JPS62190838A - レジスト塗布方法 - Google Patents
レジスト塗布方法Info
- Publication number
- JPS62190838A JPS62190838A JP61034136A JP3413686A JPS62190838A JP S62190838 A JPS62190838 A JP S62190838A JP 61034136 A JP61034136 A JP 61034136A JP 3413686 A JP3413686 A JP 3413686A JP S62190838 A JPS62190838 A JP S62190838A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- resist
- speed
- rotation speed
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、レジストプロセスにおけるレジスト塗布方法
、特にスピンコード方法によるレジスト塗布方法に関す
る。
、特にスピンコード方法によるレジスト塗布方法に関す
る。
〈従来の技術〉
レジストプロセスにおけるレジスト塗布工程は。
前処理後のウェハ表面にホトレジス１〜を均一に塗布す
ることが必要であり、従来のレジスト塗布方法としては
、例えばスピンコード法がある。
ることが必要であり、従来のレジスト塗布方法としては
、例えばスピンコード法がある。
このスピンコード法は、ウェハを真空でチャックして高
速回転させ、ノズルからウェハ表面に滴下したホトレジ
ストを該表面に均一に塗布するものである。すなわち、
第２図に時間（Ｔ）と回転数（Ｎ）との関係で示すよう
に、レジストを滴下し、低速で回転させる第１の工程（
Ａ）と１次いで、高速で回転させレジストを振り切る第
２の工程（Ｂ）と、からなっている。ここに、第３図に
示すように、ホトレジストの塗布膜厚（ｄ）とスピナー
回転数（Ｎ）とは回転数の上昇に従い膜厚（ｄ）は薄く
なる関係にある。従って、この方法によれば、第１の工
程（Ａ）で低速回転させて滴下したレジストを所定の厚
さに保持してウェハ表面全体に行きわたらせた後、第２
の工程（Ｂ）で高速回転させて該全体のレジストの膜厚
を一様に必要な薄さに形成することになる。
速回転させ、ノズルからウェハ表面に滴下したホトレジ
ストを該表面に均一に塗布するものである。すなわち、
第２図に時間（Ｔ）と回転数（Ｎ）との関係で示すよう
に、レジストを滴下し、低速で回転させる第１の工程（
Ａ）と１次いで、高速で回転させレジストを振り切る第
２の工程（Ｂ）と、からなっている。ここに、第３図に
示すように、ホトレジストの塗布膜厚（ｄ）とスピナー
回転数（Ｎ）とは回転数の上昇に従い膜厚（ｄ）は薄く
なる関係にある。従って、この方法によれば、第１の工
程（Ａ）で低速回転させて滴下したレジストを所定の厚
さに保持してウェハ表面全体に行きわたらせた後、第２
の工程（Ｂ）で高速回転させて該全体のレジストの膜厚
を一様に必要な薄さに形成することになる。
〈発明の解決しようとする問題点〉
しかしながら、このような従来のレジスト塗布方法にあ
っては、第１の工程中、常に一定の速度で回転させるた
め、その間、ウェハの外縁部に行くに従い回転速度が上
昇してレジスト膜厚が薄くならざるを得なかった。その
結果、外縁部に存在する段差（突起）をレジストが乗り
越えることができず、また、一定回転速度ではレジスト
は流れ易い方向に流れる傾向があり、第４図に示すよう
に、ウェハ（Ｘ）表面の一部（Ｙ）にレジストが塗布さ
れず、または、むらが生じてしまうおそれがあった。
っては、第１の工程中、常に一定の速度で回転させるた
め、その間、ウェハの外縁部に行くに従い回転速度が上
昇してレジスト膜厚が薄くならざるを得なかった。その
結果、外縁部に存在する段差（突起）をレジストが乗り
越えることができず、また、一定回転速度ではレジスト
は流れ易い方向に流れる傾向があり、第４図に示すよう
に、ウェハ（Ｘ）表面の一部（Ｙ）にレジストが塗布さ
れず、または、むらが生じてしまうおそれがあった。
く問題点を解決するための手段〉
本発明に係るレジスト塗布方法は、ウェハ表面にレジス
トを滴下した後に、該ウェハを第１の回転数で回転させ
、その後、該回転数を低下させ。
トを滴下した後に、該ウェハを第１の回転数で回転させ
、その後、該回転数を低下させ。
次いで、該ウェハを第１の回転数より高い第２の回転数
で回転させる構成を有している。
で回転させる構成を有している。
く作用および効果〉
本発明に係るレジスト塗布方法によれば、ウェハ表面に
滴下されたレジストを、ウェハを第１の回転速度で回転
させてその表面全体に行きわたらせ、次いで、これより
高い第２の回転速度で回転させてレジストの塗布膜厚を
一様に必要な薄さに形成する。この場合、ウェハは第１
の回転速度で回転させた後その回転速度を低下させる。
滴下されたレジストを、ウェハを第１の回転速度で回転
させてその表面全体に行きわたらせ、次いで、これより
高い第２の回転速度で回転させてレジストの塗布膜厚を
