JP2561964B2 - ホトレジストを塗布した基体から望ましくない周辺部の材料（例えばエツジビーズ）を除去するための乳酸エチルとメチルエチルケトンとの特定混合物の使用 - Google Patents

ホトレジストを塗布した基体から望ましくない周辺部の材料（例えばエツジビーズ）を除去するための乳酸エチルとメチルエチルケトンとの特定混合物の使用

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JP2561964B2 JP1501642A JP50164289A JP2561964B2 JP 2561964 B2 JP2561964 B2 JP 2561964B2 JP 1501642 A JP1501642 A JP 1501642A JP 50164289 A JP50164289 A JP 50164289A JP 2561964 B2 JP2561964 B2 JP 2561964B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はホトレジストを塗布した基体から周辺部の望
ましくないホトレジスト材料（例えば、エッジビーズ）
を、この周辺材料を溶解する乳酸エチル（EL）とメチル
エチルケトン（MEK）との、特定の溶剤混合物により選
択的に除去する方法に関するものである。特に、本発明
はノボラック樹脂とナフトキノンジアジド増感剤とから
なるホトレジスト塗膜の、望ましくない周辺部材料をそ
の下のシリコン含有ウエハの周縁部から、この周辺材料
を溶剤し、後でこれを除去する乳酸エチルとメチルエチ
ルケトンとの特定の混合物をこの周辺塗膜材料と接触さ
せることにより、選択的に除去する方法に関するもので
ある。さらに、本発明は新規な商品として、この作用の
ために有用な乳酸エチルとメチルエチルケトンとの特定
の混合物にも関する。
マイクロ集積回路部品または「チップ」の生産に際し
て、ウエハまたは基体に感光性材料（一般にホトレジス
トと呼ばれる）を塗布し、ついでこの塗布済み基体をマ
スクまたはパターンを通して光源に対して像様露光する
のが通例である。光源に対し露光されたホトレジスト塗
膜の部分は化学的に変化して、塗膜の露光された部分か
または未露光部分のいずれかが現像液により選択的に除
去される。
このようにして得られる選択的に露光されそして現像
された基体は、エッチング、拡散、メッキ、その他のよ
うな各処理工程にさらに付されて、最終的には基体上に
多数の集積回路、すなわちチップを生成する、超小型回
路の層を与える。
回路構成分と導線の間のスペースが小さいため、ごみ
などの異物粒子の混入は注意深く防止される。例えば、
基体上のごみの粒子が１つであっても故障を生じ、基体
から製造されたチップ１個の損失となる。基体上の多数
のこのような異物は、それ故にウエハまたは基体からの
収率を著しく減少させる。
これらの好ましくない粒子の供給源の１つは、塗布さ
れた基体周辺部に存在する未利用の感光性塗膜であるこ
とが分った。
もっとも一般的操作においては、ホトレジスト塗布用
材料は静止しているかまたは回転している基体（例えば
シリコンウエハその他）の中心に液体状で通常付与さ
れ、ついで基体を所定の速度で回転させて、塗布溶液が
遠心力により表面上に流れるかまたは平均に拡がるよう
にする。余分の材料は基体の周辺から回収カップ中に取
り出す。これは基体またはウエハ表面の実質的に全面に
わたって、均一な厚さをもつ塗膜を得るためである。し
かしながら、少量の塗布液が基体の外縁上および裏面の
周辺部に流れ込む。そこで、このようなスピン塗布法で
は、塗布面と裏側面との両方のエッジ上に塗布用材料の
余分な蓄積をしばしば生じ、同様に基体の塗布面と裏面
との間の基体周辺上に塗布用材料の小さなビーズを形成
する。この望ましくない周辺材料はマイクロ集積回路部
品を作るためのリトグラフ方法においては利用されてい
ない。後の操作中での基体の取扱いにより塗布済み基体
周辺部の塗膜のはげ落ちまたは移動が生じ、この移動し
た粒子のいくつかは、塗布済み基体の残りの部分に散ら
ばり、結局欠陥を生じさせるものと推測される。
米国特許第4,113,492号（Sato他）；同第4,510,176号
