JPS61150332A - 半導体レジスト塗布方法 - Google Patents
半導体レジスト塗布方法Info
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- JPS61150332A JPS61150332A JP27665984A JP27665984A JPS61150332A JP S61150332 A JPS61150332 A JP S61150332A JP 27665984 A JP27665984 A JP 27665984A JP 27665984 A JP27665984 A JP 27665984A JP S61150332 A JPS61150332 A JP S61150332A
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- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 24
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体ウェーハに感光性樹脂（レジスト）を塗
布する半導体レジスト塗布方法に関する。
布する半導体レジスト塗布方法に関する。
一般にウェーハ表面をエツチングしてパターンを形成す
る際には、マスキング層としてウェーＩ＼表面にレジス
ト膜を形成している。このウェーハの表面に対するレジ
ストの塗布は、ウェーハチャック上で回転するウェーハ
の中心部にレジストを滴下させ、これを周縁部に拡散す
ることによってなされる。
る際には、マスキング層としてウェーＩ＼表面にレジス
ト膜を形成している。このウェーハの表面に対するレジ
ストの塗布は、ウェーハチャック上で回転するウェーハ
の中心部にレジストを滴下させ、これを周縁部に拡散す
ることによってなされる。
添付図面の第２図は従来方法を実現する塗布装置の一例
の断面図である。図示しないｗＡｆｌＪＩｌｌ ＩＩに
より回転させられる・スピンドル１の先端には、バキュ
ームによってウェーハ２を吸着、保持するウェーハチャ
ック３が取り付けられる。ウェーハ２の上方のウェーハ
チャック３の中心軸上にはレジストを滴下するノズル４
が設けられており、ウェーハ２はその中心がスピンドル
１、ウェーハチャック３の中心軸上に位置するように吸
着、保持される。そして、ウェーハ２の側方および下方
はカップ５によって囲まれ、カップ５の下側にはレジス
ト等を排出する排出口６ａ、６ｂが設けられている。
の断面図である。図示しないｗＡｆｌＪＩｌｌ ＩＩに
より回転させられる・スピンドル１の先端には、バキュ
ームによってウェーハ２を吸着、保持するウェーハチャ
ック３が取り付けられる。ウェーハ２の上方のウェーハ
チャック３の中心軸上にはレジストを滴下するノズル４
が設けられており、ウェーハ２はその中心がスピンドル
１、ウェーハチャック３の中心軸上に位置するように吸
着、保持される。そして、ウェーハ２の側方および下方
はカップ５によって囲まれ、カップ５の下側にはレジス
ト等を排出する排出口６ａ、６ｂが設けられている。
この構成例でレジストの塗布を行なう場合は、まず静止
状態でレジストをノズル４からウェーハ２の中心に滴下
する。次に、ウェーハ２を低速で回転させてウェーハ２
の表面にレジストを拡散させ、所定の回転数で均一なレ
ジストＩ！！７を形成させる。さらにレジストの現象を
行なう場合には、まず任意の回転数で現像液、リンス液
を同時若しくは交互に滴下したのち、リンス液で洗浄し
、高速回転して乾燥させる。
状態でレジストをノズル４からウェーハ２の中心に滴下
する。次に、ウェーハ２を低速で回転させてウェーハ２
の表面にレジストを拡散させ、所定の回転数で均一なレ
ジストＩ！！７を形成させる。さらにレジストの現象を
行なう場合には、まず任意の回転数で現像液、リンス液
を同時若しくは交互に滴下したのち、リンス液で洗浄し
、高速回転して乾燥させる。
しかしながら、このような構成例によってレジストを塗
布する場合、ウェーハの表面には微細なパターンが形成
されており、またレジストが高粘度の粘稠液であるため
、パターンの段差部下端側にまでレジストが達しなかっ
たり、斑が生じてパターン不良の原因となることがある
。
布する場合、ウェーハの表面には微細なパターンが形成
されており、またレジストが高粘度の粘稠液であるため
、パターンの段差部下端側にまでレジストが達しなかっ
たり、斑が生じてパターン不良の原因となることがある
。
（発明の目的）
本発明は上記の如き従来技術の欠点を克服するためにな
されたもので、レジストをウェー八表面に均一に塗布す
ることのできる半導体レジスト塗布方法を提供すること
を目的とする。
されたもので、レジストをウェー八表面に均一に塗布す
ることのできる半導体レジスト塗布方法を提供すること
を目的とする。
上記の目的を達成するため本発明は、レジストをウェー
ハ上に滴下する前にレジストよりも粘度の小さいレジス
トの溶剤をウェーハ上に滴下し、次いでウェーハを回転
させて上記溶剤をウェー八表側の全面に拡散させ、その
後にレジストを滴下して同様に拡散させるようにした半
導体レジスト塗布方法を提供するものである。
ハ上に滴下する前にレジストよりも粘度の小さいレジス
トの溶剤をウェーハ上に滴下し、次いでウェーハを回転
させて上記溶剤をウェー八表側の全面に拡散させ、その
後にレジストを滴下して同様に拡散させるようにした半
導体レジスト塗布方法を提供するものである。
（発明の実施例）
以下、添付図面の第１図を参照して本発明の一実施例を
説明する。なお、第１図の構成例と同一の要素は同一符
号で示しである。 カップ５内で回転するウェーハチャ
ック３上にはウェーハ２が吸着、保持されており、この
ウェーハ２の上方にはレジストを滴下させるレジストノ
ズル８と、レジストの溶剤を滴下させる溶剤ノズル９と
が設けられている。これらのノズル８．９はいずれも、
ウェーハチャック３の中心軸およびスピンドル１の延長
線上に位置しており、これによりウェーハ２がウェーハ
チャック３に保持されたときにウェーハの中心部上方に
各ノズル８．９が位置するようになっている。各ノズル
８，９はいずれもポンプ等を介してレジスト貯溜槽およ
び溶剤貯溜槽（いずれも図示せず）に連結しており、ポ
