JPH08330211A - フォトレジスト現像装置、およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造装置、ならびに現像処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 現像液の液盛り時に基板外への液こぼれ防止
による現像液の使用量を低減し、さらに現像液の供給時
間差による基板上に形成されるレジストパターン寸法の
面内精度の悪化が防止できるフォトレジスト現像技術を
提供する。 【構成】 半導体ウェハ上のフォトレジストにパターン
を露光した後に現像を行う現像装置であって、この現像
装置の現像処理部１において、回転されるスピンチャッ
ク３に真空吸着されたウェハ６の上部には、ウェハ６を
保持した状態で、その上に微小の隙間を開けて配置さ
れ、ウェハ６の直径方向をカバーする長円形のリング状
ガイド７が設けられ、さらにその上方に現像液８を供給
する吐出ノズル９が配置されており、現像処理の際に、
リング状ガイド７の中に吐出ノズル９から現像液８が供
給され、その後ウェハ６またはリング状ガイド７を移動
または回転させてウェハ６の全面に現像液８を広げて液
盛りが行われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の製造
工程などで使用されるフォトリソグラフィ技術に関し、
特に半導体ウェハなどの基板に塗布されたフォトレジス
トの現像処理に好適なフォトレジスト現像装置、および
それを用いた半導体集積回路装置の製造装置、ならびに
現像処理方法に適用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、発明者が検討した技術とし
て、半導体集積回路の製造工程で使用されるフォトレジ
スト塗布・現像装置においては、半導体集積回路の高集
積化が進むにつれてパターンの微細化やウェハの大口径
化などが求められてきており、このフォトレジスト塗布
・現像装置については株式会社プレスジャーナル、平成
３年１１月１日発行の「’９２最新半導体プロセス技
術」Ｐ１７２〜Ｐ１７５に記載されている装置などがあ
る。

【０００３】このようなフォトレジスト塗布・現像装置
による現像処理においては、たとえば回転されるスピン
チャックにウェハが真空吸着され、この真空吸着された
ウェハを回転させながら吐出ノズルから現像液を吐出
し、ウェハ上へ表面張力を利用して液盛りを行い、この
ウェハの全面に現像液が液盛りされた状態で、任意の現
像処理時間だけウェハを静止して放置することによって
現像処理が行われる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
な現像処理技術においては、以下のような問題点が考え
られる。

【０００５】(1).ウェハを回転させながら現像液を供給
して表面張力で液盛りを行うため、適正量の液盛りを行
う間にウェハ外への液こぼれが起こり、現像液として最
低必要量以上の液量が必要となる。

【０００６】(2).大口径のウェハの場合、ウェハ上に現
像液が供給され終わるまでに時間がかかるため、ウェハ
面内における現像液の供給時間に差が生じ、この時間差
によるウェハに形成されるレジストパターン寸法の面内
精度の悪化が問題となる。

【０００７】(3).面内精度の悪化を防止するため、現像
液を大流量で供給しようとすると、さらにウェハ外への
液こぼれが増加するとともに、液流による気泡巻き込み
と、その気泡による現像残り不良が発生する。

【０００８】そこで、本発明の目的は、現像液の液盛り
時に基板外への液こぼれ防止による現像液の使用量を低
減し、さらに現像液の供給時間の差による基板上に形成
されるレジストパターン寸法の面内精度の悪化を防止す
ることができるフォトレジスト現像装置、およびそれを
用いた半導体集積回路装置の製造装置、ならびに現像処
理方法を提供することにある。

【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１１】すなわち、本発明のフォトレジスト現像装
置は、基板上にフォトレジストを塗布し、このフォトレ
ジストにパターンを露光した後に現像液を用いて基板の
現像を行う現像装置に適用されるものであり、前記基板
の上部に微小な隙間を隔てて設置され、かつ前記現像液
を前記基板上へ供給する際にこの現像液が内側に供給さ
れる環状部材を設けるものである。

【００１２】この場合に、前記環状部材の形状を、基板
の形状に応じて直径方向または一辺を内側に囲むような
長円形とし、さらに前記長円形による環状部材の形状
を、十文字あるいはそれ以上の交差線状に形成するよう
にしたり、または環状部材の形状を基板と同一寸法およ
び同一形状とするようにしたものである。

