JPS60226124A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPS60226124A JPS60226124A JP8334484A JP8334484A JPS60226124A JP S60226124 A JPS60226124 A JP S60226124A JP 8334484 A JP8334484 A JP 8334484A JP 8334484 A JP8334484 A JP 8334484A JP S60226124 A JPS60226124 A JP S60226124A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- center
- chuck
- resist film
- periphery
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野）
本発明はレジスト塗布装置に関し、特に大口径のウェハ
へのレジスト膜形成に改良を加えたレジスト塗布装置に
係わる。
へのレジスト膜形成に改良を加えたレジスト塗布装置に
係わる。
周知の如く、半導体素子の製造工程の１つとして、レジ
スト塗布工程が行われている。ここで、ウェハ（半導体
基板）上にレジスト膜を形成する方法としては、例えば
、スピンコード法が知られている。従来、レジスト膜は
、第１図に示すレジスト塗布装置により形成されている
。以下に、その概略を説明する。
スト塗布工程が行われている。ここで、ウェハ（半導体
基板）上にレジスト膜を形成する方法としては、例えば
、スピンコード法が知られている。従来、レジスト膜は
、第１図に示すレジスト塗布装置により形成されている
。以下に、その概略を説明する。
図中の１は、ウェハ２を上部に固定するためのウェハチ
ャックである。このチャック１の下部には図示しない真
空ポンプが設けられ、このポンプによりウェハの吸着が
行われる。また、前記ウェハチャック１の下方には、該
チャック１を矢印Ａの方向に回転させるための回転機構
が設けられている。前記ウェハ２上には、レジスト液３
を滴下するためのノズル４が設けられている。
ャックである。このチャック１の下部には図示しない真
空ポンプが設けられ、このポンプによりウェハの吸着が
行われる。また、前記ウェハチャック１の下方には、該
チャック１を矢印Ａの方向に回転させるための回転機構
が設けられている。前記ウェハ２上には、レジスト液３
を滴下するためのノズル４が設けられている。
こうした装置を用いてウェハ２上にレジスト膜を形成す
るには、ウェハ２を真空ポンプによりウェハチャック１
上に固定した状態でウェハチャック１を矢印へ方向に回
転しつつ、ノズル４からレジスト液３をウェハ２表面に
滴下することにより行なう。
るには、ウェハ２を真空ポンプによりウェハチャック１
上に固定した状態でウェハチャック１を矢印へ方向に回
転しつつ、ノズル４からレジスト液３をウェハ２表面に
滴下することにより行なう。
しかしながら、従来の装置によれば、直径の小さいウェ
ハに対しては有効であるものの、直径の大きなウェハに
対してはレジスト膜を均一に形成することが回能である
という欠点があった。この理由は、ウェハ１の直径が大
きくなるほど、回転時のウェハ１の周辺部の周速度が速
くなり、レジスト膜厚が薄くなるとともに、ウェハ１の
周辺部では逆にレジスト膜厚が厚くなるからである。そ
の結果、第２図に示す如く、ウェハ１の周辺部のレジス
ト膜５の厚みｔｌと中央部のレジスト膜５の厚みｔ２の
差が大きくなる。そして、このようにウェハ１の園内で
レジスト膜５の厚みが大きくバラツクと、その後の素子
製造工程の写真蝕刻で精痕良いパターンが得られない。
ハに対しては有効であるものの、直径の大きなウェハに
対してはレジスト膜を均一に形成することが回能である
という欠点があった。この理由は、ウェハ１の直径が大
きくなるほど、回転時のウェハ１の周辺部の周速度が速
くなり、レジスト膜厚が薄くなるとともに、ウェハ１の
周辺部では逆にレジスト膜厚が厚くなるからである。そ
の結果、第２図に示す如く、ウェハ１の周辺部のレジス
ト膜５の厚みｔｌと中央部のレジスト膜５の厚みｔ２の
差が大きくなる。そして、このようにウェハ１の園内で
レジスト膜５の厚みが大きくバラツクと、その後の素子
製造工程の写真蝕刻で精痕良いパターンが得られない。
特に、素子の微細化が進み、最小パターン寸法がサブミ
クロン単位になると、レジスト膜５の厚みのバラツキを
無視できない。
クロン単位になると、レジスト膜５の厚みのバラツキを
無視できない。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、直径が大
きいウェハの場合でも均一にレジスト膜を形成できる信
頼性の高いレジスト塗布装置を提供することを目的とす
るものである。
きいウェハの場合でも均一にレジスト膜を形成できる信
頼性の高いレジスト塗布装置を提供することを目的とす
るものである。
〔発明の概要〕
本発明は、ウェハチャック表面の中心部を凹状とすると
ともに、周辺部を凸状とすることによって、均一なレジ
スト膜を形成することを図ったものである。
ともに、周辺部を凸状とすることによって、均一なレジ
スト膜を形成することを図ったものである。
以下、本発明の一実施例を第３図を参照して説明する。
なお、第１図の装置と同符号のものは同符号を付して説
明を省略する。
明を省略する。
図中の１１は、表面の中心部が凹状でかつ周辺部が凸状
のウェハチャックである。このウェハチャック１１の表
面の周辺部の厚みは、ウェハ２の直ｔＹ （Ｌ）を８イ
ンチ（約２０ ｃｍ ）とした場合、約３ （２００／
、６６．６７）ｍｍ中心部のそれと比へ厚くなっている
。
のウェハチャックである。このウェハチャック１１の表
面の周辺部の厚みは、ウェハ２の直ｔＹ （Ｌ）を８イ
ンチ（約２０ ｃｍ ）とした場合、約３ （２００／
、６６．６７）ｍｍ中心部のそれと比へ厚くなっている
。
しかして、本発明によれば、ウェハチャック１１の表面
