JPH08222564A - 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法および半導体製造装置Info
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- JPH08222564A JPH08222564A JP7026794A JP2679495A JPH08222564A JP H08222564 A JPH08222564 A JP H08222564A JP 7026794 A JP7026794 A JP 7026794A JP 2679495 A JP2679495 A JP 2679495A JP H08222564 A JPH08222564 A JP H08222564A
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- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、コンタクトホールに配線材
料を良好に埋め込むことである。 【構成】 本発明の半導体製造装置は、コンタクトホー
ルを有する絶縁層を備えた基板を用意する工程と、該コ
ンタクトホールを覆って配線材料を製膜する工程と、さ
らに該基板を該配線材料が流動化する温度以上に加熱す
るとともに、コンタクトホールの深さ方向に遠心力が発
生するように、該基板を回転する工程とを有する。
料を良好に埋め込むことである。 【構成】 本発明の半導体製造装置は、コンタクトホー
ルを有する絶縁層を備えた基板を用意する工程と、該コ
ンタクトホールを覆って配線材料を製膜する工程と、さ
らに該基板を該配線材料が流動化する温度以上に加熱す
るとともに、コンタクトホールの深さ方向に遠心力が発
生するように、該基板を回転する工程とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁体層中の微小なコ
ンタクトホールを介して、導電表面を有する下地と上部
の配線層を接続する際に、コンタクトホールを配線材料
で埋め込む技術に関する。
ンタクトホールを介して、導電表面を有する下地と上部
の配線層を接続する際に、コンタクトホールを配線材料
で埋め込む技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置において、不純物拡散層とそ
の上部の配線層を接続したり、多層配線層間の接続を行
う際には、それぞれの層の間に形成されている絶縁体層
にコンタクトホール（接続孔）を形成し、上部配線材料
でこれを埋め込み、上下の接続を得る方法が採られるこ
とが多い。このコンタクトホールの埋め込みが良好に行
われなければ、接続不良が起こることがある。
の上部の配線層を接続したり、多層配線層間の接続を行
う際には、それぞれの層の間に形成されている絶縁体層
にコンタクトホール（接続孔）を形成し、上部配線材料
でこれを埋め込み、上下の接続を得る方法が採られるこ
とが多い。このコンタクトホールの埋め込みが良好に行
われなければ、接続不良が起こることがある。
【０００３】また、埋め込みと併せて、デバイスを歩留
まり良く形成する為には、埋め込み後の上部配線層にで
きるだけ凹凸を残さないよう平坦化する必要がある。従
来、平坦化の為、例えばエッチバック法、Ａｌリフロー
スパッタ法等の埋め込み方法が使用されてきた。
まり良く形成する為には、埋め込み後の上部配線層にで
きるだけ凹凸を残さないよう平坦化する必要がある。従
来、平坦化の為、例えばエッチバック法、Ａｌリフロー
スパッタ法等の埋め込み方法が使用されてきた。
【０００４】エッチバック法は、スパッタリング方法等
の従来の製膜方法とエッチングを組み合わせた方法であ
る。まず、スパッタリング方法等でコンタクトホールを
覆うように配線材料を厚めに製膜する。この後、配線層
の上にフォトレジスト等の流動性のある材料を塗布して
表面を平坦化する。さらにこのフォトレジストを熱硬化
させた後、表面から均一にドライエッチングし、フォト
レジストとともに、配線層の凸部をエッチングして最終
的に平坦化された表面を有する配線層を得る方法であ
る。
の従来の製膜方法とエッチングを組み合わせた方法であ
る。まず、スパッタリング方法等でコンタクトホールを
覆うように配線材料を厚めに製膜する。この後、配線層
の上にフォトレジスト等の流動性のある材料を塗布して
表面を平坦化する。さらにこのフォトレジストを熱硬化
させた後、表面から均一にドライエッチングし、フォト
レジストとともに、配線層の凸部をエッチングして最終
的に平坦化された表面を有する配線層を得る方法であ
る。
【０００５】一方、Ａｌリフロースパッタ法は、配線材
料としてＡｌもしくはＡｌ合金を使用する際用いること
ができる。Ａｌが流動化する基板温度でスパッタリング
を行う方法である。通常のスパッタリングを行った場合
に比較し、埋め込み特性が改善される。また、平坦化を
同時に行うことができる。
料としてＡｌもしくはＡｌ合金を使用する際用いること
ができる。Ａｌが流動化する基板温度でスパッタリング
を行う方法である。通常のスパッタリングを行った場合
に比較し、埋め込み特性が改善される。また、平坦化を
同時に行うことができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】半導体の高集積化に伴
い、コンタクトホールの径も次第に狭くなり、コンタク
トホールの径に対するコンタクトホール深さの比である
アスペクト比は、増大する傾向にある。通常のスパッタ
リング法による製膜の場合は元より、Ａｌのリフロース
パッタ法を用いる場合も、コンタクトホールのある部分
に配線材料の製膜を行うと、アスペクト比が大きくなる
ほど、ステップカバレージが悪化し、良好な埋め込みが
困難となる。
い、コンタクトホールの径も次第に狭くなり、コンタク
トホールの径に対するコンタクトホール深さの比である
アスペクト比は、増大する傾向にある。通常のスパッタ
