JP2001143998A - レジスト塗布方法及び装置 - Google Patents
レジスト塗布方法及び装置Info
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- JP2001143998A JP2001143998A JP32487999A JP32487999A JP2001143998A JP 2001143998 A JP2001143998 A JP 2001143998A JP 32487999 A JP32487999 A JP 32487999A JP 32487999 A JP32487999 A JP 32487999A JP 2001143998 A JP2001143998 A JP 2001143998A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- coating
- silicon wafer
- spin
- spin head
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコンウェハー等の薄板の表面にレジスト
を均一に塗布することができるレジスト塗布方法及び装
置を提供する。 【解決手段】 スピンヘッド１、本体２、回転軸３、保
護カバー４からなるレジスト塗布装置を用い、シリコン
ウェハーの表面へレジストを滴下し、シリコンウェハー
を任意の方向へ複数回傾斜させ、回転を加えることによ
りレジストを塗布する。
を均一に塗布することができるレジスト塗布方法及び装
置を提供する。 【解決手段】 スピンヘッド１、本体２、回転軸３、保
護カバー４からなるレジスト塗布装置を用い、シリコン
ウェハーの表面へレジストを滴下し、シリコンウェハー
を任意の方向へ複数回傾斜させ、回転を加えることによ
りレジストを塗布する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトリソグラフ
ィー技術における薄板へのレジスト塗布方法及び装置に
関し、主として半導体用シリコンウェハーにレジストを
塗布するのに好適なレジスト塗布方法及び装置に関す
る。
ィー技術における薄板へのレジスト塗布方法及び装置に
関し、主として半導体用シリコンウェハーにレジストを
塗布するのに好適なレジスト塗布方法及び装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】フォトリソグラフィー技術において、半
導体用シリコンウェハーにレジストを塗布する手段の一
つとしてレジストのスピン塗布がある。この方法は、ス
ピンコーターと呼ばれる塗布装置を使用して、シリコン
ウェハーを真空吸着する構造のスピンヘッドと呼ばれる
平板上に、シリコンウェハーを水平に真空吸着し、シリ
コンウェハー上にレジストを滴下して、スピンヘッドを
回転させることによりレジストを均一に塗布する方法で
ある。
導体用シリコンウェハーにレジストを塗布する手段の一
つとしてレジストのスピン塗布がある。この方法は、ス
ピンコーターと呼ばれる塗布装置を使用して、シリコン
ウェハーを真空吸着する構造のスピンヘッドと呼ばれる
平板上に、シリコンウェハーを水平に真空吸着し、シリ
コンウェハー上にレジストを滴下して、スピンヘッドを
回転させることによりレジストを均一に塗布する方法で
ある。
【０００３】図７〜図１０に、一般的なフォトリソグラ
フィー工程におけるレジスト塗布装置を断面図で示す。
フィー工程におけるレジスト塗布装置を断面図で示す。
【０００４】図７に示すように、従来のレジスト塗布装
置は、概略、スピンヘッド１、本体２１、回転軸３１、
保護カバー４よりなる。
置は、概略、スピンヘッド１、本体２１、回転軸３１、
保護カバー４よりなる。
【０００５】従来は、図８に示すごとく、スピンヘッド
１上にシリコンウェハー５を真空吸着により固定し、こ
のシリコンウェハー５上にレジスト６を滴下し、回転軸
３１により、シリコンウェハー５ごとスピンヘッド１を
回転させ、図９に示すように、遠心力によりレジスト６
をシリコンウェハー５の全体に均一に拡げ、塗布してい
た。
１上にシリコンウェハー５を真空吸着により固定し、こ
のシリコンウェハー５上にレジスト６を滴下し、回転軸
３１により、シリコンウェハー５ごとスピンヘッド１を
回転させ、図９に示すように、遠心力によりレジスト６
をシリコンウェハー５の全体に均一に拡げ、塗布してい
た。
【０００６】しかし、従来の装置では、レジストを厚塗
りする場合、レジストの粘度を高くし、さらに塗布時の
回転を低減する必要があった。また、この場合は、図１
０に示すごとく、シリコンウェハー５の内側には、ほぼ
均一なレジスト膜を形成できるが、外周部に遠心力及び
表面張力によりレジスト溜まり７が残ってしまい、ウェ
ハー表面が平坦ではなく、厚みに不均一が発生し、露光
