KR19980066284A - 포토테지스트 도포장치 및 도포방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 사진식각을 위하여 웨이퍼 상에 도포되는 포토레지스트(Photoresist)의 막 두께를 균일하게 도포할 수 있는 도포장치 및 도포방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면 웨이퍼 상에 포토레지스트를 도포하는 포토레지스트 도포장치는 웨이퍼를 자전시키는 수단과, 상기 자전과 동시에 웨이퍼를 공전시키는 수단을 포함한다. 또한 공전수단은 소정속도로 회전하는 제 1 스피너와, 제 1 스피너에 회전 가능하게 연결되어 자전수단을 지지하는 회전체를 포함하고, 자전수단은 공전수단의 회전체의 에지상에 장착되어 회전하는 제 2 스피너와, 제 2 스피너 위에 장착되어 웨이퍼를 진공 흡입하는 진공 척을 포함한다.

Description

포토레지스트 도포장치 및 도포방법
본 발명은 포토레지스트 도포장치 및 도포방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 사진식각을 위하여 웨이퍼 상에 도포되는 포토레지스트(Photoresist)의 막 두께를 균일하게 도포할 수 있는 도포장치 및 도포방법에 관한 것이다.
일련의 제조공정을 거쳐 제작되는 반도체 장치는 각각의 공정마다 패턴을 형성하기 위해 포토레지스트가 도포된다. 웨이퍼 상에 포토레지스트를 도포하는데는 여러 가지 방법이 사용되는 바, 액체의 경우에는 보통 담그거나 뿌리거나 굴리거나 해서 도포한다. 액체에 담그는 것은 웨이퍼의 양면에 묻기 때문에 반도체에서는 부적합하다. 뿌리는 방법 역시 웨이퍼 뒷면에도 묻을 우려가 있어서 부적합하다. 또한 굴려서 도포하는 방법은 인쇄회로기판 등에 포토레지스트를 칠할 때 사용되는 방법으로써 두께조절이 어려워 반도체에는 부적합하다. 따라서 이러한 여러 가지 방법의 단점을 해결하기 위해 채택된 것이 스핀 코팅(spin coating)방법이다.
스핀 코팅은 포토레지스트 막의 엄격한 두께조절에 가장 적합한 기술로 스핀 코팅에 의해 형성되는 포토레지스트 막의 두께는 0.5㎛의 두께에서 10%이내의 오차를 가진다. 이와 같은 스핀 코팅에는 통상 스피너(spinner)라는 회전장치가 사용된다.
도 1에는 일반적인 도포장치의 구조가 개략적으로 도시되어 있다.
도시된 바와 같이, 웨이퍼(10)는 진공 척(7) 위에 진공 흡입되어 고정되어 있으며, 이 상태에서 스피너(5)에 의해 함께 회전한다. 보울(bowl; 8)은 웨이퍼(10)가 회전하는 경우 웨이퍼 상에 디스펜스된 포토레지스트가 비산되는 것을 방지하기 위해 상부 외측에 설치되어 있고, 이 보울(8)의 아래쪽으로는 배기구(9)가 설치되어 있다. 또한 최하부에는 보울(8)에 의해 차단되어 아래로 낙하하는 포토레지스트를 모아두는 캣치컵(11)이 설치되어 있다.
이와 같은 도포장치를 이용하여 포토레지스트를 도포하는 방법을 이하 설명한다.
먼저, 웨이퍼가 탑재된 카세트(2)가 엘리베이터(미도시)에 의해 상승하여 대상 웨이퍼(10)가 진공 척(7)위에 놓인다.
이어 여과된 질소(6)를 웨이퍼(10) 표면에 불어대어 웨이퍼(10)상의 입자를 제거하다.
다음에 포토레지스트(4)와 웨이퍼(10)와의 접착을 좋게 하기 위하여 프라이머(primer; 3)를 도포하는데, 프라이밍 방법으로는 스핀 및 증발이 통상적으로 사용된다. 이외에 증기 프라이밍이나 진공 베이킹 증기 프라이밍 등이 사용될 수도 있다.
