JPH0251160A - 現像装置 - Google Patents
現像装置Info
- Publication number
- JPH0251160A JPH0251160A JP20225988A JP20225988A JPH0251160A JP H0251160 A JPH0251160 A JP H0251160A JP 20225988 A JP20225988 A JP 20225988A JP 20225988 A JP20225988 A JP 20225988A JP H0251160 A JPH0251160 A JP H0251160A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- development
- wafer
- concentration
- developer
- liquid developer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、フォトレジストの現像装置の機構に関する。
従来の現像装置は第2図に示すような構造である。第4
図は前処理に現像液希薄液を用いたときの現像液の流度
の変化を示したものである。
図は前処理に現像液希薄液を用いたときの現像液の流度
の変化を示したものである。
1)ターンテーブル2上にウェハ1を載置し低速で回転
させる。
させる。
2)前処理:純水又は現像液希薄溶液をウェハ1上に前
処理用ノズル6より吐出しウェハ1全面に行き渡らせる
。
処理用ノズル6より吐出しウェハ1全面に行き渡らせる
。
3)現像処理二 一定時間の前処理の後、現像腋用ノズ
ル5より現像液を吐出し、一定時間現像処理を行う。
ル5より現像液を吐出し、一定時間現像処理を行う。
4)停止・洗浄処理ニ一定時間の現像処理の後、現像停
止用ノズル4より純水を吐出し、現像の停止及びウェハ
1の洗浄を行い、一定時間の後吐出停止にさせターンテ
ーブル2を高速で回転させウェハ1の乾燥を行う。
止用ノズル4より純水を吐出し、現像の停止及びウェハ
1の洗浄を行い、一定時間の後吐出停止にさせターンテ
ーブル2を高速で回転させウェハ1の乾燥を行う。
しかし、前述の従来の技術では以下に述べる様な課題を
有していた。即ち、フォトレジストが塗布されたウェハ
表面は非常に撥水性が高いために前述の前処理及び現像
処理時に部分的に処理に時間差が生じ、処理が不均一と
なり正常に現像されない箇所が生じていた。前処理液と
して現像液希薄溶液を用いて濡れ性を良くした場合でも
やはり先に吐出された所の現像が速く進むため、現像液
希薄溶液及び現像液を吐出させる時点すなわち第4図の
9及び10の時点でターンテーブルが1回転する間にレ
ジスト上に部分的濃度差による現像むらが生じ特性の不
拘−及び外観上の問題が発生する。そのために現像工程
の歩留が低下していた。
有していた。即ち、フォトレジストが塗布されたウェハ
表面は非常に撥水性が高いために前述の前処理及び現像
処理時に部分的に処理に時間差が生じ、処理が不均一と
なり正常に現像されない箇所が生じていた。前処理液と
して現像液希薄溶液を用いて濡れ性を良くした場合でも
やはり先に吐出された所の現像が速く進むため、現像液
希薄溶液及び現像液を吐出させる時点すなわち第4図の
9及び10の時点でターンテーブルが1回転する間にレ
ジスト上に部分的濃度差による現像むらが生じ特性の不
拘−及び外観上の問題が発生する。そのために現像工程
の歩留が低下していた。
そこで本発明はこのような課題を解決するもので、その
目的とするところは、現像工程における歩留を向上させ
るところにある。
目的とするところは、現像工程における歩留を向上させ
るところにある。
本発明の現像装置は、現像対像たるウェハに吐出する現
像液の濃度が連続可変である事を特徴とする。
像液の濃度が連続可変である事を特徴とする。
第1図は本発明の実施例における現像装置の断面図であ
る。第3面は第1図における現像液・純水濃度可変ノズ
ル3から出る現像液と純水の割合を示す。本実施例にお
ける現像工程のプロセスは以下のとおりである。
る。第3面は第1図における現像液・純水濃度可変ノズ
ル3から出る現像液と純水の割合を示す。本実施例にお
ける現像工程のプロセスは以下のとおりである。
1)ターンテーブル2上にウェハ1を載置し低速で回転
させる。
させる。
2)現像処理:現像液・純水酒度可変ノズル3より吐出
させる現像液の濃度を第3図に示すように変化させ従来
の技術における前処理と現像を行う。
させる現像液の濃度を第3図に示すように変化させ従来
の技術における前処理と現像を行う。
3)一定時間現像の後、現像停止用ノズル4より純水を
吐出し、現像の停止及びウェハ1の洗浄を行い、一定時
間の後吐出停止させターンテーブル2を高速で回転させ
ウェハ1の乾燥を行う。
吐出し、現像の停止及びウェハ1の洗浄を行い、一定時
間の後吐出停止させターンテーブル2を高速で回転させ
ウェハ1の乾燥を行う。
以上に述べた現像工程によりウェハ1の現像を行う場合
、第3図に示すように現像液の濃度が0〔%〕の点すな
わち7の点から8の点まで徐々に濃度を上げて行うため
