JPH07169684A - レジスト堆積方法 - Google Patents
レジスト堆積方法Info
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- JPH07169684A JPH07169684A JP6214426A JP21442694A JPH07169684A JP H07169684 A JPH07169684 A JP H07169684A JP 6214426 A JP6214426 A JP 6214426A JP 21442694 A JP21442694 A JP 21442694A JP H07169684 A JPH07169684 A JP H07169684A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板上へレジストの均一な薄膜を形成するこ
と。 【構成】 半導体ウェハー等の基板であるウェハー（１
１）へフォトレジスト等の材料の堆積をする場合におい
て、ウェハー（１１）を回転させ、また堆積を、ウェハ
ー（１１）のエッジ（５１）で開始するとともに螺旋
（５３）状のパターンで内側に向かって移動することに
より、従来方法よりも均一な被覆が得られる。
と。 【構成】 半導体ウェハー等の基板であるウェハー（１
１）へフォトレジスト等の材料の堆積をする場合におい
て、ウェハー（１１）を回転させ、また堆積を、ウェハ
ー（１１）のエッジ（５１）で開始するとともに螺旋
（５３）状のパターンで内側に向かって移動することに
より、従来方法よりも均一な被覆が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般的に、基板上に薄
膜を堆積する方法に関し、特に、半導体基板上にレジス
トタイプの材料を堆積して半導体集積回路を製造する方
法に関するものである。
膜を堆積する方法に関し、特に、半導体基板上にレジス
トタイプの材料を堆積して半導体集積回路を製造する方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現代の様々な技術は、固体基板上への液
体材料の正確な堆積に依存している。正確に均一な薄膜
を得ることが常に望まれているが、そのような均一性を
成し得る方法はなかなか得がたいものであった。
体材料の正確な堆積に依存している。正確に均一な薄膜
を得ることが常に望まれているが、そのような均一性を
成し得る方法はなかなか得がたいものであった。
【０００３】このような好例として、レジスト（多くは
フォトレジスト）を半導体ウェハー上に堆積させる半導
体産業が挙げられる。その場合においてレジストは、そ
れに続いて焦点板を介して露光された後、レジストの一
部が取り去られることから、基板の下地面部分が、例え
ば、エッチング材やドープ材にさらされる。
フォトレジスト）を半導体ウェハー上に堆積させる半導
体産業が挙げられる。その場合においてレジストは、そ
れに続いて焦点板を介して露光された後、レジストの一
部が取り去られることから、基板の下地面部分が、例え
ば、エッチング材やドープ材にさらされる。
【０００４】フォトレジストを用いる従来方法では、チ
ャンバ内のチャック上へ半導体ウェハーを設置すること
を必要としている。その場合、端部に分配チューブを有
するアームが、通常、ウェハーの中心上に配される。ア
ームに連結したポンプが駆動され、また低速で回転して
いるウェハーの中心にこねたフォトレジストが落とされ
る。その後、ウェハーはかなり高速で回転させられる。
これにより、ウェハーのエッジに向かってフォトレジス
トが外へ移動するように遠心力がフォトレジストに加え
られるとともに、表面張力および粘着効果により表面上
の流れやウェハーのエッジ境界状態が制御される。そし
てこの結果、ウェハーの全体がフォトレジストにより被
覆される。
ャンバ内のチャック上へ半導体ウェハーを設置すること
を必要としている。その場合、端部に分配チューブを有
するアームが、通常、ウェハーの中心上に配される。ア
ームに連結したポンプが駆動され、また低速で回転して
いるウェハーの中心にこねたフォトレジストが落とされ
る。その後、ウェハーはかなり高速で回転させられる。
これにより、ウェハーのエッジに向かってフォトレジス
