JP2000164505A

JP2000164505A - 液処理装置

Info

Publication number: JP2000164505A
Application number: JP10349387A
Authority: JP
Inventors: Yoshio Kimura; 義雄木村
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1998-11-24
Filing date: 1998-11-24
Publication date: 2000-06-16

Abstract

(57)【要約】【課題】処理液の膜厚を均一に形成することができ，
かつ液処理を安価に行うことができる。【解決手段】カップ５５内に収容されたウェハＷを密
閉可能な密閉容器５４と，温度調整機構６９で温度調整
される溶剤Ｓを充填したバブリング槽６２とを備える。
密閉容器５４とバブリング槽６２とを排気管６４，エア
供給管７３を介して接続する。排気管６４中の回転羽根
６５を排気管６４の外部から加えられる動力で回転させ
て，密閉容器５４内のエアを循環させ再利用する。エア
供給管７３にミストを除去するフィルタ部７４を介装し
て，バブリング槽６２から密閉容器５４に供給されるエ
ア中のミストを除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，基板に処理液を供
給して処理する液処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体製造プロセスにおけるフォ
トレジスト処理工程では，半導体ウェハ（以下，「ウェ
ハ」という。）等の基板表面にレジスト液を塗布して形
成したレジスト膜に所定のパターンを露光した後，現像
液を供給して現像処理している。かかる一連の処理はウ
ェハを加熱処理する加熱処理装置やウェハにレジスト液
を塗布して処理するレジスト塗布装置等の各種処理装置
を備えた塗布現像処理装置によって行われている。

【０００３】塗布現像処理装置は清浄度の高いクリーン
ルーム内に設置されており，ウェハに対する各種処理工
程を清浄雰囲気下で行うことができるようになってい
る。さらに各処理装置には塗布現像処理装置の上部に備
えられたＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）等の空
気清浄手段からダウンフローによって清浄なエアが吐出
されるようになっている。特にレジスト塗布装置等の温
度変化に敏感な処理装置の場合には，ダウンフローで吐
出するエアの温度を調整して，ウェハを収容するカップ
内の温度を調整している。また，レジスト処理時に発生
するパーティクル等をエアと共にカップの下部から排気
するようにしている。

【０００４】ところで，ウェハ上に均一なレジスト膜を
形成するためには，ウェハ上にレジスト液を均一に塗布
しなければならない。このため従来では，回転するウェ
ハ上でレジスト液を拡散させることにより，ウェハの周
辺部までレジスト液を行き渡らせるようにしていた。ま
たレジスト液は粘性を有するために，レジスト液の溶剤
（以下，「溶剤」という。）により塗布するレジスト液
の粘度を予め調整して，かかるレジスト液をウェハの周
辺部まで行き渡らせるようにしていた。しかしながら，
ウェハが回転することにより，ウェハの表面と，このウ
ェハの周囲にあるエアとの間には相対的な速度差が生
じ，塗布されたレジスト液中の溶剤の蒸発する速度が変
化してしまうことがあった。一般的に，ウェハの周囲に
あるエアに対する速度差はウェハの中心部よりもウェハ
周辺部の方が大きくなるために，ウェハ周辺部では溶剤
が乾燥しやすくなり，レジスト液がウェハの周辺部では
広がりにくい場合があった。その結果，ウェハ上に均一
なレジスト膜を形成することができなくなる場合が生じ
た。

【０００５】そこで従来では，ウェハを処理する処理空
間を密閉し，かつ処理空間を溶剤雰囲気で満たした密閉
型のレジスト塗布装置を使用する場合があった。このレ
ジスト塗布装置によれば，ウェハに対してレジスト塗布
処理を施す際に，レジスト液中に含有された溶剤の蒸発
を抑制することができるため，この溶剤の蒸発する速度
を全体的に抑え，ウェハ周辺部までレジスト液を均一に
行き渡らせることができる。その結果，ウェハ上に均一
なレジスト膜を形成することが可能になる。また，少量
のレジスト液でウェハの周辺部までレジスト液を有効に
拡散させることができるために，使用するレジスト液の
低減化も実現されていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上記密
閉型のレジスト塗布装置にあっては，レジストスピン塗
布処理時に発生するミスト（以下，「ミスト」とい
う。）が処理空間内に浮遊して，そのままウェハに再付
着してしまう場合があった。そして，このようなミスト
の再付着により，レジスト膜の膜厚均一性が乱される等
のレジスト塗布処理の不良が起こる場合があった。

