JP2001176775A - 半導体ウェハの塗膜形成方法 - Google Patents
半導体ウェハの塗膜形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 段差が大きく或るいは大パターン部を有する
凹凸パターンが形成された半導体ウェハに対して、主面
全体に均一な厚みの塗布液層を形成する。 【解決手段】 半導体ウェハ１の主面１ａ上に、その略
中央部から第１塗布液１０を滴下した後に、この半導体
ウェハ１を低速回転させて外周部の近傍付近まで第１塗
布液１０を拡散塗布する第１の工程と、半導体ウェハ１
を高速に切り替えて回転させた状態で、その略中央部か
ら第２塗布液１１を再滴下することによってその主面１
ａの全体に塗布液層６を形成するとともに余剰の塗布液
１０、１１を外周部から振り切る第２の工程とを経て塗
布液層６を形成する。
凹凸パターンが形成された半導体ウェハに対して、主面
全体に均一な厚みの塗布液層を形成する。 【解決手段】 半導体ウェハ１の主面１ａ上に、その略
中央部から第１塗布液１０を滴下した後に、この半導体
ウェハ１を低速回転させて外周部の近傍付近まで第１塗
布液１０を拡散塗布する第１の工程と、半導体ウェハ１
を高速に切り替えて回転させた状態で、その略中央部か
ら第２塗布液１１を再滴下することによってその主面１
ａの全体に塗布液層６を形成するとともに余剰の塗布液
１０、１１を外周部から振り切る第２の工程とを経て塗
布液層６を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置の
製造プロセスにおいて、半導体ウェハの主面に、フォト
グラフィーレジスト膜等の薄膜を形成する塗膜形成方法
に関する。
製造プロセスにおいて、半導体ウェハの主面に、フォト
グラフィーレジスト膜等の薄膜を形成する塗膜形成方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置の製造プロセスにおいて
は、半導体ウェハの主面に、例えばフォトグラフィーレ
ジスト膜や、拡散ソース或いは平坦化膜等に用いるＳＯ
Ｇ膜、表面保護膜等の薄膜を形成する場合には、一般に
スピンコート法が採用されている。スピンコート法は、
半導体ウェハを回転した状態でその主面上に塗布液を滴
下することによって、遠心力により主面全体に塗布液を
均一に拡散させて塗膜を形成するとともに余剰の塗布液
を外周部から振り切るようにする。
は、半導体ウェハの主面に、例えばフォトグラフィーレ
ジスト膜や、拡散ソース或いは平坦化膜等に用いるＳＯ
Ｇ膜、表面保護膜等の薄膜を形成する場合には、一般に
スピンコート法が採用されている。スピンコート法は、
半導体ウェハを回転した状態でその主面上に塗布液を滴
下することによって、遠心力により主面全体に塗布液を
均一に拡散させて塗膜を形成するとともに余剰の塗布液
を外周部から振り切るようにする。
【０００３】図６乃至図８は、従来のスピンコート法に
よる塗膜形成工程の説明図であり、主面１ａに凹凸パタ
ーン２が形成された半導体ウェハ１が回転テーブル３上
に図示しない真空チャッキング手段によってチャッキン
グされる。半導体ウェハ１には、図６に示すように、主
面１ａの略中央部にノズル４から所定量の塗布液５が滴
下される。半導体ウェハ１は、この状態で回転テーブル
３が図示しない駆動源によって高速で回転駆動されるこ
とによって、図７に示すように滴下された塗布液５が遠
心力により主面１ａの中央部から外周部に向かって次第
に拡散する。半導体ウェハ１においては、余剰の塗布液
５が外周部から次第に振り切られ、所定時間の経過後に
駆動源が停止されることでその回転が停止する。半導体
ウェハ１には、これによって塗布液５の溶媒が蒸発しそ
の塗膜成分が主面１ａ上に所定の膜厚を以って密着して
塗布液層６が形成される。なお、塗布液５は、半導体ウ
ェハ１が回転状態において滴下される場合もある
よる塗膜形成工程の説明図であり、主面１ａに凹凸パタ
ーン２が形成された半導体ウェハ１が回転テーブル３上
に図示しない真空チャッキング手段によってチャッキン
