JPH10135131A - 高粘度レジスト塗布膜のノン・ストリエーション塗布方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェハ上に均一な膜厚のレジスト膜を
形成するノン・ストリエーション塗布方法を提供すると
ともに、レジスト使用量を節減する。 【解決手段】 まず、特定の供給率により半導体ウェハ
１０上に予湿剤として特定の触媒または化学溶液を供給
して予め半導体ウェハ１０を湿らせてから、この半導体
ウェハ１０を所定の第１スピン速度まで加速し、次に、
半導体ウェハ１０を予め湿らせる触媒または溶液の供給
を停止してから第２スピン速度まで加速し、さらに、半
導体ウェハ１０を第３スピン速度に加速した時に、比較
的粘度の高い感光レジスト２４を半導体ウェハ１０上に
供給するが、膜厚変化を減少させるために、従来技術よ
りかなり低いレジスト供給率ならびに第３スピン速度を
採用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、塗布膜材料を表面
塗布する方法に関し、特に、半導体デバイスを製造する
時に感光レジストを半導体ウェハ表面に塗布する方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスは、周知技術によりシリ
コン基板上に複数の領域を形成するものであるが、これ
らの領域を精密に区画する必要がある。同様に、金属線
を含むシリコン基板上のその他の領域もまた精密に区画
されなければならず、このようなデバイスの各領域を金
属線で接続することにより超大型集積回路（ＶＬＳＩ）
が形成される。これらの領域を区画するパターンは、リ
ソグラフィにより形成されるものであるが、最も普遍的
な方法は、まず感光レジストをウェハ表面にスピンコー
トし、次に、このレジストを例えば紫外線、電子線、Ｘ
線などの放射線にさらすことで選択的に露光するもので
ある。露光ツールおよびフォトマスクを介して選択的な
露光が行われ、露光領域を現像すると、使用したレジス
ト膜の所定位置が溶解または定着されることによって、
レジスト膜上にパターンが形成される。それぞれの状況
に応じて、任意の公知技術によって開口を備えた各領域
上にレジスト膜パターンが形成される。その際、重要な
のは感光レジスト材料の膜厚分布であり、この感光レジ
スト材料の膜厚分布がパターン寸法の精度を決定すると
いうことであり、これが感光レジスト塗布のポイントと
なる。パターン精度は、放射エネルギで露光される感光
レジストの体積によって左右されるので、この精度に基
づいて放射エネルギで露光することにより各パターンを
形成する。従って、同一の放射エネルギならびに同一パ
ターンであっても、パターンエッジの寸法が放射領域に
ある感光レジストの膜厚によって変化するものとなる。
このような膜厚の不均一性は、いろいろな不都合を引き
起こすものとなる。よって、塗布膜の膜厚を均一性のあ
るものに制御することが最も重要であり、今日のような
サブミクロン時代のリソグラフィ技術においては、とり
わけ重要である。

【０００３】図２に公知技術を示すと、塗布材料を回転
する半導体ウェハに供給してスピンコートを行う場合、
通常は、半導体ウェハ１０を直径が少し小さい真空チャ
ック１２上に取り付けている。上から見ると円盤形とな
った真空チャック１２上には真空開孔（図示せず）が設
けられ、この真空開孔が真空ポンプ（図示せず）に連通
しており、真空ポンプが作動すると、真空開孔を介して
半導体ウェハ１０を真空チャック１２表面に真空吸着す
ることができる。真空チャック１２は、中心軸（スピン
ナともいう）１４上端に固定され、モータ（図示せず）
により回転させられる。通常、図２に示すように、半導
体ウェハ１０と真空チャック１２とは水平方向に重ね合
わされるものとなっている。

