JP3105643B2 - 半導体ウェハの処理方法 - Google Patents
半導体ウェハの処理方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は表面内の穴または溝内に
材料が導入されるように表面上に材料層が形成される装
置に関する。本発明はそれに限定されるわけではないが
特に、上述の表面が半導体ウェハ（または集積回路用の
基板）の表面である装置に関する。
材料が導入されるように表面上に材料層が形成される装
置に関する。本発明はそれに限定されるわけではないが
特に、上述の表面が半導体ウェハ（または集積回路用の
基板）の表面である装置に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】半導
体ウェハ内に半導体デバイスを形成する際にウェハ上に
層を堆積させることが必要とされる状況が数多くある。
一つのこのような状況は、導電性または半導性のトラッ
クがデバイスまたは回路の活性領域と接触することがで
きるようにこれらの導電性または半導性のトラックがウ
ェハ上に形成されるべきときに生じる。標準的にはこの
ときこのようなトラックはウェハの表面上の絶縁層を貫
通してこの絶縁層の下の活性領域と接触し、またはこの
絶縁層の下の別の導電性トラックと接触するようになら
なければならない。なおこの場合、穴は通常『ヴァイア
（ｖｉａｓ）』と称される。このようにトラックが穴を
貫通する場合にはこの穴を満たす材料、例えば金属の量
が良好な電気的接触を確保するのに十分であることが重
要である。
体ウェハ内に半導体デバイスを形成する際にウェハ上に
層を堆積させることが必要とされる状況が数多くある。
一つのこのような状況は、導電性または半導性のトラッ
クがデバイスまたは回路の活性領域と接触することがで
きるようにこれらの導電性または半導性のトラックがウ
ェハ上に形成されるべきときに生じる。標準的にはこの
ときこのようなトラックはウェハの表面上の絶縁層を貫
通してこの絶縁層の下の活性領域と接触し、またはこの
絶縁層の下の別の導電性トラックと接触するようになら
なければならない。なおこの場合、穴は通常『ヴァイア
（ｖｉａｓ）』と称される。このようにトラックが穴を
貫通する場合にはこの穴を満たす材料、例えば金属の量
が良好な電気的接触を確保するのに十分であることが重
要である。
【０００３】もう一つの状況は、活性領域および／また
は導電性トラックを互いに分離絶縁するために、或いは
不動態化層として知られる保護カバーを形成するため
に、電気的絶縁層がウェハ上に形成されるべきときに生
じる。このような層はしばしばウェハ上の導電性トラッ
クまたは他の構造を覆うことを要求され、これらの構造
は互いに接近していてこれらの構造間の間隙が狭い溝を
形成している場合がある。良好な電気的絶縁が得られる
ように絶縁材料がすべての表面を十分な厚さで覆うこと
が重要であり、また絶縁層の頂面がウェハ加工の次の段
階のために十分滑らかであることが重要である。
は導電性トラックを互いに分離絶縁するために、或いは
不動態化層として知られる保護カバーを形成するため
に、電気的絶縁層がウェハ上に形成されるべきときに生
じる。このような層はしばしばウェハ上の導電性トラッ
クまたは他の構造を覆うことを要求され、これらの構造
は互いに接近していてこれらの構造間の間隙が狭い溝を
形成している場合がある。良好な電気的絶縁が得られる
ように絶縁材料がすべての表面を十分な厚さで覆うこと
が重要であり、また絶縁層の頂面がウェハ加工の次の段
階のために十分滑らかであることが重要である。
【０００４】半導体ウェハの表面上に層を形成する標準
的な方法は、導電性の層の場合にはスパッタリングのよ
うな堆積技法、或いは絶縁性の層の場合には化学蒸着法
のような堆積技法を用いることにより行われる。このよ
うな技法では適切な厚さの層が得られるまで、その上に
層が形成されるべき表面が堆積されるべき材料の粒子で
衝撃せしめられる。
的な方法は、導電性の層の場合にはスパッタリングのよ
うな堆積技法、或いは絶縁性の層の場合には化学蒸着法
のような堆積技法を用いることにより行われる。このよ
うな技法では適切な厚さの層が得られるまで、その上に
層が形成されるべき表面が堆積されるべき材料の粒子で
衝撃せしめられる。
【０００５】この表面がウェハの表面まで延びる穴また
は溝を有する層の表面である場合には、材料の粒子はこ
の穴または溝の側部上および底部上に堆積せしめられ
る。しかしながらこれらの粒子は主として穴または溝の
口部に堆積される傾向があり、その結果堆積が継続され
るにつれて口部の幅が減少せしめられることが判明し
た。その結果穴または溝の内部が影に入ってしまう可能
性があり、穴または溝の口部における堆積によって穴ま
たは溝が実質的に閉鎖されて穴または溝の内部における
更なる堆積が阻止される前に、または穴または溝以外の
表面上の他の部分において所要の厚さが堆積される前
に、穴の内部に適切な厚さの材料の層が堆積されない可
能性がある。この問題は、構造の幅が減少するにつれ
て、また半導体技術の発展によって構造がより小さくか
つより狭くなるにつれてますます重大になってきた。
は溝を有する層の表面である場合には、材料の粒子はこ
の穴または溝の側部上および底部上に堆積せしめられ
る。しかしながらこれらの粒子は主として穴または溝の
口部に堆積される傾向があり、その結果堆積が継続され
るにつれて口部の幅が減少せしめられることが判明し
た。その結果穴または溝の内部が影に入ってしまう可能
性があり、穴または溝の口部における堆積によって穴ま
たは溝が実質的に閉鎖されて穴または溝の内部における
更なる堆積が阻止される前に、または穴または溝以外の
表面上の他の部分において所要の厚さが堆積される前
に、穴の内部に適切な厚さの材料の層が堆積されない可
能性がある。この問題は、構造の幅が減少するにつれ
て、また半導体技術の発展によって構造がより小さくか
つより狭くなるにつれてますます重大になってきた。
【０００６】適切な導電性の層を生成する別の方法とし
てまず一つの金属材料で穴を満たし、次いで絶縁体およ
びこの満たされた穴の上に金属層を形成するという方法
がある。斯くして化学蒸着法のような技法を用いて穴が
タングステンで埋められることができ、次に上述のスパ
ッタリング技術によってアルミニウムまたはアルミニウ
ム合金のようなより一般的な金属が表面上に堆積せしめ
られることができる。しかしながら化学蒸着法によって
穴を埋めるのに用いられる材料用のガス源は高価であ
り、また異なる材料を含んだ二つの段階を有するプロセ
スが必要になり、その結果装置全体のコストが増大して
しまう。
てまず一つの金属材料で穴を満たし、次いで絶縁体およ
びこの満たされた穴の上に金属層を形成するという方法
がある。斯くして化学蒸着法のような技法を用いて穴が
タングステンで埋められることができ、次に上述のスパ