グされる。半導体ウェハ１には、図６に示すように、主
面１ａの略中央部にノズル４から所定量の塗布液５が滴
下される。半導体ウェハ１は、この状態で回転テーブル
３が図示しない駆動源によって高速で回転駆動されるこ
とによって、図７に示すように滴下された塗布液５が遠
心力により主面１ａの中央部から外周部に向かって次第
に拡散する。半導体ウェハ１においては、余剰の塗布液
５が外周部から次第に振り切られ、所定時間の経過後に
駆動源が停止されることでその回転が停止する。半導体
ウェハ１には、これによって塗布液５の溶媒が蒸発しそ
の塗膜成分が主面１ａ上に所定の膜厚を以って密着して
塗布液層６が形成される。なお、塗布液５は、半導体ウ
ェハ１が回転状態において滴下される場合もある
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のスピ
ンコート法においては、例えば高低差ｔが１．５μｍ程
度ある凹凸パターン２が主面１ａに広範囲にわたって形
成された半導体ウェハ１を対象として適用された場合
に、塗布液５が凹凸パターン２の大パターン部２ａで弾
かれてその拡散が妨げられて周辺パターンに塗布されな
いといった現象がしばしば発生していた。半導体ウェハ
１においては、このために図８に示すように主面１ａの
全面に亘って塗布液５が拡散し得ないために、塗布液層
６が形成されない領域が生じたり、均一な厚みの塗布液
層６が形成されないといった現象がたびたび発生してい
た。また、半導体ウェハ１においては、凹凸パターン２
の大パターン部２ａの影響等によって、図９に示すよう
に塗布液５が中央部では塗布されるものの外周部近傍に
おいて筋状部６ａとなるいわゆるストリエーションが生
じることがあった。
ンコート法においては、例えば高低差ｔが１．５μｍ程
度ある凹凸パターン２が主面１ａに広範囲にわたって形
成された半導体ウェハ１を対象として適用された場合
に、塗布液５が凹凸パターン２の大パターン部２ａで弾
かれてその拡散が妨げられて周辺パターンに塗布されな
いといった現象がしばしば発生していた。半導体ウェハ
１においては、このために図８に示すように主面１ａの
全面に亘って塗布液５が拡散し得ないために、塗布液層
６が形成されない領域が生じたり、均一な厚みの塗布液
層６が形成されないといった現象がたびたび発生してい
た。また、半導体ウェハ１においては、凹凸パターン２
の大パターン部２ａの影響等によって、図９に示すよう
に塗布液５が中央部では塗布されるものの外周部近傍に
おいて筋状部６ａとなるいわゆるストリエーションが生
じることがあった。
【０００５】上述したように、従来のスピンコート法に
おいては、主面部１ａが平滑で塗布液５の流動性が保持
される半導体ウェハ１に対しては有効であるが、高段
差、大パターン部２ａを有する凹凸パターン２が形成さ
れた半導体ウェハ１に対しては均一な厚みの塗布液層６
が形成されず歩留りが悪いといった問題があった。ま
た、従来のスピンコート法においては、例えば半導体ウ
ェハ１の回転速度を調節したり、塗布液５の流動度を調
整する等の対応も図られている。
おいては、主面部１ａが平滑で塗布液５の流動性が保持
される半導体ウェハ１に対しては有効であるが、高段
差、大パターン部２ａを有する凹凸パターン２が形成さ
れた半導体ウェハ１に対しては均一な厚みの塗布液層６
が形成されず歩留りが悪いといった問題があった。ま
た、従来のスピンコート法においては、例えば半導体ウ
ェハ１の回転速度を調節したり、塗布液５の流動度を調
整する等の対応も図られている。
【０００６】出願人も、例えば特開平７−１５３６７７
号「半導体塗布膜形成方法」によって、半導体ウェハ１
を低速回転から高速回転に切り替えて塗布液層６を形成
する方法を提案した。また、出願人は、特開平８−４５
９２３号「半導体塗布膜形成方法」によって、高速回転
から低速回転に切り替えて塗布液層６を形成する方法を
提案した。しかしながら、かかる先願の方法によって
も、特に大きな高段差や大パターン部２ａを有する凹凸
パターン２が形成された半導体ウェハ１に対しては、十