リング法による製膜の場合は元より、Ａｌのリフロース
パッタ法を用いる場合も、コンタクトホールのある部分
に配線材料の製膜を行うと、アスペクト比が大きくなる
ほど、ステップカバレージが悪化し、良好な埋め込みが
困難となる。
【０００７】本発明の目的は、良好なコンタクトホール
の埋め込みを行うことのできる半導体装置の製造方法と
その為の半導体製造装置を提供することである。
の埋め込みを行うことのできる半導体装置の製造方法と
その為の半導体製造装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、導電領域を有する基板を用意する工程と、前
記導電領域上にコンタクトホールを有する絶縁体層を基
板上に形成する工程と、該コンタクトホールを覆って配
線材料を製膜する工程と、さらに該基板を該配線材料が
流動化する温度以上に加熱するとともに、該コンタクト
ホールの開口部から底部に向かう遠心力が発生する方向
に該基板を回転する埋め込み工程とを有する。
造方法は、導電領域を有する基板を用意する工程と、前
記導電領域上にコンタクトホールを有する絶縁体層を基
板上に形成する工程と、該コンタクトホールを覆って配
線材料を製膜する工程と、さらに該基板を該配線材料が
流動化する温度以上に加熱するとともに、該コンタクト
ホールの開口部から底部に向かう遠心力が発生する方向
に該基板を回転する埋め込み工程とを有する。
【０００９】また、本発明の半導体製造装置は、真空排
気可能な気密容器と、該気密容器内に収容され、回転半
径方向にほぼ垂直に基板面を支持する半導体基板支持手
段と、該半導体基板支持手段を回転駆動する駆動手段
と、該半導体基板支持手段に支持された半導体基板を加
熱することのできる半導体基板加熱手段とを有する。
気可能な気密容器と、該気密容器内に収容され、回転半
径方向にほぼ垂直に基板面を支持する半導体基板支持手
段と、該半導体基板支持手段を回転駆動する駆動手段
と、該半導体基板支持手段に支持された半導体基板を加
熱することのできる半導体基板加熱手段とを有する。
【００１０】
【作用】絶縁体層に形成されたコンタクトホールを覆っ
て配線材料を製膜した後、配線材料が流動化する温度に
基板を保持し、基板に回転を加えると、流動状態の配線
層に遠心力がかかる。この遠心力がコンタクトホールの
深さ方向に発生するため、流動化した配線材料は、コン
タクトホールの底部に向かって流れ易くなり、コンタク
トホール部の配線層の凹部を埋める。
て配線材料を製膜した後、配線材料が流動化する温度に
基板を保持し、基板に回転を加えると、流動状態の配線
層に遠心力がかかる。この遠心力がコンタクトホールの
深さ方向に発生するため、流動化した配線材料は、コン
タクトホールの底部に向かって流れ易くなり、コンタク
トホール部の配線層の凹部を埋める。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して実施例について説明す
る。ＭＯＳ（metal oxide semiconductor ）トランジス
タのソース／ドレイン層と配線層を接続する際のコンタ
クトホールの埋め込み方法の例について説明する。
る。ＭＯＳ（metal oxide semiconductor ）トランジス
タのソース／ドレイン層と配線層を接続する際のコンタ
クトホールの埋め込み方法の例について説明する。
【００１２】図２（Ａ）は、作製工程途中のＭＯＳトラ
ンジスタ素子の断面図である。図２（Ａ）に示すよう
に、Ｓｉ基板１の上層には、不純物が所定濃度拡散され
たｐ／ｎ型ウェル２が形成されている。ウェル層２上に
は、ゲート酸化膜３、ゲート電極４が形成されている。
さらにゲート酸化膜３とゲート電極４の側壁には、Ｓｉ
Ｏ2 膜によるサイドスペーサ５が形成されている。この
ゲート電極４の両側のウェル表面層には、ウェル層に対
して反対導電型のソース／ドレイン層となる高濃度不純
物拡散層７が形成されている。さらに、このトランジス
タの構造を取り囲むように厚いＳｉＯ2 膜からなるフィ
ールド酸化膜６が形成されている。
ンジスタ素子の断面図である。図２（Ａ）に示すよう
に、Ｓｉ基板１の上層には、不純物が所定濃度拡散され
たｐ／ｎ型ウェル２が形成されている。ウェル層２上に
は、ゲート酸化膜３、ゲート電極４が形成されている。
さらにゲート酸化膜３とゲート電極４の側壁には、Ｓｉ
Ｏ2 膜によるサイドスペーサ５が形成されている。この
ゲート電極４の両側のウェル表面層には、ウェル層に対
して反対導電型のソース／ドレイン層となる高濃度不純
物拡散層７が形成されている。さらに、このトランジス
タの構造を取り囲むように厚いＳｉＯ2 膜からなるフィ
ールド酸化膜６が形成されている。
【００１３】これらのトランジスタとフィールド酸化膜
を覆って、ＰＳＧ（フォスフォシリケートガラス）膜、
ＢＰＳＧ（ボロンフォスフォシリケートガラス）膜等の
層間絶縁膜８が形成されている。この層間絶縁膜８に
は、下層にある高濃度不純物拡散層７と上層に形成する
配線層を接続する為のコンタクトホール９が形成されて
いる。ここまでの工程は、いずれも従来のＭＯＳトラン
ジスタ製造工程を用いて作製できる。
を覆って、ＰＳＧ（フォスフォシリケートガラス）膜、
ＢＰＳＧ（ボロンフォスフォシリケートガラス）膜等の
層間絶縁膜８が形成されている。この層間絶縁膜８に
は、下層にある高濃度不純物拡散層７と上層に形成する
配線層を接続する為のコンタクトホール９が形成されて
いる。ここまでの工程は、いずれも従来のＭＯＳトラン
ジスタ製造工程を用いて作製できる。
【００１４】尚、図２（Ｂ）は、高濃度不純物拡散層７
と層間絶縁膜８を含むコンタクトホール９の周囲を取り
出して簡略的に示した断面図である。以下の説明は、こ
の図に基づいて行うこととする。尚、図２（Ｂ）に示す
コンタクトホールは、例えば層間絶縁膜８の厚みが約７
００ｎｍから１μｍ程度、コンタクトホール径が約０．
５μｍ程度である。
と層間絶縁膜８を含むコンタクトホール９の周囲を取り
出して簡略的に示した断面図である。以下の説明は、こ
