JPH09260265A - レジストパターンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 微細なレジストパターンを精度よく形成する
ことができ、かつ、現像欠陥を有効に抑えることができ
るレジストパターンの形成方法を提供する。 【解決手段】 ウェハー上にレジストを形成し、レジス
トを現像した後、ウェハー上に現像ノズルから現像液を
吐出してレジストを現像することによりレジストパター
ンを形成する場合に、レジストとしてこのレジストに対
する現像液の接触角が５０度以下となるものを用いる。
このレジストは、その表面の疎水性を低くする作用を有
する界面活性剤、特に−ＯＨ基を有する界面活性剤を含
む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、レジストパター
ンの形成方法に関し、例えば、半導体装置の製造工程に
おけるレジストパターンの形成に適用して好適なもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩの集積度の向上とともにそのデザ
インルールは縮小し、それに伴ってＬＳＩ製造工程にお
けるリソグラフィー工程に用いられるレジストの性能お
よびレジスト現像方法も、より高度なものが要求されて
いる。レジストの性能は、一般に、現像時の露光部と未
露光部との溶解速度の差、すなわちいわゆる溶解コント
ラストが大きいほどよいとされている。それは、この溶
解コントラストが大きいほど現像により得られるレジス
トパターンの断面形状は矩形に近くなるが、このように
現像により得られるレジストパターンの断面形状が矩形
に近いほど、次の工程、例えばエッチング工程において
このレジストパターンをマスクとして行われるエッチン
グ時のパターン変換差やばらつきが小さくなり、高精度
の加工が可能となるからである。また、溶解コントラス
トが大きいほど、レジストの解像度は高く、より微細な
パターンの形成が可能となる。

【０００３】これまで、この溶解コントラストを大きく
するために、レジストに様々な改良が加えられてきた。
その一つに、レジストに表面難溶化効果を持たせること
が挙げられる。これは、未露光部のレジストに現像液が
接触すると、レジストの溶解速度が極端に減少するとい
う効果である。この表面難溶化効果をレジストに持たせ
ることにより、レジストの解像度や現像により得られる
レジストパターンの形状は大きく向上した。一方、レジ
ストの現像方法も、より微細なパターンを精度よく形成
するために改良が加えられた。一般に、レジストの解像
度やレジストパターンの断面形状は現像液の攪拌が少な
い方がよく、また、現像の均一性についてはできるだけ
レジストに物理的アタックを与えない方がよいことがわ
かっている。

【０００４】そこで、レジストに対する物理的アタック
を少なくし、レジスト上によりソフトに現像液を盛るこ
とができ、微細なレジストパターンを精度よく形成する
ことができるレジスト現像方法およびそれに用いる現像
液供給用ノズル（以下「現像ノズル」ともいう。）が開
発され、実用化されている。その一例について、図１
９、図２０および図２１を参照しながら説明する。ここ
で、図１９は平面図、図２０は側面図、図２１は図１９
および図２０に示す現像ノズルの拡大底面図である。

【０００５】図１９、図２０および図２１に示すよう
に、この従来のレジスト現像方法においては、現像を行
うべき露光済みのレジスト（図示せず）が形成されたウ
ェハー１０１の一直径上にこの直径とほぼ同一の長さを
有する現像ノズル１０２を配置し、この現像ノズル１０
２の底部に互いに隣接して一列に多数設けられた現像液
吐出用の穴１０３からウェハー１０１上に現像液を吐出
した状態でこのウェハー１０１を１／２回転させること
により、ウェハー１０１の全面に現像液を供給し、レジ
ストの現像を行う。

【０００６】図２２および図２３は、レジストに対する
物理的アタックを少なくした従来のレジスト現像方法の
他の例を示す。図２２および図２３に示すように、この
従来のレジスト現像方法においては、現像を行うべき露
光済みのレジスト（図示せず）が形成されたウェハー２
０１の中心付近の真上に現像ノズル２０２がくるように
し、ウェハー２０１を回転させながら、現像ノズル２０
２の先端に設けられた５個の現像液吐出用の穴２０３か
らウェハー２０１上に現像液を図２２および図２３中矢
印で示すように吐出することにより、ウェハー２０１の
全面に現像液を供給し、レジストの現像を行う。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、溶解コ
ントラストが高い高解像度レジストを用い、しかもレジ
ストに対する物理的アタックが少ないレジスト現像方法
を採用することにより高集積度のＬＳＩの製造が可能に
なったが、新たな問題としてレジストの現像欠陥が発生
するようになった。

【０００８】ここで、この現像欠陥とは、コンタクトホ
ール形成用のフォトマスクを用いて露光されたレジスト
を現像したときに、ウェハー上数個から数十個のコンタ
クトホールが開口されない現象である。この現像欠陥に
ついてより具体的に説明すると、次の通りである。すな
わち、図２４Ａに示すように、ウェハー３０１上にレジ
スト３０２を塗布した後、図示省略したフォトマスクを
用いてこのレジスト３０２の露光を行うと、このレジス
ト３０２に潜像３０３が形成される。次に、図２４Ｂに
示すように、レジスト３０２の現像を行うために、ウェ
ハー３０１上に現像ノズル（図示せず）から現像液３０
４を吐出すると、潜像３０３が形成された部分のレジス
ト３０２が溶解する。このとき、現像ノズルからの吐出
時に圧力が加えられた現像液３０４がウェハー３０１上
に供給されて大気圧に戻ることにより、この現像液３０
４中に溶存していた気体が溶出して泡となり、いわゆる
マイクロバブル３０５が形成される。そして、このマイ
クロバブル３０５が、レジスト３０２のうちの溶解すべ
き部分、すなわち潜像３０３が形成された部分の上にか
ぶさると、この部分に対する現像液３０４の供給が不十
分となり、現像が進まなくなる。この結果、図２４Ｃに
示すように、現像により得られるレジストパターン３０
６にコンタクトホール３０６ａが開口されない部分、す
なわち現像欠陥３０７が発生する。

【０００９】溶解コントラストが高い高解像度レジスト
を用いたときに現像欠陥３０７が発生するのは、次のよ
うな理由による。すなわち、一般に、溶解コントラスト
が高い高解像度レジストは表面の疎水性が高く、表面難
溶化層が形成されやすい。このため、レジストの表面と
この表面に付着したマイクロバブルとの隙間に現像液が
入り込めないことから、マイクロバブルは長時間付着し
た状態になり、これによって現像欠陥が発生する。ま
た、物理的アタックの少ないレジスト現像方法を用いた
ときに現像欠陥３０７が発生するのは、次のような理由
による。すなわち、このレジスト現像方法においては、
レジストに対する物理的アタックを弱くするために、そ
のアタックの強さの分布がウェハー上で不均一になって
しまう。この結果、レジスト表面に付着したマイクロバ
ブルを除去することができず、現像欠陥が発生してしま
う。