（Cuthbert他）；同第4,518,678号（Allen）；および同
第4,685,975号（Kottman他）などは、すべてこの望まし
くない周辺塗膜材料を、この材料にこれを溶解すること
のできる溶剤と選択的に接触させることにより、選択的
に除去する特定の方法と装置とを教示している。この操
作は当該分野で一般に「エッジビーズ除去」として知ら
れており、この操作のために各種の溶剤が用いられてい
る。米国特許第4,113,492号の第６欄、第19〜46行に各
種の適当な溶剤が列挙されている。本発明以前、商業的
に好ましい溶剤はエチレングリコールモノエチルエーテ
ルアセテート（EGMEA）であった。しかしながら、この
特定の溶剤は毒性上の問題が若干ある。アセトンとメチ
ルエチルケトンのような、脂肪族ケトン類もこの目的の
ため単独で使用されたが、その揮発性と臭気のために不
都合と思われる。従って、当該分野では良好なエッジビ
ーズ除去用溶剤の必要性があった。本発明はこの要望を
解決するものである。
従って、本発明は （ａ）基体表面上にホトレジスト溶液をスピン塗布し、
これによりその表面の周辺部の望ましくないホトレジス
ト材料の付着物（例えばエッジビーズ）を除く、その表
面の実質的に全面に均一な皮膜を構成するホトレジスト
膜を付与し； （ｂ）前記の塗布済み基体の周辺部に乳酸エチルとメチ
ルエチルケトンとが、それぞれ約65:35〜約25:75の容積
比で存在する混合物からなる、溶剤混合物の充分量を接
触させ前記の均一な皮膜に不都合に作用することなく、
望ましくない付着物を選択的に溶解させ；そして （ｃ）塗布済み基体から前記の溶解した付着物を分離す
る、 各工程からなるホトレジストを塗布した基体の周辺部か
ら望ましくないホトレジスト材料を除去する方法に関す
る。
このように処理された塗布済み基体は、ついでソフト
ベーキング、露光および現像のような標準的リソグラフ
方法の慣用の工程に付される。
さらに、本発明はこのエッジビーズ除去法に有用な上
記の溶剤混合物自体にも関するものである。
本発明に適当な基体にはシリコン、アルミニウムまた
は重合体樹脂、シリコンダイオキサイド、ドープしたシ
リコンダイオキサイド、シリコン樹脂、ガリウムアルゼ
ナイド、シリコンナイトライド、タンタル、銅、ポリシ
リコン、セラミクスおよびアルミニウム／銅複合体など
が含まれる。好ましい基体には、マイクロプロセッサお
よびその他の微小集積回路部品の生産に用いられている
ような、熱成長シリコンオキサイド／シリコンウエハが
ある。アルミニウム／アルミニウムオキサイドウエハも
同様に使用することができる。基体はまた各種のポリマ
ー樹脂で、特にポリエステルおよびポリオレフィンのよ
うな透明なポリマーで、作られた多層材料からなってい
てもよい。
ホトレジスト材料を用いる塗布の前に、基体はこの技
術分野で知られた慣用の技術により、処理または清浄化
されるか、もしくはこの両方に付される。
基体上に塗膜として付与されるホトレジスト材料は任
意のホトレジスト溶液であってもよく、これは通常のス
ピン塗布法により付与され、そして前述の乳酸エチル／
メチルエチルケトン混合物中に可溶性のものである。好
ましいホトレジスト溶液はポジ型のホトレジストであ
り、これは適当な溶剤（例えば乳酸エチル）中に溶解し
たノボラック樹脂、好ましくはクレゾール異性体混合物
／ホルムアルデヒドノボラックおよびフェノール／ホル
ムアルデヒドノボラックと、ナフトキノンジアジド増感
剤とからなるものである。この形式の好ましいホトレジ
ストの１つは、オリン・ハント・スペシャリティ・プロ
ダクツ社製の「ウエイコート（WAYCOAT） 」HPR 504
で、これは乳酸エチル溶剤中のクレゾール異性体混合物
／ホルムアルデヒドノボラックとナフトキノンジアジド
増感剤とで作られている。
基体にホトレジスト溶液を付与するためには、任意の
慣用の塗布方法を使用することができる。塗布方法上の
パラメータ（例えばスピン速度、レジスト皮膜の厚さ、
その他など）は所望の最終用途に応じて変えることがで
きる。シリコンオキサイド／シリコンで作られた半導体
ウエハを含めて、塗布操作に際してウエハは真空チャッ
ク上に置き、ホトレジスト溶液がウエハの最上面の中央