ッタリング技術によってアルミニウムまたはアルミニウ
ム合金のようなより一般的な金属が表面上に堆積せしめ
られることができる。しかしながら化学蒸着法によって
穴を埋めるのに用いられる材料用のガス源は高価であ
り、また異なる材料を含んだ二つの段階を有するプロセ
スが必要になり、その結果装置全体のコストが増大して
しまう。
【０００７】高温（５００℃以上）条件下での及び／又
はバイアススパッタリングを用いたスパッタリングによ
って穴を満たすことができるが、この場合金属の品質が
低下してしまい、またこのプロセスはばらつきが大き
く、制御するのが困難である。アルミニウムの化学蒸着
法によって穴を満たすことが可能であるが、このプロセ
スは緩慢であって制御が困難であり、また予め適切な種
層（seed layer) を堆積させることが必要とされる。こ
の場合にも異なる材料を含んだ二つの段階を有するプロ
セスが必要とされる。
はバイアススパッタリングを用いたスパッタリングによ
って穴を満たすことができるが、この場合金属の品質が
低下してしまい、またこのプロセスはばらつきが大き
く、制御するのが困難である。アルミニウムの化学蒸着
法によって穴を満たすことが可能であるが、このプロセ
スは緩慢であって制御が困難であり、また予め適切な種
層（seed layer) を堆積させることが必要とされる。こ
の場合にも異なる材料を含んだ二つの段階を有するプロ
セスが必要とされる。
【０００８】適切な絶縁層を生成するためのいくつかの
別の方法がある。一つの方法は化学蒸着法（ＣＶＤ法）
によって所要の厚さの一部を堆積させ、次いでスパッタ
エッチングまたは反応イオンエッチングによって溝の上
に掛かっている層部分を除去するという方法である。こ
のサイクルは十分な厚さが堆積されるまで繰り返される
ことができ、エッチング工程は溝の口部が閉鎖されるこ
とを防止するために行われる。しかしながらこのプロセ
スは緩慢であり、数回の工程を必要とし、また異なった
幾何形状に対しては調節されなければならない。
別の方法がある。一つの方法は化学蒸着法（ＣＶＤ法）
によって所要の厚さの一部を堆積させ、次いでスパッタ
エッチングまたは反応イオンエッチングによって溝の上
に掛かっている層部分を除去するという方法である。こ
のサイクルは十分な厚さが堆積されるまで繰り返される
ことができ、エッチング工程は溝の口部が閉鎖されるこ
とを防止するために行われる。しかしながらこのプロセ
スは緩慢であり、数回の工程を必要とし、また異なった
幾何形状に対しては調節されなければならない。
【０００９】もう一つの方法は溶融により再び流動化せ
しめられる（リフローせしめられる）ことが可能な絶縁
材料、例えばホウ素またはリンが添加された酸化ケイ素
を堆積させるという方法である。この材料は化学蒸着法
によって堆積されることができ、次いでこの材料は溝内
に流れ込むまで加熱されることができる。しかしながら
このような材料を再び流動化させるために必要とされる
温度は８００℃以上であり、その結果既存のアルミニウ
ムのトラックが溶融せしめられ、ウェハ内のデバイスの
活性領域内で望ましくない拡散が生じせしめられる可能
性がある。
しめられる（リフローせしめられる）ことが可能な絶縁
材料、例えばホウ素またはリンが添加された酸化ケイ素
を堆積させるという方法である。この材料は化学蒸着法
によって堆積されることができ、次いでこの材料は溝内
に流れ込むまで加熱されることができる。しかしながら
このような材料を再び流動化させるために必要とされる
温度は８００℃以上であり、その結果既存のアルミニウ
ムのトラックが溶融せしめられ、ウェハ内のデバイスの
活性領域内で望ましくない拡散が生じせしめられる可能
性がある。
【００１０】第３の方法はウェハの表面上に液体溶液を
施す方法であり、この場合この液体は次いで加熱された
ときに『スピンオングラス（spin-on-glass)』として知
られる層のような固形化した絶縁層を形成する。材料は
最初にウェハの表面上に施されたときに溝内に流入す
る。しかしながらこの材料は加熱工程の後に幾分かの水
分を保持する傾向にあり、この水分がデバイスの信頼性
を腐食作用によって低下せしめる恐れがある。この場合
水分に対して密封するためにキャップ層を設けることが
必要とされる場合があり、これにより加工工程の数が増
大され、従ってデバイスのコストが増大される。
施す方法であり、この場合この液体は次いで加熱された
ときに『スピンオングラス（spin-on-glass)』として知
られる層のような固形化した絶縁層を形成する。材料は
最初にウェハの表面上に施されたときに溝内に流入す
る。しかしながらこの材料は加熱工程の後に幾分かの水
分を保持する傾向にあり、この水分がデバイスの信頼性
を腐食作用によって低下せしめる恐れがある。この場合
水分に対して密封するためにキャップ層を設けることが
必要とされる場合があり、これにより加工工程の数が増
大され、従ってデバイスのコストが増大される。
【００１１】
【課題を解決するための手段】従って本発明によれば、
露出された表面を有する表面層を有し、該表面層の少な
くとも一部が複数の凹部を有する、半導体ウェハの処理
方法であって、前記表面層の少なくとも一部の露出され
た表面にアルミニウム又はアルミニウム合金の金属層を
３５０から４５０℃のプラテン温度で該金属層の溶融な
しに堆積させ、該金属層の堆積は該露出された表面の前
記凹部の全ての開口部を完全に閉じるように全ての凹部
を覆うまで少なくとも続き、その後で該半導体ウェハ及
び該金属層をそれぞれの凹部を埋めるように該金属層の
部分を溶融することなく変形させるのに十分に高い圧力
および高い温度にさらし、該金属層がさらされる高い温
度は４００℃以下であって、該凹部を埋めることを許容
するように該金属層の材料の降伏点を低下させるのに十
分である、半導体ウェハの処理方法、が提供される。
露出された表面を有する表面層を有し、該表面層の少な
くとも一部が複数の凹部を有する、半導体ウェハの処理
方法であって、前記表面層の少なくとも一部の露出され
た表面にアルミニウム又はアルミニウム合金の金属層を
３５０から４５０℃のプラテン温度で該金属層の溶融な
しに堆積させ、該金属層の堆積は該露出された表面の前
記凹部の全ての開口部を完全に閉じるように全ての凹部
を覆うまで少なくとも続き、その後で該半導体ウェハ及
び該金属層をそれぞれの凹部を埋めるように該金属層の
部分を溶融することなく変形させるのに十分に高い圧力
および高い温度にさらし、該金属層がさらされる高い温
度は４００℃以下であって、該凹部を埋めることを許容
するように該金属層の材料の降伏点を低下させるのに十
分である、半導体ウェハの処理方法、が提供される。
【００１２】この変形を引き起こす主要な要因は高めら
れた圧力および温度によって発生せしめられる転移滑り
による塑性流れであると考えられる。また、高められた
温度によって発生せしめられる表面拡散、粒界拡散およ
