JPH08181047A - 開口部埋没装置およびこれを利用した半導体素子 製造方法 - Google Patents
開口部埋没装置およびこれを利用した半導体素子 製造方法Info
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- JPH08181047A JPH08181047A JP7207635A JP20763595A JPH08181047A JP H08181047 A JPH08181047 A JP H08181047A JP 7207635 A JP7207635 A JP 7207635A JP 20763595 A JP20763595 A JP 20763595A JP H08181047 A JPH08181047 A JP H08181047A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 開口部埋没装置およびこれを利用した半導体
製造方法を提供する。 【解決手段】 回転軸１００と、モータ１０５と、回転
軸１００を中心とした円周上に配置され回転軸１００と
連結された多数個のプレート１１０と、加熱装置１２０
を備えるチャンバ１４０と、ガス注入部１２５とを備え
た半導体製造装置を利用して半導体素子の開口部を埋没
させる。半導体素子の開口部、例えばトレンチあるいは
コンタクトホールの埋没時に基板を回転軸１００の周囲
に回転させて発生する遠心力を利用して埋没しようとす
る物質が開口部内に下がるようにすることにより、開口
部をボイドなく完全に埋没させることができる。
製造方法を提供する。 【解決手段】 回転軸１００と、モータ１０５と、回転
軸１００を中心とした円周上に配置され回転軸１００と
連結された多数個のプレート１１０と、加熱装置１２０
を備えるチャンバ１４０と、ガス注入部１２５とを備え
た半導体製造装置を利用して半導体素子の開口部を埋没
させる。半導体素子の開口部、例えばトレンチあるいは
コンタクトホールの埋没時に基板を回転軸１００の周囲
に回転させて発生する遠心力を利用して埋没しようとす
る物質が開口部内に下がるようにすることにより、開口
部をボイドなく完全に埋没させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、開口部埋没装置お
よびこれを利用した半導体素子製造方法に係り、特にト
レンチあるいはコンタクトホールのような開口部埋没時
に遠心力を利用して埋没させることにより埋没特性を向
上させ得る製造装置およびこれを利用した半導体素子製
造方法に関する。
よびこれを利用した半導体素子製造方法に係り、特にト
レンチあるいはコンタクトホールのような開口部埋没時
に遠心力を利用して埋没させることにより埋没特性を向
上させ得る製造装置およびこれを利用した半導体素子製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置が高集積化されるにつれ、素
子と素子との絶縁に用いられる素子分離領域の面積だけ
でなくコンタクトの大きさが減少するようになった。こ
れにより、それぞれの素子を絶縁させるためのトレン
チ、あるいは導電層と導電層とを連結するためのコンタ
クトホール形成時にボイドなくこれらを埋没させる方法
に関する研究が進行しつつある。
子と素子との絶縁に用いられる素子分離領域の面積だけ
でなくコンタクトの大きさが減少するようになった。こ
れにより、それぞれの素子を絶縁させるためのトレン
チ、あるいは導電層と導電層とを連結するためのコンタ
クトホール形成時にボイドなくこれらを埋没させる方法
に関する研究が進行しつつある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図１Ａ〜１Ｃを参照し
て、従来の方法によるトレンチ埋没時に発生する問題点
を説明する。図１Ａおよび図１Ｂにおいて、参照符号１
０は半導体基板、１５は絶縁膜、２０は段差塗布性不良
により形成されたボイドをそれぞれ示す。
て、従来の方法によるトレンチ埋没時に発生する問題点
を説明する。図１Ａおよび図１Ｂにおいて、参照符号１
０は半導体基板、１５は絶縁膜、２０は段差塗布性不良
により形成されたボイドをそれぞれ示す。
【０００４】通常、素子分離のために半導体基板１０上
に絶縁物、例えば酸化物を化学気相蒸着方法で蒸着して
基板１０に形成されたトレンチを埋没させる絶縁膜１５
を形成する。この時、高集積化による段差塗布性不良に
よりトレンチ内にボイド２０が形成される。ボイド２０
は後続の熱処理工程の進行につれて表面積が減少するの