【０００７】また，ミストを含有するレジスト塗布処理
後の雰囲気は処理空間から排気されるようになっている
が，この雰囲気には有機成分が多く含まれているため
に，工場内に備えられた専用の排気処理設備にて処理し
なければならなかった。さらに，密閉容器内の溶剤雰囲
気もミストと共に排気されるので，密閉容器内を溶剤雰
囲気で満たすためには新規な溶剤の供給が必要であり，
溶剤の使用量が必然的に多くなっていた。その結果，従
来の密閉型のレジスト塗布装置にあっては，排気処理設
備を稼働させるランニングコストやミストを含有する雰
囲気の処理費用等も必要となり，レジスト塗布処理を安
価に行うことができなかった。

【０００８】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり，処理液の膜厚を均一に形成することができ，かつ
従来よりも安価な液処理が可能な液処理装置を提供する
ことを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に，請求項１によれば，基板の表面に処理液を供給して
処理する液処理装置であって，基板を密閉可能な密閉容
器と，この密閉容器内部のエアを循環させるエア循環機
構とを備えたことを特徴とする，液処理装置が提供され
る。

【００１０】請求項１に記載の液処理装置にあっては，
密閉容器内のエアをエア循環機構に引き込んで，そのエ
アをエア循環機構から密閉容器内に再び供給する。この
ように，請求項１の液処理装置によれば，密閉容器内の
エアは外部に排出されず，密閉容器内のエアを再利用す
ることができる。従って従来のように，新規なエアを密
閉容器内部に供給することが不要となる。

【００１１】請求項２に記載の発明は，請求項１に記載
の液処理装置において，基板を収容可能であり，かつ上
面が開口した収容容器を前記密閉容器の内部に設けたこ
とを特徴としている。

【００１２】請求項２に記載の液処理装置にあっては，
基板は収容容器に収容された状態で処理され，この基板
から飛散したミストは収容容器で捕捉される。このた
め，基板から飛散したミストによって密閉容器内が汚染
される心配がない。

【００１３】請求項３に記載の発明は，請求項２に記載
の液処理装置において，前記エア循環機構は，前記収容
容器内の底部から吸気したエアを，収容容器の外部にお
いて密閉容器内に給気することを特徴としている。

【００１４】請求項３に記載の液処理装置にあっては，
収容容器の底部から給気したエアをエア循環機構によっ
て循環させて，密閉容器内に再び給気する。そして，こ
の密閉容器内に給気したエアは，収容容器の上面の開口
から収容容器内に供給される。従って，収容容器内では
ダウンフローが形成され，基板から飛散したミストをこ
のダウンフローによって効率よく除去することができ
る。

【００１５】請求項１，２または３のエア循環機構は，
請求項４のように，前記密閉容器内のエアを流通させる
循環路と，この循環路に設けられた，密閉容器内のエア
を循環させる送風手段とを備えるようにするとよい。

【００１６】請求項４に記載の液処理装置にあっては，
密閉容器内のエアは送風手段によって循環路を循環し，
再び密閉容器内に給気される。

【００１７】請求項５に記載の発明は，請求項４に記載
の液処理装置において，前記送風手段は，循環路の外か
ら加えられる動力によって循環路内にて回転する回転羽
根を有することを特徴としている。

【００１８】請求項５に記載の液処理装置にあっては，
循環路内に配置された回転羽根を循環路の外部に設けた
適当な駆動手段から加えられる動力で回転させるため
に，循環路を流通するエアに含まれたミストは回転羽根
だけに接触する。このため，循環路の外部に設けられた
駆動手段が汚染されない。

