JPH03261955A - 現像方法 - Google Patents
現像方法Info
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- JPH03261955A JPH03261955A JP6007990A JP6007990A JPH03261955A JP H03261955 A JPH03261955 A JP H03261955A JP 6007990 A JP6007990 A JP 6007990A JP 6007990 A JP6007990 A JP 6007990A JP H03261955 A JPH03261955 A JP H03261955A
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- Japan
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- substrate
- foreign matter
- developing
- developability
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- Pending
Links
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
現像方法に係り、特に半導体製品を製作する場合に使用
するレティクル乾板、マスク又は、半導体自体のウェハ
ー等のレジスト現像工程の前処理に関し、 現像方法において■処理基板面内温度の均一性、■現像
処理前の基板上異物の除去、の向上を目的とし、 被処理基板を露光する工程、露光された基板を現像する
工程、を含む現像方法において、前記現像工程の前処理
工程として前記被処理基板を回転させながら現像性の低
い有機溶剤に該基板を曝すことを構成とする。
するレティクル乾板、マスク又は、半導体自体のウェハ
ー等のレジスト現像工程の前処理に関し、 現像方法において■処理基板面内温度の均一性、■現像
処理前の基板上異物の除去、の向上を目的とし、 被処理基板を露光する工程、露光された基板を現像する
工程、を含む現像方法において、前記現像工程の前処理
工程として前記被処理基板を回転させながら現像性の低
い有機溶剤に該基板を曝すことを構成とする。
本発明は現像方法に係り、特に半導体製品を製作する場
合に使用するレティクル乾板、マスク又は、半導体自体
のウェハー等のレジスト現像工程の前処理に関するもの
である。
合に使用するレティクル乾板、マスク又は、半導体自体
のウェハー等のレジスト現像工程の前処理に関するもの
である。
半導体製品の製造には微細パターンを形成するためにリ
ソグラフィー技術が用いられる。このためレティクル乾
板、Ｘスフあるいは半導体自体のウェハー等（以下これ
らを単に基板という）にレジストを塗布してバターニン
グし、電子ビーム等による露光、現像し、プリベータ、
エツチングを行い、レジストを剥離して上記乾板等の微
細パターンが形成される。
ソグラフィー技術が用いられる。このためレティクル乾
板、Ｘスフあるいは半導体自体のウェハー等（以下これ
らを単に基板という）にレジストを塗布してバターニン
グし、電子ビーム等による露光、現像し、プリベータ、
エツチングを行い、レジストを剥離して上記乾板等の微
細パターンが形成される。
基板を現像処理する際、雰囲気温度や現像処理開始前の
及び開始中の基板温度の面内温度均一性が現像の面内均
一性に影響する。また同様に基板を現像処理する際基板
上に付着しているダスト等の異物により均一な現像が阻
害される。これらの現象は特にデイプ現像においてよく
発生する。
及び開始中の基板温度の面内温度均一性が現像の面内均
一性に影響する。また同様に基板を現像処理する際基板
上に付着しているダスト等の異物により均一な現像が阻
害される。これらの現象は特にデイプ現像においてよく
発生する。
本発明は現像方法において■処理基板面内温度の均一性
、■現像処理前の基板上異物の除去、の向上を目的とす
る。
、■現像処理前の基板上異物の除去、の向上を目的とす
る。
上記課題は本発明によれば被処理基板を露光する工程、
露光された基板を現像する工程、を含む現像方法におい
て、前記現像工程の前処理工程として前記被処理基板を
回転させながら現像性の低い有機溶剤に該基板を曝すこ
とを特徴とする現像方法によって解決される。
露光された基板を現像する工程、を含む現像方法におい
て、前記現像工程の前処理工程として前記被処理基板を
回転させながら現像性の低い有機溶剤に該基板を曝すこ
とを特徴とする現像方法によって解決される。
本発明で用いる良溶媒の比率の低い有機溶剤としてＭＩ
ＢＫ （メチルイソブチルケトン）、ＩＰＡ（イソプロ
ピルアルコール）の混合液でＭＩＢＫの比率の１０％以
下のものが好ましい。また該有機溶剤の基板に曝する方
法としてスプレーやパドルによって行うのが好ましい。
ＢＫ （メチルイソブチルケトン）、ＩＰＡ（イソプロ
ピルアルコール）の混合液でＭＩＢＫの比率の１０％以
下のものが好ましい。また該有機溶剤の基板に曝する方
法としてスプレーやパドルによって行うのが好ましい。
基板を現像液にさらす前に、基板を回転させながら現像
性の低い液にさらす。これにより、現像液にさらされて