で、前記トレンチの内部には図１Ｂに示すように丸い孔
状のボイド２５が形成される。
に絶縁物、例えば酸化物を化学気相蒸着方法で蒸着して
基板１０に形成されたトレンチを埋没させる絶縁膜１５
を形成する。この時、高集積化による段差塗布性不良に
よりトレンチ内にボイド２０が形成される。ボイド２０
は後続の熱処理工程の進行につれて表面積が減少するの
で、前記トレンチの内部には図１Ｂに示すように丸い孔
状のボイド２５が形成される。
【０００５】図１Ｂは後続の熱処理工程を行うにつれて
形成された孔状のボイド２５を示したものであり、図１
Ｃは実際の工程で発生した前記孔状のボイドを撮影した
ＳＥＭ写真である。図１Ｃに示す前記ＳＥＭ写真はコン
トラスト調整のため酸化膜に着色処理を行った後に得ら
れたものであり、実際の大きさよりボイドが拡大されて
見える。
形成された孔状のボイド２５を示したものであり、図１
Ｃは実際の工程で発生した前記孔状のボイドを撮影した
ＳＥＭ写真である。図１Ｃに示す前記ＳＥＭ写真はコン
トラスト調整のため酸化膜に着色処理を行った後に得ら
れたものであり、実際の大きさよりボイドが拡大されて
見える。
【０００６】前記のようなボイド２５は工程のマージン
が小さい場合にエッチング段階で露出され、露出された
部分にゲート物質が埋め込まれゲートストリンガが発生
したりあるいはイオン注入時に露出されたボイド表面に
望ましくない不純物がドーピングされる。したがって、
トレンチに埋没された絶縁膜１５が素子分離領域として
の機能を十分に遂行できなくなる。
が小さい場合にエッチング段階で露出され、露出された
部分にゲート物質が埋め込まれゲートストリンガが発生
したりあるいはイオン注入時に露出されたボイド表面に
望ましくない不純物がドーピングされる。したがって、
トレンチに埋没された絶縁膜１５が素子分離領域として
の機能を十分に遂行できなくなる。
【０００７】次に、図２Ａおよび図２Ｂを参照して、従
来の方法によるコンタクト埋没時に発生する問題点を説
明する。図２Ａおよび図２Ｂにおいて、参照符号５０は
半導体基板、５５はコンタクトホールが形成されている
絶縁層、６０はコンタクトホールを形成するための配線
層をそれぞれ示す。
来の方法によるコンタクト埋没時に発生する問題点を説
明する。図２Ａおよび図２Ｂにおいて、参照符号５０は
半導体基板、５５はコンタクトホールが形成されている
絶縁層、６０はコンタクトホールを形成するための配線
層をそれぞれ示す。
【０００８】配線層６０は、例えばアルミニウムを蒸着
して形成するが、高集積化によるコンタクトサイズの減
少により段差塗布性不良が発生する。また、後続の熱処
理工程において、図２Ｂに示すように配線層６０のアル
ミニウムがコンタクトホールの上部に固まる凝集現象が
発生してコンタクト不良を誘発する。本発明の目的は、
前記問題点を解決して開口部の埋没特性を向上させ得る
半導体製造装置を提供することにある。
して形成するが、高集積化によるコンタクトサイズの減
少により段差塗布性不良が発生する。また、後続の熱処
理工程において、図２Ｂに示すように配線層６０のアル
ミニウムがコンタクトホールの上部に固まる凝集現象が
発生してコンタクト不良を誘発する。本発明の目的は、
前記問題点を解決して開口部の埋没特性を向上させ得る
半導体製造装置を提供することにある。
【０００９】本発明の他の目的は、前記製造装置を利用
して半導体素子を製造するに適した製造方法を提供する
ことにある。
して半導体素子を製造するに適した製造方法を提供する
ことにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明は、回転軸と、前記回転軸を回転させるモータ
と、前記回転軸を中心として円をなすように配置され前
記回転軸と連動して回転可能な多数個のプレートと、前
記プレートに向けて設けられている加熱装置を備えるチ
ャンバと、前記チャンバにガスを注入するガス注入部と
を備えることを特徴とする開口部埋没装置を提供する。
に本発明は、回転軸と、前記回転軸を回転させるモータ
と、前記回転軸を中心として円をなすように配置され前
記回転軸と連動して回転可能な多数個のプレートと、前
記プレートに向けて設けられている加熱装置を備えるチ
ャンバと、前記チャンバにガスを注入するガス注入部と
を備えることを特徴とする開口部埋没装置を提供する。
【００１１】前記開口部埋没装置は、前記チャンバを開
閉するウェーハロードロックシステムおよび前記チャン
バ内で前記プレートにウェーハを装着するウェーハ運搬
システムをさらに備えることができる。また、前記加熱
装置はハロゲンランプを使用することが望ましく、前記
