JPH0462069B2 - - Google Patents

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JPH0462069B2
JPH0462069B2 JP57190250A JP19025082A JPH0462069B2 JP H0462069 B2 JPH0462069 B2 JP H0462069B2 JP 57190250 A JP57190250 A JP 57190250A JP 19025082 A JP19025082 A JP 19025082A JP H0462069 B2 JPH0462069 B2 JP H0462069B2
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JP
Japan
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substrate
resist film
developer
nozzle
nozzles
Prior art date
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JP57190250A
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English (en)
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JPS5978342A (ja
Inventor
Juji Fukuda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Priority to US06/545,329 priority patent/US4564280A/en
Priority to DE8383306538T priority patent/DE3369204D1/de
Priority to EP83306538A priority patent/EP0110558B1/en
Publication of JPS5978342A publication Critical patent/JPS5978342A/ja
Publication of JPH0462069B2 publication Critical patent/JPH0462069B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (a) 発明の技術分野 本発明はレジスト膜の現像方法に係り、特にレ
ジスト膜現像液の滴下方法の改善に関するもので
ある。
(b) 技術の背景 精密微細加工技術、特に半導体集積回路の製造
工程では、基板上にレジスト膜を塗布し、これを
フオトマスクを介して露光した後、現像してパタ
ーニングすることが頻繁に行われている。また同
時に経済性と高速化による特性の向上を目的とし
てパターンの高集積化が進行し、フオトプロセス
の過程で、均一、かつ平滑なレジスト膜を形成す
ることと、現像工程における現像むらをなくする
ことが要求されている。
(c) 従来技術と問題点 従来のレジスト膜の現像方法について図面を参
照して説明する。第1図は従来のレジスト膜の現
像方法に適用した現像装置の概略構成図である。
同図において、1はレジスト現像液を滴下する
ノズル、2は基板3上に塗布され、かつフオトマ
スクを会して露光されたレジスト膜であり、該ノ
ズル1は前記基板3の回転中心の上方に、一端部
が基板3の外方で軸支(図示省略)されたノズル
アーム4によつて保持されている。
5は前記基板3を配置する載置台、5aは載置
台5に基板3を吸着固定する回転軸を兼ねた真空
チヤツク、6は回転軸を兼ねた真空チヤツク5a
を介して載置台5を回転させる駆動モータ、7は
前記基板3を配置した載置台5の周囲を包囲する
側壁、8は基板3上より飛散される現像液を排出
するための排出孔である。
しかして、上記した従来の現像装置を用いて前
記基板3上のレジスト膜2を現像する場合、前記
駆動モーター6を停止した状態の載置台5上に前
記レジスト膜2を有する基板3を真空チヤツク5
aにて吸着固定する。
次いで駆動モーター6により前記基板3を所定
の速度で回転させた状態で、第2図に示すように
該基板3の回転中心上のAの位置にノズル1を保
持したノズルアーム4を、その一端部を支点にし
て該アーム4の長さ方向と交わる方向に移動さ
せ、基板3の周縁部上のBとの間を往復運動させ