分な膜厚精度を有するいずれも精度の高い塗布液層６を
形成し得るまでには至らず、歩留りが悪いといった問題
があった。
号「半導体塗布膜形成方法」によって、半導体ウェハ１
を低速回転から高速回転に切り替えて塗布液層６を形成
する方法を提案した。また、出願人は、特開平８−４５
９２３号「半導体塗布膜形成方法」によって、高速回転
から低速回転に切り替えて塗布液層６を形成する方法を
提案した。しかしながら、かかる先願の方法によって
も、特に大きな高段差や大パターン部２ａを有する凹凸
パターン２が形成された半導体ウェハ１に対しては、十
分な膜厚精度を有するいずれも精度の高い塗布液層６を
形成し得るまでには至らず、歩留りが悪いといった問題
があった。
【０００７】本発明は、上述した従来の問題点を解決し
て段差が大きく或るいは大パターン部を有する凹凸パタ
ーンが形成された半導体ウェハに対しても、主面全体に
均一な厚みの塗布液層を形成する半導体ウェハの塗膜形
成方法を提供することを目的としたものである。
て段差が大きく或るいは大パターン部を有する凹凸パタ
ーンが形成された半導体ウェハに対しても、主面全体に
均一な厚みの塗布液層を形成する半導体ウェハの塗膜形
成方法を提供することを目的としたものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成する本発
明にかかる半導体ウェハの塗膜形成方法は、半導体ウェ
ハの主面上に塗布液を滴下し、スピンコート法により塗
布液層を形成する。半導体ウェハの塗膜形成方法は、半
導体ウェハの主面上にその略中央部から第１回目の塗布
液を滴下した後にこの半導体ウェハを低速回転させて外
周部の近傍付近まで塗布液を拡散させる第１の工程と、
半導体ウェハを塗膜厚を規定する所定の高速回転数に切
り替えて回転させた状態でその略中央部から第２回目の
塗布液を滴下することによってその主面全体に塗布液層
を形成するとともに余剰の塗布液を外周部から振り切る
第２の工程とを経て塗布液層を形成する。以上のように
構成された本発明にかかる半導体ウェハの塗膜形成方法
によれば、第１の工程において半導体ウェハが低速回転
されることによって段差の大きな部位等に対して滴下さ
れた第１回目の塗布液が確実に充填されるとともにその
状態が保持され全体として塗布液が拡散しやすい主面状
態が生成される。半導体ウェハの塗膜形成方法によれ
ば、第２の工程において滴下された第２回目の塗布液が
高速回転される半導体ウェハの主面を遠心力によって円
滑に拡散して、全面に亘って均一でかつ所定の膜厚を有
する塗布液層を形成する。したがって、半導体ウェハの
塗膜形成方法によれば、段差が大きく或るいは大パター
ン部を有する凹凸パターンが形成された半導体ウェハに
対しても、ストリエーションの発生も無くかつ均一で所
定の膜厚を有する高精度の塗布液層を形成する。
明にかかる半導体ウェハの塗膜形成方法は、半導体ウェ
ハの主面上に塗布液を滴下し、スピンコート法により塗
布液層を形成する。半導体ウェハの塗膜形成方法は、半
導体ウェハの主面上にその略中央部から第１回目の塗布
液を滴下した後にこの半導体ウェハを低速回転させて外
周部の近傍付近まで塗布液を拡散させる第１の工程と、
半導体ウェハを塗膜厚を規定する所定の高速回転数に切
り替えて回転させた状態でその略中央部から第２回目の
塗布液を滴下することによってその主面全体に塗布液層
を形成するとともに余剰の塗布液を外周部から振り切る
第２の工程とを経て塗布液層を形成する。以上のように
構成された本発明にかかる半導体ウェハの塗膜形成方法
によれば、第１の工程において半導体ウェハが低速回転
されることによって段差の大きな部位等に対して滴下さ
れた第１回目の塗布液が確実に充填されるとともにその
状態が保持され全体として塗布液が拡散しやすい主面状
態が生成される。半導体ウェハの塗膜形成方法によれ
ば、第２の工程において滴下された第２回目の塗布液が
高速回転される半導体ウェハの主面を遠心力によって円
滑に拡散して、全面に亘って均一でかつ所定の膜厚を有