【００１０】一方、レジスト膜厚むらが周期的に放射状
に発生する、いわゆるストライエーションを防止する目
的で、フッ素（Ｆ）系共重合体やアクリレート系共重合
体などからなる界面活性剤をレジスト中に添加すること
があるが、この界面活性剤の影響でレジスト表面の疎水
性が高くなり過ぎることによっても、同様な現像欠陥が
発生している。さらに、ウェハー上に現像液を盛る時の
現像液のぶつかり合いにより現像液中に空気が巻き込ま
れ、マイクロバブルとなる現象も確認されている。

【００１１】以上のような現像欠陥の発生は、ＬＳＩの
製造歩留まりを確実に低下させる大きな問題であること
から、微細なレジストパターンを精度よく形成し、か
つ、現像欠陥を抑える技術が強く望まれている。

【００１２】したがって、この発明の目的は、微細なレ
ジストパターンを精度よく形成することができ、かつ、
現像欠陥を有効に抑えることができるレジストパターン
の形成方法を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明者は、従来技術が
有する上述の課題を解決すべく、鋭意考察を行った。以
下にその概要を説明する。現像欠陥を抑えるためには、
レジスト表面へのマイクロバブルの付着を防止する必要
があるが、このためには、レジスト表面の濡れ性を改善
すること、言い換えればレジスト表面の疎水性を低くす
ることが有効である。すなわち、レジスト上に現像液を
盛ったとき、レジスト表面の濡れ性が悪い場合にはマイ
クロバブルが発生するが、濡れ性が良いとマイクロバブ
ルの発生はなくなる。より詳細に説明すると、図１Ａに
示すようにレジスト表面に対する現像液の接触角θが大
きいと、図１Ｂに示すようにマイクロバブルが発生する
が、図２Ａに示すように接触角θが小さいと、図２Ｂに
示すようにマイクロバブルの発生がなくなる。

【００１４】そして、本発明者が行った実験により、こ
の接触角θが５０度以下であるときにマイクロバブルの
発生を有効に抑えることができ、それによって現像欠陥
を有効に抑えることができることが判明した。すなわ
ち、図３Ａは６インチのウェハー当たりの現像欠陥の個
数の接触角θに対する依存性を測定した結果を示すが、
これより、接触角θが５２〜６８度である従来の現像方
法における現像欠陥数はウェハー当たり２〜１５個と多
いのに対して、接触角θが５０度以下であると、現像欠
陥数はウェハー当たり１個以下となることがわかる。こ
こで、現像液としては、界面活性剤を含むものを用い
た。また、図３Ａの縦軸を現像欠陥の面積にとって書き
直したものを図３Ｂに示す。図３Ｂより、接触角θが５
０度以下であると、現像欠陥の面積はウェハー当たり４
μｍ² 以下となることがわかる。本発明者の知見によれ
ば、このように接触角θを５０度以下とするためには、
−ＯＨ基を有する界面活性剤を含むレジストを用いるこ
とが有効である。このような−ＯＨ基を有する界面活性
剤を含むレジストは、これまで用いられていないもので
ある。この発明は、本発明者による以上のような考察に
基づいて案出されたものである。

【００１５】すなわち、上記目的を達成するために、こ
の発明は、基板上にレジストを形成し、レジストを現像
した後、レジストが形成された基板上に現像液供給用ノ
ズルから現像液を吐出してレジストの現像を行うことに
よりレジストパターンを形成するようにしたレジストパ
ターンの形成方法において、レジストに対する現像液の
接触角が５０度以下であることを特徴とするものであ
る。

【００１６】この発明においては、現像欠陥をより有効
に抑えるため、好適には、レジストに対する現像液の接
触角が４７度以下である。この発明においては、レジス
トは、典型的には、レジストの表面の疎水性を低くする
作用を有する界面活性剤、具体的には、−ＯＨ基を有す
る界面活性剤を含む。レジストのベース材料の例を挙げ
ると、ノボラック樹脂に感光剤としてキノンジアジド系
化合物を添加したもの、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭ
ＭＡ）やポリメチルイソプロペニルケトン（ＰＭＩＰ
Ｋ）に増感剤を添加したもの（いわゆるディープＵＶレ
ジスト）などである。また、レジスト中に含まれる界面
活性剤の例を挙げると、アクリレート系共重合体やフッ
素系共重合体などからなるものである。この界面活性剤
中の−ＯＨ基の単位重量当たりの個数は、レジストの表
面の疎水性を低くするのに十分な個数に選ばれる。

【００１７】上述のように構成されたこの発明によるレ
ジストパターンの形成方法においては、レジストに対す
る現像液の接触角が５０度以下であることにより、現像
時にレジストの表面にマイクロバブルが付着するのを有
効に抑えることができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。まず、この発明の実施
形態において用いられる現像装置について説明する。図
４および図５はこの現像装置を示す。ここで、図４は平
面図、図５は断面図である。

【００１９】図４および図５に示すように、この現像装
置においては、現像を行うべき露光済みのレジスト（図
示せず）が形成されたウェハー１を保持するウェハーチ
ャック２が、現像カップ３内に設けられている。このウ
ェハーチャック２は、モーター４により、その中心軸の
周りに回転可能になっている。一方、このウェハーチャ
ック２の上方には、現像ノズルアーム５が設けられてい
る。この現像ノズルアーム５は、ウェハーチャック２に
保持されたウェハー１に平行な面内でその一端の回転軸
を中心として回転可能になっている。この現像ノズルア
ーム５の先端には、現像液を供給するための現像ノズル
６が設けられている。ここでは、この現像ノズル６とし
て、その先端に現像液吐出用の穴が５個設けられた、図
２２および図２３に示す現像ノズル２０２と同様なもの
が用いられる。この現像ノズル６は、現像ノズルアーム
５の回転により、ウェハー１の半径方向に移動可能にな
っている。また、現像ノズル６とは別に、リンス用純水
供給ノズル（以下「リンスノズル」という。）７が設け
られており、現像ノズル６の代わりにこのリンスノズル
７をウェハー１上に位置させることができるようになっ
ている。

【００２０】さらに、図示は省略するが、この現像装置
においては、別置きの現像液用キャニスター（金属製容
器）または現像液用工場集中配管にその一端が接続され
た現像液供給用配管の他端が現像ノズルアーム５を介し
て現像ノズル６に接続されている。そして、現像液用キ
ャニスターまたは現像液用工場集中配管からこの現像液
供給用配管に現像液が供給される。このとき、現像液の
供給には圧送方法が使用され、窒素ガスなどにより加圧
されるが、この窒素などが酸素とともに現像液中に溶存
している場合がほとんどである。この現像液中の溶存気
体はマイクロバブルが発生する原因となるため、現像ノ
ズル６から現像液を吐出する前に除去しておくことが望
ましい。そこで、この現像装置においては、現像液供給
用配管、現像ノズルアーム５、現像ノズル６などのうち
の少なくとも一箇所に脱気ユニットが取り付けられ、こ
の脱気ユニットにより現像液を脱気することができるよ
うになっている。ここで、この脱気ユニットの内部は、
例えば８×１０⁴ Ｐａ（６００ｍＨｇ）程度に真空排気
（減圧）されており、これによって現像液を脱気するこ
とができるようになっている。さらにまた、現像液供給
用配管には、現像液中の異物を除去するためのフィルタ
ー（図示せず）が取り付けられている。