프라이밍이 완료된 후에는 포토레지스트(4)를 디스펜스(dispense)한다. 디스펜스에는 두 가지 펌핑 시스템이 있다. 하나는 질소를 사용하는 것으로 포토레지스트는 압축용기에 들어 있고 건조한 질소가 포토레지스트를 팁(tip)쪽으로 밀어주는 방식이다. 다른 하나는 벨로우즈(bellows)가 포토레지스트를 압축해서 팁으로 밀어내는 다이아프램 방식이다. 웨이퍼(10)에 디스펜스하는 포토레지스트의 양은 포토레지스트 막의 두께와 공정변수에 크게 영향을 끼치지는 않지만, 너무 모자라는 경우에는 스피너(5)의 가속력으로 분리되어 웨이퍼 전면을 커버하지 못할 수도 있다. 반면에 너무 많은 경우에는 웨이퍼 뒷면에도 포토레지스트가 묻어 얼라인먼트를 방해한다. 또한 포토레지스트 도포시 다이나믹 디스펜스 사이클이 적용되어, 웨이퍼(10)가 500 RPM정도로 저속회전하는 동안 포토레지스트가 도포되고 도포가 완료된 후에는 고속으로 회전한다.
포토레지스트가 디스펜스된 후에는 스피닝을 시작하여 웨이퍼 전 표면에 포토레지스트가 골고루 퍼지도록 한다.
이어 웨이퍼(10)는 진공 척(7)으로부터 제거되어 용기에 담기거나 후공정으로 소프트 베이크를 위해 오븐에 전달된다.
그러나 이와 같이 스피너를 이용하여 웨이퍼 상에 디스펜스된 포토레지스트를 스피닝하는 경우, 디스펜스된 포토레지스트는 원심력에 의해 웨이퍼의 주변으로 퍼져가는데 웨이퍼의 전 표면에 걸쳐 두께가 균일하게 형성되지 않는다는 문제점이 있다.
종래에는 이러한 문제점들을 해결하기 위해 여러 가지 장치 및 방법들이 제안되어 왔다. 예를 들어 대한민국 특허공고 제 94-10497 호에서는 스피너와 그 주변을 둘러쌓는 외측 보울사이에 내측 보울을 설치하고 이 내측 보울을 승강수단에 의해 웨이퍼가 회전을 정지함과 동시에 상승시켜 웨이퍼의 주변을 감싸게 하여 배기흐름의 속도가 웨이퍼의 중앙부와 주변부에 있어서 모두 상대적으로 균일하게 함으로써 전체에 걸쳐 균일한 두께를 확보할 수 있는 장치가 제안되었다.
또한 대한민국 특허공고 제 93-8859 호에서는 웨이퍼 상부에 포토레지스트를 디스펜스한 후 제 1 속도로 소정시간동안 유지시키는 제 1 단계와, 제 1 속도보다 고속의 제 2 속도로 소정시간 유지하는 제 2 단계와, 제 2 속도로 유지하는 중에 제 2 속도보다 고속의 제 3 속도로 약 1∼2초간 유지한 후 다시 제 2 속도로 유지하는 제 3 단계로 이루어진 스핀 코팅방법이 개시되어 있다. 또한 바람직하게는 상기 제 3 단계는 제 2 단계 중에 2회 이상 실시한다. 이와 같이 함으로써 단차에 따라 굴곡이 발생하는 포토레지스트 층이 형성되어 막 두께의 균일성이 향상된다.
그러나 상기의 장치나 방법들은 웨이퍼의 중심으로부터의 거리에 따라 달라지는 원심력에 의한 표면상의 막 두께의 불균일에 대해서는 개시하고 있지 않다. 즉, 디스펜스된 포토레지스트는 스피너가 회전함에 따라 원심력을 받게되어 웨이퍼 전면에 골고루 퍼지게 되는데 포토레지스트에 작용하는 원심력은 회전하는 웨이퍼의 반경의 제곱에 비례한다. 따라서 웨이퍼상의 각 위치에 따른 원심력은 달라지게 되어 웨이퍼 중앙에서는 거의 0에 가깝고 가장자리부에서는 최대치를 나타낸다. 이러한 차이는 막 두께의 차이와 관련되며 웨이퍼 중앙과 다른 부분과의 막 두께 차이는 피할 수 없다. 이와 같은 현상은 웨이퍼의 구경이 증가할수록, 예를 들어 향후 개발될 12인치 웨이퍼 등에서는 치명적인 막 두께 균일성의 불량을 초래할 것이다. 스피너의 스핀 속도 및 포토레지스트의 점도에 따른 공정변수를 조절함으로써 웨이퍼상의 위치에 따른 막 두께의 불균일을 어느 정도 조절할 수 있다해도 근본적으로 원심력이 0이 되는 웨이퍼 중앙과의 막 두께 차이를 제거할 수는 없다는 것이다.