ながら前記ノズル1より現像液を前記レジスト膜
2上に滴下して該レジスト膜2を所定時間現像し
た後、現像液の滴下を停止して前記ノズルアーム
4を基板上面外のCの位置に移動させる。
次いで前記基板1面上の現像液を回転による遠
心分離作用により飛散除去して乾燥し、微細なレ
ジストパターンを形成している。一方、飛散除去
された現像液は周囲の側壁7に当接し、下方へ伝
わつて流れて排出孔8より排出される。
しかしながら、上述した従来の現像方法におい
ては、レジスト膜2を有する基板3の中心部と周
縁部とで表面積及び回転速度が異なるため、現像
液の供給が不均一となり、また基板中心部より周
縁部へと現像が進行するので、その進行方向に現
像むらが生じる。例えば該周縁部の現像が終了し
た時点で第3図aに示すように基板3の周縁部上
にパターン精度の良好なレジストパターン21が
形成されるのに対して、基板3の中心部上のレジ
ストパターン22は第3図bに示すようにオーバ
現像となり、不均一な膜減りによつてレジスト膜
2全面の均一な現像が難しいという問題があつ
た。
(d) 発明の目的 本発明は上記した従来の問題点に鑑み、露光し
たレジスト膜上に現像液を均等に滴下供給するよ
うにして、該レジスト膜の全面にわたり均一に、
かつ安定して(再現性良く)現像し得るようにし
た新規なレジスト膜の現像方法を提供することを
目的とするものである。
(e) 発明の構成 上記の目的は、基板3上に塗布されたレジスト
膜2の現像方法であつて、前記基板3上に個別に
現像液を滴下自在な複数個の現像液滴下ノズル1
1,12,13,14を該ノズル間の間隔が前記
基板の回転中心側で広くなるように配列してなる
ノズルアーム4を設け、該ノズルアーム4の前記
基板3の外方に位置する一端部を一軸支点で支持
して該ノズルアーム4をそのノズルの配列方向と
交わる方向に前記基板3の回転中心と周縁部との
間で往復回動せしめ、基板3上の異なる位置に前
記ノズルアーム4を位置させた状態で前記ノズル
11,12,13,14より現像液を回転する基
板3上に滴下して前記レジスト膜2を現像するよ
うにした本発明のレジスト膜の現像方法によつて
達成される。
本発明では、ノズルアームに設けられた複数の
ノズル相互の間隔を、(ノズルアーム乃至ノズル
アームの延長線がウエハ等の基板の回転中心と交
差する位置にある時に、)ウエハの回転中心に近
い側でより粗に、逆にウエハの回転中心から離れ
るほどより密になるように配置している。
本発明は、ウエハが回転しつつ、ノズルアーム
をスイングさせた時に均一塗布の効果が得られる
ようにノズル間隔を調節した点に特徴を有する。
先ずは、ノズルアームをスイングさせた本願の
特徴を述べるに先立ち、ノズルアームを移動させ
ない場合に均一塗布する工夫について説明する。
ウエハを回転させると、ウエハの外側と内側と
では同一角速度で回転するので、外側と内側とで
は一定時間の移動距離は、外側でより長く、内側
でより短くなる。すると、ウエハの外側と内側と
に同じ量を吐出するノズルを配置した場合には、
単位面積当たり内側ではより多く、外側ではより
少ない現像液に晒されることになつて、ウエハの
外側と内側とで、内側の方がより多い現像液に晒
されることになつてしまう。このことを是正する
ように、本発明では、複数のノズル相互の間隔
を、(ノズルアーム乃至ノズルアームの延長線が
ウエハの回転中心と交差する位置にある時に、)
ウエハの回転中心に近い側でより粗に、逆にウエ
ハの回転中心から離れるほどより密になるように
配置している。
以上はノズルアームを移動させない場合の工夫
について述べたものであるが、さらに均一塗布の
効果を得るためには、実際にはノズルアームをス
イングさせる必要がある。
ノズルアームがスイングしてウエハの端部に近
づき、第5図Bのように、複数のノズルから吐出
した現像液がウエハ面の同一円上に流れることに
なる。すると、均一塗布のためには、スイングさ
せない場合に比較して、複数のノズル相互の間隔
をごくわずかだけウエハの回転中心に近い側でよ
り密に、逆にウエハの回転中心から離れるほどよ
り粗になるように調節する必要が生じる。しかし
ながら、ノズルアームをスイングさせることによ
るノズル間隔の補正はわずかなもので、実際には
この補正を施してもなお、複数のノズル相互の間
隔を、(ノズルアーム乃至ノズルアームの延長線
がウエハの回転中心と交差する位置にある時に、)
ウエハの回転中心に近い側でより粗に、逆にウエ
ハの回転中心から離れるほどより密になるように