【００１９】請求項６に記載の発明は，請求項４または
５に記載の液処理装置において，前記循環路にはバブリ
ング槽が備えられ，当該バブリング槽には処理液の溶剤
が充填され，かつ前記循環路を通じて流通したエアが処
理液の溶剤中に給気されることを特徴としている。

【００２０】請求項６に記載の液処理装置にあっては，
ミストを含んだエアが循環路を通じてバブリング槽にお
いて，溶剤中に吹き込まれてバブリングが行われる。こ
のバブリングの際にエアに含有されていたミストが溶剤
中に溶解して除去される。このため，請求項６の液処理
装置によれば，ミストを除去したエアを循環路から密閉
容器内に供給できるようになる。また，バブリング後の
エアにバブリング槽から揮発した溶剤が含まれるため
に，その後このエアを循環路を通じて密閉容器内に給気
することで，密閉容器内を溶剤雰囲気にすることができ
る。

【００２１】請求項７に記載の発明は，請求項６に記載
の液処理装置において，前記バブリング槽には，基板の
処理に使用された排液が供給されることを特徴としてい
る。

【００２２】請求項７に記載の液処理装置にあっては，
排液をバブリング槽に供給することにより，排液中の溶
剤を再利用することができる。

【００２３】請求項８に記載の発明は，請求項６または
７に記載の液処理装置において，前記バブリング槽は，
温度調整手段を備えることを特徴としている。

【００２４】請求項８に記載の液処理装置にあっては，
バブリング槽に充填された溶剤を温度調整手段で温度調
整することにより，密閉容器内に再び供給するエアの温
度を調整することができ，また処理液の溶剤の蒸気圧を
考慮することによって，密閉容器内に供給するエアの溶
剤濃度を調整することも可能になる。

【００２５】請求項９に記載の発明は，請求項３，４，
５，６，７または８に記載の液処理装置において，前記
循環路にはフィルタ部が介装されていることを特徴とし
ている。

【００２６】請求項９に記載の液処理装置にあっては，
循環路を通じて密閉容器内に供給されるエア中に含まれ
るミストをフィルタ部で除去することができ，密閉容器
内にミストの混入のない清浄なエアを供給することが可
能となる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態を説明
する。本実施の形態はウェハＷに対してレジスト塗布処
理を施すレジスト塗布装置として具体化されたものであ
り，図１〜３はレジスト塗布装置を有する塗布現像処理
装置の説明図であり，図１は平面図，図２は正面図，図
３は背面図を各々示している。

【００２８】塗布現像処理装置１は図１に示すように，
例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布
現像処理装置１に対して搬入出したり，カセットＣに対
してウェハＷを搬入出したりするためのカセットステー
ション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処
理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーシ
ョン３と，この処理ステーション３に隣接して設けられ
る露光装置（図示せず）との間でウェハＷの受け渡しを
するためのインターフェイス部４とを一体に接続した構
成を有している。

【００２９】カセットステーション２では，載置部とな
るカセット載置台５上の位置決め突起６の位置に例えば
４個の各カセットＣがウェハＷの出入口を処理ステーシ
ョン３側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）一列に載
置自在である。そして，このカセット配列方向（Ｘ方
向）及びカセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列
方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウェハ搬送体７
が搬送路８に沿って移動自在であり，各カセットＣに対
して選択的にアクセスできるようになっている。

【００３０】ウェハ搬送体７はθ方向（Ｚ軸を中心とす
る回転方向）にも回転自在に構成されており，後述する
ように処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ₃の
多段ユニット部に属するアライメント装置３２及びエク
ステンション装置３３に対してもアクセスできるように
構成されている。