ガス注入部は窒素およびアルゴンガスのうちいずれか１
つを注入するためのものである。
閉するウェーハロードロックシステムおよび前記チャン
バ内で前記プレートにウェーハを装着するウェーハ運搬
システムをさらに備えることができる。また、前記加熱
装置はハロゲンランプを使用することが望ましく、前記
ガス注入部は窒素およびアルゴンガスのうちいずれか１
つを注入するためのものである。
【００１２】前記他の目的を達成するために本発明は、
半導体基板に開口部を形成する段階と、前記開口部上に
前記開口部を埋め込むように物質層を塗布する段階と、
前記基板を高速に回転させると同時に、前記物質層がフ
ローされ得る温度まで前記基板を加熱して前記物質層が
前記開口部を完全に埋め込む段階とを備えることを特徴
とする半導体素子製造方法を提供する。
半導体基板に開口部を形成する段階と、前記開口部上に
前記開口部を埋め込むように物質層を塗布する段階と、
前記基板を高速に回転させると同時に、前記物質層がフ
ローされ得る温度まで前記基板を加熱して前記物質層が
前記開口部を完全に埋め込む段階とを備えることを特徴
とする半導体素子製造方法を提供する。
【００１３】前記開口部が素子分離のために形成された
トレンチである場合、前記物質層はシリコン酸化物で形
成することが望ましく、前記開口部がコンタクトホール
である場合、前記物質層はアルミニウムで形成すること
が望ましい。一方、前記回転および加熱工程は窒素およ
びアルゴンガス雰囲気のうちいずれか１つで行って基板
の酸化を防止する。
トレンチである場合、前記物質層はシリコン酸化物で形
成することが望ましく、前記開口部がコンタクトホール
である場合、前記物質層はアルミニウムで形成すること
が望ましい。一方、前記回転および加熱工程は窒素およ
びアルゴンガス雰囲気のうちいずれか１つで行って基板
の酸化を防止する。
【００１４】本発明では開口部、例えばトレンチあるい
はコンタクトホール埋没時に基板を回転させ発生する遠
心力を利用して埋没させようとする物質が開口部内に下
がるようにして開口部をボイドなく完全に埋没させるこ
とができる。
はコンタクトホール埋没時に基板を回転させ発生する遠
心力を利用して埋没させようとする物質が開口部内に下
がるようにして開口部をボイドなく完全に埋没させるこ
とができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき本発
明の実施例をさらに詳細に説明する。図３は、本発明に
よる半導体製造装置を示す概略構成図である。本発明に
よる開口部埋没装置は、回転軸１００、この回転軸１０
０を回転させるためのモータ１０５、回転軸１００側に
向いて回転軸１００の延びる方向と平行に回転軸１００
を中心とする円をなして配置され相互に連結された多数
個のプレート１１０、プレート１１０と回転軸１００の
間に位置しプレート１１０に向かうように設けられた加
熱装置１２０を備えるチャンバ１４０およびチャンバ１
４０にガスを注入するためのガス注入部１２５を備え
る。
明の実施例をさらに詳細に説明する。図３は、本発明に
よる半導体製造装置を示す概略構成図である。本発明に
よる開口部埋没装置は、回転軸１００、この回転軸１０
０を回転させるためのモータ１０５、回転軸１００側に
向いて回転軸１００の延びる方向と平行に回転軸１００
を中心とする円をなして配置され相互に連結された多数
個のプレート１１０、プレート１１０と回転軸１００の
間に位置しプレート１１０に向かうように設けられた加
熱装置１２０を備えるチャンバ１４０およびチャンバ１
４０にガスを注入するためのガス注入部１２５を備え
る。
【００１６】ここで、チャンバ１４０はチャンバ１４０
内にウェーハをプレート１１０に装着するウェーハ運搬
システム１３０をさらに備えることができ、前記開口部
埋没装置はチャンバ１４０を開閉するためのロードロッ
クシステム１３５をさらに備えることができる。また、
加熱装置１２０は必要に応じて多数個を設けることがで
き、プレート１１０は重力と垂直方向の遠心力が発生す
るようにするために回転軸の延びる方向に対して傾斜し
て配置することができる。
内にウェーハをプレート１１０に装着するウェーハ運搬
システム１３０をさらに備えることができ、前記開口部
埋没装置はチャンバ１４０を開閉するためのロードロッ
クシステム１３５をさらに備えることができる。また、
加熱装置１２０は必要に応じて多数個を設けることがで
き、プレート１１０は重力と垂直方向の遠心力が発生す
るようにするために回転軸の延びる方向に対して傾斜し
て配置することができる。