に拡げられる間またはその後で高速で回転させる。
ホトレジスト皮膜が基体に付与された後、本発明の特
徴的なプロセスが開始される。これらの工程において、
基体の表面、すなわち塗布されたもののエッジと基体の
裏面、すなわち裏側のエッジとに隣り合わせたホトレジ
スト塗膜の周辺部は、基体のエッジ部に塗布されたホト
レジスト材料とともに、この望ましくない材料を溶解し
た後でこれをとり除くため溶剤混合物と接触させる。除
去する前のこの望ましくない材料は、米国特許第4,113,
492号（Sato他）の第１図に示されている。さらに特定
的に、慣用のスピン塗布工程ではまた基体の塗布された
部分、すなわち表面と基体の裏側、すなわち下端の面と
の間の周辺部上に、時には望ましくないエッジビーズが
形成される。これらのエッジビーズは米国特許第4,685,
975号（Kottman他）の第５図と第６図に示されている。
この溶剤の接触と材料の除去後の、望ましい一部塗布済
みの基体が米国特許第4,518,678号（Allen）の第３図に
よりもっともよく示されている。
前述のように、乳酸エチルとメチルエチルケトンと
が、それぞれ約65:35〜約25:75の容積比の混合物が使用
される。好ましい容積比は約60:40〜約40:60である。も
っとも好ましい両溶剤の容積比は50:50である。
この周辺塗膜材料に溶剤混合物を接触させる好ましい
方法は、米国特許第4,113,492号（Sato他）の第３、４
および５図に示されているように、基体裏側のエッジに
向けてノズルにより圧力溶液から溶剤混合物を付与する
方法である。溶剤混合物を約２〜約20秒間、好ましくは
約５〜15秒間拡散して、この間ウエハは塗膜の厚さとウ
エハの直径とに応じて所定の速度で回転させる。エッジ
ビーズを除去する溶剤混合物の所要量は個々の場合によ
り決まってくる（例えば、基体の種類および大きさ、ホ
トレジストの種類およびホトレジスト塗膜の厚さな
ど）。一般的に、約10ml〜約20mlの量を慣用のポジ型ホ
トレジストをもつ４インチ（10.2cm）シリコンウエハに
使用する。
塗膜除去の溶剤混合物の拡散中に使用する回転速度
は、溶剤混合物が基体のエッジ周辺とウエハの表面周辺
部とに移動するように予め決められる。速度がおそくな
ればなるほど、表面上の薬品の移動がさらに内側に向っ
て生じ、除去される塗膜のバンドが大きくなる。周辺塗
膜材料のバンドが大きくなって除去を行なうと、さらに
処理（例えば、リソグラフィーによる像形成と現像）す
るための基体上に残る有効な区域を当然さらに小さくす
ることになる。従って、除去される周辺バンドの所要の
サイズは、基体上の有効な表面区域を最大にするため
に、周辺部上に塗布された材料の不均一な区域を除去す
るために充分大きく、さらに最小限とすべきである（こ
うして塗布された面を通して、実質的に均一な厚さの塗
膜を残留させる）。多くの場合、約0.75mm〜約2.0mmの
周辺バンドを除去するのが望ましく、できるだけ小さな
バンドであるのがさらに好ましい。
この特定の溶剤混合物に用いる最適の拡散の速度は、
４インチ（10.2cm）のシリコンオキサイド／シリコンウ
エハについては約350RPM〜約700RPMの範囲、さらに好ま
しくは約450RPM〜約650RPMの範囲であると考えられる。
この拡散の後、ウエハはさらに高速度、例えば2000RP
M以上、さらに好ましくは約2500〜約3500RPMで回転させ
て遠心力によって所望の周辺区域中の溶解した塗膜を除
去する。この工程には２〜20秒またはこれ以上の回転時
間が用いられる。
このエッジビーズの除去作業の後、塗布済み基体は、
慣用のリソグラフ処理に付すことができる（例えば、基
体にホトレジスト塗膜を良好に接着させそして残留する
キャスト用溶剤を除くためのソフトベーキング処理；放
射線に対する塗布済み基体の像露光；塗膜中にパターン
を形成するための像露光された塗布済み基体の現像な
ど）。これらの引き続いて行なう各工程に対する特定の
プロセスパラメータは多くの要因に関連し、そして最良
のパラメータを選ぶのは当該分野の技術の範囲内のこと
である。
実験 １〜８ 表面上にドープされていない熱的に成長させた、6000
オングストロームのシリコンジオキサイド層をそれぞれ