生じる（特に、現像液と現像雰囲気の温度が異なる時）
現像中の基板中心と周辺の温度差（雰囲気温度〉現像液
温度の場合、基板周辺の温度低下が基板中心に比較して
大きいため基板に温度むらが生じる。）による現像性の
不均一を、現像性の小さい有機溶剤による気化熱を利用
して均一にすることができる。又、異物除去に関しては
、基板を回転させた場合の遠心力と液が異物に当たった
際の力により、異物を除去できる。
性の低い液にさらす。これにより、現像液にさらされて
生じる（特に、現像液と現像雰囲気の温度が異なる時）
現像中の基板中心と周辺の温度差（雰囲気温度〉現像液
温度の場合、基板周辺の温度低下が基板中心に比較して
大きいため基板に温度むらが生じる。）による現像性の
不均一を、現像性の小さい有機溶剤による気化熱を利用
して均一にすることができる。又、異物除去に関しては
、基板を回転させた場合の遠心力と液が異物に当たった
際の力により、異物を除去できる。
以下本発明の実施例を図面にもとすいて説明する。
第１図は、本発明に係るプリウェット工程を行ったレテ
ィクルの面内寸法測定結果（寸法分布）を示す図であり
、第２図は従来のプリウェット工程を行わない場合の結
果を示す図である。
ィクルの面内寸法測定結果（寸法分布）を示す図であり
、第２図は従来のプリウェット工程を行わない場合の結
果を示す図である。
実施例として５インチ口のレティクル乾板を現像処理し
た結果を説明する。５インチレティクル乾板の構成は石
英板厚２．３肛、Ｃｒ膜厚８００人、レジスト （商品
名ε８Ｒ−９）５０００Ａで構成されているものとする
。
た結果を説明する。５インチレティクル乾板の構成は石
英板厚２．３肛、Ｃｒ膜厚８００人、レジスト （商品
名ε８Ｒ−９）５０００Ａで構成されているものとする
。
現像雰囲気２５．０℃、現像液及びブリウェット液温度
を２３．０℃とする。上記レティクルをＥＢＮ光後、現
像機スピンチャックにて固定し５０〜５００ｒｐｍにて
回転させ、ＭＩＢＫとＩＰＡの混合液（良溶媒比率の低
いもの）を９．０ ｃｃ ／分の流量にてスプレーでレ
ティクル乾板上に１５秒間吹きつける。その後、ＭＩＢ
Ｋ （メチルイソブチルケトン）とＩＰＡ（イソプロピ
ルアルコール）の混合液（良溶媒比率の高いもの）にて
既存の現像方法であるデイツプ現像を２７０秒間行う。
を２３．０℃とする。上記レティクルをＥＢＮ光後、現
像機スピンチャックにて固定し５０〜５００ｒｐｍにて
回転させ、ＭＩＢＫとＩＰＡの混合液（良溶媒比率の低
いもの）を９．０ ｃｃ ／分の流量にてスプレーでレ
ティクル乾板上に１５秒間吹きつける。その後、ＭＩＢ
Ｋ （メチルイソブチルケトン）とＩＰＡ（イソプロピ
ルアルコール）の混合液（良溶媒比率の高いもの）にて
既存の現像方法であるデイツプ現像を２７０秒間行う。
面内寸法ばらつきの観察には、レティクル上に２ＩＪｍ
パターンを７×７に１７．５ｍｍピッチ（１０５ｍｍ口
）に配置したものを用い、現像後のレジストパターン寸
法を測長ＳＥＭにて観察した。本発明のプリウェット工
程有りの場合、面内寸法ばらつき３σ＝０．０３μ（Ｆ
ｉｇ、 １参照）、プリウェット工程無の場合、３σ＝
０．０６Ｊ−で０．０３−の改善が認められたく各サン
プル１０枚の平均）。
パターンを７×７に１７．５ｍｍピッチ（１０５ｍｍ口
）に配置したものを用い、現像後のレジストパターン寸
法を測長ＳＥＭにて観察した。本発明のプリウェット工
程有りの場合、面内寸法ばらつき３σ＝０．０３μ（Ｆ
ｉｇ、 １参照）、プリウェット工程無の場合、３σ＝
０．０６Ｊ−で０．０３−の改善が認められたく各サン
プル１０枚の平均）。
表面品質については、１００ｍ１Ｉｌ二の１０！０ＩＤ
ＸＩＯＩＩＩＩＩ＋のチエッカ−パターンを現像処理し
てエツチング後の残渣系欠陥（０，５−以上）を比較し
た。プリウェット工程無の場合、１．２個／枚であるの
に対し、本発明のプリウェット工程有りの場合、０．２
個／枚と残渣欠陥が少なくなり大きな効果があった（各
サンプル２０の結果）。
ＸＩＯＩＩＩＩＩ＋のチエッカ−パターンを現像処理し
てエツチング後の残渣系欠陥（０，５−以上）を比較し
た。プリウェット工程無の場合、１．２個／枚であるの
に対し、本発明のプリウェット工程有りの場合、０．２
個／枚と残渣欠陥が少なくなり大きな効果があった（各
サンプル２０の結果）。
以上説明した様に本発明によれば、現像の前に現像性の
低い有機溶剤を基板を回転させながら基板に供給する（
ブリウェット）ことにより、基板面内のレジストパター
ンの面内寸法ばらつきが均一となり、現像前の基板上に
付着している異物による現像時に発生する欠陥の減少が
可能となり、高精度、高性能のデバイスの開発、製造が
可能となる。
低い有機溶剤を基板を回転させながら基板に供給する（
ブリウェット）ことにより、基板面内のレジストパター
ンの面内寸法ばらつきが均一となり、現像前の基板上に
付着している異物による現像時に発生する欠陥の減少が
可能となり、高精度、高性能のデバイスの開発、製造が
可能となる。
第１図は、本発明に係るブリウェット工程を行ったレテ
ィクルの面内寸法測定結果（寸法分布）を示す図であり
、 第２図は従来のブリウェット工程を行わない場合の結果
を示す図である。 爽施例 ＩＪ１図 □平均以上の寸法 一一一一一一平均以下の寸法 従来例 ｓ２図