【００１７】次に、図３に示す開口部埋没装置の動作を
簡略に説明する。モータ１０５を稼働させることにより
回転軸１００を回転させると、回転軸１００と連結され
回転軸１００側にそれぞれウェーハ１１５が装着された
多数個のプレート１１０も回転する。これと同時に、ウ
ェーハ１１５と回転軸１００の間に位置する加熱装置１
２０、例えばハロゲンランプを作動させてウェーハ１１
５を加熱する。
簡略に説明する。モータ１０５を稼働させることにより
回転軸１００を回転させると、回転軸１００と連結され
回転軸１００側にそれぞれウェーハ１１５が装着された
多数個のプレート１１０も回転する。これと同時に、ウ
ェーハ１１５と回転軸１００の間に位置する加熱装置１
２０、例えばハロゲンランプを作動させてウェーハ１１
５を加熱する。
【００１８】この時、前記回転によりウェーハ１１５に
は遠心力が加えられるので、ウェーハ１１５上に開口部
を埋没させるために形成されている物質層がウェーハ１
１５の下部方向に力を受けるようになる。また、加熱装
置１２０によりウェーハ１１５が加熱されるので前記物
質層は流動性を有し前記開口部をボイドなく埋没するこ
とができる。
は遠心力が加えられるので、ウェーハ１１５上に開口部
を埋没させるために形成されている物質層がウェーハ１
１５の下部方向に力を受けるようになる。また、加熱装
置１２０によりウェーハ１１５が加熱されるので前記物
質層は流動性を有し前記開口部をボイドなく埋没するこ
とができる。
【００１９】一方、工程中で酸化反応が起きないよう
に、ガス注入部１２５から窒素ガス、アルゴンガスなど
の不活性ガスをチャンバ１４０内に注入することが望ま
しい。図４Ａ〜図４Ｄは、本発明による開口部埋没方法
の第１実施例を工程順に示した断面図である。図４Ａを
参照すると、半導体基板１５０の素子分離領域に所望の
深さのトレンチ１５５を形成する。前述したように、半
導体素子が高集積化するにつれて前記トレンチ１５５の
幅は次第に減少する。
に、ガス注入部１２５から窒素ガス、アルゴンガスなど
の不活性ガスをチャンバ１４０内に注入することが望ま
しい。図４Ａ〜図４Ｄは、本発明による開口部埋没方法
の第１実施例を工程順に示した断面図である。図４Ａを
参照すると、半導体基板１５０の素子分離領域に所望の
深さのトレンチ１５５を形成する。前述したように、半
導体素子が高集積化するにつれて前記トレンチ１５５の
幅は次第に減少する。
【００２０】図４Ｂを参照すると、トレンチ１５５が形
成された基板１５０の全面に絶縁膜、例えば酸化膜１６
０を形成する。酸化膜１６０は、酸化物を化学気相蒸着
法で基板１５０全面に蒸着することによりトレンチ１５
５を埋没させる。このとき、高集積化による段差塗布性
不良によりトレンチ１５５内にボイド１６５が形成され
る可能性がある。
成された基板１５０の全面に絶縁膜、例えば酸化膜１６
０を形成する。酸化膜１６０は、酸化物を化学気相蒸着
法で基板１５０全面に蒸着することによりトレンチ１５
５を埋没させる。このとき、高集積化による段差塗布性
不良によりトレンチ１５５内にボイド１６５が形成され
る可能性がある。
【００２１】続いて、酸化膜１６０が形成されている基
板１５０を図３に示すの開口部埋没装置に装着した後に
高速度に回転させる。このとき、基板１５０は回転軸１
００の軸方向に対して平行に装着するか、あるいは重力
の影響を考慮して基板１５０に対して完全に垂直方向の
遠心力を有するように回転軸１００の軸方向に対して僅
かに傾斜するように装着する。同時に、加熱装置１２
０、例えばハロゲンランプを利用して回転する状態の基
板１５０を前記酸化物がフローされ得る程度の温度に加
熱する。回転による遠心力によって前記フロー可能な酸
化物はトレンチ１５５の底方向に移動しようとするた
め、トレンチ１５５の内部に形成されていたボイド１６
５を埋め込むようになる。したがって、図４Ｃに示すよ
うに、基板１５０上の酸化膜１６０の厚さは多少減少す
る。前記回転および加熱工程は、窒素あるいはアルゴン
ガス雰囲気下で施して基板１５０を酸化反応から保護す
る。
板１５０を図３に示すの開口部埋没装置に装着した後に
高速度に回転させる。このとき、基板１５０は回転軸１
００の軸方向に対して平行に装着するか、あるいは重力
の影響を考慮して基板１５０に対して完全に垂直方向の
遠心力を有するように回転軸１００の軸方向に対して僅
かに傾斜するように装着する。同時に、加熱装置１２
０、例えばハロゲンランプを利用して回転する状態の基
板１５０を前記酸化物がフローされ得る程度の温度に加
熱する。回転による遠心力によって前記フロー可能な酸
化物はトレンチ１５５の底方向に移動しようとするた