따라서 웨이퍼의 중앙에서의 원심력이 0이 되지 않도록 함으로써 웨이퍼 상에 포토레지스트를 스핀 코팅하는 경우 전면에 걸쳐 균일한 막 두께를 얻을 수 있는 포토레지스트 도포장치 및 도포방법을 제공하는 것이 본 발명의 목적이다.
도 1은 일반적인 도포장치의 구성도
도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 도포장치의 단면도
도 3은 본 발명의 회전체의 변형예를 나타내는 평면도
도 4는 본 발명의 개념을 설명하기 위한 포토레지스트 막의 단면 프로파일도 5는 본 발명의 다른 실시예에 의한 도포장치의 단면도
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 도포장치의 단면도
본 발명의 기본적인 개념은 스피너에 의해 회전하는 웨이퍼의 중앙이 자전을 하면서 동시에 공전을 하도록 하여 웨이퍼 중앙의 원심력이 0이 되지 않도록 한다는 것이다. 즉, 개별 스피너의 회전에 의한 웨이퍼의 자전으로 발생하는 막 두께의 프로파일과 통합 스피너의 회전에 의한 웨이퍼의 공전으로 발생하는 막 두께의 프로파일을 적절히 조합함으로써 전체적으로 균일한 프로파일의 막 두께를 얻는 것이 본 발명의 기본 개념이다.
본 발명의 일측면에 의하면웨이퍼 상에 포토레지스트를 도포하는 포토레지스트 도포장치는 웨이퍼를 자전시키는 수단과, 상기 자전과 동시에 웨이퍼를 공전시키는 수단을 포함한다.
일실시예로 공전수단은 소정속도로 회전하는 제 1 스피너와, 제 1 스피너에 회전 가능하게 연결되어 자전수단을 지지하는 회전체를 포함하고, 자전수단은 공전수단의 회전체의 에지상에 장착되어 회전하는 제 2 스피너와, 제 2 스피너 위에 장착되어 웨이퍼를 진공 흡입하는 진공 척을 포함한다.
본 발명의 다른 측면에 의하면 제 2 스피너 상에 설치된 진공 척에 상기 웨이퍼를 진공 흡입하다 단계와, 상기 웨이퍼에 상기 포토레지스트를 도포하는 단계와, 상기 제 2 스피너를 회전시켜 상기 웨이퍼를 자전시키는 단계와, 상기 제 2 스피너가 장착된 회전체를 제 1 스피너로 회전시켜 상기 제 2 스피너상의 상기 웨이퍼를 공전시키는 단계를 포함하는 포토레지스트 도포방법이 개시된다.
바람직하게 상기 자전단계에 앞서 제 1 스피너에 대한 제 2 스피너의 위치를 조정하는 단계를 더 포함하고, 위치 조정은 제 1 스피너의 회전으로 생기는 원심력에 의한 웨이퍼상의 포토레지스트 막 두께의 프로파일과 제 2 스피너의 회전으로 생기는 원심력에 의한 웨이퍼상의 포토레지스트 막 두께의 프로파일이 중첩하여 균일한 막 두께의 프로파일이 형성되도록 수행된다.
본 발명에 따르면 포토레지스트가 도포되는 웨이퍼 상에서 원심력이 0이 되는 부분을 원천적으로 제거하기 위해 웨이퍼의 관점에서 자전과 공전을 동시에 수행하여 포토레지스트막 두께의 프로파일을 균일하게 할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대해 보다 상세히 설명한다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 개념을 구체적으로 나타낸 일실시예를 보여주고 있다. 도시된 바와 같이, 제 1 스피너(20)의 축(22)은 회전 원판(24)의 중심에 연결되어 있고, 회전 원판(24)의 에지상에는 제 2 스피너(30)가 설치되어 축(32)에 진공 척(34)이 연결되고 그 위에 웨이퍼(40)가 진공 흡입되어 고정되어 있다. 제 1 스피너(20)의 회전력을 제 2 스피너(30)에 전달시키는 수단은 반드시 회전 원판(24)일 필요는 없으며, 도 3b에 도시된 바와 같이, 회전 바(26)의 형태이어도 무방하다. 제 1 및 제 2 스피너(20, 30)는 통상의 스텝 모터 등을 포함한다.
이와 같은 구성의 본 발명의 일실시예에 따른 동작을 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한다.