び格子拡散も効果をもつであろう。
れた圧力および温度によって発生せしめられる転移滑り
による塑性流れであると考えられる。また、高められた
温度によって発生せしめられる表面拡散、粒界拡散およ
び格子拡散も効果をもつであろう。
【００１３】この層を変形させるのに必要な温度および
圧力の精密な条件は使用される材料に依存するが、アル
ミニウムまたはアルミニウム合金の場合には３５０℃以
上の温度および２０×１０6 Pa（３，０００p.s.i.) 以
上の圧力が適切であることが判明した。しかしながらも
っと低い温度および／または圧力でも効果をあげること
ができる。導電性トラックを形成するために一般的に使
用される合金はＡｌ／０〜２％Ｓｉ／０〜４％Ｃｕ／０
〜２％Ｔｉなる組成の合金であり、この合金が上述の条
件下で適切に変形することが判明した。
圧力の精密な条件は使用される材料に依存するが、アル
ミニウムまたはアルミニウム合金の場合には３５０℃以
上の温度および２０×１０6 Pa（３，０００p.s.i.) 以
上の圧力が適切であることが判明した。しかしながらも
っと低い温度および／または圧力でも効果をあげること
ができる。導電性トラックを形成するために一般的に使
用される合金はＡｌ／０〜２％Ｓｉ／０〜４％Ｃｕ／０
〜２％Ｔｉなる組成の合金であり、この合金が上述の条
件下で適切に変形することが判明した。
【００１４】本発明は層を形成する一つの特定の方法に
限定されるものではなく、上述のようにスパッタリング
或いは化学蒸着法が利用されることができ、更に真空蒸
着または液体の使用などの他の代替方法が利用されるこ
ともできる。
限定されるものではなく、上述のようにスパッタリング
或いは化学蒸着法が利用されることができ、更に真空蒸
着または液体の使用などの他の代替方法が利用されるこ
ともできる。
【００１５】斯くして、半導体ウェハ上に金属の層を形
成し、この層がこの層の下層にあるウェハ表面上の層内
の穴または溝を貫通するようにするために、まず初めに
この層を形成するための材料（例えばアルミニウムまた
は他の適切な材料）が例えばスパッタリングによって上
述の下層になる層の表面上に堆積せしめられる。このと
き材料は穴または溝の側面上および底面上に堆積される
ことができるが、穴または溝構造の口部における堆積厚
みの方がより厚くなる。適切な量の材料が堆積されると
堆積処理は停止せしめられ、この層が堆積された半導体
ウェハはこの材料が穴または溝構造を埋めるように移動
せしめられるのに十分な長さの期間だけ高い温度および
圧力にさらされる。即ち、この材料が金属である場合に
は信頼性の高い電気的接触が得られるのに十分なだけ、
またこの材料が絶縁体である場合には信頼性の高い電気
的絶縁が得られるのに十分なだけ、材料が穴または溝構
造内に移動するのに十分な長さの期間高い温度および圧
力にさらされる。
成し、この層がこの層の下層にあるウェハ表面上の層内
の穴または溝を貫通するようにするために、まず初めに
この層を形成するための材料（例えばアルミニウムまた
は他の適切な材料）が例えばスパッタリングによって上
述の下層になる層の表面上に堆積せしめられる。このと
き材料は穴または溝の側面上および底面上に堆積される
ことができるが、穴または溝構造の口部における堆積厚
みの方がより厚くなる。適切な量の材料が堆積されると
堆積処理は停止せしめられ、この層が堆積された半導体
ウェハはこの材料が穴または溝構造を埋めるように移動
せしめられるのに十分な長さの期間だけ高い温度および
圧力にさらされる。即ち、この材料が金属である場合に
は信頼性の高い電気的接触が得られるのに十分なだけ、
またこの材料が絶縁体である場合には信頼性の高い電気
的絶縁が得られるのに十分なだけ、材料が穴または溝構
造内に移動するのに十分な長さの期間高い温度および圧
力にさらされる。
【００１６】穴または溝構造の口部が堆積処理によって
完全に閉鎖され、この閉鎖された口部の下方の穴または
溝構造内に空隙が残されることが重要である。このよう
に穴または溝構造の口部を閉鎖することにより、材料が
その外部の高い圧力によって空隙をつぶしつつ穴または
溝構造内に押し込まれることが可能ならしめられる。従
って材料が高い圧力および温度の条件下で移動したと
き、この空隙は埋められることになる。斯くして、従来
技術の装置とは異なり、穴または溝構造の口部の閉鎖は
処理手順の最後において穴または溝構造を満たすことが
できる材料の量に対する制限とならず、斯くして満足す
べき接触または絶縁が得られる。
完全に閉鎖され、この閉鎖された口部の下方の穴または
溝構造内に空隙が残されることが重要である。このよう
に穴または溝構造の口部を閉鎖することにより、材料が
その外部の高い圧力によって空隙をつぶしつつ穴または
溝構造内に押し込まれることが可能ならしめられる。従
って材料が高い圧力および温度の条件下で移動したと
き、この空隙は埋められることになる。斯くして、従来
技術の装置とは異なり、穴または溝構造の口部の閉鎖は
処理手順の最後において穴または溝構造を満たすことが
できる材料の量に対する制限とならず、斯くして満足す
べき接触または絶縁が得られる。
【００１７】アルミニウムまたはいくつかのアルミニウ
ム合金はその降伏強度が温度につれて徐々に低下するの
で、本発明で使用されるのに特に適している。斯くして
これらのアルミニウムまたはアルミニウム合金はそれら
の融点よりも明らかに低い温度で穴内に移動しまたは穴
を満たすように変形する。非常に高い温度を避けること
がしばしば望ましいので、他の材料ではその融点よりも
低い温度で適切な変形を生じさせることが困難であるか
もしれない。しかしながら、適切かつ正確に温度を制御
することによってこのことを達成することも可能であ
る。
ム合金はその降伏強度が温度につれて徐々に低下するの
で、本発明で使用されるのに特に適している。斯くして
これらのアルミニウムまたはアルミニウム合金はそれら
の融点よりも明らかに低い温度で穴内に移動しまたは穴
を満たすように変形する。非常に高い温度を避けること
がしばしば望ましいので、他の材料ではその融点よりも
低い温度で適切な変形を生じさせることが困難であるか
もしれない。しかしながら、適切かつ正確に温度を制御
することによってこのことを達成することも可能であ
る。
【００１８】アルミニウムが使用される場合には３５０
℃から４００℃の範囲内の温度および３，０００p.s.i.
以上の圧力が適切であることが判明した。実際には圧力
を３５０×１０6 Pa（５０，０００p.s.i.）程度の高圧
あるいはそれ以上の高圧にして温度を３５０℃以下にす
ることも可能であると考えられる。またこのような圧力
および温度条件の持続期間はさほど厳密に管理する必要
はないと考えられる。また高圧を生成するために不活性
ガスまたは反応性ガスが使用されることができる。
℃から４００℃の範囲内の温度および３，０００p.s.i.
