは、蓋体７５によりシ−ル部材
７６を介して密接して閉じられるように構成されてお
り、開口部７４ａを蓋体７５で閉じたときには固定カッ
プ７４の内部に密閉された処理空間Ｓが形成されるよう
になっている。また固定カップ７４の底面は排気管７７
を介して排気手段７８に接続されている。
び下方側を囲むように設けられ、上方側にウエハＷが通
過する大きさの開口部７４ａが形成された固定カップで
ある。前記開口部７４ａは、蓋体７５によりシ−ル部材
７６を介して密接して閉じられるように構成されてお
り、開口部７４ａを蓋体７５で閉じたときには固定カッ
プ７４の内部に密閉された処理空間Ｓが形成されるよう
になっている。また固定カップ７４の底面は排気管７７
を介して排気手段７８に接続されている。
【００４２】前記蓋体７５は図示しない移動機構によ
り、開口部７４ａを閉じる位置と固定カップ７４の外側
の待機位置との間で移動されるように、昇降可能及び水
平方向に移動可能に構成されている。また図中５はウエ
ハＷに現像液を供給するための供給ノズルであり、上述
の図１に示す液膜形成装置に設けられた供給ノズル５と
同様に構成されている。
り、開口部７４ａを閉じる位置と固定カップ７４の外側
の待機位置との間で移動されるように、昇降可能及び水
平方向に移動可能に構成されている。また図中５はウエ
ハＷに現像液を供給するための供給ノズルであり、上述
の図１に示す液膜形成装置に設けられた供給ノズル５と
同様に構成されている。
【００４３】このような装置では先ず蓋体７５を開けた
状態で、ウエハ保持部７１を固定カップ７４の上方側ま
で上昇させ、露光工程が行われたウエハＷを図示しない
搬送ア−ムにより当該ウエハ保持部７１に受け渡し、こ
の保持部７１を図８に示す位置まで下降させる。そして
供給ノズル５を待機位置から供給位置（図８に示す位
置）に移動させ、ウエハＷ表面の中央部に現像液Ｃ例え
ば１．５９ｖｏｌ％のＴＭＡＨ水溶液を供給する。この
際先ず現像液ＣをウエハＷ表面の中央部に供給し、続い
てウエハＷを半回転させながら現像液Ｃの供給を行な
い、こうしてウエハＷ表面の被処理領域全体に現像液Ｃ
を供給する。
状態で、ウエハ保持部７１を固定カップ７４の上方側ま
で上昇させ、露光工程が行われたウエハＷを図示しない
搬送ア−ムにより当該ウエハ保持部７１に受け渡し、こ
の保持部７１を図８に示す位置まで下降させる。そして
供給ノズル５を待機位置から供給位置（図８に示す位
置）に移動させ、ウエハＷ表面の中央部に現像液Ｃ例え
ば１．５９ｖｏｌ％のＴＭＡＨ水溶液を供給する。この
際先ず現像液ＣをウエハＷ表面の中央部に供給し、続い
てウエハＷを半回転させながら現像液Ｃの供給を行な
い、こうしてウエハＷ表面の被処理領域全体に現像液Ｃ
を供給する。
【００４４】続いて蓋体７５を閉じて処理空間Ｓを密閉
した後、当該処理空間Ｓを排気手段７８により排気管７
７を介して排気する。このようにすると処理空間Ｓ内の
圧力が徐々に低くなっていくので、これに伴って現像液
Ｃの沸点が低くなる。このため現像液Ｃに含まれる水分
が徐々に蒸発していき、現像液Ｃの濃度が徐々に高くな
っていく。
した後、当該処理空間Ｓを排気手段７８により排気管７
７を介して排気する。このようにすると処理空間Ｓ内の
圧力が徐々に低くなっていくので、これに伴って現像液
Ｃの沸点が低くなる。このため現像液Ｃに含まれる水分
が徐々に蒸発していき、現像液Ｃの濃度が徐々に高くな
っていく。
【００４５】従って処理空間Ｓ内の排気を所定時間続け
ると、現像液ＣであるＴＭＡＨ水溶液の濃度は２．３８
ｖｏｌ％程度になり、現像が開始される。こうして現像
が開始された段階で排気を停止し、この状態で所定時間
現像処理を行なう。次いで例えば蓋体７５を開き、処理
空間Ｓ内を常圧に戻してから、ウエハＷを高速で回転さ
せてウエハＷを乾燥させる。
ると、現像液ＣであるＴＭＡＨ水溶液の濃度は２．３８
ｖｏｌ％程度になり、現像が開始される。こうして現像
が開始された段階で排気を停止し、この状態で所定時間
現像処理を行なう。次いで例えば蓋体７５を開き、処理
空間Ｓ内を常圧に戻してから、ウエハＷを高速で回転さ
せてウエハＷを乾燥させる。
【００４６】この実施の形態においても、現像液Ｃを供
給した段階では現像が進行せず、この後現像液Ｃの濃度
を高めると現像が開始される。この際現像液Ｃの濃度は
ウエハＷの面内においてほぼ均一に高められるので、ウ
エハＷの面内において均一に現像が進行する。従って現
像液ＣをウエハＷ表面に供給するときに、ウエハＷの面
内において時間的なズレが生じたとしても、均一に現像
処理を行うことができる。またこの例でもウエハＷ上に
供給される現像液Ｃは濃度が低いので、現像液Ｃの消費
量が節約できる。
給した段階では現像が進行せず、この後現像液Ｃの濃度
を高めると現像が開始される。この際現像液Ｃの濃度は
