JPH04361524A - レジスト塗布方法 - Google Patents

レジスト塗布方法

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Publication number
JPH04361524A
JPH04361524A JP13777491A JP13777491A JPH04361524A JP H04361524 A JPH04361524 A JP H04361524A JP 13777491 A JP13777491 A JP 13777491A JP 13777491 A JP13777491 A JP 13777491A JP H04361524 A JPH04361524 A JP H04361524A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
wafer
coating
atmosphere
solvent atmosphere
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP13777491A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukio Imoto
幸男 井本
Hajime Yoshizaki
由崎 一
Tatsumi Suganuma
菅沼 達美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Solutions Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Microelectronics Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP13777491A priority Critical patent/JPH04361524A/ja
Publication of JPH04361524A publication Critical patent/JPH04361524A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、レジスト塗布方法に
係わり、特に表面上にレジストが吐出されているウェ−
ハを、レジスト溶媒雰囲気中で回転させて、レジストを
回転塗布する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図3は、レジスト溶媒雰囲気中で、半導
体ウェ−ハ上へレジストを塗布する塗布装置の構成図で
ある。
【0003】この装置では、まず、蒸気発生器1で生成
した蒸気3を、蒸気導入管5を通して、フ−ド7で覆わ
れた塗布カップ9へ導く。次いで、蒸気3で満たされて
いる塗布カップ9の中で、スピンチャック11で保持さ
れ、その表面上にレジスト13が吐出されている半導体
ウェ−ハ15を回転させ、レジストの溶媒蒸発速度を制
御しながら、ウェ−ハ15の表面上にレジスト13を拡
げていく。このような方法により、膜厚が均一となるよ
うなレジスト膜を得ようとする試みが、従来なされた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようにレジスト溶媒雰囲気中において、レジストの回転
塗布を行うと、いつまでもウェ−ハ上でレジストが乾燥
せず、流動性を持ち続けてしまう。流動性を持つレジス
トを回転させれば、ウェ−ハの回転中心を中心とした同
心円状の波が立つ。よって、塗布終了後、レジストの表
面には同心円状の塗布斑が発生してしまい、レジスト膜
の膜厚バラツキが逆に大きくなるという問題を起こして
いる。
【0005】この発明は上記のような点に鑑みてなされ
たもので、その目的は、ウェ−ハの表面上に吐出されて
いるレジストを、レジスト溶媒雰囲気中で回転塗布する
場合でも、同心円状の塗布斑等を生ずることなく、レジ
スト薄膜の膜厚のバラツキを少なくできるレジスト塗布
方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明のレジスト塗布
方法は、レジスト溶媒雰囲気中で、その表面上にレジス
トが吐出されているウェ−ハを回転させ、レジストを遠
心力により、ウェ−ハの表面上に拡げる。この際に、ウ
ェ−ハの回転時間の経過とともに、レジスト溶媒雰囲気
から、レジスト乾燥雰囲気へと漸次置換するようにして
いる。
【0007】
【作用】上記のようなレジスト塗布方法にあっては、時
間が経過するに伴って、レジスト溶媒雰囲気より、レジ
スト乾燥雰囲気に漸次置換されるので、回転中において
も、ウェ−ハ表面上のレジストを徐々に乾燥させること
ができる。ウェ−ハを回転させつつレジストを乾燥させ
れば、レジストの流動性が弱まってきて、そのうちレジ
ストが同心円状に波立たなくなり、やがて塗布斑が消滅
する。よってレジスト塗布終了後において、レジスト膜
の表面に同心円状の塗布斑が生じなくなる。
【0008】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明を一実施例に
より説明する。図1は、この発明の一実施例に係わる塗
布装置の構成図であり、この装置の構成を説明するとと
もに、この発明に係わるレジスト塗布方法について説明
する。
【0009】図1に示すように、まず、蒸気発生器1に
より蒸気3を生成する。生成された蒸気3は、蒸気導入
管5を通してフ−ド7によって覆われた塗布カップ9へ
、塗布カップ9の下部より、蒸気3を吸引、排気するこ
とにより、塗布カップ9に導かれる。塗布カップ9の中
には、その表面にレジスト13が吐出されているウェ−
ハ15が、スピンチャック11により保持されている。 レジスト13は、塗布カップ9の中に満たされた蒸気3
により蒸発され、また送り込む蒸気3の量を制御してそ