ンプの駆動でレジストおよび溶剤をそれぞれウェーハ上
に滴下させるものである。なお、レジスト溶剤としては
例えばエチルセルソルブアセテート（ＥＣＡ）がある。
説明する。なお、第１図の構成例と同一の要素は同一符
号で示しである。 カップ５内で回転するウェーハチャ
ック３上にはウェーハ２が吸着、保持されており、この
ウェーハ２の上方にはレジストを滴下させるレジストノ
ズル８と、レジストの溶剤を滴下させる溶剤ノズル９と
が設けられている。これらのノズル８．９はいずれも、
ウェーハチャック３の中心軸およびスピンドル１の延長
線上に位置しており、これによりウェーハ２がウェーハ
チャック３に保持されたときにウェーハの中心部上方に
各ノズル８．９が位置するようになっている。各ノズル
８，９はいずれもポンプ等を介してレジスト貯溜槽およ
び溶剤貯溜槽（いずれも図示せず）に連結しており、ポ
ンプの駆動でレジストおよび溶剤をそれぞれウェーハ上
に滴下させるものである。なお、レジスト溶剤としては
例えばエチルセルソルブアセテート（ＥＣＡ）がある。
次に上記の装置によってウェーハ２の表面にレジスト膜
７を形成する方法について説明する。
７を形成する方法について説明する。
静止状態のウェーハチャック３にウェーハ２を載置し、
その中心部がウェーハチャック３の中心軸上に位置する
ようにバキュームによって吸着、保持する。この状態で
溶剤ノズル９側のポンプを駆動させて、溶剤ノズル９か
ら粘度の小さな溶剤をウェーハ２の中心部上に滴下させ
る。次いで、ウェーＡ ２を回転させて溶剤を中心部か
ら周縁部にまで拡散させ、かつ乾燥させる。この拡散に
おいては、溶剤は粘度が低いため、ウェーハ２の表面パ
ターンの有無にかかわらず容易に拡散し、微細なパター
ンの段差部にも入り込む。従って、レジスト剤に対する
ウェーハ２の表面の「ぬれ」が良くなる。
その中心部がウェーハチャック３の中心軸上に位置する
ようにバキュームによって吸着、保持する。この状態で
溶剤ノズル９側のポンプを駆動させて、溶剤ノズル９か
ら粘度の小さな溶剤をウェーハ２の中心部上に滴下させ
る。次いで、ウェーＡ ２を回転させて溶剤を中心部か
ら周縁部にまで拡散させ、かつ乾燥させる。この拡散に
おいては、溶剤は粘度が低いため、ウェーハ２の表面パ
ターンの有無にかかわらず容易に拡散し、微細なパター
ンの段差部にも入り込む。従って、レジスト剤に対する
ウェーハ２の表面の「ぬれ」が良くなる。
次いで、ウェーハ２の回転を停止し、レジストノズル８
からレジストをウェーハ２の中心部に滴下し、前回と同
様にウェーハを回転させてレジストを中心部から周縁部
に拡散させる。かかるレジストの拡散にあっては、それ
以前にウェー八表面に溶剤が拡散されているので、レジ
ストの「ぬれ」は非常に良い。従ってレジストが高粘度
であっても表面張力が小さく、スムーズに拡散し、その
ためレジストは微細パターンの段差の下端部にまで行き
渡り、いわゆる塗布斑がなくなる。ちなみに、第１図の
装置と第２図の従来装置とを使用して塗布斑の発生率を
比較した場合、従来装置では３．３％の発生率であるの
に対し、本発明の装置では１．１％の発生率となること
がわかった。
からレジストをウェーハ２の中心部に滴下し、前回と同
様にウェーハを回転させてレジストを中心部から周縁部
に拡散させる。かかるレジストの拡散にあっては、それ
以前にウェー八表面に溶剤が拡散されているので、レジ
ストの「ぬれ」は非常に良い。従ってレジストが高粘度
であっても表面張力が小さく、スムーズに拡散し、その
ためレジストは微細パターンの段差の下端部にまで行き
渡り、いわゆる塗布斑がなくなる。ちなみに、第１図の
装置と第２図の従来装置とを使用して塗布斑の発生率を
比較した場合、従来装置では３．３％の発生率であるの
に対し、本発明の装置では１．１％の発生率となること
がわかった。
上記の如く本発明によれば、レジストを塗布する前に粘
度の小さなレジスト溶剤をウェーハ表面の全体に拡散さ
せ、その後にレジストを拡散させるようにしたので、ウ
ェーハ表面に微細なパターンが形成されていてもレジス
トの塗布斑や塗布残しがない、均一なレジスト塗布が可
能な半導体レジスト塗布方法を得ることができる。
度の小さなレジスト溶剤をウェーハ表面の全体に拡散さ
せ、その後にレジストを拡散させるようにしたので、ウ
ェーハ表面に微細なパターンが形成されていてもレジス
トの塗布斑や塗布残しがない、均一なレジスト塗布が可
能な半導体レジスト塗布方法を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例に係る塗布方法を実現するた
めの塗布装置の断面図、第２図は従来装置の一構成例の
断面図である。 １・・・スピンドル、２・・・ウェーハ、３・・・ウェ
ーハチャック、４・・・ノズル、５・・・カップ、６ａ
、６ｂ・・・排出口、７・・・レジスト膜、８・・・レ
ジストノズル、９・・・溶剤ノズル。
めの塗布装置の断面図、第２図は従来装置の一構成例の
断面図である。 １・・・スピンドル、２・・・ウェーハ、３・・・ウェ
ーハチャック、４・・・ノズル、５・・・カップ、６ａ
、６ｂ・・・排出口、７・・・レジスト膜、８・・・レ
ジストノズル、９・・・溶剤ノズル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ウェーハチャックに保持されたウェーハの中心部に
レジストの溶剤を滴下し、次いで前記ウェーハを回転さ
せて前記溶剤を中心部から周縁部に拡散させ、次いで前
記ウェーハの中心部にレジストを滴下して中心部から周
縁部に拡散させる半導体レジスト塗布方法。 ２、前記レジストの溶剤はエチルセルソルブアセテート
である特許請求の範囲第１項記載の半導体レジスト塗布
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27665984A JPS61150332A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 半導体レジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27665984A JPS61150332A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 半導体レジスト塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61150332A true JPS61150332A (ja) | 1986-07-09 |