する塗布液層を形成する。したがって、半導体ウェハの
塗膜形成方法によれば、段差が大きく或るいは大パター
ン部を有する凹凸パターンが形成された半導体ウェハに
対しても、ストリエーションの発生も無くかつ均一で所
定の膜厚を有する高精度の塗布液層を形成する。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。実施の形態として
示す塗膜形成方法も、半導体製造装置の塗布溶液塗布工
程に供給された半導体ウェハ１に対して、その主面１ａ
に塗布液５をスピンコート法によって塗布して塗布液層
６を形成する。半導体ウェハ１は、その主面１ａに高段
差、大パターン部２ａを有する凹凸パターン２が形成さ
れている。塗膜形成方法は、半導体ウェハ１を低速で回
転させた状態でその主面１ａに第１回目の塗布液１０を
滴下して塗布する第１の工程と、高速回転に切り替えた
状態でその主面１ａに第２回目の塗布液１１を滴下して
塗布する第２の工程とを経て、塗布液層６を形成するこ
とを特徴とする。
て、図面を参照して詳細に説明する。実施の形態として
示す塗膜形成方法も、半導体製造装置の塗布溶液塗布工
程に供給された半導体ウェハ１に対して、その主面１ａ
に塗布液５をスピンコート法によって塗布して塗布液層
６を形成する。半導体ウェハ１は、その主面１ａに高段
差、大パターン部２ａを有する凹凸パターン２が形成さ
れている。塗膜形成方法は、半導体ウェハ１を低速で回
転させた状態でその主面１ａに第１回目の塗布液１０を
滴下して塗布する第１の工程と、高速回転に切り替えた
状態でその主面１ａに第２回目の塗布液１１を滴下して
塗布する第２の工程とを経て、塗布液層６を形成するこ
とを特徴とする。
【００１０】このため、塗布溶液塗布装置は、回転テー
ブル３が図示しない回転制御付きの駆動機構によって回
転駆動されるようにし、自動切替え機構により例えば５
０ｒｐｍの低速回転と半導体ウェハ１の主面１ａに所定
の膜厚を形成する例えば３５００ｒｐｍの高速回転とに
切り替えられる構成となっている。また、塗布溶液塗布
装置は、ノズル４を介して半導体ウェハ１に塗布液５を
供給する図示しない塗布液供給部に、塗布液５の滴下量
を調整する調整機構が付設されている。
ブル３が図示しない回転制御付きの駆動機構によって回
転駆動されるようにし、自動切替え機構により例えば５
０ｒｐｍの低速回転と半導体ウェハ１の主面１ａに所定
の膜厚を形成する例えば３５００ｒｐｍの高速回転とに
切り替えられる構成となっている。また、塗布溶液塗布
装置は、ノズル４を介して半導体ウェハ１に塗布液５を
供給する図示しない塗布液供給部に、塗布液５の滴下量
を調整する調整機構が付設されている。
【００１１】半導体ウェハ１には、その主面１ａに、例
えばフォトグラフィーレジスト膜や拡散ソース或いは平
坦化膜等に用いるＳＯＧ膜、表面保護膜等の薄膜を形成
するために塗布液５が滴下されて、全体が均一な厚みの
塗布液層６が形成される。塗布液５は、所定の塗膜成分
を適宜の揮発性溶媒、例えば乳酸エチルやエトキシエチ
レン等によって希釈することにより、適宜の流動性を以
って調製される。塗布液５は、後述する塗布工程を経る
ことによって溶媒が蒸発し、半導体ウェハ１の主面１ａ
上に塗膜成分による塗布液層６を形成する。
えばフォトグラフィーレジスト膜や拡散ソース或いは平
坦化膜等に用いるＳＯＧ膜、表面保護膜等の薄膜を形成
するために塗布液５が滴下されて、全体が均一な厚みの
塗布液層６が形成される。塗布液５は、所定の塗膜成分
を適宜の揮発性溶媒、例えば乳酸エチルやエトキシエチ
レン等によって希釈することにより、適宜の流動性を以
って調製される。塗布液５は、後述する塗布工程を経る
ことによって溶媒が蒸発し、半導体ウェハ１の主面１ａ
上に塗膜成分による塗布液層６を形成する。
【００１２】半導体ウェハ１は、脱脂処理やエアー吹き
による塵埃除去等の前処理が施されて回転テーブル３上
に載置され、芯出しされた状態で図示しない真空チャッ
キング手段によってチャッキングされる。半導体ウェハ
１には、回転テーブル３の停止状態或いは上述した低速