一様に必要な薄さに形成する。この場合、ウェハは第１
の回転速度で回転させた後その回転速度を低下させる。
この結果、Ｍ下したレジストの膜厚はウェハの外縁部で
も′ｉｆ４王な厚みに保持され、ウェハ表面の段差を乗
り越えることができ、表面全体にレジストが行きわたる
。
も′ｉｆ４王な厚みに保持され、ウェハ表面の段差を乗
り越えることができ、表面全体にレジストが行きわたる
。
〈実施例〉
以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説明する。
同図に示すように１本発明に係るレジスト塗布方法は、
第１の工程（Ａ）と、その後の第２の工程（Ｂ）と、か
らなる。第１の工程（Ａ）では。
第１の工程（Ａ）と、その後の第２の工程（Ｂ）と、か
らなる。第１の工程（Ａ）では。
前処理（洗浄）後のウェハ表面のその略中央部にノズル
等により所定のホトレジストを所定量だけ滴下しながら
、該ウェハを第１の回転速度（Ｎ１）で回転させ、徐々
にこの回転速度を低下させる。
等により所定のホトレジストを所定量だけ滴下しながら
、該ウェハを第１の回転速度（Ｎ１）で回転させ、徐々
にこの回転速度を低下させる。
なお、レジストの滴下はこの時間の全てに亘り行う必要
はなく、また、回転始動前に滴下してもよい。この結果
、ウェハのレジストはその速度の低下に伴いその膜厚が
大きくなるため、遠心力によリウエハ外縁部に移動して
も従来に比べて膜厚が大であり１段差或いは突起を乗り
こえ、そのウェハ表面全体にむらなく行きわたる。
はなく、また、回転始動前に滴下してもよい。この結果
、ウェハのレジストはその速度の低下に伴いその膜厚が
大きくなるため、遠心力によリウエハ外縁部に移動して
も従来に比べて膜厚が大であり１段差或いは突起を乗り
こえ、そのウェハ表面全体にむらなく行きわたる。
次に、第２の工程（Ｂ）では１以上のようにしてウェハ
全体に塗布されたレジストはそのｔｌｌ厚が半径方向に
おいて不均一であり、また、大きいため、第１の回転速
度（Ｎ１）より高い第２の回転速度（Ｎ２）でウェハを
所定時間だけ回転させる。
全体に塗布されたレジストはそのｔｌｌ厚が半径方向に
おいて不均一であり、また、大きいため、第１の回転速
度（Ｎ１）より高い第２の回転速度（Ｎ２）でウェハを
所定時間だけ回転させる。
その結果、ウェハ表面全体にわたってレジスト塗布膜の
膜厚は一様にしかも必要な所定の薄さに形成される。
膜厚は一様にしかも必要な所定の薄さに形成される。
なお、レジスト塗布膜装置ソフトベーク等所定のレジス
トプロセスを経てエツチングプロセスに続くものである
。
トプロセスを経てエツチングプロセスに続くものである
。
また、上記実施例において、第１の回転速度（Ｎ１）及
び第２の回転速度（Ｎ、）は、それぞれ例えば１＊ ０
００ ｐｐｍ、及び、５．ＯＯＯｒｐｍとし、（Ａ）（
Ｂ）の時間はレジストの膜厚等により変化させるが、例
えばそれぞれ１０秒、及び、３０秒とする。
び第２の回転速度（Ｎ、）は、それぞれ例えば１＊ ０
００ ｐｐｍ、及び、５．ＯＯＯｒｐｍとし、（Ａ）（
Ｂ）の時間はレジストの膜厚等により変化させるが、例
えばそれぞれ１０秒、及び、３０秒とする。
く効 果〉
以上説明してきたように、本発明によれば、ウェハ表面
に大きな段差を有していても、レジストを均一に、むら
なくその表面全体に塗布することができる。その結果１
歩留りを向上させることができる。
に大きな段差を有していても、レジストを均一に、むら
なくその表面全体に塗布することができる。その結果１
歩留りを向上させることができる。
第１図は本発明に係るレジスト塗布方法の一実施例にお
ける各工程の時間と回転速度との関係を示すグラフ、第
２図は従来方法の各工程の時間と回転速度との関係を示
すグラフ、第３図はスピナー回転速度とレジスト塗布膜
厚との関係を示すグラフ、第４図は従来方法による欠陥
を示すウェハの平面図である。 特許出願人 ローム株式会社代理人 弁
理士 桑 井 清 −第１図 第２図
ける各工程の時間と回転速度との関係を示すグラフ、第
２図は従来方法の各工程の時間と回転速度との関係を示
すグラフ、第３図はスピナー回転速度とレジスト塗布膜
厚との関係を示すグラフ、第４図は従来方法による欠陥
を示すウェハの平面図である。 特許出願人 ローム株式会社代理人 弁
理士 桑 井 清 −第１図 第２図
Claims (1)
- ウェハ表面にレジストを滴下しつつ、または、滴下した
後に、該ウェハを第１の回転数で回転させ、その後、該
回転数を低下させ、次いで、該ウェハを第１の回転数よ
り高い第２の回転数で回転させることを特徴とするレジ
スト塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034136A JPS62190838A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | レジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034136A JPS62190838A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | レジスト塗布方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62190838A true JPS62190838A (ja) | 1987-08-21 |