の図に基づいて行うこととする。尚、図２（Ｂ）に示す
コンタクトホールは、例えば層間絶縁膜８の厚みが約７
００ｎｍから１μｍ程度、コンタクトホール径が約０．
５μｍ程度である。
【００１５】この後に続く工程は、例えば図３に示すス
パッタリング装置Ｓ、基板搬送装置Ｔ、埋め込み装置Ｒ
を含む半導体製造装置を用いて行う。まず、図３中に示
すようなスパッタリング装置Ｓを用いて、層間絶縁膜８
を覆う配線層を形成する。図３に示すように、このスパ
ッタリング装置Ｓは、スパッタのターゲット材２２を装
架する上部のカソード２１と、このターゲットに対向す
る面に基板２４を載せるサセプタ（対向電極）とを備え
る平行平板型の高周波スパッタリング装置である。基板
２４は、サセプタ内部に備えられたヒータによって所定
の温度に加熱される。スパッタリングチャンバー内は、
排気ポンプ２６ａと図示しないガス供給系とによって所
定の圧力と雰囲気に保持される。
パッタリング装置Ｓ、基板搬送装置Ｔ、埋め込み装置Ｒ
を含む半導体製造装置を用いて行う。まず、図３中に示
すようなスパッタリング装置Ｓを用いて、層間絶縁膜８
を覆う配線層を形成する。図３に示すように、このスパ
ッタリング装置Ｓは、スパッタのターゲット材２２を装
架する上部のカソード２１と、このターゲットに対向す
る面に基板２４を載せるサセプタ（対向電極）とを備え
る平行平板型の高周波スパッタリング装置である。基板
２４は、サセプタ内部に備えられたヒータによって所定
の温度に加熱される。スパッタリングチャンバー内は、
排気ポンプ２６ａと図示しないガス供給系とによって所
定の圧力と雰囲気に保持される。
【００１６】配線材料は、例えば比較的低い融点を有す
るＡｌ、もしくはＡｌ／Ｓｉ／Ｃｕ、Ａｌ／Ｃｕ等のＡ
ｌ合金を用いる。例えば、Ａｌ／Ｓｉ／Ｃｕ層のスパッ
タリングを行う場合は、Ａｒ雰囲気で、圧力２ｍＴｏｒ
ｒ、高周波出力１０ｋｗ、製膜速度１μｍ／ｍｉｎ、基
板温度約２００℃の条件で行う。例えば膜厚約８００ｎ
ｍ程度の配線層を形成する。
るＡｌ、もしくはＡｌ／Ｓｉ／Ｃｕ、Ａｌ／Ｃｕ等のＡ
ｌ合金を用いる。例えば、Ａｌ／Ｓｉ／Ｃｕ層のスパッ
タリングを行う場合は、Ａｒ雰囲気で、圧力２ｍＴｏｒ
ｒ、高周波出力１０ｋｗ、製膜速度１μｍ／ｍｉｎ、基
板温度約２００℃の条件で行う。例えば膜厚約８００ｎ
ｍ程度の配線層を形成する。
【００１７】上述の方法で作製した配線層１０の形成例
を図１（ａ）に示す。層間絶縁膜８表面の平坦な部分に
形成された配線層１０の厚みに較べるとコンタクトホー
ルの壁面部分に形成される配線層の膜厚は薄い。コンタ
クトホール部の配線層には凹型形状が残り、コンタクト
ホールの埋め込みは不十分な状態となりやすい。このよ
うな埋め込み状態では、配線層１０と高濃度不純物拡散
層７との良好な電気的接続を得ることができないことが
多い。また、コンタクトホール部に凹型の配線形状が残
っていては、配線層上に形成する膜のパターニングが困
難なものになる。
を図１（ａ）に示す。層間絶縁膜８表面の平坦な部分に
形成された配線層１０の厚みに較べるとコンタクトホー
ルの壁面部分に形成される配線層の膜厚は薄い。コンタ
クトホール部の配線層には凹型形状が残り、コンタクト
ホールの埋め込みは不十分な状態となりやすい。このよ
うな埋め込み状態では、配線層１０と高濃度不純物拡散
層７との良好な電気的接続を得ることができないことが
多い。また、コンタクトホール部に凹型の配線形状が残
っていては、配線層上に形成する膜のパターニングが困
難なものになる。
【００１８】そこで、続けて図３中に示した埋め込み装
置Ｒを用いて埋め込み処理を行い、配線層の埋め込み状
態を改善する。上述の配線材料の製膜を終えた基板を、
基板加熱手段３３、基板回転手段３２および真空排気手
段２６ｃを備えた埋め込み装置Ｒ内に移す。スパッタリ
ング装置Ｓから埋め込み装置Ｒへの搬送は、大気中で行
うことも可能であるが、図３中に示すように基板搬送装
置Ｔを用いて減圧状態を保ったまま、あるいは不活性ガ
スの雰囲気のまま基板が搬送されることが望ましい。
置Ｒを用いて埋め込み処理を行い、配線層の埋め込み状
態を改善する。上述の配線材料の製膜を終えた基板を、
基板加熱手段３３、基板回転手段３２および真空排気手
段２６ｃを備えた埋め込み装置Ｒ内に移す。スパッタリ
ング装置Ｓから埋め込み装置Ｒへの搬送は、大気中で行
うことも可能であるが、図３中に示すように基板搬送装
置Ｔを用いて減圧状態を保ったまま、あるいは不活性ガ
スの雰囲気のまま基板が搬送されることが望ましい。
【００１９】例えば、基板搬送装置Ｔのチャンバー２８
とスパッタリングチャンバー２３、および埋め込み装置
チャンバー３０はそれぞれ開閉可能なゲートバルブ２７
ａ、２７ｂで接続されている。チャンバー２８には、排
気ポンプ２６ｂが備えられており、チャンバー２８内を
減圧状態に保持することができる。基板をスパッタリン
グ装置内から搬出する際は、チャンバー２８内の圧力を
スパッタリングチャンバー２３内の圧力と同圧に調整す
る。この後、ゲートバルブ２７ａを開いて、伸縮上下
動、回転可能な支持腕を有する基板搬送ロボット２９に
よりスパッタリング装置Ｓ内の基板２４を基板搬送装置
Ｔ内に搬送する。搬送が終了するとゲートバルブ２７ａ
は閉じられる。
とスパッタリングチャンバー２３、および埋め込み装置
チャンバー３０はそれぞれ開閉可能なゲートバルブ２７
ａ、２７ｂで接続されている。チャンバー２８には、排
気ポンプ２６ｂが備えられており、チャンバー２８内を
減圧状態に保持することができる。基板をスパッタリン
グ装置内から搬出する際は、チャンバー２８内の圧力を
スパッタリングチャンバー２３内の圧力と同圧に調整す
る。この後、ゲートバルブ２７ａを開いて、伸縮上下
動、回転可能な支持腕を有する基板搬送ロボット２９に
よりスパッタリング装置Ｓ内の基板２４を基板搬送装置
Ｔ内に搬送する。搬送が終了するとゲートバルブ２７ａ
は閉じられる。
【００２０】基板搬送装置Ｔから埋め込み装置Ｒへの基
板の搬送も、同様な手順で行う。基板搬送チャンバー２