時、光が回り込んだりして、パターン精度が落ちてしま
っていた。このスピン塗布においては、高速回転のた
め、塗布後の外周部のレジスト溜まりは乾燥しており、
流れ出して平坦になることはなかった。
りする場合、レジストの粘度を高くし、さらに塗布時の
回転を低減する必要があった。また、この場合は、図１
０に示すごとく、シリコンウェハー５の内側には、ほぼ
均一なレジスト膜を形成できるが、外周部に遠心力及び
表面張力によりレジスト溜まり７が残ってしまい、ウェ
ハー表面が平坦ではなく、厚みに不均一が発生し、露光
時、光が回り込んだりして、パターン精度が落ちてしま
っていた。このスピン塗布においては、高速回転のた
め、塗布後の外周部のレジスト溜まりは乾燥しており、
流れ出して平坦になることはなかった。
【０００７】また、図１１（ａ）に示す、表面に段差の
あるシリコンウェハーに塗布する場合においても、図１
１（ｂ）に示すように、高速回転でレジストを塗布しよ
うとすると、回転中心となる回転軸３からみて表面の突
起８の内側にはレジストが厚く残るレジスト溜まり９が
でき、突起８の外側にはレジストが塗布されない空隙１
０ができてしまい、均一なレジスト塗布ができなかっ
た。
あるシリコンウェハーに塗布する場合においても、図１
１（ｂ）に示すように、高速回転でレジストを塗布しよ
うとすると、回転中心となる回転軸３からみて表面の突
起８の内側にはレジストが厚く残るレジスト溜まり９が
でき、突起８の外側にはレジストが塗布されない空隙１
０ができてしまい、均一なレジスト塗布ができなかっ
た。
【０００８】そこで、塗布回転数を低減して、レジスト
を塗布しようとした場合には、図１１（ｃ）に示すよう
に、シリコンウェハーの外周部にレジスト溜まり７がで
き、表面の平坦性を欠くという問題があった。
を塗布しようとした場合には、図１１（ｃ）に示すよう
に、シリコンウェハーの外周部にレジスト溜まり７がで
き、表面の平坦性を欠くという問題があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の問題
を解決し、シリコンウェハー等の薄板の表面にレジスト
を均一に塗布することができるレジスト塗布方法及び装
置を提供することを目的とする。
を解決し、シリコンウェハー等の薄板の表面にレジスト
を均一に塗布することができるレジスト塗布方法及び装
置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するためになされたもので、上面に開口する吸着溝
を有し、回転可能なスピンヘッド上に、レジストを塗布
すべき薄板を真空吸引により吸着し、このスピンヘッド
が回転軸を中心として任意の方向へ、任意の角度だけ可
動とし、このスピンヘッドが傾斜、回転するときに、円
形薄板も同時に傾斜するため、レジストが重力で流れ出
してレジストが表面へ塗布されることを特徴とする。
達成するためになされたもので、上面に開口する吸着溝
を有し、回転可能なスピンヘッド上に、レジストを塗布
すべき薄板を真空吸引により吸着し、このスピンヘッド
が回転軸を中心として任意の方向へ、任意の角度だけ可
動とし、このスピンヘッドが傾斜、回転するときに、円
形薄板も同時に傾斜するため、レジストが重力で流れ出
してレジストが表面へ塗布されることを特徴とする。
【００１１】即ち、本発明は、薄板の表面へレジストを
滴下し、前記薄板を任意の方向へ複数回傾斜させ、回転
を加えることによりレジストを塗布することを特徴とす
るレジスト塗布方法である。
滴下し、前記薄板を任意の方向へ複数回傾斜させ、回転
を加えることによりレジストを塗布することを特徴とす
るレジスト塗布方法である。
【００１２】また、本発明は、上面に開口する吸着溝を
有し、回転軸により回転可能なスピンヘッド上に、薄板
を真空吸引により吸着し、レジストを塗布するレジスト
塗布装置において、前記スピンヘッドは、前記回転軸を
中心に任意の方向へ、任意の角度だけ傾斜することが可
能であることを特徴とするレジスト塗布装置である。
有し、回転軸により回転可能なスピンヘッド上に、薄板
を真空吸引により吸着し、レジストを塗布するレジスト
塗布装置において、前記スピンヘッドは、前記回転軸を
中心に任意の方向へ、任意の角度だけ傾斜することが可
能であることを特徴とするレジスト塗布装置である。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を説
明する。
明する。
【００１４】本発明のレジスト塗布装置は、図１（ａ）
及び図１（ｂ）に示すように、スピンヘッド１、本体
２、回転軸３、保護カバー４よりなり、スピンヘッド１
は、回転軸３を中心に、任意の方向（例えば、方向１
１、１２、１３、１４）へ任意の角度だけ傾斜できるよ
うな構造になっている。
及び図１（ｂ）に示すように、スピンヘッド１、本体
２、回転軸３、保護カバー４よりなり、スピンヘッド１