【００２１】次に、この発明の実施形態によるレジスト
パターンの形成方法について説明する。まず、この発明
の第１の実施形態によるレジストパターンの形成方法に
ついて説明する。この第１の実施形態によるレジストパ
ターンの形成方法においては、まず、レジスト（図示せ
ず）をウェハー１上に塗布形成した後、このレジストを
所定のフォトマスクを用いて露光する。ここで、このレ
ジストとしては、使用する現像液の接触角が５０度以下
となるようなものを用い、具体的には−ＯＨ基を有する
界面活性剤を含む例えばノボラック樹脂系のものを用い
る。

【００２２】次に、図４および図５に示す現像装置を用
いて、以下のようにしてレジストの現像を行う。すなわ
ち、現像を行うべき露光済みのレジスト（図示せず）が
形成されたウェハー１をウェハーチャック２に保持した
後、モーター４によりこのウェハーチャック２を例えば
１０００ｒｐｍの回転数で回転させる。次に、現像ノズ
ルアーム５によりその先端の現像ノズル６をウェハー１
の中心付近（図５中のｂ点）に移動させ、そこで現像ノ
ズル６からウェハー１上に上述のようにして脱気および
異物の除去が行われた現像液（図示せず）を吐出する。
次に、現像ノズル６からの現像液の吐出を停止するとと
もに、ウェハー１の回転を停止する。

【００２３】任意の時間経過後、現像ノズルアーム５に
より現像ノズル６をウェハー１から外れた位置に移動さ
せ、代わりにウェハー１上にリンスノズル７を位置さ
せ、このリンスノズル７からウェハー１上に純水を供給
するとともに、ウェハー１を例えば１０００ｒｐｍの回
転数で回転させ、現像を停止する。次に、リンスノズル
７からの純水の供給を停止するとともに、ウェハー１の
回転数を例えば４０００ｒｐｍに上げてウェハー１上の
純水を振り切る。この後、ウェハー１の回転を停止す
る。以上により、レジストの現像工程が終了し、目的と
するレジストパターンが形成される。以上のようにして
レジストパターンを形成したところ、６インチのウェハ
ー１当たりの現像欠陥は、従来２〜１５個程度であった
ものが１個以下に減少した。また、現像の均一性も、
０．３５μｍ径のコンタクトホールに対して±０．０２
μｍが得られた。

【００２４】以上のように、この第１の実施形態によれ
ば、レジストに対する現像液の接触角が５０度以下であ
ることにより、現像時にレジストの表面にマイクロバブ
ルが付着するのを有効に抑えることができる。また、現
像液を脱気していることにより、現像液中の溶存気体量
を大幅に低減することができ、マイクロバブルの発生を
抑えることができる。これによって、現像欠陥を有効に
抑えることができる。また、微細なレジストパターンを
形成することもできる。

【００２５】さて、上述の第１の実施形態によるレジス
トパターンの形成方法においては、レジストの現像を行
う際の現像ノズル６からの現像液の吐出は、ウェハー１
の中心付近で１回行っているが、現像欠陥の低減を図る
ためには、レジストが形成されたウェハー１上に現像ノ
ズル６から現像液を吐出しながらこの現像ノズル６をウ
ェハー１上で走査するのが好ましい。この場合、現像ノ
ズル６の走査の仕方によって、大別して次の４通りのレ
ジスト現像方法がある。

【００２６】すなわち、第１の例によるレジスト現像方
法においては、ウェハー１を回転させながら、ウェハー
１の中心付近においてウェハー１上に現像ノズル６から
現像液を吐出し、現像液を吐出した状態で、ウェハー１
の中心付近から出発し、ウェハー１の一周辺部を経由し
てウェハー１の中心付近に至る経路を少なくとも含む経
路に沿って現像ノズル６をウェハー１上で走査する。こ
の第１の例によるレジスト現像方法においては、例え
ば、ウェハー１の中心付近から出発し、ウェハー１の一
周辺部を経由してウェハー１の中心付近に至る経路に沿
って現像ノズル６をウェハー１上で走査する。このとき
の現像ノズル６の走査パターンは図６に示すようにな
る。ただし、図６において、ａ点はウェハー１の一周辺
部、ｂ点はウェハー１の中心付近、ｃ点はウェハー１の
中心に関してａ点と反対側の周辺部を示す（図５参
照）。

【００２７】また、例えば、ウェハー１の中心付近から
出発し、ウェハー１の一周辺部およびウェハー１の中心
付近を順次経由して、ウェハー１の中心に関してウェハ
ー１の一周辺部と反対側の周辺部に至る経路に沿って現
像ノズル６をウェハー１上で走査してもよい。このとき
の現像ノズル６の走査パターンは図７に示すようにな
る。また、例えば、ウェハー１の中心付近から出発し、
ウェハー１の一周辺部、ウェハー１の中心付近およびウ
ェハー１の中心に関してウェハー１の一周辺部と反対側
の周辺部を順次経由してウェハー１の中心付近に至る経
路に沿って現像ノズル６をウェハー１上で走査してもよ
い。このときの現像ノズル６の走査パターンは図８に示
すようになる。

【００２８】また、上述のような種々の走査パターンを
組み合わせた走査パターンで現像ノズル６を走査するよ
うにしてもよい。さらに、上述のような種々の走査パタ
ーンで現像ノズル６を繰り返し走査するようにしてもよ
い。この繰り返し回数は必要に応じて選ぶことができ
る。その一例を挙げると、ウェハー１の中心付近から出
発し、ウェハー１の一周辺部を経由してウェハー１の中
心付近に至る経路に沿って現像ノズル６をウェハー１上
で繰り返し走査する場合である。この繰り返し回数が３
回であるときの現像ノズル６の走査パターンは図９に示
すようになる。さらに、この第１の例によるレジスト現
像方法においては、好適には、ウェハー１の中心付近に
おいてウェハー１上に現像ノズル６から現像液を吐出し
た後にウェハー１の回転数を減少させる。さらにまた、
好適には、ウェハー１の一周辺部まで現像ノズル６を走
査した後にウェハー１の回転数をさらに減少させる。

【００２９】また、好適には、ウェハー１の中心付近か
らウェハー１の一周辺部に至る経路に沿っての現像ノズ
ル６の移動速度よりもウェハー１の一周辺部からウェハ
ー１の中心付近またはウェハー１の中心に関してウェハ
ー１の一周辺部と反対側の周辺部に至る経路に沿っての
現像ノズル６の移動速度を遅くする。上述のように、ウ
ェハー１の中心付近から出発し、ウェハー１の一周辺部
を経由してウェハー１の中心付近に至る経路に沿って現
像ノズル６をウェハー１上で繰り返し走査する場合、現
像ノズル６の移動速度は、現像の均一性を向上させる観
点から、好適には、初期の走査時には速くし、後の走査
時には遅くする。