トが外へ移動するように遠心力がフォトレジストに加え
られるとともに、表面張力および粘着効果により表面上
の流れやウェハーのエッジ境界状態が制御される。そし
てこの結果、ウェハーの全体がフォトレジストにより被
覆される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来技術には様々な問題が存在する。まず、かなりの量
のフォトレジストが消耗される。このため、完成したウ
ェハーの表面上に最終的に必要な量よりも多くの量のフ
ォトレジストをウェハーの中心へ落下させる必要があ
る。また、かなりの過剰のフォトレジストが、工程にお
ける「高速回転」サイクルの間に端部から流出してしま
う。更に、この従来方法では、通常は、図１に示された
もののようではない、平らでないフォトレジスト薄膜が
形成されてしまう。尚、図１では、符号１１が半導体基
板を示し、また符号１３が形成されたフォトレジストを
示している。約１μｍのわずかの厚みを有するフォトレ
ジストにおいて、ウェハーの中心における点１７の高さ
とウェハーの中心とエッジとの中間に位置する点１５と
の差異は、１００オングストロームから２００オングス
トロームである。フォトレジスト層における凹凸は、臨
界特性の寸法（通常、同一の相対堆積位置に位置する）
におけるばらつきを生じるので望ましくない。これらの
ばらつきは、レジスト内の感光性化合物（ＰＡＣ）への
露光エネルギーの結合における変化に起因する。この結
合上のばらつきは、レジストの上面と底面との間におけ
る薄膜のスタンディングウエーブ効果により引き起こさ
れる。
従来技術には様々な問題が存在する。まず、かなりの量
のフォトレジストが消耗される。このため、完成したウ
ェハーの表面上に最終的に必要な量よりも多くの量のフ
ォトレジストをウェハーの中心へ落下させる必要があ
る。また、かなりの過剰のフォトレジストが、工程にお
ける「高速回転」サイクルの間に端部から流出してしま
う。更に、この従来方法では、通常は、図１に示された
もののようではない、平らでないフォトレジスト薄膜が
形成されてしまう。尚、図１では、符号１１が半導体基
板を示し、また符号１３が形成されたフォトレジストを
示している。約１μｍのわずかの厚みを有するフォトレ
ジストにおいて、ウェハーの中心における点１７の高さ
とウェハーの中心とエッジとの中間に位置する点１５と
の差異は、１００オングストロームから２００オングス
トロームである。フォトレジスト層における凹凸は、臨
界特性の寸法（通常、同一の相対堆積位置に位置する）
におけるばらつきを生じるので望ましくない。これらの
ばらつきは、レジスト内の感光性化合物（ＰＡＣ）への
露光エネルギーの結合における変化に起因する。この結
合上のばらつきは、レジストの上面と底面との間におけ
る薄膜のスタンディングウエーブ効果により引き起こさ
れる。
【０００６】更に、多くの現在の半導体製造者により製
造された装置は、ウェハーの中心に分散流の中心が正確
に位置しない。フォトレジストの最初の堆積がウェハー
の中心に位置していないため、仕上がったフォトレジス
トパターンは、しばしば図１に示したものよりもいくら
か複雑なものとなっている。その仕上がったパターン
は、一様に望ましくない凹凸がある。
造された装置は、ウェハーの中心に分散流の中心が正確
に位置しない。フォトレジストの最初の堆積がウェハー
の中心に位置していないため、仕上がったフォトレジス
トパターンは、しばしば図１に示したものよりもいくら
か複雑なものとなっている。その仕上がったパターン
は、一様に望ましくない凹凸がある。
【０００７】正確な厚みの薄膜の形成が望まれる他の分
野と同様に半導体の開発分野においても上述の問題を解
消する方法が研究され続けている。
野と同様に半導体の開発分野においても上述の問題を解
消する方法が研究され続けている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】従って、本発明の目的
は、上述の問題を解消し、基板上にレジストを正確に均
一に堆積した薄膜を形成することにある。
は、上述の問題を解消し、基板上にレジストを正確に均
一に堆積した薄膜を形成することにある。
【０００９】上記の課題は、基板を軸の周りに回転させ
る工程を含み、図示した実施例を含む、本発明に係わる