有する、多数の直径４インチ（10.2cm）の酸化シリコン
ウエハを、これらの実験の基体として使用した。円形ウ
エハの各々は、平らなエッジを形成させるために湾曲し
たエッジを除いた部分を若干有している。この平らなエ
ッジ（この分野では「フラット」と呼ばれている）はウ
エハの円周でほぼ20〜30゜の弧をなしている。これらの
ウエハを、それぞれ過酸化水素／硫酸混合物を含む２つ
の浴中でまず清浄化し（各浴中で５分間）、次いで２重
カスケード脱イオン水洗浄装置で洗浄し、そして４イン
チウエハ用に調整したセミツールST−2700型リンサー／
ドライヤー中でスピン乾燥した。次いで、これらの清浄
化したウエハから残留水蒸気をとり除き、そしてこれら
をイールド・エンジニヤリング・システム社製の、LP I
II−M58型真空ベーク／ベーパー・プライム炉中150℃で
ヘキサメチルジシリザン（HMDS）でプライマー処理し
た。この脱水化とプライマー処理操作に際して、ウエハ
をこの炉の中で、交互に真空工程（2.5分間）と熱窒素
ガス注入（2.5分間）とを３回行い、次いで５〜８トル
の圧力で１分間HMDS蒸気を注入し、そして真空２分間、
窒素ガス２分間そして真空２分間からなる清浄化サイク
ルを用いて、炉から残留するHMDS蒸気を除去した。この
脱水化したプライマー処理したウエハを、炉が窒素ガス
で満たされた３分後に炉からとり出した。ウエハをつい
で周囲温度にまで冷却した。
各ウエハの上面をついで「ウエイコート 」HPR 504
レジストで塗布した（オリン・ハント・スペシャルティ
・プロダクツ社製の乳酸エチル中に溶解したクレゾール
異性体混合物／ホルムアルデヒドノボラック樹脂とナフ
トキノンジアジド増感剤とを含むポジ型ホトレジス
ト）。レジストを付与するためにシリコン・バレイ・グ
ループ（SVG）社製の8626型塗布器を使用した。各ウエ
ハの上面を、ウエハのエッジ、すなわち周辺部のまわり
に生成した望ましくないビーズを除いて12,000オングス
トロームのレジストで均一に塗布した。
この塗布操作に際して、静止したウエハの中心上に約
3mlのレジストを注加した。次いでスピン塗布器を始動
させ、500RPMで３秒間レジストを拡げた。ついで、ウエ
ハを8000RPM/秒に加速して5000RPMの所望のスピン速度
とした。この速度で20秒間スピンした。
つぎに、この塗布済みウエハを、裏側のリンスノズル
（SVG部品 No.06956−01;オリフィス径0.064インチ−1.
63mm）で適用する、エッジビーズ除去液を用いて同じ塗
布装置によるエッジビーズ除去操作に付した。各ウエハ
を８種の異なるエッジビーズ除去液の１つにより処理し
た。いずれの場合もこのエッジビーズ除去溶剤は、精密
制御器を備えた加圧かん容器から供給した。これらのエ
ッジビーズ除去溶剤を、米国特許第4,113,492号（Sato
他）の第５図に示されたのとほぼ同じ方法で、ホトレジ
ストを塗布したシリコンウエハの裏側のエッジにそれぞ
れ付与した。以下の第Ｉ表に各溶剤液の特定とともに、
各液を付与する最適の付与スピン速度（RPM）を示す。
各テストの目的は、レジスト塗膜のエッジとウエハ全
周のウエハエッジとの間に完全な空白部を作るよう（す
なわち、空白部中にかすやすじなどが全くない）にする
ために、溶剤液が拡散される最適またはもっとも早い供
給スピン速度を決定することである。もしこの拡散の速
度がこの最適の速度以上に増大すると、この空白部は不
完全なものになり始める。最適拡散速度が高くなればな
る程この空白部は益々せまくなりそして均一になること
が知られているので、より高い最適速度を示すこれらエ
ッジビーズ除去溶剤が一般に一層好ましい。100％MEKは
最高の最適拡散速度を有することが認められているが、
ホトレジスト塗膜を過度に昌すと思われる。
エッジビーズ除去操作には以下の時間的な各処理が含
まれる： 処理２の間に、エッジビーズ除去用溶剤混合物を塗布
済みウエハの裏面上に拡散させる。この拡散された溶剤
混合物はウエハの裏面上を外側に向けて流れ、次いで湾
曲部の周辺を回ってウエハの塗布されている面の内側に
流れこむ。処理３では溶剤は供給されない。エッジビー
ズ除去用溶剤は供給工程の後もウエハのエッジ面になお