以上の圧力が適切であることが判明した。実際には圧力
を３５０×１０6 Pa（５０，０００p.s.i.）程度の高圧
あるいはそれ以上の高圧にして温度を３５０℃以下にす
ることも可能であると考えられる。またこのような圧力
および温度条件の持続期間はさほど厳密に管理する必要
はないと考えられる。また高圧を生成するために不活性
ガスまたは反応性ガスが使用されることができる。
【００１９】上述したように穴または溝構造の口部が堆
積処理によって完全に閉鎖され、この閉鎖された口部の
下方に空隙が残されることが重要である。堆積処理が垂
直方向またはほぼ垂直方向になされる場合にこのように
口部を閉鎖するためには少くとも穴の幅と等しい厚さの
堆積がなされることが必要なことが判明した。この厚さ
を低減させることが望ましく、その結果引き続く層のパ
ターンエッチングの後におけるステップ状の高さが低減
され、その結果（例えば）これに続く層のステップ状の
被覆が容易になり、或いは写真製版がそれに必要とされ
る被写界深度が低減されることによって容易になる。従
って本発明の更なる発展として、材料の流れが広範囲の
角度からウェハの表面に当たるように堆積処理がマグネ
トロンスパッタリングによって実施されることが提案さ
れ、また堆積された材料の移動性を増大させるためにウ
ェハが加熱されることが提案される。表面および熱の正
しい条件下では穴または溝内に堆積された材料はその穴
または溝から外に流れて橋絡に寄与することができる。
アルミニウム合金のマグネトロンスパッタ付着（堆積）
では３５０℃から４５０℃のプラテン温度が適切である
ことが判明した。しかしながら他の温度においてもこの
橋絡効果を高めることができる。
積処理によって完全に閉鎖され、この閉鎖された口部の
下方に空隙が残されることが重要である。堆積処理が垂
直方向またはほぼ垂直方向になされる場合にこのように
口部を閉鎖するためには少くとも穴の幅と等しい厚さの
堆積がなされることが必要なことが判明した。この厚さ
を低減させることが望ましく、その結果引き続く層のパ
ターンエッチングの後におけるステップ状の高さが低減
され、その結果（例えば）これに続く層のステップ状の
被覆が容易になり、或いは写真製版がそれに必要とされ
る被写界深度が低減されることによって容易になる。従
って本発明の更なる発展として、材料の流れが広範囲の
角度からウェハの表面に当たるように堆積処理がマグネ
トロンスパッタリングによって実施されることが提案さ
れ、また堆積された材料の移動性を増大させるためにウ
ェハが加熱されることが提案される。表面および熱の正
しい条件下では穴または溝内に堆積された材料はその穴
または溝から外に流れて橋絡に寄与することができる。
アルミニウム合金のマグネトロンスパッタ付着（堆積）
では３５０℃から４５０℃のプラテン温度が適切である
ことが判明した。しかしながら他の温度においてもこの
橋絡効果を高めることができる。
【００２０】
【実施例】以下添付図面を参照しながら本発明の実施例
を詳細に説明する。図１はその上に予め存在する層２が
備えられた半導体ウェハ１を示す。ウェハ１自体は半導
体デバイスを形成するように複数個の異なった特性の層
および／または領域を含むことができ、このウェハ１自
体はこれらの層および／または領域を形成するための複
数の段階を含む製造プロセスの結果として形成される。
ウェハ１の内部構造は本発明では重要ではないので、こ
れらの層および／または領域についてはこれ以上説明し
ない。
を詳細に説明する。図１はその上に予め存在する層２が
備えられた半導体ウェハ１を示す。ウェハ１自体は半導
体デバイスを形成するように複数個の異なった特性の層
および／または領域を含むことができ、このウェハ１自
体はこれらの層および／または領域を形成するための複
数の段階を含む製造プロセスの結果として形成される。
ウェハ１の内部構造は本発明では重要ではないので、こ
れらの層および／または領域についてはこれ以上説明し
ない。
【００２１】層２は層２内に穴構造または溝構造３を有
する。本発明は予め存在する層２上に層を形成する問題
に関し、例えば金属層によって穴構造または溝構造３内
のウェハ１の表面４への電気的接触がなされることがで
きるように、或いは穴構造または溝構造３内のウェハ１
の表面４上に電気的絶縁体が形成されることができるよ
うに、或いは層（この層は公知の半導性に形成されるこ
とができる。）が形成されることができるように、予め
存在する層２上に層を形成する問題に関する。従ってこ
の表面４は例えばウェハ１内の活性領域、またはウェハ
１上の構造内の別の導電性トラックと接触していること
ができる。
する。本発明は予め存在する層２上に層を形成する問題
に関し、例えば金属層によって穴構造または溝構造３内
のウェハ１の表面４への電気的接触がなされることがで
きるように、或いは穴構造または溝構造３内のウェハ１
の表面４上に電気的絶縁体が形成されることができるよ
うに、或いは層（この層は公知の半導性に形成されるこ
とができる。）が形成されることができるように、予め
存在する層２上に層を形成する問題に関する。従ってこ
の表面４は例えばウェハ１内の活性領域、またはウェハ
１上の構造内の別の導電性トラックと接触していること
ができる。
【００２２】金属層を形成するためにはアルミニウムの
ような材料が図１において例えば下方向または横方向に
層２の表面上にスパッタされる。もし望まれるならば上
方に向けてスパッタリングがなされることも可能であ
る。絶縁層を形成するためには二酸化ケイ素のような材
料が例えば化学蒸着法によって層２の表面上に堆積せし
められる。このプロセスは予め存在する層２上の新しい
層が適切な厚さになるまで継続される。これが図２に示
されており、図２において新しい層は参照符号１０で表
わされている。このような堆積技法では層１０を形成す
るための材料の堆積は表面４によって形成される構造３
の底部および構造３の側壁に比べて構造３の口部におい
てより急速に進行する傾向を有する。その結果、図２に
示されるように穴構造または溝構造３の側壁１１および
表面４は、予め存在する層２の表面を覆う層１０に比べ
て比較的薄い材料の層を有する。従って表面４における
ウェハ１に対する十分信頼性の高い電気的接続または電
気的絶縁が得られない可能性があることがわかる。更
に、この堆積プロセスを継続することによって側壁１１
上および表面４上の堆積量を増加させることは一般的に
不可能である。なぜならば、この堆積プロセスは最終的
に穴構造または溝構造３の上方の層１０内の間隙１２を
閉鎖し、これによりこの構造３の内部の更なる堆積が阻
止されて空隙が残されるからである。
ような材料が図１において例えば下方向または横方向に
層２の表面上にスパッタされる。もし望まれるならば上
方に向けてスパッタリングがなされることも可能であ
る。絶縁層を形成するためには二酸化ケイ素のような材
料が例えば化学蒸着法によって層２の表面上に堆積せし
められる。このプロセスは予め存在する層２上の新しい
層が適切な厚さになるまで継続される。これが図２に示
されており、図２において新しい層は参照符号１０で表
わされている。このような堆積技法では層１０を形成す
るための材料の堆積は表面４によって形成される構造３
の底部および構造３の側壁に比べて構造３の口部におい
てより急速に進行する傾向を有する。その結果、図２に
示されるように穴構造または溝構造３の側壁１１および
表面４は、予め存在する層２の表面を覆う層１０に比べ
て比較的薄い材料の層を有する。従って表面４における
ウェハ１に対する十分信頼性の高い電気的接続または電
気的絶縁が得られない可能性があることがわかる。更
に、この堆積プロセスを継続することによって側壁１１
上および表面４上の堆積量を増加させることは一般的に
不可能である。なぜならば、この堆積プロセスは最終的
に穴構造または溝構造３の上方の層１０内の間隙１２を
閉鎖し、これによりこの構造３の内部の更なる堆積が阻
止されて空隙が残されるからである。
【００２３】上述の技法は最近の標準的な方法を示して
おり、表面４への貧弱な被覆はデバイス内の欠点または
弱点となる可能性がある。
おり、表面４への貧弱な被覆はデバイス内の欠点または
弱点となる可能性がある。
【００２４】堆積作用により構造３の口部を閉鎖させる