【００３１】処理ステーション３では，ウェハＷを保持
するピンセット１０，１１，１２を上中下３本備えた主
搬送装置１３が中心部に配置されており，主搬送装置１
３の周囲には各種処理装置が多段に配置されて処理装置
群を構成している。塗布現像処理装置１においては，５
つの処理装置群Ｇ₁，Ｇ₂，Ｇ₃，Ｇ₄，Ｇ₅が配置可能で
あり，第１及び第２の処理装置群Ｇ₁，Ｇ₂は塗布現像処
理装置１の正面側に配置されており，第３の処理装置群
Ｇ₃はカセットステーション２に隣接して配置されてお
り，第４の処理装置群Ｇ₄はインターフェイス部４に隣
接して配置されており，破線で示した第５の処理装置群
Ｇ₅は背面側に配置されている。

【００３２】第１の処理装置群Ｇ₁では図２に示すよう
に，２種類のスピンナ型処理装置，例えばウェハＷに対
してレジストを塗布して処理するレジスト塗布装置１５
と，ウェハＷに対して現像液を供給して処理する現像処
理装置１６が下から順に２段に配置されている。第２の
処理装置群Ｇ₂の場合も同様に，レジスト塗布装置１７
と，現像処理装置１８とが下から順に２段に積み重ねら
れている。

【００３３】第３の処理装置群Ｇ₃では図３に示すよう
に，ウェハＷを載置台に載せて所定の処理を施すオーブ
ン型の処理装置，例えば冷却処理を行うクーリング装置
３０，レジストとウェハＷとの定着性を高めるためのア
ドヒージョン装置３１，ウェハＷの位置合わせを行うア
ライメント装置３２，ウェハＷを待機させるエクステン
ション装置３３，露光処理前の加熱処理を行うプリベー
キング装置３４，３４及び現像処理後の加熱処理を施す
ポストベーキング装置３５，３５等が下から順に例えば
８段に重ねられている。

【００３４】第４の処理装置群Ｇ₄では，例えばクーリ
ング装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエク
ステンション・クーリング装置４１，エクステンション
装置４２，クーリング装置４３，露光処理後のウェハＷ
を加熱処理するポストエクスポージャーベーキング装置
４４，４４，ポストベーキング装置４５，４５等が下か
ら順に例えば８段に積み重ねられている。

【００３５】インタフェイス部４の中央部にはウェハ搬
送体４６が設けられている。このウェハ搬送体４６はＸ
方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移動
及びθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在
にできるように構成されており，第４の処理装置群Ｇ₄
に属するエクステンション・クーリング装置４１，エク
ステンション装置４２，周辺露光装置４７および露光装
置（図示せず）に対してアクセスできるように構成され
ている。

【００３６】塗布現像処理装置１は以上のように構成さ
れている。次に，塗布現像処理装置１に組み込まれたレ
ジスト塗布装置１５，１７について説明する。なお，レ
ジスト塗布装置１５，１７は基本的に同一の構成を有す
るために，レジスト塗布装置１５について説明する。

【００３７】レジスト塗布装置１５は図４に示すよう
に，その最上部に適宜のケーシング材からなる側板５
０，５１，天板５２，底板５３で覆われた密閉容器５４
を有しており，側板５０には開閉自在かつウェハＷの搬
入出が自在なウェハ搬入出口５０ａが設けられている。
密閉容器５４の内部にはウェハＷを収容する上面の開口
したカップ５５と，このカップ５５内でウェハＷを真空
吸着して保持するスピンチャック５６とを備えており，
スピンチャック５６はモータ５７によって回転自在とな
っている。

【００３８】カップ５５の上方には，移動手段５８に保
持されたノズルホルダ５９が備えられており，ノズルホ
ルダ５９は移動手段５８によって密閉容器５４内を移動
可能に形成されている。また，このノズルホルダ５９に
はウェハＷに対してレジスト液Ｒを吐出するレジスト液
供給ノズル６０と，溶剤Ｓを吐出する溶剤供給ノズル６
１とが夫々設けられている。レジスト液供給ノズル６０
にはレジスト液供給機構（図示せず）からレジスト液Ｒ
が，溶剤供給ノズル６１には溶剤供給機構（図示せず）
から溶剤Ｓが各々送液されるように構成されており，こ
れらのレジスト液Ｒおよび溶剤Ｓはいずれも所定温度に
設定されている。