８内の圧力を埋め込み装置チャンバー３０内の圧力と同
圧に調整した後、ゲートバルブ２７ｂを開く。基板を乗
せた基板搬送ロボット２９は、支持腕を延ばし、基板２
４を埋め込み装置Ｒ内の回転ドラム３１の内壁の基板ホ
ルダーに設置する。この後、基板搬送ロボット２９は、
その支持腕を基板搬送チャンバー２８に収め、ゲートバ
ルブ２７ｂが閉じられる。
板の搬送も、同様な手順で行う。基板搬送チャンバー２
８内の圧力を埋め込み装置チャンバー３０内の圧力と同
圧に調整した後、ゲートバルブ２７ｂを開く。基板を乗
せた基板搬送ロボット２９は、支持腕を延ばし、基板２
４を埋め込み装置Ｒ内の回転ドラム３１の内壁の基板ホ
ルダーに設置する。この後、基板搬送ロボット２９は、
その支持腕を基板搬送チャンバー２８に収め、ゲートバ
ルブ２７ｂが閉じられる。
【００２１】図３に示すように、埋め込み装置Ｒはチャ
ンバー３０内に例えば回転半径約１０〜３０ｃｍの回転
ドラム３１を有しており、この壁面に支持部によって基
板２４が保持される。回転ドラム３１の回転軸は、埋め
込み装置の外部の側面に備えられた回転モータ３２によ
って回転駆動される。この場合の回転中心軸は、水平方
向にある。基板は、基板支持部によって、基板表面がド
ラムの回転中心に向いており、かつ回転半径と基板面に
対する法線が一致するよう保持される。
ンバー３０内に例えば回転半径約１０〜３０ｃｍの回転
ドラム３１を有しており、この壁面に支持部によって基
板２４が保持される。回転ドラム３１の回転軸は、埋め
込み装置の外部の側面に備えられた回転モータ３２によ
って回転駆動される。この場合の回転中心軸は、水平方
向にある。基板は、基板支持部によって、基板表面がド
ラムの回転中心に向いており、かつ回転半径と基板面に
対する法線が一致するよう保持される。
【００２２】埋め込みチャンバー３０には、排気ポンプ
２６ｃが接続されており、チャンバー３０内部の雰囲気
を減圧に保つことができる。回転ドラム３１が回転する
際の気流抵抗を抑える為、あるいは配線材料の酸化を抑
える為には、埋め込み装置チャンバー３０内が減圧に保
たれることが好ましい。また図示しないが、ガス供給系
からＡｒ、Ｎ2 等のガスをチャンバー３０内に供給する
ことができる。例えば埋め込み装置チャンバー内は、Ａ
ｒ、Ｎ2 等の不活性雰囲気とする。尚、埋め込み性を良
くするにはチャンバー内を数ｍｔｏｒｒ程度の減圧雰囲
気とすることが好ましい。
２６ｃが接続されており、チャンバー３０内部の雰囲気
を減圧に保つことができる。回転ドラム３１が回転する
際の気流抵抗を抑える為、あるいは配線材料の酸化を抑
える為には、埋め込み装置チャンバー３０内が減圧に保
たれることが好ましい。また図示しないが、ガス供給系
からＡｒ、Ｎ2 等のガスをチャンバー３０内に供給する
ことができる。例えば埋め込み装置チャンバー内は、Ａ
ｒ、Ｎ2 等の不活性雰囲気とする。尚、埋め込み性を良
くするにはチャンバー内を数ｍｔｏｒｒ程度の減圧雰囲
気とすることが好ましい。
【００２３】基板ヒータ３３は、例えば図３に示すよう
に、回転ドラムの外周部に設置され、基板を加熱する。
基板ヒータ３３を複数カ所に設置し、ヒータ上を通過す
る基板を所定温度に加熱してもよい。
に、回転ドラムの外周部に設置され、基板を加熱する。
基板ヒータ３３を複数カ所に設置し、ヒータ上を通過す
る基板を所定温度に加熱してもよい。
【００２４】上述の埋め込み装置Ｒを用いて、埋め込み
処理を行う場合、基板温度は、回転開始前または回転中
に配線材料であるＡｌ／Ｓｉ／Ｃｕの流動化温度である
約４００℃〜６００℃とする。埋め込みを行う時のドラ
ムの回転数は約１０〜１００００ｒｐｍ好ましくは１０
０ｒｐｍ以上とする。
処理を行う場合、基板温度は、回転開始前または回転中
に配線材料であるＡｌ／Ｓｉ／Ｃｕの流動化温度である
約４００℃〜６００℃とする。埋め込みを行う時のドラ
ムの回転数は約１０〜１００００ｒｐｍ好ましくは１０
０ｒｐｍ以上とする。
【００２５】埋め込み処理途中のコンタクトホール部の
配線層の状態を図１（ｂ）に示す。矢印αは、埋め込み
装置Ｒ内で基板が回転される際に発生する遠心力の方向
を示す。遠心力は基板全面に均等に、深さ方向に加わ
る。
配線層の状態を図１（ｂ）に示す。矢印αは、埋め込み
装置Ｒ内で基板が回転される際に発生する遠心力の方向
を示す。遠心力は基板全面に均等に、深さ方向に加わ
る。
【００２６】通常、配線層を流動状態に加熱すると、流
動化した配線層は、重力の影響を受け下方に流れようと
する。しかし粘性がある程度高い状態では、必ずしもス
ムーズに流れ得ない。流動性を上げる為には、基板温度
を上げ配線材料の粘度を下げることが考えられるが、基
板温度を上げることは、表面酸化や、Ａｌのマイグレー
ション等の問題を発生し、好ましくないことが多い。
動化した配線層は、重力の影響を受け下方に流れようと
する。しかし粘性がある程度高い状態では、必ずしもス
ムーズに流れ得ない。流動性を上げる為には、基板温度
を上げ配線材料の粘度を下げることが考えられるが、基
板温度を上げることは、表面酸化や、Ａｌのマイグレー
ション等の問題を発生し、好ましくないことが多い。
【００２７】しかし、上述の実施例で示すように、流動
化した配線層に重力よりはるかに大きい遠心力を加算す
ると、基板温度を上げることなく下方への配線材料の流
動性をより高めることができる。
化した配線層に重力よりはるかに大きい遠心力を加算す
ると、基板温度を上げることなく下方への配線材料の流
動性をより高めることができる。
【００２８】図１（ｂ）に示すように、流動状態の配線
材料は、遠心力の方向に流れ易くなり、コンタクトホー
ル９内に残った溝を優先的に埋めていくことができる。
最終的には、図１（ｃ）に示すように、コンタクトホー
ルの溝は完全に塞がれ、配線層１０の表面は平坦化され
る。
材料は、遠心力の方向に流れ易くなり、コンタクトホー
ル９内に残った溝を優先的に埋めていくことができる。
最終的には、図１（ｃ）に示すように、コンタクトホー
ルの溝は完全に塞がれ、配線層１０の表面は平坦化され