の蒸発速度を制御しながら、フ−ド7によって覆われた
塗布カップ9の中をレジスト溶媒雰囲気とする。このよ
うなレジスト溶媒雰囲気の中でウェ−ハ15を回転させ
る。その表面に吐出されているレジスト13は、遠心力
によってウェ−ハ15の表面上に拡がる。このような回
転塗布において、所定の時間が経過した後、フ−ド7と
蒸気導入管5との間に設けられた三方弁17を操作して
、塗布カップ9への蒸気3の供給量を絞りつつ、またド
ライエア19を、蒸気3とは反対に徐々に増加していく
ように塗布カップ9へと供給する。この状態を図2に示
す。図2に示すように、回転開始時には、塗布カップ9
の中を、線Iに示されるように例えば略100%、蒸気
3で満たしておく。所定の時間t1に達した時点より、
線IIに示されるようにドライエア19を供給し始め、
時間が経過するに伴い、その比率を塗布カップ9の中で
徐々に高めていく。そして、所定の時間t2に達した時
点では、塗布カップ9の中を、略100%、ドライエア
19で満たされるようにする。この後、例えば所定時間
、塗布カップ9の中をドライエア19で満たしておくこ
とによりレジスト13を完全に乾燥させ、レジスト塗布
工程を終了する。
【0010】また、上記のレジスト塗布方法において、
図2に示す溶媒蒸気濃度20、溶媒雰囲気中での回転時
間22、乾燥雰囲気への移行中での溶媒蒸気濃度24、
移行所要時間26、乾燥雰囲気中での回転時間28、お
よびウェ−ハの回転数等を、それぞれ適宜制御すること
により、例えばレジストの種類が違っていても、レジス
ト膜の膜厚の均一化を実現可能である。
【0011】上記のような塗布方法であれば、ウェ−ハ
15の回転時間の経過に伴い、ウェ−ハ15の周囲の雰
囲気を、レジスト溶媒雰囲気より、レジスト乾燥雰囲気
へと漸次置換してゆく。このため、ウェ−ハ15の回転
中に、その表面上に拡げられたレジスト13が乾燥され
、徐々に固化していくので、ウェ−ハ15の回転中心を
中心とした同心円状の塗布斑が生じなくなる。よって、
レジスト膜の膜厚の均一化を図ることができる。
【0012】さらに、上記のような処理運用状態を加味
すると、枚葉連続処理が一般的であり、稼働中であって
も、途中、無処理の状態が必ず発生する。その極端な例
が装置停止時であり、その間、この発明に係わる装置が
具備する機能をそのまま利用し、大気(溶媒蒸気完全ス
トップ)状態に保持することにより、高価な溶媒を有効
に使用することができる。すなわち、この発明では、溶
媒蒸気を連続して供給する方式に比べ、溶媒の使用量を
減らすことができる。従って、必要最低限の溶媒で、高
精度な塗布を達成でき、レジスト塗布の効率をより向上
させることができる。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
、半導体ウェ−ハの主表面上にレジストを吐出し、この
ウェ−ハを、レジスト溶媒雰囲気中で回転させながら、
その表面上にレジストを回転塗布する場合でも、同心円
状の塗布斑等を生ずることなく、レジスト膜の膜厚バラ
ツキを少なくできるレジスト塗布方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1はこの発明の一実施例を実現するためのレ
ジスト塗布装置の構成図。
【図2】図2はこの発明の一実施例に係わる塗布方法の
レジスト溶媒雰囲気からレジスト乾燥雰囲気へ漸次移行
してゆく状態を説明するための図。
【図3】図3は従来のレジスト塗布装置の構成図。
【符号の説明】
1…蒸気発生器、3…蒸気、5…蒸気導入管、7…フ−
ド、9…塗布カップ、11…スピンチャック、13…レ
ジスト、15…ウェ−ハ、17…三方弁、19…ドライ
エア。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  主表面上にレジストが吐出されている
    ウェ−ハを、レジスト溶媒雰囲気中で回転させながら、
    その表面上にレジストを拡げ、ウェ−ハの回転時間の経
    過に伴って、前記レジスト溶媒雰囲気を、レジスト乾燥
    雰囲気へと漸次置換していくことを特徴とするレジスト
    塗布方法。
JP13777491A 1991-06-10 1991-06-10 レジスト塗布方法 Withdrawn JPH04361524A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002320898A (ja) * 2001-04-25 2002-11-05 Yasui Seiki:Kk 塗工方法および塗工装置
US7030039B2 (en) 1994-10-27 2006-04-18 Asml Holding N.V. Method of uniformly coating a substrate
JP2016195147A (ja) * 2015-03-31 2016-11-17 株式会社東芝 光電変換素子の製造方法および製造装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7030039B2 (en) 1994-10-27 2006-04-18 Asml Holding N.V. Method of uniformly coating a substrate
JP2002320898A (ja) * 2001-04-25 2002-11-05 Yasui Seiki:Kk 塗工方法および塗工装置
JP4537612B2 (ja) * 2001-04-25 2010-09-01 株式会社康井精機 塗工方法および塗工装置
JP2016195147A (ja) * 2015-03-31 2016-11-17 株式会社東芝 光電変換素子の製造方法および製造装置

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