【００１３】さらに、前記環状部材の底面に現像液に耐
性のある材質のメンブレン膜または細メッシュ布などを
張り付けたり、または前記環状部材の内側に現像液を供
給するノズルの先端形状を、設置された基板に対して水
平方向に、かつ環状部材の内壁に対して垂直方向に現像
液が吐出可能な形状とするようにしたものである。

【００１４】また、本発明の半導体集積回路装置の製造
装置は、前記基板を半導体ウェハとし、この半導体ウェ
ハ上のフォトレジストにパターンを露光した後に現像液
を用いて現像を行い、以降の半導体集積回路の製造工程
を経て半導体集積回路装置を形成するものである。

【００１５】さらに、本発明の現像処理方法は、前記現
像液を基板上へ供給する際に、基板の上部に微小な隙間
を隔てて設置される環状部材の内側に現像液を供給し、
その後基板を回転させてこの基板の全面に現像液を広
げ、この現像液による液盛りを行って現像を行うもので
ある。

【００１６】この場合に、前記基板を角型とし、この角
型基板の一辺を内側に囲むような環状部材の内側に現像
液を供給しながら、環状部材または基板を横方向に移動
させてこの基板の全面に現像液を広げ、この現像液の液
盛りを行って現像を行うようにしたものである。

【００１７】

【作用】前記したフォトレジスト現像装置、およびそれ
を用いた半導体集積回路装置の製造装置、ならびに現像
処理方法によれば、基板の上部に現像液を供給する環状
部材、たとえば長円形の環状部材が設けられることによ
り、この環状部材の内側に現像液を供給し、その後基板
を回転させてこの基板の全面に現像液を広げ、この現像
液による液盛りを行って現像を行うことができ、このと
きに環状部材によって供給された現像液の基板外部への
こぼれをなくし、基板全面に液盛りを行うための現像液
の使用量を少なくすることができる。

【００１８】また、環状部材の内側へ現像液が供給でき
るために、現像液を基板上に素早く広げて基板面内にお
ける現像液の供給時間の差を小さくして、この時間差に
よる基板に形成されるレジストパターン寸法の面内精度
の悪化を防止することができる。

【００１９】さらに、現像液を供給する場合に環状部材
によって液こぼれが防止されているため、大口径ノズル
により大流量を低流速で供給することができ、フォトレ
ジストに対する衝撃によるダメージ、すなわち現像液が
直接当たることによるフォトレジストの溶け方の強さが
要因となるダメージや、供給液流による気泡の巻き込み
発生を防止して、現像残り不良を抑制することができ
る。

【００２０】この場合に、長円形による環状部材の形状
が交差線状に形成されたり、環状部材の形状が基板と同
一寸法および同一形状とされることにより、より一層、
現像液を基板全面に素早く広げることができ、また基板
外部への液こぼれを防止することができる。

【００２１】さらに、環状部材の底面にメンブレン膜ま
たは細メッシュ布などが張り付けられたり、または現像
液を供給するノズルの先端形状が工夫されることによ
り、より一層、現像液がフォトレジストに当たるときの
ダメージを低減し、またレジストパターン寸法の面内精
度の悪化を防止することができる。

【００２２】これにより、基板、特に半導体ウェハ上の
フォトレジストにパターンを露光した後に現像を行う場
合などにおいて、半導体ウェハ外への液こぼれ防止によ
る現像液の使用量を低減するとともに、半導体ウェハ上
に形成されるレジストパターン寸法の面内精度の悪化を
防止することができる。

【００２３】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。

【００２４】（実施例１）図１は本発明の実施例１であ
るフォトレジスト現像装置の処理部を示す概略断面図、
図２(a),(b) は本実施例のフォトレジスト現像装置の処
理部におけるウェハ周辺を示す平面図および断面図であ
る。

【００２５】まず、図１により本実施例のフォトレジス
ト現像装置の処理部の構成を説明する。

【００２６】本実施例のフォトレジスト現像装置は、た
とえば半導体ウェハ上にフォトレジストを塗布し、この
フォトレジストにパターンを露光した後に現像液を用い
て半導体ウェハの現像を行う現像装置とされ、この現像
装置の現像処理部１は、略有底円筒形の現像カップ２
と、半導体ウェハを水平回転可能に保持するためのスピ
ンチャック３などから構成されている。