ィクルの面内寸法測定結果（寸法分布）を示す図であり
、 第２図は従来のブリウェット工程を行わない場合の結果
を示す図である。 爽施例 ＩＪ１図 □平均以上の寸法 一一一一一一平均以下の寸法 従来例 ｓ２図
Claims (1)
- １、被処理基板を露光する工程、露光された基板を現像
する工程、を含む現像方法において、前記現像工程の前
処理工程として前記被処理基板を回転させながら現像性
の低い有機溶剤に該基板を曝すことを特徴とする現像方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6007990A JPH03261955A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6007990A JPH03261955A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03261955A true JPH03261955A (ja) | 1991-11-21 |
Family
ID=13131727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6007990A Pending JPH03261955A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03261955A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010044233A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像方法及び塗布、現像装置。 |
| JP2013235901A (ja) * | 2012-05-07 | 2013-11-21 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び記憶媒体 |
| JP2016001334A (ja) * | 2009-06-08 | 2016-01-07 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ | フォトリソグラフィー方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57183026A (en) * | 1981-05-06 | 1982-11-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Formation of resist pattern |
| JPS584144A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-11 | Fujitsu Ltd | レジスト現像方法 |
| JPS63240020A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPH01125611A (ja) * | 1987-11-11 | 1989-05-18 | Fujitsu Ltd | 基準電流発生回路 |
| JPH0210364A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
-
1990
- 1990-03-13 JP JP6007990A patent/JPH03261955A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57183026A (en) * | 1981-05-06 | 1982-11-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Formation of resist pattern |
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| JPS63240020A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPH01125611A (ja) * | 1987-11-11 | 1989-05-18 | Fujitsu Ltd | 基準電流発生回路 |
| JPH0210364A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010044233A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像方法及び塗布、現像装置。 |
| JP2016001334A (ja) * | 2009-06-08 | 2016-01-07 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ | フォトリソグラフィー方法 |
| JP2013235901A (ja) * | 2012-05-07 | 2013-11-21 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び記憶媒体 |
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