基板の被覆方法により、解決することができる。材料の
堆積は基板のエッジの付近で開始され、また基板の表面
にわたって螺旋状のパターンで連続して行われる。
る工程を含み、図示した実施例を含む、本発明に係わる
基板の被覆方法により、解決することができる。材料の
堆積は基板のエッジの付近で開始され、また基板の表面
にわたって螺旋状のパターンで連続して行われる。
【００１０】
【実施例】図２に、フォトレジストの堆積に用いる装置
を示した。ウェハー１１は、その中心がスピンドル２１
に接続したチャック１９上に支持されている。可変速モ
ータ２３は、スピンドル２１を駆動し、それにより、ウ
ェハー１１の回転速度を制御する。ハウジング２５は、
ウェハー１１およびその被覆に用いる装置を収容してい
る。気流２９および２７は、図示しない源からウェハー
上に下方に向いている。全体的な気流は、ウェハー１１
の表面を横切り、ウェハー１１のエッジへ下がって、最
後にウェハーの下へ流れる。気流内の乱流および渦が存
在して、被覆に影響を与えることが知られている。
を示した。ウェハー１１は、その中心がスピンドル２１
に接続したチャック１９上に支持されている。可変速モ
ータ２３は、スピンドル２１を駆動し、それにより、ウ
ェハー１１の回転速度を制御する。ハウジング２５は、
ウェハー１１およびその被覆に用いる装置を収容してい
る。気流２９および２７は、図示しない源からウェハー
上に下方に向いている。全体的な気流は、ウェハー１１
の表面を横切り、ウェハー１１のエッジへ下がって、最
後にウェハーの下へ流れる。気流内の乱流および渦が存
在して、被覆に影響を与えることが知られている。
【００１１】分配チューブ３５は、ポンプ３３で駆動す
る分配アーム３１と接続している。これにより、アーム
３１の半径方向への移動もしくは枢軸点３２を中心にし
た枢軸運動が可能となる。
る分配アーム３１と接続している。これにより、アーム
３１の半径方向への移動もしくは枢軸点３２を中心にし
た枢軸運動が可能となる。
【００１２】図３は、従来の方法で用いられた堆積率と
共にウェハー回転速度を示すグラフである。これは、ウ
ェハーが最初のゆっくりとした速度ｒ1 （約８００ｒｐ
ｍ）で回転され、レジストの最初の量を時間ｔ1 とｔ2
の間（ｔ2 −ｔ1 ＝約３．５秒）にウェハーへ落とす。
従来の方法では、直径１２５ｍｍのウェハー用の場合に
は、ポンプ３３（典型的には、ダイヤフラムポンプ）の
全出力（典型的には４．５〜５ｍｌ）が分配チューブを
介して、ｔ2 −ｔ1 の時間内においてウェハー上へ短い
連続的なパルスで噴出される。レジストがウェハーのほ
ぼ中心へ落とされた後、ｔ3 とｔ4 との間で、回転速度
は（約８Ｋｒｐｍ／秒において）より早い速度ｒ2 （約
５．６Ｋｒｐｍ）に回転速度は加速される。ｔ4 からｔ
5 の間（ｔ5 −ｔ4 ＝約１５秒）に相当する期間が経過
し、レジストがウェハーの外周およびそれを越えて流れ
出た後、ｔ5 からｔ6 の間に速度はゼロに急速に減速さ
れる（裏面洗い落とし、あるいはエッジの気泡の取り除
き工程も行われる）。
共にウェハー回転速度を示すグラフである。これは、ウ
ェハーが最初のゆっくりとした速度ｒ1 （約８００ｒｐ
ｍ）で回転され、レジストの最初の量を時間ｔ1 とｔ2
の間（ｔ2 −ｔ1 ＝約３．５秒）にウェハーへ落とす。
従来の方法では、直径１２５ｍｍのウェハー用の場合に
は、ポンプ３３（典型的には、ダイヤフラムポンプ）の
全出力（典型的には４．５〜５ｍｌ）が分配チューブを
介して、ｔ2 −ｔ1 の時間内においてウェハー上へ短い
連続的なパルスで噴出される。レジストがウェハーのほ
ぼ中心へ落とされた後、ｔ3 とｔ4 との間で、回転速度
は（約８Ｋｒｐｍ／秒において）より早い速度ｒ2 （約
５．６Ｋｒｐｍ）に回転速度は加速される。ｔ4 からｔ
5 の間（ｔ5 −ｔ4 ＝約１５秒）に相当する期間が経過
し、レジストがウェハーの外周およびそれを越えて流れ
出た後、ｔ5 からｔ6 の間に速度はゼロに急速に減速さ
れる（裏面洗い落とし、あるいはエッジの気泡の取り除
き工程も行われる）。
【００１３】図３に示した、従来技術で採用された方法
は、ウェハーのほぼ中心にフォトレジストのたまりを堆
積する工程を含んでいる。
は、ウェハーのほぼ中心にフォトレジストのたまりを堆