ことが重要である。このことにより、ある場合には他の
箇所において堆積厚さが所要の厚さよりも厚くなる可能
性がある。この場合には構造３が満たされた後に余分な
材料をエッチングにより除去することができる。図３は
構造３の口部が閉鎖されて層１０の下に空隙がある処理
段階を示す図２と同様の図である。この空隙を完全に密
封するという考え方は、任意の開放された空隙を密封す
ることができるキャップ層を層の上に設けることによっ
て達成されることもできる。またこのようなキャップ層
は最終的な表面の形態を改善することができる。このよ
うなキッャプ層は任意の適切な材料で形成されることが
でき、またこのようなキャップ層はキャップされる層が
変形すべき温度／圧力においてキャップされる層よりも
高いヤング率を有することができる。ウェハが高められ
た温度／圧力の条件下にさらされた後、キャップ層はそ
のキャップ層の材料に依存して除去されてもよいし或い
は所定の場所に残されてもよい。
ことが重要である。このことにより、ある場合には他の
箇所において堆積厚さが所要の厚さよりも厚くなる可能
性がある。この場合には構造３が満たされた後に余分な
材料をエッチングにより除去することができる。図３は
構造３の口部が閉鎖されて層１０の下に空隙がある処理
段階を示す図２と同様の図である。この空隙を完全に密
封するという考え方は、任意の開放された空隙を密封す
ることができるキャップ層を層の上に設けることによっ
て達成されることもできる。またこのようなキャップ層
は最終的な表面の形態を改善することができる。このよ
うなキッャプ層は任意の適切な材料で形成されることが
でき、またこのようなキャップ層はキャップされる層が
変形すべき温度／圧力においてキャップされる層よりも
高いヤング率を有することができる。ウェハが高められ
た温度／圧力の条件下にさらされた後、キャップ層はそ
のキャップ層の材料に依存して除去されてもよいし或い
は所定の場所に残されてもよい。
【００２５】従って本発明によれば、ひとたび図３に示
される段階に到達すると材料の更なる堆積は止み、次い
で図３に示される構造は高められた温度および圧力、例
えば層１０の材質がアルミニウムであると仮定して３５
０℃から４００℃の温度および２０×１０6 Pa（３，０
００p.s.i.）以上の圧力にさらされる。このような高め
られた温度および圧力によって層１０を形成する材料は
構造３の近傍において流動せしめられる。このプロセス
は、図４に示されるように構造３が満たされるまで継続
することができる。次いで材料１３が構造３を完全に満
たし（埋め）、斯くしてこのとき表面４に対する満足で
きる電気的接触または電気的絶縁が達成されることがで
きる。構造３を埋めるように材料１３が構造３内に流れ
ることにより構造３の上方の層１０内に小さなへこみ部
１４が形成される可能性があるが、このへこみ部１４は
デバイスの電気的特性に影響を及ぼさない。
される段階に到達すると材料の更なる堆積は止み、次い
で図３に示される構造は高められた温度および圧力、例
えば層１０の材質がアルミニウムであると仮定して３５
０℃から４００℃の温度および２０×１０6 Pa（３，０
００p.s.i.）以上の圧力にさらされる。このような高め
られた温度および圧力によって層１０を形成する材料は
構造３の近傍において流動せしめられる。このプロセス
は、図４に示されるように構造３が満たされるまで継続
することができる。次いで材料１３が構造３を完全に満
たし（埋め）、斯くしてこのとき表面４に対する満足で
きる電気的接触または電気的絶縁が達成されることがで
きる。構造３を埋めるように材料１３が構造３内に流れ
ることにより構造３の上方の層１０内に小さなへこみ部
１４が形成される可能性があるが、このへこみ部１４は
デバイスの電気的特性に影響を及ぼさない。
【００２６】このようにして満足すべき接触または絶縁
が得られる。また、この方法は構造３の幅によって影響
されないことがわかる。
が得られる。また、この方法は構造３の幅によって影響
されないことがわかる。
【００２７】上述したように空隙が密封されるように層
１０が穴構造または溝構造３を完全に覆うことが重要で
ある。このように構造３の口部を閉鎖することにより、
構造３の箇所における層１０を横切る方向の圧力差によ
って材料が構造３内に押し込まれることが可能ならしめ
られる。従って、図２および図３に示されるように構造
３の内部に材料が堆積することによって得られる利点は
ほとんどない。図２および図３に関して説明された配置
では構造３の側壁１１上および表面４上には比較的薄い
材料の層が堆積されると仮定したが、このような堆積は
構造３の口部の閉鎖を遅らせ、その結果この構造３の口
部を閉鎖するために堆積することが必要とされる層１０
の厚さが増大する。しかしながら、堆積が高められた温
度、例えば４００℃から４５０℃で生じせしめられた場
合には、構造３の口部が閉鎖される前において構造３に
隣接する層１０の形状が図５に示されるように異なった
形状となることが可能なことがわかった。堆積は構造３
の口部において優先的に発生し、これによりこの構造３
の口部が閉鎖される速度が速められる。従って層１０は
高められた温度で堆積されることが好ましい。より低い
温度での堆積では層１０の厚さは標準的に構造３の幅の
少くとも２倍になるが、この制限は上述のように高めら
れた温度を利用することによって回避されることができ
る。
１０が穴構造または溝構造３を完全に覆うことが重要で
ある。このように構造３の口部を閉鎖することにより、
構造３の箇所における層１０を横切る方向の圧力差によ
って材料が構造３内に押し込まれることが可能ならしめ
られる。従って、図２および図３に示されるように構造
３の内部に材料が堆積することによって得られる利点は
ほとんどない。図２および図３に関して説明された配置
では構造３の側壁１１上および表面４上には比較的薄い
材料の層が堆積されると仮定したが、このような堆積は
構造３の口部の閉鎖を遅らせ、その結果この構造３の口
部を閉鎖するために堆積することが必要とされる層１０
の厚さが増大する。しかしながら、堆積が高められた温
度、例えば４００℃から４５０℃で生じせしめられた場
合には、構造３の口部が閉鎖される前において構造３に
隣接する層１０の形状が図５に示されるように異なった
形状となることが可能なことがわかった。堆積は構造３
の口部において優先的に発生し、これによりこの構造３
の口部が閉鎖される速度が速められる。従って層１０は
高められた温度で堆積されることが好ましい。より低い
温度での堆積では層１０の厚さは標準的に構造３の幅の
少くとも２倍になるが、この制限は上述のように高めら
れた温度を利用することによって回避されることができ
る。
【００２８】更に、図４に示されるように構造３が材料
１３によって完全に埋められなければならないというこ
とが重要であることに注意すべきである。圧力が十分に
高くなかったとき、または圧力が十分に長い期間維持さ
れなかったときには、構造３内への材料１３の流れが構
造３を完全には満たさないことがあり得り、本発明を実
施するときにはこの点に考慮が払われなければならな
い。また層２と層１０間に障壁層（図示しない）を形成
することが望ましい場合もあり得る。更に、多数の隣接
する構造３がある場合にはこれらすべての構造３を満た
すのに十分な材料が層１０内に確保されるように注意を
払う必要がある。
１３によって完全に埋められなければならないというこ
とが重要であることに注意すべきである。圧力が十分に
高くなかったとき、または圧力が十分に長い期間維持さ
れなかったときには、構造３内への材料１３の流れが構
造３を完全には満たさないことがあり得り、本発明を実
施するときにはこの点に考慮が払われなければならな
い。また層２と層１０間に障壁層（図示しない）を形成
することが望ましい場合もあり得る。更に、多数の隣接
する構造３がある場合にはこれらすべての構造３を満た
すのに十分な材料が層１０内に確保されるように注意を
払う必要がある。
【００２９】物品が半導体ウェハである場合に本発明を
実施するための装置が図６に示されている。この装置で
は物品（ウェハ）を高められた圧力および温度にさらす
ための部分を除いて大部分の構成要素が従来からあるも
のである。
