JPH02219213A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPH02219213A JPH02219213A JP4122889A JP4122889A JPH02219213A JP H02219213 A JPH02219213 A JP H02219213A JP 4122889 A JP4122889 A JP 4122889A JP 4122889 A JP4122889 A JP 4122889A JP H02219213 A JPH02219213 A JP H02219213A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- rotating plate
- resist
- chuck
- rotated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 84
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 18
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ウェハ、フォトマスク等、基板の表面にレジストを回転
塗布する装置に関し、 膜厚均一性の良好な塗布膜を得ることが出来る塗布装置
を提供することを目的とし、 該装置のチャックが保持する前記基板の上方に近接して
該基板と平行に該基板より大なる径を有する回転板を配
設し、該回転板が該基板と共に回転するように構成する
。
塗布する装置に関し、 膜厚均一性の良好な塗布膜を得ることが出来る塗布装置
を提供することを目的とし、 該装置のチャックが保持する前記基板の上方に近接して
該基板と平行に該基板より大なる径を有する回転板を配
設し、該回転板が該基板と共に回転するように構成する
。
本発明は、半導体装置製造工程等においてウェハ、フォ
トマスク等基板表面にレジストを回転塗布するための装
置に関する。
トマスク等基板表面にレジストを回転塗布するための装
置に関する。
半導体装置の電極や配線等或いはフォトマスク等は、基
板に塗布したレジストを紫外線や電子線等で露光した後
現像して得られるレジストパターンを基にして形成され
る。従ってこの電極や配線のパターン精度はレジストパ
ターンの精度に依存するが、このレジストパターンの幅
精度に対してはレジスト膜厚精度が大きな影響を与える
ことが知られている。
板に塗布したレジストを紫外線や電子線等で露光した後
現像して得られるレジストパターンを基にして形成され
る。従ってこの電極や配線のパターン精度はレジストパ
ターンの精度に依存するが、このレジストパターンの幅
精度に対してはレジスト膜厚精度が大きな影響を与える
ことが知られている。
このレジスト膜厚のバラツキには基板間のバラツキと基
板内のバラツキとがあり、これらの対策としてプロセス
条件の管理が行われている。しかし近時半導体装置のパ
ターンの微細化が進み、今後もより一層の微細化が見込
まれているため、良好な膜厚均一性の得られるレジスト
塗布装置が望まれている。
板内のバラツキとがあり、これらの対策としてプロセス
条件の管理が行われている。しかし近時半導体装置のパ
ターンの微細化が進み、今後もより一層の微細化が見込
まれているため、良好な膜厚均一性の得られるレジスト
塗布装置が望まれている。
従来のレジスト塗布装置を第４図に示す。同図中、１は
被塗布物である基板、４１はチャックであり、基板１を
真空吸着してモータ１０により回転する＝ １６はレジ
スト吐出部であり、先端にノズル１７を備え、ここから
レジスト２を基板１上に滴下する。１２は処理カップで
あり、基板１の回転時に飛散する余分のレジストを収容
する。この処理カップ１２の下部には排気口１５が設け
られており、レジストの溶剤の蒸気を排出させる。
被塗布物である基板、４１はチャックであり、基板１を
真空吸着してモータ１０により回転する＝ １６はレジ
スト吐出部であり、先端にノズル１７を備え、ここから
レジスト２を基板１上に滴下する。１２は処理カップで
あり、基板１の回転時に飛散する余分のレジストを収容
する。この処理カップ１２の下部には排気口１５が設け
られており、レジストの溶剤の蒸気を排出させる。
１３は反射板であり、余分なレジストの飛沫が基板１上
に落ちるのを防止するものである。１５は処理カップの
カバーである。
に落ちるのを防止するものである。１５は処理カップの
カバーである。
この装置でレジスト塗布するには、先ず基板１の静止状
態でノズル１７からレジスト２を基板１上に滴下させ、
次いで基板１を低速回転（１，００Ｏｒ、ｐ、ｍ、前後
）してレジスト２を基板１上に広げ、更に高速回転（３
，０００〜６．００Ｏｒ、ｐ、ｍ、程度）するとレジス
ト２は所望の膜厚に向けて徐々に拡がりを続ける。この
間基板１上に拡がったレジスト２は次第に溶剤が蒸発し
て粘度を増し、やがて拡がりは停止する。この時点で基
板１の回転を停止し、レジスト塗布を完了する。
態でノズル１７からレジスト２を基板１上に滴下させ、