【００２７】このスピンチャック３は、回転軸４を介し
てモータ５が連結されている。またスピンチャック３お
よび回転軸４の内部には、一端がスピンチャック３の上
面に開口する連通管（図示せず）が設けられ、この連通
管を通じて図示しない真空ポンプによりウェハ６（基
板）がスピンチャック３に真空吸着されるようになって
いる。

【００２８】このスピンチャック３に真空吸着されたウ
ェハ６の上部には、図２に詳細に示すように、ウェハ６
を保持した状態で、その上に微小の隙間を開けて配置さ
れ、ウェハ６の直径方向を内側に囲むようにカバーする
長円形のリング状ガイド７（環状部材）が設けられ、さ
らにその上方にウェハ６上を移動可能とされ、リング状
ガイド７の中に現像液８を供給する吐出ノズル９が配置
されている。

【００２９】このリング状ガイド７と吐出ノズル９は、
現像液８の供給中以外は、ウェハ６の外部に待機できる
ようになっており、ウェハ６のスピンチャック３からの
出し入れが可能となっている。また、吐出ノズル９に
は、図示しない現像液配管が接続されており、ウェハ６
上に設置したリング状ガイド７の中を現像液８を吐出し
ながら移動可能な図示しない機構が設けられている。

【００３０】また、前記現像カップ２の底部には、排気
口１０と排液口１１が設けられており、図示しない排気
ポンプにより排気口１０を通じて現像処理部１の排気が
行われるとともに、現像処理後の現像液８が排液口１１
を通じて外部に排出されるようになっている。

【００３１】次に、本実施例の作用について、実際に上
記のように構成される現像処理部１を備えたフォトレジ
スト現像装置を用いて、ウェハ６を現像する場合の処理
手順を説明する。

【００３２】まず、スピンチャック３にウェハ６を載せ
て吸着保持する。その後、リング状ガイド７をウェハ６
の上に移動させ、微小の間隔、例えば0.１〜0.５mm程度
の間隔を開けて設置する。次に、現像液８の吐出ノズル
９をリング状ガイド７内へ移動させ、このリング状ガイ
ド７内を移動させながら現像液８を吐出し、リング状ガ
イド７の中に現像液８を瞬時に満たす。

【００３３】これと同時に、ウェハ６を回転させて、ウ
ェハ６とリング状ガイド７の隙間から現像液８をしみ出
させながらウェハ６の全面に現像液８の液盛りを行う。
液盛り終了後、リング状ガイド７および吐出ノズル９
は、ウェハ６の外部の待機位置に戻って、このウェハ６
の現像処理が終わって次のウェハ６が入ってくるまで待
機する。

【００３４】ここで、ウェハ６の全面に現像液８が液盛
りされた状態で、任意の現像処理時間だけウェハ６を静
止状態で放置してウェハ６の現像処理を行う。この時リ
ング状ガイド７および吐出ノズル９に付着した現像液８
を純水を用いて洗浄および乾燥を行ってもよい。

【００３５】このリンス処理については、現像液８の吐
出ノズル９と同様の図示しないリンス液吐出ノズルをウ
ェハ６のセンタに移動し、ウェハ６を再び回転させなが
ら純水を吐出させて行う。任意の時間だけリンス処理を
行った後に純水吐出を停止し、ウェハ６を高速回転させ
てスピン乾燥を行う。

【００３６】これにより、１枚のウェハ６に対して一連
のフォトレジスト現像処理が完了し、次に入ってくるウ
ェハ６についても順次繰り返すことにより、全てのウェ
ハ６のフォトレジスト現像処理が終了する。

【００３７】従って、本実施例のフォトレジスト現像装
置によれば、ウェハ６の上部に微小の間隔を開けて配置
され、ウェハ６の直径方向を内側に囲むようにカバーす
る長円形のリング状ガイド７が設けられることにより、
このリング状ガイド７によって供給した現像液８のウェ
ハ６の外部へのこぼれをなくし、ウェハ６の全面に液盛
りを行うための現像液８の使用量を少なくすることがで
きる。

【００３８】また、リング状ガイド７内へ素早く現像液
８を供給し、広げることができるので、ウェハ６面内に
おける現像液８の供給時間の差によるウェハ６に形成さ
れるレジストパターン寸法の面内精度の悪化も防止でき
る。

