JPS5898733A - 現像装置 - Google Patents

現像装置

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Publication number
JPS5898733A
JPS5898733A JP19782381A JP19782381A JPS5898733A JP S5898733 A JPS5898733 A JP S5898733A JP 19782381 A JP19782381 A JP 19782381A JP 19782381 A JP19782381 A JP 19782381A JP S5898733 A JPS5898733 A JP S5898733A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
resist
developing
nozzle
photomask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19782381A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Aoyanagi
孝 青柳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP19782381A priority Critical patent/JPS5898733A/ja
Publication of JPS5898733A publication Critical patent/JPS5898733A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はホトマスク等のパターン製造装置に係り、基低
上の選択露光を施されたレジスト層を現像処理するため
の現像装置の改良に関するものである。
一般に集積回路製造工程に用いられているホトマスクの
製造方法は、第１図の断面図に示すＬうにガラス等の透
明基＆１上に蒸着、スバ、タリング等の方法によシフロ
ム、酸゛化クロム等のメタル層２を形成したホトマスク
基板上に、ホトレジストあるいは電子線レジスト等を回
転塗布し、レジスト層３を形成する。これを選択的に露
光を行い。
現像処理を行った後このレジストをエツチングマスクと
して上記メタル層を選択的に除去し、さらに上記レジス
ト層３を除去する工程により製造が行われる。
一般に回転塗布法によるレジスト塗布は、前記ホトマス
ク基板上ンモン層上にレジストが塗布されるばかりでな
く、透明基低の裏面にもまわシ込みによりレジストが付
着する。一般にガラス基惧に付着したレジメｈ、は、ガ
ラス基板との密着が悪い為、工、チング中に剥離して工
、チンダ液中に浮遊するゴ建となり、工、チングの際マ
スクの欠陥として現われてくる為問題となっていた。又
、エツチング中に剥離されなかりた裏面レジストは、一
般に膜が厚く、近年行われているプラダｉによるレジス
ト剥離法に２いても、レジストを除去する為の時間が長
くなシ問題となっている。しかし。
従来の現像装置においては、現像液は表面のレジスト層
のみに当たる為、裏面のレジスト除去は不可能であった
。
迄 本発明は斯かる点に薄み成されたものであって、現像処
理と同時に不要な裏面のレジストを除去できる現像装置
を提供するものである。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明の現像装置の一実施例を示す概略図であ
る。現像装置のチャンバー９内に設置された真空チャ、
り５は七−ターによシ回転し、レジストを塗布し選択。
露光を行った基板４を水平に保持し、現像処理中所定の
回、転数で垂直な軸ま′わりに回転させる。レジスト層
の現像は、基板４０表面上方にあるノズル６から現像液
をスプレーする事により行われる。同時に基板４の裏面
に付着した不要レジスト７に向けて基板下方にあるノズ
ル８から現像液をスプレーする。所定の時間現像を行っ
た後、所定時間ノズル６及び８からリンス液のスプレー
を行う。その後基板４を高速回転して乾燥を行う事によ
シ現像処理が終了する。
漬液に可溶であり、レジストがネガ型である場合裏面の
レジストは露光を受けておらず１本発明の装置で容裏に
除去できる。
本実施例では現像及リンス液を同一ノズルからスプレー
を行っているが、それぞれ専用のノズルを用いる方法が
可能である事は言う壕でもない。
又、本発明はネガ型レジストの現像について述べてきた
が、ポジ型レジストであっても裏面の一様露光が可能で
ある場合には、本発明の装置が使用できる事は明白であ
る。又１本発明はホトマスクの現像を例にとつて述べて
きたが、半導体集積回路の製造工程におけるシリコン基
板上のレジストを現像する装置にも適応できる事は言う
までもない。
以上述べたように本発明による現像装置は、従来の現像
装置では困難であった基板裏面に付着している不要のレ
ジス）の除去が可能であり、レジスト剥離による一ｆ　
ｑ％に起因する欠陥を除去する事ができ、半導体工学な
ど微細なパターン形成を行う分野に大きく貢献するもの
である。
【図面の簡単な説明】
第１図はレジストを塗布したホトマスク基板の断面図、
第２図は本発明の実施例による現像装置の概略図である
。 １・・・・・・透明基板％２・・・・・・メタル看、３
・・印・レジスト層、４・・・・・・レジストを塗布し
選択露光された基板％５・・・・・・真空チャック、６
・・・・・・上方の現像液ノズル、７・・・・・・不要
レジスト、８・・印・下方の現像液ノズル、９・・・・
・・チャンバー。 第　１　閃 堵　２　閃

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 水平に保持した基板を垂直な軸まわりに回転させる機構
    と、該基板表面に上方から現像処理液をスプレーするノ
    ズルと、該基板裏面に下刃から現像処理液をスプレーす
    るノズルとを備えた事を特徴とする現像装置。
JP19782381A 1981-12-09 1981-12-09 現像装置 Pending JPS5898733A (ja)

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57182285A (en) * 1981-04-09 1982-11-10 Recognition Equipment Inc Ocr and barcode reader using two-dimensional sensor array
JPS57182284A (en) * 1981-04-09 1982-11-10 Recognition Equipment Inc Ocr and barcode reader
JPS63185029A (ja) * 1987-01-28 1988-07-30 Hitachi Ltd ウエハ処理装置
KR20030040983A (ko) * 2001-11-19 2003-05-23 한맥전자 (주) 인쇄 회로 기판용 노광기
US6582137B1 (en) * 1999-08-05 2003-06-24 Nec Electronics, Inc. Polyimide coating process with dilute TMAH and DI-water backrinse
JP2014103274A (ja) * 2012-11-20 2014-06-05 Shindengen Electric Mfg Co Ltd レジスト現像装置、レジスト現像方法及び半導体装置の製造方法
WO2016181791A1 (ja) * 2015-05-11 2016-11-17 富士フイルム株式会社 現像装置、現像方法、パターン形成装置およびパターン形成方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57182285A (en) * 1981-04-09 1982-11-10 Recognition Equipment Inc Ocr and barcode reader using two-dimensional sensor array
JPS57182284A (en) * 1981-04-09 1982-11-10 Recognition Equipment Inc Ocr and barcode reader
JPS63185029A (ja) * 1987-01-28 1988-07-30 Hitachi Ltd ウエハ処理装置
JPH0573245B2 (ja) * 1987-01-28 1993-10-14 Hitachi Ltd
US6582137B1 (en) * 1999-08-05 2003-06-24 Nec Electronics, Inc. Polyimide coating process with dilute TMAH and DI-water backrinse
KR20030040983A (ko) * 2001-11-19 2003-05-23 한맥전자 (주) 인쇄 회로 기판용 노광기
JP2014103274A (ja) * 2012-11-20 2014-06-05 Shindengen Electric Mfg Co Ltd レジスト現像装置、レジスト現像方法及び半導体装置の製造方法
WO2016181791A1 (ja) * 2015-05-11 2016-11-17 富士フイルム株式会社 現像装置、現像方法、パターン形成装置およびパターン形成方法

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