積する工程を含んでいる。
【００１４】これとは対照的に、本出願人の方法では、
ウェハーのエッジへの堆積開始、ウェハーの中心に向か
う螺旋状の堆積工程（および好ましくは、エッジに向か
う螺旋状の戻り）が用いられる。その一例として、図４
に、ウェハー１１を示した。このウェハーの外周の近傍
に位置する点５１から堆積を開始する。螺旋５３は、ウ
ェハー１１の中心５５に向かって半径方向内側へ移動す
るような分配チューブ３５の大体の中心位置を示す。当
然のことではあるが、螺旋５３は、分配チューブ３５の
大体の中心だけを示している。ウェハーの表面全体が通
常は被覆される。分配チューブ３５は、中心５５上に配
された後、中心を少し越えて移動し、これにより尾部５
７を生成する。その後分配チューブ３５はウェハー１１
の外周に向かって移動する。この移動の間、レジスト
は、プログラムされた割合（すなわち、移動した単位面
積ごとの量）分布（後述する）に従って分配される。
ウェハーのエッジへの堆積開始、ウェハーの中心に向か
う螺旋状の堆積工程（および好ましくは、エッジに向か
う螺旋状の戻り）が用いられる。その一例として、図４
に、ウェハー１１を示した。このウェハーの外周の近傍
に位置する点５１から堆積を開始する。螺旋５３は、ウ
ェハー１１の中心５５に向かって半径方向内側へ移動す
るような分配チューブ３５の大体の中心位置を示す。当
然のことではあるが、螺旋５３は、分配チューブ３５の
大体の中心だけを示している。ウェハーの表面全体が通
常は被覆される。分配チューブ３５は、中心５５上に配
された後、中心を少し越えて移動し、これにより尾部５
７を生成する。その後分配チューブ３５はウェハー１１
の外周に向かって移動する。この移動の間、レジスト
は、プログラムされた割合（すなわち、移動した単位面
積ごとの量）分布（後述する）に従って分配される。
【００１５】ここで、図４に示された構成において、分
配チューブ３５が中心５５に到達した時、もしくは更に
尾部５７を生成した後に、フォトレジスト分配を終了し
ないようにすることができる。典型的なフォトレジスト
ポンプが（その吸い戻し能力にも拘らず）流れの終了工
程において連続する流れから分離されるしずくを生成す
ることから、フォトレジストの流れを、これらどちらの
点においても終了しないことがしばし望まれる。この余
分なしずくは、形成したフォトレジストの最終的な凹凸
の原因となり得るものであって望まざるものである。そ
こで、螺旋を巻き戻し、または少なくともウェハーのエ
ッジへ通過した中心から進む別の螺旋を作ることで、最
後のしずくが、ウェハーのエッジ（集積回路が製造され
ないところ）に落ちるようにするか、あるいはウェハー
のエッジを通過するようにする。このようなパターン
は、中心５５をわずかに過ぎて「尾部」５７を生成する
よう慎重に設計され、これにより中心の被覆を確実にな
る。フォトレジストのしずくをウェハーの中心へ形成
し、ウェハーを回転してフォトレジストを平らにする従
来の方法とは異なり、本発明の方法では、ウェハーのエ
ッジから中心に向かい、中心を通過し、また次いでウェ
ハーのエッジに逆戻りする、連続的に制御されたフォト
レジストの堆積を利用するものである。
配チューブ３５が中心５５に到達した時、もしくは更に
尾部５７を生成した後に、フォトレジスト分配を終了し
ないようにすることができる。典型的なフォトレジスト
ポンプが（その吸い戻し能力にも拘らず）流れの終了工
程において連続する流れから分離されるしずくを生成す
ることから、フォトレジストの流れを、これらどちらの
点においても終了しないことがしばし望まれる。この余
分なしずくは、形成したフォトレジストの最終的な凹凸
の原因となり得るものであって望まざるものである。そ
こで、螺旋を巻き戻し、または少なくともウェハーのエ
ッジへ通過した中心から進む別の螺旋を作ることで、最
後のしずくが、ウェハーのエッジ（集積回路が製造され
ないところ）に落ちるようにするか、あるいはウェハー
のエッジを通過するようにする。このようなパターン
は、中心５５をわずかに過ぎて「尾部」５７を生成する
よう慎重に設計され、これにより中心の被覆を確実にな
る。フォトレジストのしずくをウェハーの中心へ形成
し、ウェハーを回転してフォトレジストを平らにする従
来の方法とは異なり、本発明の方法では、ウェハーのエ