【００３９】また、このリング状ガイド７内への現像液
８の供給は液こぼれが防止されているため、たとえば大
口径ノズルにより大流量を低流速で供給して、現像液８
が直接当たることに起因する溶け方などのフォトレジス
トに対する衝撃によるダメージや、供給液流が気泡を巻
き込み発生する現像残り不良を抑制することができる。

【００４０】（実施例２）図３は本発明の実施例２であ
るフォトレジスト現像装置の処理部におけるウェハ周辺
を示す平面図である。

【００４１】本実施例のフォトレジスト現像装置は、実
施例１と同様に半導体ウェハ上にフォトレジストを塗布
し、このフォトレジストにパターンを露光した後に現像
液を用いて半導体ウェハの現像を行う現像装置とされ、
この現像処理部１ａの実施例１との相違点は、ウェハ６
の上部に設置されるリング状ガイド７ａ（環状部材）の
形状を十文字、あるいはそれ以上のウェハ６の直径方向
をカバーする交差線状に構成する点である。

【００４２】すなわち、本実施例においては、たとえば
図３に示すように、リング状ガイド７ａが長円形を十文
字状に交差させて形成されている。また、この交差線の
本数に合わせて現像液８の吐出ノズル９ａの本数も２本
に増やして、各交差線毎に吐出ノズル９ａを移動させて
現像液８が吐出されるようになっている。

【００４３】従って、本実施例のフォトレジスト現像液
装置によれば、十文字状に交差されたリング状ガイド７
ａと、この交差線の本数に合わせた２本の吐出ノズル９
ａを設けることにより、前記実施例１に比べて、リング
状ガイド７ａ内に素早く現像液８を供給できるととも
に、その後のウェハ６の全面に現像液８を広げる際に、
ウェハ６をその交差線の間隔の角度、たとえば十文字の
場合は４５゜だけ回転させればよいため、現像液８を素
早く広げることができる。

【００４４】なお、十文字以上の交差線状にリング状ガ
イド７ａを構成する場合には、より一層、ウェハ６の回
転角度を小さくすることができるので、現像液８をウェ
ハ６の全面に素早く広げることができる。

【００４５】（実施例３）図４は本発明の実施例３であ
るフォトレジスト現像装置の処理部におけるウェハ周辺
を示す平面図である。

【００４６】本実施例のフォトレジスト現像装置は、前
記実施例１および２と同様に半導体ウェハ上にフォトレ
ジストを塗布し、このフォトレジストにパターンを露光
した後に現像液を用いて半導体ウェハの現像を行う現像
装置とされ、この現像処理部１ｂの前記実施例１および
２との相違点は、ウェハ６の上部に設置されるリング状
ガイド７ｂ（環状部材）の形状をウェハ６と同サイズ、
同形状とする点である。

【００４７】すなわち、本実施例においては、たとえば
図４に示すように、リング状ガイド７ｂがウェハ６の外
周縁に沿った形状に形成されている。このリング状ガイ
ド７ｂを用いて処理を行う場合、吐出ノズル９ｂを中央
固定、またはリング状ガイド７ｂ内で移動させながら、
ウェハ６を前記実施例より速く回転させてからリング状
ガイド７ｂ内に現像液８を吐出し、そしてウェハ６の全
面に広がったところでウェハ６を低回転化または停止
し、さらに所定の液盛りの厚さまで現像液８を供給して
から吐出が停止されるようになっている。

【００４８】従って、本実施例のフォトレジスト現像装
置によれば、ウェハ６と同形状のリング状ガイド７ｂを
設けることにより、前記実施例１および２に比べて、初
期のウェハ６の回転時にさらに素早くウェハ６の全面に
現像液８を広げることができるとともに、ウェハ６の外
部へのこぼれを防止することができる。

【００４９】（実施例４）図５(a),(b) は本発明の実施
例４であるフォトレジスト現像装置の処理部におけるウ
ェハ周辺を示す平面図である。

【００５０】本実施例のフォトレジスト現像装置は、前
記実施例１〜３と異なり、この現像処理部１ｃはフォト
マスク用のガラス基板、液晶表示基板などの角型の基板
１２に液盛りを行うことを目的として、図５に示すよう
に、その基板１２の一辺をカバーする長円形のリング状
ガイド７ｃ（環状部材）が設置され、このリング状ガイ
ド７ｃに前記実施例と同様に吐出ノズル９ｃから現像液
８が供給される。