め、トレンチ１５５の内部に形成されていたボイド１６
５を埋め込むようになる。したがって、図４Ｃに示すよ
うに、基板１５０上の酸化膜１６０の厚さは多少減少す
る。前記回転および加熱工程は、窒素あるいはアルゴン
ガス雰囲気下で施して基板１５０を酸化反応から保護す
る。
【００２２】次いで、図４Ｄに示すように、酸化膜１６
０をエッチバックして基板１５０に素子分離領域１７０
を完成する。図５Ａ〜図５Ｃは、本発明による開口部埋
没方法の第２実施例を工程順に示した断面図である。図
５Ａを参照すると、半導体基板２００上に絶縁膜２０５
を形成し、絶縁膜２０５に開口部、例えばコンタクトホ
ール２１０を形成する。
０をエッチバックして基板１５０に素子分離領域１７０
を完成する。図５Ａ〜図５Ｃは、本発明による開口部埋
没方法の第２実施例を工程順に示した断面図である。図
５Ａを参照すると、半導体基板２００上に絶縁膜２０５
を形成し、絶縁膜２０５に開口部、例えばコンタクトホ
ール２１０を形成する。
【００２３】図５Ｂを参照すると、コンタクトホール２
１０が形成されている基板２００の全面に金属、例えば
アルミニウムを蒸着してアルミニウム層２１５を形成す
る。続いて、アルミニウム層２１５が形成されている基
板２００を図３Ａに示す開口部埋没装置に装着した後に
高速度に回転させる。このとき、第１実施例と同様に、
基板２００は回転軸１００の軸方向に対して平行に装着
するか、あるいは僅かに傾斜するように装着する。同時
に、加熱装置１２０、例えばハロゲンランプを利用して
回転する状態の基板２００を前記アルミニウムがフロー
され得る程度の温度で加熱させる。回転による遠心力に
より前記フロー可能な酸化物はコンタクトホール２１０
内部の下部に移動しようとするため、図５Ｃに示すよう
にコンタクトホール２１０を埋め込むようになる。
１０が形成されている基板２００の全面に金属、例えば
アルミニウムを蒸着してアルミニウム層２１５を形成す
る。続いて、アルミニウム層２１５が形成されている基
板２００を図３Ａに示す開口部埋没装置に装着した後に
高速度に回転させる。このとき、第１実施例と同様に、
基板２００は回転軸１００の軸方向に対して平行に装着
するか、あるいは僅かに傾斜するように装着する。同時
に、加熱装置１２０、例えばハロゲンランプを利用して
回転する状態の基板２００を前記アルミニウムがフロー
され得る程度の温度で加熱させる。回転による遠心力に
より前記フロー可能な酸化物はコンタクトホール２１０
内部の下部に移動しようとするため、図５Ｃに示すよう
にコンタクトホール２１０を埋め込むようになる。
【００２４】本発明の他の実施例によれば、前記物質層
は不純物がドープされたシリコン酸化物、例えばＢＰＳ
Ｇ（borophosphosillicate glass) またはＰＳＧ(phosp
hosillicate glass)などで形成され得る。なお、本発明
は前記実施例に限定されるものではなく、本発明の思想
を逸脱しない範囲内において種々の改変をなし得ること
は無論である。
は不純物がドープされたシリコン酸化物、例えばＢＰＳ
Ｇ（borophosphosillicate glass) またはＰＳＧ(phosp
hosillicate glass)などで形成され得る。なお、本発明
は前記実施例に限定されるものではなく、本発明の思想
を逸脱しない範囲内において種々の改変をなし得ること
は無論である。
【００２５】
【発明の効果】本発明によると、トレンチやコンタクト
ホールなどの開口部を物質層により埋没させる工程にお
いて、基板を回転させると同時に加熱することにより前
記物質層がフローされるようにして、従来の高集積化さ
れた半導体素子製造工程で発生したボイドまたは凝集現
象を防止することができる。
ホールなどの開口部を物質層により埋没させる工程にお
いて、基板を回転させると同時に加熱することにより前
記物質層がフローされるようにして、従来の高集積化さ
れた半導体素子製造工程で発生したボイドまたは凝集現
象を防止することができる。
【図１】図１Ａおよび図１Ｂは従来のトレンチ埋没方法
における問題点を示す断面図であり、図１Ｃは図１Ｂに
示す状態のＳＥＭ写真である。
における問題点を示す断面図であり、図１Ｃは図１Ｂに
示す状態のＳＥＭ写真である。
【図２】図２Ａおよび図２Ｂは、従来のコンタクトホー
ル埋没方法の問題点を示す断面図である。
ル埋没方法の問題点を示す断面図である。
【図３】本発明による開口部埋没装置を示す概略構成図
である。
である。
【図４】図４Ａ〜図４Ｄは、本発明による開口部埋没方
法の第１実施例を工程順に示した断面図である。