【００３９】レジスト塗布装置１５の最下部には，内部
に溶剤Ｓを充填したバブリング槽６２が設けられてい
る。上記カップ５５の底部には，カップ５５内の雰囲気
を排気するための排気口６３が設けられており，この排
気口６３に接続された排気管６４の下端はバブリング槽
６２に充填された溶剤Ｓ中で開口している。

【００４０】排気管６４の中には回転羽根６５が内蔵さ
れている。この回転羽根６５はモータ６６及び駆動軸６
６ａにより常時または塗布処理中回転するようになって
おり，モータ６６は排気管６４の外部に設けられてお
り，空間５７ａによって排気管６４より区画されてい
る。従って，排液管６４を流通するエアに含有されたカ
ップ５５内のミストは回転羽根６５だけに付着し，モー
タ６６には付着しないようになっている。

【００４１】また図５に示すように，カップ５５の底部
には排液口６７が開口しており，この排液口６７に排液
管６８が接続している。そして，排液管６８の下端はバ
ブリング槽６２に充填された溶剤Ｓの液面上方で開口し
ている。従って，レジスト塗布処理時にカップ５５で捕
集された排液は，バブリング槽６２に充填された溶剤Ｓ
中に排液管６８を通じて流下するようになっている。バ
ブリング槽６２の周囲には，例えば所定温度に調整され
た水等が内部で循環する温度調整機構６９が備えられて
おり，バブリング槽６２に充填された溶剤Ｓを所定の温
度に調整することができるようになっている。

【００４２】なお，バブリング槽６２の側壁には配液管
７０が接続されており，この排液管７０には弁７１とポ
ンプ７２が介装されている。そして，バブリング槽６２
には充填された溶剤Ｓの液面を検出する検出器（図示せ
ず）が設けられている。従って，カップ５５で捕集され
た排液がバブリング槽６２に流下することによりバブリ
ング槽６２の溶剤Ｓが一定量を超えると，検出器（図示
せず）がこれを検出して弁７１が開放する。そして，充
填された溶剤Ｓが図６に示すようにポンプ７２の駆動で
排出されるようになっている。また，排液管７０の替わ
りに，例えばＳベント等のオーバーフロー機構（図示せ
ず）を備え，オーバーフローした排液を外部に排出し
て，バブリング槽６２に充填された溶剤Ｓの液面の高さ
を一定に保つようにしてもよい。

【００４３】バブリング槽６２は上記密閉容器５４とエ
ア供給管７３を介して接続しており，エア供給管７３と
バブリング槽６２との間にはフィルタ部７４が介装され
ている。フィルタ部７４にはエア供給路７３を通じて流
通するエア中のミストを除去するデミスタ７５とミスト
セパレータ７６とが備えられている。

【００４４】レジスト塗布装置１５は以上のように構成
されており，アドヒージョン装置３１において疎水化処
理の終了したウェハＷは，主搬送装置１３のピンセット
１１に取り出されてクーリング装置３０に搬送され，所
定の冷却処理が施される。クーリング装置３０にて所定
温度に冷却されたウェハＷは図７の実線に示すように，
ウェハ搬入出口５０ａから密閉容器５４内に搬入された
後，１点鎖線の位置で待機しているスピンチャック５６
上に受け渡されて保持される。その後，スピンチャック
５６に保持されたウェハＷは図８の実線で示す位置から
１点鎖線で示す位置まで下降して，カップ５５内に収容
される。

【００４５】次いで，溶剤供給ノズル６１から所定温度
に調整された溶剤Ｓを回転するウェハＷ上に供給して拡
散させた後，レジスト液供給ノズル６０から所定の温度
に調整されたレジスト液ＲをウェハＷに塗布してレジス
ト膜を形成する。