実施するための装置が図６に示されている。この装置で
は物品（ウェハ）を高められた圧力および温度にさらす
ための部分を除いて大部分の構成要素が従来からあるも
のである。
【００３０】半導体ウェハはインタフェース２０を介し
て装置内に入れられ、このインタフェース２０からウェ
ハが個々にロック室２１に移送される。このロック室２
１は装置の内部と外部との間を密封するように作用し、
この装置の内部でウェハが処理される。運搬アーム２２
がロック室２１からウェハを受け取ってこのウェハを一
連のモジュールの一つに首尾よく運搬する。これら一連
のモジュール内でウェハの処理が行われる。標準的には
ウェハは予熱モジュール２３内で予め加熱される。真空
中でウェハを予め加熱することによりウェハからガスが
十分に追い出される。このとき約４００℃の温度が６０
秒間維持される。或る種の湿性（hydroscopic)のウェハ
ではこの加熱時間を長くすることが必要な場合もある。
て装置内に入れられ、このインタフェース２０からウェ
ハが個々にロック室２１に移送される。このロック室２
１は装置の内部と外部との間を密封するように作用し、
この装置の内部でウェハが処理される。運搬アーム２２
がロック室２１からウェハを受け取ってこのウェハを一
連のモジュールの一つに首尾よく運搬する。これら一連
のモジュール内でウェハの処理が行われる。標準的には
ウェハは予熱モジュール２３内で予め加熱される。真空
中でウェハを予め加熱することによりウェハからガスが
十分に追い出される。このとき約４００℃の温度が６０
秒間維持される。或る種の湿性（hydroscopic)のウェハ
ではこの加熱時間を長くすることが必要な場合もある。
【００３１】予熱モジュール２３からウェハは運搬アー
ム２２の適切な運動および回転によってスパッタエッチ
モジュール（sputter etch module)２４に運搬されるこ
とができる。このスパッタエッチモジュール２４はウェ
ハから天然の酸化物を追い出し、またこのスパッタエッ
チモジュール２４はウェハから更にガスを取り去ること
ができる。このようなスパッタエッチングは選択自由
（オプション）である。
ム２２の適切な運動および回転によってスパッタエッチ
モジュール（sputter etch module)２４に運搬されるこ
とができる。このスパッタエッチモジュール２４はウェ
ハから天然の酸化物を追い出し、またこのスパッタエッ
チモジュール２４はウェハから更にガスを取り去ること
ができる。このようなスパッタエッチングは選択自由
（オプション）である。
【００３２】このようにして実施された処理によってウ
ェハは図１に示す状態になる。上述したように層１０を
形成する前に層２上に障壁層を形成すべき場合には、ウ
ェハは予熱モジュール２３から直接、またはスパッタエ
ッチモジュール２４から障壁堆積モジュール２５に運搬
される。障壁層は従来の方法で形成されることができ、
この障壁層は例えばＴｉ−ＴｉＮで形成されることがで
きる。ＴｉＮは純粋なＴｉの反応スパッタリングによっ
て堆積されることができ、障壁層の完全性を増大させる
ために無線周波数バイアス、本来の場所への酸素の組み
込み、或いは真空破壊が用いられることができる。障壁
層が形成される場合にはこの障壁層の典型的な厚さは１
００nmのオーダである。図１に示される構造上に障壁層
を形成することは公知であることに注意されたい。
ェハは図１に示す状態になる。上述したように層１０を
形成する前に層２上に障壁層を形成すべき場合には、ウ
ェハは予熱モジュール２３から直接、またはスパッタエ
ッチモジュール２４から障壁堆積モジュール２５に運搬
される。障壁層は従来の方法で形成されることができ、
この障壁層は例えばＴｉ−ＴｉＮで形成されることがで
きる。ＴｉＮは純粋なＴｉの反応スパッタリングによっ
て堆積されることができ、障壁層の完全性を増大させる
ために無線周波数バイアス、本来の場所への酸素の組み
込み、或いは真空破壊が用いられることができる。障壁
層が形成される場合にはこの障壁層の典型的な厚さは１
００nmのオーダである。図１に示される構造上に障壁層
を形成することは公知であることに注意されたい。
【００３３】次いでウェハは運搬アーム２２によって堆
積モジュール２６に運搬され、この堆積モジュール２６
内で層１０が堆積される。この堆積は公知の方法で行わ
れることができ、スパッタ付着が好ましい。上述したよ
うにこのような堆積が高められた温度で行われることが
好ましい。層１０の堆積は物品上のすべての穴構造また
は溝構造が層１０によって密封されるまで継続される。
積モジュール２６に運搬され、この堆積モジュール２６
内で層１０が堆積される。この堆積は公知の方法で行わ
れることができ、スパッタ付着が好ましい。上述したよ
うにこのような堆積が高められた温度で行われることが
好ましい。層１０の堆積は物品上のすべての穴構造また
は溝構造が層１０によって密封されるまで継続される。
【００３４】上述の装置の各モジュール２３から２６は
従来のものでよい。層１０が形成される従来の装置では
層１０は穴構造または溝構造３を密封するようになって
いないが、このような構造３の密封が従来からあるモジ
ュール２６を用いて実施されることができる。
従来のものでよい。層１０が形成される従来の装置では
層１０は穴構造または溝構造３を密封するようになって
いないが、このような構造３の密封が従来からあるモジ
ュール２６を用いて実施されることができる。
【００３５】次いで本発明によれば、ウェハは堆積モジ
ュール２６からモジュール２７に運搬される。このモジ
ュール２７内でウェハは高められた温度および圧力にさ
らされ、その結果図４に示されるように材料１３が穴構
造または溝構造３を埋めるように層１０が変形せしめら
れる。このモジュール２７が図７により詳細に示されて
いる。図６にはまた表示部２８が示されており、操作者
がこの表示部２８によってウェハの移動を監視できるよ
うになっている。
ュール２６からモジュール２７に運搬される。このモジ
ュール２７内でウェハは高められた温度および圧力にさ
らされ、その結果図４に示されるように材料１３が穴構
造または溝構造３を埋めるように層１０が変形せしめら
れる。このモジュール２７が図７により詳細に示されて
いる。図６にはまた表示部２８が示されており、操作者
がこの表示部２８によってウェハの移動を監視できるよ
うになっている。
【００３６】図７からわかるようにモジュール２７は圧
力容器３０を具備し、この圧力容器３０は運搬アーム２
２を含む装置領域に通路３１を介して連結され、この通
路３１にはゲート弁３２が備えられている。斯くしてゲ
ート弁３２を開閉することによりウェハが通路３１を介
して圧力容器３０内に導入されることができ、また圧力
容器３０から取り去られることができる。この動きが矢
印３３で示されている。圧力容器３０の内部はポンプ３
５に連結された真空室３４と連通している。これにより
圧力容器３０の内部が排気されることが可能ならしめら
れる。圧力容器３０内に導入されたウェハ３６を支持す
るために支持ピン３９が設けられる。
力容器３０を具備し、この圧力容器３０は運搬アーム２
２を含む装置領域に通路３１を介して連結され、この通
路３１にはゲート弁３２が備えられている。斯くしてゲ
ート弁３２を開閉することによりウェハが通路３１を介
して圧力容器３０内に導入されることができ、また圧力
容器３０から取り去られることができる。この動きが矢
印３３で示されている。圧力容器３０の内部はポンプ３
５に連結された真空室３４と連通している。これにより
圧力容器３０の内部が排気されることが可能ならしめら
れる。圧力容器３０内に導入されたウェハ３６を支持す
るために支持ピン３９が設けられる。
【００３７】ウェハ３６を高められた圧力にさらすため
に圧力容器３０は例えば高圧アルゴン源に連結された入
口３７を有する。圧力容器３０の内部をアルゴンで満た
すことにより、ウェハ３６およびウェハ３６上の層が適
切に制御された圧力にさらされることができる。更に圧
力容器３０は加熱板３８を備え、この加熱板３８により
圧力容器３０内の温度、従ってウェハ３６の温度が制御
されることができる。
に圧力容器３０は例えば高圧アルゴン源に連結された入
口３７を有する。圧力容器３０の内部をアルゴンで満た