もねばり付いているから、この工程は残留溶剤を実質的
にすべて除去し、そして得られたホトレジスト塗膜のエ
ッジとウエハエッジとの間の空白部が均一となるように
するためのものである。処理４は処理済みのウエハを乾
燥し、そしてウエハのエッジ部分上になお残留している
ホトレジスト材料のはがれた粒子全てを除くためのもの
である。
各例についてのこのビーズ除去法のこの他のプロセス
パラメータは以下の通りである： 供給量 12.5ml 供給圧力 50オンス／インチ２（0.22kg/cm2）
（3.13psi） 規制弁目盛 2.25 ノズル位置 ウエハエッジから10mmに固定 このエッジビーズ除去処理の後、各塗布済みウエハ
を、シリコン・バレイ・グループ社製の8636型ホットプ
レート炉を用いて、ソフトベーク処理をした。ソフトベ
ーク温度は110℃、時間は50秒であった。
ソフトベークの後で、各ウエハをこのエッジビーズ除
去処理の程度と良否とを測定するために調べた。これら
の観察の結果を第Ｉ表に示す。
第Ｉ表によると、実験１（乳酸エチル100容量％）は
最適の拡散速度でレジスト塗膜エッジとウエハのエッジ
との間に、最小1.5mmの空白部を示した。これは比較的
大きな空白部であり、さらに望ましい比較的せまい空白
部（例えば、0.75mm）を有する塗布済みウエハよりも利
用しうるウエハ区域が少ないことになる。さらに、これ
らの空白部中には著しい不均一性があった。従って、こ
のエッジビーズ除去用溶剤液を用いて作られた塗布済み
ウエハは大多数の産業上の利用性を得ることはむずかし
いと思われる。
同様に、実験２〜４からは比較的広くかつ不均一な空
白部が作られるという観察結果が得られた。これらのエ
ッジビーズ除去用溶剤を用いて作られた塗布済みウエハ
は、多くの産業上の応用に対してはまた不適当なもので
ある。
実験５、６および７は得られたウエハを大多数の産業
上の成果にさらに適するようにする比較的せまくかつ均
一な空白部を有した。実験５のエッジビーズ除去用液を
用いたウエハがもっとも好ましい。
実験８（100％MEK）はレジスト中に比較的せまくかつ
均一なエッジ空白部を生ずる。しかしながら、レジスト
のエッジの顕微鏡観察ではこれがでこぼこであることを
示した（すなわち、はさみで切った滑かな紙のエッジと
比べて、手で引き裂いた紙のエッジに相当する）。この
粗いエッジは後の操作工程で、望ましくない粒子を生成
させ易く、従ってウエハは多くの産業界の利用上、受容
されないものになる。
実験 ９〜12 前記の実験を４種の異なるエッジビーズ除去液、すな
わち（１）50容量％硫酸エチル/50容量％メチルエチル
ケトン；（２）100容量％乳酸エチル；（３）EGMEAおよ
び（４）アセトンについてくり返した。これらの実験の
目的は、各ビーズ除去用液により各ウエハのエッジか
ら、レジストの空白部1.5mmを除去することである。こ
の目的は第II表に示した各実験用のエッジビーズ除去処
理のパラメータにより達成された。
４枚のウエハを各エッジビーズ除去液を用いて処理
し、SVG 8636型ホットプレート炉で115℃、50秒間ソフ
トベーク処理した。
走査型電子顕微鏡（SEM）写真を、各エッジビーズ除
去溶剤により処理したウエハのレジストエッジの断面に
ついて撮影した。レジストが除去された空白部のエッジ
における、レジストの厚さの測定をダイアルキャリパゲ
ージを用いてSEM写真から行った。
これらのSEM写真から測定したレジスト膜厚さを以下
に示す。
レジスト膜の厚さの増加はすべてのエッジビーズ除去
用溶剤について認められたが、EL/MEK混合物は著しく膨
潤性が低いことを示した。この低度の膨潤性がリソグラ
フィー特性を、特に密着露光原板を用いるときに改善す
る（例えば精密な寸法上のコントロールの改良）。
実験 13及び14 レジストの写真感度に及ぼす、50容量％EL/50容量％M
EK溶剤混合物の作用をテストした。各実験で用いたもの
と類似の６枚のシリコンウエハを、前に述べたのと同じ
方法で「ウエイコート 」HPR 504ホトレジストでスピ
ン塗布した。３枚のこのウエハを密閉容器中に入れ、こ
の中に100mlの溶剤混合物を加えた。ウエハは容器中で6
0秒間飽和雰囲気に当てた（溶剤混合物に実際に接触は