次いで基板１を低速回転（１，００Ｏｒ、ｐ、ｍ、前後
）してレジスト２を基板１上に広げ、更に高速回転（３
，０００〜６．００Ｏｒ、ｐ、ｍ、程度）するとレジス
ト２は所望の膜厚に向けて徐々に拡がりを続ける。この
間基板１上に拡がったレジスト２は次第に溶剤が蒸発し
て粘度を増し、やがて拡がりは停止する。この時点で基
板１の回転を停止し、レジスト塗布を完了する。
さて、この装置でレジスト塗布を行う場合、基板１の回
転中レジスト２は基板１の周速に応じた風を受けること
になるが、その風速は基板１の中心がゼロで、周辺に行
くに従って大となるため、周辺部の方が中心部より早く
粘度が高くなる。しかも当然表層部から粘度が高まるの
で塗布完了時点では周辺部の膜厚が中心部のそれより大
となる現象を生ずる。
転中レジスト２は基板１の周速に応じた風を受けること
になるが、その風速は基板１の中心がゼロで、周辺に行
くに従って大となるため、周辺部の方が中心部より早く
粘度が高くなる。しかも当然表層部から粘度が高まるの
で塗布完了時点では周辺部の膜厚が中心部のそれより大
となる現象を生ずる。
又、基板１が半導体ウェハである場合、その形状は完全
な円ではなく、結晶方位を示すためのフラット部分（オ
リエンテーションフラットと呼ばれている）を有してい
るため、回転時には基板１の周縁部で気流の乱れを生じ
、その結果この部分での膜厚の増加、即ち盛り上がりを
生ずる。
な円ではなく、結晶方位を示すためのフラット部分（オ
リエンテーションフラットと呼ばれている）を有してい
るため、回転時には基板１の周縁部で気流の乱れを生じ
、その結果この部分での膜厚の増加、即ち盛り上がりを
生ずる。
［発明が解決しようとする問題点〕
このように従来のレジスト塗布装置では、塗布して得ら
れたレジスト膜厚の基板内での均一性が良くないと言う
欠点があった。
れたレジスト膜厚の基板内での均一性が良くないと言う
欠点があった。
本発明は、レジスト膜厚の基板内での均一性が従来より
良好なレジスト塗布装置を提供することを目的とする。
良好なレジスト塗布装置を提供することを目的とする。
この目的は、本発明によれば、チャック上に保持された
基板の上方に近接して該基板と平行に該基板より大なる
径を有する回転板が配設され、該回転板が該基板と共に
回転するようなレジスト塗布装置とすることにより、達
成される。
基板の上方に近接して該基板と平行に該基板より大なる
径を有する回転板が配設され、該回転板が該基板と共に
回転するようなレジスト塗布装置とすることにより、達
成される。
本発明では、被塗布物である基板の上方に近接して基板
と平行に回転板が配設され、該回転板が基板と共に回転
するため、基板回転時にレジストが受ける風の速度が従
来より低くなり、基板の中心部と周辺部との溶剤蒸発速
度の差が減少する。
と平行に回転板が配設され、該回転板が基板と共に回転
するため、基板回転時にレジストが受ける風の速度が従
来より低くなり、基板の中心部と周辺部との溶剤蒸発速
度の差が減少する。
又該回転板の径が基板のそれより大であるため、基板周
縁部での気流の乱れも改善される。従って塗布膜厚の基
板内均一性が従来より改善されることになる。
縁部での気流の乱れも改善される。従って塗布膜厚の基
板内均一性が従来より改善されることになる。
〔実施例］
本発明に基づくレジスト塗布装置の第１の実施例を第１
図により説明する。同図中、１は被塗布物である基板、
１１はチャックであり、基板１を真空吸着してモータ１
０により回転する。１６はレジスト吐出部であり、先端
にノズル１７を備え、ここからレジスト２を基板１上に
滴下する。前記チャック１１には３本のスペーサ１９を
介して回転板１８がチャック１１の基板１吸着面と平行
に且つ同心状態で固着されている。回転板１８の径は基
板１のそれより大きい（本発明者らが直径の異なる回転
板で種々実験した結果、基板１の直径の１．１〜１．５
倍程度が良好であった）。この回転板１８とチャック１
１に保持された基板１との間隔は狭い方が回転中の基板
１上の風速は減少するが、余分なレジストの飛沫がこの
回転板１８に当たって基板１上に落下する虞があるため
、塗布条件にもよるが５ｍｍ位が限度である。回転板１
８の中心部はレジスト吐出部１６と嵌合しており、この
嵌合部分には図示はないがパツキンが挿入されていて、
基板１の回転時に空気が通過してレジスト上の気流が乱
されるのを防止している。本装置の他の部分は前述の従
来装置（第４図）と基本的には変わらないため、説明を
省略する。
図により説明する。同図中、１は被塗布物である基板、
１１はチャックであり、基板１を真空吸着してモータ１
０により回転する。１６はレジスト吐出部であり、先端
にノズル１７を備え、ここからレジスト２を基板１上に
滴下する。前記チャック１１には３本のスペーサ１９を
介して回転板１８がチャック１１の基板１吸着面と平行
に且つ同心状態で固着されている。回転板１８の径は基
板１のそれより大きい（本発明者らが直径の異なる回転
板で種々実験した結果、基板１の直径の１．１〜１．５
倍程度が良好であった）。この回転板１８とチャック１