Family
ID=17572530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27665984A Pending JPS61150332A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 半導体レジスト塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61150332A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6458375A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for applying resist |
| US5001084A (en) * | 1986-11-27 | 1991-03-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for applying a treatment liquid on a semiconductor wafer |
| US5066616A (en) * | 1989-06-14 | 1991-11-19 | Hewlett-Packard Company | Method for improving photoresist on wafers by applying fluid layer of liquid solvent |
| EP0618504A2 (en) * | 1993-03-25 | 1994-10-05 | Tokyo Electron Limited | Method of forming coating film and apparatus therefor |
| US6033728A (en) * | 1993-05-13 | 2000-03-07 | Fujitsu Limited | Apparatus for spin coating, a method for spin coating and a method for manufacturing semiconductor device |
| US6254234B1 (en) | 1998-06-23 | 2001-07-03 | Utsumi Optical Products, Inc. | Lens holding mechanism of front frame for spectacles |
| JP2006302934A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法及び液処理装置 |
| JP2009010147A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 塗膜形成方法 |
-
1984
- 1984-12-25 JP JP27665984A patent/JPS61150332A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5001084A (en) * | 1986-11-27 | 1991-03-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for applying a treatment liquid on a semiconductor wafer |
| JPS6458375A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for applying resist |
| US5066616A (en) * | 1989-06-14 | 1991-11-19 | Hewlett-Packard Company | Method for improving photoresist on wafers by applying fluid layer of liquid solvent |
| EP0618504A2 (en) * | 1993-03-25 | 1994-10-05 | Tokyo Electron Limited | Method of forming coating film and apparatus therefor |
| EP0618504A3 (en) * | 1993-03-25 | 1996-04-10 | Tokyo Electron Ltd | Method and device for applying a film. |
| US5658615A (en) * | 1993-03-25 | 1997-08-19 | Tokyo Electron Limited | Method of forming coating film and apparatus therefor |
| US6063190A (en) * | 1993-03-25 | 2000-05-16 | Tokyo Electron Limited | Method of forming coating film and apparatus therefor |
| US6033728A (en) * | 1993-05-13 | 2000-03-07 | Fujitsu Limited | Apparatus for spin coating, a method for spin coating and a method for manufacturing semiconductor device |
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| JP2009010147A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 塗膜形成方法 |
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