ッジから中心に向かい、中心を通過し、また次いでウェ
ハーのエッジに逆戻りする、連続的に制御されたフォト
レジストの堆積を利用するものである。
【００１６】本出願人は、ウェハー上への堆積点を連続
的に変化することが素晴らしい結果を生み出すことだけ
でなく、ウェハー１１の回転パターンおよび堆積率にお
ける変化も望ましいものであることを見出した。
的に変化することが素晴らしい結果を生み出すことだけ
でなく、ウェハー１１の回転パターンおよび堆積率にお
ける変化も望ましいものであることを見出した。
【００１７】図示した実施例を次に説明する。図５を参
照して、ウェハー（５インチの直径を有する）を最初、
約３０−４００ｒｐｍの速度範囲ｒ1 で回転する。時間
ｔ1とｔ3 の間（ｔ3 −ｔ1 ＝約５から１０秒）で、フ
ォトレジストは全ウェハー上に堆積される（約３．５ｍ
ｌが堆積される）。時間ｔ4 において、速度は３−４Ｋ
ｒｐｍの速度ｒ3 に加速される。時間ｔ5 とｔ6 の間
（ｔ6 −ｔ5 ＝約２から５秒）において堆積の仕上がり
を平らにするためにウェハーは回転され、フォトレジス
トをわずかな厚みにする。次いで、時間ｔ6 とｔ7 の間
で、速度は速度ｒ2 （例えば８００ｒｐｍ−１Ｋｒｐ
ｍ）に減速される。その後、更に約３０秒間の追加の時
間だけウェハーは回転される。この追加の回転サイクル
により、フォトレジストから減少された割合で余分な溶
剤が取り除かれてフォトレジストの薄膜の厚みが更に平
らになる。更に、本出願人は、従来方法とは異なり、ウ
ェハー上に多量のフォトレジストをいきなり落とすこと
が好ましくないことを見出した。このため、図５に示し
た堆積率が用いられる。例えば、図５の曲線７１は、表
面を湿らせ最初のたまりを形成するために分配チューブ
がウェハーの外周上の点５１上に位置する、時間ｔ1 に
おける最初の少量の堆積を示している（傾斜部７２およ
び７４で示したように、堆積は徐々に開始し、徐々に終
了する）。そして、分配チューブ３５がウェハー１１の
半径より比較的大きく移動する間、堆積率は所定の値ｄ
１へゆるやかに増加する。螺旋状の通路の半径が減少す
るにつれ、堆積率は減少し最終的にはウェハー１１の中
心５５近くの値ｄ２に到達する。そして、このサイクル
は繰り返され、また堆積率は分配チューブ３５がウェハ
ー１１のエッジに近づくにつれて約ｄ１に戻り、また徐
々にゼロへ減少する。ここで、図５の曲線７１によって
示された堆積率は１つの例示にすぎない。さまざまな状
況により異なる形状の曲線が示される。例えば、ウェハ
ー上のある点上における不十分なレジストの形成に対す
る保証をするために、図１の点１５と類似したウェハー
上の点においてわずかに多い堆積を（点７６と７３にお
ける率の増加に応じて）提供するためには、曲線７３の
ような形状の曲線を用いることが好ましい。さらに、下
層の微細構成あるいは下層（例えば、シリコン、ホロホ
ソケイ酸塩ガラス、アルミニウム）に応じて、他の堆積
率が必要となる。
照して、ウェハー（５インチの直径を有する）を最初、
約３０−４００ｒｐｍの速度範囲ｒ1 で回転する。時間
ｔ1とｔ3 の間（ｔ3 −ｔ1 ＝約５から１０秒）で、フ
ォトレジストは全ウェハー上に堆積される（約３．５ｍ
ｌが堆積される）。時間ｔ4 において、速度は３−４Ｋ
ｒｐｍの速度ｒ3 に加速される。時間ｔ5 とｔ6 の間
（ｔ6 −ｔ5 ＝約２から５秒）において堆積の仕上がり
を平らにするためにウェハーは回転され、フォトレジス
トをわずかな厚みにする。次いで、時間ｔ6 とｔ7 の間
で、速度は速度ｒ2 （例えば８００ｒｐｍ−１Ｋｒｐ
ｍ）に減速される。その後、更に約３０秒間の追加の時
間だけウェハーは回転される。この追加の回転サイクル
により、フォトレジストから減少された割合で余分な溶
剤が取り除かれてフォトレジストの薄膜の厚みが更に平
らになる。更に、本出願人は、従来方法とは異なり、ウ
ェハー上に多量のフォトレジストをいきなり落とすこと
が好ましくないことを見出した。このため、図５に示し
た堆積率が用いられる。例えば、図５の曲線７１は、表
面を湿らせ最初のたまりを形成するために分配チューブ
がウェハーの外周上の点５１上に位置する、時間ｔ1 に
おける最初の少量の堆積を示している（傾斜部７２およ