제 1 스피너(20)가 소정의 속도로 회전하면 회전 원판(24)의 에지에 장착된 제 2 스피너(30)는 소정의 원심력을 갖고 공전을 하게 된다. 이 상태에서 제 2 스피너(30)는 소정의 속도로 자전을 한다. 이때, 제 1 및 제 2 스피너(20, 30)가 회전하는 방향은 시계방향 또는 반시계방향으로 서로 동일할 수도 있고, 서로 반대일 수도 있다. 이와 같이 함으로써 제 2 스피너(30)의 자전만을 고려한다면 진공 척(34)에 진공 흡입하다 고정된 웨이퍼(40) 중앙의 원심력은 0이 되겠지만, 제 1 스피너(20)에 의해 웨이퍼(40)가 공전을 하기 때문에 웨이퍼(40) 중앙의 원심력은 0이 되지 않는다.
이 사실은 매우 중요한 것으로, 웨이퍼 상에서 원심력이 0이 되는 부분이 존재한다는 것은 근본적으로 막 두께를 균일화하는데 한계가 있다는 것을 의미한다. 따라서 본 발명에서와 같이 웨이퍼의 관점에서 자전과 공전을 동시에 수행하여 웨이퍼 상에서 원심력이 0이 되는 부분을 원천적으로 제거함으로써 상기한 한계를 극복할 수 있다.
이를 도 4를 참조하여 보다 구체적으로 설명한다. 도 4는 웨이퍼 상에 형성되는 포토레지스트막 단면의 프로파일을 나타내는 바, 두께(T)-반경(R) 좌표로 표시되어 있다. 본 발명의 요지를 보다 분명히 나타내기 위해 일부 과장되어 표현되었다.
먼저, 제 2 스피너(30)를 회전시키면 웨이퍼(40)상에는 4A에 도시된 단면 프로파일을 갖는 포토레지스트막이 형성된다. 이 프로파일의 형태를 보면 중심 C를 기준으로 양측 대칭이며, 점선으로 표시한 라인을 기준으로 할 때 중심부근에서 두껍고 양측단으로 갈수록 두께가 감소하며, 다시 최외측에서 두꺼워진다. 일 예로 8 인치 웨이퍼에 있어서, 기준 두께는 대략 1 ㎛이고 두께의 편차는 약 ±15Å 정도로써, 웨이퍼 중심부 또는 최외측부는 15Å 정도 두께가 증가되어 있고 양측단 부근에서는 15Å 정도 두께가 감소되어 있다.
한편, 제 1 스피너(20)를 회전시켜 회전 원판(24)에 포토레지스트막을 도포한다고 가정하는 경우 4B에 도시된 단면 프로파일을 갖는 포토레지스트막이 형성된다. 여기에는 제 1 스피너(20)의 회전축을 중심으로 한 쪽 방향의 프로파일만이 도시되었는데 프로파일의 형태는 4A에서 설명한 형태와 유사하다.
상기 두 프로파일에 있어서, 웨이퍼 양측단은 실질적으로 사용되지 않기 때문에 양측단에서의 두께증가는 중요하지 않다. 문제는 웨이퍼 중심부의 증가된 두께를 어떻게 제거하느냐인데, 이를 위해 본 발명에서는 제 1 스피너(20)를 소정의 속도로 회전시키고 동시에 제 1 스피너(20)에 의해 회전하는 회전 원판(24)의 에지에 장착된 제 2 스피너(30)를 회전시키며 이에 따라 제 2 스피너(30)상의 웨이퍼(40)는 제 1 및 제 2 스피너에 대해 각각 자전과 공전을 하게 된다. 즉, 웨이퍼는 자전에 의한 원심력과 공전에 의한 원심력을 동시에 받게 되는 것이다.
따라서 4C에 도시한 바와 같이, 웨이퍼가 받는 전체 원심력에 의한 포토레지스트막의 단면 프로파일은 4A와 같은 제 2 스피너에 의한 프로파일과 4B와 같은 제 1 스피너에 의한 프로파일의 합이 된다. 즉, 웨이퍼의 양측단의 두께는 더욱 증가하지만 그 외에는 고른 두께를 가지며, 4B의 프로파일은 실제 도포되는 포토레지스트의 프로파일이 아니고 예측되는 가상 프로파일이기 때문에 실질적으로 두께가 증가되지는 않는다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예로써, 회전 원판(24)의 에지를 따라 적어도 2 개 이상의 제 2 스피너(30, 50)가 장착된다. 이 실시예에 따르면, 다수의 웨이퍼에 한꺼번에 포토레지스트를 도포할 수 있는 이점이 있다.