【０００４】実際においては、半導体ウェハ１０の不作
用面あるいは裏面と呼ばれる部分が回転する真空チャッ
ク１２の表面で保持され、必要量の液状感光レジスト材
料が半導体ウェハ１０表面の中心上方に位置する供給器
１６から滴下される。すると、遠心力の作用により感光
レジスト材料が半導体ウェハ１０の中心から周辺へと分
散されるので、表面全体を塗布することができるととも
に、回転により余分な感光レジストを半導体ウェハ１０
から飛散させることができる。いろいろな方法や応用方
式によって、半導体ウェハ１０の回転速度、塗布材料の
量および性質を調整することで、希望する均一な膜厚を
得ようとしてきた。

【０００５】しかしながら、方法によっては、厚さの異
なる塗布膜材料が形成される結果となっていた。このよ
うな膜厚変化を発生させる原因としては、スピン表面の
表面形状、流体の流動力学、スピン材料の性質という３
つの要素が考えられる。

【０００６】そこで、図３に半導体ウェハ表面上の材料
膜の表面形状の形成が半導体ウェハ表面上の特徴形状に
よって決定されるという公知技術を示す。ここで、シリ
コン基板１１は、図２の半導体ウェハ１０に対応したも
のであるが、説明に便利なように拡大断面図を示してい
る。シリコン基板１１の絶縁膜１３上に金属線１５が形
成されている。また、その表面を均等に被覆する内側誘
電膜１７が設けられている。この図３から分かるよう
に、金属線１５が存在する部分が「山」０１となってお
り、存在しない部分が「谷」０２となっている。その結
果、「山」０１と「谷」０２とから構成される表面形状
に対して感光レジスト１９がスピンコートされると、感
光レジスト１９の膜厚が図のように変化することにな
り、山上の厚さ０３が谷上の厚さ０４より小さいものと
なっていた。アメリカ特許第５，４９８，４４９号に開
示されているように、感光レジスト１９が露光される
時、感光レジスト膜により吸収されるエネルギ量が各部
分の厚さの違いにより不均一なものとなる。従って、形
成された感光レジストパターンがそれぞれ異なる寸法を
有するものとなるので、限界寸法の統一性を損なうもの
となる。それにより、最終的なパターン寸法がそれぞれ
不一致なものとなって、半導体デバイスの歩留まりおよ
び信頼性が低下するものとなっていた。この問題を解決
するために、アメリカ特許第５，４９８，４４９号にお
いて半導体ウェハ１０および中心軸１４ならびに全ての
装置が下向きとなる（図示せず。図２を参照）ととも
に、半導体ウェハを高速回転させ、引力の助けを借りな
がら、感光レジスト１９が下方の半導体ウェハ表面の山
と谷との形状を流動することにより、全ての部分の感光
レジスト膜の厚さをほぼ均一、すなわち山と谷とを通じ
て同様な厚さとするものが開示されている。

【０００７】スピン流体の流体動力によっても、半導体
ウェハの表面形状にかかわりなく、この流体に膜厚変化
を発生させるものとなる。例えば図４（ａ）に示すよう
に、半導体ウェハ１０中央の塗布膜厚さが周辺部分の塗
布膜厚さより小さくなった隆起形状２０となっていた。
あるいは、図４（ｂ）に示すように、塗布材料の分布が
皿形２２となって、周辺部分の膜厚が半導体ウェハ１０
中央の膜厚より大きなものとなっていた。研究の結果、
感光レジスト材料のこのような反応（定分子量、溶液濃
度など）は、回転パラメータにのみ依存することが分か
っている。すでに開発されている数学関係式からレジス
ト膜厚、例えばパーセント濃度およびスピン速度などの
対応する要素を予測することができる。そして、先行技
術において特定の方法および用途について実験データが
豊富に提供されている。それらには、例えば、レジスト
公式、スピン形式、半導体ウェハの大きさ、スピン・パ
ラメータなどの特定パラメータが含まれている。半導体
ウェハ全体を被覆する膜厚変化は関数研究として追求さ
れており、このような関数としては多くのパラメータ、
例えば、レジストの供給体積、ウェハ直径、レジスト粘
度、供給サイクルのウェハ・スピン速度、ウェハ・スピ
ン速度の加速、最終スピン速度が含まれ、Ｓ．Ｗｏｌｆ
が発表した「ＶＬＳＩ時代のためのシリコン処理法（Si
licon Processing for the VLSI Era ）」第１冊、第４
３３ページ、１９９０年版、LatticePress, Sunset Bea
ch, California に開示されている。

