JPH02118650A - パターン形成材料 - Google Patents
パターン形成材料Info
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- JPH02118650A JPH02118650A JP27344588A JP27344588A JPH02118650A JP H02118650 A JPH02118650 A JP H02118650A JP 27344588 A JP27344588 A JP 27344588A JP 27344588 A JP27344588 A JP 27344588A JP H02118650 A JPH02118650 A JP H02118650A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体素子を製造するときに用いられるパター
ン形成材料、具体的にはレジスト材料に係シ、特に露光
エネルギー源としてたとえば２４９ｎｍのすなわちＫｒ
Ｆエキシマ・レーザー、遠紫外線光等を用いてパターン
形成する際のポジ型レジスト材料に関する。
ン形成材料、具体的にはレジスト材料に係シ、特に露光
エネルギー源としてたとえば２４９ｎｍのすなわちＫｒ
Ｆエキシマ・レーザー、遠紫外線光等を用いてパターン
形成する際のポジ型レジスト材料に関する。
従来の技術
エキシマ・レーザー（ＡｒＦ；１９３ｎｍ、ＫｒＦ；２
４８ｎｍ、ＸｅＣ１；３０８ｎｍなど）、遠紫外線（１
９０〜３３０ ｎｍ付近）を露光源とする時のレジス）
（ＤＵＶレジスト）としては、ポジ型では、ＡＺ２４ｏ
ｏ（シラプレー社）、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレ
ート）、ネガ型では、ＰＧＭＡ（ポリグリシジルメタク
リレート）。
４８ｎｍ、ＸｅＣ１；３０８ｎｍなど）、遠紫外線（１
９０〜３３０ ｎｍ付近）を露光源とする時のレジス）
（ＤＵＶレジスト）としては、ポジ型では、ＡＺ２４ｏ
ｏ（シラプレー社）、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレ
ート）、ネガ型では、ＰＧＭＡ（ポリグリシジルメタク
リレート）。
ＣＭＳ（クロロメチル化スチレン；東洋ソーダ）などが
提案されている。ＰＭＭＡ、ＰＧＭＡはドライエツチン
グ耐性が悪い上に、非常に感度が悪い。又ＣＭＳも感度
が悪い（ＰＭＭＡより１０程度度良いが、それでも２４
８ ｎｍのＫｒＦレーザーで約１０００−２０００ ｍ
Ｉ／ａ！必要（膜厚約０．５μｍのとき））。ＡＺ２
４００は、エツチング耐性もあシ（ノボラック樹脂であ
る故）、感度も市販・開発されたＤＵＶレジストの中で
は最も良いが（２４８ｎｍ ＫｒＦレーザーで約１００
ｍＪ／ｉ（膜厚約１．０μｍのとき））、ＤＵＶ光で露
光したときに、露光後の透過率が小さく、レジストがＤ
ＵＶ光を吸収する成分がもともと多量に含まれているこ
とがわかる。
提案されている。ＰＭＭＡ、ＰＧＭＡはドライエツチン
グ耐性が悪い上に、非常に感度が悪い。又ＣＭＳも感度
が悪い（ＰＭＭＡより１０程度度良いが、それでも２４
８ ｎｍのＫｒＦレーザーで約１０００−２０００ ｍ
Ｉ／ａ！必要（膜厚約０．５μｍのとき））。ＡＺ２
４００は、エツチング耐性もあシ（ノボラック樹脂であ
る故）、感度も市販・開発されたＤＵＶレジストの中で
は最も良いが（２４８ｎｍ ＫｒＦレーザーで約１００
ｍＪ／ｉ（膜厚約１．０μｍのとき））、ＤＵＶ光で露
光したときに、露光後の透過率が小さく、レジストがＤ
ＵＶ光を吸収する成分がもともと多量に含まれているこ
とがわかる。
第２図に２４８ ｎｍレーザーで照射した場合の紫外分
光曲線を示す。このため、ＡＺ２４００を３へ 用いてＤＵＶ光でパターン形成したときには、光がレジ
スト中で吸収されるため、コントラストの良好なレジス
トパターンは形成できない（たとえば、Ｈ，Ｉｔｏ
ら、シンポジウム オニｙ ＶＬＳＩテクノロジー（
Ｓｙｍｐｏ ｏｎ ＶＬ Ｓ Ｉ Ｔｅａｈ 、 ）
（１９８２）、に、Ｊ、０ｒｖｅｋら、ｘヌヒ−フイイ
ー（ＳＰＩＥ）（１９８６）、Ｖ、Ｐｏ、ｊら、エフ、
ピーアイイー（ＳＰＩＥ）（１９８６））。
光曲線を示す。このため、ＡＺ２４００を３へ 用いてＤＵＶ光でパターン形成したときには、光がレジ
スト中で吸収されるため、コントラストの良好なレジス
トパターンは形成できない（たとえば、Ｈ，Ｉｔｏ
ら、シンポジウム オニｙ ＶＬＳＩテクノロジー（
Ｓｙｍｐｏ ｏｎ ＶＬ Ｓ Ｉ Ｔｅａｈ 、 ）
（１９８２）、に、Ｊ、０ｒｖｅｋら、ｘヌヒ−フイイ
ー（ＳＰＩＥ）（１９８６）、Ｖ、Ｐｏ、ｊら、エフ、
ピーアイイー（ＳＰＩＥ）（１９８６））。
第３図を用いて従来のＡＺ２４００を用いたレジストパ
ターン形成方法を示す。基板１上にＡＺ２４００を回転
塗布し、厚さ１．６μｍのレジスト膜を得る（第３図ａ
）。つぎに２４８ ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ−光４
により選択的にレジスト３を露光４する（第３図ｂ）。
