JPS584144A - レジスト現像方法 - Google Patents
レジスト現像方法Info
- Publication number
- JPS584144A JPS584144A JP10188181A JP10188181A JPS584144A JP S584144 A JPS584144 A JP S584144A JP 10188181 A JP10188181 A JP 10188181A JP 10188181 A JP10188181 A JP 10188181A JP S584144 A JPS584144 A JP S584144A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- developer
- resist
- film
- resist film
- diluted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフォトレジストや電子線レジストなどの現像方
法に関する０ 半導体装置などの製造プロセスで、半導体ウェーハ上な
どくパターンを形成する際には、フォトエツチングなど
が用いられ、このフォトエツチングの要否がフォトマス
クの製造歩留りや、そのマスクを利用した半導体集積回
路などの装置としての性能や歩留〕Ｋ大きく影畳するこ
とはよく知られている。
法に関する０ 半導体装置などの製造プロセスで、半導体ウェーハ上な
どくパターンを形成する際には、フォトエツチングなど
が用いられ、このフォトエツチングの要否がフォトマス
クの製造歩留りや、そのマスクを利用した半導体集積回
路などの装置としての性能や歩留〕Ｋ大きく影畳するこ
とはよく知られている。
レジスト膜の現像方法としては作業能率が蛾もよいスプ
レィ現像法がある。しかし従来のスプレィ式現像方法は
レジスト膜を塗布したマスク基板などを回転させながら
レジスト膜に現像液を噴霧状にして噴射するために、最
初は乾燥状態にあるレジスト膜面にスプレィされた現像
液はぬれ性が一様でないため部分的にはじかれ現像むら
を起したり、スプレィ部分以外のレジスト表面に現像液
の飛沫が付着し、その部分の現像が速く進みレジスト膜
に粒状の現像斑を生ずるなどの欠点があったＯ 本発明は上記従来の欠点を除去し、現像むらのないレジ
スト現像方法を提供することを目的とする。そしてその
目的は、本発明によればレジスト膜を被覆した基体にお
いてレジスト膜にパターンを露光して現像する際に、希
釈した現像液をレジスト膜面にスプレィした後、前記レ
ジストａＫ現像液をスプレィしてレジストｐＩＡを現像
することを特徴とするレジスト現像方法′ｆｒ提供する
ことによって達成される。
レィ現像法がある。しかし従来のスプレィ式現像方法は
レジスト膜を塗布したマスク基板などを回転させながら
レジスト膜に現像液を噴霧状にして噴射するために、最
初は乾燥状態にあるレジスト膜面にスプレィされた現像
液はぬれ性が一様でないため部分的にはじかれ現像むら
を起したり、スプレィ部分以外のレジスト表面に現像液
の飛沫が付着し、その部分の現像が速く進みレジスト膜
に粒状の現像斑を生ずるなどの欠点があったＯ 本発明は上記従来の欠点を除去し、現像むらのないレジ
スト現像方法を提供することを目的とする。そしてその
目的は、本発明によればレジスト膜を被覆した基体にお
いてレジスト膜にパターンを露光して現像する際に、希
釈した現像液をレジスト膜面にスプレィした後、前記レ
ジストａＫ現像液をスプレィしてレジストｐＩＡを現像
することを特徴とするレジスト現像方法′ｆｒ提供する
ことによって達成される。
以下本発明による一実施例を図面により詳脱する。館１
図は本発明による現像方法を用いる現像処理装置の一例
を示したものである。パターンを露光したレジスト膜１
が被覆されて−るマスク基板中シリコンウェーハなどの
基体２ｔ″真空チヤツクを有する回転板３上に載置し所
定の回転数で回転させながらスゲレイノズル４より、先
づ希釈した現像液をスプレィし、レジスト全面ＫＪＩ釈
し光現儂液を行き渡らせる０使用したレジスト（ＡＺ−
１３５０）の現像液は０ＦＰＲ（東京応化製）を用いた
が、希釈した現像液は０ＦＰＲｔ純水によル１Ｇ〜！Ｓ
〇−に希釈したものである０希釈した３Ｊ＊液は希釈現
像液タンク６よ〕電磁弁５の開閉によシスプレイノズル
４に供給されている。ついで電磁弁５を切換えて現像液
１現像液タンク７よりスプレィノズル４に供給し、レジ
スト誤全面にスプレィし現像する・レジスト面は希釈し
た現像液によ）前処理されているため、ぬれ性がよく仕
上が夛表面はきれいで均一な現偉膜がえられる。ついで
リンスするが第１８には示していないＯｌにお、第１図
において、８は装置の外枠、９は液の流出口。
図は本発明による現像方法を用いる現像処理装置の一例
を示したものである。パターンを露光したレジスト膜１
が被覆されて−るマスク基板中シリコンウェーハなどの
基体２ｔ″真空チヤツクを有する回転板３上に載置し所
定の回転数で回転させながらスゲレイノズル４より、先
づ希釈した現像液をスプレィし、レジスト全面ＫＪＩ釈
し光現儂液を行き渡らせる０使用したレジスト（ＡＺ−
１３５０）の現像液は０ＦＰＲ（東京応化製）を用いた
が、希釈した現像液は０ＦＰＲｔ純水によル１Ｇ〜！Ｓ