配置することになる。
(f) 発明の実施例 以下図面を参照して本発明の実施例について詳
細に説明する。
第4図は本発明のレジスト膜の現像方法の一実
施例を実施するための現像装置の概略構成図、第
5図は本発明のレジスト膜の現像方法の一実施例
を説明するための模式的平面図である。なお、第
前述の第1図及び第2図と同等部分には同一符号
を付してあり、4図及び第5図において、3は露
光されたレジスト膜を有する被現像基板、4はそ
の一端部が基板3の外方に位置する図示しない回
動軸に支持され、他端部が基板の回転中心上に位
置するように回動可能に構成されたノズルアーム
である。このノズルアーム4には、第4図および
第5図に示したごとく、4個の現像液滴下ノズル
11,12,13,14が、そのノズル間の間隔
が前記基板の回転中心側では広くなるように配列
されている。そして、各々の現像液滴下ノズル1
1,12,13,14には、第5図に示すよう
に、各ノズルごとに現像液滴下量調整器111,
121,131,141が現像液供給管112,
122,132,142によつて連結され、各々
のノズルから個別に調整された量の現像液を滴下
できるようになつている。
かかる構造の現像装置を用いて基板3上に塗布
されたレジスト膜2を現像する際は、載置台4上
に保持した基板3を駆動モーター6により、500
〜1000rpmで回転させ、この状態で、第5図に示
すごとく、ノズルアーム4をその一端部を支持す
る回動軸(図示せず)を支点にして基板の回転中
心上の位置Aと周縁部上の位置Bとの間を往復回
動させながら、回転する基板3のレジスト膜2の
上に各現像液滴下ノズル11,12,13,14
から各々調整された量の現像液を滴下する。この
ようにすると、基板上でその回転中心から半径方
向におけるノズルとノズルとの間の間隔が常に基
板の回転中心側ではなく広く基板の周縁部側では
狭くなるように配列するようになるので、基板の
中心部に比べてより面積が大きくかつか回転速度
の速い、即ち、単位時間あたりの被現像液滴下面
積がより大きいが故に中心部に比べて単位時間あ
たりより多くの現像液の滴下が要求される基板の
周縁部に、より多くの現像液を効果的に滴下する
ことができ、更に、各現像液滴下ノズル11,1
2,13,14に個別に接続された現像液滴下量
調整器111,121,131,141によりそ
れぞれの滴下量を微調整することにより、基板3
のレジスト膜2の全面に現像液を均等に供給する
ことができるので、現像をレジスト膜2の面内で
その位置によらず均一に行うことができる。この
結果、第3図aに示すような良好な形状のレジス
トパターン21を、基板3の一主面上に均一に形
成することが可能となる。
以上が、一実施例を用いた本発明の説明であ
る。
ところで、以上の一実施例では、現像液滴下量
調整器を各ノズルに対応して設けており、個別に
流量を調節し各ノズルからの吐出量を調節可能な
構成になつてはいる。しかし、この現像液滴下量
調節器だけによる調節には限界がある。
本来現像液滴下量調節器を設けた目的は、ノズ
ルまで現像液を供給するための配管が細かくしか
形成できないことに関連がある。ノズルアームの
大きさには設計上制限があるうえに、ノズルから
の滴下量を正確にしようとすると、各ノズルまで
個別に配管することが望ましいため、多数の配管
が必要になる。現像液は粘性を帯びたものである
ために、細いうえにある程度距離のある配管は、
ノズルアームが動作することもあつて、抵抗を受
け吐出量が変化してしまいがちである。あるい
は、使用途中でノズルが塞がつて当初の大きさよ
りも開口径が小さくなつてしまいがちで、次第に
吐出量が変化してしまうこともある。現像液滴下
量調節器を設けた目的は、これらの問題を解決し
て、使用履歴が延びることにしたがつて生じる吐
出量の変化をごく微小量の調節を行つて、ノズル
そのものを取り替えることなく均一塗布の効果を
継続して得る点にある。
現像液滴下量調節器そのもので、均一塗布の効
果を得るように調節することは非常に難しい。な
ぜなら、単純に同一形状、同一間隔に複数個のノ
ズルをアームに開口して設け、現像液滴下量調節
器のみで均一塗布の効果を得ようとすると、各ノ
ズルからの吐出量が異なる分だけ各々のノズルか
らの吐出のされ方が異なり、醜い時には噴霧に近
い状態になつてしまう可能性もある。
(g) 発明の効果 以上の説明から明らかなように、本発明に係る
レジスト膜の現像方法によれば、レジスト膜(露
光された)を有する基板上に、それぞれ個別に現