回転状態において、図１に示すようにその略中央部の上
方位置に配置したノズル４から所定量の第１回目の塗布
溶液１０が主面１ａ上に滴下される。
による塵埃除去等の前処理が施されて回転テーブル３上
に載置され、芯出しされた状態で図示しない真空チャッ
キング手段によってチャッキングされる。半導体ウェハ
１には、回転テーブル３の停止状態或いは上述した低速
回転状態において、図１に示すようにその略中央部の上
方位置に配置したノズル４から所定量の第１回目の塗布
溶液１０が主面１ａ上に滴下される。
【００１３】第１回目の塗布溶液１０は、低速で回転駆
動される半導体ウェハ１に生じる遠心力とその流動特性
とによって、図２に示すように主面１ａの中央部から外
周部へと次第に拡散していく。第１回目の塗布溶液１０
は、同図に示すように中央部が盛り上がった状態であ
り、半導体ウェハ１を介して大きな遠心力が作用される
ことがないので、振り切られることなく主面１ａをゆっ
くりと拡散していく。第１回目の塗布溶液１０は、主面
１ａに形成された大凹凸パターン部２ａ内にも確実に充
填され、またこの充填状態が保持される。
動される半導体ウェハ１に生じる遠心力とその流動特性
とによって、図２に示すように主面１ａの中央部から外
周部へと次第に拡散していく。第１回目の塗布溶液１０
は、同図に示すように中央部が盛り上がった状態であ
り、半導体ウェハ１を介して大きな遠心力が作用される
ことがないので、振り切られることなく主面１ａをゆっ
くりと拡散していく。第１回目の塗布溶液１０は、主面
１ａに形成された大凹凸パターン部２ａ内にも確実に充
填され、またこの充填状態が保持される。
【００１４】半導体ウェハ１は、第１回目の塗布溶液１
０が主面１ａの外周部近傍の位置まで拡散されると、自
動切替え機構が動作して回転テーブル３が高速回転に切
り替えられることによって高速で回転される。この回転
切替え動作は、滴下された第１回目の塗布溶液１０が半
導体ウェハ１の主面１ａのほぼ７０％乃至８０％程度拡
散された状態、具体的には滴下時から約３秒が経過した
時点で行われる。
０が主面１ａの外周部近傍の位置まで拡散されると、自
動切替え機構が動作して回転テーブル３が高速回転に切
り替えられることによって高速で回転される。この回転
切替え動作は、滴下された第１回目の塗布溶液１０が半
導体ウェハ１の主面１ａのほぼ７０％乃至８０％程度拡
散された状態、具体的には滴下時から約３秒が経過した
時点で行われる。
【００１５】半導体ウェハ１には、この高速回転状態
で、図３に示すようにノズル４から第２回目の塗布溶液
１１がその主面１ａ上に滴下される。この第２回目の塗
布溶液１１は、第１回目の塗布溶液１０の滴下量に対し
て、塗布液供給部の供給量調整機構によって調整された
約１／２程度の量が滴下される。塗布溶液５は、半導体
ウェハ１に対して、第１回目の塗布溶液１０と第２回目
の塗布溶液１１とを合算した量が滴下されるが、全体量
として従来の約１．３倍程度の量である。
で、図３に示すようにノズル４から第２回目の塗布溶液
１１がその主面１ａ上に滴下される。この第２回目の塗
布溶液１１は、第１回目の塗布溶液１０の滴下量に対し
て、塗布液供給部の供給量調整機構によって調整された
約１／２程度の量が滴下される。塗布溶液５は、半導体
ウェハ１に対して、第１回目の塗布溶液１０と第２回目
の塗布溶液１１とを合算した量が滴下されるが、全体量
として従来の約１．３倍程度の量である。
【００１６】塗布溶液５は、上述したタイミングによっ
て第１回目の塗布溶液１０の滴下後に第２回目の塗布溶
液１１が滴下されるが、この場合第１回目の塗布溶液１
０の揮発性溶媒が蒸発する前の状態で第２回目の塗布溶
液１１が混合されることになる。塗布溶液５は、半導体
ウェハ１の主面１ａ上をゆっくりと拡散することにより
不均一な状態となった第１回目の塗布溶液１０が第２回
目の塗布溶液１１と混合されることによって全体として
均一な状態となる。
て第１回目の塗布溶液１０の滴下後に第２回目の塗布溶
液１１が滴下されるが、この場合第１回目の塗布溶液１
０の揮発性溶媒が蒸発する前の状態で第２回目の塗布溶