【００３０】第２の例によるレジスト現像方法において
は、ウェハー１を回転させながら、ウェハー１の一周辺
部においてウェハー１上に現像ノズル６から現像液を吐
出し、現像液を吐出した状態で、ウェハー１の一周辺部
から出発し、ウェハー１の中心付近を経由してウェハー
１の一周辺部に至る経路を少なくとも含む経路に沿って
現像ノズル６をウェハー１上で走査する。この第２の例
によるレジスト現像方法においては、典型的には、ウェ
ハー１の一周辺部から出発し、ウェハー１の中心付近を
経由してウェハー１の一周辺部に至る経路に沿って現像
ノズル６をウェハー１上で走査する。このときの現像ノ
ズル６の走査パターンは図１０に示すようになる。ま
た、好適には、ウェハー１の一周辺部において現像ノズ
ル６からウェハー１上に現像液を吐出した後にウェハー
１の回転数を減少させる。さらにまた、好適には、ウェ
ハー１の中心付近まで現像ノズル６を走査した後にウェ
ハー１の回転数をさらに減少させる。

【００３１】また、好適には、ウェハー１の中心付近か
らウェハー１の一周辺部に至る経路に沿っての現像ノズ
ル６の移動速度よりもウェハー１の一周辺部からウェハ
ー１の中心付近に至る経路に沿っての現像ノズル６の移
動速度を遅くする。第３の例によるレジスト現像方法に
おいては、ウェハー１を回転させながら、ウェハー１の
一周辺部においてウェハー１上に現像ノズル６から現像
液を吐出し、現像液を吐出した状態で、ウェハー１の一
周辺部から出発し、ウェハー１の中心付近およびウェハ
ー１の中心に関してウェハー１の一周辺部と反対側の周
辺部に至る経路を少なくとも含む経路に沿って現像ノズ
ル６をウェハー１上で走査する。

【００３２】この第３の例によるレジスト現像方法にお
いては、例えば、ウェハー１の一周辺部から出発し、ウ
ェハー１の中心付近を経由してウェハー１の中心に関し
てウェハー１の一周辺部と反対側の周辺部に至る経路に
沿って現像ノズル６をウェハー１上で走査する。このと
きの現像ノズル６の走査パターンは図１１に示すように
なる。また、例えば、ウェハー１の一周辺部から出発
し、ウェハー１の中心付近、ウェハー１の中心に関して
ウェハー１の一周辺部と反対側の周辺部を順次経由して
ウェハー１の中心付近に至る経路に沿って現像ノズル６
をウェハー１上で走査してもよい。このときの現像ノズ
ル６の走査パターンは図１２に示すようになる。

【００３３】また、例えば、ウェハー１の一周辺部から
出発し、ウェハー１の中心付近、ウェハー１の中心に関
してウェハー１の一周辺部と反対側の周辺部およびウェ
ハー１の中心付近を順次経由してウェハー１の一周辺部
に至る経路に沿って現像ノズル６をウェハー１上で走査
する。このときの現像ノズル６の走査パターンは図１３
に示すようになる。また、例えば、ウェハー１の一周辺
部から出発し、ウェハー１の中心付近、ウェハー１の中
心に関してウェハー１の一周辺部と反対側の周辺部、ウ
ェハー１の中心付近およびウェハー１の一周辺部を順次
経由してウェハー１の中心付近に至る経路に沿って現像
ノズル６をウェハー１上で走査する。このときの現像ノ
ズル１の走査パターンは図１４に示すようになる。

【００３４】この第３の例によるレジスト現像方法にお
いては、上述のような種々の走査パターンを組み合わせ
た走査パターンで現像ノズル６を走査するようにしても
よい。さらに、上述のような種々の走査パターンで現像
ノズル６を繰り返し走査するようにしてもよい。この繰
り返し回数は必要に応じて選ぶことができる。その一例
を挙げると、ウェハー１の一周辺部から出発し、ウェハ
ー１の中心付近、ウェハー１の中心に関してウェハー１
の一周辺部と反対側の周辺部およびウェハー１の中心付
近を順次経由してウェハー１の一周辺部に至る経路に沿
って現像ノズル６をウェハー１上で繰り返し走査する場
合である。このときの現像ノズル６の走査パターンは図
１５に示すようになる。

【００３５】また、この第３の例によるレジスト現像方
法においては、好適には、ウェハー１の一周辺部におい
て現像ノズル６からウェハー１上に現像液を吐出した後
にウェハー１の回転数を減少させる。さらにまた、好適
には、ウェハー１の中心に関してウェハー１の一周辺部
と反対側の周辺部まで現像ノズル６を走査した後にウェ
ハー１の回転数をさらに減少させる。また、好適には、
ウェハー１の一周辺部からウェハー１の中心に関してウ
ェハー１の一周辺部と反対側の周辺部に至る経路に沿っ
ての現像ノズル６の移動速度よりもウェハー１の中心に
関してウェハー１の一周辺部と反対側の周辺部からウェ
ハー１の中心付近またはウェハー１の一周辺部に至る経
路に沿っての現像ノズル６の移動速度を遅くする。

【００３６】第３の例によるレジスト現像方法におい
て、上述のように、ウェハー１の一周辺部から出発し、
ウェハー１の中心付近、ウェハー１の中心に関してウェ
ハー１の一周辺部と反対側のウェハー１の周辺部および
ウェハー１の中心付近を順次経由してウェハー１の一周
辺部に至る経路に沿って現像ノズル６をウェハー１上で
繰り返し走査する場合、現像ノズル６の移動速度は、現
像の均一性を向上させる観点から、好適には、初期の走
査時には速くし、後の走査時には遅くする。第４の例に
よるレジスト現像方法においては、ウェハー１を回転さ
せながら、ウェハー１の所定位置においてウェハー１上
に現像ノズル６から現像液を吐出し、現像液を吐出した
状態で、現像ノズル６の中心がウェハー１上でウェハー
１の中心付近を中心とするらせんを描くようにウェハー
１上で現像ノズル６を走査する。この第４の例によるレ
ジスト現像方法において、ウェハー１の所定位置はウェ
ハー１の中心付近またはウェハー１の一周辺部である。

【００３７】上述の第１〜第４の例によるレジスト現像
方法においては、現像ノズル６を走査しながらウェハー
１上に現像ノズル６から現像液を吐出するようにしてい
ることにより、現像液による物理的アタックをウェハー
１の全面に均一に与えることができ、これによってレジ
スト表面に付着したマイクロバブルを除去することがで
きる。一方、このように現像ノズル６を走査しながらウ
ェハー１上に現像液を吐出すると、現像の均一性が悪く
なるおそれがあるが、これは、現像ノズル６の走査時の
ウェハー１の回転数、走査時間、走査速度、走査幅、現
像液吐出開始位置、現像液吐出停止位置などの調整によ
って改善することができる。