１に保持された基板１との間隔は狭い方が回転中の基板
１上の風速は減少するが、余分なレジストの飛沫がこの
回転板１８に当たって基板１上に落下する虞があるため
、塗布条件にもよるが５ｍｍ位が限度である。回転板１
８の中心部はレジスト吐出部１６と嵌合しており、この
嵌合部分には図示はないがパツキンが挿入されていて、
基板１の回転時に空気が通過してレジスト上の気流が乱
されるのを防止している。本装置の他の部分は前述の従
来装置（第４図）と基本的には変わらないため、説明を
省略する。
本装置により基板１を回転した場合、回転板１８が基Ｆ
ｉ１の近傍で基板１と同じ速度で同方向に回転するため
、基板１上の空気の回転速度は回転板１８がない場合に
比して速くなり、従って基板１に対する風速は小さくな
る。一方、回転板１８の直径が基板１のそれより大きい
ため、基板１周縁部における気流の乱れが改善される。
ｉ１の近傍で基板１と同じ速度で同方向に回転するため
、基板１上の空気の回転速度は回転板１８がない場合に
比して速くなり、従って基板１に対する風速は小さくな
る。一方、回転板１８の直径が基板１のそれより大きい
ため、基板１周縁部における気流の乱れが改善される。
次に実際に本装置によりレジスト塗布を行った結果を説
明する。塗布した基板１は直径１５０ｍｍのウェハであ
り、これに合わせて回転板１８の直径は２００ｍｍ、回
転板１８とウェハとの間隔は１０＋ｎｍとした。ウェハ
上に粘度２１ｃ、ｐ、のレジストを２ 、５ｃｃ滴下し
、ウェハを回転数３．００Ｏｒ、ｐ、ｍ、で回転した（
但し立ち上がりの加速度は１０，０ＯＯｒ、ｐ、ｍ、／
秒）。
明する。塗布した基板１は直径１５０ｍｍのウェハであ
り、これに合わせて回転板１８の直径は２００ｍｍ、回
転板１８とウェハとの間隔は１０＋ｎｍとした。ウェハ
上に粘度２１ｃ、ｐ、のレジストを２ 、５ｃｃ滴下し
、ウェハを回転数３．００Ｏｒ、ｐ、ｍ、で回転した（
但し立ち上がりの加速度は１０，０ＯＯｒ、ｐ、ｍ、／
秒）。
塗布したレジスト膜の膜厚均一性を第２図（Ａ）に示す
。同図中、斜線部が盛り上がりを生じた部分であり、盛
り上がりはオリエンテーションフラット部に若干認めら
れるだけとなっている。
。同図中、斜線部が盛り上がりを生じた部分であり、盛
り上がりはオリエンテーションフラット部に若干認めら
れるだけとなっている。
比較のために従来装置で前記の塗布条件でレジスト塗布
した結果を第２図（Ｂ）に示す。同図中、斜線部が盛り
上がりを生じた部分であるが、同図は従来装置では盛り
上がりが広範囲に生ずることを示しており、第２図の（
Ａ）と（Ｂ）を比較することにより、本発明の第１実施
例の装置が、従来装置より良好な膜厚均一性を得ること
の出来る装置であることが判る。
した結果を第２図（Ｂ）に示す。同図中、斜線部が盛り
上がりを生じた部分であるが、同図は従来装置では盛り
上がりが広範囲に生ずることを示しており、第２図の（
Ａ）と（Ｂ）を比較することにより、本発明の第１実施
例の装置が、従来装置より良好な膜厚均一性を得ること
の出来る装置であることが判る。
次に本発明の第２の実施例を第３図により説明する。同
図中、３１はチャックであり、基板１を真空吸着してモ
ータ１０により回転する。３８は回転板であり、その中
心部がレジスト吐出部１６に嵌入され、軸受３６に支持
されてレジスト吐出部１６の周りを回転することが出来
る。この回転板３８の回転の動力源はモータ３２であり
、モータ３２の回転はプーリー３３、ヘルド３４、プー
リー３５を経て回転板３Ｂに伝達される。回転板３８の
回転中心と基板１の回転中心とは同一軸線上にある。又
、図示はないが回転板３８とレジスト吐出部１６との嵌
合部分にはパツキンが挿入されており、基板１の回転時
に空気が通過してレジスト上の気流が乱されるのを防止
している。この装置の他の部分は基本的には前述の第１
の実施例の装置（第１図）と変わらないため、説明を省
略する。
図中、３１はチャックであり、基板１を真空吸着してモ
ータ１０により回転する。３８は回転板であり、その中
心部がレジスト吐出部１６に嵌入され、軸受３６に支持
されてレジスト吐出部１６の周りを回転することが出来
る。この回転板３８の回転の動力源はモータ３２であり
、モータ３２の回転はプーリー３３、ヘルド３４、プー
リー３５を経て回転板３Ｂに伝達される。回転板３８の
回転中心と基板１の回転中心とは同一軸線上にある。又
、図示はないが回転板３８とレジスト吐出部１６との嵌
合部分にはパツキンが挿入されており、基板１の回転時
に空気が通過してレジスト上の気流が乱されるのを防止
している。この装置の他の部分は基本的には前述の第１
の実施例の装置（第１図）と変わらないため、説明を省
略する。
本装置が従来装置より良好な膜厚均一性を得ることが出
来る根拠は、前述の第１の実施例の装置（第１図）と同
一である。本装置の特徴は、回転板３８の回転が基板１
回転用のモータ１０とは別のモータ３２により与えられ
るため、回転板３８の回転数や回転・停止のタイミング
、回転方向等を基板１のそれらと異なるものとすること
が出来、塗布条件の設定の自由度が第１の実施例の装置