ウエハＷの面内においてほぼ均一に高められるので、ウ
エハＷの面内において均一に現像が進行する。従って現
像液ＣをウエハＷ表面に供給するときに、ウエハＷの面
内において時間的なズレが生じたとしても、均一に現像
処理を行うことができる。またこの例でもウエハＷ上に
供給される現像液Ｃは濃度が低いので、現像液Ｃの消費
量が節約できる。
【００４７】またこの実施の形態は例えば図９に示すよ
うな装置により実施するようにしてもよい。この装置に
ついて簡単に説明すると、図中８１はウエハＷを表面を
上に向けた状態で水平に保持すると共に、鉛直な軸のま
わりに回転可能に構成されたウエハ保持部であり、図中
８２はウエハＷ表面の被処理領域の外側に位置するよう
に設けられたケ−スであって、当該ケ−ス８２の底面は
ウエハＷ表面の周縁部に接触するかしない程度に近接さ
れている。
うな装置により実施するようにしてもよい。この装置に
ついて簡単に説明すると、図中８１はウエハＷを表面を
上に向けた状態で水平に保持すると共に、鉛直な軸のま
わりに回転可能に構成されたウエハ保持部であり、図中
８２はウエハＷ表面の被処理領域の外側に位置するよう
に設けられたケ−スであって、当該ケ−ス８２の底面は
ウエハＷ表面の周縁部に接触するかしない程度に近接さ
れている。
【００４８】このケ−ス８２の内部には円形の平面状の
浸透膜８３がウエハＷと対向するように配置されてい
る。この浸透膜８３は内径がケ−ス８２の内径より僅か
に小さくなるように形成されており、側面の例えば２か
所において支持部材８４を介してケ−ス８２の内壁面に
取り付けられている。またケ−ス８２の上方側には開口
部８２ａが形成されており、この開口部８２ａは蓋体８
５によりシ−ル部材８６を介して密接して閉じられるよ
うに構成されていて、蓋体８５を閉じたときにはケ−ス
８２の内部が密閉されるようになっている。さらに蓋体
８５には排気管８７を介して排気手段８８が接続されて
いる。
浸透膜８３がウエハＷと対向するように配置されてい
る。この浸透膜８３は内径がケ−ス８２の内径より僅か
に小さくなるように形成されており、側面の例えば２か
所において支持部材８４を介してケ−ス８２の内壁面に
取り付けられている。またケ−ス８２の上方側には開口
部８２ａが形成されており、この開口部８２ａは蓋体８
５によりシ−ル部材８６を介して密接して閉じられるよ
うに構成されていて、蓋体８５を閉じたときにはケ−ス
８２の内部が密閉されるようになっている。さらに蓋体
８５には排気管８７を介して排気手段８８が接続されて
いる。
【００４９】このような装置では、ウエハ保持部８１に
露光工程が行われたウエハＷを保持させた後、当該ウエ
ハＷの表面にケ−ス８２を近接させる。そしてウエハＷ
を半回転させながら、当該ケ−ス８２の上方側から図示
しない供給ノズルによりウエハＷ表面の中央部に現像液
Ｃ例えば１．５９ｖｏｌ％のＴＭＡＨ水溶液を供給す
る。続いて蓋体８５を閉じた後、当該ケ−ス８２内を排
気して現像液Ｃに含まれる水分を蒸発させて現像を行
う。この例においても現像液Ｃを供給した段階では現像
が進行せず、この後現像液Ｃの濃度を高めると現像が開
始されるので、上述の実施の形態と同様の効果が得られ
る。
露光工程が行われたウエハＷを保持させた後、当該ウエ
ハＷの表面にケ−ス８２を近接させる。そしてウエハＷ
を半回転させながら、当該ケ−ス８２の上方側から図示
しない供給ノズルによりウエハＷ表面の中央部に現像液
Ｃ例えば１．５９ｖｏｌ％のＴＭＡＨ水溶液を供給す
る。続いて蓋体８５を閉じた後、当該ケ−ス８２内を排
気して現像液Ｃに含まれる水分を蒸発させて現像を行
う。この例においても現像液Ｃを供給した段階では現像
が進行せず、この後現像液Ｃの濃度を高めると現像が開
始されるので、上述の実施の形態と同様の効果が得られ
る。
【００５０】以上において本発明では、現像液の現像機
能を高めて現像を行う工程を、現像液の電気分解と、現
像液の蒸発とにより行うようにしてもよく、この場合に
は現像機能を高めるための時間を短縮することができる
上、現像液の濃度調整をより簡単に行うことができると
いう利点がある。また前記現像を行う工程を、現像液の
電気分解と、現像液の蒸発と、現像液の温度調整とを組
み合わせて行うようにしてもよく、この場合には現像機
能を高めるための時間をより短縮することができる上、
現像液の濃度を基板の面内においてより均一にすること
ができるという利点がある。
能を高めて現像を行う工程を、現像液の電気分解と、現
像液の蒸発とにより行うようにしてもよく、この場合に
は現像機能を高めるための時間を短縮することができる
上、現像液の濃度調整をより簡単に行うことができると
いう利点がある。また前記現像を行う工程を、現像液の
電気分解と、現像液の蒸発と、現像液の温度調整とを組
み合わせて行うようにしてもよく、この場合には現像機
