JPH03149808A - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
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- JPH03149808A JPH03149808A JP1289432A JP28943289A JPH03149808A JP H03149808 A JPH03149808 A JP H03149808A JP 1289432 A JP1289432 A JP 1289432A JP 28943289 A JP28943289 A JP 28943289A JP H03149808 A JPH03149808 A JP H03149808A
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Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 12
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体基板などの上面に超微細なレジストパタ
ーンを形成するレジストノ（ターンの形成方法に関する
ものである。
ーンを形成するレジストノ（ターンの形成方法に関する
ものである。
従来の技術
半導体集積回路は微細化が進み、その最／３Ｘ寸法は０
．５μｍに達しようとして％１１る。このような微細な
回路パターンを半導体基板上に形成するために、従来よ
りステッパを用い、光源として３６５ｎｍもしくは４３
６ｎ請のいわゆる紫外線を常用してきた。
．５μｍに達しようとして％１１る。このような微細な
回路パターンを半導体基板上に形成するために、従来よ
りステッパを用い、光源として３６５ｎｍもしくは４３
６ｎ請のいわゆる紫外線を常用してきた。
また、ホトレジストとしてはノボラック樹脂をベースと
したポジ型のものが中心であった。しかし前述のように
０．５μｍに達するほどの超微細パターンを形成するた
めには、従来のような紫外光の光源では不十分となって
きた。これは光学系の解像度が光源の波長に依存するた
めである。光源の波長は短かいほど解像度が向上するた
め、より短波長のエキシマレーザ−光源を持つステッパ
ーが提案されている。この波長は１９３ｎｍ〜２４８ｎ
ｍ付近のものが主である。
したポジ型のものが中心であった。しかし前述のように
０．５μｍに達するほどの超微細パターンを形成するた
めには、従来のような紫外光の光源では不十分となって
きた。これは光学系の解像度が光源の波長に依存するた
めである。光源の波長は短かいほど解像度が向上するた
め、より短波長のエキシマレーザ−光源を持つステッパ
ーが提案されている。この波長は１９３ｎｍ〜２４８ｎ
ｍ付近のものが主である。
発明が解決しようとする課題
しかしこのエキシマレーザ−光源を用いて現在最も使用
勝手の良いノボラック系のレジストを露光した場合、そ
の吸光率が使用波長領域で大きく、表面付近の露光量と
基板付近の露光量との差が大きいため、レジストパター
ン形状が極めて悪い形状になってしまう、つまり、エキ
シマレーザ−光の波長領域においてノボラック系のレジ
ストはそのノボラックレンジ自体が５０％程度の吸収を
持っており、この光源でパターンを露光した場合、表面
付近の方が光のドーズ量が大きく内部はど少なくなる。
勝手の良いノボラック系のレジストを露光した場合、そ
の吸光率が使用波長領域で大きく、表面付近の露光量と
基板付近の露光量との差が大きいため、レジストパター
ン形状が極めて悪い形状になってしまう、つまり、エキ
シマレーザ−光の波長領域においてノボラック系のレジ
ストはそのノボラックレンジ自体が５０％程度の吸収を
持っており、この光源でパターンを露光した場合、表面
付近の方が光のドーズ量が大きく内部はど少なくなる。
したがって、露光後にアルカリ現像液で現像するとパタ
ーン形状は基板付近で太く、表面付近で細い形状となり
、切り立った良好な微細レジストパターンが得られない
という問題を有していた。たとえば、０．６μｍの線パ
ターンを１０ｍ厚のレジストに転写する。とその段面形
状は三角形となり、このような形状では後工程でレジス
トとしての良好な働きをしない。
ーン形状は基板付近で太く、表面付近で細い形状となり
、切り立った良好な微細レジストパターンが得られない
という問題を有していた。たとえば、０．６μｍの線パ
ターンを１０ｍ厚のレジストに転写する。とその段面形
状は三角形となり、このような形状では後工程でレジス
トとしての良好な働きをしない。