【００５１】そして、たとえば図５(a) のように、リン
グ状ガイド７ｃおよび吐出ノズル９ｃを移動させながら
基板１２の全体に現像液８を広げるか、あるいは図５
(b) のように、逆に基板１２の方を移動させながら基板
１２の全体に現像液８を広げるかの方法がとられ、この
いずれかの移動方法とともに所定の液盛りの厚さまで現
像液８が供給されるようになっている。

【００５２】従って、本実施例のフォトレジスト現像装
置によれば、フォトマスク用基板、液晶表示基板などの
角型の基板１２に対しても、前記実施例と同様に、現像
液８の基板１２の外部へのこぼれをなくして使用量を少
なくし、リング状ガイド７ｃ内へ現像液８を素早く広げ
て供給時間差によるレジストパターン寸法の面内精度の
悪化を防止し、さらに大流量を低流速で供給してフォト
レジストに対するダメージや気泡の巻き込み発生による
現像残り不良が抑制できるという効果を得ることができ
る。

【００５３】（実施例５）図６(a),(b) は本発明の実施
例５であるフォトレジスト現像装置の処理部におけるウ
ェハ周辺を示す平面図および断面図である。

【００５４】本実施例のフォトレジスト現像装置におい
て、この現像処理部１ｄの前記実施例との相違点は、リ
ング状ガイド７ｄの底面にメンブレン膜または細メッシ
ュ布１３などを張り付ける点である。すなわち、図６に
示すように、リング状ガイド７ｄの底面に現像液８に対
して耐性のある材質、たとえばテフロンなどのメンブレ
ン膜または細メッシュ布１３などが張り付けられてい
る。

【００５５】そして、メンブレン膜または細メッシュ布
１３などが張り付けられているリング状ガイド７ｄの中
に、前記実施例と同様に吐出ノズル９ｄを用いて現像液
８が供給され、このメンブレン膜または細メッシュ布１
３から現像液８を滲み出させながらウェハ６を回転させ
て液盛りが行われるようになっている。

【００５６】従って、本実施例のフォトレジスト現像装
置によれば、現像液８を直接ウェハ６に供給しないた
め、現像液８が吐出されてウェハ６上のフォトレジスト
に当たるときの衝撃によるダメージを少なくすることが
でき、また供給時に発生した気泡は、リング状ガイド７
ｄ内に現像液８が溜まった状態で上部に上がり、底部に
張られたメンブレン膜または細メッシュ布１３からは出
難くなっているために、これらのダメージおよび気泡が
原因となる現像残り不良を抑制することができる。な
お、本実施例の構成は、ウェハ６に限らずフォトマスク
用基板、液晶表示基板などの角型基板についても適用可
能である。

【００５７】（実施例６）図７(a),(b) は本発明の実施
例６であるフォトレジスト現像装置の処理部におけるウ
ェハ周辺を示す平面図および断面図である。

【００５８】本実施例のフォトレジスト現像装置におい
て、この現像処理部１ｅの前記実施例との相違点は、リ
ング状ガイド７ｅ内に現像液８を供給する吐出ノズル９
ｅの先端を現像液８の吐出方向を考慮して工夫している
点である。すなわち、図７に示すように、吐出ノズル９
ｅの先端形状が、真空吸着されているウェハ６に対して
水平方向に、かつリング状ガイド７ｅの内壁に対して垂
直方向に現像液８が吐出できるような形状に形成されて
いる。

【００５９】そして、現像液８を供給する際には、リン
グ状ガイド７ｅ内に直接供給するのではなく、一度この
リング状ガイド７ｅの内壁に現像液８を当てて、それか
ら現像液８がリング状ガイド７ｅ内に供給されるように
なっている。

【００６０】従って、本実施例のフォトレジスト現像装
置によれば、現像液８を直接ウェハ６に供給しないた
め、現像液８が吐出されてウェハ６の上のフォトレジス
トに当たるときの衝撃によるダメージを少なくすること
ができ、ひいては現像液８の流量を増やすことができ、
短時間に現像液８を供給してレジストパターン寸法の面
内精度の悪化も防止することができる。なお、本実施例
においても、フォトマスク用基板、液晶表示基板などの
角型基板についても適用可能である。