【００３８】次に、この発明の第２の実施形態によるレ
ジストパターンの形成方法について説明する。この第２
の実施形態においては、図６に示すようなパターンで現
像ノズル６を走査することにより現像を行うことが、第
１の実施形態と異なる。この第２の実施形態によるレジ
ストパターンの形成方法においては、まず、レジスト
（図示せず）をウェハー１上に塗布形成した後、このレ
ジストを所定のフォトマスクを用いて露光する。ここ
で、このレジストとしては、例えば、第１の実施形態と
同様なものを用いる。次に、図４および図５に示す現像
装置を用いて、以下のようにしてレジストの現像を行
う。すなわち、現像を行うべき露光済みのレジスト（図
示せず）が形成されたウェハー１をウェハーチャック２
に保持した後、モーター４によりこのウェハーチャック
２を例えば１０００ｒｐｍの回転数で回転させる。

【００３９】次に、現像ノズルアーム５によりその先端
の現像ノズル６をウェハー１の中心付近（図５中のｂ
点）に移動させ、そこで現像ノズル６からウェハー１上
に上述のようにして脱気および異物の除去が行われた現
像液（図示せず）を吐出する。次に、現像液を吐出した
状態で、現像ノズル６を例えば１０ｃｍ／秒の速度でウ
ェハー１の周辺部（図５中のａ点）に移動させ始めると
同時に、ウェハー１の回転数を１０００ｒｐｍから例え
ば６０ｒｐｍに落とす。次に、現像液を吐出した状態
で、現像ノズル６を例えば７ｃｍ／秒の速度でウェハー
１の中心付近（図５中のｂ点）に移動させるとともに、
ウェハー１の回転数を６０ｒｐｍから３０ｒｐｍに落と
す。このときの現像ノズル６の走査パターンは図６に示
すようになる。以上のようにしてウェハー１の全面に現
像液を供給した後、現像ノズル６からの現像液の吐出を
停止するとともに、ウェハー１の回転を停止する。

【００４０】任意の時間経過後、第１の実施形態におけ
ると同様にして、リンスノズル７からウェハー１上に純
水を供給するとともに、ウェハー１を例えば１０００ｒ
ｐｍの回転数で回転させ、現像を停止する。次に、リン
スノズル７からの純水の供給を停止するとともに、ウェ
ハー１の回転数を例えば４０００ｒｐｍに上げてウェハ
ー１上の純水を振り切る。この後、ウェハー１の回転を
停止する。以上により、レジストの現像工程が終了し、
目的とするレジストパターンが形成される。

【００４１】以上のようにしてレジストパターンを形成
したところ、６インチのウェハー１当たりの現像欠陥
は、従来２〜１５個程度であったものが１個以下に減少
した。また、現像の均一性も、０．３５μｍ径のコンタ
クトホールに対して±０．０２μｍが得られた。ここ
で、この第２の実施形態におけるように図６に示すよう
なパターンで現像ノズル６をウェハー１上で走査した場
合に、現像ノズル６の中心がウェハー１上に描く軌跡の
一例を図１６に示す。ただし、ウェハー１の中心付近か
ら周辺部に向かうときの現像ノズル６の移動速度と、ウ
ェハー１の周辺部から中心付近に向かうときの現像ノズ
ル６の移動速度とは同一とした（ここでは、約６．７ｃ
ｍ／秒）。図１６において、現像ノズル６に設けられた
５個の現像液吐出用の穴から吐出された現像液のウェハ
ー１への着地点を斜線を施した円で示す。また、図１６
中の数値は、ウェハー１の中心からの距離をｃｍで表し
たものである。図１６からわかるように、この例では、
現像ノズル６の中心は、ウェハー１の中心付近を始点と
するらせんを描きながらウェハー１の周辺に至った後、
らせんを描きながらウェハー１の中心付近に至る。

【００４２】また、図１７は、この第２の実施形態にお
けるように図６に示すようなパターンで現像ノズル６を
ウェハー１上で走査する場合において、現像ノズル６か
らの現像液の吐出開始時点におけるウェハー１の回転数
と現像により得られるレジストの線幅均一性との関係を
示す。また、図１８は、同様の場合において、現像ノズ
ル６の移動速度とレジストの線幅均一性との関係を示
す。ただし、図１７の場合も図１８の場合も、ウェハー
１の中心付近から周辺部に向かうときの現像ノズル６の
移動速度と、ウェハー１の周辺部から中心付近に向かう
ときの現像ノズル６の移動速度とは同一とした。図１７
および図１８より、ある範囲内では、ウェハー１の回転
数が低いほど、また、現像ノズル６の移動速度が速いほ
ど、線幅均一性が高くなることがわかる。

【００４３】以上のように、この第２の実施形態によれ
ば、第１の実施形態と同様に、レジストに対する現像液
の接触角が５０度以下であり、また、現像液を脱気して
いることにより、レジストの表面へのマイクロバブルの
付着およびマイクロバブルの発生を有効に抑えることが
できる。さらに、現像時に現像ノズル６を図６に示すよ
うなパターンで走査していることにより、マイクロバブ
ルの発生をより一層有効に抑えることができる。これに
よって、現像欠陥を有効に抑えることができるととも
に、微細なレジストパターンを形成することができる。
次に、この発明の第３の実施形態によるレジストパター
ンの形成方法について説明する。この第３の実施形態に
おいては、図９に示すようなパターンで現像ノズル６を
走査することにより現像を行うことが、第１の実施形態
と異なる。この第３の実施形態によるレジストパターン
の形成方法においては、まず、レジスト（図示せず）を
ウェハー１上に塗布形成した後、このレジストを所定の
フォトマスクを用いて露光する。ここで、このレジスト
としては、例えば、第１の実施形態と同様なものを用い
る。

【００４４】次に、図４および図５に示す現像装置を用
いて、以下のようにしてレジストの現像を行う。すなわ
ち、現像を行うべき露光済みのレジスト（図示せず）が
形成されたウェハー１をウェハーチャック２に保持した
後、モーター４によりこのウェハーチャック２を例えば
１０００ｒｐｍの回転数で回転させる。次に、現像ノズ
ルアーム５によりその先端の現像ノズル６をウェハー１
の中心付近（図５中のｂ点）に移動させ、そこで現像ノ
ズル６からウェハー１上に上述のようにして脱気および
異物の除去が行われた現像液を吐出する。

【００４５】次に、現像液を吐出した状態で、現像ノズ
ル６を例えば１０ｃｍ／秒の速度でウェハー１の周辺部
（図５中のａ点）に移動させ始めると同時に、ウェハー
１の回転数を１０００ｒｐｍから例えば６０ｒｐｍに落
とす。次に、現像液を吐出した状態で、現像ノズル６を
例えば７ｃｍ／秒の速度でウェハー１の中心付近（図５
中のｂ点）に移動させ始めると同時に、ウェハー１の回
転数を６０ｒｐｍから例えば３０ｒｐｍに落とす。