【０００８】アメリカ特許第５，４０５，８１３号は、
レジスト流体の動態が特定時間だけウェハの回転速度を
変化させることによって処理できることを開示している
が、同時に供給するレジスト量を変化させている。この
方式により、均一な膜厚の感光レジストがウェハ全体に
形成されると同時に、コーティング処理に使用する感光
レジスト量を減少させることができる。とりわけ、ウェ
ハが中心軸に中心に回転して第１スピン速度に達してか
ら、この特許において言及されているように、ごく少量
の感光レジスト材料がウェハ表面に同時供給される時
に、半導体ウェハが第１スピン速度から第２スピン速度
へと減速されている。ウェハが第２スピン速度に達した
時に、感光レジスト材料の半導体ウェハ表面への供給を
停止している。そして、半導体ウェハが第２スピン速度
から第３スピン速度へと加速される。第３スピン速度に
達した時に、半導体ウェハが第３スピン速度を維持する
ことにより感光レジスト材料を半導体ウェハ表面に均一
な膜として分布させる。次に、半導体ウェハが第３スピ
ン速度から第４スピン速度へと加速され、第４スピン速
度を維持することにより感光レジスト材料の均一な膜を
乾燥させている。

【０００９】アメリカ特許第５，４０５，８１３号の上
述したようなステップにより、ウェハの周辺に向けて形
成される「皿形」による、あるいはウェハの中央に向け
て形成される「隆起」による膜厚変化をいかに減少させ
るかが解明されたが、先行技術には、図４（ｃ）に示す
ように、さらに別な種類の膜厚不均一が存在しており、
それはレジスト膜がスピン時に遠心力の影響を受けて放
射状のしわを発生させる現象である。この現象は、下方
の感光レジスト膜上に他の感光レジストが堆積して波状
の膜厚変化を発生させるものである。このような波状の
線条は、レジスト膜の公称厚さと異なるものであり、ス
トリエーション（striation)とも呼ばれる。普通、スト
リエーションは、増大した表面形状の高さならびにレジ
ストの粘度によって増大する。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明が開示する方法
は、図４（ａ）〜（ｃ）に示したような膜厚変化を実質
的に減少させるものである。これは、予湿剤を使用して
ウェハを予め湿らせることで達成することができるが、
粘度という違う物理性が存在している。その粘度は特定
の回転速度で半導体ウェハ上にスピンコートされる最終
的な感光レジスト膜の粘度とは異なっている。このこと
は、後述する好適な実施の形態において、感光レジスト
が高い粘度を備えることにより不都合な結果が生じるこ
とから証明できるものである。

【００１１】そこで、本発明の目的は、半導体ウェハの
段差のある表面に高粘度感光レジストをスピンコートす
るノン・ストリエーション塗布方法を提供することにあ
る。

【００１２】また、本発明の別な目的は、感光レジスト
をスピンコートする時に半導体ウェハ表面に発生する膜
厚変化を減少させる方法を提供することにある。

【００１３】さらに、本発明の他の目的は、半導体ウェ
ハをスピンコートする時に使用する感光レジスト量を節
減する方法を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明では、まず半導体
ウェハが所定のスピン速度で回転する時に、半導体ウェ
ハを連続的に予め湿らせる。次に、予湿剤としての予め
湿らせるための触媒または化学溶液の供給を停止してか
ら、半導体ウェハを第２スピン速度まで加速する。次
に、半導体ウェハを第３スピン速度まで加速させ、この
時に高粘度感光レジストを供給する。膜厚変化をできる
だけ減少させるために、第３スピン速度および供給率を
従来技術の高粘度感光レジストから考えられるよりもか
なり低い値に設定する。感光レジストの低い供給率によ
り、スピンコート膜上にいかなる不都合な現象も発生さ
せることなく、感光レジスト量の節減を達成する。