【００６１】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例１〜６に基づき具体的に説明したが、本発明は前記
実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００６２】たとえば、本実施例のフォトレジスト現像
装置については、ウェハを回転させて現像液を広げる場
合について説明したが、本発明は前記実施例に限定され
るものではなく、リング状ガイドを回転させて現像液を
広げる場合についても適用可能である。

【００６３】また、前記実施例の特徴となるリング状ガ
イドは、ウェハの直径方向の全てを覆う場合に限られる
ものではなく、たとえばウェハの半径方向を覆う形状と
して、ウェハを１回転以上させて現像液を全面に広げて
もよい。また、角型基板の場合にも一辺を覆う場合に限
られず、種々の変形が可能である。

【００６４】さらに、前記実施例におけるリング状ガイ
ドの形状についても、長円形、交差線状、基板形状に限
定されるものではなく、たとえば長円形に変えて長方形
としたり、種々の変形が可能であることはいうまでもな
い。

【００６５】以上の説明では、主として本発明者によっ
てなされた発明をその利用分野である半導体製造におけ
るフォトレジストの現像処理に適用した場合について説
明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、前
記実施例４などのように半導体製造におけるウェハの洗
浄およびウェットエッチングや、半導体ウェハ以外の液
晶表示基板や半導体集積回路のパターン感光に用いるマ
スク用基板の製造などについても広く適用可能である。

【００６６】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００６７】(1).基板の上部に微小な隙間を隔てて設置
され、かつ現像液を基板上へ供給する際にこの現像液が
内側に供給される環状部材が設けられることにより、た
とえば長円形の環状部材の設置によって供給された現像
液の基板外部へのこぼれをなくすことができるので、基
板全面に液盛りを行うための現像液の使用量を低減する
ことが可能となる。

【００６８】(2).環状部材の内側へ現像液が供給できる
ために、現像液を基板上に素早く広げて基板面内におけ
る現像液の供給時間差を小さくすることができるので、
この時間差による基板に形成されるフォトレジストパタ
ーン寸法の面内精度の悪化を防止することが可能とな
る。

【００６９】(3).環状部材によって現像液を供給する場
合の液こぼれが防止されるために、大流量を低流速で供
給することができ、レジストに対する衝撃によるダメー
ジや供給液流による気泡の巻き込み発生を防止して、現
像残り不良を抑制することが可能となる。

【００７０】(4).環状部材が十文字あるいはそれ以上の
交差線状に形成されたり、または基板と同一寸法および
同一形状で形成される場合には、より一層、現像液を基
板全面に素早く広げることができ、また基板外部への液
こぼれを防止することが可能となる。

【００７１】(5).環状部材の底面にメンブレン膜または
細メッシュ布などが張り付けられたり、または現像液を
供給するノズルの先端形状が設置された基板に対して水
平方向に、かつ環状部材の内壁に対して垂直方向に現像
液が吐出可能な形状とされる場合には、より一層、現像
液がフォトレジストに当たるときのダメージを低減し、
またレジストパターン寸法の面内精度の悪化を防止する
ことが可能となる。

【００７２】(6).半導体ウェハ、さらにマスク用基板、
さらに液晶表示基板などのフォトレジスト現像処理にお
いて、現像液の液盛り時に基板外への液こぼれ防止によ
る現像液の使用量を低減し、かつ現像液の供給時間差に
よる基板上に形成されるレジストパターン寸法の面内精
度の悪化を防止することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１であるフォトレジスト現像装
置の処理部を示す概略断面図である。

