JPH05136039A - レジスト塗布装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

レジスト塗布装置および半導体装置の製造方法

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Publication number
JPH05136039A
JPH05136039A JP29332091A JP29332091A JPH05136039A JP H05136039 A JPH05136039 A JP H05136039A JP 29332091 A JP29332091 A JP 29332091A JP 29332091 A JP29332091 A JP 29332091A JP H05136039 A JPH05136039 A JP H05136039A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chuck
semiconductor wafer
resist
resist coating
wafer
Prior art date
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Pending
Application number
JP29332091A
Other languages
English (en)
Inventor
Soichi Sugawara
宗一 菅原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP29332091A priority Critical patent/JPH05136039A/ja
Publication of JPH05136039A publication Critical patent/JPH05136039A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/02Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
    • B05C11/08Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting

Landscapes

  • Coating Apparatus (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】従来技術におけるレジスト塗布装置は、回転軸
およびチャックと一体に半導体ウェハを回転させると、
若干の軸振れが認められ、レジスト膜厚の変動があっ
た。そこで軸振れをなくし、レジスト膜厚の変動を抑え
る。 【構成】半導体ウェハ3をチャック1上に真空吸着固定
して、チャック1と一体に回転させることにより、前記
半導体ウェハ3上に滴下されたレジスト2を、前記半導
体ウェハ3の全面に均一に塗布するようにしたレジスト
塗布装置において、前記チャック部の最外周部に、質量
の重い金属のおもり4を配置し、なお少なくとも3つ以
上、等間隔に配置したレジスト塗布装置。また、レジス
ト塗布装置を使用する半導体装置の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体装置の製
造工程において、半導体ウェハ上に、フォトリソグラフ
ィ用、電子線リソグラフィ用等のレジストを塗布するレ
ジスト塗布装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のスピンコーターの断面図および平
面図を、図2(a),図2(b)に示す。この図において、チ
ャック1は、回転軸6の上端に取り付けられており、回
転軸6は、モータ7で回転駆動されるようになってい
る。また、この回転軸6およびこの回転軸6が連結され
る前記チャック1の中心軸部5は、中空状になってお
り、中心軸部5の中空部は、チャック1表面に開口して
いる。したがって、この中心軸部5および回転軸6の中
空部を介して真空排気することにより、チャック1上に
半導体ウェハ3を真空吸着固定できるようになってい
る。
【0003】このように構成されたスピンコーターを用
いて半導体ウェハ3に対するレジスト塗布を行う場合
は、まず、その半導体ウェハ3をチャック1上に載置し
た後、チャック1の中心軸部5および回転軸6の中空部
を介して真空排気することにより、前記半導体ウェハ3
をチャック上に真空吸着固定する。しかる後、半導体ウ
ェハ3上にレジスト2を滴下し、その後にモータ7を動
作させることにより、回転軸6およびチャック1と一体
に半導体ウェハ3を回転させる。すると、遠心力によ
り、レジスト2は、半導体ウェハ3上の全面に広がり、
半導体ウェハ3上に塗布される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術では、回転軸6およびチャック1と一体に半導体ウェ
ハ3を回転させると、若干の軸振れが認められた。した
がって、遠心力が安定せず、半導体ウェハ3上でレジス
ト膜厚が変化するという問題点があった。
【0005】
【課題を解決するための手段】(1)本発明のレジスト塗
布装置は、半導体ウェハをチャック上に真空吸着固定し
てチャックと一体に回転させることにより、前記半導体
ウェハ上に滴下されたレジストを、前記半導体ウェハの
全面に均一に塗布するようにしたレジスト塗布装置にお
いて、前記チャック部の最外周部におもりを配置したこ
とを特徴とする。 (2)請求項1記載のレジスト塗布装
置において、前記チャック部に、少なくと も3つ以上
のおもりを等間隔に配置したことを特徴とする。
【0006】(3)半導体装置の製造方法において、請求
項1あるいは請求項2記載のレジスト塗布装置を使用す
ることを特徴とする。
【0007】
【実施例】図1(a),図1(b)は、本発明の一実施例の断
面図および平面図である。この図において、チャック1
は、回転軸6の上端に取り付けてあり、回転軸6は、モ
ータ7で回転駆動させるようになっている。また、この
回転軸6が連結される前記チャック1の中心軸部5は、
中空状になっており、中心軸部5の中空部はチャック1
表面に開口している。したがって、この中心軸部5およ
び回転軸6の中空部を介して真空排気することにより、
チャック1上に半導体ウェハ3を真空吸着固定できるよ
うになっている。また、チャック1の最外周部には、4
つのおもり4が、等間隔に配置してあり、回転の際の回
転軸6の振れを抑えるものである。
【0008】前記おもり4は、質量の重い鉄を使用し、
重量および形状は4つとも同一である。また、おもり4
の表面はCu-Ni-Crメッキの表面処理を施してあり、
耐久性に優れているものである。
【0009】このように構成された一実施例のスピンコ
ーターにおいて、図2の従来と全く同様に、半導体ウェ
ハ3上にレジスト2を滴下し、その後モータ7を動作さ
せることにより、半導体ウェハ上にレジスト2を均一に
塗布させる作業を行う。この塗布作業は、本発明の装置
の均一性を見る為に、20回行う。ここで、レジスト2
は、OFPR800-3,20cp(東京応化工業(株)
製)を使用し、モータ7の回転数は、3200r.p.mで
行う。
【0010】
【発明の効果】前述の塗布作業を行ったところ、従来の
装置で塗布されたレジスト膜厚のバラツキは、レンジで
50Åであるのに対して、本発明の装置で塗布した場
合、回転軸の振れが、ほとんど認められない為に、レジ
スト膜厚のバラツキは、レンジで20〜30Å程度にお
さまる事が確認された。
【0011】このように、本発明により、回転軸の振れ
を抑える事によって、レジスト膜厚の均一性が保たれ
る。レジスト膜厚の均一性がたもたれる事によって、寸
法の安定性も向上し、ひいては、歩留りの向上も可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a),(b)は、この発明のレジスト塗布装置の一
実施例を示す断面図および平面図である。
【図2】(a),(b)は、従来の装置の断面図および平面図
である。
【符号の説明】
1 チャック 2 レジスト 3 半導体ウェハ 4 おもり 5 中心軸部 6 回転軸 7 モータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G03F 7/16 502