〇−に希釈したものである０希釈した３Ｊ＊液は希釈現
像液タンク６よ〕電磁弁５の開閉によシスプレイノズル
４に供給されている。ついで電磁弁５を切換えて現像液
１現像液タンク７よりスプレィノズル４に供給し、レジ
スト誤全面にスプレィし現像する・レジスト面は希釈し
た現像液によ）前処理されているため、ぬれ性がよく仕
上が夛表面はきれいで均一な現偉膜がえられる。ついで
リンスするが第１８には示していないＯｌにお、第１図
において、８は装置の外枠、９は液の流出口。
１０は舞い上砂防止板である。
本発明によるレジスト膜の現像方法はポジ減。
ネガ型のフォトレジスト及び電子線レジストなどの微細
パターンの形成に適用でき、レジスト膜を塗布する基体
としては、ガラス基板やシリコンウェーハに限定される
ことなく種々の基体を用いることができる。
パターンの形成に適用でき、レジスト膜を塗布する基体
としては、ガラス基板やシリコンウェーハに限定される
ことなく種々の基体を用いることができる。
本発明によるレジスト現像方法は、スプレィ法の作業能
率がよい点を活かす簡易な方法を付加するのみで、レジ
スト膜が場所により現像が過度に表−）九り、不足であ
ったりまたは粒状の現儂斑を生じた〕することがなくな
り、分解能を大幅にあげると共にピンホールのないファ
インパターンのエツチングを行うことができる効果を有
する。
率がよい点を活かす簡易な方法を付加するのみで、レジ
スト膜が場所により現像が過度に表−）九り、不足であ
ったりまたは粒状の現儂斑を生じた〕することがなくな
り、分解能を大幅にあげると共にピンホールのないファ
インパターンのエツチングを行うことができる効果を有
する。
第１図は本発明による現像方法を用いるスプレィ現俸装
置の一実施例を示す断面略図である０図において、１は
レジスト膜、２は基体、３は回転板、４はスプレィノズ
ル、５は電磁弁、６は希釈現像液タンク、７は現像液タ
ンク、８は装置の外枠、９は液の流出口、１Ｇは舞い１
夛防止板を示す。
置の一実施例を示す断面略図である０図において、１は
レジスト膜、２は基体、３は回転板、４はスプレィノズ
ル、５は電磁弁、６は希釈現像液タンク、７は現像液タ
ンク、８は装置の外枠、９は液の流出口、１Ｇは舞い１
夛防止板を示す。
Claims (1)
- レジスト膜を被覆し友基体におりてレジスト膜、にパタ
ーンを露光して現像する際くい希釈した現像液をレジス
ト膜面にスプレィした後、前記レジスト膜ＫＷ＊＊をス
プレィしてレジストｓ［ｔ−現像することｔ特徴とする
レジスト現像方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10188181A JPS584144A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | レジスト現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10188181A JPS584144A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | レジスト現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS584144A true JPS584144A (ja) | 1983-01-11 |
Family
ID=14312281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10188181A Pending JPS584144A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | レジスト現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584144A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02303116A (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-17 | Nec Corp | スピン現像方法 |
| JPH03261955A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-21 | Fujitsu Ltd | 現像方法 |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP10188181A patent/JPS584144A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02303116A (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-17 | Nec Corp | スピン現像方法 |
| JPH03261955A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-21 | Fujitsu Ltd | 現像方法 |
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