【図２】(a),(b) は実施例１のフォトレジスト現像装置
の処理部におけるウェハ周辺を示す平面図および断面図
である。

【図３】本発明の実施例２であるフォトレジスト現像装
置の処理部におけるウェハ周辺を示す平面図である。

【図４】本発明の実施例３であるフォトレジスト現像装
置の処理部におけるウェハ周辺を示す平面図である。

【図５】(a),(b) は本発明の実施例４であるフォトレジ
スト現像装置の処理部におけるウェハ周辺を示す平面図
である。

【図６】(a),(b) は本発明の実施例５であるフォトレジ
スト現像装置の処理部におけるウェハ周辺を示す平面図
および断面図である。

【図７】(a),(b) は本発明の実施例６であるフォトレジ
スト現像装置の処理部におけるウェハ周辺を示す平面図
および断面図である。

【符号の説明】

１，１ａ〜１ｅ 現像処理部 ２ 現像カップ ３ スピンチャック ４ 回転軸 ５ モータ ６ ウェハ（基板） ７，７ａ〜７ｅ リング状ガイド（環状部材） ８ 現像液 ９，９ａ〜９ｅ 吐出ノズル １０ 排気口 １１ 排液口 １２ 基板 １３ メンブレン膜または細メッシュ布

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上にフォトレジストを塗布し、こ
   のフォトレジストにパターンを露光した後に現像液を用
   いて基板の現像を行う現像装置であって、前記基板の上
   部に微小な隙間を隔てて設置され、かつ前記現像液を前
   記基板上へ供給する際にこの現像液が内側に供給される
   環状部材が設けられ、前記環状部材の内側に現像液を供
   給し、前記基板を回転させてこの基板の全面に現像液を
   広げ、この現像液による液盛りを行って現像を行うこと
   を特徴とするフォトレジスト現像装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載のフォトレジスト現像装置
   であって、前記環状部材の形状が、前記基板の形状に応
   じて直径方向または一辺を内側に囲むような長円形であ
   ることを特徴とするフォトレジスト現像装置。
3. 【請求項３】 請求項２記載のフォトレジスト現像装置
   であって、前記長円形による環状部材の形状が、十文字
   あるいはそれ以上の交差線状に形成されることを特徴と
   するフォトレジスト現像装置。
4. 【請求項４】 請求項１記載のフォトレジスト現像装置
   であって、前記環状部材の形状が、前記基板と同一寸法
   および同一形状であることを特徴とするフォトレジスト
   現像装置。
5. 【請求項５】 請求項１、２、３または４記載のフォト
   レジスト現像装置であって、前記環状部材の底面に前記
   現像液に耐性のある材質のメンブレン膜または細メッシ
   ュ布などが張り付けられ、前記環状部材の内側に前記現
   像液を供給した際に、前記メンブレン膜または細メッシ
   ュ布などから滲み出させながら前記現像液の液盛りを行
   うことを特徴とするフォトレジスト現像装置。
6. 【請求項６】 請求項１、２、３、４または５記載のフ
   ォトレジスト現像装置であって、前記環状部材の内側に
   前記現像液を供給するノズルの先端形状が、設置された
   前記基板に対して水平方向に、かつ前記環状部材の内壁
   に対して垂直方向に前記現像液が吐出可能な形状とさ
   れ、前記環状部材の内壁に当てるようにしてこの環状部
   材の内側に前記現像液を供給することを特徴とするフォ
   トレジスト現像装置。
7. 【請求項７】 請求項１、２、３、４、５または６記載
   のフォトレジスト現像装置を用いた半導体集積回路装置
   の製造装置であって、前記基板を半導体ウェハとし、こ
   の半導体ウェハ上のフォトレジストにパターンを露光し
   た後に現像液を用いて現像を行い、以降の半導体集積回
   路の製造工程を経て半導体集積回路装置を形成すること
   を特徴とする半導体集積回路装置の製造装置。
8. 【請求項８】 基板上にフォトレジストを塗布し、この
   フォトレジストにパターンを露光した後に現像液を用い
   て基板の現像を行う処理方法であって、前記現像液を前
   記基板上へ供給する際に、前記基板の上部に微小な隙間
   を隔てて設置された環状部材の内側に現像液を供給し、
   その後前記基板を回転させてこの基板の全面に現像液を
   広げ、この現像液による液盛りを行って現像を行うこと
   を特徴とする現像処理方法。
9. 【請求項９】 請求項８記載の現像処理方法であって、
   前記基板を角型とし、この角型基板の一辺を内側に囲む
   ような環状部材の内側に前記現像液を供給しながら、前
   記環状部材または前記基板を横方向に移動させてこの基
   板の全面に現像液を広げ、この現像液の液盛りを行って
   現像を行うことを特徴とする現像処理方法。