より大きい点である。従って、この装置は多種少量生産
や研究目的に適している。
来る根拠は、前述の第１の実施例の装置（第１図）と同
一である。本装置の特徴は、回転板３８の回転が基板１
回転用のモータ１０とは別のモータ３２により与えられ
るため、回転板３８の回転数や回転・停止のタイミング
、回転方向等を基板１のそれらと異なるものとすること
が出来、塗布条件の設定の自由度が第１の実施例の装置
より大きい点である。従って、この装置は多種少量生産
や研究目的に適している。
以上説明した様に、本発明によるレジスト塗布装置は、
被塗布物である基板の上方に近接して該基板と平行に該
基板より大なる径を有する回転板が配設され、該回転板
が基板と共に回転するように構成されているため、膜厚
均一性の良好なレジスト膜を得ることが出来、微細パタ
ーンを有する半導体装置を歩留まり良く製造するのに寄
与するところが大きい。
被塗布物である基板の上方に近接して該基板と平行に該
基板より大なる径を有する回転板が配設され、該回転板
が基板と共に回転するように構成されているため、膜厚
均一性の良好なレジスト膜を得ることが出来、微細パタ
ーンを有する半導体装置を歩留まり良く製造するのに寄
与するところが大きい。
第１図は本発明の第１実施例を説明するための概略断面
図、 第２図は本発明第１実施例の装置及び従来装置による塗
布膜の膜厚均一性を示す図で、（Ａ）は本発明第１実施
例の装置によるもの、（Ｂ）は従来装置によるもの、 第３図は本発明の第２実施例を説明するための概略断面
図、 第４図は従来装置の概略断面図である。 図中、１ ： 基板、 ２ ： レジスト、 １０．３２： モータ、 １１．３１．４１： チャック、 １２ ： 処理カップ、 １３ ： 反射板、 １４ ： 排気口、 ： カバー ： レジスト吐出部、 ： ノズル、 ３８二 回転板、 ： スペーサ、 ３５： プーリー ： ベルト、 ： 軸受。
図、 第２図は本発明第１実施例の装置及び従来装置による塗
布膜の膜厚均一性を示す図で、（Ａ）は本発明第１実施
例の装置によるもの、（Ｂ）は従来装置によるもの、 第３図は本発明の第２実施例を説明するための概略断面
図、 第４図は従来装置の概略断面図である。 図中、１ ： 基板、 ２ ： レジスト、 １０．３２： モータ、 １１．３１．４１： チャック、 １２ ： 処理カップ、 １３ ： 反射板、 １４ ： 排気口、 ： カバー ： レジスト吐出部、 ： ノズル、 ３８二 回転板、 ： スペーサ、 ３５： プーリー ： ベルト、 ： 軸受。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板（１）を保持するためのチャック（１１）と該チャ
ック（１１）を回転させるための回転手段（１０）とを
少なくとも備え、 該基板（１）を該チャック（１１）が保持して水平面内
で回転させることにより、 該基板（１）上に滴下したレジスト（２）を該基板（１
）の上面に塗布する装置において、前記チャック（１１
）が保持する該基板（１）の上方に近接し且つ該基板（
１）と平行に該基板（１）より大なる径を有する回転板
（１８）が配設され、 該回転板（１８）が該基板（１）と共に回転することを
特徴とするレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4122889A JPH02219213A (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4122889A JPH02219213A (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02219213A true JPH02219213A (ja) | 1990-08-31 |
Family
ID=12602554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4122889A Pending JPH02219213A (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02219213A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0463633U (ja) * | 1990-10-08 | 1992-05-29 | ||
| US5209180A (en) * | 1991-03-28 | 1993-05-11 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Spin coating apparatus with an upper spin plate cleaning nozzle |
| US5415691A (en) * | 1991-12-20 | 1995-05-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Solution coating apparatus |