본 발명의 또 다른 실시예로써 도 6을 참조하면, 제 2 스피너(30)는 회전 원판(24)상에 이동 가능하게 장착된다. 회전 원판(24)의 에지를 따라 방사상으로 다수의 스크류(45)가 장착되고 제 2 스피너(30)는 스크류(45)와 나사결합한다. 스크류(45)의 일측은 고정돌기(46)에 회전가능하게 고정되고 타측은 제 2 스피너(30)에 나사결합되어 스크류(45)를 회전함에 따라 제 2 스피너(30)가 회전 원판(24)의 중심으로 가까워지거나 멀어지게 된다. 따라서 제 1 스피너(20)에 대한 제 2 스피너(30)의 거리, 즉 제 2 스피너(30)의 회전 반경을 조정할 수 있다. 바람직하게는 제 2 스피너(30)의 회전으로 생기는 원심력에 의한 웨이퍼상의 포토레지스트막 두께의 프로파일과 제 1 스피너(20)의 회전으로 생기는 원심력에 의한 웨이퍼상의 포토레지스트막 두께의 프로파일이 중첩하여 균일한 막 두께의 프로파일이 형성되도록 제 2 스피너(30)의 위치가 조정된다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 의하면 포토레지스트가 도포되는 웨이퍼 상에서 원심력이 0이 되는 부분을 원천적으로 제거하기 위해 웨이퍼의 관점에서 자전과 공전을 동시에 수행하여 포토레지스트막 두께의 프로파일을 균일하게 할 수 있다.
이상에서 설명한 것은 본 발명의 일실시예에 지나지 않으며 본 발명의 범주와 정신을 일탈하지 않는 범위내에서 당해발명의 숙련자에 의해 자유롭게 변경, 수정 또는 첨가될 수 있다. 예를 들어, 제 2 스피너를 둘러쌓는 보울을 제 1 스피너의 회전체의 에지를 따라 설치하여 비산된 포토레지스트액이 다른 웨이퍼에 영향을 끼치지 않도록 할 수 있다. 또한 회전 원판을 고리모양으로 형성함으로써 보울에 차단된 포토레지스트액이 하부로 원활히 방출되도록 할 수도 있다.

Claims (16)

  1. 웨이퍼 상에 포토레지스트를 도포하는 포토레지스트 도포장치에 있어서,
    상기 웨이퍼를 자전시키는 수단과;
    상기 자전과 동시에 상기 웨이퍼를 공전시키는 수단을 포함하는 포토레지스트 도포장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 공전수단은 소정속도로 회전하는 제 1 스피너와;
    상기 제 1 스피너에 회전가능하게 연결되어 상기 자전수단을 지지하는 회전체를 포함하는 포토레지스트 도포장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 회전체는 소정 반경의 회전 원판을 포함하는 포토레지스트 도포장치.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 회전체는 소정 길이의 회전 바를 포함하는 포토레지스트 도포장치.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 자전수단은 상기 회전체의 에지상에 장착되어 회전하는 제 2 스피너와;
    상기 제 2 스피너 위에 장착되어 상기 웨이퍼를 진공 흡입하다 진공 척을 포함하는 포토레지스트 도포장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 자전수단은 상기 회전체 상에 2개 이상 장착된 포토레지스트 도포장치.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 스피너와 상기 제 2 스피너는 동일방향으로 회전하는 포토레지스트 도포장치.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 스피너와 상기 제 2 스피너는 반대방향으로 회전하는 포토레지스트 도포장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 공전수단에 대한 상기 자전수단의 위치를 조정하기 위한 위치조정수단을 더 포함하는 포토레지스트 도포장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 위치조정수단은 일단이 상기 공정수단에 나사결합되고 타단이 상기 자전수단에 나사결합된 스크류를 포함하는 포토레지스트 도포장치.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 자전수단의 회전으로 생기는 원심력에 의한 상기 웨이퍼상의 포토레지스트막 두께의 프로파일과 상기 공전수단의 회전으로 생기는 원심력에 의한 상기 웨이퍼상의 포토레지스트막 두께의 프로파일이 중첩하여 균일한 막 두께의 프로파일이 형성되도록 상기 자전수단의 위치가 조정되는 포토레지스트 도포장치.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 웨이퍼는 8인치 웨이퍼를 포함하는 포토레지스트 도포장치.