は、回転軸３を中心に、任意の方向（例えば、方向１
１、１２、１３、１４）へ任意の角度だけ傾斜できるよ
うな構造になっている。
【００１５】図２〜図６に、本実施の形態のレジスト塗
布装置を用いて、シリコンウェハーにレジストを塗布す
る工程を示す。
布装置を用いて、シリコンウェハーにレジストを塗布す
る工程を示す。
【００１６】（１）図２に示すごとく、円形のスピンヘ
ッド１上に円形のシリコンウェハー５を真空吸着し、レ
ジスト６をシリコンウェハー５上の中心に滴下する。
ッド１上に円形のシリコンウェハー５を真空吸着し、レ
ジスト６をシリコンウェハー５上の中心に滴下する。
【００１７】（２）図３に示すごとく、回転軸３とスピ
ンヘッド１をシリコンウェハー５を吸着した状態で、あ
る角度だけ傾斜させる。このとき、レジストは、重力に
より傾斜の下側に流れ出していき、シリコンウェハーの
中心より傾斜の下方向へレジストを塗布する。このと
き、傾斜の下側にはレジスト溜まり７ができる。
ンヘッド１をシリコンウェハー５を吸着した状態で、あ
る角度だけ傾斜させる。このとき、レジストは、重力に
より傾斜の下側に流れ出していき、シリコンウェハーの
中心より傾斜の下方向へレジストを塗布する。このと
き、傾斜の下側にはレジスト溜まり７ができる。
【００１８】（３）図４に示すごとく、図３とは逆の方
向へ同様に傾斜させることにより、同様にレジストを塗
布する。このとき、レジスト溜まり７は、反対側にでき
る。これを、任意の方向へ複数回繰り返し、シリコンウ
ェハー全面にレジストを行き渡らせる。この時、回転軸
３を中心にして回転を加えることにより、より均一なレ
ジスト塗布可能となる。
向へ同様に傾斜させることにより、同様にレジストを塗
布する。このとき、レジスト溜まり７は、反対側にでき
る。これを、任意の方向へ複数回繰り返し、シリコンウ
ェハー全面にレジストを行き渡らせる。この時、回転軸
３を中心にして回転を加えることにより、より均一なレ
ジスト塗布可能となる。
【００１９】（４）これまでの工程で、レジストがシリ
コンウェハー５のほぼ全面に行き渡ったところで、図５
に示すように、シリコンウェハー５を水平に保ち、任意
の時間放置する。このとき、従来のスピン塗布と異な
り、シリコンウェハー５上及びレジスト溜まり７は、乾
燥しきっていないため、横方向へ流れ出し、図６に示す
ように、シリコンウェハー上のレジストは均一な厚みと
なる。
コンウェハー５のほぼ全面に行き渡ったところで、図５
に示すように、シリコンウェハー５を水平に保ち、任意
の時間放置する。このとき、従来のスピン塗布と異な
り、シリコンウェハー５上及びレジスト溜まり７は、乾
燥しきっていないため、横方向へ流れ出し、図６に示す
ように、シリコンウェハー上のレジストは均一な厚みと
なる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
シリコンウェハー等の薄板にレジストを厚塗りする場
合、及び表面に突起のある薄板にレジストを塗布する場
合に、スピン塗布で問題となっていた、外周部のレジス
ト溜まりによる厚みの不均一、及び突起部のレジスト溜
まり、空隙等の塗布むら現象を回避でき、薄板の表面に
レジストを均一に塗布することのできるレジスト塗布方
法及び装置を提供することが可能となった。
シリコンウェハー等の薄板にレジストを厚塗りする場
合、及び表面に突起のある薄板にレジストを塗布する場
合に、スピン塗布で問題となっていた、外周部のレジス
ト溜まりによる厚みの不均一、及び突起部のレジスト溜
まり、空隙等の塗布むら現象を回避でき、薄板の表面に
レジストを均一に塗布することのできるレジスト塗布方
法及び装置を提供することが可能となった。
【図１】本発明のレジスト塗布装置の説明図。図１
（ａ）は、断面図。図１（ｂ）は、平面図。
（ａ）は、断面図。図１（ｂ）は、平面図。
【図２】本発明のレジスト塗布装置におけるスピン塗布
の状態を示す断面図。
の状態を示す断面図。
【図３】本発明のレジスト塗布装置におけるスピン塗布
の状態を示す断面図。
の状態を示す断面図。
【図４】本発明のレジスト塗布装置におけるスピン塗布
の状態を示す断面図。
の状態を示す断面図。
【図５】本発明のレジスト塗布装置におけるスピン塗布
の状態を示す断面図。
の状態を示す断面図。
【図６】本発明のレジスト塗布装置におけるスピン塗布
の状態を示す断面図。
の状態を示す断面図。
【図７】従来のレジスト塗布装置の断面図。
【図８】従来のレジスト塗布装置におけるスピン塗布の
状態を示す断面図。
状態を示す断面図。
【図９】従来のレジスト塗布装置におけるスピン塗布の
状態を示す断面図。
状態を示す断面図。
【図１０】従来のレジスト塗布装置におけるスピン塗布
の状態を示す断面図。
の状態を示す断面図。
【図１１】従来のレジスト塗布装置に用いられるシリコ
