JPH07113771B2 - 基板上への樹脂パタ−ンの形成方法 - Google Patents
基板上への樹脂パタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPH07113771B2 JPH07113771B2 JP60196334A JP19633485A JPH07113771B2 JP H07113771 B2 JPH07113771 B2 JP H07113771B2 JP 60196334 A JP60196334 A JP 60196334A JP 19633485 A JP19633485 A JP 19633485A JP H07113771 B2 JPH07113771 B2 JP H07113771B2
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- JP
- Japan
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- resin
- substrate
- pattern
- resist
- exposure
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は基板上への樹脂パターンの形成方法に関するも
のである。
のである。
従来の技術 オプトエレクトロニクスの進展により光学部品の高精細
度加工が望まれている。従来、この種の光学部品、例え
ば、超微細フレネルレンズは第４図に示すような工程で
作られていた。即ち、第４図（ａ）において、基板１の
上に形成したPMMAレジスト２をホトマスク３をマスクと
して、遠紫外光４を用いて露光し、現像することによ
り、第４図（ｂ）に示すPMMAレジストパターン５を得る
ことができる。
度加工が望まれている。従来、この種の光学部品、例え
ば、超微細フレネルレンズは第４図に示すような工程で
作られていた。即ち、第４図（ａ）において、基板１の
上に形成したPMMAレジスト２をホトマスク３をマスクと
して、遠紫外光４を用いて露光し、現像することによ
り、第４図（ｂ）に示すPMMAレジストパターン５を得る
ことができる。
発明が解決しようとする問題点 ここで問題となるのは、パターンがレジストにより形成
されているために耐熱性や、有機溶剤等に対する耐性が
低いことである。更に単層のレジストを用いる場合は、
レジストを厚くするとパターンの微細化が難しく、レジ
ストをある程度以上厚くすることができないという問題
点があった。
されているために耐熱性や、有機溶剤等に対する耐性が
低いことである。更に単層のレジストを用いる場合は、
レジストを厚くするとパターンの微細化が難しく、レジ
ストをある程度以上厚くすることができないという問題
点があった。
本発明はこのような問題点を解決するもので、耐熱性、
耐薬品性に優れた樹脂パターンを所望の厚さで簡単に形
成できるようにすることを目的とするものである。
耐薬品性に優れた樹脂パターンを所望の厚さで簡単に形
成できるようにすることを目的とするものである。
問題点を解決するための手段 この問題点を解決するために本発明は、露光波長の光を
透過する基板の一方の面に前記露光波長を吸収する樹脂
を用いて所定形状の樹脂マスクパターンを形成し、前記
基板及び前記樹脂マスクパターン上に前記露光波長に対
して硬化性を持つ感光性樹脂薄膜層を形成した後、前記
基板の他方の面より前記露光波長の光源を用いて露光を
行ない、その後現像するものである。
透過する基板の一方の面に前記露光波長を吸収する樹脂
を用いて所定形状の樹脂マスクパターンを形成し、前記
基板及び前記樹脂マスクパターン上に前記露光波長に対
して硬化性を持つ感光性樹脂薄膜層を形成した後、前記
基板の他方の面より前記露光波長の光源を用いて露光を
行ない、その後現像するものである。
作用 この構成により、耐熱性、耐薬品性に優れた光学部品用
樹脂パターンを所望の厚さで、簡単な工程にて形成する
ことができる。
樹脂パターンを所望の厚さで、簡単な工程にて形成する
ことができる。
実施例 以下、本発明の一実施例について、図面に基づいて説明
する。
する。
第１図において、先ず石英基板11上に遠紫外光に対して
吸収の強いレジストを用いてレジストパターン12を形成
する。遠紫外光に対して吸収の強いレジストとしてはノ
ボラック系ポジ形ホトレジストや、電子ビーム用や遠紫
外光用のレジストであるポリスチレン系レジストがあげ
られる。第２図に東京応化（株）製ホトレジスト，商品
名OFPR 800と東洋ソーダ（株）製EB,遠紫外光用レジス
ト，商品名CMS-EXの吸光度を示す。図から明らかなよう
に、これらのレジストは遠紫外光に対して強い吸収を示
し、マスクとして用いることができる。これらのレジス
トを用いたレジストパターン12の形成方法を以下に示
す。OFPR 800を用いる場合、0.5μｍの厚さに塗布し
て、85℃、30分のプリベークを行ない、波長430nmの紫
外光を用いて100mJで露光し、東京応化（株）製現像液N
MD-3を用いて１分間現像することにより所望の樹脂パタ
ーンが完成する。又、CMS-EXを用いる場合、0.5μｍの
厚さに塗布し、130℃、30分のプリベーク後、８μC/cm2
の露光量で電子ビーム露光を行ない、酢酸イソアミル／
エチルセルソルブ＝1/3の現像液を用いて１分間現像す
ることにより所望の樹脂パターンが形成される。このよ
うに形成されたレジストパターン12上に熱硬化の性質を
持たない、例えばフェニル系Si樹脂のような感光性Si樹
脂13を２μｍの厚さで塗布する。更に、キャノン製マス
クアライナーPLA 521FAを用いて石英基板11側より遠紫
外光露光を行なう。露光条件として、波長は300nm以
下、例えば250nm、光強度は16mW/cm2、露光時間は５秒
である。第３図に示すフェニル系Si樹脂の感度曲線図よ
り明らかなように、露光時間５秒で感光性Si樹脂13は感
光して硬化する。次に、酢酸イソアミル／エチルセルソ
ルブ＝1/3の現像液を用いて感光性Si樹脂13を現像し、
更にO2アッシングによりレジストパターン12を除去する
ことにより、第１図（ｂ）に示すように所望のSi樹脂パ
ターン14を得ることができる。尚、Si樹脂はO2アッシン
グに対してエッチングレートは略０である。又、目的に
よってはレジストパターン12を除去せずに残しておいて
も良い。
吸収の強いレジストを用いてレジストパターン12を形成
する。遠紫外光に対して吸収の強いレジストとしてはノ
ボラック系ポジ形ホトレジストや、電子ビーム用や遠紫
外光用のレジストであるポリスチレン系レジストがあげ
られる。第２図に東京応化（株）製ホトレジスト，商品
名OFPR 800と東洋ソーダ（株）製EB,遠紫外光用レジス
ト，商品名CMS-EXの吸光度を示す。図から明らかなよう
に、これらのレジストは遠紫外光に対して強い吸収を示
し、マスクとして用いることができる。これらのレジス
トを用いたレジストパターン12の形成方法を以下に示
す。OFPR 800を用いる場合、0.5μｍの厚さに塗布し
て、85℃、30分のプリベークを行ない、波長430nmの紫