【００１５】図４を参照して本発明の作用を説明する
と、図４（ａ）は、半導体ウェハ１０の中央が半導体ウ
ェハ１０の周辺より厚くなった感光レジストの「隆起」
２０となっており、図４（ｂ）は、半導体ウェハ１０の
周辺が半導体ウェハ１０の中央より厚くなった感光レジ
ストの「皿形」２０となっている。そして、感光レジス
トの膜厚変化の別な１種類として、図４（ｃ）は、感光
レジストのストリエーションにより波形２４となってい
る。これらの状況においては、感光レジストの膜厚変化
が後続するウェハ処理ステップにいずれも望ましくない
影響を与える。その結果、同一ウェハ上においても、例
えば金属線幅の限界寸法を感光レジストの膜厚変化によ
り変化させてしまう。

【００１６】そこで、図４（ｃ）に示すストリエーショ
ン（すなわち、ウェハ表面全体の公称のレジスト膜厚と
は異なる放射状の線条厚さ）を減少させるために、ま
ず、公知の感光レジストである三菱(Mitsubishi)製のＭ
ＣＰＲｉ ７０１０Ｎを図５（ａ）に示した半導体ウェ
ハ１０上にスピンコーティングすると、１本の放射線３
２に沿った断面の膜厚変化が約１９００〜２０００Å
（オングストローム）の範囲となる。膜厚変化が約５０
〜１００Åの範囲を超過しないことが望ましいので、感
光レジストを供給する時に、その粘度および供給率なら
びにスピン速度を変えて実験してみると、公知のよう
に、粘度範囲が、約４〜１６ｃＰ(centipoise)であるも
のにおいて、ストリエーションが見られなくなることが
分かる。しかしながら、高粘度の感光レジストを使用す
るとストリエーションが発生する。そこで、約３５〜５
０ｃＰの比較的高い粘度のレジストで実験してみると、
下記の表１のような実質的な改善が見られた。

【００１７】

【表１】

【００１８】この表１において、第１行目のデータは、
図５（ｂ）に示した波形を示す感光レジストの表面状況
２４ａに該当しており、第２行目のデータは、図１に示
した実質的に改善された平坦な感光レジストの表面状況
２４ｂに該当している。この表１から分かるように、予
想外にも、高い粘度の感光レジストほど低いスピン速度
を必要としており、それによりストリエーションの膜厚
変化を減少させることができるということである。

【００１９】従って、本発明においては、このような実
験の結果を後述する実施の形態に記載するものである。
そして、本発明を理解しやすいように、実施の形態にお
いて、特定の材料、処理パラメータなどの詳細なデータ
を開示するものである。しかしながら、当業者であれば
理解できるように、これらの詳細なデータは、それによ
って本発明を限定しようとするものではない。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る好適な実施の
形態を図面に基づいて説明する。

【００２１】図１に示すように、本発明では半導体ウェ
ハ１０の裏面を真空チャック１２（中心軸１４の上端に
固定される）上に真空吸着して平坦な感光レジスト２４
を半導体ウェハ１０の表面に塗布するものである。ま
ず、半導体ウェハ１０の表面は水平面となっている。次
に、粘度が約１〜５ｃＰのＡＺＥＢＲという予湿剤で半
導体ウェハ１０を湿らせるが、スピン速度を約０〜２０
０ｒｐｍで約０〜３秒間とし、供給率が約２〜５立方セ
ンチメートル（ｃｃ）／秒の予湿剤量とする。なお、本
発明にとって、このようなスピン速度ならびに供給率
が、変更可能なパラメータであることは言うまでもな
い。