法の第１実施例を工程順に示した断面図である。
【図５】図５Ａ〜図５Ｃは、本発明による開口部埋没方
法の第２実施例を工程順に示した断面図である。
法の第２実施例を工程順に示した断面図である。
１００ 回転軸 １０５ モータ １１０ プレート １１５ ウェーハ １２０ 加熱装置 １２５ ガス注入部 １３０ ウェーハ運搬システム １３５ ロードロックシステム １４０ チャンバ
Claims (13)
- 【請求項１】 回転軸と、 前記回転軸を回転させるモータと、 前記回転軸を中心として円をなすように配置され前記回
転軸と連動して回転可能な多数個のプレートと、 前記プレートに向けて設けられている加熱装置を備える
チャンバと、 前記チャンバにガスを注入するガス注入部と、 を備えることを特徴とする開口部埋没装置。 - 【請求項２】 前記チャンバを開閉するウェーハロード
ロックシステムおよび前記チャンバ内で前記プレートに
ウェーハを装着するウェーハ運搬システムをさらに備え
ることを特徴とする請求項１記載の開口部埋没装置。 - 【請求項３】 前記加熱装置はハロゲンランプを使用す
ることを特徴とする請求項１記載の開口部埋没装置。 - 【請求項４】 前記ガス注入部は窒素およびアルゴンガ
スのうちいずれか１つを注入するためのものであること
を特徴とする請求項１記載の開口部埋没装置。 - 【請求項５】 半導体基板に開口部を形成する段階と、 前記開口部を埋め込むように物質層を塗布する段階と、 前記基板を回転させると同時に前記物質層がフローされ
得る温度まで前記基板を加熱して前記物質層が前記開口
部を埋め込む回転および加熱段階と、 を備えることを特徴とする半導体素子製造方法。 - 【請求項６】 前記開口部は素子分離のために形成され
たトレンチであることを特徴とする請求項５記載の半導
体素子製造方法。 - 【請求項７】 前記物質層はシリコン酸化物で形成する
ことを特徴とする請求項６記載の半導体素子製造方法。 - 【請求項８】 前記開口部はコンタクトホールであるこ
とを特徴とする請求項５記載の半導体素子製造方法。 - 【請求項９】 前記物質層はアルミニウムで形成するこ
とを特徴とする請求項８記載の半導体素子製造方法。 - 【請求項１０】 前記回転および加熱段階は窒素ガス雰
囲気で進行することを特徴とする請求項５記載の半導体
素子製造方法。 - 【請求項１１】 前記回転および加熱段階はアルゴンガ
ス雰囲気で進行することを特徴とする請求項５記載の半
導体素子製造方法。 - 【請求項１２】 前記物質層はシリコン酸化物で形成す
ることを特徴とする請求項５記載の半導体素子製造方
法。 - 【請求項１３】 前記物質層は不純物がドープされたシ
リコン酸化物で形成することを特徴とする請求項５記載
の半導体素子製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940018077A KR0135840B1 (ko) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 개구부 매몰(filling)장치와 이를 이용한 반도체소자 제조방법 |
| KR1994P18077 | 1994-07-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181047A true JPH08181047A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=19388825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7207635A Pending JPH08181047A (ja) | 1994-07-26 | 1995-07-21 | 開口部埋没装置およびこれを利用した半導体素子 製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5824562A (ja) |
| JP (1) | JPH08181047A (ja) |
| KR (1) | KR0135840B1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08222564A (ja) | 1995-02-15 | 1996-08-30 | Yamaha Corp | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
| US6162299A (en) * | 1998-07-10 | 2000-12-19 | Asm America, Inc. | Multi-position load lock chamber |