像液の滴下量調整を可能とした複数個の現像液滴
下ノズルを該基板の周縁部から回転中心方向に配
列するように設けたノズルアームを対向配置し、
該ノズルアームを基板外方で軸支している一端部
を支点にして当該アームを前記ノズル配列方向と
交わる方向に前記基板の回転中心と周縁部との間
を往復運動させると共に、各ノズルより滴下量が
調整された現像液を前記基板上に滴下することに
よつて、レジスト膜の現像が全面にわたつて均一
に行われ、均一なレジストパターンを安定して、
換言すれば再現性良く形成することが可能とな
る。
従つて、高品質なレジストパターンの取得率向
上など、信頼性、歩留りの向上に大きく寄与する
ことができ、優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のレジスト膜の現像方法に適用し
た現像装置の概略構成図、第2図は従来のレジス
ト膜の現像方法を説明するための模式的平面図、
第3図a及びbは現像状態を説明するための要部
拡大断面図、第4図は本発明に係るレジスト膜の
現像方法の一実施例を実施するための現像装置の
概略構成図、第5図は本発明に係るレジスト膜の
現像方法の一実施例を説明するための模式的平面
図、第4図及び第5図において、 2はレジスト膜、3は基板、6は駆動モータ
ー、11,12,13,14は現像液滴下ノズ
ル、111,121,131,141は現像液滴
下量調整器、112,122,132,142は
現像液供給管をそれぞれ示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 基板3上に塗布されたレジスト膜2の現像方
    法であつて、前記基板3上に個別に現像液を滴下
    自在な複数個の現像液滴下ノズル11,12,1
    3,14を該ノズル間の間隔が前記基板の回転中
    心側で広くなるように配列してなるノズルアーム
    4を設け、該ノズルアーム4の前記基板3の外方
    に位置する一端部を一軸支点で支持して該ノズル
    アーム4をそのノズルの配列方向と交わる方向に
    前記基板3の回転中心と周縁部との間で往復回動
    せしめ、基板3上の異なる位置に前記ノズルアー
    ム4を位置させた状態で前記ノズル11,12,
    13,14より現像液を回転する基板3上に滴下
    して前記レジスト膜2を現像する工程が含まれて
    なることを特徴とするレジスト膜の現像方法。
JP19025082A 1982-10-28 1982-10-28 レジスト膜の現像方法 Granted JPS5978342A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19025082A JPS5978342A (ja) 1982-10-28 1982-10-28 レジスト膜の現像方法
US06/545,329 US4564280A (en) 1982-10-28 1983-10-25 Method and apparatus for developing resist film including a movable nozzle arm
DE8383306538T DE3369204D1 (en) 1982-10-28 1983-10-27 Method and apparatus for use in developing resist film
EP83306538A EP0110558B1 (en) 1982-10-28 1983-10-27 Method and apparatus for use in developing resist film

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JP19025082A JPS5978342A (ja) 1982-10-28 1982-10-28 レジスト膜の現像方法

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JPS5978342A JPS5978342A (ja) 1984-05-07
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JPH0695401B2 (ja) * 1984-02-27 1994-11-24 株式会社日立製作所 光ディスクのスピン現像方法及び装置
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