び７４で示したように、堆積は徐々に開始し、徐々に終
了する）。そして、分配チューブ３５がウェハー１１の
半径より比較的大きく移動する間、堆積率は所定の値ｄ
１へゆるやかに増加する。螺旋状の通路の半径が減少す
るにつれ、堆積率は減少し最終的にはウェハー１１の中
心５５近くの値ｄ２に到達する。そして、このサイクル
は繰り返され、また堆積率は分配チューブ３５がウェハ
ー１１のエッジに近づくにつれて約ｄ１に戻り、また徐
々にゼロへ減少する。ここで、図５の曲線７１によって
示された堆積率は１つの例示にすぎない。さまざまな状
況により異なる形状の曲線が示される。例えば、ウェハ
ー上のある点上における不十分なレジストの形成に対す
る保証をするために、図１の点１５と類似したウェハー
上の点においてわずかに多い堆積を（点７６と７３にお
ける率の増加に応じて）提供するためには、曲線７３の
ような形状の曲線を用いることが好ましい。さらに、下
層の微細構成あるいは下層（例えば、シリコン、ホロホ
ソケイ酸塩ガラス、アルミニウム）に応じて、他の堆積
率が必要となる。
【００１８】上記の通り、ポンプ３３は、時間もしくは
同等物の関数（すなわち、ウェハー１１上の分配チュー
ブの位置３５の関数）として、堆積されたフォトレジス
トの量を可変的に制御する機能を持つことが好ましい。
同等物の関数（すなわち、ウェハー１１上の分配チュー
ブの位置３５の関数）として、堆積されたフォトレジス
トの量を可変的に制御する機能を持つことが好ましい。
【００１９】均一のレジストを供給することによる利点
に加えて本発明は、その後のリトグラフされた線幅の均
一性を確保するのに役立つ。このようにして、ウェハー
はレジストで前被覆される。最初に堆積したレジストの
輪郭は、レジストの所望の最終的輪郭に近い。このため
被覆工程に使用されるレジストはわずかな量であり、更
にレジストの急速回転はほとんど必要ない。この発明
は、ウェハーの中心に関して異なった方向性を有する地
形学上の特徴によるレジストの流れの相違によって引き
起こされる問題を緩和する。
に加えて本発明は、その後のリトグラフされた線幅の均
一性を確保するのに役立つ。このようにして、ウェハー
はレジストで前被覆される。最初に堆積したレジストの
輪郭は、レジストの所望の最終的輪郭に近い。このため
被覆工程に使用されるレジストはわずかな量であり、更
にレジストの急速回転はほとんど必要ない。この発明
は、ウェハーの中心に関して異なった方向性を有する地
形学上の特徴によるレジストの流れの相違によって引き
起こされる問題を緩和する。
【００２０】本発明は、クオーツ（マスクや検査ウェハ
ー用に意図された）のレジスト被覆、金属化ガラスや平
面パネルディスプレイのクオーツにおけるレジスト被覆
などの他の基板の被覆にも適応できる。
ー用に意図された）のレジスト被覆、金属化ガラスや平
面パネルディスプレイのクオーツにおけるレジスト被覆
などの他の基板の被覆にも適応できる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
わずかな量のレジストで、正確に均一なレジスト薄膜が
形成できる。
わずかな量のレジストで、正確に均一なレジスト薄膜が
形成できる。
【図１】液体材料で被覆された基板の断面図である。
【図２】本発明の実施例を理解するために有用な斜視図
である。
である。
【図３】本発明の実施例を理解するために有用なグラフ
である。
である。
【図４】本発明の実施例を理解するために有用な斜視図
である。
である。
【図５】本発明の実施例を理解するために有用なグラフ
である。
である。
１１ ウェハー ２３ 可変速モータ ３１ 分配アーム ３３ ポンプ ３５ 分配チューブ
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体集積回路の製造方法であって、 ウェハー（例えば１１）を速度ｒ1 で回転する工程を有
し、更に、 前記ウェハー（例えば１１）のエッジ（例えば５１）に
おいてレジストの堆積を開始する工程と、 前記ウェハーの中心（例えば５５）に向かって延在する
螺旋状のパターン（例えば５３）で前記レジストを連続
して堆積する工程と、 前記堆積を終了させる工程と、 より速い速度ｒ3 で所定の時間だけ前記ウェハー（例え
ば１１）を回転する工程とを有することを特徴とする半