【００４６】以上のようにして、現像液を吐出した状態
で現像ノズル６をウェハー１の中心付近（図５中のｂ
点）と周辺部（図５中のａ点）との間で３往復させる。
このときの現像ノズル６の走査パターンは図９に示すよ
うになる。このようにしてウェハー１の全面に現像液を
供給した後、現像ノズル６からの現像液の吐出を停止す
るとともに、ウェハー１の回転を停止する。任意の時間
経過後、第１の実施形態におけると同様にして、リンス
ノズル７からウェハー１上に純水を供給するとともに、
ウェハー１を例えば１０００ｒｐｍの回転数で回転さ
せ、現像を停止する。

【００４７】次に、リンスノズル７からの純水の供給を
停止するとともに、ウェハー１の回転数を例えば４００
０ｒｐｍに上げてウェハー１上の純水を振り切る。この
後、ウェハー１の回転を停止する。以上により、レジス
トの現像工程が終了し、目的とするレジストパターンが
形成される。以上のようにしてレジストパターンを形成
したところ、６インチのウェハー１当たりの現像欠陥
は、従来２〜１５個程度であったものが１個以下に減少
した。また、現像の均一性も、０．３５μｍ径のコンタ
クトホールに対して±０．０２μｍが得られた。

【００４８】以上のように、この第３の実施形態によれ
ば、第１の実施形態と同様に、レジストに対する現像液
の接触角が５０度以下であり、また、現像液を脱気して
いることにより、レジストの表面へのマイクロバブルの
付着およびマイクロバブルの発生を有効に抑えることが
できる。さらに、現像時に現像ノズル６を図９に示すよ
うなパターンで走査していることにより、マイクロバブ
ルの発生をより一層有効に抑えることができる。これに
よって、現像欠陥を有効に抑えることができるととも
に、微細なレジストパターンを形成することができる。

【００４９】次に、この発明の第４の実施形態によるレ
ジストパターンの形成方法について説明する。この第４
の実施形態においては、図１０に示すようなパターンで
現像ノズル６を走査することにより現像を行うことが、
第１の実施形態と異なる。この第４の実施形態によるレ
ジストパターンの形成方法においては、まず、レジスト
（図示せず）をウェハー１上に塗布形成した後、このレ
ジストを所定のフォトマスクを用いて露光する。ここ
で、このレジストとしては、例えば、第１の実施形態と
同様なものを用いる。

【００５０】次に、図４および図５に示す現像装置を用
いて、以下のようにしてレジストの現像を行う。すなわ
ち、現像を行うべき露光済みのレジスト（図示せず）が
形成されたウェハー１をウェハーチャック２に保持した
後、モーター４によりこのウェハーチャック２を例えば
１０００ｒｐｍの回転数で回転させる。次に、現像ノズ
ルアーム５によりその先端の現像ノズル６をウェハー１
の周辺部（図５中のｂ点）に移動させ、そこでその現像
ノズル６からウェハー１上に上述のようにして脱気およ
び異物の除去が行われた現像液を吐出する。

【００５１】次に、現像液を吐出した状態で、現像ノズ
ル６を例えば１０ｃｍ／秒の速度でウェハー１の中心付
近（図５中のｂ点）に移動させ始めると同時に、ウェハ
ー１の回転数を１０００ｒｐｍから例えば６０ｒｐｍに
落とす。次に、現像液を吐出した状態で、現像ノズル６
を例えば７ｃｍ／秒の速度でウェハー１の周辺部（図５
中のａ点）に移動させるとともに、ウェハー１の回転数
を６０ｒｐｍから例えば３０ｒｐｍに落とす。このとき
の現像ノズル６の走査パターンは図１０に示すようにな
る。以上のようにしてウェハー１の全面に現像液を供給
した後、現像ノズル６からの現像液の吐出を停止すると
ともに、ウェハー１の回転を停止する。

【００５２】任意の時間経過後、第１の実施形態におけ
ると同様にして、リンスノズル７からウェハー１上に純
水を供給するとともに、ウェハー１を例えば１０００ｒ
ｐｍの回転数で回転させ、現像を停止する。次に、リン
スノズル７からの純水の供給を停止するとともに、ウェ
ハー１の回転数を例えば４０００ｒｐｍに上げてウェハ
ー１上の純水を振り切る。この後、ウェハー１の回転を
停止する。以上により、レジストの現像工程が終了し、
目的とするレジストパターンが形成される。

【００５３】以上のようにしてレジストパターンを形成
したところ、６インチのウェハー１当たりの現像欠陥
は、従来２〜１５個程度であったものが１個以下に減少
した。また、現像の均一性も、０．３５μｍ径のコンタ
クトホールに対して±０．０２μｍが得られた。以上の
ように、この第４の実施形態によれば、第１の実施形態
と同様に、レジストに対する現像液の接触角が５０度以
下であり、また、現像液を脱気していることにより、レ
ジストの表面へのマイクロバブルの付着およびマイクロ
バブルの発生を有効に抑えることができる。さらに、現
像時に現像ノズル６を図１０に示すようなパターンで走
査していることにより、マイクロバブルの発生をより一
層有効に抑えることができる。これによって、現像欠陥
を有効に抑えることができるとともに、微細なレジスト
パターンを形成することができる。

【００５４】次に、この発明の第５の実施形態によるレ
ジストパターンの形成方法について説明する。この第５
の実施形態においては、図１１に示すようなパターンで
現像ノズル６を走査することにより現像を行うことが、
第１の実施形態と異なる。この第５の実施形態によるレ
ジストパターンの形成方法においては、まず、レジスト
（図示せず）をウェハー１上に塗布形成した後、このレ
ジストを所定のフォトマスクを用いて露光する。ここ
で、このレジストとしては、例えば、第１の実施形態と
同様なものを用いる。

【００５５】次に、図４および図５に示す現像装置を用
いて、以下のようにしてレジストの現像を行う。すなわ
ち、現像を行うべき露光済みのレジスト（図示せず）が
形成されたウェハー１をウェハーチャック２に保持した
後、モーター４によりこのウェハーチャック２を例えば
１０００ｒｐｍの回転数で回転させる。次に、現像ノズ
ルアーム５によりその先端の現像ノズル６をウェハー１
の周辺部（図５中のａ点）に移動させ、そこでその現像
ノズル６からウェハー１上に上述のようにして脱気およ
び異物の除去が行われた現像液を吐出する。

【００５６】次に、現像液を吐出した状態で、現像ノズ
ル６を例えば１０ｃｍ／秒の速度でウェハー１の中心付
近（図５中のｂ点）を通ってウェハー１の反対側の周辺
部（図５中のｃ点）に移動させ始めると同時に、ウェハ
ー１の回転数を１０００ｒｐｍから例えば３０ｒｐｍに
落とす。このときの現像ノズル６の走査パターンは図１
１に示すようになる。以上のようにしてウェハー１の全
面に現像液を供給した後、現像ノズル６からの現像液の
吐出を停止するとともに、ウェハー１の回転を停止す
る。