ターン形成方法を示す。基板１上にＡＺ２４００を回転
塗布し、厚さ１．６μｍのレジスト膜を得る（第３図ａ
）。つぎに２４８ ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ−光４
により選択的にレジスト３を露光４する（第３図ｂ）。
そして、最後に通常のアルカリ現像処理を施してレジス
トパターン３ａが得られた（第３図Ｃ）。
トパターン３ａが得られた（第３図Ｃ）。
発明が解決しようとする課題
ところが、前述のように従来のＡＺ２４００は下部まで
光が到達しないために、レジストパターン３ａはその形
状が劣化したものとなっている。
光が到達しないために、レジストパターン３ａはその形
状が劣化したものとなっている。
このように光の表面吸収が大きいＡＺ２４００のような
従来のレジストでは、露光をたとえばＫｒＦ２４８ ｎ
ｍエキシマ・レーザー光のような短波長光源を用いた場
合微細なパターンを形状良く得ることは不可能である。
従来のレジストでは、露光をたとえばＫｒＦ２４８ ｎ
ｍエキシマ・レーザー光のような短波長光源を用いた場
合微細なパターンを形状良く得ることは不可能である。
すなわち、本発明の目的は従来のレジストにおいてレジ
スト表面での光（特に２４９ ｎｍエキシマ・レーザー
光）吸収により発生したレジストパターンの解像度・コ
ントラストの劣化が発生していたのを防止することにあ
る。
スト表面での光（特に２４９ ｎｍエキシマ・レーザー
光）吸収により発生したレジストパターンの解像度・コ
ントラストの劣化が発生していたのを防止することにあ
る。
課題を解決するだめの手段
本発明は従来のパターン形成材料が有していたパターン
不良を解決するために、アシルオキシイミノ基を有する
化合物と樹脂より成ることを特徴とするパターン形成材
料を提供するものである。
不良を解決するために、アシルオキシイミノ基を有する
化合物と樹脂より成ることを特徴とするパターン形成材
料を提供するものである。
作 用
本発明のパターン形成材料は、その成分中のアシルオキ
シイミノ基が光により分解し、酸可溶となる。即ち、以
下の如き光反応が生じる。
シイミノ基が光により分解し、酸可溶となる。即ち、以
下の如き光反応が生じる。
６７、
Ｈ（Ｊ
−−→Ｒ１−ＮＨ３Ｃ１−
このようにアシルオキシイミノ基を含む化合物は、その
露光部が酸に溶け、未露光部は樹脂の酸溶解を妨げる働
きをすることから、本発明のパターン形成材料はポジ型
のパターンが得られる。
露光部が酸に溶け、未露光部は樹脂の酸溶解を妨げる働
きをすることから、本発明のパターン形成材料はポジ型
のパターンが得られる。
そして、上記化合物の反応がパターン形成材料中で均一
性良く、しかも、感度良く起こるために、光吸収性の問
題なく、パターン形状は良好となる。
性良く、しかも、感度良く起こるために、光吸収性の問
題なく、パターン形状は良好となる。
本発明において、樹脂に限定はないが、酸現像時の未露
光部の膜減りを最小限とするために、ノボラック樹脂や
フェノール系樹脂やスチレン系樹脂などのうちの酸性樹
脂を用いることが考えられる。もちろん、これの限りで
はない。
光部の膜減りを最小限とするために、ノボラック樹脂や
フェノール系樹脂やスチレン系樹脂などのうちの酸性樹
脂を用いることが考えられる。もちろん、これの限りで
はない。
本発明のパターン形成材料を２４８ ｎｍのＫｒＦエキ
シマ・レーザー露光に用いることにより、形状の良い超
微細レジストパターンを形成することができる。
シマ・レーザー露光に用いることにより、形状の良い超
微細レジストパターンを形成することができる。
６／、
実施例
以下の組成から成るパターン形成材料を調整した。
この本発明のパターン形成材料を用いたレジストパター
ン形成方法を第１図で説明する。半導体等の基板１上に
本発明のパターン形成材料２を回転塗布し、厚さ１．５
μｍのレジスト膜を得る（第１図ａ）。つぎに２４８
ｎｍのＫｒＦエキシマ・レーザー光４により選択的にマ
スク５を介してレジスト２をパルス露光する（第１図ｂ
）。そして、最後にｐＨ５，０の酸性溶液現像処理を施
してレーザー光４の露光部を除去しレジストパターン２
ａが得られた（第１図Ｃ）。なお、このときレジメ７
＼ ドパターン２ａはマスク設計通りに精度よくコン１−ラ
ストの良い微細パターン（Ｏ，Ｓμｍ）であった。なお
、このパターン形成材料はヌチレン樹脂であることから
エツチング耐性は良好であった。
ン形成方法を第１図で説明する。半導体等の基板１上に
本発明のパターン形成材料２を回転塗布し、厚さ１．５
μｍのレジスト膜を得る（第１図ａ）。つぎに２４８
ｎｍのＫｒＦエキシマ・レーザー光４により選択的にマ
スク５を介してレジスト２をパルス露光する（第１図ｂ
）。そして、最後にｐＨ５，０の酸性溶液現像処理を施
してレーザー光４の露光部を除去しレジストパターン２
ａが得られた（第１図Ｃ）。なお、このときレジメ７
＼ ドパターン２ａはマスク設計通りに精度よくコン１−ラ
ストの良い微細パターン（Ｏ，Ｓμｍ）であった。なお
、このパターン形成材料はヌチレン樹脂であることから
エツチング耐性は良好であった。