| JPH0556847B2 JPH0556847B2 (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=12405802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61034136A Granted JPS62190838A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | レジスト塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62190838A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6214104B1 (en) | 1995-08-07 | 2001-04-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating solution for forming silica coating and method of forming silica coating |
| US6277441B1 (en) | 1994-02-17 | 2001-08-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of forming coating film on a substrate |
| JP2008251810A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 塗布液の塗布方法及び半導体装置の製造方法 |
| CN111266265A (zh) * | 2018-12-05 | 2020-06-12 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种半导体的涂布设备及涂布方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102351607B1 (ko) * | 2021-06-18 | 2022-01-18 | 한국수자원공사 | 수계로부터 플라스틱을 분리하는 장치 및 이를 이용한 분리방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59154444A (ja) * | 1983-02-23 | 1984-09-03 | Toshiba Corp | レジスト塗布方法 |
-
1986
- 1986-02-18 JP JP61034136A patent/JPS62190838A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59154444A (ja) * | 1983-02-23 | 1984-09-03 | Toshiba Corp | レジスト塗布方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6277441B1 (en) | 1994-02-17 | 2001-08-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of forming coating film on a substrate |
| US6214104B1 (en) | 1995-08-07 | 2001-04-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating solution for forming silica coating and method of forming silica coating |
| JP2008251810A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 塗布液の塗布方法及び半導体装置の製造方法 |
| CN111266265A (zh) * | 2018-12-05 | 2020-06-12 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种半导体的涂布设备及涂布方法 |
| CN111266265B (zh) * | 2018-12-05 | 2021-10-08 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种半导体的涂布设备及涂布方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0556847B2 (ja) | 1993-08-20 |
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