【００２２】半導体ウェハ１０が２００ｒｐｍの第１ス
ピン速度に達し、予湿剤を所定量だけ供給してから、半
導体ウェハ１０のスピン速度を約１〜２秒間だけ第１ス
ピン速度に維持するが、その時間は、半導体ウェハ１０
が第１スピン速度を維持するのに足りるものであれば良
い。そして、半導体ウェハ１０を範囲が約５００〜２０
００ｒｐｍという第２スピン速度にまで加速するととも
に、この速度を約２〜５秒間だけ維持する。

【００２３】本発明のポイントとして、次のステップに
おいて、比較的高い粘度の感光レジストを供給器１６か
ら供給する。本実施の形態では、ＭＣＰＲｉ ７０１０
Ｎ型の感光レジストを使用し、その粘度範囲を約３５〜
５０ｃＰとする。感光レジストは約０．６〜１．０ｃｃ
／秒の範囲の供給率で約４〜８秒間だけ供給される。こ
の感光レジストは、第２スピン速度から第３スピン速度
である約１５００〜３０００ｒｐｍの範囲までに加速さ
れるまでに供給される。感光レジストの供給が完了する
と、半導体ウェハ１０を約２０００〜３８００ｒｐｍの
第４スピン速度にまで加速するとともに、この速度を約
２０〜３０秒間維持して、最終的に必要な感光レジスト
２４の膜厚を獲得する。

【００２４】従って、当業者であれば理解できるよう
に、０．６ｃｃ／秒という低い供給率で供給する時に
は、実質上、半導体ウェハ１０上に塗布するのに必要な
感光レジスト量を減少させることができるという利点が
ある。本発明の更なる利点は、各半導体ウェハ１０間に
おいて同一の膜厚変化が重複して再現されることを減少
させることができることである。すなわち、本発明の方
法を使用すれば、半導体ウェハ１０間における平均膜厚
の変化を減少させることができる。一般に、先行技術の
感光レジスト塗布技術においては、同一時間だけスピン
コーティングすると、分離された半導体ウェハ１０上の
感光レジスト膜の平均膜厚間における膜厚変化は数百Å
（オングストローム）に達している（アメリカ特許第
５，４０５，８１３号を参照）。しかし、本発明の実施
の形態によると、通常は約５０〜１００Åの範囲とな
る。

【００２５】なお、上記の実施の形態において、真空チ
ャック１２の詳細、真空チャック１２と半導体ウェハ１
０の寸法関係、供給器１６の配置状態等は従来と同様で
ある。また、本発明は、好適な実施の形態により上記の
ごとく詳細に開示されたが、当業者であれば理解できる
ように、本発明の思想および範囲において、多くの形式
上ならびに細部における各種の変更がなされ得るもので
あって、本発明の技術思想ならびに保護されるべき範囲
もその変更を含むものである。

【００２６】

【発明の効果】以上に説明した構成によって、本発明
は、段差のある表面形状の半導体ウェハ表面にストリエ
ーションの発生しない感光レジスト膜を形成できるとと
もに、感光レジスト材料の使用量を減少させることがで
きる。また、本発明は、異なる時間における、異なる半
導体ウェハ上の感光レジスト膜における、均一な膜厚の
再現性を向上させることができる。本発明による改善点
は、半導体デバイス製造についての全ての改善に応用す
ることができる。言い換えれば、本発明は、レジスト膜
均一性を実現できるので、レジストパターンの限界寸法
を安定したものとし、半導体デバイスの歩留まりならび
に信頼性を向上させるとともに、従来技術よりかなり低
いレジスト供給率およびスピン回転速度により使用する
レジスト量を節減できるので、製造コストを削減するこ
とができる。従って、本発明は、産業上の価値が極めて
高いものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るウェハ上に平坦なレジスト膜を形
成した様子を示す断面図。

【図２】従来技術に係る半導体ウェハにレジストを塗布
する装置を示した正面図。

【図３】従来技術に係る、拡大断面表示した段差のある
半導体ウェハ上にレジストを塗布する装置を示した正面
図。

【図４】従来技術に係る、感光レジストの半導体ウェハ
上における不均一な膜厚変化を示した概略断面図。

【図５】本発明を説明するために、半導体ウェハ上にレ
ジストのストリエーションが発生した状態を示す説明図
であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図。