液１１が混合されることになる。塗布溶液５は、半導体
ウェハ１の主面１ａ上をゆっくりと拡散することにより
不均一な状態となった第１回目の塗布溶液１０が第２回
目の塗布溶液１１と混合されることによって全体として
均一な状態となる。
【００１７】半導体ウェハ１は、回転テーブル３の高速
回転によって所定の遠心力が生じて第１回目の塗布溶液
１０と第２回目の塗布溶液１１とが混合した塗布溶液５
をその中央部から外周部へと拡散させる。半導体ウェハ
１は、第１回目の塗布溶液１０が大凹凸パターン部２ａ
内に充填された状態にあることから、主面１ａが塗布溶
液５を拡散させやすい状態となっている。したがって、
塗布溶液５は、図４に示すように半導体ウェハ１の主面
１ａの全体に亘って、例えば数千Å乃至数 ｍ程度の膜
厚を以って均一に拡散する。半導体ウェハ１において
は、余剰の塗布液５が外周部から次第に振り切られ、所
定時間の経過後に回転テーブル３が停止されることでそ
の回転が停止する。半導体ウェハ１は、これによって塗
布液５の溶媒が蒸発し、図４及び図５に示すようにその
塗膜成分が主面１ａの全体に亘って均一な膜厚を以って
密着して塗布液層６が形成される。
回転によって所定の遠心力が生じて第１回目の塗布溶液
１０と第２回目の塗布溶液１１とが混合した塗布溶液５
をその中央部から外周部へと拡散させる。半導体ウェハ
１は、第１回目の塗布溶液１０が大凹凸パターン部２ａ
内に充填された状態にあることから、主面１ａが塗布溶
液５を拡散させやすい状態となっている。したがって、
塗布溶液５は、図４に示すように半導体ウェハ１の主面
１ａの全体に亘って、例えば数千Å乃至数 ｍ程度の膜
厚を以って均一に拡散する。半導体ウェハ１において
は、余剰の塗布液５が外周部から次第に振り切られ、所
定時間の経過後に回転テーブル３が停止されることでそ
の回転が停止する。半導体ウェハ１は、これによって塗
布液５の溶媒が蒸発し、図４及び図５に示すようにその
塗膜成分が主面１ａの全体に亘って均一な膜厚を以って
密着して塗布液層６が形成される。
【００１８】なお、本発明は、上述した実施の形態で説
明した塗膜形成方法に限定されるものでは無いことは勿
論である。半導体ウェハ１は、形成される塗布液層６の
特性によって、低速回転と高速回転の回転数が適宜選定
されて回転駆動され、また第１回目の塗布溶液１０と第
２回目の塗布溶液１１の滴下量が調整される。
明した塗膜形成方法に限定されるものでは無いことは勿
論である。半導体ウェハ１は、形成される塗布液層６の
特性によって、低速回転と高速回転の回転数が適宜選定
されて回転駆動され、また第１回目の塗布溶液１０と第
２回目の塗布溶液１１の滴下量が調整される。
【００１９】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明にか
かる半導体ウェハの塗膜形成方法によれば、半導体ウェ
ハを低速回転するとともに第１回目の塗布液を滴下する
第１の工程と、半導体ウェハを高速回転するとともに第
２回目の塗布液を滴下する第２の工程とを経るスピンコ
ート法を採用したことから、第１の工程において段差の
大きな部位等に対しても第１回目の塗布液が確実に充填
されるとともにその状態が保持されて全体として塗布液
が拡散しやすい主面状態が生成され、第２の工程におい
て第１回目の塗布液と第２回目の塗布液とが混合してな
る塗布液が半導体ウェハの主面を遠心力によって円滑に
拡散して全面に亘って均一でかつ所定の膜厚を有する塗
布液層を形成する。したがって、半導体ウェハの塗膜形
成方法によれば、段差が大きく或るいは大パターン部を
有する凹凸パターンが形成された半導体ウェハに対して
も、ストリエーションの発生も無くかつ均一で所定の膜
厚を有する塗布液層が形成されることで、高精度の半導
体ウェハを歩留りよく製造することが可能とする。
かる半導体ウェハの塗膜形成方法によれば、半導体ウェ
ハを低速回転するとともに第１回目の塗布液を滴下する
第１の工程と、半導体ウェハを高速回転するとともに第
２回目の塗布液を滴下する第２の工程とを経るスピンコ