本発明は上記従来の問題を解決するもので、切り立った
形状の良好な微細レジストパターンを得ることができる
レジストパターンの形成方法を蜀供することを目的とす
るものである。
形状の良好な微細レジストパターンを得ることができる
レジストパターンの形成方法を蜀供することを目的とす
るものである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために本発明のレジストパターンの
形成方法は、基板にレジストを塗布する工程と、少なく
ともレジスト表面が現像液に浸された状態で回路パター
ンを露光する工程とを有するものである。
形成方法は、基板にレジストを塗布する工程と、少なく
ともレジスト表面が現像液に浸された状態で回路パター
ンを露光する工程とを有するものである。
作用
上記構成により、少なくともレジスト表面を現像液に浸
しながら露光するので、露光部分のレジストが露光が進
むと同時に表面付近から現像液中へ溶解して、レジスト
の膜厚が露光に応して薄くなる。このため、露光される
部分における膜厚方向への光ドーズ量が一定となり、レ
ジストの基板付近の部分においても光ドーズ量が十分に
得られ、極めて切り立った形状の良好な微細レジストパ
ターンが形成されることになる。
しながら露光するので、露光部分のレジストが露光が進
むと同時に表面付近から現像液中へ溶解して、レジスト
の膜厚が露光に応して薄くなる。このため、露光される
部分における膜厚方向への光ドーズ量が一定となり、レ
ジストの基板付近の部分においても光ドーズ量が十分に
得られ、極めて切り立った形状の良好な微細レジストパ
ターンが形成されることになる。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例を示すレジストパターンの形
成方法を説明するための図であり、ＫｒＦガスエキシマ
レーザ−（２４８ｎｌ ）を光源として持つステッパー
を用いてシリコン基板上にレジストパターンを形成する
場合の図である。第１図において、エキシマレーザ−１
より発した光は回路パターンのきざまれなレチクル２を
通り、石英レンズ３で１１５に縮小された後、シリコン
基板４上に達する。シリコン基板４は石英板５が上面に
つぃた石英ウィンドーを有するカップ内に配置されてい
る。さらに、シリコン基板４はこのとき、アルカリ現像
液（ＴＭＡＨ２３Ｊ％）６に浸された状態にある。また
、シリコン基板４の表面には、ノボラック基ホトレジス
トフが１０ｍ厚に塗布され１００℃でプリベークされて
ｔｌる。また、露光時のパルスパワーは１０ｍ Ｊ ／
ｎｒパルス数は３０パルスである。さらに、このパル
スは３パルスごとに２秒の間隔をあけて供給され、シリ
コン基板４１面のホトレジストアに露光する。
成方法を説明するための図であり、ＫｒＦガスエキシマ
レーザ−（２４８ｎｌ ）を光源として持つステッパー
を用いてシリコン基板上にレジストパターンを形成する
場合の図である。第１図において、エキシマレーザ−１
より発した光は回路パターンのきざまれなレチクル２を
通り、石英レンズ３で１１５に縮小された後、シリコン
基板４上に達する。シリコン基板４は石英板５が上面に
つぃた石英ウィンドーを有するカップ内に配置されてい
る。さらに、シリコン基板４はこのとき、アルカリ現像
液（ＴＭＡＨ２３Ｊ％）６に浸された状態にある。また
、シリコン基板４の表面には、ノボラック基ホトレジス
トフが１０ｍ厚に塗布され１００℃でプリベークされて
ｔｌる。また、露光時のパルスパワーは１０ｍ Ｊ ／
ｎｒパルス数は３０パルスである。さらに、このパル
スは３パルスごとに２秒の間隔をあけて供給され、シリ
コン基板４１面のホトレジストアに露光する。
また、ホトレジストア上に現像液を盛った状態で露光す
ると現像液がゆらぎ解像力が低下するので、これを防ぐ
ため、シリコン基板４と平行に石英板５を設けてその間
に現ｆＩ液６を満した状態で露光している。このように
、ホトレジスト表面を現像液６に浸して露光するので、
露光部分のホトレジストアが、露光が進むと同時に表面
付近から現像液５中へ溶解して、ホトレジストアの膜厚
が露光に応じて薄くなる。このため、ホトレジストアの
シリコン基板４付近の部分においても光ドーズ量が十分
に得られて、良好な切り立った微細レジストパターンが
形成できる。
ると現像液がゆらぎ解像力が低下するので、これを防ぐ
ため、シリコン基板４と平行に石英板５を設けてその間
に現ｆＩ液６を満した状態で露光している。このように
、ホトレジスト表面を現像液６に浸して露光するので、
露光部分のホトレジストアが、露光が進むと同時に表面