る。
【００２９】このようにコンタクトホールの埋め込みを
改善するには、コンタクトホールの開口部から底部に向
かう遠心力の成分が発生するよう、好ましくは一致する
ように配慮する必要がある。遠心力は、回転中心から回
転半径方向、即ち回転円周に接する平面に垂直な軸上に
回転中心より外部に向かって発生するので、基板面に対
する法線を回転半径と一致させるようにすることが好ま
しい。
改善するには、コンタクトホールの開口部から底部に向
かう遠心力の成分が発生するよう、好ましくは一致する
ように配慮する必要がある。遠心力は、回転中心から回
転半径方向、即ち回転円周に接する平面に垂直な軸上に
回転中心より外部に向かって発生するので、基板面に対
する法線を回転半径と一致させるようにすることが好ま
しい。
【００３０】上述の埋め込み方法は、配線層の製膜直後
にコンタクトホールを埋める配線層の内部に空洞ができ
た場合においても、この空洞を消滅させるのに効果があ
るものと期待される。例えば、このような空洞は製膜時
にできるものである為、空洞内部の圧力は製膜時の雰囲
気圧力である減圧状態であることが多い。遠心力のかか
った流動状態の配線層は、この減圧の空洞を押しつぶ
し、中の不活性ガスを周囲の配線層に溶け込ませるもの
と考えられる。
にコンタクトホールを埋める配線層の内部に空洞ができ
た場合においても、この空洞を消滅させるのに効果があ
るものと期待される。例えば、このような空洞は製膜時
にできるものである為、空洞内部の圧力は製膜時の雰囲
気圧力である減圧状態であることが多い。遠心力のかか
った流動状態の配線層は、この減圧の空洞を押しつぶ
し、中の不活性ガスを周囲の配線層に溶け込ませるもの
と考えられる。
【００３１】あるいは、空洞の上部を覆う配線材料が、
遠心力によりコンタクトホールの底部に流れ混むこと
で、空洞の上部を開放し、一旦凹型の埋め込み形状とし
た後、この凹型を配線材料で埋めていくとも考えられ
る。
遠心力によりコンタクトホールの底部に流れ混むこと
で、空洞の上部を開放し、一旦凹型の埋め込み形状とし
た後、この凹型を配線材料で埋めていくとも考えられ
る。
【００３２】尚、製膜装置と基板搬送装置、および埋め
込み装置の構成は、図３に示す構成に限らない。回転軸
方向が異なる埋め込み装置を含む、別な装置構成例を図
４に示す。図４中に示す埋め込み装置Ｒの基板回転軸は
鉛直方向にあり、図３に示した埋め込み装置と回転軸方
向が９０度異なっている。勿論、回転軸の方向は、どち
らであっても良い。
込み装置の構成は、図３に示す構成に限らない。回転軸
方向が異なる埋め込み装置を含む、別な装置構成例を図
４に示す。図４中に示す埋め込み装置Ｒの基板回転軸は
鉛直方向にあり、図３に示した埋め込み装置と回転軸方
向が９０度異なっている。勿論、回転軸の方向は、どち
らであっても良い。
【００３３】スパッタリング装置Ｓと埋め込み装置Ｒ
は、基板搬送装置Ｔの周囲に配置され、接続されてい
る。尚、基板搬送装置Ｔの周囲には、この他にも複数の
異なる装置を接続することが可能である。基板搬送装置
Ｔを介してのスパッタリング装置Ｓと埋め込み装置Ｒの
間の基板搬送は、上述した図３に示す装置構成の場合と
同様な方法で行われる。
は、基板搬送装置Ｔの周囲に配置され、接続されてい
る。尚、基板搬送装置Ｔの周囲には、この他にも複数の
異なる装置を接続することが可能である。基板搬送装置
Ｔを介してのスパッタリング装置Ｓと埋め込み装置Ｒの
間の基板搬送は、上述した図３に示す装置構成の場合と
同様な方法で行われる。
【００３４】埋め込み装置の回転ドラムの回転軸が鉛直
方向にある場合は、回転ドラムの上部もしくは下部に、
基板搬送カセットを有した基板搬送室を備え、基板搬送
装置より移動してきた基板をまずこの基板搬送カセット
に移し、さらに基板搬送カセットを上下駆動し、回転ド
ラム内壁に基板を設置するようにしてもよい。
方向にある場合は、回転ドラムの上部もしくは下部に、
基板搬送カセットを有した基板搬送室を備え、基板搬送
装置より移動してきた基板をまずこの基板搬送カセット
に移し、さらに基板搬送カセットを上下駆動し、回転ド
ラム内壁に基板を設置するようにしてもよい。
【００３５】上述した実施例では、製膜装置と高温回転
処理を行う埋め込み装置は独立しており、個別の装置で
行っている。この為、埋め込み装置は複雑な機構を必要
とせず、比較的簡易な構成の装置にできる。また、配線
層の製膜方法は、特に限定されず、いずれの製膜装置を
用いることも可能である。通常のＤＣスパッタリング装
置に限らず、高周波スパッタ、コリメーションスパッタ
等各種のスパッタリング装置を用いることもできる。ま
た、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ等の製膜装置を用いるこ
ともできる。
処理を行う埋め込み装置は独立しており、個別の装置で
行っている。この為、埋め込み装置は複雑な機構を必要
とせず、比較的簡易な構成の装置にできる。また、配線
層の製膜方法は、特に限定されず、いずれの製膜装置を
用いることも可能である。通常のＤＣスパッタリング装
置に限らず、高周波スパッタ、コリメーションスパッタ
等各種のスパッタリング装置を用いることもできる。ま
た、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ等の製膜装置を用いるこ
ともできる。
【００３６】勿論、配線層の製膜と埋め込み処理を個別
の装置で行う必要は必ずしもなく製膜装置自体に回転機
構を備えて、製膜後もしくは製膜と同時に回転処理を行
ってもよい。
の装置で行う必要は必ずしもなく製膜装置自体に回転機
構を備えて、製膜後もしくは製膜と同時に回転処理を行
ってもよい。
【００３７】上述した実施例では、埋め込み装置の有す
る回転ドラム半径を約１０〜３０ｃｍ、回転数を１００
〜１００００ｒｐｍとしているが、この条件に限らな
い。コンタクトホールの埋め込み特性を上げるには、埋
め込み処理時に基板に印加される遠心力が大きいことが