ート法を採用したことから、第１の工程において段差の
大きな部位等に対しても第１回目の塗布液が確実に充填
されるとともにその状態が保持されて全体として塗布液
が拡散しやすい主面状態が生成され、第２の工程におい
て第１回目の塗布液と第２回目の塗布液とが混合してな
る塗布液が半導体ウェハの主面を遠心力によって円滑に
拡散して全面に亘って均一でかつ所定の膜厚を有する塗
布液層を形成する。したがって、半導体ウェハの塗膜形
成方法によれば、段差が大きく或るいは大パターン部を
有する凹凸パターンが形成された半導体ウェハに対して
も、ストリエーションの発生も無くかつ均一で所定の膜
厚を有する塗布液層が形成されることで、高精度の半導
体ウェハを歩留りよく製造することが可能とする。
【図１】本発明にかかる半導体ウェハの塗膜形成方法の
実施の形態として示す工程図であり、半導体ウェハの主
面上に第１回目の塗布液を滴下した状態を示す。
実施の形態として示す工程図であり、半導体ウェハの主
面上に第１回目の塗布液を滴下した状態を示す。
【図２】同工程図であり、半導体ウェハを低速回転させ
る状態を示す。
る状態を示す。
【図３】同工程図であり、半導体ウェハの主面上に第２
回目の塗布液を滴下した状態を示す。
回目の塗布液を滴下した状態を示す。
【図４】同工程図であり、半導体ウェハを高速回転させ
る状態を示す。
る状態を示す。
【図５】同塗膜形成方法によって塗布液層が形成された
半導体ウェハの斜視図である。
半導体ウェハの斜視図である。
【図６】従来の半導体ウェハの塗膜形成方法の実施の形
態として示す工程図であり、半導体ウェハの主面上に塗
布液を滴下した状態を示す。
態として示す工程図であり、半導体ウェハの主面上に塗
布液を滴下した状態を示す。
【図７】同工程図であり、半導体ウェハを回転させた状
態を示す。
態を示す。
【図８】同工程図であり、半導体ウェハの回転を停止さ
せた状態を示す。
せた状態を示す。
【図９】同塗膜形成方法によって塗布液層が形成された
半導体ウェハの斜視図である。
半導体ウェハの斜視図である。
１ 半導体ウェハ １ａ 主面 ２ 凹凸パターン ３ 回転テーブル ４ ノズル ５ 塗布液 ６ 塗布液層 １０ 第１塗布液 １１ 第２塗布液
Claims (3)
- 【請求項１】 主面に高段差かつ大パターン部を有する
凹凸パターンが形成された半導体ウェハの主面上に塗布
液を滴下し、スピンコート法により塗布液層を形成する
半導体ウェハの塗膜形成方法において、 前記半導体ウェハの主面上に、その略中央部から第１回
目の塗布液を滴下した後にこの半導体ウェハを低速回転
させて外周部の近傍付近まで前記塗布液を拡散させる第
１の工程と、 前記半導体ウェハを、塗膜厚を規定する所定の高速回転
数に切り替えて回転させた状態で、その略中央部から第
２回目の塗布液を滴下することによってその主面全体に
塗布液層を形成するとともに余剰の塗布液を外周部から
振り切る第２の工程とを経ることを特徴とする半導体ウ
ェハの塗膜形成方法。 - 【請求項２】 前記第２の工程は、滴下される前記第２
回目の塗布液の滴下量が、前記第１の工程で滴下される
前記第１回目の塗布液の滴下量の約１／２であることを
特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハの塗膜形成方
法。 - 【請求項３】 前記第２の工程は、前記第２回目の塗布
液の滴下が、前記第１の工程で滴下された前記第１回目
の塗布液の溶媒が蒸発する前に行われることを特徴とす
る請求項１又は請求項２に記載の半導体ウェハの塗膜形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35747299A JP2001176775A (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 半導体ウェハの塗膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35747299A JP2001176775A (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 半導体ウェハの塗膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001176775A true JP2001176775A (ja) | 2001-06-29 |