能を高めるための時間をより短縮することができる上、
現像液の濃度を基板の面内においてより均一にすること
ができるという利点がある。
【００５１】
【発明の効果】本発明によれば、基板表面に供給された
現像液を現像するに当たり、基板の面内において均一な
現像処理を行うことができる。
現像液を現像するに当たり、基板の面内において均一な
現像処理を行うことができる。
【図１】本発明方法の一実施の形態を実施するための現
像処理装置の一例を示す断面図である。
像処理装置の一例を示す断面図である。
【図２】前記現像処理装置に設けられた電気分解ユニッ
トの一例を示す斜視図である。
トの一例を示す斜視図である。
【図３】前記実施の形態の方法を説明するための断面図
である。
である。
【図４】前記実施の形態の変形例を説明するための特性
図である。
図である。
【図５】前記実施の形態の変形例の効果を説明するため
の断面図である。
の断面図である。
【図６】本発明方法の他の実施の形態を実施するための
現像処理装置の一例を示す断面図である。
現像処理装置の一例を示す断面図である。
【図７】前記実施の形態の方法を説明するための断面図
である。
である。
【図８】本発明方法のさらに他の実施の形態を実施する
ための現像処理装置の一例を示す断面図である。
ための現像処理装置の一例を示す断面図である。
【図９】この実施の形態を実施するための現像処理装置
の他の例を示す断面図である。
の他の例を示す断面図である。
【図１０】従来の現像液の液盛り方法を説明するための
側面図である。
側面図である。
【図１１】従来の現像処理装置の要部を説明するための
平面図である。
平面図である。
２，７１，８１ ウエハ保持部 ３ 電気分解ユニット ３２ イオン交換膜 ３５ 陽極 ３６ 陰極 ５ 供給ノズル ６ ウエハ載置台 ７４ 固定カップ ７５，８５ 蓋体 ７７，８７ 排気管 ７８，８８ 排気手段 ８２ ケ−ス Ｗ 半導体ウエハ Ａ，Ｂ，Ｃ 現像液
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−55776（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−202630（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−197675（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−136646（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/30
Claims (13)
- 【請求項１】 現像液を現像機能が低い状態で基板表面
の被処理領域全体に供給する工程と、 前記基板表面に供給された現像液の現像機能を高めて前
記被処理領域全体に対して現像を行う工程と、 を含むことを特徴とする現像処理方法。 - 【請求項２】 アルカリ水溶液からなる現像液を現像が
全く進行しないかまたはほとんど進行しない低い濃度で
基板表面の被処理領域全体に供給する工程と、 前記基板表面に供給された現像液の濃度を高めて前記被
処理領域全体に対して現像を行う工程と、 を含むことを特徴とする現像処理方法。 - 【請求項３】 現像液の濃度を高める工程は、現像液の
電気分解により行うことを特徴とする請求項２記載の現
像処理方法。 - 【請求項４】 電流量を連続的または段階的に大きくし
て現像液の電気分解を行うことを特徴とする請求項３記
載の現像処理方法。 - 【請求項５】 現像液の濃度を高める工程は、現像液に
含まれる水を蒸発させることにより行うことを特徴とす
る請求項２記載の現像処理方法。 - 【請求項６】 現像液に含まれる水を蒸発させる工程
は、基板が置かれる雰囲気を減圧することによって行う
ことを特徴とする請求項５記載の現像処理方法。 - 【請求項７】 アルカリ水溶液からなる現像液を現像が
進行しない温度で基板表面の被処理領域全体に供給する
工程と、 前記基板表面に供給された現像液の温度を、現像を促進
させる温度に調整して前記被処理領域全体に対して現像
を行う工程と、 を含むことを特徴とする現像処理方法。 - 【請求項８】 前記被処理領域全体に対して現像を行う
工程は、前記基板表面に供給された現像液を冷却するこ
とにより行うことを特徴とする請求項７記載の現像処理
方法。 - 【請求項９】 現像が全く進行しないかまたはほとんど
進行しない低い濃度に調整された現像液を基板表面の被
処理領域に供給する機構と、基板表面の被処理領域に供
給された現像液に対して現像液の濃度を高めるために電
気分解処理を施す機構と、を具備したことを特徴とする
現像処理装置。 - 【請求項１０】 現像が全く進行しないかまたはほとん
ど進行しない低い濃度に調整された現像液を基板表面の