| TW434786B (en) * | 1999-03-04 | 2001-05-16 | Mosel Vitelic Inc | Method for fabricating a trench isolation |
| US6046097A (en) * | 1999-03-23 | 2000-04-04 | United Microelectronics Corp. | Deposition method with improved step coverage |
| US6174802B1 (en) * | 1999-06-28 | 2001-01-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for fabricating a self aligned contact which eliminates the key hole problem using a two step contact deposition |
| US6362098B1 (en) * | 2001-02-28 | 2002-03-26 | Motorola, Inc. | Plasma-enhanced chemical vapor deposition (CVD) method to fill a trench in a semiconductor substrate |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5093274A (en) * | 1990-02-02 | 1992-03-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for manufacture thereof |
| ATE135848T1 (de) * | 1990-06-29 | 1996-04-15 | Canon Kk | Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung mit einer ausrichtungsmarke |
| US5175125A (en) * | 1991-04-03 | 1992-12-29 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Pte | Method for making electrical contacts |
| JP3230836B2 (ja) * | 1992-04-09 | 2001-11-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| US5444217A (en) * | 1993-01-21 | 1995-08-22 | Moore Epitaxial Inc. | Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers |
-
1994
- 1994-07-26 KR KR1019940018077A patent/KR0135840B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-07-21 JP JP7207635A patent/JPH08181047A/ja active Pending
- 1995-07-25 US US08/506,654 patent/US5824562A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-09-08 US US08/925,264 patent/US5985034A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0135840B1 (ko) | 1998-04-29 |
| US5824562A (en) | 1998-10-20 |
| KR960005796A (ko) | 1996-02-23 |
| US5985034A (en) | 1999-11-16 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060626 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060925 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070620 |