Family
ID=18454306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35747299A Pending JP2001176775A (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | 半導体ウェハの塗膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001176775A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006198450A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護被膜の被覆方法 |
| JP2008006379A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護被膜の被覆方法 |
| JP2008207171A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-09-11 | Commissariat A L'energie Atomique | 少なくとも１つの窪み領域を備える支持体の表面にポリマ層を堆積する方法 |
| JP2010272802A (ja) * | 2009-05-25 | 2010-12-02 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布処理方法及びレジストパターンの形成方法。 |
| JP2014060269A (ja) * | 2012-09-18 | 2014-04-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護被膜被覆方法 |
| CN105658414A (zh) * | 2013-10-24 | 2016-06-08 | 东洋制罐集团控股株式会社 | 具有凹凸表面的塑料成形体 |
| JP2017143131A (ja) * | 2016-02-09 | 2017-08-17 | 株式会社ディスコ | 被加工物の樹脂被覆方法及び被加工物の加工方法 |
| CN114310653A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-04-12 | 山东有研半导体材料有限公司 | 一种高品质几何参数抛光片的有蜡贴片工艺 |
-
1999
- 1999-12-16 JP JP35747299A patent/JP2001176775A/ja active Pending
Cited By (10)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2008006379A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護被膜の被覆方法 |
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| CN114310653A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-04-12 | 山东有研半导体材料有限公司 | 一种高品质几何参数抛光片的有蜡贴片工艺 |
| CN114310653B (zh) * | 2021-11-29 | 2024-04-16 | 山东有研半导体材料有限公司 | 一种高品质几何参数抛光片的有蜡贴片工艺 |
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