付近から現像液５中へ溶解して、ホトレジストアの膜厚
が露光に応じて薄くなる。このため、ホトレジストアの
シリコン基板４付近の部分においても光ドーズ量が十分
に得られて、良好な切り立った微細レジストパターンが
形成できる。
このような状態で露光した０、５μｍラインパターンの
微細形状を空気中で露光した後現像したものと比較する
と、後者のものは側壁の角度が４５゜〜６０°シかなく
形状が三角形となっているのに対し、本実施例のもので
は、約８０＠の極めて切り立った形状の側壁が得られて
良好な微細レジストパターンが形成された。
微細形状を空気中で露光した後現像したものと比較する
と、後者のものは側壁の角度が４５゜〜６０°シかなく
形状が三角形となっているのに対し、本実施例のもので
は、約８０＠の極めて切り立った形状の側壁が得られて
良好な微細レジストパターンが形成された。
したがって、従来より常用され最も使い勝手の良いノボ
ラック系ホトレジストをエキシマレーザ−光を用いて、
ホトレジスト表面を現像液６に浸した状態で露光するた
め、良好な微細レジストパターンを形成することができ
る。
ラック系ホトレジストをエキシマレーザ−光を用いて、
ホトレジスト表面を現像液６に浸した状態で露光するた
め、良好な微細レジストパターンを形成することができ
る。
発明の効果
以上のように本発明によれば、少なくともレジスト表面
が現像液に浸された状態で回路パターンを露光するため
、露光される部分におけるレジスト展厚方向への光ドー
ズ量が一定となり、極めて切り立った形状の良好な微細
レジストパターン形成することができ、後工程において
もレジストとして良好に働くものである。
が現像液に浸された状態で回路パターンを露光するため
、露光される部分におけるレジスト展厚方向への光ドー
ズ量が一定となり、極めて切り立った形状の良好な微細
レジストパターン形成することができ、後工程において
もレジストとして良好に働くものである。
第１図は本発明の一実施例を示すレジストパターンの形
成方法を説明するための図である。 １−・・エキシマレーザ−，４・・・シリコン基板−６
・・−現像液、７・・・ホトレジスト。 代理人 森 本 義 弘 第１図 ７−−一鳩４１虜− ７−−一本トドジ−４ト
成方法を説明するための図である。 １−・・エキシマレーザ−，４・・・シリコン基板−６
・・−現像液、７・・・ホトレジスト。 代理人 森 本 義 弘 第１図 ７−−一鳩４１虜− ７−−一本トドジ−４ト
Claims (1)
- １、基板にレジストを塗布する工程と、少なくともレジ
スト表面が現像液に浸された状態で回路パターンを露光
する工程とを有するレジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1289432A JPH03149808A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1289432A JPH03149808A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03149808A true JPH03149808A (ja) | 1991-06-26 |
Family
ID=17743172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1289432A Pending JPH03149808A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03149808A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005081063A1 (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Daikin Industries, Ltd. | 液浸リソグラフィーに用いるレジスト積層体 |
-
1989
- 1989-11-07 JP JP1289432A patent/JPH03149808A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005081063A1 (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Daikin Industries, Ltd. | 液浸リソグラフィーに用いるレジスト積層体 |
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