望まれる。遠心力は、一般にｍｒω2 で示される。ここ
でｍは遠心力が作用する物体の質量、ｒは回転半径、ω
は角速度である。よって、遠心力を上げる為には、回転
半径をできるだけ大きくするか、角速度（回転数）を上
げるとよい。
る回転ドラム半径を約１０〜３０ｃｍ、回転数を１００
〜１００００ｒｐｍとしているが、この条件に限らな
い。コンタクトホールの埋め込み特性を上げるには、埋
め込み処理時に基板に印加される遠心力が大きいことが
望まれる。遠心力は、一般にｍｒω2 で示される。ここ
でｍは遠心力が作用する物体の質量、ｒは回転半径、ω
は角速度である。よって、遠心力を上げる為には、回転
半径をできるだけ大きくするか、角速度（回転数）を上
げるとよい。
【００３８】ただし、実施例の値に比較し、回転半径、
回転数共に小さい場合であっても、コンタクトホール方
向の遠心力が発生していれば、単に配線材料を流動化す
る温度に基板加熱を行った場合と比較して、埋め込み特
性は向上するものと期待できる。
回転数共に小さい場合であっても、コンタクトホール方
向の遠心力が発生していれば、単に配線材料を流動化す
る温度に基板加熱を行った場合と比較して、埋め込み特
性は向上するものと期待できる。
【００３９】また、基板回転により発生した遠心力は、
コンタクトホールの深さ方向への流動性を上げる為、通
常のＡｌリフロー等で用いる基板温度よりやや低い基板
温度であっても埋め込み特性の改善が期待できる。
コンタクトホールの深さ方向への流動性を上げる為、通
常のＡｌリフロー等で用いる基板温度よりやや低い基板
温度であっても埋め込み特性の改善が期待できる。
【００４０】遠心力の発生方向は、必ずしも基板の深さ
方向に一致している必要はなく、深さ方向のベクトル成
分を有すれば同様な効果が得られるだろう。上述した実
施例では、配線層としてＡｌ／Ｓｉ／Ｃｕの一層を用い
た場合について説明したが、図５に示すようにＡｌ合金
層１０の下地層として、ＷＳｉ、Ｔｉ、ＴｉＮ膜等のバ
リアメタル層１１を有してもよい。この場合は、Ａｌ合
金を製膜する前に、スパッタリング装置等を用いて、バ
リアメタルを約５０ｎｍ程度形成する。この後の工程
は、上述の実施例と同様な方法でＡｌ合金層の製膜と埋
め込みを行えばよい。
方向に一致している必要はなく、深さ方向のベクトル成
分を有すれば同様な効果が得られるだろう。上述した実
施例では、配線層としてＡｌ／Ｓｉ／Ｃｕの一層を用い
た場合について説明したが、図５に示すようにＡｌ合金
層１０の下地層として、ＷＳｉ、Ｔｉ、ＴｉＮ膜等のバ
リアメタル層１１を有してもよい。この場合は、Ａｌ合
金を製膜する前に、スパッタリング装置等を用いて、バ
リアメタルを約５０ｎｍ程度形成する。この後の工程
は、上述の実施例と同様な方法でＡｌ合金層の製膜と埋
め込みを行えばよい。
【００４１】以上、実施例としてＭＯＳトランジスタの
ソース、ドレインと配線層との接続部分のコンタクトホ
ールの埋め込みについて説明したが、ｐ型もしくはｎ型
のウェル層と配線層を接続するウェルコンタクトの為の
埋め込み、あるいは、多層配線が形成される際の上下の
配線層をコンタクトホールを介して接続する際の埋め込
みについても同様な方法を用いることができる。
ソース、ドレインと配線層との接続部分のコンタクトホ
ールの埋め込みについて説明したが、ｐ型もしくはｎ型
のウェル層と配線層を接続するウェルコンタクトの為の
埋め込み、あるいは、多層配線が形成される際の上下の
配線層をコンタクトホールを介して接続する際の埋め込
みについても同様な方法を用いることができる。
【００４２】尚、コンタクトホールの深さに対するホー
ル径がさらに小さくなり、アスペクト比が上がる程、本
実施例の方法は有効なものとなるだろう。以上実施例に
沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限され
るものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わ
せ等が可能なことは当業者に自明であろう。
ル径がさらに小さくなり、アスペクト比が上がる程、本
実施例の方法は有効なものとなるだろう。以上実施例に
沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限され
るものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わ
せ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
配線材料によるコンタクトホールの埋め込みを簡便な埋
め込み装置を用いることで良好に行うことができる。ま
た同時に配線層の良好な平坦化が可能である。
配線材料によるコンタクトホールの埋め込みを簡便な埋
め込み装置を用いることで良好に行うことができる。ま
た同時に配線層の良好な平坦化が可能である。
【図１】実施例のコンタクトホールの埋め込み工程を示
す半導体装置の断面図である。
す半導体装置の断面図である。
【図２】実施例における半導体装置の断面図である。
【図３】実施例における半導体製造装置の構成図であ
る。
る。
【図４】別な実施例における半導体製造装置の構成図で
ある。
ある。
【図５】別な実施例における半導体装置の断面図であ
る。
る。
１・・・半導体基板、２・・・ｐ／ｎウェル層、３・・
・ゲート酸化膜、４・・・ゲート電極、５・・・サイド
スペーサ、６・・・フィールド酸化膜、７・・・高濃度
不純物拡散層、８・・・層間絶縁膜、９・・・コンタク
トホール、１０・・・配線層、１１・・・バリアメタル
層、２１・・・カソード、２２・・・ターゲット、２３
・・・スパッタリングチャンバー、２４・・・基板、２
５・・・ヒータ、２６ａ、２６ｂ、２６ｃ・・・排気装
置、２７ａ、２７ｂ・・・ゲートバルブ、２８・・・基
板搬送チャンバー、２９・・・基板搬送ロボット、３０
・・・埋め込み装置チャンバー、３１・・・回転ドラ
ム、３２・・・回転モータ、３３・・・ヒータ。