ンウェハーにおけるレジストのスピン塗布の状態を示す
断面図。図１１（ａ）は、表面に段差のあるシリコンウ
ェハーの断面図。図１１（ｂ）は、シリコンウェハーの
スピン塗布の状態を示す断面図。図１１（ｃ）は、シリ
コンウェハーのスピン塗布の状態を示す断面図。
ンウェハーにおけるレジストのスピン塗布の状態を示す
断面図。図１１（ａ）は、表面に段差のあるシリコンウ
ェハーの断面図。図１１（ｂ）は、シリコンウェハーの
スピン塗布の状態を示す断面図。図１１（ｃ）は、シリ
コンウェハーのスピン塗布の状態を示す断面図。
１ スピンヘッド ２、２１ 本体 ３、３１ 回転軸 ４ 保護カバー ５ シリコンウェハー ６ レジスト ７、９ レジスト溜まり ８ 突起 １０ 空隙 １１、１２、１３、１４ 方向
Claims (2)
- 【請求項１】 薄板の表面へレジストを滴下し、前記薄
板を任意の方向へ複数回傾斜させ、回転を加えることに
よりレジストを塗布することを特徴とするレジスト塗布
方法。 - 【請求項２】 上面に開口する吸着溝を有し、回転軸に
より回転可能なスピンヘッド上に、薄板を真空吸引によ
り吸着し、レジストを塗布するレジスト塗布装置におい
て、前記スピンヘッドは、前記回転軸を中心に任意の方
向へ、任意の角度だけ傾斜することが可能であることを
特徴とするレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32487999A JP2001143998A (ja) | 1999-11-16 | 1999-11-16 | レジスト塗布方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32487999A JP2001143998A (ja) | 1999-11-16 | 1999-11-16 | レジスト塗布方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001143998A true JP2001143998A (ja) | 2001-05-25 |
Family
ID=18170659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32487999A Pending JP2001143998A (ja) | 1999-11-16 | 1999-11-16 | レジスト塗布方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001143998A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7199062B2 (en) | 2005-04-04 | 2007-04-03 | Infineon Technologies Ag | Method for forming a resist film on a substrate having non-uniform topography |
| US7470503B1 (en) | 2005-04-29 | 2008-12-30 | Infineon Technologies Ag | Method for reducing lithography pattern defects |
| US7662436B1 (en) | 2005-05-27 | 2010-02-16 | Infineon Technologies Ag | Method of spin coating a film of non-uniform thickness |
-
1999
- 1999-11-16 JP JP32487999A patent/JP2001143998A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7199062B2 (en) | 2005-04-04 | 2007-04-03 | Infineon Technologies Ag | Method for forming a resist film on a substrate having non-uniform topography |
| US7470503B1 (en) | 2005-04-29 | 2008-12-30 | Infineon Technologies Ag | Method for reducing lithography pattern defects |
| US7662436B1 (en) | 2005-05-27 | 2010-02-16 | Infineon Technologies Ag | Method of spin coating a film of non-uniform thickness |
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