【００４６】ところで，従来の密閉容器を備えたレジス
ト塗布装置にあっては，レジスト塗布処理時に発生した
ミストが密閉容器５４内部で滞留してしまい，そのため
ミストがウェハＷに再付着してしまう懸念があったが，
本実施の形態にかかるレジスト塗布装置１５にあって
は，密閉容器５４内のエアを以下のようにして循環させ
るために，ミストがウェハＷに再付着することを防止す
ることができる。

【００４７】先ず図９に示すように，回転羽根６５の回
転によって，カップ５５内のエアを排気口６３から排気
管６４を通じてバブリング槽６２に充填された溶剤Ｓ中
に吹き込みバブリングする。そして，このバブリングに
よってレジスト塗布時に密閉容器５４内で発生したミス
トがバブリング槽６２の溶剤Ｓに溶解する。なお，モー
タ６６は空間５７ａで囲まれて排気管６４と区画されて
いるために，排気管６４を流通するエアに含有されたミ
ストで汚染されることがない。

【００４８】また，バブリング槽６２の溶剤Ｓでバブリ
ングされたエアに揮発した溶剤Ｓを混入させる。バブリ
ング槽６２の溶剤Ｓは温度調整機構６９で所定温度に調
整されているために，バブリング後のエアに混入する揮
発した溶剤Ｓも所定温度になっている。

【００４９】さらに図１０に示すように，バブリング終
了後のエアをフィルタ部７４に供給し，エア中に混入さ
れたレジスト液Ｒのミストをデミスタ７５，ミストセパ
レータ７６で順次除去する。

【００５０】こうして，レジスト液Ｒのミストが除去さ
れた清浄なエアをエア供給管７３を通じて密閉容器５４
内に供給して，清浄かつ好適な温度に調整された溶剤Ｓ
で密閉容器５４内の雰囲気を満たすようにする。従っ
て，密閉容器５４内はレジスト液Ｒのミストのない所定
の温度に調整された雰囲気で満たされるようになる。

【００５１】また，密閉容器５４内に供給されたエアは
再びカップ５５内に供給され，排気口６３から排気管６
４を通じてバブリング槽６２に供給されて再利用され
る。従って，カップ５５内ではダウンフローが形成さ
れ，レジスト塗布処理時にカップ５５内で発生したミス
トが効率よく除去される。

【００５２】かくして，カップ５５内で均一なレジスト
膜を形成したウェハＷは，ウェハ搬入出口５０ａから進
入したピンセット１０に保持された後，プリベーキング
装置３４，エクステンション・クーリング装置４１に順
次搬送されて，所定の処理が施される。そして，エクス
テンション・クーリング装置４１からウェハ搬送体４６
に取り出されたウェハＷは，周辺露光装置４７を経て露
光装置（図示せず）にて露光処理が施される。

【００５３】本実施の形態にかかるレジスト塗布装置１
５では，密閉容器５４内の雰囲気を循環させて再利用す
ることができる。従って従来のように，温度調整された
新規なエアを密閉容器５４内部に供給することが不要と
なる。その結果，エアを供給する際のランニングコスト
の低減化を図ることが可能となる。また，密閉容器５４
に対して新規なエアを給気する適宜の給気手段が不要と
なるために，レジスト塗布装置１５の複雑化や肥大化を
防止することが可能となる。

【００５４】レジスト塗布処理時に密閉容器５４内で発
生したミストはバブリング槽６２に供給され，このバブ
リング槽６２に充填された溶剤Ｓによって溶解される。
従って，密閉容器５４内のミストの濃度が低下し，ミス
トがウェハＷに再付着することを防止することができ
る。その結果，レジスト膜の膜厚均一性が向上する。ま
た従来のように，ミストを多く含む有機系の雰囲気を処
理する必要が無くなる。従って，かかるミストを処理す
る専用の処理設備等を利用することが不要となり，さら
なるランニングコストの低減化を図ることが可能とな
る。