被処理領域に供給する機構と、基板表面の被処理領域に
供給された現像液に含まれる水を蒸発させて現像液の濃
度を高めるために基板が置かれる処理空間を減圧状態に
する機構と、を具備したことを特徴とする現像処理装
置。 - 【請求項１１】 現像が全く進行しないかまたはほとん
ど進行しない温度に調整された現像液を、載置台上に載
置された基板の表面の被処理領域に供給する機構と、基
板表面の被処理領域に供給された現像液の温度が現像を
促進させる温度になるように載置台の温度を所定の温度
まで低下せしめる機構と、を具備したことを特徴とする
現像処理装置。 - 【請求項１２】 前記基板を囲むようにケースが設けら
れ、このケース内に現像液が供給されることを特徴とす
る請求項９ないし１１のいずれかに記載の現像処理装
置。 - 【請求項１３】 前記現像液は、アルカリ水溶液からな
る現像液であることを特徴とする請求項９ないし１２の
いずれかに記載の現像処理装置。
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|---|---|---|---|
| JP03814798A JP3356676B2 (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | 現像処理方法及びその装置 |
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Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP03814798A JP3356676B2 (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | 現像処理方法及びその装置 |
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|---|---|
| JPH11224849A JPH11224849A (ja) | 1999-08-17 |
| JP3356676B2 true JP3356676B2 (ja) | 2002-12-16 |
Family
ID=12517317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03814798A Expired - Fee Related JP3356676B2 (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | 現像処理方法及びその装置 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3356676B2 (ja) |
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| JPS63175429A (ja) * | 1987-01-14 | 1988-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト硬化処理方法 |
| JPH0251160A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-21 | Seiko Epson Corp | 現像装置 |
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| US5626913A (en) * | 1994-03-09 | 1997-05-06 | Tokyo Electron Limited | Resist processing method and apparatus |
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| JPH09106934A (ja) * | 1995-10-12 | 1997-04-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板現像装置 |
-
1998
- 1998-02-04 JP JP03814798A patent/JP3356676B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-02-03 US US09/243,136 patent/US6257778B1/en not_active Expired - Fee Related
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| JPH11224849A (ja) | 1999-08-17 |
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