導体集積回路の製造方法。 - 【請求項２】 前記ウェハー（例えば１１）の回転速度
を速度ｒ3 から速度ｒ2 へ減速させ、また所定時間だけ
前記ウェハー（例えば１１）を回転し続ける工程を更に
有し、ただしｒ3 ＞ｒ2 ＞ｒ1 であることを特徴とする
請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 ｒ1 が３０−４００ｒｐｍであることを
特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 ｒ3 が３−４Ｋｒｐｍであることを特徴
とする請求項１記載の方法。 - 【請求項５】 ｒ2 が８００−１Ｋｒｐｍであることを
特徴とする請求項２記載の方法。 - 【請求項６】 前記レジストの堆積率が、前記ウェハー
の前記中心付近よりも前記ウェハーの前記エッジ付近が
高いことを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項７】 前記材料堆積率が可変であることを特徴
とする請求項１記載の方法。 - 【請求項８】 前記基板が円形で半径を有し、また前記
堆積率が、前記半径の中央部分よりも前記基板の中心が
低いことを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項９】 前記レジストがウェハーの中心に向かっ
て延在する螺旋状のパターンで連続して堆積された後に
前記レジストがウェハーの中心からウェハーのエッジに
延在する螺旋状のパターンで連続して堆積されることを
特徴とする請求項１記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US118538 | 1993-09-08 | ||
| US08/118,538 US5395803A (en) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | Method of spiral resist deposition |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07169684A true JPH07169684A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=22379221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6214426A Withdrawn JPH07169684A (ja) | 1993-09-08 | 1994-09-08 | レジスト堆積方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5395803A (ja) |
| EP (1) | EP0643334A1 (ja) |
| JP (1) | JPH07169684A (ja) |
| KR (1) | KR950009968A (ja) |
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1994
- 1994-08-31 EP EP94306416A patent/EP0643334A1/en not_active Withdrawn
- 1994-09-08 JP JP6214426A patent/JPH07169684A/ja not_active Withdrawn
- 1994-09-09 KR KR1019940023024A patent/KR950009968A/ko not_active Application Discontinuation
- 1994-12-14 US US08/355,757 patent/US5532192A/en not_active Expired - Lifetime
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| KR950009968A (ko) | 1995-04-26 |
| EP0643334A1 (en) | 1995-03-15 |
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