【符号の説明】

１０ 半導体ウェハ １２ 真空チャック １４ 中心軸 １６ 供給器 ２４ 感光レジスト ２４ｂ 表面状況

Claims (24)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 中心軸を有する真空チャックを準備する
   ステップと、 感光レジストの供給器を準備するステップと、 前記真空チャック上に半導体ウェハを装着するステップ
   と、 前記中心軸上の前記真空チャックが回転して第１スピン
   速度を達成するステップと、 予湿剤を前記真空チャック上の前記半導体ウェハに供給
   するステップと、 前記第１スピン速度を維持するステップと、 前記半導体ウェハを第２スピン速度にまで加速するステ
   ップと、 前記第２スピン速度を維持するステップと、 前記半導体ウェハを第３スピン速度にまで加速するステ
   ップと、 感光レジストを前記半導体ウェハ上に供給するステップ
   と、 前記半導体ウェハを第４スピン速度にまで加速するステ
   ップと、 前記第４スピン速度を維持するステップとを具備するこ
   とを特徴とする高粘度レジスト塗布膜のノン・ストリエ
   ーション塗布方法。
2. 【請求項２】 前記真空チャックは複数の真空開孔を有
   するものであることを特徴とする請求項１記載の高粘度
   レジスト塗布膜のノン・ストリエーション塗布方法。
3. 【請求項３】 前記真空開孔は真空ポンプに連通するも
   のであることを特徴とする請求項２記載の高粘度レジス
   ト塗布膜のノン・ストリエーション塗布方法。
4. 【請求項４】 前記真空チャックは前記中心軸上に取り
   付けられるものであることを特徴とする請求項１記載の
   高粘度レジスト塗布膜のノン・ストリエーション塗布方
   法。
5. 【請求項５】 前記半導体ウェハは前記真空チャック上
   に装着されるとともに、前記真空チャックの直径が前記
   半導体ウェハの直径よりも少し小さいものであることを
   特徴とする請求項１記載の高粘度レジスト塗布膜のノン
   ・ストリエーション塗布方法。
6. 【請求項６】 前記中心軸はモータにより回転させられ
   るものであることを特徴とする請求項１記載の高粘度レ
   ジスト塗布膜のノン・ストリエーション塗布方法。
7. 【請求項７】 前記第１スピン速度は約０〜２００ｒｐ
   ｍ／秒の加速度範囲であることを特徴とする請求項１記
   載の高粘度レジスト塗布膜のノン・ストリエーション塗
   布方法。
8. 【請求項８】 前記供給器は前記真空チャック上の前記
   半導体ウェハ表面の中心位置に配置されるものであるこ
   とを特徴とする請求項１記載の高粘度レジスト塗布膜の
   ノン・ストリエーション塗布方法。
9. 【請求項９】 前記予湿剤は希釈剤と呼ばれる化学溶液
   であり、約１〜５ｃＰの粘度を備えるものであることを
   特徴とする請求項１記載の高粘度レジスト塗布膜のノン
   ・ストリエーション塗布方法。
10. 【請求項１０】 前記予湿剤は約２〜５立方センチメー
    トル（ｃｃ）／秒の供給率で供給されるものであること
    を特徴とする請求項９記載の高粘度レジスト塗布膜のノ
    ン・ストリエーション塗布方法。
11. 【請求項１１】 前記予湿剤は約１〜３秒間だけ供給さ
    れるものであることを特徴とする請求項９記載の高粘度
    レジスト塗布膜のノン・ストリエーション塗布方法。
12. 【請求項１２】 前記第１スピン速度は約１〜２秒間だ
    け定速状態に維持されるものであることを特徴とする請
    求項１記載の高粘度レジスト塗布膜のノン・ストリエー
    ション塗布方法。
13. 【請求項１３】 前記第２スピン速度は約５００〜２０