ターンテーブルが一回転する間には現像液の濃度はほと
んど変化しない。そのことにより現像処理がウェハ1面
内均等に行なわれ現像不良は減少し同工程の歩留が向上
する。
、第3図に示すように現像液の濃度が0〔%〕の点すな
わち7の点から8の点まで徐々に濃度を上げて行うため
ターンテーブルが一回転する間には現像液の濃度はほと
んど変化しない。そのことにより現像処理がウェハ1面
内均等に行なわれ現像不良は減少し同工程の歩留が向上
する。
以上述べたように本発明によれば、フォトレジストの現
像において、ウェハに吐出する現像液の濃度を0〔%〕
の点から連続可変させることでこの工程における不良の
発生が減少し歩留が向上するという効果を有する。
像において、ウェハに吐出する現像液の濃度を0〔%〕
の点から連続可変させることでこの工程における不良の
発生が減少し歩留が向上するという効果を有する。
第1図は本発明における現像装置の断面図。
第2図は従来の現像装置の断面図。
第3図は本発明の現像装置による現像工程の現像液の濃
度の変化を表わすグラフ。 第4図は従来の現像装置による現像工程の現像液の濃度
の変化を表わすグラフ。 1・・・ウェハ 2・・・ターンテーブル 3・・・現像液・純水濃度可変ノズル 4・・・現像停止用純水ノズル 5・・・現像液用ノズル 6・・・前処理用ノズル 7・・・現像液濃度変化開始点 8・・・現像液濃度変化開始点 9・・・現像液希薄溶液吐出点 10・・・現像液吐出点 以 上
度の変化を表わすグラフ。 第4図は従来の現像装置による現像工程の現像液の濃度
の変化を表わすグラフ。 1・・・ウェハ 2・・・ターンテーブル 3・・・現像液・純水濃度可変ノズル 4・・・現像停止用純水ノズル 5・・・現像液用ノズル 6・・・前処理用ノズル 7・・・現像液濃度変化開始点 8・・・現像液濃度変化開始点 9・・・現像液希薄溶液吐出点 10・・・現像液吐出点 以 上
Claims (1)
- フォトレジストを現像する装置において、現像対象たる
ウェハに吐出する現像液の濃度が、連続可変である事を
特徴とする現像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20225988A JPH0251160A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20225988A JPH0251160A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 現像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0251160A true JPH0251160A (ja) | 1990-02-21 |
Family
ID=16454583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20225988A Pending JPH0251160A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 現像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0251160A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6257778B1 (en) * | 1998-02-04 | 2001-07-10 | Tokyo Electron Limited | Method for developing front surface of substrate with improved developing function of developing solution and apparatus thereof |
KR100530752B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2006-01-27 | 삼성테크윈 주식회사 | 인라인형 드라이 포토레지스트 현상장치 |
-
1988
- 1988-08-12 JP JP20225988A patent/JPH0251160A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100530752B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2006-01-27 | 삼성테크윈 주식회사 | 인라인형 드라이 포토레지스트 현상장치 |
US6257778B1 (en) * | 1998-02-04 | 2001-07-10 | Tokyo Electron Limited | Method for developing front surface of substrate with improved developing function of developing solution and apparatus thereof |
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