させずに）。残る３枚のウエハはこのような処理をしな
かった。
つぎに、６枚のウエハはすべてSVG 8636型ホットプレ
ート炉で115℃、50秒間ソフトベーク処理した。このソ
フトベーク処理したウエハはGCA 4800型ステッパを用い
て露光し、ウエイコートポジLSI現像液（オリン・ハン
ト・スペシャリティ・プロダクツ社製）を脱イオン水で
1:1にうすめたものの中で、21℃で60秒間浸漬現像をし
た。2.0μマスクの現像後の画像の寸法を、ITPシステム
80ディメンジョン測定システムを使用して測定した。結
果を第III表に示す。 第 III 表 現像後の画像のディメンジョン（μ） 溶剤に当てる 平 均 標準偏差 あ り 2.03 0.02 な し 2.01 0.02 これらの結果は、前記EL/MEK溶剤混合物が使用したホ
トレジスト処方の写真感度に対し認められるべき作用を
有しないことを示している。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ラブ，マービン・エル・ジユニア アメリカ合衆国アリゾナ州85203．メー サ．ノースホーン ストリート ナンバ ー68‐1535 (72)発明者 タウナー，マーク・イー アメリカ合衆国アリゾナ州85234．ギル バート．イースト エンシナス1026 (56)参考文献 特開 昭64−15925（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−54920（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−69563（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−190679（ＪＰ，Ａ) 特公 昭58−19350（ＪＰ，Ｂ２)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】（ａ）基体表面上にホトレジスト溶液をス
    ピン塗布し、これによりその表面周辺部の望ましくない
    ホトレジスト材料の付着物を除く、前記基体表面の実質
    的に全面に均一な皮膜を構成するホトレジスト膜を付与
    し； （ｂ）前記の塗布済み基体の周辺部に乳酸エチルとメチ
    ルエチルケトンとが、それぞれ約65:35〜約25:75の容積
    比で存在する混合物からなる、溶剤混合物の充分量を接
    触させて、前記の均一な皮膜に不都合に作用することな
    く、望ましくない付着物を選択的に溶解させ；そして （ｃ）前記の塗布済み基体から前記の溶解した付着物を
    分離する 各工程からなることを特徴とする、ホトレジスト基体の
    周辺部から望ましくないホトレジスト材料を除去する方
    法。
  2. 【請求項２】（ａ）シリコンオキサイド／シリコンウエ
    ハの表面上に、溶剤中のノボラック樹脂とナフトキノン
    ジアジド増感剤とよりなるホトレジスト溶液をスピン塗
    布し、これにより前記ウエハの表面周辺部の望ましくな
    いホトレジスト材料付着物を除く前記ウエハ表面の実質
    的に全面に均一な皮膜を構成するホトレジスト膜を付与
    し； （ｂ）前記の塗布済みウエハの周辺部に乳酸エチルとメ
    チルエチルケトンとが、それぞれ約65:35〜約25:75の容
    積比で存在する、溶剤混合物の充分量を接触させて前記
    の均一な皮膜に不都合に作用することなく、望ましくな
    い付着物を選択的に溶解させ；そして （ｃ）前記塗布済みウエハから前記の溶解した付着物を
    分離する、 各工程からなることを特徴とする、前記ウエハの周辺部
    からの望ましくないホトレジスト材料の除去方法。
JP1501642A 1988-01-06 1989-01-04 ホトレジストを塗布した基体から望ましくない周辺部の材料（例えばエツジビーズ）を除去するための乳酸エチルとメチルエチルケトンとの特定混合物の使用 Expired - Fee Related JP2561964B2 (ja)

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