すことにより、ウェハ３６およびウェハ３６上の層が適
切に制御された圧力にさらされることができる。更に圧
力容器３０は加熱板３８を備え、この加熱板３８により
圧力容器３０内の温度、従ってウェハ３６の温度が制御
されることができる。
【００３８】斯くして、圧力容器３０内に導入されたウ
ェハ３６は高められた圧力および温度にさらされること
ができ、その結果ウェハ３６上に形成された層１０がウ
ェハ３６と穴を介して接続せしめられる。
ェハ３６は高められた圧力および温度にさらされること
ができ、その結果ウェハ３６上に形成された層１０がウ
ェハ３６と穴を介して接続せしめられる。
【００３９】斯くして、半導体デバイスはますます小さ
い寸法になる傾向にあり、また接触穴もより小さい寸法
になる傾向にあるが、本発明によれば小さな接触穴を介
して満足すべき電気的接触を得ることができる。スパッ
タリングを用いた既存の技法では図２に関する考察から
わかるように穴の口部における堆積によって小さな穴が
急速に閉鎖され、その結果既存の技法では貧弱な電気的
接触しか与えられない。一方本発明によれば、高められ
た温度および圧力状態が施される前に初めに金属層が堆
積される間において穴の口部が閉鎖されることにより、
上述の高められた圧力および温度状態が施された後にお
ける接触が成功を収めるように改良されることができ
る。
い寸法になる傾向にあり、また接触穴もより小さい寸法
になる傾向にあるが、本発明によれば小さな接触穴を介
して満足すべき電気的接触を得ることができる。スパッ
タリングを用いた既存の技法では図２に関する考察から
わかるように穴の口部における堆積によって小さな穴が
急速に閉鎖され、その結果既存の技法では貧弱な電気的
接触しか与えられない。一方本発明によれば、高められ
た温度および圧力状態が施される前に初めに金属層が堆
積される間において穴の口部が閉鎖されることにより、
上述の高められた圧力および温度状態が施された後にお
ける接触が成功を収めるように改良されることができ
る。
【００４０】また、導電性トラックの間隔がより狭くな
る傾向にあり、これら導電性トラック間の溝がより狭く
なる傾向にあるが、本発明によれば同様の機構によって
層間の満足すべき電気的絶縁を得ることができ、同様の
利点が得られる。
る傾向にあり、これら導電性トラック間の溝がより狭く
なる傾向にあるが、本発明によれば同様の機構によって
層間の満足すべき電気的絶縁を得ることができ、同様の
利点が得られる。
【図１】本発明による層が形成される前の半導体ウェハ
の断面図である。
の断面図である。
【図２】本発明による層が形成される中間段階における
図１のウェハの断面図である。
図１のウェハの断面図である。
【図３】層の堆積が完了した後におけるウェハの断面図
である。
である。
【図４】高められた圧力および高められた温度にさらさ
れた後におけるウェハの断面図である。
れた後におけるウェハの断面図である。
【図５】より高い温度が適用された場合の図２に対応す
る断面図である。
る断面図である。
【図６】本発明を実施するための装置の概略平面図であ
る。
る。
【図７】図６に示す装置で物品を高められた圧力および
温度にさらす部分を示す概略断面図である。
温度にさらす部分を示す概略断面図である。
１…半導体ウェハ ２…予め存在する層 ３…穴構造または溝構造 ４…表面 １０…新しい層 １３…材料
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−205678（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−213471（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−222332（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−225829（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−340713（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3205 H01L 21/3213 H01L 21/768
Claims (2)
- 【請求項１】 露出された表面を有する表面層を有し、
該表面層の少なくとも一部が複数の凹部を有する、半導
体ウェハの処理方法であって、 前記表面層の少なくとも一部の露出された表面にアルミ
ニウム又はアルミニウム合金の金属層を３５０から４５
０℃のプラテン温度で該金属層の溶融なしに堆積させ、
該金属層の堆積は該露出された表面の前記凹部の全ての
開口部を完全に閉じるように全ての凹部を覆うまで少な
くとも続き、 その後で該半導体ウェハ及び該金属層をそれぞれの凹部
を埋めるように該金属層の部分を溶融することなく変形
させるのに十分に高い圧力および高い温度にさらし、 該金属層がさらされる高い温度は４００℃以下であっ
て、該凹部を埋めることを許容するように該金属層の材
料の降伏点を低下させるのに十分である、半導体ウェハ
の処理方法。 - 【請求項２】 該金属層はスパッタリングにより堆積さ
れる請求項１に記載の半導体ウェハの処理方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB919111440A GB9111440D0 (en) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | Forming a layer |
| GB9202745:7 | 1992-02-10 | ||
| GB929202745A GB9202745D0 (en) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | Forming a layer |
| GB9111440:5 | 1992-02-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193063A JPH07193063A (ja) | 1995-07-28 |
| JP3105643B2 true JP3105643B2 (ja) | 2000-11-06 |
Family
ID=26298966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04136820A Expired - Lifetime JP3105643B2 (ja) | 1991-05-28 | 1992-05-28 | 半導体ウェハの処理方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0516344B1 (ja) |
| JP (1) | JP3105643B2 (ja) |
| KR (1) | KR100242602B1 (ja) |
| AT (1) | ATE251342T1 (ja) |
| DE (1) | DE69233222T2 (ja) |
| TW (1) | TW221521B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| GB9414145D0 (en) * | 1994-07-13 | 1994-08-31 | Electrotech Ltd | Forming a layer |
| GB9402486D0 (en) * | 1994-02-09 | 1994-03-30 | Electrotech Ltd | Forming a layer |
| KR960026249A (ko) * | 1994-12-12 | 1996-07-22 | 윌리엄 이. 힐러 | 고압, 저온 반도체 갭 충진 프로세스 |
| KR960042974A (ja) * | 1995-05-23 | 1996-12-21 | ||
| US5857368A (en) * | 1995-10-06 | 1999-01-12 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for fabricating metal paths in semiconductor substrates through high pressure extrusion |