| WO2000042637A1 (de) * | 1999-01-18 | 2000-07-20 | Kunze Concewitz Horst | Verfahren und vorrichtung zum behandeln von flächigen substraten, insbesondere silizium-scheiben (wafer) zur herstellung mikroelektronischer bauelemente |
-
1989
- 1989-02-20 JP JP4122889A patent/JPH02219213A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0463633U (ja) * | 1990-10-08 | 1992-05-29 | ||
| JPH0537469Y2 (ja) * | 1990-10-08 | 1993-09-22 | ||
| US5209180A (en) * | 1991-03-28 | 1993-05-11 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Spin coating apparatus with an upper spin plate cleaning nozzle |
| US5415691A (en) * | 1991-12-20 | 1995-05-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Solution coating apparatus |
| WO2000042637A1 (de) * | 1999-01-18 | 2000-07-20 | Kunze Concewitz Horst | Verfahren und vorrichtung zum behandeln von flächigen substraten, insbesondere silizium-scheiben (wafer) zur herstellung mikroelektronischer bauelemente |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5069156A (en) | Spin coating apparatus for forming a photoresist film over a substrate having a non-circular outer shape | |
| US6569241B2 (en) | Substrate spinning apparatus | |
| JPH02219213A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPH0632673Y2 (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPH05259049A (ja) | 半導体基板のスピンコーティング方法 | |
| JPS6042762A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPS593430A (ja) | ホトレジスト膜形成方法 | |
| JPH05259050A (ja) | 半導体基板のスピンコーティング方法および装置 | |
| JPH02149367A (ja) | スピン塗布装置 | |
| JPS5855976Y2 (ja) | スピンコ−タ− | |
| JPH03214722A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPS60189934A (ja) | 粘性液の塗布方法 | |
| JPH05115828A (ja) | 塗布装置 | |
| KR101043650B1 (ko) | 코팅장비의 코터 척 | |
| JPH05259063A (ja) | 半導体基板のスピンコーティング方法 | |
| JPS6074623A (ja) | レジスト塗膜の形成方法 | |
| JPH03245875A (ja) | 塗布液の塗布方法 | |
| JPH04340217A (ja) | 液処理方法及び液処理装置 | |
| JPS586535Y2 (ja) | 回転式塗布装置 | |
| JPH05267146A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| CN117619685A (zh) | 旋涂机和通过使用该旋涂机来制造半导体器件的方法 | |
| JPS60226124A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| CN115502048A (zh) | 改善匀胶趋势和均匀性的光刻胶匀胶装置、方法及应用 | |
| JP2643656B2 (ja) | ウェハ現像処理装置 | |
| JPH0684778A (ja) | 回転塗布装置 |