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体ウェハをチャック上に真空吸着固定
    してチャックと一体にさせるこにより、前記半導体ウェ
    ハ上に滴下されたレジストを、前記半導体ウェハの全面
    に均一に塗布するようにしたレジスト塗布装置におい
    て、前記チャック部の最外周部におもりを配置したこと
    を特徴とするレジスト塗布装置。
  2. 【請求項2】前記チャック部の最外周部に、少なくとも
    3つ以上のおもりを等間隔で配置したことを特徴とする
    請求項1記載のレジスト塗布装置。
  3. 【請求項3】請求項1あるいは請求項2記載のレジスト
    塗布装置を使用した、半導体装置の製造方法。
JP29332091A 1991-11-08 1991-11-08 レジスト塗布装置および半導体装置の製造方法 Pending JPH05136039A (ja)

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JP29332091A JPH05136039A (ja) 1991-11-08 1991-11-08 レジスト塗布装置および半導体装置の製造方法

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JP29332091A JPH05136039A (ja) 1991-11-08 1991-11-08 レジスト塗布装置および半導体装置の製造方法

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JPH05136039A true JPH05136039A (ja) 1993-06-01

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ID=17793308

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100727611B1 (ko) * 2006-04-03 2007-06-14 주식회사 대우일렉트로닉스 스핀 코팅 장치
CN104874524A (zh) * 2015-05-29 2015-09-02 苏州市吴中区胥口广博模具加工厂 伺服控量式盘边点胶机的圆盘转位机构

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