【００５５】密閉容器５４内はバブリング槽６２に充填
された溶剤Ｓの雰囲気で満たされるために，ウェハＷに
塗布されたレジスト液Ｒ中に含まれる溶剤Ｓが蒸発しに
くくなる。従って，塗布されたレジスト液ＲがウェハＷ
の周辺部まで均一に行き渡るようになり，レジスト膜の
膜厚均一性がさらに向上する。

【００５６】排気管６４中の回転羽根６５を排気管６４
外部に設置されたモータ６６で回転させることにより，
排気管６４を流通するエア中のミストは回転羽根６５及
び駆動軸６６ａだけに接触し，モータ６６には接触しな
い。従って，ミストが付着して汚染する面積を最小限に
抑えることができ，エアの循環を長期間支障なく行うこ
とが可能になる。なお本実施の形態にあっては，排気管
６４を非磁性体で形成することにより，外部からの磁力
によって回転する羽根形状の回転子を回転羽根６５の代
わりに使用することも可能である。

【００５７】カップ５５で捕集した排液を排液管６８を
通じてバブリング槽６３の溶剤Ｓに流下することによ
り，排液中の溶剤Ｓを揮発させて再利用することができ
る。このような溶剤Ｓの再利用によって，レジスト塗布
処理に必要となる溶剤Ｓの量が従来よりも減少する。そ
の結果，ランニングコストのさらなる低減化を図ること
が可能となる。

【００５８】温度調整機構６９により，密閉容器５４に
供給される溶剤Ｓの温度を調整することができる。ま
た，溶剤Ｓの蒸気圧を考慮して揮発させる溶剤Ｓの量を
調整することもできるため，密閉容器５４に供給される
エア中に含まれる溶剤Ｓの濃度を制御することも可能で
ある。従って，密閉容器５４内における溶剤Ｓの温度及
び濃度を制御することができ，レジスト塗布処理を好適
な温度雰囲気，濃度雰囲気下で行うことが可能となる。
その結果，形成されるレジスト膜の膜厚均一性がさらに
向上する。

【００５９】なお，前期実施の形態ではレジスト塗布装
置１５においてウェハＷ上にレジスト膜を形成する場合
を説明したが，このレジスト塗布装置１５と同一の構成
及び機能を有するレジスト塗布装置１７においても，ウ
ェハＷに対する同様のレジスト塗布が可能である。

【００６０】バブリング槽６２には当初から溶剤Ｓが充
填された例を挙げて説明したが，本発明ではこのような
例には限定されず，当初から溶剤Ｓと排液との混合溶液
を充填するようにしてもよい。

【００６１】また本実施の形態のように液処理装置はレ
ジスト塗布装置１５，１７に限らず，例えば現像処理装
置１６，１８にも本発明は応用可能である。さらに基板
はウェハＷに限定されず，ＬＣＤ基板やＣＤ基板等の他
の基板を使用する場合にも応用可能である。

【００６２】

【発明の効果】請求項１〜９に記載の発明によれば，密
閉容器内のエアを循環させて再利用するために，液処理
時に発生するミストが密閉容器内に滞留しない。従っ
て，処理液の膜厚均一性が向上する。また，新規なエア
を密閉容器内に供給する適宜の手段が不要となり，従来
よりもランニングコストの低減化を図ることが可能とな
る。

【００６３】特に請求項３に記載の発明によれば，収容
容器内にダウンフローが形成されるために，液処理時に
発生したミストを収容容器から効率よく除去することが
できる。従って，処理液の膜厚均一性が向上する。

【００６４】特に請求項５に記載の発明によれば，循環
路を流通するエア中のミストが回転羽根及び駆動軸だけ
に付着するために，ミストによる汚染面積を減らすこと
が可能である。従って，エアを支障無く長期にわたって
循環させることが可能となる。