  13. 제 1 항 내지 제 11 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 웨이퍼는 12인치 웨이퍼를 포함하는 포토레지스트 도포장치.
  14. 웨이퍼 상에 포토레지스트를 도포하는 방법에 있어서,
    제 2 스피너 상에 설치된 진공 척에 상기 웨이퍼를 진공 흡입하다 단계와;
    상기 웨이퍼에 상기 포토레지스트를 디스펜스하는 단계와;
    상기 제 2 스피너를 회전시켜 상기 웨이퍼를 자전시키는 단계와;
    상기 제 2 스피너가 장착된 회전체를 제 1 스피너로 회전시켜 상기 제 2 스피너상의 상기 웨이퍼를 공전시키는 단계를 포함하는 포토레지스트 도포방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 자전단계에 앞서 상기 제 1 스피너에 대한 상기 제 2 스피너의 위치를 조정하는 단계를 더 포함하는 포토레지스트 도포방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 위치 조정은 상기 제 1 스피너의 회전으로 생기는 원심력에 의한 상기 웨이퍼상의 포토레지스트막 두께의 프로파일과 상기 제 2 스피너의 회전으로 생기는 원심력에 의한 상기 웨이퍼상의 포토레지스트막 두께의 프로파일이 중첩하여 균일한 막 두께의 프로파일이 형성되도록 하는 포토레지스트 도포방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101963760A (zh) * 2009-07-24 2011-02-02 乐金显示有限公司 具有涂布机夹盘的涂布装置

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6071831A (en) * 1998-08-17 2000-06-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of reducing spiral defects by adding an isopropyl alcohol rinse step before depositing sog
US6387825B2 (en) 1998-11-12 2002-05-14 Advanced Micro Devices, Inc. Solution flow-in for uniform deposition of spin-on films
US6200913B1 (en) 1998-11-12 2001-03-13 Advanced Micro Devices, Inc. Cure process for manufacture of low dielectric constant interlevel dielectric layers
US6407009B1 (en) 1998-11-12 2002-06-18 Advanced Micro Devices, Inc. Methods of manufacture of uniform spin-on films
US6317642B1 (en) 1998-11-12 2001-11-13 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and methods for uniform scan dispensing of spin-on materials
US6530340B2 (en) 1998-11-12 2003-03-11 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus for manufacturing planar spin-on films
US6225240B1 (en) 1998-11-12 2001-05-01 Advanced Micro Devices, Inc. Rapid acceleration methods for global planarization of spin-on films
US20070066396A1 (en) * 2002-04-05 2007-03-22 Denise Chapman Weston Retail methods for providing an interactive product to a consumer
US20040071888A1 (en) * 2002-05-30 2004-04-15 Symyx Technologies, Inc. Apparatus and method of research for creating and testing thin films
US20030224105A1 (en) * 2002-05-30 2003-12-04 Symyx Technologies, Inc. Apparatus and methods for forming films on substrates
AU2003303302A1 (en) * 2002-05-30 2004-09-06 Symyx Technologies, Inc. Apparatus and methods for forming films on substrates
DE102004021927B4 (de) * 2004-05-04 2008-07-03 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zur inneren elektrischen Isolation eines Substrats für ein Leistungshalbleitermodul
KR100628242B1 (ko) * 2004-06-24 2006-09-26 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 베리어층 형성 방법
US20060000493A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Steger Richard M Chemical-mechanical post-etch removal of photoresist in polymer memory fabrication
US7536752B2 (en) * 2005-01-21 2009-05-26 Leviton Manufacturing Company, Inc. Rack mounted component door system and method
KR100844542B1 (ko) 2007-02-01 2008-07-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP2021044299A (ja) * 2019-09-06 2021-03-18 キオクシア株式会社 インプリント方法、半導体装置の製造方法、及びインプリント装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5264246A (en) * 1989-05-02 1993-11-23 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Spin coating method
KR940008718B1 (ko) * 1991-10-25 1994-09-26 삼성전자 주식회사 직류 전류를 제거한 데이타 출력버퍼
DE19528252B4 (de) * 1995-08-01 2009-06-25 Knorr-Bremse Systeme für Nutzfahrzeuge GmbH Aggregat für eine Fahrzeugbremsanlage

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101963760A (zh) * 2009-07-24 2011-02-02 乐金显示有限公司 具有涂布机夹盘的涂布装置

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