| GB9619461D0 (en) | 1996-09-18 | 1996-10-30 | Electrotech Ltd | Method of processing a workpiece |
| GB2319533B (en) | 1996-11-22 | 2001-06-06 | Trikon Equip Ltd | Methods of forming a barrier layer |
| GB2319532B (en) * | 1996-11-22 | 2001-01-31 | Trikon Equip Ltd | Method and apparatus for treating a semiconductor wafer |
| US6218277B1 (en) | 1998-01-26 | 2001-04-17 | Texas Instruments Incorporated | Method for filling a via opening or contact opening in an integrated circuit |
| JP4357486B2 (ja) | 2003-06-18 | 2009-11-04 | ロジャー・ピー・ジャクソン | スプライン捕捉連結部を備えた多軸骨ねじ |
| US7322981B2 (en) | 2003-08-28 | 2008-01-29 | Jackson Roger P | Polyaxial bone screw with split retainer ring |
| US7160300B2 (en) | 2004-02-27 | 2007-01-09 | Jackson Roger P | Orthopedic implant rod reduction tool set and method |
| US10049927B2 (en) | 2016-06-10 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Seam-healing method upon supra-atmospheric process in diffusion promoting ambient |
| US10622214B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-04-14 | Applied Materials, Inc. | Tungsten defluorination by high pressure treatment |
| JP6947914B2 (ja) | 2017-08-18 | 2021-10-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 高圧高温下のアニールチャンバ |
| US10276411B2 (en) | 2017-08-18 | 2019-04-30 | Applied Materials, Inc. | High pressure and high temperature anneal chamber |
| JP7112490B2 (ja) | 2017-11-11 | 2022-08-03 | マイクロマテリアルズ エルエルシー | 高圧処理チャンバのためのガス供給システム |
| JP2021503714A (ja) | 2017-11-17 | 2021-02-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 高圧処理システムのためのコンデンサシステム |
| EP3762962A4 (en) | 2018-03-09 | 2021-12-08 | Applied Materials, Inc. | HIGH PRESSURE ANNEALING PROCESS FOR METAL-BASED MATERIALS |
| US10950429B2 (en) | 2018-05-08 | 2021-03-16 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming amorphous carbon hard mask layers and hard mask layers formed therefrom |
| US10748783B2 (en) | 2018-07-25 | 2020-08-18 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery module |
| WO2020117462A1 (en) | 2018-12-07 | 2020-06-11 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system |
| US11901222B2 (en) | 2020-02-17 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Multi-step process for flowable gap-fill film |
| CN113543527B (zh) * | 2021-07-09 | 2022-12-30 | 广东工业大学 | 载板填孔工艺的填充基材选型方法及载板填孔工艺 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69023382T2 (de) * | 1989-04-17 | 1996-06-20 | Ibm | Laminierungsverfahren zum Überdecken der Seitenwände einer Höhlung in einem Substrat sowie zur Füllung dieser Höhlung. |
| US5011793A (en) * | 1990-06-19 | 1991-04-30 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Vacuum deposition using pressurized reflow process |
-
1992
- 1992-05-21 DE DE69233222T patent/DE69233222T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-05-21 AT AT92304633T patent/ATE251342T1/de not_active IP Right Cessation
- 1992-05-21 EP EP92304633A patent/EP0516344B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-05-28 KR KR1019920009093A patent/KR100242602B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1992-05-28 JP JP04136820A patent/JP3105643B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-07-01 TW TW081105227A patent/TW221521B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| KR920022405A (ko) | 1992-12-19 |
| JPH07193063A (ja) | 1995-07-28 |
| DE69233222T2 (de) | 2004-08-26 |
| EP0516344A1 (en) | 1992-12-02 |
| DE69233222D1 (de) | 2003-11-06 |
| EP0516344B1 (en) | 2003-10-01 |
| TW221521B (ja) | 1994-03-01 |
| ATE251342T1 (de) | 2003-10-15 |
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