の周辺部が中心部と比べ、約３ｍ厚くなっているため、
真空ポンプでウェハ２を吸着する際、ウェハ２の中心部
が下方に湾曲するように固定され、これにより第４図に
示す如く、ウェハ２上に均一なレジスト膜１２を形成で
きる。
の周辺部が中心部と比べ、約３ｍ厚くなっているため、
真空ポンプでウェハ２を吸着する際、ウェハ２の中心部
が下方に湾曲するように固定され、これにより第４図に
示す如く、ウェハ２上に均一なレジスト膜１２を形成で
きる。
なお、上記実施例では、ウェハチャックの表面の形状を
変えることによりその表面の周７１部の厚みを中心部に
対して厚く形成したが、これに限らない。例えば、周辺
部が厚く中心部が薄い円盤状の部材をウェハチャックの
表面に介在させることにより、凹凸面を形成してもよい
。ただし、この際、前記部材にウェハを真空チャックさ
せるための貫通穴を設けておく必要がある。また、前記
ウェハチャックの凹凸の度合いが上記実施例の場合に限
らないことは、熱論のことである。なお、ウェハチャッ
クの周辺部の厚みと中心部のそれとの差は大体Ｌ／６６
．６７となる。
変えることによりその表面の周７１部の厚みを中心部に
対して厚く形成したが、これに限らない。例えば、周辺
部が厚く中心部が薄い円盤状の部材をウェハチャックの
表面に介在させることにより、凹凸面を形成してもよい
。ただし、この際、前記部材にウェハを真空チャックさ
せるための貫通穴を設けておく必要がある。また、前記
ウェハチャックの凹凸の度合いが上記実施例の場合に限
らないことは、熱論のことである。なお、ウェハチャッ
クの周辺部の厚みと中心部のそれとの差は大体Ｌ／６６
．６７となる。
以上詳述した如く本発明によれば、ウェハの直径が小さ
い場合は熱論のこと、大きい場合でもウェハ上に均一な
レジスト膜を形成でき、もって後の素子製造工程でも精
度のよいパターンをえられる信頼性の高いレジスト塗布
装置を提供できるものである。
い場合は熱論のこと、大きい場合でもウェハ上に均一な
レジスト膜を形成でき、もって後の素子製造工程でも精
度のよいパターンをえられる信頼性の高いレジスト塗布
装置を提供できるものである。
第１図は従来のレジスト塗布装置の断面図、第２図は同
装置によるレジスト膜の厚みバラツキを説明するための
断面図、第３図は本発明の一実施例に係るレジスト塗布
装置の断面図、第４図は同装置を用いて均一なレジスト
膜を形成するところを説明するための断面図である。 ２・・・ウェハ、３・・・レジス峠ン４・・・ノズル、
１１・・・ウェハチャック、１２・・・レジスト膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第３図 フ 第４図 ２
装置によるレジスト膜の厚みバラツキを説明するための
断面図、第３図は本発明の一実施例に係るレジスト塗布
装置の断面図、第４図は同装置を用いて均一なレジスト
膜を形成するところを説明するための断面図である。 ２・・・ウェハ、３・・・レジス峠ン４・・・ノズル、
１１・・・ウェハチャック、１２・・・レジスト膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第３図 フ 第４図 ２
Claims (1)
- ウェハチャック上にウェハを固定して該ウェハ上にレジ
スト膜を形成するレジスト塗布装置において、ウェハチ
ャック表面の中心部が凹状でかつ周辺部が凸状であるこ
とを特徴とするレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8334484A JPS60226124A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8334484A JPS60226124A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60226124A true JPS60226124A (ja) | 1985-11-11 |
Family
ID=13799816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8334484A Pending JPS60226124A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60226124A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT411856B (de) * | 2000-10-16 | 2004-06-25 | Datacon Semiconductor Equip | Verfahren zur herstellung einer klebeverbindung von einem scheibenförmigen halbleitersubstrat auf einen flexiblen adhäsiven transportträger sowie einrichtung zur durchführung dieses verfahrens |
-
1984
- 1984-04-25 JP JP8334484A patent/JPS60226124A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT411856B (de) * | 2000-10-16 | 2004-06-25 | Datacon Semiconductor Equip | Verfahren zur herstellung einer klebeverbindung von einem scheibenförmigen halbleitersubstrat auf einen flexiblen adhäsiven transportträger sowie einrichtung zur durchführung dieses verfahrens |
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