    ００ｒｐｍの範囲であることを特徴とする請求項１記載
    の高粘度レジスト塗布膜のノン・ストリエーション塗布
    方法。
14. 【請求項１４】 前記第２スピン速度は約２〜５秒間だ
    け定速状態に維持されるものであることを特徴とする請
    求項１記載の高粘度レジスト塗布膜のノン・ストリエー
    ション塗布方法。
15. 【請求項１５】 前記第３スピン速度は約１５００〜３
    ０００ｒｐｍの範囲であることを特徴とする請求項１記
    載の高粘度レジスト塗布膜のノン・ストリエーション塗
    布方法。
16. 【請求項１６】 前記感光レジストはＭＣＰＲｉ ７０
    １０Ｎであることを特徴とする請求項１記載の高粘度レ
    ジスト塗布膜のノン・ストリエーション塗布方法。
17. 【請求項１７】 前記感光レジストはその粘度を約３５
    〜５０ｃＰの範囲とするものであることを特徴とする請
    求項１６記載の高粘度レジスト塗布膜のノン・ストリエ
    ーション塗布方法。
18. 【請求項１８】 前記感光レジストは約０．６〜１．０
    ｃｃ／秒の供給率で供給されるものであることを特徴と
    する請求項１７記載の高粘度レジスト塗布膜のノン・ス
    トリエーション塗布方法。
19. 【請求項１９】 前記感光レジストは約４〜８秒間だけ
    供給されるものであることを特徴とする請求項１７記載
    の高粘度レジスト塗布膜のノン・ストリエーション塗布
    方法。
20. 【請求項２０】 前記第４スピン速度は約２０００〜３
    ８００ｒｐｍの範囲であることを特徴とする請求項１記
    載の高粘度レジスト塗布膜のノン・ストリエーション塗
    布方法。
21. 【請求項２１】 前記第４スピン速度は約２０〜３０秒
    間だけ定速状態に維持されるものであることを特徴とす
    る請求項１記載の高粘度レジスト塗布膜のノン・ストリ
    エーション塗布方法。
22. 【請求項２２】 半導体ウェハの裏面を感光レジスト塗
    布システムの真空チャック上に装着して、前記半導体ウ
    ェハが水平となって表面が上方に向けられるステップ
    と、 前記真空チャックを中心軸により回転させ、前記半導体
    ウェハが約０〜２００ｒｐｍの範囲にある第１スピン速
    度を達成するステップと、 前記第１スピン速度に加速しながら、約２〜５立方セン
    チメートル（ｃｃ）／秒の供給率で予湿剤を供給し、そ
    の時間を約１〜３秒間とするステップと、 前記予湿剤の供給を停止するとともに、前記第１スピン
    速度を約１〜２秒間だけ定速状態に維持するステップ
    と、 前記半導体ウェハが第２スピン速度となるまで加速して
    から、前記半導体ウェハが約１５００〜３０００ｒｐｍ
    の第３スピン速度となるまで加速すると同時に、約０．
    ６〜１．０ｃｃ／秒の配給率で感光レジストを供給し、
    その時間を約４〜８秒間とするステップと、 前記半導体ウェハを約２０００〜３８００ｒｐｍの第４
    スピン速度まで加速するとともに、この第４スピン速度
    を約２０〜３０秒間だけ定速状態に維持するステップと
    を具備することを特徴とする高粘度レジスト塗布膜のノ
    ン・ストリエーション塗布方法。
23. 【請求項２３】 前記予湿剤はＡＺＥＢＲであり、約１
    〜５ｃＰの粘度を備えるものであることを特徴とする請
    求項２２記載の高粘度レジスト塗布膜のノン・ストリエ
    ーション塗布方法。
24. 【請求項２４】 前記感光レジストはＭＣＰＲｉ ７０
    １０Ｎであり、約３５〜５０ｃＰの粘度を備えるもので
    あることを特徴とする請求項２２記載の高粘度レジスト
    塗布膜のノン・ストリエーション塗布方法。