・ゲート酸化膜、４・・・ゲート電極、５・・・サイド
スペーサ、６・・・フィールド酸化膜、７・・・高濃度
不純物拡散層、８・・・層間絶縁膜、９・・・コンタク
トホール、１０・・・配線層、１１・・・バリアメタル
層、２１・・・カソード、２２・・・ターゲット、２３
・・・スパッタリングチャンバー、２４・・・基板、２
５・・・ヒータ、２６ａ、２６ｂ、２６ｃ・・・排気装
置、２７ａ、２７ｂ・・・ゲートバルブ、２８・・・基
板搬送チャンバー、２９・・・基板搬送ロボット、３０
・・・埋め込み装置チャンバー、３１・・・回転ドラ
ム、３２・・・回転モータ、３３・・・ヒータ。
Claims (3)
- 【請求項１】 導電領域を有する基板を用意する工程
と、 前記導電領域上にコンタクトホールを有する絶縁体層を
基板上に形成する工程と、 該コンタクトホールを覆って配線材料を製膜する工程
と、 さらに、該基板を該配線材料が流動化する温度以上に加
熱するとともに、該コンタクトホールの開口部から底部
に向かう遠心力が発生する方向に該基板を回転する埋め
込み工程とを有する半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 該配線材料が、ＡｌもしくはＡｌを含む
合金である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 真空排気可能な気密容器と、 該気密容器内に収容され、回転半径方向にほぼ垂直に基
板面を支持する半導体基板支持手段と、 該半導体基板支持手段を回転駆動する駆動手段と、 該半導体基板支持手段に支持された半導体基板を加熱す
ることのできる半導体基板加熱手段とを有する半導体製
造装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7026794A JPH08222564A (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
| US08/599,646 US6130158A (en) | 1995-02-15 | 1996-02-12 | Filling connection hole with wiring material by using centrifugal force |
| US09/618,108 US6375687B1 (en) | 1995-02-15 | 2000-07-17 | Filling connection hole with wiring material by using centrifugal force |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7026794A JPH08222564A (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08222564A true JPH08222564A (ja) | 1996-08-30 |
Family
ID=12203237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7026794A Pending JPH08222564A (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6130158A (ja) |
| JP (1) | JPH08222564A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10303397A (ja) * | 1997-04-17 | 1998-11-13 | Samsung Electron Co Ltd | 白金族金属層の形成方法及びこれを用いたキャパシタ製造方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6650823B1 (en) * | 2000-12-19 | 2003-11-18 | Intel Corporation | Method of creating a photonic via using fiber optic |
| US6819836B2 (en) | 2000-12-19 | 2004-11-16 | Intel Corporation | Photonic and electronic components on a shared substrate with through substrate communication |
| US6572010B2 (en) * | 2001-06-12 | 2003-06-03 | Applied Materials Inc. | Integrated solder bump deposition apparatus and method |
| DE102004039443B4 (de) | 2004-08-13 | 2023-05-25 | Beijing E-Town Semiconductor Technology, Co., Ltd. | Verfahren zum thermischen Behandeln von scheibenförmigen Substraten |
| JP5649441B2 (ja) * | 2009-12-29 | 2015-01-07 | キヤノンアネルバ株式会社 | 金属膜を埋め込む工程を有する電子部品の製造方法 |
| WO2011081202A1 (ja) | 2009-12-29 | 2011-07-07 | キヤノンアネルバ株式会社 | 電子部品の製造方法、電子部品、プラズマ処理装置、制御プログラム及び記録媒体 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0235732A (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属薄膜の形成方法及び形成装置 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4832781A (en) * | 1988-01-07 | 1989-05-23 | Varian Associates, Inc. | Methods and apparatus for thermal transfer with a semiconductor wafer in vacuum |