外光を用いて100mJで露光し、東京応化（株）製現像液N
MD-3を用いて１分間現像することにより所望の樹脂パタ
ーンが完成する。又、CMS-EXを用いる場合、0.5μｍの
厚さに塗布し、130℃、30分のプリベーク後、８μC/cm2
の露光量で電子ビーム露光を行ない、酢酸イソアミル／
エチルセルソルブ＝1/3の現像液を用いて１分間現像す
ることにより所望の樹脂パターンが形成される。このよ
うに形成されたレジストパターン12上に熱硬化の性質を
持たない、例えばフェニル系Si樹脂のような感光性Si樹
脂13を２μｍの厚さで塗布する。更に、キャノン製マス
クアライナーPLA 521FAを用いて石英基板11側より遠紫
外光露光を行なう。露光条件として、波長は300nm以
下、例えば250nm、光強度は16mW/cm2、露光時間は５秒
である。第３図に示すフェニル系Si樹脂の感度曲線図よ
り明らかなように、露光時間５秒で感光性Si樹脂13は感
光して硬化する。次に、酢酸イソアミル／エチルセルソ
ルブ＝1/3の現像液を用いて感光性Si樹脂13を現像し、
更にO2アッシングによりレジストパターン12を除去する
ことにより、第１図（ｂ）に示すように所望のSi樹脂パ
ターン14を得ることができる。尚、Si樹脂はO2アッシン
グに対してエッチングレートは略０である。又、目的に
よってはレジストパターン12を除去せずに残しておいて
も良い。
発明の効果 以上のように本発明によれば、耐熱性、耐薬品性に優れ
た光学部品樹脂パターンを所望の厚さで、簡単な工程を
用いて形成することができる。
た光学部品樹脂パターンを所望の厚さで、簡単な工程を
用いて形成することができる。
第１図〜第３図は本発明の一実施例を示し、第１図
（ａ）（ｂ）は樹脂パターン形成方法を示す工程断面
図、第２図は遠紫外光に対するレジストの吸光度曲線
図、第３図は感光性Si樹脂の感度曲線図、第４図（ａ）
（ｂ）は従来の樹脂パターン形成方法を示す工程断面図
である。 11……石英基板、12……レジストパターン、13……感光
性Si樹脂、14……Si樹脂パターン
（ａ）（ｂ）は樹脂パターン形成方法を示す工程断面
図、第２図は遠紫外光に対するレジストの吸光度曲線
図、第３図は感光性Si樹脂の感度曲線図、第４図（ａ）
（ｂ）は従来の樹脂パターン形成方法を示す工程断面図
である。 11……石英基板、12……レジストパターン、13……感光
性Si樹脂、14……Si樹脂パターン
Claims (2)
- 【請求項１】露光波長の光を透過する基板の一方の面に
前記露光波長を吸収する樹脂を用いて所定形状の樹脂マ
スクパターンを形成し、前記基板及び前記樹脂マスクパ
ターン上に前記露光波長に対して硬化性を持つ感光性樹
脂薄膜層を形成した後、前記基板の他方の面より前記露
光波長の光源を用いて露光を行ない、その後現像するこ
とを特徴とする基板上への樹脂パターンの形成方法。 - 【請求項２】露光波長は300nm以下の遠紫外光であり、
感光性樹脂は遠紫外光に対して硬化性を持つSi樹脂であ
る特許請求の範囲第１項記載の基板上への樹脂パターン
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60196334A JPH07113771B2 (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | 基板上への樹脂パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60196334A JPH07113771B2 (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | 基板上への樹脂パタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6255650A JPS6255650A (ja) | 1987-03-11 |
| JPH07113771B2 true JPH07113771B2 (ja) | 1995-12-06 |
Family
ID=16356100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60196334A Expired - Lifetime JPH07113771B2 (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | 基板上への樹脂パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07113771B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2776232B1 (fr) | 1998-03-23 | 2001-05-18 | Ricoh Kk | Support d'enregistrement thermosensible reversible et procede de formation et d'effacement d'images l'utilisant |
| US7732373B2 (en) | 2006-03-17 | 2010-06-08 | Ricoh Company, Ltd. | Reversible thermosensitive recording medium, as well as reversible thermosensitive recording label, reversible thermosensitive recording member, image processing apparatus and image processing method |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4211834A (en) * | 1977-12-30 | 1980-07-08 | International Business Machines Corporation | Method of using a o-quinone diazide sensitized phenol-formaldehyde resist as a deep ultraviolet light exposure mask |
| JPS58207041A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-02 | Nec Corp | 放射線感応性高分子レジスト |
| JPS6045246A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
-
1985
- 1985-09-05 JP JP60196334A patent/JPH07113771B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6255650A (ja) | 1987-03-11 |
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