【００６５】特に請求項６〜９に記載の発明によれば，
液処理時に発生したミストをバブリング槽の溶剤で溶解
させることができる。従って従来のように，基板の液処
理で発生するミストを処理する排気処理手段が不要とな
り，ランニングコストのさらなる低減化を図ることがで
きる。

【００６６】特に請求項７に記載の発明によれば，基板
の液処理で発生する排液中の溶剤を再利用することがで
きる。従って，液処理に必要となる処理液の溶剤を減ら
すことが可能になる。

【００６７】特に請求項８に記載の発明によれば，循環
路を通じて密閉容器に供給されるエアの温度を好適に調
整することにより，密閉容器内の温度調整が可能とな
る。また，溶剤の蒸気圧を考慮することにより，密閉容
器内の溶剤濃度も調整可能となる。従って，好適な雰囲
気下で基板に対する液処理を行うことができるために，
処理液の膜厚均一性がさらに向上する。

【００６８】さらに請求項９に記載の発明によれば，バ
ブリング終了後のエアに混入した処理液のミストはフィ
ルタ部で除去されるために，密閉容器の内部に供給され
ない。従って，基板にミストが再付着することをより確
実に防止することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態にかかるレジスト塗布装置を有す
る塗布現像処理装置の平面図である。

【図２】図１の塗布現像処理装置の正面図である。

【図３】図１の塗布現像処理装置の背面図である。

【図４】本実施の形態にかかるレジスト塗布装置を正面
側から見た断面図である。

【図５】図４のレジスト塗布装置を背面側から見た断面
図である。

【図６】図４のレジスト塗布装置に備えられたバブリン
グ槽の構成を示す断面図である。

【図７】図４のレジスト塗布装置にウェハが搬入される
様子を示す説明図である。

【図８】図７の状態からウェハがカップ内に収容される
様子を示す説明図である。

【図９】レジスト塗布処理後のカップ内のエアをバブリ
ング槽でバブリングする様子を示す説明図である。

【図１０】図９のバブリング終了後のエアをエア供給管
から密閉容器に供給する様子を示す説明図である。

【符号の説明】

１塗布現像処理装置１５，１７レジスト塗布装置５４密閉容器５５カップ６２バブリング槽６５回転羽根７４フィルタ部７５デミスタ７６ミストセパレータＲレジスト液Ｓ溶剤ＣカセットＷウェハ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の表面に処理液を供給して処理する
液処理装置であって，基板を密閉可能な密閉容器と，こ
の密閉容器内部のエアを循環させるエア循環機構とを備
えたことを特徴とする，液処理装置。
【請求項２】基板を収容可能であり，かつ上面が開口
した収容容器を前記密閉容器の内部に設けたことを特徴
とする，請求項１に記載の液処理装置。
【請求項３】前記エア循環機構は，前記収容容器内の
底部から吸気したエアを，収容容器の外部において密閉
容器内に給気することを特徴とする，請求項２に記載の
液処理装置。
【請求項４】前記エア循環機構は，前記密閉容器内の
エアを流通させる循環路と，この循環路に設けられた密
閉容器内のエアを循環させる送風手段とを備えることを
特徴とする，請求項１，２または３に記載の液処理装
置。
【請求項５】前記送風手段は，循環路の外から加えら
れる動力によって循環路内にて回転する回転羽根を有す
ることを特徴とする，請求項４に記載の液処理装置。
【請求項６】前記循環路にはバブリング槽が備えら
れ，当該バブリング槽には処理液の溶剤が充填され，か
つ前記循環路を通じて流通したエアが処理液の溶剤中に
給気されることを特徴とする，請求項４または５に記載
の液処理装置。
【請求項７】前記バブリング槽には，基板の処理に使
用された排液が供給されることを特徴とする，請求項６
に記載の液処理装置。
【請求項８】前記バブリング槽は，温度調整手段を備
えることを特徴とする，請求項６または７に記載の液処
理装置。
【請求項９】前記循環路にはフィルタ部が介装されて
いることを特徴とする，請求項３，４，５，６，７また
は８に記載の液処理装置。