| US4851095A (en) * | 1988-02-08 | 1989-07-25 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Magnetron sputtering apparatus and process |
| US4970176A (en) * | 1989-09-29 | 1990-11-13 | Motorola, Inc. | Multiple step metallization process |
| DE4028776C2 (de) | 1990-07-03 | 1994-03-10 | Samsung Electronics Co Ltd | Verfahren zur Bildung einer metallischen Verdrahtungsschicht und Füllen einer Kontaktöffnung in einem Halbleiterbauelement |
| JP2805663B2 (ja) | 1991-02-19 | 1998-09-30 | ソニー株式会社 | 配線形成方法 |
| JPH04280425A (ja) * | 1991-03-07 | 1992-10-06 | Sony Corp | 配線形成方法 |
| DE4200809C2 (de) * | 1991-03-20 | 1996-12-12 | Samsung Electronics Co Ltd | Verfahren zur Bildung einer metallischen Verdrahtungsschicht in einem Halbleiterbauelement |
| JPH053257A (ja) * | 1991-06-25 | 1993-01-08 | Kawasaki Steel Corp | 半導体装置の被膜形成方法 |
| JPH0536627A (ja) | 1991-08-01 | 1993-02-12 | Sony Corp | 配線形成方法 |
| US5371042A (en) * | 1992-06-16 | 1994-12-06 | Applied Materials, Inc. | Method of filling contacts in semiconductor devices |
| JPH06112203A (ja) * | 1992-09-28 | 1994-04-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH07105441B2 (ja) * | 1992-11-30 | 1995-11-13 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5421979A (en) * | 1993-08-03 | 1995-06-06 | Photran Corporation | Load-lock drum-type coating apparatus |
| US5395803A (en) | 1993-09-08 | 1995-03-07 | At&T Corp. | Method of spiral resist deposition |
| KR0135840B1 (ko) * | 1994-07-26 | 1998-04-29 | 김광호 | 개구부 매몰(filling)장치와 이를 이용한 반도체소자 제조방법 |
| US5624870A (en) * | 1995-03-16 | 1997-04-29 | United Microelectronics Corporation | Method of contact planarization |
| US5714417A (en) * | 1996-08-22 | 1998-02-03 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Planarization process using artificial gravity |
-
1995
- 1995-02-15 JP JP7026794A patent/JPH08222564A/ja active Pending
-
1996
- 1996-02-12 US US08/599,646 patent/US6130158A/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-07-17 US US09/618,108 patent/US6375687B1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0235732A (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属薄膜の形成方法及び形成装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10303397A (ja) * | 1997-04-17 | 1998-11-13 | Samsung Electron Co Ltd | 白金族金属層の形成方法及びこれを用いたキャパシタ製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6375687B1 (en) | 2002-04-23 |
| US6130158A (en) | 2000-10-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19981124 |