【００５７】任意の時間経過後、第１の実施形態におけ
ると同様にして、リンスノズル７からウェハー１上に純
水を供給するとともに、ウェハー１を例えば１０００ｒ
ｐｍの回転数で回転させ、現像を停止する。次に、リン
スノズル７からの純水の供給を停止するとともに、ウェ
ハー１の回転数を例えば４０００ｒｐｍに上げてウェハ
ー１上の純水を振り切る。この後、ウェハー１の回転を
終了させる。以上により、レジストの現像工程が終了
し、目的とするレジストパターンが形成される。以上の
ようにしてレジストパターンを形成したところ、６イン
チのウェハー１当たりの現像欠陥は、従来２〜１５個程
度であったものが１個以下に減少した。また、現像の均
一性も、０．３５μｍ径のコンタクトホールに対して±
０．０２μｍが得られた。

【００５８】以上のように、この第５の実施形態によれ
ば、第１の実施形態と同様に、レジストに対する現像液
の接触角が５０度以下であり、また、現像液を脱気して
いることにより、レジストの表面へのマイクロバブルの
付着およびマイクロバブルの発生を有効に抑えることが
できる。さらに、現像時に現像ノズル６を図１１に示す
ようなパターンで走査していることにより、マイクロバ
ブルの発生をより一層有効に抑えることができる。これ
によって、現像欠陥を有効に抑えることができるととも
に、微細なレジストパターンを形成することができる。
次に、この発明の第６の実施形態によるレジストパター
ンの形成方法について説明する。この第６の実施形態に
おいては、図１３に示すようなパターンで現像ノズル６
を走査することにより現像を行うことが、第１の実施形
態と異なる。この第６の実施形態によるレジストパター
ンの形成方法においては、まず、レジスト（図示せず）
をウェハー１上に塗布形成した後、このレジストを所定
のフォトマスクを用いて露光する。ここで、このレジス
トとしては、例えば、第１の実施形態と同様なものを用
いる。

【００５９】次に、図４および図５に示す現像装置を用
いて、以下のようにしてレジストの現像を行う。すなわ
ち、現像を行うべき露光済みのレジスト（図示せず）が
形成されたウェハー１をウェハーチャック２に保持した
後、モーター４によりこのウェハーチャック２を例えば
１０００ｒｐｍの回転数で回転させる。次に、現像ノズ
ルアーム５によりその先端の現像ノズル６をウェハー１
の周辺部（図５中のａ点）に移動させ、そこでその現像
ノズル６からウェハー１上に上述のようにして脱気およ
び異物の除去が行われた現像液を吐出する。

【００６０】次に、現像液を吐出した状態で、現像ノズ
ル６を例えば１０ｃｍ／秒の速度でウェハー１の中心付
近（図５中のｂ点）を通ってウェハー１の反対側の周辺
部（図５中のｃ点）に移動させ始めると同時に、ウェハ
ー１の回転数を１０００ｒｐｍから例えば例えば６０ｒ
ｐｍに落とす。次に、現像液を吐出した状態で、現像ノ
ズル６を例えば７ｃｍ／秒の速度でウェハー１の中心付
近（図５中のｂ点）を通ってウェハー１の周辺部（図５
中のａ点）に再び移動させるとともに、ウェハー１の回
転数を６０ｒｐｍから例えば例えば３０ｒｐｍに落と
す。このときの現像ノズル６の走査パターンは図１３に
示すようになる。以上のようにしてウェハー１の全面に
現像液を供給した後、現像ノズル６からの現像液の吐出
を停止するとともに、ウェハー１の回転を停止する。

【００６１】任意の時間経過後、第１の実施形態におけ
ると同様にして、リンスノズル７からウェハー１上に純
水を供給するとともに、ウェハー１を例えば１０００ｒ
ｐｍの回転数で回転させ、現像を停止する。次に、リン
スノズル７からの純水の供給を停止するとともに、ウェ
ハー１の回転数を例えば４０００ｒｐｍに上げてウェハ
ー１上の純水を振り切る。この後、ウェハー１の回転を
停止する。以上により、レジストの現像工程が終了し、
目的とするレジストパターンが形成される。

【００６２】以上のようにしてレジストパターンを形成
したところ、６インチのウェハー１当たりの現像欠陥
は、従来２〜１５個程度であったものが１個以下に減少
した。また、現像の均一性も、０．３５μｍ径のコンタ
クトホールに対して±０．０２μｍが得られた。以上の
ように、この第６の実施形態によれば、第１の実施形態
と同様に、レジストに対する現像液の接触角が５０度以
下であり、また、現像液を脱気していることにより、レ
ジストの表面へのマイクロバブルの付着およびマイクロ
バブルの発生を有効に抑えることができる。さらに、現
像時に現像ノズル６を図１３に示すようなパターンで走
査していることにより、マイクロバブルの発生をより一
層有効に抑えることができる。これによって、現像欠陥
を有効に抑えることができるとともに、微細なレジスト
パターンを形成することができる。

【００６３】次に、この発明の第７の実施形態によるレ
ジストパターンの形成方法について説明する。この第７
の実施形態においては、図１５に示すようなパターンで
現像ノズル６を走査することにより現像を行うことが、
第１の実施形態と異なる。この第７の実施形態によるレ
ジストパターンの形成方法においては、まず、レジスト
（図示せず）をウェハー１上に塗布形成した後、このレ
ジストを所定のフォトマスクを用いて露光する。ここ
で、このレジストとしては、例えば、第１の実施形態と
同様なものを用いる。

【００６４】次に、図４および図５に示す現像装置を用
いて、以下のようにしてレジストの現像を行う。すなわ
ち、現像を行うべき露光済みのレジスト（図示せず）が
形成されたウェハー１をウェハーチャック２に保持した
後、モーター４によりこのウェハーチャック２を例えば
１０００ｒｐｍの回転数で回転させる。次に、現像ノズ
ルアーム５によりその先端の現像ノズル６をウェハー１
の周辺付近（図５中のａ点）に移動させ、そこでその現
像ノズル６からウェハー１上に現像液を吐出する。

【００６５】次に、現像液を吐出した状態で、現像ノズ
ル６を例えば１０ｃｍ／秒の速度でウェハー１の中心付
近（図５中のｂ点）を通ってウェハー１の反対側の周辺
部（図５中のｃ点）に移動させ始めると同時に、ウェハ
ー１の回転数を１０００ｒｐｍから例えば例えば６０ｒ
ｐｍに落とす。次に、現像液を吐出した状態で、現像ノ
ズル６を例えば７ｃｍ／秒の速度でウェハー１の周辺部
（図５中のａ点）に再び移動させるとともに、ウェハー
１の回転数を６０ｒｐｍから例えば例えば３０ｒｐｍに
落とす。