本発明に係るアシルオキシイミノ基を有する化合物とし
ては、他に以下の例が挙げられるが、これらに限定され
ない。
ては、他に以下の例が挙げられるが、これらに限定され
ない。
一ザー光による露光・現像に際してのレジストパターン
形成が高コントラスト、高解像、高精度で行うことがで
き、結果として半導体素子の微細化。
形成が高コントラスト、高解像、高精度で行うことがで
き、結果として半導体素子の微細化。
歩留まシ向上につながシ、工業的価値が高い。
第１図は本発明の一実施例のパターン形成材料を用いた
パターン形成方法の工程断面図、第２図は従来のレジヌ
）（ＡＺ２４００）の露光前後のＤＵＶ領域での紫外分
光曲線図、第３図は従来のパターン形成方法の工程断面
図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・本発明のパターン
形成材料、４・・・・・・エキシマ−レーザー光、６・
・印・マスク、２ａ・・・・・・パターン。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名発明
の効果 本発明によれば、 特にＤＵＶ光やエキシマ・ Ｏフ
パターン形成方法の工程断面図、第２図は従来のレジヌ
）（ＡＺ２４００）の露光前後のＤＵＶ領域での紫外分
光曲線図、第３図は従来のパターン形成方法の工程断面
図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・本発明のパターン
形成材料、４・・・・・・エキシマ−レーザー光、６・
・印・マスク、２ａ・・・・・・パターン。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名発明
の効果 本発明によれば、 特にＤＵＶ光やエキシマ・ Ｏフ
Claims (2)
- （１）アシルオキシイミノ基を有する化合物と樹脂より
成ることを特徴とするパターン形成材料。 - （２）樹脂が酸性樹脂であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載のパターン形成材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27344588A JPH02118650A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | パターン形成材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27344588A JPH02118650A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | パターン形成材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02118650A true JPH02118650A (ja) | 1990-05-02 |
Family
ID=17528010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27344588A Pending JPH02118650A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | パターン形成材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02118650A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2798747A1 (fr) * | 1999-09-21 | 2001-03-23 | Hyundai Electronics Ind | Composition de photoreserve contenant un generateur de photobase avec generateur de photo-acide |
-
1988
- 1988-10-28 JP JP27344588A patent/JPH02118650A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2798747A1 (fr) * | 1999-09-21 | 2001-03-23 | Hyundai Electronics Ind | Composition de photoreserve contenant un generateur de photobase avec generateur de photo-acide |
| NL1016224C2 (nl) * | 1999-09-21 | 2001-05-30 | Hyundai Electronics Ind | Foto-basevormend middel en foto-zuurvormend middel bevattende foto- etssamenstelling. |
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