【００６６】以上のようにして、現像液を吐出した状態
で現像ノズル６をウェハー１の一周辺部（図５中のａ
点）と反対側の周辺部（図５中のｃ点）との間で３往復
させる。このときの現像ノズル６の走査パターンは図１
５に示すようになる。以上のようにしてウェハー１の全
面に現像液を供給した後、現像ノズル６からの現像液の
吐出を停止するとともに、ウェハー１の回転を停止す
る。

【００６７】任意の時間経過後、第１の実施形態におけ
ると同様にして、リンスノズル７からウェハー１上に純
水を供給するとともに、ウェハー１を例えば１０００ｒ
ｐｍの回転数で回転させ、現像を停止する。次に、リン
スノズル７からの純水の供給を停止するとともに、ウェ
ハー１の回転数を例えば４０００ｒｐｍに上げてウェハ
ー１上の純水を振り切る。この後、ウェハー１の回転を
停止する。以上により、レジストの現像工程が終了し、
目的とするレジストパターンが形成される。

【００６８】以上のようにしてレジストパターンを形成
したところ、６インチのウェハー１当たりの現像欠陥
は、従来２〜１５個程度であったものが１個以下に減少
した。また、現像の均一性も、０．３５μｍ径のコンタ
クトホールに対して±０．０２μｍが得られた。以上の
ように、この第７の実施形態によれば、第１の実施形態
と同様に、レジストに対する現像液の接触角が５０度以
下であり、また、現像液を脱気していることにより、レ
ジストの表面へのマイクロバブルの付着およびマイクロ
バブルの発生を有効に抑えることができる。さらに、現
像時に現像ノズル６を図１５に示すようなパターンで走
査していることにより、マイクロバブルの発生をより一
層有効に抑えることができる。これによって、現像欠陥
を有効に抑えることができるとともに、微細なレジスト
パターンを形成することができる。

【００６９】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。例えば、上述の実施形態において挙
げた数値はあくまでも例に過ぎず、これと異なる数値を
用いてもよい。また、上述の実施形態において用いられ
た図４および図５に示す現像装置においては、現像液吐
出用の穴が５個設けられた現像ノズル６を用いている
が、この現像液吐出用の穴の個数は５個以外の個数であ
ってもよく、場合によっては１個だけでもよい。さら
に、場合によっては、上述の実施形態において、走査開
始時、走査中または走査終了時に現像ノズル６がウェハ
ー１から外れた位置にくるようにしてもよい。

【００７０】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によるレ
ジストパターンの形成方法によれば、レジストに対する
現像液の接触角が５０度以下であることにより、現像時
にレジストの表面にマイクロバブルが付着するのを有効
に抑えることができる。これによって、微細なレジスト
パターンを精度よく形成することができ、かつ、現像欠
陥を有効に抑えることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】レジストに対する現像液の接触角が大きいとき
にマイクロバブルが発生する問題を説明するための断面
図である。

【図２】レジストに対する現像液の接触角が小さいとき
にマイクロバブルの発生が防止されるメカニズムを説明
するための断面図である。

【図３】６インチのウェハー当たりの現像欠陥数および
現像欠陥面積の、レジストに対する現像液の接触角に対
する依存性を測定した結果を示す略線図である。

【図４】この発明の実施形態において用いられる現像装
置の概略構成を示す平面図である。

【図５】この発明の実施形態において用いられる現像装
置の概略構成を示す断面図である。

【図６】この発明の実施形態においてレジスト現像に用
いられる現像ノズルの走査パターンの一例を示す略線図
である。

【図７】この発明の実施形態においてレジスト現像に用
いられる現像ノズルの走査パターンの一例を示す略線図
である。

【図８】この発明の実施形態においてレジスト現像に用
いられる現像ノズルの走査パターンの一例を示す略線図
である。

【図９】この発明の実施形態においてレジスト現像に用
いられる現像ノズルの走査パターンの一例を示す略線図
である。

【図１０】この発明の実施形態においてレジスト現像に
用いられる現像ノズルの走査パターンの一例を示す略線
図である。

【図１１】この発明の実施形態においてレジスト現像に
用いられる現像ノズルの走査パターンの一例を示す略線
図である。

【図１２】この発明の実施形態においてレジスト現像に
用いられる現像ノズルの走査パターンの一例を示す略線
図である。

【図１３】この発明の実施形態においてレジスト現像に
用いられる現像ノズルの走査パターンの一例を示す略線
図である。

【図１４】この発明の実施形態においてレジスト現像に
用いられる現像ノズルの走査パターンの一例を示す略線
図である。

【図１５】この発明の実施形態においてレジスト現像に
用いられる現像ノズルの走査パターンの一例を示す略線
図である。

【図１６】図６に示すパターンで現像ノズルをウェハー
上で走査する場合において現像ノズルの中心がウェハー
上で描く軌跡の一例を示す略線図である。

【図１７】図６に示すパターンで現像ノズルをウェハー
上で走査する場合において現像ノズルからの現像液の吐
出開始時におけるウェハーの回転数と現像により得られ
るレジストの線幅均一性との関係を示す略線図である。

【図１８】図６に示すパターンで現像ノズルをウェハー
上で走査する場合において現像ノズルの移動速度と現像
により得られるレジストの線幅均一性との関係を示す略
線図である。

【図１９】従来のレジスト現像方法の一例を説明するた
めの平面図である。

【図２０】従来のレジスト現像方法の一例を説明するた
めの側面図である。

【図２１】従来のレジスト現像方法の一例を説明するた
めの拡大底面図である。

【図２２】従来のレジスト現像方法の他の例を説明する
ための平面図である。

【図２３】従来のレジスト現像方法の他の例を説明する
ための側面図である。

【図２４】従来のレジスト現像方法によりレジストの現
像を行った場合に発生する現像欠陥を説明するための断
面図である。

【符号の説明】

１・・・ウェハー、２・・・ウェハーチャック、３・・
・現像カップ、４・・・モーター、５・・・現像ノズル
アーム、６・・・現像ノズル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 善亨 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上にレジストを形成し、上記レジス
   トを現像した後、上記レジストが形成された上記基板上
   に現像液供給用ノズルから現像液を吐出して上記レジス
   トの現像を行うことによりレジストパターンを形成する
   ようにしたレジストパターンの形成方法において、 上記レジストに対する上記現像液の接触角が５０度以下
   であることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
2. 【請求項２】 上記レジストに対する上記現像液の接触
   角が４７度以下であることを特徴とする請求項１記載の
   レジストパターンの形成方法。
3. 【請求項３】 上記レジストは上記レジストの表面の疎
   水性を低くする作用を有する界面活性剤を含むことを特
   徴とする請求項１記載のレジストパターンの形成方法。
4. 【請求項４】 上記レジストは−ＯＨ基を有する界面活
   性剤を含むことを特徴とする請求項１記載のレジストパ
   ターンの形成方法。